JP3138047B2 - 検査対象物の表面情報検知装置 - Google Patents

検査対象物の表面情報検知装置

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JP3138047B2
JP3138047B2 JP04039642A JP3964292A JP3138047B2 JP 3138047 B2 JP3138047 B2 JP 3138047B2 JP 04039642 A JP04039642 A JP 04039642A JP 3964292 A JP3964292 A JP 3964292A JP 3138047 B2 JP3138047 B2 JP 3138047B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は検査対象物の表面情報を
ここから発生する螢光を利用して検知する装置に関す
る。
【0002】例えば、バイヤホールを形成した段階のセ
ラミック基板のバイヤホールの形成状態の検査は、セラ
ミック基板の表面から発する螢光を利用してバイヤホー
ルの形成状態などのセラミック基板の表面の状態を検知
し、この検知した情報に基づいて行っている。
【0003】検査を正確に行うためには、セラミック基
板の表面の状態を正確に検知することが重要である。検
知を正しく行うためには、検知装置は、その時の検査の
対象場所である局部から発生した螢光に限定して検知し
うる構成であることが望ましい。
【0004】
【従来の技術】図11は従来の1例のセラミック基板の
バイヤホール検知装置1を示す。
【0005】2は被検査対象物である製造途中の段階の
セラミック基板であり、矢印A方向に移動するステージ
3上に載置固定されている。
【0006】セラミック基板2は、図12に示すよう
に、上面に金属配線4(図14(A)参照)が形成され
たセラミック基板本体5の上面にポリイミド膜6が形成
され、このポリイミド膜6にバイヤホール7が多数形成
された状態にある。
【0007】図11中、レーザ光源10より発したレー
ザ光11は、ビームエクスパンダ12、反射ミラー13
を介して、回転多面鏡14に到り、水平面内で偏向さ
れ、スキャンレンズ15、反射ミラー16を経て集光さ
れ、セラミック基板2上にスポット17を形成する。こ
のスポット17(レーザ光11a)が矢印18方向に走
査される。
【0008】スポット17の大きさは、図14(A)に
示すようにバイヤホール7よりも相当に小さい。
【0009】レーザ光11がポリイミド膜6を照射する
と、螢光19を発生する。
【0010】20は光センサであり、図14(A)に併
せて示すように、セラミック基板2に対向して斜めの向
きでセラミック基板2に対向して配してある。
【0011】この光センサ20の前面側に、フィルタ2
1が設けてある。
【0012】フィルタ21は、図13に線22で示す特
性を有している。
【0013】同図中、線23は上記のレーザ光11のス
ペクトルを示し、線23は上記の螢光19のスペクトル
を示す。
【0014】上記のフィルタ21は、レーザ光11は通
さず、螢光19は通す。
【0015】光センサ20は、セラミック基板2から発
する螢光19を検知し、セラミック基板2の表面の状態
(バイヤホール)に関する情報である螢光検知信号を出
力する。これが検査装置本体(図示せず)に送られ、こ
こで、バイヤホールの良否が判断される。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】図14(A)に示すよ
うに、レーザ光11(スポット17)が矢印18方向に
走査し、バイヤホール7の底面7aの金属配線4を照射
した時点を考えてみる。レーザ光11は符号11bで示
すように乱反射し、これがバイヤホール7の周壁面7b
に当たり、螢光19aが発生することがある。
【0017】周壁面7bから発生する螢光19aはノイ
ズであり、不用なものであるけれども、発生することは
避けられない。
【0018】この螢光19aの一部がフィルタ21を通
って光センサ20に入射してしまう。
