JP3127074B2 - Magnetic head - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はVTRやコンピュータ等
の磁気記録装置などに組み込まれて情報の記録再生を行
なう磁気ヘッドと軟磁性薄膜および軟磁性薄膜に対する
垂直磁気異方性の導入方法と縞状磁区の形成方法に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head incorporated in a magnetic recording device such as a VTR or a computer for recording and reproducing information, a soft magnetic thin film, a method of introducing perpendicular magnetic anisotropy to the soft magnetic thin film, and a stripe. The present invention relates to a method of forming a magnetic domain.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、磁気記録分野においては、記録密
度をより高めるために記録媒体の保磁力を高めるととも
に、この記録媒体に対応できる高性能の磁気ヘッドが開
発されている。磁気記録密度を高めるためには、磁気ヘ
ッドのトラック幅やギャップ長をできるだけ狭くするこ
とと、飽和磁束密度と透磁率を高めつつ保磁力を小さく
することが好ましい。このような観点から、フェライト
等により形成された磁気コアの磁気ギャップ近傍に金属
磁性膜を配した構造のメタルインギャップ型(MIG
型)の磁気ヘッドが実用化されている。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of magnetic recording, a high-performance magnetic head capable of coping with the recording medium has been developed while increasing the coercive force of the recording medium in order to further increase the recording density. In order to increase the magnetic recording density, it is preferable to reduce the track width and gap length of the magnetic head as much as possible, and to reduce the coercive force while increasing the saturation magnetic flux density and the magnetic permeability. From such a viewpoint, a metal-in-gap type (MIG) having a structure in which a metal magnetic film is disposed near a magnetic gap of a magnetic core formed of ferrite or the like.
Type) magnetic heads have been put to practical use.
【0003】また、トラック幅を狭くするとともに比抵
抗を高くして渦電流損失を軽減し、高周波帯域の磁気特
性を向上させるために、積層型磁気ヘッドと呼ばれる磁
気ヘッドが開発されている。積層型磁気ヘッドは、軟磁
性薄膜を基体上にスパッタや蒸着法などの成膜法により
形成し、その軟磁性薄膜上に再び基体を接着して磁気コ
アを基体で挟み込むように構成されたもので、成膜した
軟磁性薄膜の厚さがそのままトラック幅となる。従っ
て、狭トラック化が容易であり、記録密度の向上と、隣
接するトラックとの干渉の防止を図ることができる。ま
た、磁気回路形成部分が厚さ数μmの軟磁性薄膜となる
ため、渦電流損失を軽減することができ、高周波帯域に
おける磁気ヘッドの性能を向上させることができる。In order to reduce the track width and increase the specific resistance to reduce the eddy current loss and to improve the magnetic characteristics in a high frequency band, a magnetic head called a laminated magnetic head has been developed. The laminated magnetic head is configured such that a soft magnetic thin film is formed on a substrate by a film forming method such as sputtering or vapor deposition, and then the substrate is adhered to the soft magnetic thin film again and the magnetic core is sandwiched between the substrates. Thus, the thickness of the formed soft magnetic thin film directly becomes the track width. Therefore, it is easy to narrow the track, and it is possible to improve the recording density and prevent interference with an adjacent track. Further, since the magnetic circuit forming portion is a soft magnetic thin film having a thickness of several μm, eddy current loss can be reduced, and the performance of the magnetic head in a high frequency band can be improved.
【0004】ところで本発明者らは、前記MIG型の磁
気ヘッドあるいは積層型の磁気ヘッドに用いて好適な軟
軟磁性薄膜として、T100-a-b-c-d Xa Mb Zc Qdな
る組成の軟磁性薄膜を開発し、先に特許出願を行ってい
る。この組成式において、TはFe、Coのうち1種ま
たは2種、XはSi、Alのうち1種または2種、Mは
Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち1
種または2種以上、ZはC、Nのうち1種または2種、
QはCr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Au
のうち1種または2種以上を示し、組成比a、b、c、
dは原子%で0≦a≦25、1≦b≦15、0.5≦c
≦20、0≦d≦10なる関係を満足するものとする。
また、本発明者らは、同様の目的に使用できる軟磁性薄
膜として、T100-b-c-d-e-f Sie Alf Mb Zc Qd
なる組成の軟磁性合金を開発し、先に特許出願を行って
いる。この組成式において、TはFe、Coのうち1種
または2種、MはTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、
Mo、Wのうち1種または2種以上、ZはC、Nのうち
1種または2種、QはCr、Re、Ru、Rh、Ni、
Pd、Pt、Auのうち1種または2種以上を示し、組
成比b、c、d、e、fは原子%で、8≦e≦15、
0.5≦f≦10、1≦b≦7、0.5≦c≦10、0≦
d≦10なる関係を満足するものとする。The present inventors have proposed a soft magnetic thin film suitable for use in the above-mentioned MIG-type magnetic head or laminated magnetic head, as a soft magnetic thin film having a composition of T 100 -abcd X a M b Z c Q d . We have developed a thin film and have applied for a patent before. In this composition formula, T is one or two of Fe and Co, X is one or two of Si and Al, and M is Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W. 1
Species or two or more, Z is one or two of C and N,
Q is Cr, Re, Ru, Rh, Ni, Pd, Pt, Au
One or two or more of these, and the composition ratios a, b, c,
d is atomic%, 0 ≦ a ≦ 25, 1 ≦ b ≦ 15, 0.5 ≦ c
≦ 20 and 0 ≦ d ≦ 10.
Further, the present inventors, as a soft magnetic thin film that can be used for similar purposes, T 100-bcdef Si e Al f M b Z c Q d
We have developed a soft magnetic alloy with the following composition and filed a patent application first. In this composition formula, T is one or two of Fe and Co, and M is Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta,
One or more of Mo and W, Z is one or two of N, and Q is Cr, Re, Ru, Rh, Ni,
One or more of Pd, Pt, and Au are shown, and the composition ratios b, c, d, e, and f are atomic%, and 8 ≦ e ≦ 15;
0.5 ≦ f ≦ 10, 1 ≦ b ≦ 7, 0.5 ≦ c ≦ 10, 0 ≦
It is assumed that the relationship d ≦ 10 is satisfied.
【0005】これらの組成系の軟磁性薄膜において、ス
パッタ等の成膜法により形成し、非晶質状態としたも
の、および、熱処理を施して数nm〜数10nmオーダ
ーのFeの微細結晶粒を析出させたものは、センダスト
などの従来の軟磁性薄膜に比べて高い飽和磁束密度と優
れた透磁率を示し、保磁力も低いので、優れた軟磁気特
性を有し、磁気ヘッド用として極めて優れたものであっ
た。[0005] Soft magnetic thin films of these compositions are formed by a film forming method such as sputtering to be in an amorphous state, and are subjected to a heat treatment to form fine crystal grains of Fe on the order of several nm to several tens nm. The deposited material shows higher saturation magnetic flux density and superior permeability than conventional soft magnetic thin films such as Sendust, and has a low coercive force, so it has excellent soft magnetic properties and is extremely excellent for magnetic heads. It was.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】前記軟磁性薄膜が適用
される積層型磁気ヘッドの一構成例を図20に示す。こ
の例の磁気ヘッドHは、基板1、1で軟磁性薄膜2を挟
んで構成した磁気コア半体3、4を接合して構成された
もので、磁気コア半体3の軟磁性薄膜2と磁気コア半体
4の軟磁性薄膜2の間に磁気ギャップGが形成されてい
る。ところが本発明者らの研究の結果、図20に示す構
成の磁気ヘッドHに前記組成の軟磁性薄膜を適用した場
合、センダストなどの軟磁性薄膜を用いた場合よりも、
軟磁性薄膜としてマクロな誘導磁気異方性が生じやす
く、それが原因となって磁気ヘッドの磁気特性がばらつ
く問題を生じることが明らかになった。前記微細結晶を
析出させた軟磁性薄膜は、磁場中アニールなどの方法で
故意に異方性をつけなくとも磁気ヘッドコアのある小さ
な領域(磁路の一部)に部分的に一軸異方性が付いてい
る場合が多いことが判明した。これによれば、軟磁性薄
膜において、ある領域の磁化容易軸が磁路方向と略直角
になっている場合は、その部分の透磁率は高くなるが、
略平行になると透磁率は極端に低くなる。FIG. 20 shows an example of the configuration of a laminated magnetic head to which the soft magnetic thin film is applied. The magnetic head H of this example is configured by joining magnetic core halves 3 and 4 sandwiching a soft magnetic thin film 2 between substrates 1 and 1. A magnetic gap G is formed between the soft magnetic thin films 2 of the magnetic core half 4. However, as a result of the study of the present inventors, the case where the soft magnetic thin film having the above composition is applied to the magnetic head H having the configuration shown in FIG.
It became clear that macro induced magnetic anisotropy is likely to occur as a soft magnetic thin film, which causes a problem that the magnetic characteristics of the magnetic head vary. The soft magnetic thin film on which the fine crystals are deposited has a uniaxial anisotropy partially in a small region (part of the magnetic path) of the magnetic head core without intentionally giving anisotropy by a method such as annealing in a magnetic field. It turned out that it was often attached. According to this, when the easy axis of magnetization of a certain region is substantially perpendicular to the direction of the magnetic path in the soft magnetic thin film, the magnetic permeability of that portion increases,
When they are substantially parallel, the magnetic permeability becomes extremely low.
【0007】即ち、磁気ヘッドの軟磁気特性がばらつく
ことになる。この状態を図面を基に説明すると、図20
(b)に示す状態の磁気ヘッドHの左右方向に磁化容易
軸が配向した場合は、図20(a)の斜線部分に透磁率
が低い部分が生じ、図20(b)に示す状態の磁気ヘッ
ドH’の上下方向に磁化容易軸が配向した場合は、図2
0(b)の斜線で示す部分に透磁率が低い部分が生じる
ことになる。一般に磁気ヘッドにおいては、磁路の一部
に透磁率の低い部分が生じると、その低い透磁率の部分
によって磁気ヘッド全体の透磁率が低下するので、前述
のような異方性を有する軟磁性薄膜を備えた磁気ヘッド
にあっては、軟磁性薄膜が本来有する軟磁気特性よりも
低い軟磁気特性しか示さない問題があった。That is, the soft magnetic characteristics of the magnetic head vary. This state will be described with reference to the drawings.
When the easy axis of magnetization is oriented in the left and right direction of the magnetic head H in the state shown in FIG. 20B, a portion having a low magnetic permeability is generated in a hatched portion in FIG. 20A, and the magnetic state in the state shown in FIG. When the easy axis of magnetization is oriented in the vertical direction of the head H ′, FIG.
A portion having a low magnetic permeability is generated in a portion indicated by oblique lines of 0 (b). Generally, in a magnetic head, when a portion having a low magnetic permeability is generated in a part of a magnetic path, the magnetic permeability of the entire magnetic head is reduced by the portion having a low magnetic permeability. In a magnetic head having a thin film, there is a problem that the soft magnetic thin film exhibits only soft magnetic characteristics lower than the inherent soft magnetic characteristics.
【0008】そこで本発明者らは、前述の磁気ヘッドの
透磁率低下の原因を追究すべく軟磁性薄膜の磁区構造に
ついて解析を行ったところ、以下のような知見を得た。
まず、前記のように磁化容易軸方向での透磁率が極端に
低くなるような軟磁性薄膜は、膜内の自発磁化が膜面と
平行になっており、180゜磁壁を主体とする図21に
示すような大きな磁区構造になっている。基体5の上に
形成された軟磁性薄膜6において磁化容易軸方向に沿っ
て平行な磁壁7により2つの磁区が形成されている場
合、磁化容易軸方向に微小交流磁界を印可して励磁する
と、周波数が低い場合は、磁壁7が移動(振動)するこ
とによって励磁方向の磁化変化を生じ、透磁率が高くな
るが、実際の磁気ヘッドで使用される数MHz帯域の高
周波で励磁しようとすると、磁壁移動はそれに伴う異常
渦電流損失等により起こり難くなり、結果として透磁率
は低下してしまうことになる。一方、磁化容易軸に直角
な磁化困難軸方向では磁区内部の自発磁化が微小角度回
転することにより高周波でも高い透磁率を示す。The present inventors have analyzed the magnetic domain structure of the soft magnetic thin film in order to investigate the cause of the decrease in the magnetic permeability of the magnetic head, and have obtained the following knowledge.
First, as described above, a soft magnetic thin film in which the magnetic permeability in the easy axis direction is extremely low has a spontaneous magnetization in the film parallel to the film surface and mainly has a 180 ° domain wall as shown in FIG. It has a large magnetic domain structure as shown in FIG. When two magnetic domains are formed in the soft magnetic thin film 6 formed on the base member 5 by the magnetic domain walls 7 parallel to the easy axis direction, when a small AC magnetic field is applied in the easy axis direction to be excited, When the frequency is low, the domain wall 7 moves (vibrates) to cause a change in the magnetization in the excitation direction and the magnetic permeability increases. However, if the magnetic field is to be excited at a high frequency of several MHz used in an actual magnetic head, Domain wall movement is less likely to occur due to abnormal eddy current loss and the like, resulting in a decrease in magnetic permeability. On the other hand, in the direction of the hard axis perpendicular to the easy axis, the spontaneous magnetization inside the magnetic domain rotates by a small angle, so that it shows high permeability even at a high frequency.
【0009】以上のことから、微細結晶を有する軟磁性
薄膜を用いて磁気ヘッドを形成した場合に、軟磁性薄膜
の磁化容易軸をどちらの方向を向けて形成しても磁気回
路の一部分に透磁率の低い部分が生じてしまい、これに
よって磁気ヘッド全体の透磁率が低下してしまうおそれ
があった。また、透磁率の低下を避けるために磁化容易
軸の方向を制御して磁気ヘッドを製造しようとしても、
この種の軟磁性薄膜を用いて磁気ヘッドを製造する場
合、磁気コア半体を溶着ガラスで接合して製造するの
で、溶着ガラスを使用する高温度(例えば、600〜7
00℃)に軟磁性薄膜が加熱されるので、この際の加熱
により軟磁性薄膜の磁化容易軸方向がばらつくおそれが
あり、この影響で透磁率が低下するおそれもあった。As described above, when a magnetic head is formed by using a soft magnetic thin film having fine crystals, a portion of a magnetic circuit is transparent regardless of which direction the easy axis of magnetization of the soft magnetic thin film is formed. There is a possibility that a portion having a low magnetic susceptibility is generated, and thereby the magnetic permeability of the entire magnetic head is reduced. Also, even if an attempt is made to manufacture a magnetic head by controlling the direction of the axis of easy magnetization to avoid a decrease in magnetic permeability,
When a magnetic head is manufactured by using this kind of soft magnetic thin film, the magnetic core halves are bonded to each other with a welding glass.
Since the soft magnetic thin film is heated to (00 ° C.), the direction of the easy axis of magnetization of the soft magnetic thin film may vary due to the heating, and the magnetic permeability may be reduced due to the influence.
