JP3125917B2 - Method of manufacturing base material for manufacturing electronic components - Google Patents

Method of manufacturing base material for manufacturing electronic components

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JP3125917B2
JP3125917B2 JP08125767A JP12576796A JP3125917B2 JP 3125917 B2 JP3125917 B2 JP 3125917B2 JP 08125767 A JP08125767 A JP 08125767A JP 12576796 A JP12576796 A JP 12576796A JP 3125917 B2 JP3125917 B2 JP 3125917B2
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレー
やプラズマディスプレーの製造に用いられる基板、特に
ガラス角基板の周辺部、縁辺部及び裏面の少なくとも一
部に付着した不要のレジスト形成用塗布剤の塗布層若し
くはその乾燥により形成されたレジスト膜を除去して電
子部品製造用基材を製造する方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating material for forming an unnecessary resist adhered to at least a portion of a peripheral portion, an edge portion and a back surface of a substrate used for manufacturing a liquid crystal display or a plasma display, particularly a glass square substrate. The present invention relates to a method for manufacturing a base material for manufacturing electronic components by removing a coating layer or a resist film formed by drying the coating layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子の製造に用いられるシ
リコンウエーハ基板の周辺部や縁辺部や裏面に付着した
不要のレジスト形成用塗布剤又はレジスト膜の除去液と
しては、例えばレジスト用溶剤としても用いられる毒性
が低く、安全性に優れるプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートあるいはこれとプロピレングリコ
ールモノメチルエーテルとの混合液が広く使用されてき
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an unnecessary resist forming coating agent or a resist film removing liquid adhered to a peripheral portion, an edge portion, or a back surface of a silicon wafer substrate used for manufacturing a semiconductor device, for example, a resist solvent is used. Propylene glycol monomethyl ether acetate or a mixture thereof and propylene glycol monomethyl ether, which has low toxicity and is excellent in safety, has been widely used.

【0003】しかしながら、このようなものを例えば液
晶素子の製造に用いられるガラス角基板に適用した場
合、残存させるべき必要なレジストと不要なレジストを
除去した界面付近のレジストが盛り上がり、断面形状の
垂直性が不十分なものとなる上、不要レジスト除去後に
レジスト残さが生じるなどの問題がある。
However, when such a material is applied to, for example, a glass square substrate used for manufacturing a liquid crystal element, a necessary resist to be left and a resist near an interface from which the unnecessary resist is removed are bulged, and a vertical cross section is formed. In addition, there is a problem that the properties are insufficient and the resist remains after the unnecessary resist is removed.

【0004】このような盛り上がりや、レジスト残さが
生じると後続工程で悪影響を与え、品質の良好な液晶素
子が得られなくなるので、界面付近のレジストの盛り上
がりがなく、レジストの垂直性に優れ、かつレジスト残
さが生じない良好な洗浄除去性を有するレジスト除去液
の開発が望まれていた。さらに、洗浄部分に除去液が残
留すると後続工程に悪影響を与えることから、乾燥性に
優れる除去液が望まれている。
[0004] If such swelling or resist residue occurs, it has an adverse effect in the subsequent process, and a high quality liquid crystal element cannot be obtained. Therefore, there is no swelling of the resist near the interface, and the resist has excellent verticality, and There has been a demand for the development of a resist removing solution having good cleaning and removing properties that does not leave a resist residue. Further, if the removal liquid remains in the cleaning portion, it will have an adverse effect on the subsequent steps. Therefore, a removal liquid having excellent drying properties is desired.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、人体に対する安全性が高い上、液晶ディ
スプレーやプラズマディスプレーの製造に用いられる基
板、特にガラス角基板の周辺部、縁辺部及び裏面の少な
くとも一部に付着した不要のレジスト形成用塗布剤又は
レジスト膜を短時間で効率的に除去することができ、か
つ界面付近のレジストの盛り上がりがない垂直なレジス
ト断面を形成しうるとともに、レジスト残さを生じない
良好な洗浄性を有し、さらに、好ましくは乾燥性に優れ
るレジスト除去液を用いて電子部品製造用基材を簡単に
効率的に製造する方法を提供することを目的としてなさ
れたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION Under such circumstances, the present invention has a high safety to the human body and a substrate used for manufacturing a liquid crystal display or a plasma display, particularly a peripheral portion of a glass square substrate. Unnecessary resist-forming coating material or resist film adhering to at least a part of the edge portion and the back surface can be efficiently removed in a short time, and a vertical resist cross section with no resist bulge near the interface is formed. To provide a method for easily and efficiently producing a base material for producing electronic components using a resist removing solution having excellent cleaning properties, which preferably does not cause a resist residue, and which preferably has excellent drying properties. It was made for the purpose.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、レジスト
除去液、特に液晶ディスプレーやプラズマディスプレー
に使用される角基板に塗布されたレジストの除去液につ
いて鋭意研究を重ねた結果、ジプロピレングリコールモ
ノ低級アルキルエーテルを主体とする除去液を用いる
と、基板に付着した不要なレジスト形成用塗布剤の塗布
層やその乾燥により生じるレジスト膜を短時間で効率よ
く除去することができ、しかも界面付近にレジストの盛
り上がりがなく、垂直なレジスト断面が得られることを
見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies on a resist removing solution, particularly a solution for removing a resist applied to a square substrate used for a liquid crystal display or a plasma display. The use of a remover mainly composed of mono-lower alkyl ether enables efficient removal of an unnecessary coating layer of a resist-forming coating agent adhered to the substrate and a resist film generated by drying the coating layer in a short time, and also in the vicinity of the interface. And found that a vertical resist cross section was obtained without the swelling of the resist, and based on this finding, the present invention was completed.

