JP3126487B2 - Oxidation treatment equipment - Google Patents

Oxidation treatment equipment

Info

Publication number
JP3126487B2
JP3126487B2 JP04134483A JP13448392A JP3126487B2 JP 3126487 B2 JP3126487 B2 JP 3126487B2 JP 04134483 A JP04134483 A JP 04134483A JP 13448392 A JP13448392 A JP 13448392A JP 3126487 B2 JP3126487 B2 JP 3126487B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
steam
combustion
oxygen gas
hydrogen gas
combustion vessel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04134483A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH05304136A (en
Inventor
勝伸 宮城
弘幸 三橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP04134483A priority Critical patent/JP3126487B2/en
Priority to KR1019930007208A priority patent/KR100304287B1/en
Publication of JPH05304136A publication Critical patent/JPH05304136A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3126487B2 publication Critical patent/JP3126487B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は酸化処理装置、詳しくは
半導体ウエハーを酸化処理するための酸化処理装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oxidation treatment apparatus, and more particularly to an oxidation treatment apparatus for oxidizing a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に半導体デバイスの製造において
は、半導体ウエハーの表面に酸化膜を形成するための酸
化処理工程が必要であり、この酸化処理を実施するため
方法の一つとして、酸化処理炉内において半導体ウエハ
ーを高温下で水蒸気と接触させる方法がある。そして、
例えば特開昭56−62326号公報に示されているよ
うに、酸化処理炉に直接に水素ガスと酸素ガスを供給し
て燃焼させて当該酸化処理炉内で水蒸気を発生させる方
法が知られている。
2. Description of the Related Art Generally, in the manufacture of semiconductor devices, an oxidation treatment step for forming an oxide film on the surface of a semiconductor wafer is required. One of the methods for carrying out this oxidation treatment is an oxidation treatment furnace. There is a method in which a semiconductor wafer is brought into contact with water vapor at a high temperature. And
For example, as disclosed in JP-A-56-62326, a method is known in which hydrogen gas and oxygen gas are directly supplied to an oxidation furnace and burned to generate steam in the oxidation furnace. I have.

【0003】しかしながら、この酸化処理炉内において
水素ガスと酸素ガスを燃焼させる方法においては、水素
ガスと酸素ガスの燃焼の程度によって酸化処理炉内の温
度が大きく左右され、そのために半導体ウエハーの酸化
処理温度を十分に制御することが困難であり、半導体ウ
エハーに対する酸化処理の信頼性、安定性および再現性
が低い、という問題点がある。
However, in the method of burning hydrogen gas and oxygen gas in the oxidation furnace, the temperature in the oxidation furnace is greatly affected by the degree of combustion of the hydrogen gas and oxygen gas. It is difficult to sufficiently control the processing temperature, and there is a problem that the reliability, stability and reproducibility of the oxidation processing on the semiconductor wafer are low.

【0004】一方、例えば特公昭63−60528号公
報、特開昭63−210501号公報などに示されてい
るように、水蒸気発生装置を外部燃焼装置として酸化処
理炉と独立に設け、この水蒸気発生装置に水素ガスと酸
素ガスを供給して燃焼させることによって水蒸気を発生
させ、この水蒸気を適宜の水蒸気給送管路を介して酸化
処理炉に給送する方法も知られている。このような方法
によれば、酸化処理炉における加熱状態を、水蒸気発生
装置の動作状態と分離して制御することができるので、
酸化処理炉における半導体ウエハーに対する酸化処理を
高い信頼性、安定性および再現性で実施することが可能
である。
On the other hand, as disclosed in, for example, JP-B-63-60528 and JP-A-63-210501, a steam generator is provided as an external combustion device independently of an oxidation treatment furnace. There is also known a method in which hydrogen gas and oxygen gas are supplied to an apparatus and burned to generate steam, and the steam is supplied to an oxidation furnace through an appropriate steam supply pipe. According to such a method, the heating state in the oxidation treatment furnace can be controlled separately from the operation state of the steam generator.
It is possible to perform an oxidation treatment on a semiconductor wafer in an oxidation treatment furnace with high reliability, stability and reproducibility.

【0005】而して、このような外部燃焼型の水蒸気発
生装置を用いた酸化処理装置においては、水蒸気発生装
置よりの水蒸気を酸化処理炉に給送するために、石英よ
り成る管路部材の一端を、水蒸気発生装置の石英製水蒸
気排出管と摺合わせによるボールジョイントなどのコネ
クタにより接続し、また管路部材の他端を、酸化処理炉
の石英製水蒸気導入管に同様のコネクタによって接続す
る手段が従前から知られている。
[0005] In an oxidation treatment apparatus using such an external combustion type steam generation device, a pipe member made of quartz is used to supply steam from the steam generation device to the oxidation treatment furnace. One end is connected to a quartz steam discharge pipe of the steam generator by a connector such as a ball joint by sliding, and the other end of the pipe member is connected to the quartz steam introduction pipe of the oxidation treatment furnace by a similar connector. Means have been known for some time.

【0006】しかしながら、この接続手段においては、
石英が変形に対する自由度が殆どないものであって接続
位置の変位に対する許容幅がきわめて小さいため、水蒸
気給送管路と水蒸気排出管および水蒸気導入管との接続
にきわめて高い位置精度が必要となり、その結果、当該
接続を高いシール性が確保された状態で実現することが
実際上きわめて困難である。
However, in this connection means,
Quartz has little degree of freedom for deformation, and the allowable width for displacement of the connection position is extremely small, so that extremely high positional accuracy is required for connecting the steam supply pipe with the steam discharge pipe and the steam introduction pipe. As a result, it is practically extremely difficult to realize the connection with high sealing performance.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】以上のような事情か
ら、水蒸気給送管路のための管路部材およびコネクタを
構成する部材として、それ自体が比較的大きい可撓性を
有し、接続における変位の許容幅が比較的大きい点で好
適なテフロンなどのフッ素樹脂より成るものを用いるこ
とが検討されている。しかしながら、テフロンなどのフ
ッ素樹脂は、耐熱温度が通常260℃程度以下であって
耐熱性が比較的小さいため、高温の水蒸気が流入した場
合には、変形などが生じて接続個所のシール性が失わ
れ、リークが生ずるおそれが大きい。
In view of the circumstances described above, as a member constituting a pipe member and a connector for a steam supply pipe, the pipe itself has relatively large flexibility, and the connection is difficult. The use of a fluororesin such as Teflon, which is preferable because the allowable width of displacement is relatively large, has been studied. However, fluororesins such as Teflon generally have a heat resistance temperature of about 260 ° C. or lower and have relatively low heat resistance. Therefore, when high-temperature steam flows in, a deformation or the like occurs and the sealing property of the connection portion is lost. Therefore, there is a high possibility that leakage occurs.