【0010】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、微細結晶相や非晶質相を有し、膜面内に一軸異方性
がつきやすい軟磁性薄膜を備えた磁気ヘッドであって
も、再現性良くあらゆる方向で高い高周波透磁率を示
し、しかも高い飽和磁束密度を備えた磁気ヘッドと軟磁
性薄膜を提供すること、および、軟磁性薄膜の垂直磁気
異方性の導入方法と縞状磁区の形成方法の提供を目的と
する。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is directed to a magnetic head including a soft magnetic thin film having a fine crystalline phase or an amorphous phase and having a uniaxial anisotropy in a film plane. To provide a high-frequency magnetic permeability in all directions with good reproducibility, and also provide a magnetic head and a soft magnetic thin film having a high saturation magnetic flux density, and a method of introducing perpendicular magnetic anisotropy of the soft magnetic thin film and stripes. It is an object of the present invention to provide a method for forming a magnetic domain.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は前
記課題を解決するために、FeとCoのうち1種または
2種からなり平均結晶粒径を40nm以下とした微細結
晶粒と、平均結晶粒径が10nm以下のTi、Zr、H
f、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち、1種または2種
以上の元素の炭化物、窒化物または硼化物を主体として
軟磁性薄膜が構成され、該軟磁性薄膜が基体に挟まれて
なる構造の磁気ヘッドであって、前記軟磁性薄膜が、縞
状磁区構造にされ、該縞状磁区構造が、膜面に垂直な方
向に沿って傾斜する自発磁化を有する磁区の集合により
縞状に形成されてなり、前記軟磁性薄膜の膜面内に磁界
を印加した場合の磁化履歴曲線に、保磁力付近の磁界で
の磁化の変化が急峻な立ち上がり曲線と、この立ち上が
り曲線に続いて磁化飽和点近傍までほぼ一定の傾斜角度
で遷移する傾斜曲線とが含まれてなり、磁化履歴曲線の
磁化飽和点から残留磁化に至る減衰曲線が、前記傾斜曲
線とほぼ同じ勾配で形成され、前記減衰曲線と傾斜曲線
とが一部一致されてなり、 前記軟磁性薄膜の膜面垂直の
磁気異方性磁気エネルギーが、50〜1000J/m 3
の範囲とされたことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising one of Fe and Co or
Fine crystal grains comprising two kinds and having an average crystal grain size of 40 nm or less, and Ti, Zr, H having an average crystal grain size of 10 nm or less.
one or two of f, V, Nb, Ta, Mo, W
Mainly carbide, nitride or boride of the above elements
A magnetic head having a structure in which a soft magnetic thin film is formed and the soft magnetic thin film is sandwiched between substrates, wherein the soft magnetic thin film has a stripe magnetic domain structure, and the stripe magnetic domain structure is perpendicular to a film surface. such Ri Na are formed in stripes by a set of magnetic domains having a spontaneous magnetization which is inclined along the direction, the magnetic field in the film plane of the soft magnetic thin film
Is applied to the magnetization hysteresis curve with a magnetic field near the coercive force.
The rise curve shows a sharp change in the magnetization of
Approximately constant inclination angle up to near the magnetization saturation point following the curve
And the transition curve is included in the magnetization history curve.
The decay curve from the magnetization saturation point to the remanent magnetization is the slope curve.
The decay curve and the slope curve are formed with almost the same slope as the line.
Are partially matched, and the soft magnetic thin film is perpendicular to the film surface.
Magnetic anisotropic magnetic energy of 50 to 1000 J / m 3
The range is characterized by.
【0012】請求項2記載の発明は前記課題を解決する
ために、FeとCoのうち1種または2種からなり平均
結晶粒径を40nm以下とした微細結晶粒と、平均結晶
粒径が10nm以下のTi、Zr、Hf、V、Nb、T
a、Mo、Wのうち、1種または2種以上の元素の炭化
物、窒化物または硼化物を主体として軟磁性薄膜が構成
され、該軟磁性薄膜が基体に挟まれてなる構造の磁気ヘ
ッドであって、前記軟磁性薄膜が、縞状磁区構造にさ
れ、該縞状磁区構造が、膜面に垂直な方向に沿って傾斜
する自発磁化を有する磁区の集合により縞状に形成され
てなり、前記軟磁性薄膜の膜面内に磁界を印加した場合
の磁化履歴曲線に、保磁力付近の磁界での磁化の変化が
急峻な立ち上がり曲線と、この立ち上がり曲線に続いて
磁化飽和点近傍までほぼ一定の傾斜角度で遷移する傾斜
曲線とが含まれてなり、磁化履歴曲線の磁化飽和点から
残留磁化に至る減衰曲線が、前記傾斜曲線とほぼ同じ勾
配で形成され、前記減衰曲線と傾斜曲線とが一部一致さ
れてなり、前記軟磁性薄膜における自発磁化の膜面から
の平均の立ち上がり角が、10〜70゜の範囲にされた
ことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a fine crystal grain comprising one or two of Fe and Co and having an average crystal grain size of 40 nm or less;
Ti, Zr, Hf, V, Nb, T having a particle size of 10 nm or less
Carbonization of one or more of a, Mo and W
Magnetic thin film mainly composed of nitride, nitride or boride
A magnetic head having a structure in which the soft magnetic thin film is sandwiched between substrates, wherein the soft magnetic thin film has a stripe magnetic domain structure, and the stripe magnetic domain structure extends along a direction perpendicular to the film surface. The soft magnetic thin film is formed in a stripe shape by a set of magnetic domains having a tilted spontaneous magnetization. The magnetization hysteresis curve when a magnetic field is applied to the surface of the soft magnetic thin film shows a sharp change in magnetization at a magnetic field near the coercive force. such a rise curve, Ri name contains an inclined curve transition at a substantially constant inclination angle to the vicinity magnetization saturation point following this rising curve, from the magnetization saturation point of magnetization hysteresis loop
The attenuation curve leading to the remanent magnetization has almost the same slope as the slope curve.
The attenuation curve and the slope curve partially match.
From the surface of the spontaneous magnetization in the soft magnetic thin film
Has an average rising angle in the range of 10 to 70 [deg .].
【0013】請求項3記載の発明は前記課題を解決する
ために、前記軟磁性薄膜の構造が、膜面に起立する方向
に延びる柱状構造とされたことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in order to solve the above problem, the structure of the soft magnetic thin film is oriented in a direction in which the soft magnetic thin film stands on the film surface.
And a columnar structure extending in the direction.
【0014】請求項4記載の発明は前記課題を解決する
ために、前記軟磁性薄膜の内部応力が圧縮応力とされ、
かつ、磁歪を正とすることにより垂直磁気異方性が導入
されてなることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, the internal stress of the soft magnetic thin film is a compressive stress,
And perpendicular magnetic anisotropy is introduced by making magnetostriction positive
It is characterized by being done.
【0015】請求項5記載の発明は前記課題を解決する
ために、前記軟磁性薄膜の内部応力が引張応力とされ、
かつ、磁歪を負とすることにより垂直磁気異方性が導入
されてなることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in order to solve the above problem, the internal stress of the soft magnetic thin film is set to a tensile stress,
And perpendicular magnetic anisotropy is introduced by making the magnetostriction negative.
It is characterized by being done.
【0016】請求項6記載の発明は前記課題を解決する
ために、FeとCoのうち1種または2種からなり平均
結晶粒径を40nm以下とした微細結晶粒と、平均結晶
粒径が10nm以下のTi、Zr、Hf、V、Nb、T
a、Mo、Wのうち、1種または2種以上の元素の炭化
物、窒化物または硼化物を主体として軟磁性薄膜が構成
され 、 該軟磁性薄膜が基体に挟まれてなる構造の磁気ヘ
ッドであって、前記軟磁性薄膜が、縞状磁区構造にさ
れ、縞状磁区構造が、膜面に垂直な方向に沿って傾斜す
る自発磁化を有する磁区の集合により縞状に形成されて
なり、前記軟磁性薄膜の膜面内に磁界を印加した場合の
磁化履歴曲線に、保磁力付近の磁界での磁化の変化が急
峻な立ち上がり曲線と、この立ち上がり曲線に続いて磁
化飽和点近傍までほぼ一定の傾斜角度で遷移する傾斜曲
線とが含まれてなり、磁化履歴曲線の磁化飽和点から残
留磁化に至る減衰曲線が、前記傾斜曲線とほぼ同じ勾配
で形成され、前記減衰曲線と傾斜曲線とが一部一致され
てなり、前記軟磁性薄膜の膜面垂直の磁気異方性磁気エ
ネルギーが、50〜1000J/m 3 の範囲とされ、前
記軟磁性薄膜が次式で示される組成からなることを特徴
とする磁気ヘッド。 T 100-a-b-c-d X a M b Z c Q d (但し、TはFe、Coのうち1種または2種、XはS
i、Alのうち1種または2種、MはTi、Zr、H
f、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち1種または2種以
上、ZはC、Nのうち1種または2種、QはCr、R
e、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Auのうち1種ま
たは2種以上を示し、組成比a、b、c、dは原子%で
0≦a≦25、1≦b≦15、0.5≦c≦20、0≦
d≦10なる関係を満足するものとする。) According to a sixth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, the invention comprises one or two of Fe and Co.
A fine crystal grain having a crystal grain size of 40 nm or less;
Ti, Zr, Hf, V, Nb, T having a particle size of 10 nm or less
Carbonization of one or more of a, Mo and W
Magnetic thin film mainly composed of nitride, nitride or boride
And a magnetic head having a structure in which the soft magnetic thin film is sandwiched between substrates.
Wherein the soft magnetic thin film has a stripe magnetic domain structure.
The stripe magnetic domain structure is tilted along the direction perpendicular to the film surface.
Formed by a set of magnetic domains with spontaneous magnetization
When a magnetic field is applied in the plane of the soft magnetic thin film.
The magnetization hysteresis curve shows a sharp change in magnetization at a magnetic field near the coercive force.
A steep rise curve and a magnetic
Transition with almost constant inclination angle near the saturation point
From the magnetization saturation point of the magnetization hysteresis curve.
The decay curve leading to the magnetization magnetization has almost the same slope as the above-mentioned slope curve.
And the decay curve and the slope curve partially coincide with each other.
And a magnetic anisotropic magnetic field perpendicular to the film surface of the soft magnetic thin film.
Energy is in the range of 50 to 1000 J / m 3 ,
The soft magnetic thin film has a composition represented by the following formula:
Magnetic head. T 100-abcd X a M b Z c Q d (where T is one or two of Fe and Co, and X is S
i, one or two of Al, M is Ti, Zr, H
one or more of f, V, Nb, Ta, Mo, W
Above, Z is one or two of C and N, Q is Cr, R
e, Ru, Rh, Ni, Pd, Pt, Au
Or two or more kinds, and the composition ratios a, b, c, and d are in atomic%.
0 ≦ a ≦ 25, 1 ≦ b ≦ 15, 0.5 ≦ c ≦ 20, 0 ≦
It is assumed that the relationship d ≦ 10 is satisfied. )
【0017】請求項7記載の発明は前記課題を解決する
ために、FeとCoのうち1種または2種からなり平均
結晶粒径を40nm以下とした微細結晶粒と、平均結晶
粒径が10nm以下のTi、Zr、Hf、V、Nb、T
a、Mo、Wのうち、1種または2種以上の元素の炭化
物、窒化物または硼化物を主体として軟磁性薄膜が構成
され 、 該軟磁性薄膜が基体に挟まれてなる構造の磁気ヘ
ッドであって、前記軟磁性薄膜が、縞状磁区構造にさ
れ、縞状磁区構造が、膜面に垂直な方向に沿って傾斜す
る自発磁化を有する磁区の集合により縞状に形成されて
なり、前記軟磁性薄膜の膜面内に磁界を印加した場合の
磁化履歴曲線に、保磁力付近の磁界での磁化の変化が急
峻な立ち上がり曲線と、この立ち上がり曲線に続いて磁
化飽和点近傍までほぼ一定の傾斜角度で遷移する傾斜曲
線とが含まれてなり、磁化履歴曲線の磁化飽和点から残
留磁化に至る減衰曲線が、前記傾斜曲線とほぼ同じ勾配
で形成され、前記減衰曲線と傾斜曲線とが一部一致され
てなり、前記軟磁性薄膜の膜面垂直の磁気異方性磁気エ
ネルギーが、50〜1000J/m 3 の範囲とされ、前
記軟磁性薄膜が次式で示される組成からなることを特徴
とする磁気ヘッド。 T 100-b-c-d-e-f Si e Al f M b Z c Q d (但し、TはFe、Coのうち1種または2種、MはT
i、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち1種
または2種以上、ZはC、Nのうち1種または2種、Q
はCr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Auの
うち1種または2種以上を示し、組成比b、c、d、
e、fは原子%で8≦e≦15、0.5≦f≦10、1
≦b≦7、0.5≦c≦10、0≦d≦10なる関係を
満足するものとする。 According to a seventh aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, an average of one or two of Fe and Co is used.
A fine crystal grain having a crystal grain size of 40 nm or less;
Ti, Zr, Hf, V, Nb, T having a particle size of 10 nm or less
Carbonization of one or more of a, Mo and W
Magnetic thin film mainly composed of nitride, nitride or boride
And a magnetic head having a structure in which the soft magnetic thin film is sandwiched between substrates.
Wherein the soft magnetic thin film has a stripe magnetic domain structure.
The stripe magnetic domain structure is tilted along the direction perpendicular to the film surface.
Formed by a set of magnetic domains with spontaneous magnetization
When a magnetic field is applied in the plane of the soft magnetic thin film.
The magnetization hysteresis curve shows a sharp change in magnetization at a magnetic field near the coercive force.
A steep rise curve and a magnetic
Transition with almost constant inclination angle near the saturation point
From the magnetization saturation point of the magnetization hysteresis curve.
The decay curve leading to the magnetization magnetization has almost the same slope as the above-mentioned slope curve.
And the decay curve and the slope curve partially coincide with each other.
And a magnetic anisotropic magnetic field perpendicular to the film surface of the soft magnetic thin film.
Energy is in the range of 50 to 1000 J / m 3 ,
The soft magnetic thin film has a composition represented by the following formula:
Magnetic head. T 100-bcdef Si e Al f M b Z c Q d ( where, T is Fe, 1 kind or two kinds of Co, M is T
one of i, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W
Or two or more, Z is one or two of C and N, Q
Of Cr, Re, Ru, Rh, Ni, Pd, Pt, Au
One or more of them are shown, and the composition ratios b, c, d,
e and f are in atomic%, 8 ≦ e ≦ 15, 0.5 ≦ f ≦ 10, 1
≦ b ≦ 7, 0.5 ≦ c ≦ 10, 0 ≦ d ≦ 10
Be satisfied.