【0007】すなわち、本発明は、基板に、レジスト形
成用塗布剤を塗布してレジスト膜を形成させるに当り、
塗布層の乾燥処理前若しくは後において、基板の周辺
部、縁辺部及び裏面の少なくとも一部に付着した不要の
塗布層若しくはその乾燥により形成されたレジスト膜
を、ジプロピレングリコールモノ低級アルキルエーテル
のみからなるレジスト除去液で除去したのち乾燥処理す
るか、あるいは少なくとも65重量%がジプロピレング
リコールモノ低級アルキルエーテルであり、残部が沸点
75〜130℃、20℃における蒸気圧が5〜75mm
Hgの易揮発性有機溶剤のみからなる混合溶剤の中から
選ばれるレジスト除去液で除去することを特徴とする電
子部品製造用基材の製造方法を提供するものである。
That is, according to the present invention, when a resist-forming coating material is applied to a substrate to form a resist film,
Before or after the coating layer is dried, an unnecessary coating layer adhered to at least a part of the peripheral portion, the edge portion, and the back surface of the substrate or a resist film formed by drying the same is formed from dipropylene glycol mono-lower alkyl ether only. Or a drying treatment after removing with a resist removing solution, or at least 65% by weight of dipropylene glycol mono-lower alkyl ether, with the remainder having a boiling point of 75 to 130 ° C and a vapor pressure at 20 ° C of 5 to 75 mm.
An object of the present invention is to provide a method for producing a substrate for producing electronic components, wherein the substrate is removed with a resist removing liquid selected from a mixed solvent consisting of only Hg volatile organic solvents.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明方法においては、レジスト
除去液としてジプロピレングリコールモノ低級アルキル
エーテル単独又はそれと沸点75〜130℃、20℃に
おける蒸気圧が5〜75mmHgの易揮発性有機溶剤と
の混合溶剤を用いて、不要のレジスト形成用塗布剤の塗
布層若しくはその乾燥により形成されたレジスト膜を除
去することが必要で、それ以外の条件は、従来のリソグ
ラフィー法による電子部品製造用基材を製造する場合と
全く同じである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION In the method of the present invention, dipropylene glycol mono-lower alkyl ether alone or a volatile organic solvent having a boiling point of 75 to 130 ° C. and a vapor pressure of 5 to 75 mmHg at 20 ° C. is used as a resist removing solution. It is necessary to remove the unnecessary coating layer of the resist-forming coating material or the resist film formed by drying it using a mixed solvent, and the other conditions are the conventional base materials for electronic component manufacturing by lithography. Is exactly the same as when