【0008】具体的に説明すると、最近においては、酸
化処理される半導体ウエハーの口径が6インチあるいは
8インチと大きくなってきており、このような大口径の
半導体ウエハーに対して所期の酸化処理を高い効率で行
うためには、酸化処理炉に供給する水蒸気量を多くする
ことが要請され、水蒸気発生装置においても多量の水蒸
気を発生させることが必要となる。
More specifically, recently, the diameter of a semiconductor wafer to be oxidized has been increased to 6 inches or 8 inches. In order to perform the process with high efficiency, it is required to increase the amount of steam supplied to the oxidation treatment furnace, and it is necessary to generate a large amount of steam in the steam generator.

【0009】然るに、多量の水蒸気を発生させるために
水蒸気発生装置に水素ガスおよび酸素ガスを多量に供給
して燃焼させると、当然の結果として燃焼温度が高くな
って300℃を遥かに超える高温の水蒸気が排出される
ようになり、このため、接続における自由度が大きい点
でそれ自体は好適なテフロンなどのフッ素樹脂より成る
管路部材およびコネクタを水蒸気給送管路の構成に用い
た場合にはリークが生ずるようになり、結局、酸化処理
炉に多量の水蒸気を安定に給送することができない、と
いう問題点がある。
However, if a large amount of hydrogen gas and oxygen gas are supplied to the steam generator for combustion in order to generate a large amount of steam, the combustion temperature naturally rises to a high temperature far exceeding 300 ° C. Water vapor is discharged, and therefore, when a pipe member and a connector made of a fluororesin such as Teflon, which itself is suitable in terms of a large degree of freedom in connection, are used in the configuration of the water vapor supply pipe. Has a problem in that a large amount of water vapor cannot be supplied stably to the oxidation furnace.

【0010】本発明は、以上のような問題を解決し、水
蒸気発生装置において燃焼温度が高くて高温の水蒸気が
発生する場合にも、水蒸気排出管からは低温の水蒸気が
排出され、水蒸気給送管路がテフロンなどのフッ素樹脂
により構成されているときにもリークを生ずることな
く、多量の水蒸気を酸化処理炉に安定に給送することの
できる酸化処理装置を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems, and even when high-temperature steam is generated due to a high combustion temperature in a steam generator, low-temperature steam is discharged from a steam discharge pipe, and steam is supplied. It is an object of the present invention to provide an oxidation treatment apparatus capable of stably supplying a large amount of steam to an oxidation treatment furnace without causing a leak even when a pipeline is made of a fluorine resin such as Teflon.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明に係る酸化処理装
置は、酸化処理炉と、この酸化処理炉に水蒸気給送管路
を介して接続された水蒸気発生装置とを備えてなり、前
記水蒸気発生装置は、燃焼容器と、この燃焼容器の下部
において容器内空間に開口する水素ガス導入管および酸
素ガス導入管と、前記燃焼容器内において水素ガスが酸
素ガスにより燃焼するよう、水素ガスおよび酸素ガスの
少なくとも一方を加熱するヒータと、前記燃焼容器の上
部に設けられた、前記水蒸気給送管路が接続された筒状
水蒸気排出部と、この水蒸気排出部に、それぞれ内部
空間を塞ぐよう設けられ、変位した位置に貫通孔が形成
された複数の内部放熱板を含む放熱部材と、前記燃焼容
器の周囲に設けられた冷却機構とを有してなることを特
徴とする。
An oxidation treatment apparatus according to the present invention comprises an oxidation treatment furnace and a steam generation device connected to the oxidation treatment furnace via a steam supply pipe. The generator includes a combustion vessel, a hydrogen gas introduction pipe and an oxygen gas introduction pipe that open to the space inside the vessel at a lower portion of the combustion vessel, and a hydrogen gas and an oxygen gas so that the hydrogen gas is burned by the oxygen gas in the combustion vessel. a heater for heating at least one of gas, provided in the upper portion of the combustion chamber, cylindrical shape the steam supply Okukanro is connected
Inside the steam discharge section and the steam discharge section
Provided to close the space and formed through holes at displaced positions
And a cooling mechanism provided around the combustion vessel.

【0012】また、本発明の酸化処理装置は、酸化処理
炉と、この酸化処理炉に水蒸気給送管路を介して接続さ
れた水蒸気発生装置とを備えてなり、 前記水蒸気発生装
置は、燃焼容器と、この燃焼容器の下部において容器内
空間に開口する水素ガス導入管および酸素ガス導入管
と、前記燃焼容器内において水素ガスが酸素ガスにより
燃焼するよう、水素ガスおよび酸素ガスの少なくとも一
方を加熱するヒータと、前記燃焼容器の上部に設けられ
た、前記水蒸気給送管路が接続された水蒸気排出部と、
この水蒸気排出部に設けられた放熱部材と、前記燃焼容
器の周囲に設けられた冷却機構とを有してなり、前記燃
焼容器内に、上部が閉塞された燃焼空間を区画する内筒
が設けられ、この内筒の外周面と燃焼容器の内周面との
間の筒状空間が、その下部において前記内筒内の燃焼空
間と連通すると共にその上部において水蒸気排出部の内
部空間と連通して水蒸気通路を形成するものであること
を特徴とする。
Further , the oxidation treatment apparatus according to the present invention provides an oxidation treatment apparatus.
Furnace and this oxidation treatment furnace via a steam feed line.
It and a steam generating device, the steam generating instrumentation
The combustion chamber and the lower part of the combustion vessel
Hydrogen gas introduction pipe and oxygen gas introduction pipe opening into space
And the hydrogen gas is converted into oxygen gas in the combustion vessel.
At least one of hydrogen gas and oxygen gas to combust
A heater for heating one side, and a heater provided at an upper part of the combustion vessel.
A steam discharge section to which the steam feed pipe is connected;
A heat radiating member provided in the water vapor discharging portion;
A cooling mechanism provided around the vessel , wherein an inner cylinder is provided within the combustion vessel to define a combustion space whose upper part is closed, and an outer peripheral surface of the inner cylinder and an inner circumference of the combustion vessel are provided. The cylindrical space between the upper surface and the lower surface communicates with the combustion space in the inner cylinder at the lower portion and communicates with the inner space of the steam discharge section at the upper portion to form a steam passage.
It is characterized by.