【0018】請求項8記載の発明は前記課題を解決する
ために、前記軟磁性薄膜の構造が、膜面に起立する方向
に延びる柱状構造とされたことを特徴とする。 According to an eighth aspect of the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the structure of the soft magnetic thin film is oriented in a direction in which the soft magnetic thin film stands on the film surface.
And a columnar structure extending in the direction.
【0019】請求項9記載の発明は前記課題を解決する
ために、前記軟磁性薄膜の内部応力が圧縮応力とされ、
かつ、磁歪を正とすることにより垂直磁気異方性が導入
されてなることを特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in order to solve the above problem, the internal stress of the soft magnetic thin film is set to a compressive stress,
And perpendicular magnetic anisotropy is introduced by making magnetostriction positive
It is characterized by being done .
【0020】請求項10記載の発明は前記課題を解決す
るために、前記軟磁性薄膜の内部応力が引張応力とさ
れ、かつ、磁歪を負とすることにより垂直磁気異方性が
導入されてなることを特徴とする。According to a tenth aspect of the present invention, in order to solve the above problem, the internal stress of the soft magnetic thin film is set to a tensile stress.
And by setting the magnetostriction to be negative, the perpendicular magnetic anisotropy is reduced.
It is characterized by being introduced .
【0021】[0021]
【0022】[0022]
【0023】[0023]
【0024】[0024]
【0025】[0025]
【0026】[0026]
【0027】[0027]
【0028】[0028]
【0029】[0029]
【0030】[0030]
【0031】[0031]
【0032】[0032]
【0033】[0033]
【0034】[0034]
【0035】[0035]
【0036】[0036]
【0037】[0037]
【0038】[0038]
【0039】[0039]
【0040】[0040]
【0041】[0041]
【0042】[0042]
【0043】[0043]
【作用】本発明者らは、先に特許出願した非晶質あるい
は微細結晶を有する軟磁性薄膜を種々の構成の磁気ヘッ
ドに応用し、研究を重ねた結果、軟磁性薄膜を縞状磁区
構造とすることで、一軸異方性が誘導されやすい軟磁性
薄膜を用いた磁気ヘッドであっても透磁率の向上効果が
得られることを知見した。The present inventors have applied a soft magnetic thin film having an amorphous or fine crystal, which was previously applied for a patent, to magnetic heads of various configurations, and as a result of repeated studies, have found that the soft magnetic thin film has a stripe magnetic domain structure. Thus, it has been found that an effect of improving the magnetic permeability can be obtained even with a magnetic head using a soft magnetic thin film in which uniaxial anisotropy is easily induced.
【0044】縞状磁区構造とは、膜面に平行な方向から
ある程度立ち上がった向きの自発磁化を示す磁区と、膜
面に平行な方向からある程度立ち下がった向きの自発磁
化を示す磁区とが交互に並んだ磁区構造であり、この磁
区構造とするならば、磁化容易軸方向(自発磁化と平行
な方向、例えば図3(a)のE.A.方向)に微小交流磁
界を印可した場合であっても各磁区の自発磁化が上下方
向(例えば膜面垂直方向)に首振り振動することにより
高い透磁率を示す。一方、前記の方向と直角な磁化困難
軸方向(自発磁化と垂直の方向、例えば図3(a)の
H.A.方向)では磁区内部の自発磁化が微小角度回転す
ることによって高周波域でも高透磁率を示す。The stripe magnetic domain structure is such that magnetic domains exhibiting spontaneous magnetization in a direction rising to some extent from a direction parallel to the film surface and magnetic domains exhibiting spontaneous magnetization in a direction falling to some extent from a direction parallel to the film surface alternately. If this magnetic domain structure is adopted, a small AC magnetic field is applied in the direction of the easy axis of magnetization (the direction parallel to the spontaneous magnetization, for example, the EA direction in FIG. 3A). Even if it does, the spontaneous magnetization of each magnetic domain oscillates in the vertical direction (for example, in the direction perpendicular to the film surface), thereby exhibiting high magnetic permeability. On the other hand, in the hard axis direction perpendicular to the above-mentioned direction (direction perpendicular to the spontaneous magnetization, for example, the HA direction in FIG. 3A), the spontaneous magnetization in the magnetic domain is rotated by a small angle, so that it is high even in a high frequency range. Indicates the magnetic permeability.
【0045】縞状磁区構造において、各磁区の自発磁化
の垂直異方性が大きすぎると保磁力が大きくなり、磁気
ヘッドの帯磁等を引き起こすおそれがあるので垂直異方
性は大きくし過ぎないことが好ましい。よって、垂直異
方性エネルギーを50〜1000J/m3の範囲とし、
自発磁化の立ち上がり角を10〜70゜とすることが好
ましい。更に、このような縞状磁区構造とするために、
膜面に対して起立する方向、例えば、垂直方向に組織の
成長を促進して膜面に起立する方向、例えば垂直方向に
伸びる柱状体の集合した柱状構造することが好ましい。
軟磁性薄膜の構造として柱状体が集合した組織であっ
て、隣接する柱状体の間に、例えば、O、N、H、C、
S、Bなどの不純物元素、あるいは、炭化物や窒化物あ
るいは硼化物が介在する組織とすることで、膜面に対し
て垂直な方向への磁気異方性が容易に付与される。軟磁
性薄膜が非晶質を主体としてなるものの場合は、柱状体
は非晶質相からなる。また、軟磁性薄膜の内部応力を圧
縮応力とし、磁歪を正とすることにより垂直磁気異方性
を付与できるとともに、内部応力を引張応力とし、磁歪
を負とすることで垂直磁気異方性を付与できる。In the striped magnetic domain structure, if the perpendicular anisotropy of the spontaneous magnetization of each magnetic domain is too large, the coercive force becomes large, which may cause magnetization of the magnetic head or the like. Is preferred. Therefore, the perpendicular anisotropy energy is set in the range of 50 to 1000 J / m 3 ,
It is preferable that the rising angle of spontaneous magnetization be 10 to 70 °. Further, in order to obtain such a stripe magnetic domain structure,
It is preferable to have a columnar structure in which columnar bodies that extend in a direction erecting on the film surface by promoting tissue growth in a direction erecting with respect to the film surface, for example, in a vertical direction, for example, a vertical direction.
A structure in which pillars are gathered as a structure of the soft magnetic thin film, and for example, O, N, H, C,
By using a structure in which an impurity element such as S or B, or a carbide, nitride or boride is interposed, magnetic anisotropy in a direction perpendicular to the film surface can be easily imparted. When the soft magnetic thin film is mainly composed of amorphous, the columnar body is composed of an amorphous phase. In addition, perpendicular magnetic anisotropy can be imparted by making the internal stress of the soft magnetic thin film a compressive stress and making the magnetostriction positive, and perpendicular magnetic anisotropy by making the internal stress a tensile stress and making the magnetostriction negative. Can be granted.
【0046】以下に本発明について更に詳細に説明す
る。図1は本発明に係る磁気ヘッドをハードディスク装
置用磁気ヘッドに適用したものの一構造例を示す。図1
に示す磁気ヘッド10は、浮上レール16、16の形成
されたスライダ14と、一方の浮上レール16の端部に
形成されたコア部18と、磁気コア20とで概略構成さ
れるもので、スライダ14とコア部18を基体とする
と、これらの基体中に磁気コア20が挟み込まれて配置
されている。Hereinafter, the present invention will be described in more detail. FIG. 1 shows an example of a structure in which a magnetic head according to the present invention is applied to a magnetic head for a hard disk drive. FIG.
The magnetic head 10 shown in FIG. 1 is roughly composed of a slider 14 on which flying rails 16 and 16 are formed, a core portion 18 formed at one end of one of the flying rails 16, and a magnetic core 20. Assuming that the base 14 and the core 18 are bases, the magnetic core 20 is interposed between these bases.
【0047】図1のA部分の拡大を図2に示す。スライ
ダ14の一部分でもある基体14'と基体14''の間に
軟磁性薄膜20'が挟み込まれ、同様にコア部18の一
部分でもある基体18'と基体18''との間に軟磁性薄
膜20''が挟み込まれ、軟磁性合金膜20'と軟磁性薄
膜20”で磁気コア20が構成されている。更に、スラ
イダ14とコア部18の間には非磁性層が介在され、こ
れが磁気ギャップ22を構成している。更にまた、磁気
コア20の一方の面と基体14''、18''との間には、
磁気コア20と基体14''、18''を接合するラミネー
トガラス24が介在されている。更にまた、図示してい
ないが、コア部18にはコイルが巻回されて磁気ヘッド
が構成される。FIG. 2 shows an enlargement of the portion A in FIG. A soft magnetic thin film 20 ′ is sandwiched between a base 14 ′ and a base 14 ″ which is also a part of the slider 14, and a soft magnetic thin film 20 ′ is also sandwiched between a base 18 ′ and a base 18 ″ which is also a part of the core 18. The magnetic core 20 is formed by a soft magnetic alloy film 20 ′ and a soft magnetic thin film 20 ″. A non-magnetic layer is interposed between the slider 14 and the core part 18, and the magnetic core 20 is A gap 22 is formed.Furthermore, between one surface of the magnetic core 20 and the bases 14 ″ and 18 ″,
A laminated glass 24 for joining the magnetic core 20 and the bases 14 ″, 18 ″ is interposed. Furthermore, although not shown, a coil is wound around the core portion 18 to form a magnetic head.
【0048】前記磁気ヘッド10において、軟磁性薄膜
20'、20''は、FeまたはCoを主成分とする体心
立方構造であって、平均結晶粒径が40nm以下の微細
結晶と、前記微細結晶の粒界に析出されたTi、Zr、
Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち1種または2種
以上の元素の炭化物、窒化物または硼化物とを具備して
なる構成か、この構成と非晶質相との混合状態の構成か
らなる。In the magnetic head 10, the soft magnetic thin films 20 ′ and 20 ″ have a body-centered cubic structure containing Fe or Co as a main component and have an average crystal grain size of 40 nm or less. Ti, Zr deposited at the grain boundaries of the crystal,
A structure comprising carbide, nitride or boride of one or more of Hf, V, Nb, Ta, Mo and W, or a mixture of this structure and an amorphous phase It consists of a configuration.
【0049】前記軟磁性薄膜として下記の組成式からな
るものを用いることが好ましい。 T100-a-b-c-d Xa Mb Zc Qd 但し、TはFe、Coのうち1種または2種、XはS
i、Alのうち1種または2種、MはTi、Zr、H
f、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち1種または2種以
上、ZはC、Nのうち1種または2種、QはCr、R
e、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Auのうち1種ま
たは2種以上を示し、組成比a、b、c、dは原子%
で、0≦a≦25、1≦b≦15、0.5≦c≦20、
0≦d≦10なる関係を満足するものとする。また、前
記軟磁性合金薄膜として下記の組成式からなるものを用
いることもできる。 T100-b-c-d-e-f Sie Alf M
b Zc Qd 但し、TはFe、Coのうち1種または2種、MはT
i、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち1種
または2種以上、ZはC、Nのうち1種または2種、Q
はCr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Auの
うち1種または2種以上を示し、組成比b、c、d、
e、fは原子%で、8≦e≦15、0.5≦f≦10、
1≦b≦7、0.5≦c≦10、0≦d≦10なる関係
を満足するものとする。It is preferable to use the soft magnetic thin film having the following composition formula. T 100-abcd X a M b Z c Q d where T is one or two of Fe and Co, and X is S
i, one or two of Al, M is Ti, Zr, H
one or more of f, V, Nb, Ta, Mo, W, Z is one or two of C and N, Q is Cr, R
e, Ru, Rh, Ni, Pd, Pt, and Au, which represent one or more of them, and the composition ratios a, b, c, and d are atomic%.
Where 0 ≦ a ≦ 25, 1 ≦ b ≦ 15, 0.5 ≦ c ≦ 20,
It is assumed that the relationship 0 ≦ d ≦ 10 is satisfied. Further, the soft magnetic alloy thin film having the following composition formula can also be used. T 100-bcdef Si e Al f M
b Z c Q d where T is one or two of Fe and Co, and M is T
one or more of i, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W; Z is one or two of C and N;
Represents one or more of Cr, Re, Ru, Rh, Ni, Pd, Pt, and Au, and has a composition ratio b, c, d,
e and f are atomic%, 8 ≦ e ≦ 15, 0.5 ≦ f ≦ 10,
It is assumed that the following relationships are satisfied: 1 ≦ b ≦ 7, 0.5 ≦ c ≦ 10, and 0 ≦ d ≦ 10.
【0050】前記組成の軟磁性薄膜において、FeとC
oは主成分であり磁性を担う元素である。前記元素Mの
炭化物、窒化物または硼化物からなる非磁性粒子は、F
eまたはCoを主成分とする結晶の成長、粗大化を抑制
し、軟磁気特性の耐熱性を向上させる効果がある。ま
た、スパッタなどの成膜の際に非晶質化し易くする作用
がある。これらの効果を得るために、添加量は1原子%
以上あることが望ましいが、15原子%を超えると飽和
磁束密度Bsが著しく低下するので好ましくない。In the soft magnetic thin film having the above composition, Fe and C
o is a main component and is an element which bears magnetism. The nonmagnetic particles made of the carbide, nitride or boride of the element M are F
This has the effect of suppressing the growth and coarsening of crystals containing e or Co as a main component and improving the heat resistance of soft magnetic characteristics. Further, it has an effect of making it easy to become amorphous at the time of film formation such as sputtering. In order to obtain these effects, the addition amount is 1 atomic%.
It is desirable that the content be more than 15 atomic%, but it is not preferable because the saturation magnetic flux density Bs is remarkably reduced.
【0051】CまたはNは前記元素Mと結合して、炭化
物または窒化物を生成するものである。また同様に、ス
パッタの際に非晶質化し易くする作用がある。スパッタ
後に軟磁性薄膜が非晶質であると、後の熱処理時に均質
な微細結晶を得られ易いので好ましい。これらの効果を
得るために添加量は0.5原子%以上あることが好まし
いが、20原子%を超えると飽和磁束密度Bsが著しく
低下するとともに、軟磁気特性が低下するので好ましく
ない。C or N combines with the element M to form carbide or nitride. Similarly, it has the effect of making it easy to become amorphous during sputtering. It is preferable that the soft magnetic thin film is amorphous after the sputtering, because a uniform fine crystal can be easily obtained at a later heat treatment. In order to obtain these effects, the addition amount is preferably 0.5 atomic% or more. However, if it exceeds 20 atomic%, the saturation magnetic flux density Bs is remarkably reduced, and the soft magnetic properties are undesirably reduced.
