JP3132074B2 - ダイヤモンド弾性表面波素子 - Google Patents
ダイヤモンド弾性表面波素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電体を用いた弾性表
面波素子の製造方法に関し、特に温度変化に対して安定
な弾性表面波素子の製造方法に関する。
面波素子の製造方法に関し、特に温度変化に対して安定
な弾性表面波素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体表面にエネルギーが集中して伝搬す
る弾性表面波を利用した弾性表面波素子は、小型で作製
しやすく温度特性等が安定である為、ＴＶ受信用フィル
ター等として利用されている。一般に弾性表面波素子
は、圧電体の表面に櫛形の電極を形成して構成されてい
る。
る弾性表面波を利用した弾性表面波素子は、小型で作製
しやすく温度特性等が安定である為、ＴＶ受信用フィル
ター等として利用されている。一般に弾性表面波素子
は、圧電体の表面に櫛形の電極を形成して構成されてい
る。
【０００３】近年、伝送情報量が増大し、伝送信号がマ
イクロ波領域に拡大しつつあり、ＧＨｚ帯で使用できる
素子の需要が高まっている。一般に弾性表面波素子の動
作周波数は弾性表面波の伝搬速度及び波長で決定され、
波長は櫛形電極の周期長で決定される。同じ周期長の電
極を用いた場合、即ち同じ波長で弾性表面波素子を使用
する場合、弾性表面波素子素材中の波の伝搬速度が大き
い方が、高い周波数まで扱える。そこで物質中最高の音
速を持つダイヤモンド（横波の速度：１３０００ｍ／
ｓ、縦波の速度：１６０００ｍ／ｓ）を基材として用い
る方法が考案されている。（例えば特公昭６４ー６２９
１１号公報）
イクロ波領域に拡大しつつあり、ＧＨｚ帯で使用できる
素子の需要が高まっている。一般に弾性表面波素子の動
作周波数は弾性表面波の伝搬速度及び波長で決定され、
波長は櫛形電極の周期長で決定される。同じ周期長の電
極を用いた場合、即ち同じ波長で弾性表面波素子を使用
する場合、弾性表面波素子素材中の波の伝搬速度が大き
い方が、高い周波数まで扱える。そこで物質中最高の音
速を持つダイヤモンド（横波の速度：１３０００ｍ／
ｓ、縦波の速度：１６０００ｍ／ｓ）を基材として用い
る方法が考案されている。（例えば特公昭６４ー６２９
１１号公報）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】弾性表面波素子を使用
する上で、温度変化に伴う特性の変化が大きな問題とな
っている。温度変化には、弾性表面波素子に連続的に電
界を加えることによる内的要因による温度変化と、気温
や異なる環境で使用することによる外的要因による温度
変化がある。温度変化による特性の変化には、主に中心
周波数の変化、挿入損失、フィルターとしての特性の判
断の基準である周波数帯域等が変化するが、特に中心周
波数が大きく変化する。
する上で、温度変化に伴う特性の変化が大きな問題とな
っている。温度変化には、弾性表面波素子に連続的に電
界を加えることによる内的要因による温度変化と、気温
や異なる環境で使用することによる外的要因による温度
変化がある。温度変化による特性の変化には、主に中心
周波数の変化、挿入損失、フィルターとしての特性の判
断の基準である周波数帯域等が変化するが、特に中心周
波数が大きく変化する。
【０００５】上記のとおりダイヤモンドを使用した高周
波帯域で動作する弾性表面波素子が実現されている。し
かしながらダイヤモンドを使用した弾性表面波素子で
は、ダイヤモンド基材上に形成される圧電体薄膜の周波
数特性が３０ｐｐｍ／℃以上と温度により大きく変化す
るので、例えば、一般によく用いられている狭帯域中間
周波数用フィルターなどに使用する場合、中心周波数が
変動する等、不安定で実用的ではなかった。
波帯域で動作する弾性表面波素子が実現されている。し
かしながらダイヤモンドを使用した弾性表面波素子で
は、ダイヤモンド基材上に形成される圧電体薄膜の周波
数特性が３０ｐｐｍ／℃以上と温度により大きく変化す
るので、例えば、一般によく用いられている狭帯域中間
周波数用フィルターなどに使用する場合、中心周波数が
変動する等、不安定で実用的ではなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電体層と電
極層とダイヤモンド層またはダイヤモンド状炭素膜層か
らなる弾性表面波素子を単結晶あるいは多結晶ダイヤモ
ンドからなるヒートシンク上に形成したことを特徴とす
る弾性表面波素子である。ダイヤモンド層またはダイヤ
モンド状炭素膜層の一部または全部を絶縁性とすること
ができる。
極層とダイヤモンド層またはダイヤモンド状炭素膜層か