【0013】[0013]

【作用】本発明の酸化処理装置によれば、水蒸気発生装
置において、燃焼容器の上部における水蒸気排出部に放
熱部材が設けられているため、燃焼温度が高温となった
場合にも、水蒸気排出部を通過することによって水蒸気
が冷却され、水蒸気給送管路に流入する水蒸気が低温の
ものとなる。従って、接続における自由度が大きい点で
好適なテフロンなどのフッ素樹脂を用いて水蒸気給送管
路を構成した場合にもリークが生ずることがないため、
水蒸気発生装置において多量の水蒸気を発生させてこれ
を安定に酸化処理炉に給送することができる。
According to the oxidation treatment apparatus of the present invention, in the steam generator, since the heat radiating member is provided at the steam discharge section in the upper part of the combustion vessel, even when the combustion temperature becomes high, the steam discharge section is provided. The steam is cooled by passing through the steam, and the steam flowing into the steam supply pipe becomes cold. Therefore, even when a steam supply pipe is formed using a fluorine resin such as Teflon which is preferable in that the degree of freedom in connection is large, no leak occurs.
A large amount of steam can be generated in the steam generator and can be stably fed to the oxidation furnace.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図1は本
発明の一実施例に係る酸化処理装置における水蒸気発生
装置20の説明用縦断面図を示す。この例の水蒸気発生
装置20は、その軸が上下方向に伸びるよう設けられた
石英より成る円筒状の燃焼容器21を具え、この燃焼容
器21の下底部には、上方に伸びる石英より成る水素ガ
ス導入管22およびこの水素ガス導入管22と二重管構
造を構成して上方に伸びる酸素ガス導入管23が設けら
れており、水素ガス導入管22の開口22Aの周りに、
前記酸素ガス導入管23による環状の開口23Aが上方
の内部空間を向いた状態に形成されている。ここに、前
記酸素ガス導入管22の拡大径部23Pは燃焼容器21
と一体に形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a longitudinal sectional view for explaining a steam generator 20 in an oxidation treatment apparatus according to one embodiment of the present invention. The steam generator 20 of this example includes a cylindrical combustion vessel 21 made of quartz provided with its axis extending vertically, and a hydrogen gas made of quartz extending upward is provided on the lower bottom of the combustion vessel 21.
Gas introduction pipe 22 and the hydrogen gas introduction pipe 22 and a double pipe structure.
An oxygen gas inlet pipe 23 extending upwardly is constructed.
Around the opening 22A of the hydrogen gas introduction pipe 22,
The annular opening 23A formed by the oxygen gas introduction pipe 23 is upward.
It is formed in a state facing the internal space of. Here, before
The enlarged diameter portion 23P of the oxygen gas introduction pipe 22 is
And are formed integrally.

【0015】燃焼容器21の下方においては、水素ガス
導入管22と酸素ガス導入管23とが二重管構造を構成
する部分の周囲にガス加熱用ヒータ33が配設されてい
る。このガス加熱用ヒータ33は、導入される水素ガス
および酸素ガスを自然着火温度以上に加熱するものであ
る。これにより、燃焼容器21内に放出されたときに水
素ガスが酸素ガスと混合されて燃焼する。Fは燃焼によ
る炎である。
Below the combustion vessel 21, a gas heating heater 33 is disposed around a portion where the hydrogen gas introduction pipe 22 and the oxygen gas introduction pipe 23 constitute a double pipe structure. The gas heating heater 33 heats the introduced hydrogen gas and oxygen gas to a temperature equal to or higher than the auto-ignition temperature. Thus, when released into the combustion vessel 21, the hydrogen gas is mixed with the oxygen gas and burned. F is a flame due to combustion.

【0016】燃焼容器21内には、内部に燃焼空間Sを
区画する石英より成る円筒状の内筒40が同軸状に設け
られ、この内筒40の外周面と燃焼容器21の内周面と
の間に筒状空間41が形成されている。この内筒40
は、その上部が閉塞されると共に下端が開放状態で燃焼
容器21と一体的に連結されている。そして、内筒40
の下端部には、燃焼空間Sと筒状空間41とを連通する
貫通孔42が形成されている。また、燃焼容器21の周
囲には、例えば水冷ジャケットより成る冷却機構32が
配設されている。
In the combustion vessel 21, a cylindrical inner cylinder 40 made of quartz and defining a combustion space S is provided coaxially, and an outer peripheral surface of the inner cylinder 40 and an inner peripheral surface of the combustion vessel 21 are formed. A cylindrical space 41 is formed therebetween. This inner cylinder 40
Is integrally connected to the combustion vessel 21 with its upper part closed and its lower end open. And the inner cylinder 40
A through-hole 42 is formed at the lower end of the cylinder to communicate the combustion space S and the cylindrical space 41. A cooling mechanism 32 composed of, for example, a water-cooled jacket is provided around the combustion vessel 21.

【0017】燃焼容器21の上部には、当該燃焼容器2
1より小径の円筒状の水蒸気排出部25が石英により燃
焼容器21と一体的に形成され、その内部空間は前記筒
状空間41と連通されている。この水蒸気排出部25に
は、図2にも示すように、その内周壁から水平方向に伸
びる2枚の石英製の内部放熱板45および46が、それ
ぞれ内部空間を塞ぐよう、かつ互いに上下方向に離間し
た状態に一体的に設けられており、下方の内部放熱板4
5には、その中央から一方(図の右方)の側に変位した
位置に貫通孔48が形成されると共に、上方の内部放熱
板46には中央から他方(図の左方)の側に変位した位
置に貫通孔49が形成されている。
The upper part of the combustion vessel 21 is provided with the combustion vessel 2
A cylindrical water vapor discharge section 25 having a diameter smaller than 1 is formed integrally with the combustion vessel 21 by quartz, and an internal space thereof is communicated with the cylindrical space 41. As shown in FIG. 2, the water vapor discharge portion 25 has two quartz internal heat radiating plates 45 and 46 extending in the horizontal direction from the inner peripheral wall thereof so as to close the internal space and to extend vertically from each other. The lower internal heat sink 4 is integrally provided in a separated state.
5, a through hole 48 is formed at a position displaced to one side (right side in the figure) from the center thereof, and the upper internal heat dissipation plate 46 is formed on the other side (left side in the figure) from the center. A through hole 49 is formed at the displaced position.