【0052】元素XにおいてAlの添加は、Al :耐環境性を向上させる効果がある。Al :Feの結晶に固溶し、比抵抗を増加させる効果が
ある。Al :結晶粒の成長を遅くするとともに、結晶磁気異方
性エネルギを低下させて優れた軟磁気特性を高温まで維
持し、耐熱温度を上げる作用がある。このAlの添加量
は、Alの効果を発揮させるために、0.5原子%以上
あることが好ましい。しかしながら、10原子%よりも
多くなると、磁歪λsが大きくなり過ぎ、また飽和磁束
密度Bsも低下するので好ましくない。The addition of Al in the element X has the effect of improving Al : environmental resistance. Al : Dissolves in the crystal of Fe and has the effect of increasing the specific resistance. Al : has the effect of slowing the growth of crystal grains, reducing the magnetocrystalline anisotropy energy, maintaining excellent soft magnetic properties up to high temperatures, and raising the heat resistant temperature. The added amount of Al is preferably at least 0.5 atomic% in order to exert the effect of Al . However, if larger than 10 atomic%, only the magnetostriction lambda s is increased, and because also it decreases the saturation magnetic flux density Bs undesirably.
【0053】元素XにおいてSiは、Si :Siの添加により増加する磁歪λsを低減する作
用がある。Si :スパッタの際に軟磁性薄膜を非晶質化し易くする
作用がある。したがって、軟磁性薄膜を非晶質化し易く
するために、従来、炭化物または窒化物を多量に含有さ
せていたが、炭化物または窒化物の含有量を低減するこ
とができ、炭化物または窒化物による飽和磁束密度の低
下を抑制することができる。Si :SiはFeの結晶に固溶し、比抵抗を増加させる
効果がある。Si :結晶粒の成長を遅くするとともに、結晶磁気異方
性エネルギを低下させて軟磁気特性の耐熱温度を上げる
作用がある。In the element X, Si has the effect of reducing the magnetostriction λ s that increases due to the addition of Si : Si . Si : has the effect of making the soft magnetic thin film amorphous during sputtering. Therefore, in order to make the soft magnetic thin film amorphous easily, conventionally, a large amount of carbide or nitride was contained.However, the content of carbide or nitride can be reduced, and the saturation by carbide or nitride can be reduced. A decrease in magnetic flux density can be suppressed. Si : Si is dissolved in the Fe crystal and has the effect of increasing the specific resistance. Si : has the effect of slowing down the growth of crystal grains, lowering the magnetocrystalline anisotropic energy and raising the heat resistant temperature of soft magnetic properties.
【0054】このSiの添加量は、前記Si〜Siの効
果を発揮させるためにも、0.5原子%以上あることが
好ましい。しかしながら、15原子%よりも多くなる
と、飽和磁束密度Bsが低下するので好ましくない。ま
た、SiとAlは、同時に複合添加すると磁歪λsを0
〜+3.0×10-6の範囲に抑えると同時に耐環境性を
向上させることができる。The addition amount of Si is preferably 0.5 atomic% or more in order to exert the above-mentioned effects of Si to Si . However, if it exceeds 15 atomic%, the saturation magnetic flux density Bs decreases, which is not preferable. Also, when Si and Al are simultaneously added in combination, the magnetostriction λs is reduced to 0.
+ 3.0 × 10 −6 , and at the same time, the environmental resistance can be improved.
【0055】その他、H,O,S等の不可避的不純物に
ついては、所望の特性が劣化しない程度に含有していて
も本発明の軟磁性合金の組成と同一とみなすことができ
るのは勿論である。In addition, unavoidable impurities such as H, O, and S can be regarded as having the same composition as the soft magnetic alloy of the present invention even if they are contained to such an extent that desired characteristics are not deteriorated. is there.
【0056】次に前記軟磁性薄膜20'は、図3に示す
ようにほぼ平行な磁壁20a・・・を介して隣接する多数
の細長い磁区の集合からなり、各磁区のうち複数個の磁
区が揃って磁壁20aに平行で、ある所定の方向を向い
た自発磁化を有し、他の複数個の磁区が揃って磁壁20
aに平行で、前記の方向とは逆方向を向いた自発磁化を
有し、全体としての静磁エネルギーを低く保っている。
また、自発磁化の方向が揃った複数の磁区内において
は、隣接する磁区毎に自発磁化の向きが、膜面に対して
垂直な面に沿って上向きであるか、下向きであるかの違
いを有している。隣接する磁区どうしにおいて自発磁化
の方向は図3(b)、(c)に示すようになっている。
図3(c)に示すように斜め上方に向く自発磁化を有す
る磁区を実線の矢印で示し、斜め下方に向く磁化容易軸
を有する磁区を鎖線の矢印で示す。Next, as shown in FIG. 3, the soft magnetic thin film 20 'is composed of a set of many elongated magnetic domains adjacent to each other via substantially parallel magnetic domain walls 20a. It has a spontaneous magnetization parallel to the domain wall 20a and oriented in a predetermined direction, and a plurality of other magnetic domains are aligned.
It has a spontaneous magnetization parallel to a and in a direction opposite to the above direction, and keeps the magnetostatic energy as a whole low.
Further, in a plurality of magnetic domains in which the directions of spontaneous magnetization are aligned, the difference between the direction of spontaneous magnetization for each adjacent magnetic domain is upward or downward along a plane perpendicular to the film surface. Have. The directions of spontaneous magnetization in adjacent magnetic domains are as shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c).
As shown in FIG. 3C, magnetic domains having spontaneous magnetization directed obliquely upward are indicated by solid arrows, and magnetic domains having easy axes of magnetization directed obliquely downward are indicated by chain-line arrows.
【0057】このような縞状磁区構造であれば磁化困難
軸方向(図3(a)のH.A.方向)で勿論優れた透磁率
を示すが、磁化容易軸方向(図3(a)のE.A.方向)
でも高い透磁率を示す。これは、図4に示すように斜め
上方に立ち上がった自発磁化を有する磁区に対し、膜面
内の縞と平行な方向(磁化容易軸方向)に微小交流磁場
をかけて励磁した場合、膜面に対して上方に立ち上がっ
ている磁化が上下方向に首振りすることにより、励磁方
向の磁化変化が十分に得られ、結果的に高い透磁率が得
られることに起因する。一方、これと直角な磁化困難軸
方向では磁区内部の磁化が微小角度回転することによっ
て従来の場合と同様に高周波でも高い透磁率を示す。よ
って、膜面に沿うどの方向にも高い透磁率が得られる。With such a striped magnetic domain structure, of course, excellent magnetic permeability is exhibited in the hard axis direction (HA direction in FIG. 3A), but in the easy axis direction (FIG. 3A). EA direction)
However, it shows high magnetic permeability. This is because when a magnetic domain having spontaneous magnetization rising obliquely upward as shown in FIG. 4 is excited by applying a small AC magnetic field in a direction parallel to the stripes in the film plane (the direction of the easy axis of magnetization), This is due to the fact that the magnetization that rises upward swings in the vertical direction, whereby a sufficient change in the magnetization in the excitation direction is obtained, and as a result, a high magnetic permeability is obtained. On the other hand, in the direction of the hard axis perpendicular to this, the magnetization inside the magnetic domain rotates by a small angle, so that it shows high magnetic permeability even at a high frequency as in the conventional case. Therefore, high magnetic permeability can be obtained in any direction along the film surface.
【0058】ところで、隣接する磁区どうしにおいて自
発磁化が上向きのものと下向きのものが交互に表れるの
は、図5に示すように1つの磁区で単に自発磁化が膜面
からある角度立ち上がる場合、軟磁性薄膜20'の表面
に自由磁極20bを生じてしまい、静磁エネルギーが高
くなって不安定になるので、これを避けるため、図3に
示すように上向きの自発磁化と下向きの自発磁化をもつ
磁区が交互に縞状に並ぶ、縞状磁区の構造を自然ととる
ようになるためである。By the way, the spontaneous magnetization having an upward direction and the downward spontaneous magnetization alternately appear between adjacent magnetic domains because, as shown in FIG. Since the free magnetic pole 20b is generated on the surface of the magnetic thin film 20 'and the magnetostatic energy becomes high and becomes unstable, it has an upward spontaneous magnetization and a downward spontaneous magnetization as shown in FIG. This is because the structure of the striped magnetic domains, in which the magnetic domains are alternately arranged in a striped pattern, becomes natural.
【0059】図6は本発明に係る縞状磁区構造の他の例
を示すもので、この例の構造では、縞状磁区の隣接する
1つ1つの磁区において自発磁化が交互に逆方向を向け
られている。この構造は、縞状磁区を構成する磁壁20
a・・・の間隔が広い場合、即ち、1つの磁区の幅が大き
い場合に実現される構造である。この例の構造において
も先の例の縞状磁区構造と同等の効果を得ることができ
る。FIG. 6 shows another example of the stripe magnetic domain structure according to the present invention. In this structure, spontaneous magnetization alternately turns in the opposite direction in each adjacent magnetic domain of the stripe magnetic domain. Have been. In this structure, the domain walls 20 forming the stripe magnetic domains are formed.
This structure is realized when the interval of a ... is wide, that is, when the width of one magnetic domain is large. In the structure of this example, the same effect as in the striped magnetic domain structure of the previous example can be obtained.
【0060】次に、各磁区における自発磁化の立ち上が
り角度について説明する。膜面に対し傾斜して立ち上が
った自発磁化により励磁方向の磁化変化が十分に得ら
れ、透磁率が高くなる機構については図4を基に先に説
明したが、この自発磁化の立ち上がり角が図7に示すよ
うに小さい場合は、図20を基に先に説明した面内磁化
膜の場合と似たような状況になり、磁化容易軸方向の透
磁率の低下が生じる。この様子を図7を基に以下に説明
する。図7において、磁化容易軸方向に微小交流磁界を
印可して図4の場合と同じ角度Δθだけ磁化ベクトルが
振れたとしても、図7に示すように面内方向の磁化変化
量は図4の場合よりも遥かに小さくなる。従って透磁率
は小さくなる。自発磁化の立ち上がり角度が10゜より
小さくなると面内磁化膜に比較して十分に高い透磁率を
磁化容易軸方向で発揮できなくなる。一方、自発磁化の
立ち上がり角があまりに大きくなりすぎると、隣の磁区
との間の静磁結合が強くなり過ぎて磁化ベクトルが動き
難くなる。このため、保磁力が大きくなるとともに、透
磁率も低くなってしまう。即ち、磁化ベクトルの振れ角
Δθが小さくなる。従って自発磁化の立ち上がり角が7
0゜を超えると磁気ヘッドの再生特性が逆に低下してし
まうので好ましくない。Next, the rising angle of spontaneous magnetization in each magnetic domain will be described. The mechanism in which the spontaneous magnetization that rises inclining with respect to the film surface provides a sufficient magnetization change in the excitation direction and increases the magnetic permeability has been described earlier with reference to FIG. 7, the situation is similar to the case of the in-plane magnetic film described above with reference to FIG. 20, and the magnetic permeability in the easy axis direction decreases. This will be described below with reference to FIG. In FIG. 7, even if a small alternating magnetic field is applied in the direction of the easy magnetization axis and the magnetization vector fluctuates by the same angle Δθ as in FIG. 4, the amount of magnetization change in the in-plane direction is as shown in FIG. It is much smaller than it is. Therefore, the magnetic permeability decreases. If the rise angle of spontaneous magnetization is smaller than 10 °, a sufficiently high magnetic permeability cannot be exhibited in the easy magnetization axis direction as compared with the in-plane magnetization film. On the other hand, if the rising angle of the spontaneous magnetization is too large, the magnetostatic coupling between the adjacent magnetic domains becomes too strong and the magnetization vector becomes difficult to move. For this reason, the coercive force increases and the magnetic permeability also decreases. That is, the deflection angle Δθ of the magnetization vector decreases. Therefore, the rise angle of spontaneous magnetization is 7
When the angle exceeds 0 °, the reproduction characteristics of the magnetic head are undesirably deteriorated.
【0061】前記組成で縞状磁区構造を採用した軟磁性
薄膜を備えた磁気ヘッドにおいて軟磁性薄膜の面内に磁
界を印可して測定した磁化履歴曲線(ヒステリシスルー
プ)の概略を図8(a)に示す。また、この場合におけ
る自発磁化の平均立ち上がり角ψは、図8(b)に示す
ように計算式ψ=Cos-1(Mr'/Ms)から概略的
に算出することができる。ここで、Mr’は、図8
(a)で定義される磁化履歴曲線の傾斜部分を外挿して
求めた仮残留磁化、Msは飽和磁化とする。この式と図
8(a)に示す磁化履歴曲線から、Msに対してMr’
が小さいほど自発磁化の立ち上がり角が大きくなること
がわかる。また、図8(a)に示す磁化履歴曲線から、
本発明に係る軟磁性薄膜は、磁界の変化に応じて磁化が
急峻に立ち上がった後に、あるいは、立ち上がった後
に、いずれも飽和しずらい特性を示すことがわかる。FIG. 8 (a) schematically shows a magnetization hysteresis curve (hysteresis loop) measured by applying a magnetic field to the surface of the soft magnetic thin film in the magnetic head having the above composition and employing a soft magnetic thin film employing a stripe magnetic domain structure. ). The average rise angle ψ of the spontaneous magnetization in this case can be roughly calculated from the calculation formula ψ = Cos −1 (Mr ′ / Ms) as shown in FIG. 8B. Here, Mr ′ is the value shown in FIG.
Ms is assumed to be the saturation magnetization, and Ms is the provisional residual magnetization obtained by extrapolating the slope portion of the magnetization history curve defined in (a). From this equation and the magnetization history curve shown in FIG.
It can be understood that the smaller the is, the larger the rising angle of spontaneous magnetization is. Also, from the magnetization history curve shown in FIG.
It can be seen that the soft magnetic thin film according to the present invention shows characteristics that are hard to be saturated after the magnetization rises sharply in response to the change in the magnetic field or after the magnetization rises.
【0062】また、立ち上がり角ψは、正確には軟磁性
薄膜の飽和磁化にも関係するが、概ね垂直異方性エネル
ギーE⊥が大きくなるほど大きくなる。従って垂直異方
性エネルギーの値でその許容範囲を規定することができ
る。E⊥が50J/m3に満たないと、磁化容易軸方向
の透磁率が低下し、良好な特性の磁気ヘッドが得られな
い。また、E⊥が1000J/m3を超えると保磁力が
大きくなり、透磁率は全方向で低下し、良好な特性の磁
気ヘッドが得られない。なお、前記垂直異方性エネルギ
ーE⊥は図8(a)の磁化履歴曲線とx軸とy軸が囲む
第1象限の斜線部分の面積として概略見積もることがで
きる。The rise angle ψ is also related to the saturation magnetization of the soft magnetic thin film, but it generally increases as the perpendicular anisotropy energy E⊥ increases. Therefore, the allowable range can be defined by the value of the perpendicular anisotropy energy. If E⊥ is less than 50 J / m 3 , the magnetic permeability in the easy axis direction is reduced, and a magnetic head having good characteristics cannot be obtained. When E⊥ exceeds 1000 J / m 3 , the coercive force increases, the magnetic permeability decreases in all directions, and a magnetic head having good characteristics cannot be obtained. Note that the perpendicular anisotropy energy E⊥ can be roughly estimated as the area of the shaded portion of the first quadrant surrounded by the magnetization history curve and the x-axis and the y-axis in FIG.