らなる弾性表面波素子を単結晶あるいは多結晶ダイヤモ
ンドからなるヒートシンク上に形成したことを特徴とす
る弾性表面波素子である。ダイヤモンド層またはダイヤ
モンド状炭素膜層の一部または全部を絶縁性とすること
ができる。
【０００７】
【作用】ダイヤモンド弾性表面波素子をダイヤモンドか
らなるヒートシンクの上に形成し、またはダイヤモンド
ヒートシンク上に直接、弾性表面波素子を形成すれぱ、
ダイヤモンドヒートシンクの良好な熱伝導性のために素
子の温度変動が押さえられ、温度変動に起因する上記の
問題が解決できる。
らなるヒートシンクの上に形成し、またはダイヤモンド
ヒートシンク上に直接、弾性表面波素子を形成すれぱ、
ダイヤモンドヒートシンクの良好な熱伝導性のために素
子の温度変動が押さえられ、温度変動に起因する上記の
問題が解決できる。
【０００８】
【実施例】（実施例１）図１を参照して本発明の１実施
例を説明する。１０×１０×１ｍｍのサイズのＳｉから
なる成膜用基材１の上にダイヤモンド層２を成膜した。
条件は以下の通りである。反応室にＳｉＦ4とＣＨ4が約
８：１の混合ガスを、ＳｉＦ4とＣＨ4の全流量を約２０
ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉ
ｍｅｔｅｒ）として導入し、反応室内の圧力を約２０Ｐ
ａに維持し、電力密度０．８Ｗ／ｃｍ2で放電してプラ
ズマ状態とした。基材温度は約３００℃とした。
例を説明する。１０×１０×１ｍｍのサイズのＳｉから
なる成膜用基材１の上にダイヤモンド層２を成膜した。
条件は以下の通りである。反応室にＳｉＦ4とＣＨ4が約
８：１の混合ガスを、ＳｉＦ4とＣＨ4の全流量を約２０
ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉ
ｍｅｔｅｒ）として導入し、反応室内の圧力を約２０Ｐ
ａに維持し、電力密度０．８Ｗ／ｃｍ2で放電してプラ
ズマ状態とした。基材温度は約３００℃とした。
【０００９】その上に抵抗加熱法によりＡｌを５０ｎｍ
の厚みに蒸着し、フォトリソグラフィー法を用いて電極
幅及び電極間幅が２μｍの櫛形電極３を作製した。電極
の作製はウェットエッチング法を用いた。その上に圧電
体層４としてＺｎＯ薄膜を０．９μｍの厚みに形成し
た。ＺｎＯ薄膜はマグネトロンスパッタ装置を用いて形
成した。この様にして作製したダイヤモンド弾性表面波
素子を、単結晶ダイヤモンドからなるヒートシンク６の
上に形成した。この素子を４０時間連続動作したとこ
ろ、温度変動により中心周波数は初期動作時の中心周波
数１．０４６３ＧＨｚから１．０４６１ＧＨｚに変化し
た。
の厚みに蒸着し、フォトリソグラフィー法を用いて電極
幅及び電極間幅が２μｍの櫛形電極３を作製した。電極
の作製はウェットエッチング法を用いた。その上に圧電
体層４としてＺｎＯ薄膜を０．９μｍの厚みに形成し
た。ＺｎＯ薄膜はマグネトロンスパッタ装置を用いて形
成した。この様にして作製したダイヤモンド弾性表面波
素子を、単結晶ダイヤモンドからなるヒートシンク６の
上に形成した。この素子を４０時間連続動作したとこ
ろ、温度変動により中心周波数は初期動作時の中心周波
数１．０４６３ＧＨｚから１．０４６１ＧＨｚに変化し
た。
【００１０】（比較例１）実施例１と同様にして作製し
たダイヤモンド弾性表面波素子を、ヒートシンクを使用
せずに４０時間連続動作したところ、温度変動により中
心周波数は初期動作時の中心周波数１．０４６２ＧＨｚ
から１．０４５１ＧＨｚに変化した。
たダイヤモンド弾性表面波素子を、ヒートシンクを使用
せずに４０時間連続動作したところ、温度変動により中
心周波数は初期動作時の中心周波数１．０４６２ＧＨｚ
から１．０４５１ＧＨｚに変化した。
【００１１】（実施例２）図２を参照して本発明の別の
実施例を説明する。８ｍｍ×５ｍｍ×０．５ｍｍのサイ
ズの、超高圧合成法で形成したＩｂタイプ単結晶ダイヤ
モンドからなるヒートシンク６の上に、抵抗加熱法によ
りＡｌを５０ｎｍの厚みに蒸着し、ヒートシンク表面上
の一部にフォトリソグラフィー法を用いて電極幅及び電
極間幅が２μｍの櫛形電極３を作製した。電極の作製は
ウェットエッチング法を用いた。その上に圧電体層４と
して厚み０．８７μｍのＺｎＯ薄膜を形成した。ＺｎＯ
薄膜はマグネトロンスパッタ装置を用いて形成した。条
件は以下の通りである。反応室内にＡｒとＯ2を１：１
に混合したガスを導入し、高周波パワーを１５０Ｗとし
て成膜した。基板温度は約３８０℃であった。
実施例を説明する。８ｍｍ×５ｍｍ×０．５ｍｍのサイ
ズの、超高圧合成法で形成したＩｂタイプ単結晶ダイヤ
モンドからなるヒートシンク６の上に、抵抗加熱法によ
りＡｌを５０ｎｍの厚みに蒸着し、ヒートシンク表面上
の一部にフォトリソグラフィー法を用いて電極幅及び電