【0019】このため、螢光検知信号は、本来は、図1
4(B)中、符号25で示すようにバイヤホール7の場
所では、GNDレベルとなるべきところが、符号26で
示すようになり、GNDレベルよりaだけ上がったもの
となってしまう。
【0020】この螢光検知信号26は、図15に示すよ
うに、バイヤホール7内にポリイミドの残渣27がある
場合に出力されるべき信号である。
【0021】このように、正しくない螢光検知信号が出
力される場合があった。
【0022】そこで、本発明は、スポットの場所から発
生する螢光だけが光センサに入射するようにし、スポッ
トの周りの部分から発生する螢光は光センサに入射しな
いようにして、スポットの周辺の部分から発生する螢光
による悪影響を無くしうるようにした被検査対象物の表
面情報検知装置を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、レー
ザ光を検査対象物に集光させてスポットとして照射さ
せ、該スポットを走査させて、このとき該検査対象物か
ら発生する螢光を、検知手段が上記検査対象物の表面情
報として検知する構成の検査対象物の表面情報検知装置
であって、上記レーザ光を上記検査対象物の表面で再帰
反射させて再結像させる再帰反射結像手段を設けると共
に、上記の再結像される位置に、ピンホール部材を設
け、該ピンホール部材の後側に上記検知手段を設け、
記レーザ光のスポットの周囲の部分からの拡散光を検知
する拡散光検知信号取得手段を設けた構成としたもので
ある。
【0024】請求項2の発明は、レーザ光を検査対象物
に集光させてスポットとして照射させ、該スポットを走
査させて、このとき該検査対象物から発生する螢光を、
検知手段が上記検査対象物の表面情報として検知する構
成の検査対象物の表面情報検知装置であって、 上記レー
ザ光を上記検査対象物の表面で再帰反射させて再結像さ
せる再帰反射結像手段を設けると共に、 上記の再結像さ
れる位置に、ピンホール部材を設け、 該ピンホール部材
の後側に上記検知手段を設け、 上記レーザ光のスポット
からの反射光を検知する反射光検知信号取得手段を設け
構成としたものである。
【0025】請求項3の発明は、レーザ光を金属配線が
形成された基板の上面にポリイミド膜が形成され、該ポ
リイミド膜にバイヤホールが多数形成された状態の検査
対象物に集光させてスポットとして照射させ、該スポッ
トを走査させて、このとき該検査対象物から発生する螢
光を、検知手段が上記検査対象物の表面情報として検知
する構成の検査対象物の表面情報検知装置であって、
記レーザ光を上記検査対象物の表面で再帰反射させて再
結像させる再帰反射結像手段を設けると共に、 上記の再
結像される位置に、スポットの像の径より大きく、バイ
ヤホールの像の径より小さい大きさのピンホールを有す
るピンホール部材を設け、 該ピンホール部材の後側に上
記検知手段を設けた構成としたものである。
【0026】
【作用】請求項1の再帰反射結像手段は、再結像位置を
動かない定点として、ピンホール部材の配設を可能とす
るように作用する。
【0027】ピンホール部材は、検査対象物上のスポッ
トの部分から発した光のみを通し、このスポットの周辺
の部分から発する光を遮蔽するように作用する。
【0028】散光検知手段は、スポットの周辺の部分
から拡散光を検知するように作用する。
【0029】請求項2の反射光検知手段は、スポットの
個所からの反射光全体を検知するように作用する。請求
項3のピンホール部材のピンホールの大きさを、スポッ
トの像の径より大きく、バイヤホールの像の径より小さ
い大きさに定めている構成は、ピンホール部材が、スポ
ットから反射した光だけを通過させ、スポットの周辺部
分から発した光、例えば、乱反射したレーザ光が周壁面
で反射した光を遮蔽するように作用する。
【0030】
【実施例】図1は、本発明の第1実施例になる検査対象
物の表面情報検査装置30を示す。
【0031】図2(A)は、図1中の要部を示す。
【0032】各図中、図11に示す構成部分と実質上同