【0063】一方、磁化容易軸は、磁歪λsの正負と応
力状態によっても変化する。磁歪が正の場合、軟磁性薄
膜に引張り応力が作用すると応力方向が磁化容易軸にな
り、圧縮応力が作用すると応力方向に対する直角方向が
磁化容易軸になる。また、磁歪が負の場合は、軟磁性薄
膜に引張り応力が作用すると応力方向に対して直角方向
が磁化容易軸になり、逆に圧縮応力が作用すると応力の
作用方向が磁化容易軸になる。この種の軟磁性薄膜のこ
のような性質を利用して磁気異方性を導入することがで
きる。On the other hand, the axis of easy magnetization changes depending on the sign of the magnetostriction λs and the stress state. When the magnetostriction is positive, when a tensile stress acts on the soft magnetic thin film, the direction of the stress becomes the easy axis of magnetization, and when a compressive stress acts on the soft magnetic thin film, the direction perpendicular to the stress direction becomes the easy axis of magnetization. When the magnetostriction is negative, when a tensile stress acts on the soft magnetic thin film, the direction perpendicular to the stress direction becomes the axis of easy magnetization, and conversely, when compressive stress acts, the direction of action of the stress becomes the axis of easy magnetization. The magnetic anisotropy can be introduced by utilizing such properties of this kind of soft magnetic thin film.
【0064】更に、非晶質あるいは非晶質と前記微細結
晶の混合状態とした場合、膜面に対して起立する方向に
伸びる柱状体の集合した構造とすることで、柱状体の形
状からくる形状異方性により軟磁性薄膜に垂直磁気異方
性を付与することができる。この構造において、柱状体
の1本1本は結晶ではなく、非晶質相であっても良い
が、隣接する柱状体の間には不純物を介在させた構成と
する。柱状体の傾斜角度は90゜が好ましいが、多少傾
斜していても差し支えない。Further, in the case of an amorphous state or a mixed state of the amorphous state and the fine crystal, the shape of the columnar body is increased by forming an aggregated structure of the columnar body extending in a direction rising to the film surface. Perpendicular magnetic anisotropy can be imparted to the soft magnetic thin film by the shape anisotropy. In this structure, each of the columnar bodies may be an amorphous phase instead of a crystal, but an impurity is interposed between adjacent columnar bodies. The inclination angle of the columnar body is preferably 90 °, but may be slightly inclined.
【0065】図1に示す構造の磁気ヘッドを製造するに
は、図9に示すように、まず、ブロック状の基体26の
一方の側面に軟磁性合金膜20を成膜する。次に、その
軟磁性合金膜20上にラミネートガラス24を成膜し、
もう一方の基体26'と貼り合わせ、加熱、圧着して溶
着する。この際、必要に応じて基体26'の接合面にも
ラミネートガラス24を成膜しておく。そして、室温に
まで冷却してラミネートガラス24が固化した後、この
ブロックを切断し、切削や研磨等の諸加工を経て、所定
形状の複数のスライダとコア部をそれぞれ形成する。ま
た、前記ガラス溶着工程の熱を利用して軟磁性合金膜に
熱処理を施し、成膜したままの非晶質相の一部あるいは
全部を熱処理により結晶質相に変えて目的の軟磁気特性
を示す軟磁性合金膜とする。なお、非晶質相を結晶質相
に変えるためには、ガラス溶着時の熱を利用しなくとも
良く、別途に専用の熱処理工程を実施しても良い。In order to manufacture the magnetic head having the structure shown in FIG. 1, first, as shown in FIG. 9, a soft magnetic alloy film 20 is formed on one side surface of a block-shaped base 26. Next, a laminated glass 24 is formed on the soft magnetic alloy film 20,
It is bonded to the other substrate 26 ', heated, pressed and welded. At this time, the laminated glass 24 is formed on the bonding surface of the base 26 'as necessary. Then, after cooling to room temperature to solidify the laminated glass 24, the block is cut, and various processes such as cutting and polishing are performed to form a plurality of sliders and a core portion having a predetermined shape, respectively. Further, the soft magnetic alloy film is subjected to a heat treatment by utilizing the heat of the glass welding step, and a part or the whole of the as-formed amorphous phase is changed to a crystalline phase by the heat treatment to obtain a desired soft magnetic characteristic. The soft magnetic alloy film shown in FIG. Note that in order to change the amorphous phase into a crystalline phase, it is not necessary to use heat at the time of glass welding, and a special heat treatment step may be separately performed.
【0066】次に、別々に形成されたスライダとコア部
を、それぞれに挟み込まれている軟磁性合金膜が連続す
るように位置を合わせて、非磁性の溶着ガラス21を巻
線穴の上部に充填して磁気ギャップ部を接合する。こう
して図1に示す磁気ヘッド10を製造することができ
る。Next, the slider and the core formed separately are aligned so that the soft magnetic alloy film sandwiched therebetween is continuous, and the non-magnetic welding glass 21 is placed above the winding hole. Fill to join the magnetic gap. Thus, the magnetic head 10 shown in FIG. 1 can be manufactured.
【0067】また、基体上に軟磁性合金膜を成膜する際
に、複数の軟磁性合金膜とSiO2などの絶縁層を交互
に積層することで、図10に示すような、一対の基体2
8、28間に挟まれた、複数の軟磁性合金膜32、32
と絶縁層34、34からなる磁気コア33を形成するこ
ともできる。なお、図10においては、符号24が磁気
コア33と基体28を接着するラミネートガラスであ
り、符号30が磁気ギャップを示す。この例の構造にお
いても先に説明した構造の磁気ヘッドと同様に縞状磁区
構造とすることにより、高周波域での透磁率を向上させ
ることができる。When a soft magnetic alloy film is formed on a base, a plurality of soft magnetic alloy films and insulating layers such as SiO 2 are alternately laminated to form a pair of bases as shown in FIG. 2
Plural soft magnetic alloy films 32, 32 sandwiched between 8, 28
And a magnetic core 33 composed of the insulating layers 34, 34. In FIG. 10, reference numeral 24 denotes a laminated glass for bonding the magnetic core 33 and the base 28, and reference numeral 30 denotes a magnetic gap. Also in the structure of this example, the magnetic permeability in a high frequency range can be improved by forming a stripe magnetic domain structure as in the magnetic head having the structure described above.
【0068】本発明は、上述したようなコンピュータの
ハードディスク装置用磁気ヘッドやVTR用の磁気ヘッ
ドなど、磁気コアが基体に挟みこまれて構成される積層
型磁気ヘッド及び磁気ギャップ近傍に磁性薄膜を配した
構造を有するメタルインギャップ型磁気ヘッドなどの各
種の磁気記録再生を行なう磁気ヘッドに適用できるもの
である。例えば、図1で説明した磁気ヘッド10の他に
図11に示す磁気ヘッド36にも適用できる。The present invention relates to a laminated magnetic head having a magnetic core sandwiched between substrates, such as a magnetic head for a hard disk device of a computer or a magnetic head for a VTR as described above, and a magnetic thin film in the vicinity of a magnetic gap. The present invention can be applied to a magnetic head for performing various magnetic recording and reproduction, such as a metal-in-gap type magnetic head having an arranged structure. For example, the present invention can be applied to the magnetic head 36 shown in FIG. 11 in addition to the magnetic head 10 described in FIG.
【0069】この例の磁気ヘッド36は、Mn-Znフ
ェライト基体に軟磁性薄膜44が成膜された一対の磁気
コア半体38,38が、磁気ギャップ42を形成するよ
うに接合されたメタルインギャップタイプ(MIG型)
の磁気ヘッドである。なお、巻線孔52にはコイル46
が巻回され、軟磁性薄膜の成膜された磁気コア半体3
8,38はギャップ42及びトラック幅規制溝48に存
在するギャップガラスで溶着されている。この例の構造
においても先に説明した構造の磁気ヘッドと同様に縞状
磁区構造とすることにより、高周波域での透磁率を向上
させることができる。The magnetic head 36 of this embodiment has a metal-in structure in which a pair of magnetic core halves 38, 38 each having a soft magnetic thin film 44 formed on a Mn—Zn ferrite substrate are joined so as to form a magnetic gap 42. Gap type (MIG type)
Magnetic head. The winding hole 52 has a coil 46.
Is wound and a magnetic core half 3 on which a soft magnetic thin film is formed
Reference numerals 8 and 38 are welded with gap glass existing in the gap 42 and the track width regulating groove 48. Also in the structure of this example, the magnetic permeability in a high frequency range can be improved by forming a stripe magnetic domain structure as in the magnetic head having the structure described above.
【0070】[0070]
【実施例】NiO-TiO2-CaOからなる基板上に高
周波2極スパッタ装置によりアルゴンガス雰囲気におい
て6μm厚のFe76Si12Al5Hf3C4なる組成の薄
膜を形成した。この薄膜は、成膜直後は非晶質状態であ
るが、720℃で20分間熱処理することによりFeを
主成分とする微細結晶が析出し、平均粒径約20nmの
微細結晶状態になった。この軟磁性薄膜においては、F
eを主成分とする微細結晶の粒界に、粒径約5nm以下
の立方晶構造のハフニウム炭化物結晶が分散されている
ことを電子顕微鏡で確認した。また、この軟磁性薄膜の
飽和磁歪は+1.3×10-6であることを光テコ法によ
り確認した。この軟磁性薄膜の磁区構造をカー効果顕微
鏡により観察した結果を図12(a)、(b)に示す。EXAMPLE A 6 μm thick thin film of Fe 76 Si 12 Al 5 Hf 3 C 4 having a composition of 6 μm was formed on a substrate made of NiO—TiO 2 —CaO by a high frequency bipolar sputtering apparatus in an argon gas atmosphere. This thin film was in an amorphous state immediately after the film formation, but was subjected to a heat treatment at 720 ° C. for 20 minutes to precipitate fine crystals containing Fe as a main component, and became a fine crystalline state having an average particle size of about 20 nm. In this soft magnetic thin film, F
It was confirmed by an electron microscope that hafnium carbide crystals having a cubic structure with a particle size of about 5 nm or less were dispersed in the grain boundaries of the fine crystals containing e as a main component. Further, it was confirmed by optical lever method that the saturation magnetostriction of this soft magnetic thin film was + 1.3 × 10 −6 . The results of observing the magnetic domain structure of this soft magnetic thin film with a Kerr effect microscope are shown in FIGS.
【0071】図12(a)と図12(b)に示す磁区構
造の試料においては、製造時の条件を変えてあり、図1
2(a)に示す構造の試料ではスパッタ成膜時の条件と
して高周波電力を1000W、アルゴンガス圧力を5m
Torr、図12(b)に示す構造の試料ではスパッタ
成膜時の条件として、高周波電力を500W、アルゴン
ガス圧力を7mTorrとしている。X線回折法により
測定した軟磁性薄膜の内部応力は、図12(a)に示す
構造の試料では150MPaの圧縮応力、図12(b)
に示す構造の試料では100MPaの引張応力であっ
た。このようにこれらの試料ではいずれのものでも磁歪
は正であるが、応力の符号が反対であるために、図12
(a)に示す構造の試料では垂直磁気異方性が導入さ
れ、図12(b)に示す構造の試料では逆に磁化が膜面
に拘束されるような異方性を生じる。この結果、図12
(a)に示す構造の試料では縞状磁区構造になり、図1
2(b)に示す構造の試料では一軸異方性を有する面内
磁化膜特有の大きな磁区になっている。なお、図12
(a)、(b)において左右方向が磁化容易軸方向を示
す。In the sample having the magnetic domain structure shown in FIGS. 12A and 12B, the manufacturing conditions were changed.
In the sample having the structure shown in FIG. 2A, high-frequency power was set to 1000 W and argon gas pressure was set to 5 m during sputtering film formation.
In the sample having the structure shown in FIG. 12B, the high-frequency power is set to 500 W and the argon gas pressure is set to 7 mTorr. The internal stress of the soft magnetic thin film measured by the X-ray diffraction method is 150 MPa compressive stress for the sample having the structure shown in FIG.
The sample having the structure shown in FIG. 1 had a tensile stress of 100 MPa. As described above, in each of these samples, the magnetostriction was positive in all the samples, but the signs of the stresses were opposite.
In the sample having the structure shown in FIG. 12A, perpendicular magnetic anisotropy is introduced, and in the sample having the structure shown in FIG. As a result, FIG.
In the sample having the structure shown in FIG.
In the sample having the structure shown in FIG. 2B, large magnetic domains unique to the in-plane magnetic film having uniaxial anisotropy are formed. FIG.
In (a) and (b), the left-right direction indicates the easy axis direction.
【0072】図12(a)に示す磁区構造の試料と図1
2(b)に示す磁区構造の試料の磁化履歴曲線を図13
(a)と図13(b)に対応させて示す。なお、励磁方
向の反磁界は補正してある。図13(a)に示す結果か
ら、本発明に係る軟磁性薄膜を用いた磁気ヘッドの磁化
履歴曲線にあっては、保磁力付近の磁界での磁化の変化
が急峻な立ち上がり曲線Kと、この立ち上がり曲線Kに
続いて磁化飽和点近傍までほぼ一定の傾斜角度で遷移す
る傾斜曲線Lとが含まれている。そして更に、磁化履歴
曲線の磁化飽和点から残留磁化に至る減衰曲線Gが、前
記傾斜曲線Lとほぼ同じ勾配で形成され、前記減衰曲線
Gと傾斜曲線Lとが一部一致されてなる曲線を示すこと
が明らかになった。また、前記立ち上がり曲線と対称位
置に存在する立ち下がり曲線も同様な履歴を示す。この
ような磁化履歴曲線を示す磁気ヘッドにあっては、保磁
力付近の磁界での磁化変化が急峻で、それ以上の磁界で
の磁化が飽和し難い特質を有する。この磁化履歴曲線か
ら見積もった自発磁化の立ち上がり角は50゜、垂直磁
気異方性エネルギーは150J/m3であった。以上の
結果からこの例の試料においては内部応力による逆磁歪
効果により垂直磁気異方性が導入されいるものと思われ
る。The sample having the magnetic domain structure shown in FIG.
The magnetization history curve of the sample having the magnetic domain structure shown in FIG.
13 (a) and FIG. 13 (b). The demagnetizing field in the excitation direction has been corrected. From the results shown in FIG. 13A, in the magnetization hysteresis curve of the magnetic head using the soft magnetic thin film according to the present invention, a rising curve K in which the change in magnetization in a magnetic field near the coercive force is steep, Following the rise curve K, a slope curve L that transitions at a substantially constant slope angle near the magnetization saturation point is included. Further, the attenuation curve G from the magnetization saturation point to the remanent magnetization of the magnetization hysteresis curve is formed with substantially the same gradient as the slope curve L, and the curve obtained by partially matching the attenuation curve G with the slope curve L is obtained. It became clear to show. Further, the falling curve present at a position symmetrical to the rising curve shows a similar history. The magnetic head showing such a magnetization hysteresis curve has a characteristic that the magnetization changes sharply in a magnetic field near the coercive force, and the magnetization in a magnetic field higher than that is hard to be saturated. The rise angle of spontaneous magnetization estimated from this magnetization history curve was 50 °, and the perpendicular magnetic anisotropy energy was 150 J / m 3 . From the above results, it is considered that perpendicular magnetic anisotropy is introduced into the sample of this example by the inverse magnetostriction effect due to the internal stress.