【0009】前記のレジスト除去液として用いられるジ
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、
そのアルキル基が低級アルキル基であるもの、例えばジ
プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモ
ノブチルエーテルなどを好ましく挙げることができる
が、これらの中でジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルがレジストの除去性、安全性及び乾燥性などに優
れるので好適である。これらのジプロピレングリコール
モノアルキルエーテルは単独で用いてもよいし、2種以
上を組み合わせて用いてもよい。
The dipropylene glycol monoalkyl ether used as the resist removing solution includes
Preferred are those whose alkyl group is a lower alkyl group, such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, and dipropylene glycol monobutyl ether. Dipropylene glycol monomethyl ether is preferred because it has excellent resist removal properties, safety and drying properties. These dipropylene glycol monoalkyl ethers may be used alone or in combination of two or more.

【0010】このようにレジスト除去液としては、前記
ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルのみを使
用してもよいが、除去後の表面の乾燥性をさらに向上さ
せるために、該ジプロピレングリコールモノアルキルエ
ーテルと他の易揮発性有機溶剤の混合物を使用すること
ができる。この他の易揮発性有機溶剤としては、酢酸‐
n‐プロピル[沸点 102℃,蒸気圧 25mmHg
(20℃)]、酢酸イソプロピル[沸点 89℃,蒸気
圧 43mmHg(20℃)],酢酸‐n‐ブチル[沸
点 126℃,蒸気圧 10mmHg(20℃)],酢
酸イソブチル[沸点 118℃,蒸気圧 13mmHg
(20℃)]といった酢酸低級アルキルエステル系溶
剤、メチルエチルケトン[沸点 80℃,蒸気圧 71
mmHg(20℃)]、メチルプロピルケトン[沸点
102℃,蒸気圧 12mmHg(20℃)]、メチル
イソブチルケトン[沸点 116℃,蒸気圧 17mm
Hg(22℃)]といった低級ケトン系溶剤及びプロピ
レングリコールモノメチルエーテル[沸点 120℃,
蒸気圧 8mmHg(20℃)]、エチレングリコール
モノメチルエーテル[沸点 125℃,蒸気圧 6mm
Hg(20℃)]といった低級アルキレングリコールモ
ノ低級アルキルエーテル系溶剤のような沸点75〜13
0℃、20℃における蒸気圧が5〜75mmHgの有機
溶剤が挙げられる。これらの易揮発性有機溶剤は、単独
で用いてもよいし、また2種以上混合して用いてもよ
い。この場合、これらの他の易揮発性有機溶剤の混合量
は、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルとの
合計量に対して、35重量%を超えない範囲で選ぶ必要
がある。この量が35重量%を超えると除去後の表面に
レジスト残留物が残りトラブルの原因になる。乾燥性及
びレジスト残留物の抑制などの点から、これらの他の易
揮発性有機溶剤のより好ましい混合量は、ジプロピレン
グリコールモノアルキルエーテルとの合計量に対して、
5〜35重量%の範囲であり、特に10〜30重量%の
範囲が好適である。このような易揮発性有機溶剤を併用
することにより、除去液の乾燥性を向上させることがで
きる。
As described above, the dipropylene glycol monoalkyl ether alone may be used as the resist removing liquid. However, in order to further improve the drying property of the surface after the removal, the dipropylene glycol monoalkyl ether is used. Mixtures of other volatile organic solvents can be used. Another easily volatile organic solvent is acetic acid.
n-Propyl [boiling point 102 ° C, vapor pressure 25mmHg
(20 ° C.)], isopropyl acetate [boiling point 89 ° C., vapor pressure 43 mmHg (20 ° C.)], n-butyl acetate [boiling point 126 ° C., vapor pressure 10 mmHg (20 ° C.)], isobutyl acetate [boiling point 118 ° C., vapor pressure 13mmHg
(20 ° C.)], a lower alkyl acetic acid solvent such as methyl ethyl ketone [boiling point 80 ° C., vapor pressure 71
mmHg (20 ° C)], methyl propyl ketone [boiling point
102 ° C., vapor pressure 12 mmHg (20 ° C.)], methyl isobutyl ketone [boiling point 116 ° C., vapor pressure 17 mm
Hg (22 ° C.)] and propylene glycol monomethyl ether [boiling point 120 ° C.
Vapor pressure 8 mmHg (20 ° C)], ethylene glycol monomethyl ether [boiling point 125 ° C, vapor pressure 6 mm
Hg (20 ° C.)] and a boiling point of 75 to 13 such as a lower alkylene glycol mono-lower alkyl ether solvent.
Organic solvents having a vapor pressure of 5 to 75 mmHg at 0 ° C and 20 ° C are exemplified. These volatile organic solvents may be used alone or as a mixture of two or more. In this case, the mixing amount of these other volatile organic solvents must be selected within a range not exceeding 35% by weight based on the total amount of dipropylene glycol monoalkyl ether. If this amount exceeds 35% by weight, a residue of the resist remains on the surface after the removal, causing a trouble. From the viewpoints of drying properties and suppression of resist residues, the more preferable mixing amount of these other volatile organic solvents is based on the total amount with dipropylene glycol monoalkyl ether.
The range is from 5 to 35% by weight, and particularly preferably from 10 to 30% by weight. By using such a volatile organic solvent in combination, the drying property of the removal liquid can be improved.