極間幅が２μｍの櫛形電極３を作製した。電極の作製は
ウェットエッチング法を用いた。その上に圧電体層４と
して厚み０．８７μｍのＺｎＯ薄膜を形成した。ＺｎＯ
薄膜はマグネトロンスパッタ装置を用いて形成した。条
件は以下の通りである。反応室内にＡｒとＯ2を１：１
に混合したガスを導入し、高周波パワーを１５０Ｗとし
て成膜した。基板温度は約３８０℃であった。
【００１２】このようにして作製したヒートシンク付き
弾性表面波素子を４０時間連続動作したところ、温度変
動による中心周波数、及び挿入損失の変動はなかった。
初期動作時の中心周波数は１．０４６３ＧＨｚであり高
周波で動作することを確認した。
弾性表面波素子を４０時間連続動作したところ、温度変
動による中心周波数、及び挿入損失の変動はなかった。
初期動作時の中心周波数は１．０４６３ＧＨｚであり高
周波で動作することを確認した。
【００１３】本発明による弾性表面波素子の構造は、図
１及び図２に示すものの他に、図３〜図５のような構造
をとることも可能である。図３は、基材１の上にダイヤ
モンド層またはダイヤモンド状炭素膜層２を成膜してこ
れを誘電体とし、その表面に圧電体層４を形成し、その
上に櫛形電極３を形成した構造である。図４は、基材１
の上にダイヤモンド層またはダイヤモンド状炭素膜層２
を成膜してこれを誘電体とし、その表面に櫛形電極３を
形成し、その上に圧電体層４を形成し、さらにその上に
表面短絡用電極５を形成した構造である。
１及び図２に示すものの他に、図３〜図５のような構造
をとることも可能である。図３は、基材１の上にダイヤ
モンド層またはダイヤモンド状炭素膜層２を成膜してこ
れを誘電体とし、その表面に圧電体層４を形成し、その
上に櫛形電極３を形成した構造である。図４は、基材１
の上にダイヤモンド層またはダイヤモンド状炭素膜層２
を成膜してこれを誘電体とし、その表面に櫛形電極３を
形成し、その上に圧電体層４を形成し、さらにその上に
表面短絡用電極５を形成した構造である。
【００１４】図５は、基材１の上にダイヤモンド層また
はダイヤモンド状炭素膜層２を成膜してこれを誘電体と
し、その表面に表面短絡用電極５を形成し、その上に圧
電体層４を形成したのち、櫛形電極３を形成した構造で
ある。いずれの構造でも、ヒートシンクによる温度変動
軽減の効果を得ることが出来る。
はダイヤモンド状炭素膜層２を成膜してこれを誘電体と
し、その表面に表面短絡用電極５を形成し、その上に圧
電体層４を形成したのち、櫛形電極３を形成した構造で
ある。いずれの構造でも、ヒートシンクによる温度変動
軽減の効果を得ることが出来る。
【００１５】実施例では圧電体としてＺｎＯを使用した
が、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、ＳｉＯ2等の酸化物圧
電体、ＡｌＮ等の窒化物圧電体、およびＰＬＺＴ等のセ
ラミクス圧電体のほか、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ等の
単結晶、及び多結晶基材を使用できる。櫛形電極及び表
面短絡電極用材料としてはエッチングによる電極の作製
が可能で、抵抗率が小さい金属が適する。特に、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌ等の低温で蒸着可能な金属やＴｉ、Ｗ、Ｍｏ
等の高融点金属が好適である。また例えば、Ｔｉの上に
Ａｌを積層したものなど、２種類以上の金属の組み合わ
せを使用することも出来る。
が、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、ＳｉＯ2等の酸化物圧
電体、ＡｌＮ等の窒化物圧電体、およびＰＬＺＴ等のセ
ラミクス圧電体のほか、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ等の
単結晶、及び多結晶基材を使用できる。櫛形電極及び表
面短絡電極用材料としてはエッチングによる電極の作製
が可能で、抵抗率が小さい金属が適する。特に、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌ等の低温で蒸着可能な金属やＴｉ、Ｗ、Ｍｏ
等の高融点金属が好適である。また例えば、Ｔｉの上に
Ａｌを積層したものなど、２種類以上の金属の組み合わ
せを使用することも出来る。
【００１６】電極のエッチングは、Ａｌ等の低融点金属
の場合は水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性溶液、硝
酸等の酸性溶液によるウェットエッチング法でエッチン
グ可能である。高融点金属はフッ酸と硝酸の混合溶液を
用いてエッチング可能である。またＢＣｌ3等のガスを