【0073】次に、図12(a)、(b)に示す磁区構
造を示す試料の各図の左右(横)方向(磁化容易軸方
向)と各図の上下(縦)方向(磁化困難軸方向)の1M
Hzにおける透磁率を測定した結果を以下の表1に示
す。透磁率の測定は8の字コイル法により行ない、励磁
界は5mOeとした。Next, the right and left (horizontal axis) directions (easy magnetization axis direction) and the vertical (longitudinal) directions (hard magnetization axis) of each sample of the sample showing the magnetic domain structure shown in FIGS. 12 (a) and 12 (b) are shown. Direction) 1M
The results of measuring the magnetic permeability in Hz are shown in Table 1 below. The measurement of the magnetic permeability was performed by the figure eight coil method, and the excitation magnetic field was 5 mOe.
【0074】[0074]
【表1】 [Table 1]
【0075】表1に示す結果から明らかなように、本発
明試料ではどちらの方向からでも高い透磁率を有してい
るのに対し、比較例の試料では方向により透磁率に大き
な差異を生じた。従って比較例の軟磁性薄膜を用いて磁
気ヘッドを構成すると、どちらが磁化容易軸になるかに
よって磁気ヘッドの軟磁気特性が大きくばらつくことに
なるのに対し、本発明試料の軟磁性薄膜を用いて磁気ヘ
ッドを構成すると全方位で高い透磁率を示すので、透磁
率の高い磁気ヘッドが得られる。As is clear from the results shown in Table 1, the sample of the present invention has a high magnetic permeability in any direction, whereas the sample of the comparative example has a large difference in magnetic permeability depending on the direction. . Therefore, when the magnetic head is configured using the soft magnetic thin film of the comparative example, the soft magnetic characteristics of the magnetic head greatly vary depending on which of the easy axes is the axis of magnetization, whereas the soft magnetic thin film of the sample of the present invention is used. When a magnetic head is configured, high magnetic permeability is exhibited in all directions, so that a magnetic head with high magnetic permeability can be obtained.
【0076】先の例で製造した方法と同等の方法を適用
して作製したCo81.3Nb14.0Zr4.7なる組成の非晶
質の軟磁性薄膜において、スパッタ時のアルゴンガス圧
力を変えて成膜した場合のそれぞれの磁化履歴曲線を図
14に示す。図14において、図14(a)はアルゴン
ガス圧を10mTorrとして作成した試料の磁化履歴
曲線を示し、図14(b)はアルゴンガス圧を5mTo
rrとして作製した試料の磁化履歴曲線を示す。図14
(a)の磁化履歴曲線を示す試料では垂直磁気異方性を
示しており、磁区観察の結果、図13(a)に示す磁化
履歴曲線を示す試料と同様な縞状磁区構造を呈してい
た。これに対し、図14(b)に示す磁化履歴曲線を示
す試料では垂直磁気異方性を示さなかった。これらの試
料の軟磁性薄膜はいずれもほぼ零に近い(約±1×10
-7)磁歪を有していた。よって、この例の軟磁性薄膜で
は先の例の軟磁性薄膜の場合のような内部応力による逆
磁歪効果で生じる垂直磁気異方性は極めて小さいと思わ
れるが、垂直磁気異方性が導入されている。An amorphous soft magnetic thin film having a composition of Co 81.3 Nb 14.0 Zr 4.7 manufactured by applying a method equivalent to the method manufactured in the previous example was formed by changing the argon gas pressure during sputtering. FIG. 14 shows the respective magnetization hysteresis curves in each case. In FIG. 14, FIG. 14 (a) shows a magnetization hysteresis curve of a sample prepared at an argon gas pressure of 10 mTorr, and FIG. 14 (b) shows an argon gas pressure of 5 mTorr.
rr shows a magnetization hysteresis curve of a sample manufactured as r. FIG.
The sample showing the magnetization hysteresis curve of (a) showed perpendicular magnetic anisotropy, and as a result of magnetic domain observation, it showed a striped magnetic domain structure similar to that of the sample showing the magnetization hysteresis curve shown in FIG. . On the other hand, the sample showing the magnetization hysteresis curve shown in FIG. 14B did not show perpendicular magnetic anisotropy. Each of the soft magnetic thin films of these samples is almost zero (about ± 1 × 10
-7 ) It had magnetostriction. Therefore, in the soft magnetic thin film of this example, the perpendicular magnetic anisotropy caused by the inverse magnetostriction effect due to the internal stress as in the case of the soft magnetic thin film of the previous example seems to be extremely small, but the perpendicular magnetic anisotropy is introduced. ing.
【0077】この例のそれぞれの軟磁性薄膜の断面(破
面)の走査型電子顕微鏡写真を図15に示す。図15
(a)に示す構造が図14(a)に示す磁化履歴曲線を
示す試料のものであり、図15(b)に示す構造が図1
4(b)に示す磁化履歴曲線を示す試料のものである。
図15(a)に示す構造の試料では膜面に対してほぼ垂
直方向に伸びる柱状体の集合した構造を有しているのに
対して図15(b)に示す試料ではそのような構造には
なっていない。図15(a)に示す構造において、柱状
体1本1本は結晶ではなく、非晶質相であるが、隣接す
る柱状体の間には不純物の偏析があると考えられる。こ
のような膜構造を有していると柱状体の形状からくる形
状異方性により垂直磁気異方性を導入することができ
る。FIG. 15 shows a scanning electron microscope photograph of a cross section (fracture surface) of each soft magnetic thin film of this example. FIG.
The structure shown in FIG. 14A is that of the sample showing the magnetization hysteresis curve shown in FIG. 14A, and the structure shown in FIG.
4 (b) is a sample showing a magnetization hysteresis curve.
The sample having the structure shown in FIG. 15A has an aggregated structure of columnar bodies extending substantially perpendicular to the film surface, whereas the sample shown in FIG. 15B has such a structure. Not. In the structure shown in FIG. 15A, each column is not a crystal but an amorphous phase, but it is considered that there is segregation of impurities between adjacent columns. With such a film structure, perpendicular magnetic anisotropy can be introduced by the shape anisotropy resulting from the shape of the columnar body.
【0078】次に、前記例と同様の方法で作製したFe
76.3Si12.0Al2.1Hf3.6C6.0なる組成の合金膜を
例にして、熱処理前と熱処理後のX線回折パターンを測
定した。熱処理は、680℃で20分間保持するものと
した。また、X線回折パターンはCo-Kα線源を用い
て測定した。熱処理後のX線回折パターンを図16に示
し、熱処理前のX線回折パターンを図17に示した。図
17に示す結果からから、ブロードなハローパターンが
示されており、熱処理前は非晶質であることがわかる。Next, the Fe produced by the same method as in the above example was used.
Using an alloy film having a composition of 76.3 Si 12.0 Al 2.1 Hf 3.6 C 6.0 as an example, the X-ray diffraction patterns before and after the heat treatment were measured. The heat treatment was performed at 680 ° C. for 20 minutes. The X-ray diffraction pattern was measured using a Co-Kα radiation source. FIG. 16 shows the X-ray diffraction pattern after the heat treatment, and FIG. 17 shows the X-ray diffraction pattern before the heat treatment. From the results shown in FIG. 17, a broad halo pattern is shown, and it is understood that the film is amorphous before the heat treatment.
【0079】一方、図16に示す結果からから、熱処理
後においては、α-Fe(体心立方構造のFeを主成分
とする結晶)とHfC(Hfの炭化物の結晶)の存在が
確認できた。しかも、α-Feの回折ピークの位置から
α-Feの結晶にはSiとAlが固溶していることがわ
かる。また、α-FeとHfCの各X線回折ピークの半
値幅から、α-Feの結晶粒径は19nm、HfCの結
晶粒径は3.4nmであることがわかる。On the other hand, from the results shown in FIG. 16, after the heat treatment, the presence of α-Fe (crystals having a body-centered cubic structure mainly composed of Fe) and HfC (crystals of Hf carbide) were confirmed. . In addition, it can be seen from the position of the α-Fe diffraction peak that Si and Al are in a solid solution in the α-Fe crystal. The half-widths of the X-ray diffraction peaks of α-Fe and HfC indicate that the crystal grain size of α-Fe is 19 nm and that of HfC is 3.4 nm.
【0080】図1で示したハードディスク用磁気ヘッド
を前記の例で使用した装置および方法と同等の装置およ
び方法を用いて製造し、それに用いた軟磁性薄膜の自発
磁化の立ち上がり角度と垂直磁気異方性エネルギーE⊥
および磁気ヘッドの孤立波再生出力を測定した。用いた
軟磁性薄膜は前記と同等の方法で成膜したFe74-78S
i11-12Al2-6Hf2-3C4-5なる組成のものであり、基
体はNiO-TiO2-CaO系あるいはMnO-NiO系
セラミックス基板を用いた。試験に供した磁気ヘッド
は、トラック幅が5.5μm、ギャップ深さが2μmの
ものとし、測定に供したハードディスクの保磁力Hcを
1600 Oe、周速を8.84m/s、磁気ヘッドの浮
上量を80nmにして測定した。The magnetic head for a hard disk shown in FIG. 1 was manufactured using an apparatus and method equivalent to the apparatus and method used in the above-described example, and the rising angle of spontaneous magnetization of the soft magnetic thin film and the perpendicular magnetic field were used. Isotropic energy E⊥
And the solitary wave reproduction output of the magnetic head was measured. The soft magnetic thin film used was Fe74-78S formed by the same method as described above.
i 11-12 Al 2-6 Hf 2-3 C 4-5 , and the substrate used was a NiO-TiO 2 -CaO-based or MnO-NiO-based ceramic substrate. The magnetic head used for the test had a track width of 5.5 μm and a gap depth of 2 μm, the coercive force Hc of the hard disk used for the measurement was 1600 Oe, the peripheral speed was 8.84 m / s, and the magnetic head floated. The amount was measured at 80 nm.
【0081】軟磁性薄膜の磁歪はいずれも正の値であ
り、軟磁性薄膜のAl濃度を変えることにより磁歪を+
1〜2×10-6の範囲で変化させ得ると同時に、軟磁性
薄膜の内部応力をスパッタ条件(アルゴンガス圧と高周
波電力)を変えることにより変化させ、種々の自発磁化
立ち上がり角ψと垂直異方性エネルギーを有する軟磁性
膜を作成し、それぞれを用いて磁気ヘッドを形成し、測
定に使用した。得られた多数の磁気ヘッドの孤立波再生
出力(相対値)と自発磁化の立ち上がり角ψの関係を図
18に、孤立波再生出力と垂直磁気異方性エネルギーE
⊥の関係を図19にそれぞれ示す。The magnetostriction of each of the soft magnetic thin films is a positive value, and the magnetostriction is increased by changing the Al concentration of the soft magnetic thin films.
At the same time 1 to 2 × can be varied in the range of 10 -6, the internal stress of the soft magnetic thin film is changed by changing the sputtering conditions (argon gas pressure and RF power), various spontaneous magnetization rise angle ψ perpendicular different A soft magnetic film having isotropic energy was formed, a magnetic head was formed using each, and used for measurement. FIG. 18 shows the relationship between the solitary wave reproduction output (relative value) and the rise angle 自 of spontaneous magnetization of a large number of obtained magnetic heads.
FIG. 19 shows the relationship of ⊥.
【0082】図18と図19に示す結果から、自発磁化
の立ち上がり角と垂直磁気異方性エネルギーが小さすぎ
ると、出力の平均値が低くなるとともに、自発磁化の立
ち上がり角と垂直磁気異方性エネルギーが大きすぎると
特性のばらつきは小さくなるが出力の平均値が低くなる
ことがわかる。このことから、自発磁化の立ち上がり角
は10〜70゜の範囲が好ましく、垂直異方性エネルギ
ーは50〜1000J/m3の範囲が好ましいことが明
らかになった。From the results shown in FIGS. 18 and 19, when the rising angle of the spontaneous magnetization and the perpendicular magnetic anisotropy energy are too small, the average value of the output decreases, and the rising angle of the spontaneous magnetization and the perpendicular magnetic anisotropy increase. It can be seen that if the energy is too large, the variation in characteristics will be small, but the average value of the output will be low. From this, it became clear that the rise angle of spontaneous magnetization is preferably in the range of 10 to 70 °, and the perpendicular anisotropy energy is preferably in the range of 50 to 1000 J / m 3 .
【0083】前記例のものと同等の軟磁性薄膜と基体を
用いて、図11に示したVTR用の映像磁気ヘッドを製
造し、先の例と同等の試験を行ってみたが、同等の効果
が得られた。Using the same soft magnetic thin film and substrate as those of the above example, the video magnetic head for a VTR shown in FIG. 11 was manufactured, and the same test as in the previous example was performed. was gotten.
【0084】[0084]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、非
晶質あるいは非晶質と微細結晶粒の混合組織であって、
縞状磁区構造の軟磁性薄膜を備え、縞状磁区構造におい
て自発磁化が膜面に対して垂直な方向に沿って傾斜して
いるので、縞状磁区構造の縞と平行な方向に励磁した場
合は膜面外に立ち上がっている磁区内部の自発磁化が上
下方向に首振り振動する結果、高周波でも高い透磁率を
示すとともに、縞状磁区構造の縞と直角な方向に励磁し
た場合は磁区内部の自発磁化が微小角度回転することに
よって高周波でも高い透磁率を示す。このことから、磁
化容易軸の方向に応じて透磁率の低い部分を磁気回路の
中に生じるということが無くなり、全方向で高い透磁率
を示す磁気ヘッドが得られる。また、本発明によれば、
磁気ヘッドの製造工程においてガラス溶着を行って磁気
ヘッドを高温に加熱し、軟磁性薄膜に部分的に異なる不
均一な磁気異方性を付与させてしまったとしても、全方
位において高い透磁率を示すので、ガラス溶着工程の加
熱処理によって軟磁気特性が劣化しない磁気ヘッドを提
供できる。As described above, according to the present invention, an amorphous or mixed structure of amorphous and fine crystal grains is provided.