【0011】本発明方法において用いられるレジスト形
成用塗布剤は、通常各種電子部品素子の製造に使用され
ているものであるが、これは一般に、感光性物質と被膜
形成物質とから成り、かつアルカリ水溶液により現像で
きるものである。最近の超微細加工に十分適応しうる諸
要求特性を備えた特に有利なレジストとしてはポジ型ホ
トレジスト、特にキノンジアジド系感光性物質と被膜形
成物質とを含む組成物から成るものがある。
The coating composition for forming a resist used in the method of the present invention is generally used for the production of various electronic component elements, and generally comprises a photosensitive substance and a film-forming substance, It can be developed with an aqueous solution. Particularly advantageous resists having various required characteristics that can be sufficiently adapted to recent microfabrication include positive photoresists, particularly those comprising a composition containing a quinonediazide-based photosensitive substance and a film-forming substance.

【0012】この感光性物質としては、キノンジアジド
基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オ
ルトナフトキノンジアジド、オルトアントラキノンジア
ジドなどのキノンジアジド類のスルホン酸とフェノール
性水酸基又はアミノ基を有する化合物とを部分若しくは
完全エステル化、又は部分若しくは完全アミド化したも
のが挙げられ、前記のフェノール性水酸基又はアミノ基
を有する化合物としては、例えば2,3,4‐トリヒド
ロキシベンゾフェノン、2,2′,4,4′‐テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′‐テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフ
ェノン、あるいは没食子酸アルキル、没食子酸アリー
ル、フェノール、p‐メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールA、ナフトー
ル、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノ
メチルエーテル、ピロガロール‐1,3‐ジメチルエー
テル、没食子酸、水酸基を一部残しエステル化又はエー
テル化された没食子酸、アニリン、p‐アミノジフェニ
ルアミンなどが挙げられる。そして、特に好ましいキノ
ンジアジド基含有化合物は、上記したポリヒドロキシベ
ンゾフェノンとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐5‐
スルホニルクロリド又はナフトキノン‐1,2‐ジアジ
ド‐4‐スルホニルクロリドとの完全エステル化物や部
分エステル化物であり、特に平均エステル化度が70%
以上のものが好ましい。
As the photosensitive substance, quinonediazide group-containing compounds, for example, sulfonic acids of quinonediazides such as orthobenzoquinonediazide, orthonaphthoquinonediazide and orthoanthraquinonediazide, and compounds having a phenolic hydroxyl group or amino group are partially or completely esterified. Compounds having a phenolic hydroxyl group or an amino group include, for example, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetra Polyhydroxybenzophenone such as hydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, or alkyl gallate, aryl gallate, phenol, p-methoxyphenol, dimethylphenol, hydroquino , Bisphenol A, naphthol, pyrocatechol, pyrogallol, pyrogallol monomethyl ether, pyrogallol-1,3-dimethylether, gallic acid, gallic acid, aniline, p-aminodiphenylamine, etc. No. Particularly preferred quinonediazide group-containing compounds are the above-mentioned polyhydroxybenzophenone and naphthoquinone-1,2-diazide-5-
Completely or partially esterified with sulfonyl chloride or naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride, especially having an average degree of esterification of 70%
The above are preferred.