用いて、反応性イオンエッチング法により電極を作製す
ることも可能である。電極の作製の容易さの点からＡ
ｌ、Ｔｉが、またダイヤモンド薄膜を誘電体とするとき
はダイヤモンドとの密着性の点からＷ、Ｍｏが好まし
い。
の場合は水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性溶液、硝
酸等の酸性溶液によるウェットエッチング法でエッチン
グ可能である。高融点金属はフッ酸と硝酸の混合溶液を
用いてエッチング可能である。またＢＣｌ3等のガスを
用いて、反応性イオンエッチング法により電極を作製す
ることも可能である。電極の作製の容易さの点からＡ
ｌ、Ｔｉが、またダイヤモンド薄膜を誘電体とするとき
はダイヤモンドとの密着性の点からＷ、Ｍｏが好まし
い。
【００１７】また、半導電性ダイヤモンドを用いて櫛形
電極を形成することも可能である。高純度のダイヤモン
ドは絶縁性であるが、Ｂ，Ａｌ、Ｐ、Ｓ等の不純物を添
加するか、またイオン注入や電子線照射を用いて格子欠
陥を導入することにより半導電性ダイヤモンドを形成す
ることが出来る。
電極を形成することも可能である。高純度のダイヤモン
ドは絶縁性であるが、Ｂ，Ａｌ、Ｐ、Ｓ等の不純物を添
加するか、またイオン注入や電子線照射を用いて格子欠
陥を導入することにより半導電性ダイヤモンドを形成す
ることが出来る。
【００１８】本発明に於て、ダイヤモンド層及び圧電体
層は単結晶及び多結晶のいずれであってもよい。しか
し、高い周波数領域で使用する弾性表面波素子として使
用するため、音響散乱の少ない単結晶体であることが好
ましい。ダイヤモンド層あるいはダイヤモンド状炭素膜
層は、基板の一部であってもよいが、基板の全部であっ
てもよい。ダイヤモンド層あるいはダイヤモンド状炭素
膜層は、その全部が絶縁体であってもよいが、その一部
が半絶縁性であってもよい。
層は単結晶及び多結晶のいずれであってもよい。しか
し、高い周波数領域で使用する弾性表面波素子として使
用するため、音響散乱の少ない単結晶体であることが好
ましい。ダイヤモンド層あるいはダイヤモンド状炭素膜
層は、基板の一部であってもよいが、基板の全部であっ
てもよい。ダイヤモンド層あるいはダイヤモンド状炭素
膜層は、その全部が絶縁体であってもよいが、その一部
が半絶縁性であってもよい。
【００１９】ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素膜
を成膜するための基材としては、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｗ等多く
の無機材料を使用出来る。ダイヤモンド薄膜の形成方法
はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＰＶＤ法、熱フィラメ
ント法等、公知の方法で行うことができる。またダイヤ
モンド状炭素膜の形成方法は、プラズマＣＶＤ法、イオ
ンビーム蒸着法、スパッタリング等を用いる事が出来
る。反応室内のガスをプラズマ化するための方法として
は、高周波、低周波等による、グロー放電法、アーク放
電法等の各種放電法等を用いることができる。
を成膜するための基材としては、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｗ等多く
の無機材料を使用出来る。ダイヤモンド薄膜の形成方法
はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＰＶＤ法、熱フィラメ
ント法等、公知の方法で行うことができる。またダイヤ
モンド状炭素膜の形成方法は、プラズマＣＶＤ法、イオ
ンビーム蒸着法、スパッタリング等を用いる事が出来
る。反応室内のガスをプラズマ化するための方法として
は、高周波、低周波等による、グロー放電法、アーク放
電法等の各種放電法等を用いることができる。
【００２０】また、ダイヤモンドを形成する方法として
は、ハロゲン原子を供給し得るガスと水素原子を含む化
合物を用いたダイヤモンドの成膜、あるいは水素原子を
含む化合物を用いてダイヤモンドを成膜出来る。ハロゲ
ン原子を供給し得るガスとは、ハロゲン分子はもちろ
ん、ハロゲン化有機化合物、ハロゲン化無機化合物等の
ハロゲン原子を分子内に含む化合物を全て含有する。例
えば、フッ化メタン、フッ化エタン、トリフッ化メタ
ン、フッ化エチレン等のパラフィン系、オレフィン系、
脂環式、芳香族等の有機化合物、ハロゲン化シランの様
な無機化合物等である。
は、ハロゲン原子を供給し得るガスと水素原子を含む化
合物を用いたダイヤモンドの成膜、あるいは水素原子を
含む化合物を用いてダイヤモンドを成膜出来る。ハロゲ
ン原子を供給し得るガスとは、ハロゲン分子はもちろ
ん、ハロゲン化有機化合物、ハロゲン化無機化合物等の