Equipped with a soft magnetic thin film with a stripe magnetic domain structure, since the spontaneous magnetization in the stripe magnetic domain structure is inclined along the direction perpendicular to the film surface, so that it is excited in a direction parallel to the stripes of the stripe magnetic domain structure. As a result, the spontaneous magnetization inside the magnetic domain rising out of the film surface oscillates vertically, resulting in high permeability even at high frequencies, and when excited in a direction perpendicular to the stripes of the stripe magnetic domain structure, Due to the rotation of the spontaneous magnetization by a small angle, a high magnetic permeability is exhibited even at a high frequency. Thus, a portion having low magnetic permeability does not occur in the magnetic circuit in accordance with the direction of the axis of easy magnetization, and a magnetic head having high magnetic permeability in all directions can be obtained. According to the present invention,
Even if the magnetic head is heated to a high temperature by performing glass welding in the manufacturing process of the magnetic head, and the soft magnetic thin film is imparted with partially different non-uniform magnetic anisotropy, high magnetic permeability in all directions is obtained. Accordingly, it is possible to provide a magnetic head whose soft magnetic characteristics are not deteriorated by the heat treatment in the glass welding step.
【0085】本発明の縞状磁区構造を採用した磁気ヘッ
ドにあっては、保磁力付近の磁界での磁化の変化が急峻
で、その後の磁界で磁化飽和点近傍までほぼ一定の割合
で磁化の変化が遷移する磁化履歴曲線を示すので、磁界
をかけたときに、初期状態では磁界に対する磁化の変化
が急峻で、その後磁化が飽和しずらい特有の軟磁気特性
が得られる。In the magnetic head employing the striped magnetic domain structure of the present invention, the change in magnetization in the magnetic field near the coercive force is sharp, and the magnetization in the magnetic field near the magnetization saturation point is substantially constant in the subsequent magnetic field. Since a magnetization hysteresis curve in which a change transitions is shown, when a magnetic field is applied, a unique soft magnetic characteristic is obtained in which the magnetization changes sharply in the initial state with respect to the magnetic field, and thereafter, the magnetization hardly saturates.
【0086】磁気ヘッドに用いる軟磁性薄膜としてFe
とCoの微細結晶を主体とし、その粒界にTi、Zr、
Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち、1種または2
種以上の元素の炭化物、窒化物または硼化物を析出させ
てなるものを用いたものは、センダストよりも高い飽和
磁束密度を示し、方位により低下しない優れた透磁率を
示す。更に、磁気ヘッドに備える軟磁性薄膜としてT
100-a-b-c-d Xa Mb Zc Qdなる組成式あるいはT
100−b−c−d−e−f Sie Alf Mb Zc Q
dなる組成式に示される組成の特定の組成とし、各添加
元素の量を限定することで、特に高い飽和磁束密度を示
し、特に高い透磁率を示すものが得られる。As the soft magnetic thin film used for the magnetic head, Fe
And Co are mainly composed of fine crystals, and Ti, Zr,
One or two of Hf, V, Nb, Ta, Mo, W
Those obtained by depositing carbides, nitrides or borides of more than one element show a higher saturation magnetic flux density than Sendust, and show excellent magnetic permeability which does not decrease depending on the orientation. Further, as a soft magnetic thin film provided for the magnetic head, T
100-abcd X a M b Z c Q d a composition formula or T
100-b-c-d- e-f Si e Al f M b Z c Q
By setting the specific composition of the composition represented by the composition formula d and limiting the amount of each additive element, a composition exhibiting a particularly high saturation magnetic flux density and exhibiting a particularly high magnetic permeability can be obtained.
【0087】縞状磁区の各磁区内の自発磁化の立ち上が
り角は磁気異方性エネルギーを50〜1000J/m3
の範囲内に調整することで所望の角度に調整することが
でき、これにより優れた透磁率を発揮させ得る。また、
自発磁化の立ち上がり角度を10〜70゜の範囲内とす
るならば、磁区内での自発磁化の上下振動と左右回転振
動を円滑に行わせることができるので、どの方位に励磁
されても高い透磁率を得ることができる。更に、軟磁性
薄膜の構造を膜面に対して立ち上がる柱状体の集合組織
とすることで、自発磁化を膜面に対して容易に立ち上が
らせるか下げることができ、これにより全方位での透磁
率の向上効果を発揮させることができる。更にまた、縞
状磁区構造として自発磁化の立ち上がりを生じさせるた
めには、軟磁性薄膜に圧縮応力を作用させるとともに磁
歪を正とするか、軟磁性薄膜に引張り応力を作用させる
とともに磁歪を負とすることが好ましい。これにより優
れた透磁率とその等方性を示す軟磁性薄膜が得られ、高
性能な磁気ヘッドを提供できる。The rise angle of spontaneous magnetization in each magnetic domain of the striped magnetic domain is determined by setting the magnetic anisotropy energy to 50 to 1000 J / m 3.
By adjusting the angle within the range, the angle can be adjusted to a desired angle, whereby an excellent magnetic permeability can be exhibited. Also,
If the rising angle of the spontaneous magnetization is in the range of 10 to 70 °, the vertical oscillation and the left-right rotation oscillation of the spontaneous magnetization in the magnetic domain can be smoothly performed, so that a high transparency is obtained regardless of the direction of the excitation. Magnetic susceptibility can be obtained. Furthermore, by making the structure of the soft magnetic thin film a texture of columnar bodies rising up with respect to the film surface, the spontaneous magnetization can be easily raised or lowered with respect to the film surface, thereby increasing the magnetic permeability in all directions. The effect of improvement can be exhibited. Furthermore, in order to cause the spontaneous magnetization to rise as a stripe magnetic domain structure, a compressive stress is applied to the soft magnetic thin film and the magnetostriction is made positive, or a tensile stress is applied to the soft magnetic thin film and the magnetostriction is made negative. Is preferred. As a result, a soft magnetic thin film having excellent magnetic permeability and its isotropy can be obtained, and a high-performance magnetic head can be provided.
【0088】ここで用いる軟磁性薄膜として、FeとC
oのうち1種または2種からなる微細結晶粒と、平均粒
径が10nm以下のTi、Zr、Hf、V、Nb、T
a、Mo、Wのうち、1種または2種以上の元素の炭化
物、窒化物または硼化物を主体として構成されてなるも
のが好ましい。また、T100-a-b-c-d Xa Mb ZcQdな
る組成式あるいはT100-b-c-d-e-f Sie Alf Mb Z
c Qdなる組成式で示され、添加元素量を特定したもの
を用いることが好ましい。これらの組成とすることで、
透磁率が高い上に飽和磁束密度の優れた軟磁性薄膜が得
られ、高性能の磁気ヘッドを得ることができる。As the soft magnetic thin film used here, Fe and C
and fine crystal grains of one or two of Ti, Ti, Zr, Hf, V, Nb, and T having an average particle diameter of 10 nm or less.
Of a, Mo and W, those composed mainly of carbide, nitride or boride of one or more elements are preferred. Further, T 100-abcd X a M b Z c Q d a composition formula or T 100-bcdef Si e Al f M b Z
It is preferable to use the one represented by the composition formula of c Q d and specifying the amount of the added element. With these compositions,
A soft magnetic thin film having high permeability and excellent saturation magnetic flux density can be obtained, and a high-performance magnetic head can be obtained.
【0089】また、前記の方法で垂直磁気異方性を軟磁
性薄膜に導入することで軟磁性薄膜を縞状磁区構造とす
ることができ、透磁率の等方性に優れた軟磁性薄膜が得
られ高性能の磁気ヘッドを得ることができる。更に、前
記の方法に加えて前記の組成の軟磁性薄膜を用いること
で透磁率に加えて飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜あるい
は磁気ヘッドを提供できる。Further, by introducing perpendicular magnetic anisotropy into the soft magnetic thin film by the above-described method, the soft magnetic thin film can have a stripe magnetic domain structure, and a soft magnetic thin film having excellent magnetic permeability isotropic property can be obtained. As a result, a high-performance magnetic head can be obtained. Further, by using a soft magnetic thin film having the above composition in addition to the above method, a soft magnetic thin film or a magnetic head having a high saturation magnetic flux density in addition to the magnetic permeability can be provided.
【図1】ハードディスク装置用磁気ヘッドの斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view of a magnetic head for a hard disk drive.
【図2】図1のA部分の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG.
【図3】軟磁性薄膜の縞状磁区構造の一例を示すもの
で、図3(a)は平面図、図3(b)は図3(a)の一
部拡大平面図、図3(c)は自発磁化の立ち上がり状態
を示す断面図である。3 (a) is a plan view, FIG. 3 (b) is a partially enlarged plan view of FIG. 3 (a), and FIG. 3 (c) shows an example of a striped magnetic domain structure of a soft magnetic thin film. () Is a sectional view showing a rising state of spontaneous magnetization.
【図4】微小交流磁界を縞状磁区構造の軟磁性薄膜に印
可した場合の自発磁化の首振り振動と面内方向の磁化変
化分を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a swing oscillation of spontaneous magnetization and a change in magnetization in an in-plane direction when a small alternating magnetic field is applied to a soft magnetic thin film having a stripe magnetic domain structure.
【図5】磁区における自発磁化の立ち上がり状態を示す
断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a rising state of spontaneous magnetization in a magnetic domain.
【図6】縞状磁区構造の他の例を示す図であって、図6
(a)は平面図、図6(b)は断面図である。FIG. 6 is a view showing another example of the stripe magnetic domain structure, and FIG.
6A is a plan view, and FIG. 6B is a sectional view.
【図7】立ち上がり角の小さい自発磁化の首振り振動を
示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing swing oscillation of spontaneous magnetization having a small rising angle.
【図8】図8(a)は縞状磁区構造を有する軟磁性薄膜
が示す磁化履歴曲線を示す図、図8(b)は立ち上がり
角と仮残留磁化と飽和磁化の関係を示す図である。8A is a diagram showing a magnetization hysteresis curve of a soft magnetic thin film having a stripe magnetic domain structure, and FIG. 8B is a diagram showing a relationship between a rise angle, provisional residual magnetization, and saturation magnetization. .
【図9】磁気ヘッドの製造過程を示す工程図で、図9
(a)はブロック状基体を接合する前を示し、図9
(b)は接合後を示すものである。FIG. 9 is a process chart showing a manufacturing process of the magnetic head, and FIG.
FIG. 9A shows a state before the block-shaped substrate is joined, and FIG.
(B) shows the state after bonding.
【図10】積層型磁気ヘッドの磁気ギャップ周辺部の拡
大図である。FIG. 10 is an enlarged view of a portion around a magnetic gap of the laminated magnetic head.
【図11】VTR用の映像磁気ヘッドの斜視図である。FIG. 11 is a perspective view of a video magnetic head for a VTR.
【図12】図12(a)は本発明に係る軟磁性薄膜の縞
状磁区構造のカー顕微鏡写真を示す図、図12(b)は
従来の磁区構造の軟磁性薄膜のカー顕微鏡写真を示す図
である。FIG. 12A is a Kerr microscope photograph of a striped magnetic domain structure of a soft magnetic thin film according to the present invention, and FIG. 12B is a Kerr microscope photograph of a conventional soft magnetic thin film of a magnetic domain structure. FIG.
【図13】図13(a)は本発明に係る軟磁性薄膜の磁
化履歴曲線を示す図、図13(b)は従来の磁区構造を
示す軟磁性薄膜の磁化履歴曲線を示す図である。13A is a diagram showing a magnetization history curve of a soft magnetic thin film according to the present invention, and FIG. 13B is a diagram showing a magnetization history curve of a soft magnetic thin film having a conventional magnetic domain structure.
【図14】図14(a)は本発明に係る軟磁性薄膜の磁
化履歴曲線を示す図、図14(b)は従来の磁区構造を
示す軟磁性薄膜の磁化履歴曲線を示す図である。14A is a diagram showing a magnetization history curve of a soft magnetic thin film according to the present invention, and FIG. 14B is a diagram showing a magnetization history curve of a soft magnetic thin film having a conventional magnetic domain structure.
【図15】図15(a)は本発明に係る縞状磁区構造を
有する軟磁性薄膜の断面の組織写を示す図、図15
(b)は従来の磁区構造を有する軟磁性薄膜の断面の組
織写真を示す図である。FIG. 15 (a) is a view showing a micrograph of a cross section of a soft magnetic thin film having a striped magnetic domain structure according to the present invention, and FIG.
(B) is a diagram showing a structure photograph of a cross section of a conventional soft magnetic thin film having a magnetic domain structure.
【図16】本実施例の軟磁性合金の熱処理後のX線回折
パターンである。FIG. 16 is an X-ray diffraction pattern of the soft magnetic alloy of this example after heat treatment.
【図17】本実施例の軟磁性合金の熱処理前のX線回折
パターンである。FIG. 17 is an X-ray diffraction pattern of the soft magnetic alloy of this example before heat treatment.
【図18】本発明に係る縞状磁区構造を有する軟磁性薄
膜を備えた磁気ヘッドにおける自発磁化の立ち上がり角
と孤立波再生出力の関係を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing a relationship between a rising angle of spontaneous magnetization and a solitary wave reproduction output in a magnetic head including a soft magnetic thin film having a striped magnetic domain structure according to the present invention.
【図19】本発明に係る縞状磁区構造を有する軟磁性薄
膜を備えた磁気ヘッドにおける垂直異方性エネルギーと
孤立波再生出力の関係を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing a relationship between perpendicular anisotropy energy and solitary wave reproduction output in a magnetic head including a soft magnetic thin film having a stripe magnetic domain structure according to the present invention.
【図20】図20は従来構造の磁気ヘッドの磁路方向に
よる透磁率のばらつきを説明するためのもので、図20
(a)は平面図、図20(b)は磁化容易軸が左右方向
を向く場合の磁気ヘッドの側面図、図20(c)は磁化
容易軸が上下方向を向く場合の磁気ヘッドの側面図であ
る。FIG. 20 is a diagram for explaining a variation in magnetic permeability of a magnetic head having a conventional structure depending on a magnetic path direction.
20A is a plan view, FIG. 20B is a side view of the magnetic head when the easy axis of magnetization is in the left-right direction, and FIG. 20C is a side view of the magnetic head when the easy axis of magnetization is in the vertical direction. It is.
【図21】従来の磁区構造を示すもので、図21(a)
は軟磁性薄膜における自発磁化の方向を示す断面図、図
21(b)は同自発磁化の方向を示す平面図である。FIG. 21 shows a conventional magnetic domain structure.
Is a cross-sectional view showing the direction of spontaneous magnetization in the soft magnetic thin film, and FIG. 21B is a plan view showing the direction of spontaneous magnetization.