【0013】また、被膜形成物質としては、例えばフェ
ノール、クレゾール、キシレノールなどとアルデヒド類
とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレ
ンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重
合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニル
ヒドロキシベンザルなどのアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。
Examples of the film-forming substance include novolak resins obtained from phenols, cresols, xylenols and the like and aldehydes, acrylic resins, copolymers of styrene and acrylic acid, polymers of hydroxystyrene, polyvinylhydroxybenzoates. And alkali-soluble resins such as polyvinylhydroxybenzal are effective.

【0014】特に好ましいポジ型ホトレジストは、被膜
形成物質としてクレゾールノボラック樹脂を用いたもの
であり、このクレゾールノボラック樹脂としては、低分
子量域をカットした重量平均分子量が2000〜200
00、好ましくは5000〜15000の範囲のものが
好ましい。
A particularly preferred positive type photoresist uses a cresol novolak resin as a film-forming substance. The cresol novolak resin has a weight-average molecular weight of 2000 to 200 obtained by cutting a low molecular weight region.
00, preferably in the range of 5000 to 15000.

【0015】前記ポジ型ホトレジストにおいては前記し
た感光性物質が、被膜形成物質100重量部に対し、通
常10〜40重量部、好ましくは15〜30重量部の範
囲で配合される。この量が40重量部を超えると感度が
著しく劣り、また10重量部未満では好ましいパターン
断面形状が得にくくなる。
In the above-mentioned positive type photoresist, the above-mentioned photosensitive substance is blended in an amount of usually 10 to 40 parts by weight, preferably 15 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the film-forming substance. If the amount exceeds 40 parts by weight, the sensitivity is remarkably poor.

【0016】また、レジストには、必要に応じ、相容性
のある他の染料、例えばクマリン系染料、アゾ染料など
を添加してもよいし、さらに、他の添加物、例えば付加
的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して得られるパタ
ーンをより一層可視的にするための着色剤、コントラス
ト向上剤などの慣用されているものを添加含有させるこ
ともできる。
If necessary, other compatible dyes, such as coumarin dyes and azo dyes, may be added to the resist. Further, other additives such as additional resins, Plasticizers, stabilizers, or commonly used substances such as colorants and contrast improvers for making the pattern obtained by development more visible can also be added.

【0017】次に、本発明方法についてさらに詳細に説
明する。この方法には2つの態様があり、まず第1の方
法においては、ガラス角基板などの基板に、レジスト形
成用塗布剤をバーコーター法、ロールコーター法などの
公知の手段により塗布し、次いで基板の周辺部、縁辺部
及び裏面の少なくとも一部に付着した不要のレジスト形
成用塗布剤の塗布層を、前記のレジスト除去液であらか
じめ除去したのち、乾燥処理することにより電子部品製
造用基材を製造する。この際、不要のレジスト形成用塗
布剤の塗布層を除去する方法としては特に制限はなく、
種々の方法を用いることができるが、例えば、あらかじ
め該除去液を満たした貯留部に、基板の縁辺部を水平方
向から挿入したのち、貯留部内の除去液に基板の縁辺部
を所定時間浸せきする方法などが好ましい。
Next, the method of the present invention will be described in more detail. This method has two modes. First, in the first method, a coating material for forming a resist is applied to a substrate such as a glass square substrate by a known means such as a bar coater method or a roll coater method, and then the substrate is coated. After removing the unnecessary coating layer of the resist-forming coating agent adhered to at least a part of the peripheral portion, the edge portion, and the back surface with the resist removing liquid in advance, the substrate for electronic component manufacturing is dried by performing a drying treatment. To manufacture. At this time, there is no particular limitation on the method of removing the unnecessary coating layer of the resist forming coating agent,
Although various methods can be used, for example, after inserting the edge of the substrate into the reservoir filled with the removal liquid in advance from the horizontal direction, the edge of the substrate is immersed in the removal liquid in the reservoir for a predetermined time. A method is preferred.