ハロゲン原子を分子内に含む化合物を全て含有する。例
えば、フッ化メタン、フッ化エタン、トリフッ化メタ
ン、フッ化エチレン等のパラフィン系、オレフィン系、
脂環式、芳香族等の有機化合物、ハロゲン化シランの様
な無機化合物等である。
【００２１】ハロゲンガスを成膜室内に導入することに
より、２００℃〜９００℃の低い基材温度でダイヤモン
ドが成膜できる。ハロゲンガスは水素元素との結合力が
大きく原子半径の小さい方が好ましい。特に低圧で安定
な膜を成膜するためには、フッ素化合物が好ましい。ま
た水素原子を含む化合物としては、例えばメタン、エタ
ン、プロパン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、ナフタレ
ン等の芳香族炭化水素の他、エチレン、プロピレン等の
不飽和炭化水素、アンモニア、ビドラジン等のヘテロ原
子を有する有機化合物などである。
より、２００℃〜９００℃の低い基材温度でダイヤモン
ドが成膜できる。ハロゲンガスは水素元素との結合力が
大きく原子半径の小さい方が好ましい。特に低圧で安定
な膜を成膜するためには、フッ素化合物が好ましい。ま
た水素原子を含む化合物としては、例えばメタン、エタ
ン、プロパン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、ナフタレ
ン等の芳香族炭化水素の他、エチレン、プロピレン等の
不飽和炭化水素、アンモニア、ビドラジン等のヘテロ原
子を有する有機化合物などである。
【００２２】基材上に成膜された多結晶ダイヤモンド、
ダイヤモンド状炭素膜あるいは単結晶ダイヤモンド表面
は凹凸が大きく弾性表面波の散乱の原因になるので、表
面を研磨して凹凸を少なくした方がよい。圧電体として
は単結晶をウェハー状に加工したものやあるいは他の基
板上に薄膜を気相成長させたものが利用できる。後者の
場合には圧電体薄膜成長後あるいはさらに電極層やダイ
ヤモンド層等を形成後に基板を除去する場合もある。気
相合成する圧電体層は単結晶膜の場合と多結晶膜の場合
がある。
ダイヤモンド状炭素膜あるいは単結晶ダイヤモンド表面
は凹凸が大きく弾性表面波の散乱の原因になるので、表
面を研磨して凹凸を少なくした方がよい。圧電体として
は単結晶をウェハー状に加工したものやあるいは他の基
板上に薄膜を気相成長させたものが利用できる。後者の
場合には圧電体薄膜成長後あるいはさらに電極層やダイ
ヤモンド層等を形成後に基板を除去する場合もある。気
相合成する圧電体層は単結晶膜の場合と多結晶膜の場合
がある。
【００２３】ヒートシンクの材料は、高い熱伝導度を持
つ人工ダイヤモンドあるいは天然ダイヤモンドが適当で
ある。人工ダイヤモンドは、多結晶或は単結晶ダイヤモ
ンドのどちらでも良い。
つ人工ダイヤモンドあるいは天然ダイヤモンドが適当で
ある。人工ダイヤモンドは、多結晶或は単結晶ダイヤモ
ンドのどちらでも良い。
【００２４】
【発明の効果】本発明に従うと、温度変化に対して安定
で、かつ数１００ＭＨｚから数ＧＨｚ帯の高周波領域で
動作する弾性表面波素子を得ることが出来る。このよう
な弾性表面波素子は、高周波帯の帯域通過フィルター、
共振器、発振器、コンボルバー、遅延線等に好適であ
る。
で、かつ数１００ＭＨｚから数ＧＨｚ帯の高周波領域で
動作する弾性表面波素子を得ることが出来る。このよう
な弾性表面波素子は、高周波帯の帯域通過フィルター、
共振器、発振器、コンボルバー、遅延線等に好適であ
る。
【図１】本発明の弾性表面波素子の１つの実施例を示す
断面模式図である。
断面模式図である。
【図２】本発明の弾性表面波素子の別の実施例を示す断
面模式図である。
面模式図である。
【図３】弾性表面波素子の構造の変形例を示す断面模式
図である。
図である。
【図４】表面短絡用電極を有する弾性表面波素子の構造
の１例を示す断面図である。
の１例を示す断面図である。
【図５】表面短絡用電極を有する弾性表面波素子の構造
の他の例を示す断面図である。
の他の例を示す断面図である。
１：ダイヤ成膜用基材 ２：ダイヤモンド層 ３：櫛形電極 ４：圧電体層 ５：表面短絡用電極 ６：ヒートシンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤森 直治 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住 友電気工業株式会社伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 平２−239715（ＪＰ，Ａ) 1989 ＩＥＥＥ ＵＬＴＲＡＳＯＮＩ ＣＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ，ＶＯＬ. １，ｐ．351〜354 昭和58年度電子通信学会総合全国大会 講演論文集［分冊１］、昭和58年３月５ 日発行，ｐ．１−107 電子情報通信学会技術研究報告、Ｖｏ ｌ．88，Ｎｏ．181（ＵＳ88−38）、 1988年９月20日発行，ｐ．43−48（特 に，ｐ．43左欄第26−29行) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 3/08