10 磁気ヘッド 20 磁気コア 20'、20'' 軟磁性薄膜 22 磁気ギャップ 24 ラミネートガラス 26、28 基体 30 磁気ギャップ 32 軟磁性薄膜 36 磁気ヘッド 38 磁気コア半体(基体) 42 磁気ギャップ 44 軟磁性薄膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Magnetic head 20 Magnetic core 20 ', 20' 'Soft magnetic thin film 22 Magnetic gap 24 Laminated glass 26, 28 Base 30 Magnetic gap 32 Soft magnetic thin film 36 Magnetic head 38 Magnetic core half body (base) 42 Magnetic gap 44 Soft magnetic thin film
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−12508(JP,A) 特開 平3−242911(JP,A) 特開 平7−50006(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01F 10/14 C23C 14/06 G11B 5/127 G11B 5/23 H01F 41/14 Continuation of front page (56) References JP-A-4-12508 (JP, A) JP-A-3-242911 (JP, A) JP-A-7-50006 (JP, A) (58) Fields investigated (Int) .Cl. 7 , DB name) H01F 10/14 C23C 14/06 G11B 5/127 G11B 5/23 H01F 41/14
Claims (10)
り平均結晶粒径を40nm以下とした微細結晶粒と、平
均結晶粒径が10nm以下のTi、Zr、Hf、V、N
b、Ta、Mo、Wのうち、1種または2種以上の元素
の炭化物、窒化物または硼化物を主体として軟磁性薄膜
が構成され、該軟磁性薄膜が基体に挟まれてなる構造の
磁気ヘッドであって、 前記軟磁性薄膜が、縞状磁区構造にされ、該縞状磁区構
造が、膜面に垂直な方向に沿って傾斜する自発磁化を有
する磁区の集合により縞状に形成されてなり、前記軟磁
性薄膜の膜面内に磁界を印加した場合の磁化履歴曲線
に、保磁力付近の磁界での磁化の変化が急峻な立ち上が
り曲線と、この立ち上がり曲線に続いて磁化飽和点近傍
までほぼ一定の傾斜角度で遷移する傾斜曲線とが含まれ
てなり、磁化履歴曲線の磁化飽和点から残留磁化に至る
減衰曲線が、前記傾斜曲線とほぼ同じ勾配で形成され、
前記減衰曲線と傾斜曲線とが一部一致されてなり、 前記軟磁性薄膜の膜面垂直の磁気異方性磁気エネルギー
が、50〜1000J/m 3 の範囲とされた ことを特徴
とする磁気ヘッド。 1. A method comprising one or two of Fe and Co.
And fine crystal grains with an average crystal grain diameter is 40nm or less Ri, Rights
Ti, Zr, Hf, V, N having an average crystal grain size of 10 nm or less
one or more of b, Ta, Mo, and W elements
Soft magnetic thin film mainly composed of carbide, nitride or boride
A magnetic head having a structure in which the soft magnetic thin film is sandwiched between substrates, wherein the soft magnetic thin film has a striped magnetic domain structure, and the striped magnetic domain structure is in a direction perpendicular to the film surface. Ri Na by a set of magnetic domains having a spontaneous magnetization inclined along are formed in stripes, the soft magnetic
Hysteresis curve when a magnetic field is applied in the plane of a conductive thin film
In addition, a steep rise in the change in magnetization in a magnetic field near the coercive force
Curve and the rising curve followed by the magnetization saturation point
Up to an almost constant inclination angle
From the magnetization saturation point of the magnetization history curve to the remanent magnetization
A decay curve is formed with substantially the same slope as the slope curve,
The decay curve and the slope curve partially match, and the magnetic anisotropic magnetic energy perpendicular to the film surface of the soft magnetic thin film
Is in the range of 50 to 1000 J / m 3 .
り平均結晶粒径を40nm以下とした微細結晶粒と、平
均結晶粒径が10nm以下のTi、Zr、Hf、V、N
b、Ta、Mo、Wのうち、1種または2種以上の元素
の炭化物、窒化物または硼化物を主体として軟磁性薄膜
が構成され、該軟磁性薄膜が基体に挟まれてなる構造の
磁気ヘッドであって、 前記軟磁性薄膜が、縞状磁区構造にされ、該縞状磁区構
造が、膜面に垂直な方向に沿って傾斜する自発磁化を有
する磁区の集合により縞状に形成されてなり、前記軟磁
性薄膜の膜面内に磁界を印加した場合の磁化履歴曲線
に、保磁力付近の磁界での磁化の変化が急峻な立ち上が
り曲線と、この立ち上がり曲線に続いて磁化飽和点近傍
までほぼ一定の傾斜角度で遷移する傾斜曲線とが含まれ
てなり、磁化履歴曲線の磁化飽和点から残留磁化に至る
減衰曲線が、前記傾斜曲線とほぼ同じ勾配で形成され、
前記減衰曲線と傾斜曲線とが一部一致されてなり、 前記軟磁性薄膜における自発磁化の膜面からの平均の立
ち上がり角が、10〜70゜の範囲にされた ことを特徴
とする磁気ヘッド。2. A method comprising one or two of Fe and Co.
And fine crystal grains with an average crystal grain diameter is 40nm or less Ri, Rights
Ti, Zr, Hf, V, N having an average crystal grain size of 10 nm or less
one or more of b, Ta, Mo, and W elements
Soft magnetic thin film mainly composed of carbide, nitride or boride
A magnetic head having a structure in which the soft magnetic thin film is sandwiched between substrates, wherein the soft magnetic thin film has a stripe magnetic domain structure, and the stripe magnetic domain structure is arranged in a direction perpendicular to the film surface. A magnetic hysteresis curve formed when a magnetic field is applied in the film plane of the soft magnetic thin film is formed in a stripe shape by a set of magnetic domains having spontaneous magnetization inclined along, and a change in magnetization in a magnetic field near a coercive force. leading to and a rising curve steep, Ri name contains an inclined curve transition at a substantially constant inclination angle to the vicinity magnetization saturation point following this rising curve, the residual magnetization of a magnetizable saturation point of magnetization hysteresis loop
A decay curve is formed with substantially the same slope as the slope curve,
The decay curve and the slope curve partially match, and the average rise of spontaneous magnetization from the film surface in the soft magnetic thin film is obtained.
A magnetic head having a rising angle in a range of 10 to 70 degrees .
る方向に延びる柱状構造とされたことを特徴とする請求
項1または2記載の磁気ヘッド。3. The structure of the soft magnetic thin film stands on the film surface.
A columnar structure extending in a direction
Item 3. The magnetic head according to item 1 or 2 .
され、かつ、磁歪を正とすることにより垂直磁気異方性
が導入されてなることを特徴とする請求項1、2または
3記載の磁気ヘッド。 4. The soft magnetic thin film according to claim 1, wherein the internal stress is equal to a compressive stress.
Perpendicular magnetic anisotropy
Is introduced, The claim 1, 2 or characterized by the above-mentioned.
3. The magnetic head according to item 3 .
され、かつ、磁歪を負とすることにより垂直磁気異方性
が導入されてなることを特徴とする請求項1、2または
3記載の磁気ヘッド。 5. The soft magnetic thin film according to claim 1, wherein the internal stress is equal to the tensile stress.
Perpendicular anisotropy by making the magnetostriction negative
Is introduced, The claim 1, 2 or characterized by the above-mentioned.
3. The magnetic head according to item 3 .
り平均結晶粒径を40nm以下とした微細結晶粒と、平
均結晶粒径が10nm以下のTi、Zr、Hf、V、N
b、Ta、Mo、Wのうち、1種または2種以上の元素
の炭化物、窒化物または硼化物を主体として軟磁性薄膜
が構成され 、 該軟磁性薄膜が基体に挟まれてなる構造の
磁気ヘッドであって、 前記軟磁性薄膜が、縞状磁区構造にされ、縞状磁区構造
が、膜面に垂直な方向に沿って傾斜する自発磁化を有す
る磁区の集合により縞状に形成されてなり、前記軟磁性
薄膜の膜面内に磁界を印加した場合の磁化履歴曲線に、
保磁力付近の磁界での磁化の変化が急峻な立ち上がり曲
線と、この立ち上がり曲線に続いて磁化飽和点近傍まで
ほぼ一定の傾斜角度で遷移する傾斜曲線とが含まれてな
り、磁化履歴曲線の磁化飽和点から残留磁化に至る減衰
曲線が、前記傾斜曲線とほぼ同じ勾配で形成され、前記
減衰曲線と傾斜曲線とが一部一致されてなり、 前記軟磁性薄膜の膜面垂直の磁気異方性磁気エネルギー
が、50〜1000J/m 3 の範囲とされ、 前記軟磁性薄膜が次式で示される組成からなることを特
徴とする磁気ヘッド。 T 100-a-b-c-d X a M b Z c Q d (但し、TはFe、Coのうち1種または2種、XはS
i、Alのうち1種または2種、MはTi、Zr、H
f、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち1種または2種以
上、ZはC、Nのうち1種または2種、QはCr、R
e、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Auのうち1種ま
たは2種以上を示し、組成比a、b、c、dは原子%で
0≦a≦25、1≦b≦15、0.5≦c≦20、0≦
d≦10なる 関係を満足するものとする。) 6. A method comprising one or two of Fe and Co.
Fine crystal grains whose average crystal grain size is 40 nm or less;
Ti, Zr, Hf, V, N having an average crystal grain size of 10 nm or less
one or more of b, Ta, Mo, and W elements
Soft magnetic thin film mainly composed of carbide, nitride or boride
Is constituted, and the soft magnetic thin film is sandwiched between substrates.
A magnetic head, wherein the soft magnetic thin film has a striped magnetic domain structure.
Has spontaneous magnetization that tilts in a direction perpendicular to the film surface
Formed in a stripe pattern by a set of magnetic domains.
The magnetization history curve when a magnetic field is applied in the plane of the thin film
Rising curve with a sharp change in magnetization in a magnetic field near the coercive force
Line and following this rise curve to the vicinity of the magnetization saturation point
Includes a slope curve that transitions at a nearly constant slope angle.
Decay from the magnetization saturation point to the remanent magnetization of the magnetization hysteresis curve
The curve is formed with substantially the same slope as the slope curve,
The decay curve and the slope curve are partially matched, and the magnetic anisotropy magnetic energy perpendicular to the film surface of the soft magnetic thin film is obtained.
Is in the range of 50 to 1000 J / m 3 , and the soft magnetic thin film has a composition represented by the following formula.
Magnetic head. T 100-abcd X a M b Z c Q d (where T is one or two of Fe and Co, and X is S
i, one or two of Al, M is Ti, Zr, H
one or more of f, V, Nb, Ta, Mo, W
Above, Z is one or two of C and N, Q is Cr, R
e, Ru, Rh, Ni, Pd, Pt, Au
Or two or more kinds, and the composition ratios a, b, c, and d are in atomic%.
0 ≦ a ≦ 25, 1 ≦ b ≦ 15, 0.5 ≦ c ≦ 20, 0 ≦
It is assumed that the relationship d ≦ 10 is satisfied. )
り平均結晶粒径を40nm以下とした微細結晶粒と、平
均結晶粒径が10nm以下のTi、Zr、Hf、V、N
b、Ta、Mo、Wのうち、1種または2種以上の元素
の炭化物、窒化物または硼化物を主体として軟磁性薄膜
が構成され 、 該軟磁性薄膜が基体に挟まれてなる構造の
磁気ヘッドであって、 前記軟磁性薄膜が、縞状磁区構造にされ、縞状磁区構造
が、膜面に垂直な方向に沿って傾斜する自発磁化を有す
る磁区の集合により縞状に形成されてなり、前記軟磁性
薄膜の膜面内に磁界を印加した場合の磁化履歴曲線に、
保磁力付近の磁界での磁化の変化が急峻な立ち上がり曲
線と、この立ち上がり曲線に続いて磁化飽和点近傍まで
ほぼ一定の傾斜角度で遷移する傾斜曲線とが含まれてな
り、磁化履歴曲線の磁化飽和点から残留磁化に至る減衰
曲線が、前記傾斜曲線とほぼ同じ勾配で形成され、前記
減衰曲線と傾斜曲線とが一部一致されてなり、 前記軟磁性薄膜の膜面垂直の磁気異方性磁気エネルギー
が、50〜1000J/m 3 の範囲とされ、 前記軟磁性薄膜が次式で示される組成からなることを特
徴とする磁気ヘッド。 T 100-b-c-d-e-f Si e Al f M b Z c Q d (但し、TはFe、Coのうち1種または2種、MはT
i、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wのうち1種
または2種以上、ZはC、Nのうち1種または2種、Q
はCr、Re、Ru、Rh、Ni、Pd、Pt、Auの
うち1種または2種以上を示し、組成比b、c、d、
e、fは原子%で8≦e≦15、0.5≦f≦10、1
≦b≦7、0.5≦c≦10、0≦d≦10なる関係を
満足するものとする。 7. One or two of Fe and Co.
Fine crystal grains whose average crystal grain size is 40 nm or less;
Ti, Zr, Hf, V, N having an average crystal grain size of 10 nm or less
one or more of b, Ta, Mo, and W elements
Soft magnetic thin film mainly composed of carbide, nitride or boride
Is constituted, and the soft magnetic thin film is sandwiched between substrates.
A magnetic head, wherein the soft magnetic thin film has a striped magnetic domain structure.
Has spontaneous magnetization that tilts in a direction perpendicular to the film surface
Formed in a stripe pattern by a set of magnetic domains.
The magnetization history curve when a magnetic field is applied in the plane of the thin film
Rising curve with a sharp change in magnetization in a magnetic field near the coercive force
Line and following this rise curve to the vicinity of the magnetization saturation point
Includes a slope curve that transitions at a nearly constant slope angle.
Decay from the magnetization saturation point to the remanent magnetization of the magnetization hysteresis curve
The curve is formed with substantially the same slope as the slope curve,
The decay curve and the slope curve are partially matched, and the magnetic anisotropy magnetic energy perpendicular to the film surface of the soft magnetic thin film is obtained.
Is in the range of 50 to 1000 J / m 3 , and the soft magnetic thin film has a composition represented by the following formula.
Magnetic head. T 100-bcdef Si e Al f M b Z c Q d ( where, T is Fe, 1 kind or two kinds of Co, M is T
one of i, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W
Or two or more, Z is one or two of C and N, Q
Of Cr, Re, Ru, Rh, Ni, Pd, Pt, Au
One or more of them are shown, and the composition ratios b, c, d,
e and f are in atomic%, 8 ≦ e ≦ 15, 0.5 ≦ f ≦ 10, 1
≦ b ≦ 7, 0.5 ≦ c ≦ 10, 0 ≦ d ≦ 10
Be satisfied.
る方向に延びる柱状構造とされたことを特徴とする請求
項6または7記載の磁気ヘッド。 8. The structure of the soft magnetic thin film stands on the film surface.
A columnar structure extending in a direction
Item 8. The magnetic head according to Item 6 or 7 .
され、かつ、磁歪を正とすることにより垂直磁気異方性
が導入されてなることを特徴とする請求項6、7または
8記載の磁気ヘッド。9. An internal stress of the soft magnetic thin film is defined as a compressive stress.
Perpendicular magnetic anisotropy
6. The method according to claim 6, wherein
8. The magnetic head according to item 8 .
とされ、かつ、磁歪 を負とすることにより垂直磁気異方
性が導入されてなることを特徴とする請求項6、7また
は8記載の磁気ヘッド。10. The internal stress of the soft magnetic thin film is a tensile stress.
And by making the magnetostriction negative, the perpendicular magnetic anisotropy
6. The method according to claim 6, wherein a characteristic is introduced.
Is the magnetic head described in 8 .
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