【0018】次に、第2の方法においては、ガラス角基
板などの基板に、前記第1の方法と同様にして、レジス
ト形成用塗布剤を塗布したのち、乾燥処理してレジスト
膜を形成させる。次いで、基板の周辺部、縁辺部及び裏
面の少なくとも一部に付着した不要のレジスト膜を、前
記第1の方法と同様にして、レジスト除去液で除去する
ことにより電子部品製造用基材を製造する。
Next, in the second method, a coating material for forming a resist is applied to a substrate such as a glass square substrate in the same manner as in the first method, and then dried to form a resist film. . Next, an unnecessary resist film adhered to at least a part of the peripheral portion, the edge portion, and the back surface of the substrate is removed with a resist removing liquid in the same manner as in the first method to produce a base material for electronic component production. I do.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明方法によれば、人体に対する安全
性が高い上、基板の周辺部や縁辺部や裏面に付着した不
要のレジスト形成用塗布剤の塗布層若しくはその乾燥に
より形成されるレジスト膜を短時間で効果的に除去する
ことができ、かつ界面付近のレジストの盛り上がりがな
い垂直なレジスト断面を形成しうるとともに、レジスト
残さを生じないなど良好な洗浄性を有し、さらに乾燥性
にも優れている。このような特性を有する本発明方法に
より得られた電子部品製造用基材は品質の良好な素子を
与えることができる。
According to the method of the present invention, not only is the safety to the human body high, but also a resist layer formed by drying an unnecessary coating layer of a resist forming coating agent adhered to the peripheral portion, the edge portion or the back surface of the substrate. It can effectively remove the film in a short time, and can form a vertical resist cross section with no swelling of the resist near the interface. Is also excellent. The base material for electronic component production obtained by the method of the present invention having such characteristics can provide a device having good quality.

【0020】[0020]

【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
するが、本発明は、これらの例によってなんら限定され
るものではない。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0021】実施例1〜4、比較例1、2 クロム層を有する角ガラス基板(550mm×650m
m)上に、ポジ型レジストであるOFPR PR−11
[東京応化工業(株)製、キノンジアジド基含有化合物
とクレゾールノボラック樹脂を含有]を塗布法により乾
燥膜厚が1.1μmになるように塗布したのち、減圧乾
燥処理してある程度乾燥させることにより、レジスト膜
を形成させた基材を用意した。
Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 A square glass substrate having a chromium layer (550 mm × 650 m
m) On top of which is a positive resist OFPR PR-11
[Applied by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., containing a quinonediazide group-containing compound and a cresol novolak resin] by a coating method so as to have a dry film thickness of 1.1 μm, followed by drying under reduced pressure and drying to a certain extent. A substrate on which a resist film was formed was prepared.

【0022】次いで、TR−36000[東京応化工業
(株)製]に搭載された不要レジスト除去装置EBR
[東京応化工業(株)製]の貯留部に供給された表1に
示す各レジスト除去液で、前記基材を8秒間処理したの
ち、排気し乾燥処理することにより、レジスト膜不要部
分の除去状態を目視により観察し、完全に除去されてい
るものを○、わずかながらレジスト残さが生じているも
のを△、多量のレジスト残さが生じているものを×とし
て、洗浄除去性を評価した。
Next, an unnecessary resist removing device EBR mounted on TR-36000 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
The base material is treated for 8 seconds with each of the resist removing liquids shown in Table 1 supplied to the reservoir of [Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.], then exhausted and dried to remove unnecessary portions of the resist film. The state was visually observed, and the cleaning and removability was evaluated as ○ when completely removed, Δ when a small amount of resist remains, and X when a large amount of resist remains.

【0023】次に、前記操作により不要部分が完全に除
去されているものについて、レジスト膜が除去された断
面を、触針式段差測定器[日本真空技術(株)製、商品
名DEKTAK]により測定し、界面付近のレジストの
盛り上がりがないものを○、盛り上がりが生じているも
のを×として、除去後のレジストの断面形状を評価し
た。
Next, with respect to the sample whose unnecessary portions have been completely removed by the above operation, the cross section from which the resist film has been removed is measured by a stylus type step difference measuring device [DEKTAK, manufactured by Nippon Vacuum Engineering Co., Ltd.]. The measurement was carried out, and the cross-sectional shape of the resist after removal was evaluated as ○ when there was no swelling of the resist near the interface and X when the swelling occurred.