【0018】更に、水蒸気排出部25の外周壁には、こ
の例では2枚の石英製の外部放熱板52が、互いに上下
方向に離間して、各々水平方向外方に鍔状に突出するよ
う一体的に形成されている。
Further, on the outer peripheral wall of the water vapor discharge portion 25, two external heat radiating plates 52 made of quartz in this example are vertically spaced apart from each other, and each project outwardly in a flange shape in the horizontal direction. It is formed integrally.

【0019】水蒸気排出部25には、その上壁から突出
するよう水蒸気排出管26が設けられており、この水蒸
気排出管26の先端には水蒸気給送管路30の一端が接
続されている。この水蒸気給送管路30は、例えばテフ
ロンなどのフッ素樹脂により形成されたチューブ35お
よびナット36を含むコネクタによって構成され、その
他端は、図3に示すように、酸化処理炉60の水蒸気導
入管63に、同様の材質によって形成されたナット64
を含むコネクタによって接続される。また、水蒸気給送
管路30のチューブ35の外周には、例えばシート状ヒ
ータ38が設けられている。
The water vapor discharge section 25 is provided with a water vapor discharge pipe 26 projecting from the upper wall thereof, and one end of a water vapor supply pipe 30 is connected to an end of the water vapor discharge pipe 26. The steam supply line 30 is constituted by a connector including a tube 35 and a nut 36 formed of, for example, a fluororesin such as Teflon, and the other end is provided with a steam introduction pipe of an oxidation furnace 60 as shown in FIG. A nut 64 made of a similar material
Connected by a connector including Further, for example, a sheet heater 38 is provided on the outer periphery of the tube 35 of the steam supply line 30.

【0020】図示の例における酸化処理炉60は石英よ
り成る円筒状の反応管61により構成された縦型炉であ
り、反応管61の上部の水蒸気導入ポート62に水蒸気
導入管63が設けられている。反応管61の下端開口は
キャップ65によって開閉自在に閉塞され、このキャッ
プ65上に保温筒66を介してウエハーボート68が支
持され、このウエハーボート68に多数の半導体ウエハ
ーWが各々水平に延びる状態で互いに上下に離間して重
なるよう支持される。反応管61の周囲には内部を加熱
するヒータ69が配設され、また反応管65の下部には
排気管70が設けられている。
The oxidation furnace 60 in the illustrated example is a vertical furnace constituted by a cylindrical reaction tube 61 made of quartz. A steam introduction tube 63 is provided at a steam introduction port 62 above the reaction tube 61. I have. A lower end opening of the reaction tube 61 is openably and closably closed by a cap 65, and a wafer boat 68 is supported on the cap 65 via a heat retaining tube 66, and a large number of semiconductor wafers W extend horizontally on the wafer boat 68. And are supported so as to be separated from each other vertically. A heater 69 for heating the inside is provided around the reaction tube 61, and an exhaust pipe 70 is provided below the reaction tube 65.

【0021】一方、水蒸気発生装置20の水素ガス導入
管22には、図3に示すように、流量制御機構73を介
して水素ガス源74が接続されると共に、酸素ガス導入
管23には、切替えバルブ75および流量制御機構76
を介して酸素ガス源77が接続される。また、切替えバ
ルブ75から分岐する窒素ガス導入管81には流量制御
機構83を介して窒素ガス源80が設けられている。
On the other hand, as shown in FIG. 3, a hydrogen gas source 74 is connected to the hydrogen gas introducing pipe 22 of the steam generating device 20 via a flow rate control mechanism 73, and the oxygen gas introducing pipe 23 is connected to the oxygen gas introducing pipe 23. Switching valve 75 and flow control mechanism 76
The oxygen gas source 77 is connected via the. In addition, a nitrogen gas source 80 is provided via a flow rate control mechanism 83 in a nitrogen gas introduction pipe 81 branched from the switching valve 75.

【0022】次に以上の構成の酸化処理装置の動作を説
明する。まず、酸素ガス導入管23を利用して最初に窒
素ガスにより、次いで酸素ガスにより、初期パージが行
われる。すなわち、窒素ガス源80から窒素ガス導入管
81を介して酸素ガス導入管23に窒素ガスが供給さ
れ、水蒸気発生装置20、水蒸気給送管路30および酸
化処理炉60内が窒素ガスにより置換される。この窒素
ガスは、酸化処理炉60の排気管70によって排気され
る。
Next, the operation of the oxidation treatment apparatus having the above configuration will be described. First, an initial purge is performed using nitrogen gas first and then using oxygen gas using the oxygen gas introduction pipe 23. That is, nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas source 80 to the oxygen gas introduction pipe 23 via the nitrogen gas introduction pipe 81, and the inside of the steam generator 20, the steam supply pipe 30 and the oxidation treatment furnace 60 is replaced with nitrogen gas. You. The nitrogen gas is exhausted by the exhaust pipe 70 of the oxidation furnace 60.

【0023】このように窒素ガスによって置換された状
態において、酸化処理炉60のキャップ65が開かれ、
図示されていないエレベータにより保温筒66に支持さ
れたウエハーボート68が反応管61内に装入され、こ
れによって酸化処理すべき半導体ウエハーWが反応管6
1内の所定の位置に配置される。その後、切替えバルブ
75が切替えられて酸素ガス源77から酸素ガスが供給
され、これによって水蒸気発生装置20、水蒸気給送管
路30および酸化処理炉60内が酸素ガスにより置換さ
れる。
In the state of being replaced by nitrogen gas, the cap 65 of the oxidation furnace 60 is opened,
A wafer boat 68 supported by a heat retaining cylinder 66 by an elevator (not shown) is loaded into the reaction tube 61, and thereby the semiconductor wafer W to be oxidized is supplied to the reaction tube 61.
1 at a predetermined position. After that, the switching valve 75 is switched to supply the oxygen gas from the oxygen gas source 77, whereby the inside of the steam generator 20, the steam supply line 30, and the oxidation furnace 60 are replaced with the oxygen gas.