一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【0033】回転多面鏡14が回転することにより、レ
ーザ光11c(スポット17)がセラミック基板2上を
矢印18方向に走査する。レーザ光11cはセラミック
基板2に対して垂直である。
【0034】31は再帰反射・結像手段であり、レーザ
光11cを再帰反射させてミラー13に向う戻りの光3
2とするスキャンレンズ15及び回転多面鏡14と、回
転多面鏡14と反射鏡13との間に配してあり、戻りの
光32を分岐させるビームスプリッタ33と、ビームス
プリッタ33によって分岐された光34を再結像させる
再結像用レンズ35とよりなる。
【0035】光34は、位置36に集光され、ここにス
ポット17の像が再結像され、その後拡がって光センサ
(光電子増倍管)20に入射する。
【0036】レーザ光11c(スポット17)が上記の
ように走査しても、再結像位置36は動かない。
【0037】再結像位置36は定点である。
【0038】このことを利用して、ピンホール部材37
が再結像位置36に設けてある。
【0039】図3に示すように、ピンホール38の径d
1 は、スポット17(バイヤホール7より十分に小さ
い)の像39の径d2 より多少大きい程度であり、バイ
ヤホール7の像40(乱反射したレーザ光11bが周壁
面7で反射した光等によって形成される)より十分に小
さい。ピンホール部材37は上記の像40より十分に大
きい。
【0040】従って、このピンホール部材37は、スポ
ット17から反射した光だけを通過させ、スポット17
の周辺部分から発した光は遮蔽する機能を有する。
【0041】また、フィルタ21は、ビームスプリッタ
33とレンズ35との間に設けてある。
【0042】次に、上記装置30の動作について説明す
る。
【0043】図2(A)の左側部分に示すように、レー
ザ光11cがバイヤホール以外の部位を照射していると
きには、反射レーザ光41とポリイミド膜6より発生し
た螢光42が再帰反射結像手段31に入り込み、螢光4
2だけがフィルタ21を通過し、レンズ35、ピンホー
ル部材37を通って光センサ20に入射する。
【0044】光センサ20は、図2(B)中、符号43
で示す高いレベルの螢光検知信号を出力する。
【0045】次に、図2(A)の中央部分に示すよう
に、レーザ光11cがバイヤホール7を照射した時点に
ついて説明する。
【0046】図14(A)に示すと同様に、レーザ光が
乱反射し、乱反射したレーザ光11bによってバイヤホ
ール7の周壁面7bの部分から螢光19aが発生する。
【0047】反射したレーザ光41に加えて上記の螢光
19aが再帰反射結像手段31内に入り込む。
【0048】フィルタ21によってレーザ光41は吸収
され、フィルタ21より先には螢光19aだけが進む。
【0049】しかし、この螢光19aは、スポット17
より発したものではなく、スポット17の周辺部分から
発したものであるため、ピンホール38内ではなく、ピ
ンホール38の周囲の部分に結像され、ピンホール部材
37により遮光される。
【0050】従って、上記の螢光19aは光センサ20
には到らず、螢光検知信号は図2(B)中、符号44で
示すようになり、GNDレベルとなる。この信号は、図
2(A)のバイヤホール7の状態を正しく検知した信号
となっている。
【0051】次に、図4(A)及び図15に示すよう
に、ポリイミド残渣45を有するバイヤホール7を照射
した場合について説明する。
【0052】スポット17はポリイミド残渣45上に形
成され、レーザ光41及び前記の螢光19aに加えて、
スポット17より発した螢光46が、上記再帰反射結像
手段31内に入り込む。この螢光46は、反射レーザ光
41の方向と一致する。
【0053】フィルタ21以後は、螢光19aと46と
が進む。
【0054】螢光46は、反射レーザ光41と方向が一
致しているため、ピンホール部材37のピンホール38
内に結像され、螢光46はピンホール部材37を通過し
て光センサ20に入射する。
【0055】これにより、螢光検出信号は、図4(B)
中、符号47で示す如くになり、あるレベルVaを有す