【0024】一方、TR−36000に搭載された不要
レジスト除去装置EBRの貯留部に、表1に示す各レジ
スト除去液を満たし、前記基材を8秒間洗浄処理したの
ち、6秒間経過後、除去部分を目視により観察し、除去
液の残りが認められないものを○、除去液の残りが認め
られるものを×として、乾燥性を評価した。これらの結
果を表1に示す。
On the other hand, the reservoir of the unnecessary resist removing device EBR mounted on the TR-36000 is filled with each of the resist removing liquids shown in Table 1, and the base material is washed for 8 seconds, and then removed after 6 seconds. The portion was visually observed, and the drying property was evaluated as ○ when no remaining removal liquid was observed and as × when remaining removal liquid was observed. Table 1 shows the results.

【0025】[0025]

【表1】 [注] DPM:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル BuAc:酢酸ブチル PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル[Table 1] [Note] DPM: dipropylene glycol monomethyl ether BuAc: butyl acetate PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate PGME: propylene glycol monomethyl ether

フロントページの続き (72)発明者 加藤 哲也 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 高橋 浩一 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平9−308868(JP,A) 特開 平7−84375(JP,A) 特開 平4−305653(JP,A) 特許2950407(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/42 H01L 21/027 Continuation of the front page (72) Inventor Tetsuya Kato 150 Nakamaruko Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Takahashi 150 Nakamaruko Nakahara-ku Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (56 References JP-A-9-308868 (JP, A) JP-A-7-84375 (JP, A) JP-A-4-3055653 (JP, A) Patent 2950407 (JP, B2) (58) Int.Cl. 7 , DB name) G03F 7/42 H01L 21/027

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板に、レジスト形成用塗布剤を塗布し
てレジスト膜を形成させるに当り、塗布層の乾燥処理前
若しくは後において、基板の周辺部、縁辺部及び裏面の
少なくとも一部に付着した不要の塗布層若しくはその乾
燥により形成されたレジスト膜を、ジプロピレングリコ
ールモノ低級アルキルエーテルのみからなるレジスト除
去液で除去したのち乾燥処理することを特徴とする電子
部品製造用基材の製造方法。
1. A method for forming a resist film by applying a resist-forming coating material to a substrate, wherein the coating material adheres to at least a part of a peripheral portion, an edge portion, and a back surface of the substrate before or after a drying process of a coating layer. A method for producing a substrate for electronic component production, comprising: removing an unnecessary coating layer or a resist film formed by drying the unnecessary coating layer with a resist removing solution consisting of only dipropylene glycol mono-lower alkyl ether, followed by drying treatment. .
【請求項2】 基板に、レジスト形成用塗布剤を塗布し
てレジスト膜を形成させるに当り、塗布層の乾燥処理前
若しくは後において、基板の周辺部、縁辺部及び裏面の
少なくとも一部に付着した不要の塗布層若しくはその乾
燥により形成されたレジスト膜を、少なくとも65重量
%がジプロピレングリコールモノ低級アルキルエーテル
であり、残部が沸点75〜130℃、20℃における蒸
気圧が5〜75mmHgの易揮発性有機溶剤のみからな
る混合溶剤の中から選ばれるレジスト除去液で除去する
ことを特徴とする電子部品製造用基材の製造方法。
2. A method for applying a resist-forming coating material to a substrate to form a resist film, wherein the coating film adheres to at least a part of a peripheral portion, an edge portion, and a back surface of the substrate before or after a drying process of a coating layer. An unnecessary coating layer or a resist film formed by drying the unnecessary coating layer has a dipropylene glycol mono-lower alkyl ether content of at least 65% by weight, with the remainder having a boiling point of 75 to 130 ° C and a vapor pressure at 20 ° C of 5 to 75 mmHg. A method for producing a substrate for producing an electronic component, comprising removing the substrate with a resist removing solution selected from a mixed solvent consisting of only a volatile organic solvent.
【請求項3】 沸点75〜130℃、20℃における蒸
気圧が5〜75mmHgの易揮発性有機溶剤が酢酸低級
アルキルエステル系溶剤である請求項2記載の電子部品
製造用基材の製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the volatile organic solvent having a boiling point of 75 to 130 ° C. and a vapor pressure at 20 ° C. of 5 to 75 mmHg is a lower alkyl acetate-based solvent.
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