【0024】この状態において、ガス加熱用ヒータ33
を例えば850℃程度の加熱状態に保ち、水素ガス源7
4から水素ガス導入管22を介して所定の流量、例えば
毎分4.8リットルの流量で水素ガスを水蒸気発生装置
20に供給すると共に、酸素ガスを所定の流量、例えば
毎分5.0リットルの流量で水蒸気発生装置20に供給
すると、これらのガスは、ガス加熱用ヒータ33によっ
て加熱されることにより、燃焼空間S内に放出されたと
きに着火して炎Fをあげて燃焼し、これにより水蒸気が
発生する。ガス加熱用ヒータ33は、燃焼空間Sにおけ
る燃焼が開始された後も、その作動状態に維持される。
In this state, the gas heater 33
Is maintained at a heating state of, for example, about 850 ° C., and a hydrogen gas source 7
4 through a hydrogen gas inlet pipe 22 to supply hydrogen gas to the steam generator 20 at a predetermined flow rate, for example, 4.8 liters per minute, and to supply oxygen gas at a predetermined flow rate, for example, 5.0 liters per minute. When these gases are supplied to the steam generator 20 at a flow rate of, these gases are heated by the gas heating heater 33 to ignite when released into the combustion space S and burn with a flame F. Generates steam. The gas heating heater 33 is maintained in its operating state even after the combustion in the combustion space S is started.

【0025】水蒸気発生装置20に供給される水素ガス
と酸素ガスとの量比は、化学量論に従って2:1である
必要はなく、酸素ガスが若干過剰に供給されるのが普通
である。ここに過剰の酸素ガスは、キャリアガスとして
作用し、また酸化処理炉60内において酸化処理に寄与
することとなる。水素ガスを過剰に供給することは、爆
発の危険があるので避けるべきである。また、水素ガス
および酸素ガスの供給量は、目的とする酸化処理の程度
に応じて適宜選定され、流量制御機構73および76に
よって制御される。
The ratio between the amount of hydrogen gas and the amount of oxygen gas supplied to the steam generator 20 does not need to be 2: 1 according to the stoichiometry, and the oxygen gas is usually supplied in a slightly excessive amount. Here, the excess oxygen gas acts as a carrier gas and contributes to the oxidation treatment in the oxidation treatment furnace 60. Oversupply of hydrogen gas should be avoided because of the danger of explosion. The supply amounts of the hydrogen gas and the oxygen gas are appropriately selected according to the intended degree of the oxidation treatment, and are controlled by the flow rate control mechanisms 73 and 76.

【0026】以上のようにして燃焼空間Sにおいて発生
した水蒸気は、内筒40の下端の貫通孔42を通過して
筒状空間41による水蒸気通路を上昇するが、この筒状
空間41を区画する燃焼容器21の周囲には冷却機構3
2が設けられているため、高温の水蒸気は、先ず、この
筒状空間41による水蒸気通路を流過する間に冷却され
る。
The water vapor generated in the combustion space S as described above passes through the through hole 42 at the lower end of the inner cylinder 40 and rises in the water vapor passage formed by the cylindrical space 41. Cooling mechanism 3 around combustion vessel 21
2, the high-temperature steam is first cooled while flowing through the steam passage formed by the cylindrical space 41.

【0027】筒状空間41よりの水蒸気は次に水蒸気排
出部25に到達し、この水蒸気排出部25に設けられた
下方の内部放熱板45の貫通孔48を通過し、次いで上
方の内部放熱板46の貫通孔49を通過するが、放熱板
45および46により表面積の大きい水蒸気の通路が形
成されているため、高温の水蒸気は内部放熱板45およ
び46との間で高い効率で熱交換されることとなり、そ
の結果、水蒸気が冷却されて低温となる。
The water vapor from the cylindrical space 41 reaches the water vapor discharge portion 25, passes through the through hole 48 of the lower internal heat radiation plate 45 provided in the water vapor discharge portion 25, and then passes through the upper internal heat radiation plate. Although high-pressure water vapor passes through the through holes 49 of the heat radiation plates 45 and 46, a high-temperature water vapor is heat-exchanged with the internal heat radiation plates 45 and 46 with high efficiency because the heat radiation plates 45 and 46 form a passage for water vapor having a large surface area. As a result, the steam is cooled to a low temperature.

【0028】このようにして低温となった水蒸気は水蒸
気排出管26から水蒸気給送管路30に流入し、この水
蒸気給送管路30により、水蒸気導入管63を介して酸
化処理炉60に給送される。
The steam which has become low in temperature flows into the steam supply pipe 30 from the steam discharge pipe 26, and is supplied to the oxidation furnace 60 through the steam supply pipe 63 by the steam supply pipe 30. Sent.

【0029】酸化処理炉60において、水蒸気導入管6
3からの水蒸気は反応管61内を下方に流過するが、反
応管61内の半導体ウエハーWはヒータ70によって例
えば900℃程度以上の高温に維持されており、その結
果、半導体ウエハーWに対し所期の酸化処理がなされ
る。なお、水蒸気はその後排気管70によって排気され
る。
In the oxidation treatment furnace 60, the steam introduction pipe 6
Although the water vapor from 3 flows downward in the reaction tube 61, the semiconductor wafer W in the reaction tube 61 is maintained at a high temperature of, for example, about 900 ° C. or more by the heater 70. As a result, the semiconductor wafer W The desired oxidation treatment is performed. The water vapor is then exhausted by the exhaust pipe 70.

【0030】このようにして、酸化処理炉60内の半導
体ウエハーWについて所期の酸化処理がなされた後は、
水蒸気発生装置20に対する水素ガスの導入が停止され
て酸素ガスのみの導入が継続され、これにより、水蒸気
発生装置20、水蒸気給送管路30および酸化処理炉6
0内が酸素ガスによって置換され、その後、更に窒素ガ
スによって置換された状態で半導体ウエハーWが酸化処
理炉60から取り出される。
After the intended oxidation treatment is performed on the semiconductor wafer W in the oxidation treatment furnace 60 in this manner,
The introduction of the hydrogen gas into the steam generator 20 is stopped, and the introduction of only the oxygen gas is continued. As a result, the steam generator 20, the steam supply line 30, and the oxidation furnace 6
The semiconductor wafer W is taken out of the oxidation processing furnace 60 in a state where the inside of O is replaced with oxygen gas and further replaced with nitrogen gas.