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電体層と電極層とダイヤモンド層ある
いはダイヤモンド状炭素膜層からなる弾性表面波素子を
単結晶あるいは多結晶ダイヤモンドからなるヒートシン
ク上に形成したことを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項２】 ダイヤモンドヒートシンク表面の一部あ
るいは全部に、直接弾性表面波素子を形成したことを特
徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。 - 【請求項３】 ダイヤモンド層が単結晶あるいは多結晶
であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
弾性表面波素子。 - 【請求項４】 ダイヤモンド層あるいはダイヤモンド状
炭素膜層が気相合成法で形成せしめた薄膜である事を特
徴とする請求項１または請求項２記載の弾性表面波素
子。 - 【請求項５】 ダイヤモンド層あるいはダイヤモンド状
炭素膜層の一部または全部が絶縁性である事を特徴とす
る請求項１または請求項２記載の弾性表面波素子。 - 【請求項６】 圧電体層が単結晶あるいは多結晶である
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の弾性表
面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03228912A JP3132074B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | ダイヤモンド弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03228912A JP3132074B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | ダイヤモンド弾性表面波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567942A JPH0567942A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3132074B2 true JP3132074B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=16883803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03228912A Expired - Fee Related JP3132074B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | ダイヤモンド弾性表面波素子 |
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| JP (1) | JP3132074B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP03228912A patent/JP3132074B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| １９８９ ＩＥＥＥ ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣＳ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ，ＶＯＬ．１，ｐ．３５１〜３５４ |
| 昭和５８年度電子通信学会総合全国大会講演論文集［分冊１］、昭和５８年３月５日発行，ｐ．１−１０７ |
| 電子情報通信学会技術研究報告、Ｖｏｌ．８８，Ｎｏ．１８１（ＵＳ８８−３８）、１９８８年９月２０日発行，ｐ．４３−４８（特に，ｐ．４３左欄第２６−２９行） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0567942A (ja) | 1993-03-19 |
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