る。この信号は、図4(A)のバイヤホール7の状態を
正しく検知している。
【0056】この結果、バイヤホールの状態を正しく検
知した信号が取り出され、セラミック基板2は正しく検
査される。
【0057】なお、図1中、フィルタ21の配設個所は
同図に示す位置に限るものではなく、レンズ35とピン
ホール部材37との間でもよく、また、ピンホール部材
37と光センサ20との間でもよい。
【0058】また、ビームスプリッタ33として、図3
中、波長λ1 以上の光を反射させるような波長選択性を
有するものを使用すれば、上記のフィルタ21は不用で
ある。
【0059】次に、本発明の別の実施例について図5を
参照して説明する。
【0060】以下の実施例は、上記の螢光検知信号に加
えて別の光の信号も併せて検知しうるようにしたもので
ある。
【0061】図5は、本発明の第2実施例による検査対
象物の表面情報検知装置50を示す。
【0062】同図中、図1に示す構成部分と実質上同一
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【0063】フィルタ21が光センサ20の直前の位置
に設けてある。
【0064】ビームスプリッタ33とフィルタ21との
間に、二つのビームスプリッタ51と52とが設けてあ
り、分岐光34を更に分岐する。
【0065】ビームスプリッタ51は、ビームスプリッ
タ33とレンズ35との間に設けてあり、ビームスプリ
ッタ52は、ピンホール部材37とフィルタ21との間
に設けてある。
【0066】ビームスプリッタ51により分岐された光
53は、レンズ54、図6に示す遮光型空間フィルタ5
5を経て光センサ56に入射する。
【0067】遮光型空間フィルタ55は、図6に示すよ
うに、中央に遮光部55a、この周囲に透過部55bを
有し、その他を遮光部55cとした構成である。
【0068】このフィルタ55は、再結像位置36aに
設けてある。
【0069】スポット17の周りの部分から発生した光
が、透過部55bを通過する。
【0070】光センサ56は図7(A)に示す拡散光検
知信号57を出力する。
【0071】ビームスプリッタ51、レンズ54、遮光
型空間フィルタ55及び光センサ56が、スポット17
の周りの部分から発した拡散光を検知する拡散光検知信
号取得手段58を構成する。
【0072】この拡散光検知信号取得手段58を設けた
ことにより、レーザ光11cの照射点であるスポット1
7の周囲の部分の状態が検知される。
【0073】また、ビームスプリッタ52により分岐さ
れた光60は、光センサ61に入射する。
【0074】この光センサ61は、図7(B)に示す反
射光検知信号62を出力する。
【0075】ビームスプリッタ52及び光センサ61
が、反射光検知信号取得手段63を構成する。
【0076】この反射光検知信号取得手段63を設けた
ことにより、レーザ光11cの照射点であるスポット1
7の部分の状態が検知される。
【0077】従って、上記の装置50によれば、図7
(C)及び図2(B)に示す螢光検知信号に加えて、上
記の二つ信号57,62が得られ、より多くの表面情報
が検知され、これらを利用してセラミック基板はより正
しく検査される。図8は本発明の第3実施例になる検査
対象物の表面情報検知装置70を示す。同図中、図5に
示す構成部分と対応する部分には同一符号を付す。
【0078】71は反射型のピンホール部材であり、短
軸がm、長軸がnの楕円形のピンホール72を有する。
【0079】このピンホール部材71は、再結像位置3
6に図10に示すように、角度θ傾斜させて設けてあ
る。
【0080】角度θは、
【0081】
【数1】
【0082】を満足する角度である。
【0083】ピンホール部材71の反射光73が光セン
サ56に入射する。
【0084】反射型ピンホール部材71及び光センサ5
6が拡散光検知信号取得手段58Aを構成する。
【0085】この装置70は、図5の装置に比べて部品
点数を削減して構成され、図5の装置と同じ検知信号4
3,44,57,62を得ることができる。
【0086】また、上記各実施例において、回転多面鏡