【0031】然るに本発明においては、燃焼空間Sより
の水蒸気は、筒状空間41による水蒸気通路を流過する
ときに冷却され、次いで水蒸気排出部25において、内
部放熱板45および46の貫通孔48および49によっ
て形成される通路を通過することにより、冷却される。
そして、水蒸気排出部25に外部放熱板52が設けられ
ている場合には、この冷却効率が一層高いものとなる。
従って、水蒸気発生装置20において多量の水蒸気を発
生させる結果、燃焼温度が高温となった場合において
も、水蒸気排出管26から水蒸気給送管路30に流入す
る水蒸気を低温のものとすることができ、水蒸気給送管
路30をテフロンなどのフッ素樹脂により構成したとき
にも、その変形などが生ずることがなく、リークが生ず
ることがない。このため、水蒸気発生装置20において
多量の水蒸気を発生させ、これを安定に酸化処理炉60
に給送することができる。
In the present invention, however, the water vapor from the combustion space S is cooled when flowing through the water vapor passage formed by the cylindrical space 41, and then, in the water vapor discharge section 25, the through holes 48 of the internal heat radiation plates 45 and 46. Cooling is achieved by passing through the passage formed by and.
When the external heat radiating plate 52 is provided in the water vapor discharging section 25, the cooling efficiency is further improved.
Therefore, even when the combustion temperature becomes high as a result of generating a large amount of water vapor in the water vapor generation device 20, the water vapor flowing into the water vapor supply line 30 from the water vapor discharge pipe 26 can be made low in temperature. Also, when the steam supply line 30 is made of a fluororesin such as Teflon, the deformation is not caused, and no leak is caused. For this reason, a large amount of steam is generated in the steam generator 20 and is stably
Can be sent to

【0032】なお、水蒸気給送管路30内における水蒸
気が過冷却状態となった場合には、水蒸気給送管路30
において結露が生じて酸化処理炉60に給送される水蒸
気の量を十分に制御することが困難となるが、シート状
ヒータ38によって給送管路30内の水蒸気の温度を1
30℃程度に維持させることにより、結露を防止するこ
とができる。
When the steam in the steam supply line 30 is supercooled, the steam supply line 30
In this case, it is difficult to sufficiently control the amount of steam supplied to the oxidation treatment furnace 60 due to dew condensation, but the temperature of the steam in the supply pipe 30 is reduced by 1 by the sheet heater 38.
By maintaining the temperature at about 30 ° C., dew condensation can be prevented.

【0033】図4は、本発明の水蒸気発生装置において
好適に利用することのできるガス導入ヘッド90の断面
図である。このガス導入ヘッド90は、水素ガス導入管
22と酸素ガス導入管23とによる二重間構造部分の上
端に設けられ、水素ガス導入管22の開口22Aおよび
酸素ガス導入管23の開口23Aは、ガス導入ヘッド9
0の外周において互いに上下に重なるよう、いずれも半
径方向外方に拡がりながら斜め上方に傾斜して伸びる水
素ガス通路22Bおよび酸素ガス通路23Bの先端に形
成されている。これらの水素ガス通路22Bおよび酸素
ガス通路23Bは、外方に拡開しながら螺旋状に伸びる
状態のものとしてもよい。
FIG. 4 is a sectional view of a gas introduction head 90 which can be suitably used in the steam generator of the present invention. The gas introduction head 90 is provided at the upper end of a double-layered structure formed by the hydrogen gas introduction pipe 22 and the oxygen gas introduction pipe 23. The opening 22A of the hydrogen gas introduction pipe 22 and the opening 23A of the oxygen gas introduction pipe 23 Gas introduction head 9
The two are formed at the ends of a hydrogen gas passage 22B and an oxygen gas passage 23B that extend obliquely upward while extending outward in the radial direction so as to vertically overlap each other at the outer periphery of 0. The hydrogen gas passage 22B and the oxygen gas passage 23B may be in a state of spirally extending while expanding outward.

【0034】このような構成のガス導入ヘッド90を用
いると、水素ガス通路22Bおよび酸素ガス通路23B
の方向性により、燃焼空間Sに対して水素ガスが半径方
向外方に拡がる状態で供給されるため、多量の水蒸気を
発生させるために多量の水素ガスおよび酸素ガスを供給
したときにも、炎Fが半径方向に太るようになるが上方
に高く伸びることはなく、従って、燃焼容器21および
内筒40の高さ、ひいては水蒸気発生装置20をそれ程
大きくすることなしに、燃焼容器21の内面に炎Fが直
接に接触することを回避することができる利点がある。
When the gas introduction head 90 having such a configuration is used, the hydrogen gas passage 22B and the oxygen gas passage 23B
Due to the directionality of the hydrogen gas, the hydrogen gas is supplied to the combustion space S in a state of spreading outward in the radial direction. Therefore, even when a large amount of hydrogen gas and oxygen gas are supplied to generate a large amount of water vapor, the flame is F becomes thicker in the radial direction, but does not extend upward. Therefore, without increasing the height of the combustion vessel 21 and the inner cylinder 40, and thus the steam generator 20 so much, the inner surface of the combustion vessel 21 becomes larger. There is an advantage that it is possible to avoid direct contact of the flame F.

【0035】すなわち、本発明においては、燃焼容器2
1、内筒40、水蒸気排出部25、水蒸気排出管26、
内部放熱板45および46並びに外部放熱板52は、そ
の全部を石英により一体的に形成することが好ましい
が、炎Fが直接に石英製の壁面に接触すると石英が結晶
化して脆弱化し、また水蒸気に対する不純物源となるお
それがある。然るに、多量の水素ガスと酸素ガスを燃焼
空間S内に単に直上方に向けて供給すると、形成される
炎Fの高さが大きくなり、燃焼空間Sの天井を形成する
壁面、例えば内筒40の上壁などに接触するようにな
る。
That is, in the present invention, the combustion vessel 2
1, inner cylinder 40, water vapor discharge section 25, water vapor discharge pipe 26,
It is preferable that all of the internal heat radiating plates 45 and 46 and the external heat radiating plate 52 are integrally formed of quartz. However, when the flame F directly contacts the quartz wall surface, the quartz crystallizes and becomes brittle, May be a source of impurities for However, if a large amount of hydrogen gas and oxygen gas are simply supplied directly upward into the combustion space S, the height of the formed flame F increases, and the wall surface forming the ceiling of the combustion space S, for example, the inner cylinder 40 Comes into contact with the upper wall of the car.

【0036】このような事態を回避するためには、勿
論、燃焼空間Sの高さを十分に大きくすればよいが、こ
の場合には水蒸気発生装置全体が大型のものとなる。然
るに、上記のようなガス導入ヘッド60を用いれば、炎
Fの高さが大きくなることがないため、水蒸気発生装置
をそれ程大型化させることなしに炎Fが燃焼空間Sの内
壁面に接触することを回避することができる。
In order to avoid such a situation, of course, the height of the combustion space S may be made sufficiently large. In this case, however, the entire steam generator becomes large. However, if the gas introduction head 60 as described above is used, the height of the flame F does not increase, so that the flame F contacts the inner wall surface of the combustion space S without increasing the size of the steam generator. That can be avoided.