14に代えて、ガルバノミラーのような光走査機構を用
いることもできる。
【0087】また、検査対象物は、セラミック基板に限
るものではなく、表面が、螢光を発する材料の所定のパ
ターンで形成されたものであればよい。
【0088】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項1の発明は、
レーザ光を上記検査対象物の表面で再帰反射させて再結
像させる再帰反射結像手段を設けると共に、再結像され
る位置に、ピンホール部材を設け、該ピンホール部材の
後側に上記検知手段を設けた構成としたものであるた
め、検査対象物上のスポットの周辺の部分から発する螢
光による影響を受けないようにすることが出来、上記ス
ポットの場所の情報を正しく取り出すことが出来、検査
対象物の表面の情報を正確に検知することが出来る。ま
た、レーザ光のスポットの周囲の部分からの拡散光を検
知する拡散光検知信号取得手段を設けた構成としたもの
であるため、スポットの場所に限らず、スポットの周辺
の部分の情報を併せて検知することが出来、検査対象物
の表面の情報をより正確に検知することが出来る。
【0089】請求項2の発明は、レーザ光を上記検査対
象物の表面で再帰反射させて再結像させる再帰反射結像
手段を設けると共に、再結像される位置に、ピンホール
部材を設け、ピンホール部材の後側に検知手段を設けた
構成としたものであるため、検査対象物上のスポットの
周辺の部分から発する螢光による影響を受けないように
することが出来、上記スポットの場所の情報を正しく取
り出すことが出来、検査対象物の表面の情報を正確に検
知することが出来る。また、レーザ光のスポットからの
反射光を検知する反射光検知信号取得手段を設けた構成
としたものであるため、スポットの個所からの螢光を含
めた全部の反射光を併せて検知することが出来、検査対
象物の表面の情報をより正確に検知することが出来る。
【0090】請求項3の発明は、レーザ光を金属配線が
形成された基板の上面にポリイミド膜が形成され、ポリ
イミド膜にバイヤホールが多数形成された状態の検査対
象物の表面で再帰反射させて再結像させる再帰反射結像
手段を設けると共に、再結像される位置に、スポットの
像の径より大きく、バイヤホールの像の径より小さい大
きさのピンホールを有するピンホール部材を設け、ピン
ホール部材の後側に上記検知手段を設けた構成としたも
のであるため、ピンホール部材がスポットから反射した
光だけを通過させ、スポットの周辺部分から発した光、
例えば、乱反射したレーザ光がバイヤホールの周壁面で
反射した光を遮蔽することによって、金属配線が形成さ
れた基板の上面のポリイミド膜にバイヤホールが多数形
成された状態の検査対象物のバイヤホールの良否を、ス
ポットの周辺部分から発した光、例えば、乱反射したレ
ーザ光がバイヤホールの周壁面7で反射した光の影響を
受けないで、正確に判断することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例にてる検査対象物の表面情
報検査装置を示す図である。
【図2】ポリイミド残渣無しのバイヤホールからの螢光
の発生及び螢光検知信号を示す図である。
【図3】図1中のピンホール部材を示す図である。
【図4】ポリイミド残渣有りのバイヤホールからの螢光
の発生及び螢光検知信号を示す図である。
【図5】本発明の第2実施例の装置を示す図である。
【図6】図5中の遮光型空間フィルタを示す図である。
【図7】図5の装置が出力する信号を示す図である。
【図8】本発明の第3実施例の装置を示す図である。
【図9】図8中の反射型ピンホール部材を示す図であ
る。
【図10】反射型ピンホール部材の配設を示す図であ
る。
【図11】従来の1例のセラミック基板のバイヤホール
検知装置を示す図である。
【図12】セラミック基板を示す図である。
【図13】図11中のフィルタの特性及びレーザ光及び
螢光のスペクトルを示す図である。
【図14】バイヤホール壁面からの螢光の発生及び螢光
検知信号を示す図である。
【図15】ポリイミド残渣を有するバイヤホールを示す