【0037】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明においては、種々の変形を加えることが可能
である。例えば、水蒸気排出部においては、その内部放
熱板は必須であるが、外周壁における外部放熱板は必ず
しも必須のものではなく、内筒も除去することが可能で
ある。また、内部放熱板の形態、数は特に限定されるも
のではない。更に、水素ガス導入管および酸素ガス導入
管は、それらが二重管構造であることは必須のことでは
なく、ガス加熱ヒータは水素ガスおよび酸素ガスのいず
れか一方を加熱する構成であってもよい。酸化処理炉と
しては縦型炉が例示されているが、横型炉であってもよ
い。
Although the embodiment of the present invention has been described above, various modifications can be made in the present invention. For example, in the water vapor discharge portion, the internal heat radiating plate is indispensable, but the external heat radiating plate on the outer peripheral wall is not necessarily indispensable, and the inner cylinder can be removed. Further, the shape and number of the internal heat sinks are not particularly limited. Furthermore, it is not essential that the hydrogen gas introduction pipe and the oxygen gas introduction pipe have a double pipe structure, and even if the gas heater is configured to heat either the hydrogen gas or the oxygen gas. Good. Although a vertical furnace is exemplified as the oxidation treatment furnace, a horizontal furnace may be used.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上のように、本発明の酸化処理装置に
よれば、燃焼容器の上部における水蒸気排出部に放熱部
材が設けられているため、燃焼空間内の燃焼温度が高温
となった場合にも、水蒸気排出部を通過することによっ
て水蒸気が冷却され、その結果水蒸気排出部から水蒸気
給送管路に流入する水蒸気が低温となる。従って、水蒸
気給送管路がテフロンなどのフッ素樹脂により構成され
ているときにもリークを生ずることがなく、水蒸気発生
装置において多量の水蒸気を発生させてこれを安定に酸
化処理炉に給送することができる。
As described above, according to the oxidation treatment apparatus of the present invention, since the heat radiating member is provided in the water vapor discharge portion in the upper part of the combustion vessel, the combustion temperature in the combustion space becomes high. In addition, the steam is cooled by passing through the steam outlet, and as a result, the temperature of the steam flowing from the steam outlet to the steam feed pipe becomes low. Therefore, even when the steam supply pipe is made of a fluororesin such as Teflon, there is no leak, and a large amount of steam is generated in the steam generator and is supplied to the oxidation furnace stably. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る酸化処理装置における
水蒸気発生装置の構成を示す説明用縦断正面図である。
FIG. 1 is an explanatory vertical sectional front view showing a configuration of a steam generator in an oxidation treatment apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例に係る水蒸気発生装置におけ
る水蒸気排出部の説明用横断平面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional plan view for explaining a steam discharge section in the steam generator according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例に係る酸化処理装置の全体の
構成を概略的に示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view schematically showing an overall configuration of an oxidation treatment apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図4】本発明において好適に用いられるガス導入ヘッ
ドの構成の一例を示す説明用縦断面図である。
FIG. 4 is an explanatory longitudinal sectional view showing an example of a configuration of a gas introduction head suitably used in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 水蒸気発生装置 21 燃焼容器 22 水素ガス導入管 22A 水素ガ
ス導入管の開口 22B 水素ガス通路 23A 酸素ガ
ス導入管の開口 23B 酸素ガス通路 22P 水素ガ
ス導入管の拡大径部 23 酸素ガス導入管 23A 酸素ガ
ス導入管の開口 25 水蒸気排出部 26 水蒸気排
出管 30 水蒸気給送管路 32 冷却機構 33 ガス加熱用ヒータ 35 チューブ 36,64 ナット 38 シート状
ヒータ 40 内筒 41 筒状空間 42 貫通孔 45,46 内
部放熱板 48,49 貫通孔 52 外部放熱
板 60 酸化処理炉 61 反応管 62 水蒸気導入ポート 63 水蒸気導
入管 65 キャップ 66 保温筒 68 ウエハーボート 69 ヒータ 70 排気管 73,76,8
3 流量制御機構 74 水素ガス源 75 切替えバ
ルブ 77 酸素ガス源 80 窒素ガス
源 81 窒素ガス導入管 90 ガス導入
ヘッド F 炎 S 燃焼空間 W 半導体ウエハー
Reference Signs List 20 steam generator 21 combustion vessel 22 hydrogen gas introduction pipe 22A opening of hydrogen gas introduction pipe 22B hydrogen gas passage 23A opening of oxygen gas introduction pipe 23B oxygen gas passage 22P enlarged diameter portion of hydrogen gas introduction pipe 23 oxygen gas introduction pipe 23A oxygen Gas inlet pipe opening 25 Water vapor discharge part 26 Water vapor discharge pipe 30 Water vapor supply pipe 32 Cooling mechanism 33 Gas heating heater 35 Tube 36, 64 Nut 38 Sheet heater 40 Inner cylinder 41 Cylindrical space 42 Through hole 45, 46 Internal heat radiating plate 48, 49 Through hole 52 External heat radiating plate 60 Oxidation treatment furnace 61 Reaction tube 62 Water vapor introduction port 63 Water vapor introduction tube 65 Cap 66 Heat retaining cylinder 68 Wafer boat 69 Heater 70 Exhaust tube 73, 76, 8
3 Flow control mechanism 74 Hydrogen gas source 75 Switching valve 77 Oxygen gas source 80 Nitrogen gas source 81 Nitrogen gas introduction pipe 90 Gas introduction head F Flame S Combustion space W Semiconductor wafer