図である。
【符号の説明】
2 セラミック基板 3 ステージ 4 金属配線 5 セラミック基板本体 6 ポリイミド膜 7 バイヤホール 7a 底面 7b 周壁面 10 レーザ光源 11,11c レーザ光 11b 乱反射したレーザ光 12 ビームエクスパンダ 13 反射ミラー 14 回転多面鏡 15 スキャンレンズ 17 スポット 18 スポットの走査方向を示す矢印 19 螢光 19a 周壁面から発する螢光 20 光センサ 21 フィルタ 30,50,70 検査対象物の表面情報検知装置 31 再帰反射・結像手段 32 戻りの光 33 ビームスプリッタ 34 分岐された光 35 再結像用レンズ 36 再結像位置 37 ピンホール部材 38 ピンホール 39 スポットの像 40 バイヤホールの像 41 反射レーザ光 42 螢光 43,44 螢光検知信号 45 ポリイミド残渣 46 スポット17の個所から発生した螢光 51,52 ビームスプリッタ 53 分岐された光 54 レンズ 55 遮光型空間フィルタ 55a,55c 遮光部 55b 透過部 56 光センサ 57 拡散光信号 58,58A 拡散光検知信号取得手段 60 分岐された光 61 光センサ 62 反射光検知信号 63 反射光検知信号取得手段 71 反射型ピンホール部材 72 楕円形ピンホール 73 反射光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/84 - 21/958 G01B 11/00 - 11/30 H05K 3/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光を検査対象物に集光させてスポ
    ットとして照射させ、該スポットを走査させて、このと
    き該検査対象物から発生する螢光を、検知手段が上記検
    査対象物の表面情報として検知する構成の検査対象物の
    表面情報検知装置であって、 上記レーザ光を上記検査対象物の表面で再帰反射させて
    再結像させる再帰反射結像手段を設けると共に、 上記の再結像される位置に、ピンホール部材を設け、 該ピンホール部材の後側に上記検知手段を設け、上記レーザ光のスポットの周囲の部分からの拡散光を検
    知する拡散光検知信号取得手段を設けた 構成としたこと
    を特徴とする検査対象物の表面情報検知装置。
  2. 【請求項2】 レーザ光を検査対象物に集光させてスポ
    ットとして照射させ、該スポットを走査させて、このと
    き該検査対象物から発生する螢光を、検知手段が上記検
    査対象物の表面情報として検知する構成の検査対象物の
    表面情報検知装置であって、 上記レーザ光を上記検査対象物の表面で再帰反射させて
    再結像させる再帰反射結像手段を設けると共に、 上記の再結像される位置に、ピンホール部材を設け、 該ピンホール部材の後側に上記検知手段を設け、 上記レーザ光のスポットからの反射光を検知する反射光
    検知信号取得手段を設けた 構成としたことを特徴とする
    検査対象物の表面情報検知装置。
  3. 【請求項3】 レーザ光を金属配線が形成された基板の
    上面にポリイミド膜が形成され、該ポリイミド膜にバイ
    ヤホールが多数形成された状態の検査対象物に集光させ
    てスポットとして照射させ、該スポットを走査させて、
    このとき該検査対象物から発生する螢光を、検知手段が
    上記検査対象物の表面情報として検知する構成の検査対
    象物の表面情報検知装置であって、 上記レーザ光を上記検査対象物の表面で再帰反射させて
    再結像させる再帰反射結像手段を設けると共に、 上記の再結像される位置に、スポットの像の径より大き
    く、バイヤホールの像 の径より小さい大きさのピンホー
    ルを有するピンホール部材を設け、 該ピンホール部材の後側に上記検知手段を設けた構成と
    したことを特徴とする検査対象物の表面情報検知 装置。
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