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 酸化処理炉と、この酸化処理炉に水蒸気
給送管路を介して接続された水蒸気発生装置とを備えて
なり、 前記水蒸気発生装置は、燃焼容器と、この燃焼容器の下
部において容器内空間に開口する水素ガス導入管および
酸素ガス導入管と、前記燃焼容器内において水素ガスが
酸素ガスにより燃焼するよう、水素ガスおよび酸素ガス
の少なくとも一方を加熱するヒータと、前記燃焼容器の
上部に設けられた、前記水蒸気給送管路が接続された
状の水蒸気排出部と、この水蒸気排出部に、それぞれ内
部空間を塞ぐよう設けられ、変位した位置に貫通孔が形
成された複数の内部放熱板を含む放熱部材と、前記燃焼
容器の周囲に設けられた冷却機構とを有してなることを
特徴とする酸化処理装置。
1. An oxidizing furnace, and a steam generator connected to the oxidizing furnace via a steam supply pipe, wherein the steam generating device includes a combustion vessel and a lower part of the combustion vessel. A hydrogen gas introduction pipe and an oxygen gas introduction pipe that open to the space inside the vessel, a heater that heats at least one of hydrogen gas and oxygen gas so that the hydrogen gas is burned by oxygen gas in the combustion vessel, A cylinder provided at the upper part of the pipe and connected to the steam supply pipe
Inside of the steam outlet and the steam outlet
A through hole is formed at the displaced position.
An oxidation treatment apparatus comprising: a radiating member including a plurality of formed internal radiating plates; and a cooling mechanism provided around the combustion vessel.
【請求項2】 酸化処理炉と、この酸化処理炉に水蒸気
給送管路を介して接続された水蒸気発生装置とを備えて
なり、 前記水蒸気発生装置は、燃焼容器と、この燃焼容器の下
部において容器内空間に開口する水素ガス導入管および
酸素ガス導入管と、前記燃焼容器内において水素ガスが
酸素ガスにより燃焼するよう、水素ガスおよび酸素ガス
の少なくとも一方を加熱するヒータと、前記燃焼容器の
上部に設けられた、前記水蒸気給送管路が接続された水
蒸気排出部と、この水蒸気排出部に設けられた放熱部材
と、前記燃焼容器の周囲に設けられた冷却機構とを有し
てなり、 前記燃焼容器内に、上部が閉塞された燃焼空間を区画す
る内筒が設けられ、この内筒の外周面と燃焼容器の内周
面との間の筒状空間が、その下部において前記内筒内の
燃焼空間と連通すると共にその上部において水蒸気排出
部の内部空間と連通して水蒸気通路を形成することを
徴とする酸化処理装置。
2. An oxidation furnace and steam in the oxidation furnace.
With a steam generator connected via a feed line
The steam generator comprises a combustion vessel and a part below the combustion vessel.
Hydrogen gas inlet pipe opening into the space inside the container in the section
Oxygen gas inlet pipe and hydrogen gas in the combustion vessel
Hydrogen gas and oxygen gas to burn with oxygen gas
A heater for heating at least one of:
Water provided at the top and connected to the steam feed line
A steam discharge portion, and a heat radiating member provided in the steam discharge portion
And a cooling mechanism provided around the combustion vessel.
In the combustion vessel, an inner cylinder that defines a combustion space whose upper part is closed is provided, and a cylindrical space between an outer peripheral surface of the inner cylinder and an inner peripheral surface of the combustion vessel is provided at a lower part thereof. JP forming a steam passage communicating with the interior space of the steam discharge section at its upper portion communicates with the combustion space in the inner cylinder
Oxidation processing apparatus according to symptoms.
JP04134483A 1992-04-28 1992-04-28 Oxidation treatment equipment Expired - Fee Related JP3126487B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04134483A JP3126487B2 (en) 1992-04-28 1992-04-28 Oxidation treatment equipment
KR1019930007208A KR100304287B1 (en) 1992-04-28 1993-04-28 Combustion apparatus and oxidation system having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04134483A JP3126487B2 (en) 1992-04-28 1992-04-28 Oxidation treatment equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05304136A JPH05304136A (en) 1993-11-16
JP3126487B2 true JP3126487B2 (en) 2001-01-22

Family

ID=15129386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04134483A Expired - Fee Related JP3126487B2 (en) 1992-04-28 1992-04-28 Oxidation treatment equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3126487B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06153755A (en) * 1992-11-30 1994-06-03 Nobuteru Matsushima Threatening implement for crow
KR101009212B1 (en) 2006-07-05 2011-01-19 알보르그 인더스트리 에이/에스 Method of producing steam in a gas tube steam boiler and gas tube steam boiler for implementing said method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100302584B1 (en) * 1996-12-10 2001-11-30 김영환 Method for manufacturing tantalum oxide film
CN105470168B (en) * 2015-11-20 2018-09-25 中国电子科技集团公司第四十八研究所 Hydrogen-oxygen synthesizer and system for high temperature oxidation furnace
CN107768288B (en) * 2017-11-24 2024-02-09 合肥真萍电子科技有限公司 Full-automatic transmission heat treatment furnace tube for 12 inch integrated circuit wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06153755A (en) * 1992-11-30 1994-06-03 Nobuteru Matsushima Threatening implement for crow
KR101009212B1 (en) 2006-07-05 2011-01-19 알보르그 인더스트리 에이/에스 Method of producing steam in a gas tube steam boiler and gas tube steam boiler for implementing said method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05304136A (en) 1993-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6481207B2 (en) Single-pipe cylinder type reformer and method of operating the same
JP2009099264A (en) Solid oxide fuel cell power generation system and its starting method
JP3126487B2 (en) Oxidation treatment equipment
JP3921477B2 (en) Single tube cylindrical reformer and its operating method
KR970704252A (en) Fuel cell power plant furnace
US5445522A (en) Combustion device
JP3975191B2 (en) Combustion device for fuel reformer
JP2000026101A (en) Apparatus for reforming fuel
JPH03127A (en) Indirect heating in reaction room for endothermic reaction and apparatus for performing it
US9114985B2 (en) Fuel processor and method for generating hydrogen rich gas
JP2002053306A (en) Device for producing hydrogen and fuel cell system using the same
JP2011089754A (en) Mix burner device of liquid fuel and low calorie fuel
JPH08217401A (en) Fuel reformer
JP2004075435A (en) Fuel reforming device
JP3154858B2 (en) Oxidation treatment equipment
JP4904879B2 (en) Vaporization burner for fuel processor
JP4331578B2 (en) Steam reforming hydrogen production system
JPS63126539A (en) Fuel reformer
JP3842352B2 (en) Fuel reformer
JPH02129002A (en) Fuel reformer for fuel cell power generation system
WO2023175672A1 (en) Fuel treatment device
JP5057910B2 (en) Hydrogen generator and its startup method
JP2005108651A (en) Reforming device
KR100304287B1 (en) Combustion apparatus and oxidation system having the same
JPH07139701A (en) Annular once-through boiler

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20001017

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees