JP3124599B2 - Etching method - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体デバイスの微細な回路
パターンの形成等に用いるドライエッチング方法とし
て、例えば円筒型プラズマエッチング、マイクロ波プラ
ズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に
よる方法が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a dry etching method used for forming a fine circuit pattern of a semiconductor device, for example, a method using a cylindrical plasma etching, a microwave plasma etching, and a reactive ion etching (RIE) is known. .
【０００３】このようなエッチング方法の内、反応性イ
オンエッチング方法では、例えば内部を気密に閉塞可能
に構成された処理チャンバ内に、上下に対向する如く上
部電極と下部電極とからなる平行平板電極を設け、例え
ば下部電極上に被処理物（例えば半導体ウエハ）を載置
する。そして、処理チャンバ内から真空排気を行うとと
もに、処理チャンバ内に所定の処理ガス（例えばＣＨＦ
3 ／ＣＦ4 ／Ａｒの混合ガス）を供給し、該処理チャン
バ内を所定圧力（例えば0.5 Torr程度）のエッチングガ
ス雰囲気とする。そして、平行平板電極間に交流電力を
供給してプラズマを発生させ、下部電極上に載置された
半導体ウエハにこのプラズマ（主としてプラズマ中のイ
オン）を作用させてエッチング処理を実施する。[0003] Among such etching methods, in the reactive ion etching method, for example, a parallel plate electrode composed of an upper electrode and a lower electrode that are vertically opposed to each other is placed in a processing chamber that can be hermetically closed. Is provided, and an object to be processed (for example, a semiconductor wafer) is placed on the lower electrode, for example. Then, while evacuating the processing chamber, a predetermined processing gas (for example, CHF) is supplied into the processing chamber.
3 / CF 4 / Ar), and the inside of the processing chamber is set to an etching gas atmosphere at a predetermined pressure (for example, about 0.5 Torr). Then, an AC power is supplied between the parallel plate electrodes to generate a plasma, and the plasma (mainly ions in the plasma) is applied to the semiconductor wafer mounted on the lower electrode to perform an etching process.
【０００４】このような従来のエッチング方法では、例
えばシリコン製の半導体ウエハ表面に形成されたＳｉＯ
2 の薄膜にコンタクトホールをエッチング加工する場
合、シリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチ
ング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）を例えば18程
度とすることができる。[0004] In such a conventional etching method, for example, SiO 2 formed on the surface of a semiconductor wafer made of silicon is used.
When the contact hole is etched in the thin film 2, the selectivity to silicon (etching rate for SiO 2 / etching rate for Si) can be, for example, about 18.
【０００５】ところで、実際のエッチング工程では、Ｓ
ｉＯ2 膜厚の半導体ウエハ面内におけるばらつきがあ
り、また、半導体ウエハ面内におけるエッチング速度の
ばらつきがある。このため、確実にコンタクトホールを
形成するためには、一定時間オーバーエッチングを行っ
て、ある程度シリコン層をエッチングすることが行われ
ている。この場合ＳｉＯ2 薄膜にコンタクトホールが形
成された後、シリコン層がＳｉＯ2 に対して1/18の速度
でエッチングされることになる。By the way, in the actual etching step, S
There is a variation in iO 2 film thickness in the semiconductor wafer surface, and a variation in etching rate in the semiconductor wafer surface. For this reason, in order to surely form a contact hole, over-etching is performed for a certain time to etch a silicon layer to some extent. In this case, after the contact hole is formed in the SiO 2 thin film, the silicon layer is etched at a rate of 1/18 with respect to SiO 2 .
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
半導体素子の高集積化にともない、ＭＯＳＬＳＩ等の半
導体素子ではコンタクトホールの下部に形成されるｐ−
ｎ接合層の深さを浅くする必要性が生じている。このた
め、上述した従来のエッチング方法では、オーバーエッ
チングによって、ｐ−ｎ接合層が削られてしまう危険性
があり、さらに選択比の高いエッチング方法の開発が望
まれていた。However, with the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, in a semiconductor device such as a MOS LSI, a p-type transistor formed below a contact hole is formed.
There is a need to reduce the depth of the n-junction layer. For this reason, in the above-mentioned conventional etching method, there is a risk that the pn junction layer may be shaved by over-etching, and development of an etching method having a higher selectivity has been desired.
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べてさらに高い選択比を得るこ
とができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的と
する薄膜のエッチングを行うことのできるエッチング方
法を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of such a conventional situation, and can obtain a higher selectivity as compared with the conventional one, and can etch a target thin film without damaging a silicon layer. It is intended to provide an etching method that can be performed.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１の発
明は、処理チャンバ内から真空排気を行うとともに、所
定の処理ガスを供給し、該処理チャンバ内を所定圧力の
処理ガス雰囲気とし、前記処理チャンバ内に設けられた
平行平板電極間に交流電力を供給してプラズマを発生さ
せ、前記平行平板電極間に設けられた被処理基板のＳｉ
を下地としたＳｉＯ2 のエッチングを行うエッチング方
法において、前記処理ガスは、少なくともＣＦ4 と、Ｃ
ＨＦ3 と、ＣＯとを含むガスであり、ＣＯの、ＣＦ4 と
ＣＨＦ3 に対する混合比（ＣＯ流量／（ＣＦ4 流量＋Ｃ
ＨＦ3 流量））が、１．２５以上であることを特徴とす
る。また請求項２の発明は、請求項１記載のエッチング
方法において、前記処理ガスが、少なくともＣＦ4 、Ｃ
ＨＦ3 、ＣＯ及びＡｒとを含むガスであることを特徴と
する。また請求項３の発明は、処理チャンバ内から真空
排気を行うとともに、少なくともフッ化炭素系ガスと、
一酸化炭素ガスとを含む処理ガスを供給し、該処理チャ
ンバ内を所定圧力の処理ガス雰囲気とし、前記処理チャ
ンバ内に設けられた平行平板電極間に交流電力を供給し
てプラズマを発生させ、前記平行平板電極間に設けられ
た被処理基板のエッチングを行うエッチング方法におい
て、被処理基板の中心部に較べて、該被処理基板の周縁
部に一酸化炭素ガスのみをより多く供給することを特徴
とする。また請求項４の発明は、請求項３記載のエッチ
ング方法において、前記処理ガスのガス流路が、同心的
に区分された内側部と外側部とから構成され、前記内側
部から少なくともフッ化炭素系ガスと一酸化炭素ガスと
を含む混合ガスを供給し、前記外側部から一酸化炭素ガ
スのみを供給することを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, a vacuum chamber is evacuated from a processing chamber, a predetermined processing gas is supplied, and a processing gas atmosphere of a predetermined pressure is set in the processing chamber. AC power is supplied between the parallel plate electrodes provided in the processing chamber to generate plasma, and the Si of the substrate to be processed provided between the parallel plate electrodes is
In an etching method for etching SiO2 with an underlayer as a base, the processing gas includes at least CF4 and C2.
It is a gas containing HF3 and CO.
Mixing ratio to CHF3 (CO flow rate / (CF4 flow rate + C
HF3 flow rate)), characterized in der Rukoto 1.25 or more. According to a second aspect of the present invention, in the etching method of the first aspect, the processing gas is at least CF4, C
It is a gas containing HF3, CO and Ar. Further, according to the invention of claim 3 , while evacuating the inside of the processing chamber, at least a fluorocarbon-based gas,
A processing gas containing a carbon monoxide gas is supplied, the inside of the processing chamber is set to a processing gas atmosphere of a predetermined pressure, and AC power is supplied between parallel plate electrodes provided in the processing chamber to generate plasma, In the etching method for etching a substrate to be processed provided between the parallel plate electrodes, compared to a central portion of the substrate to be processed, more carbon monoxide gas alone may be supplied to a peripheral portion of the substrate to be processed. Features. According to a fourth aspect of the present invention, in the etching method according to the third aspect , the gas flow path of the processing gas includes an inner portion and an outer portion that are concentrically divided, and at least carbon fluoride is formed from the inner portion. A mixed gas containing a system gas and a carbon monoxide gas is supplied, and only the carbon monoxide gas is supplied from the outer portion.
【０００９】[0009]
【作用】本発明のエッチング方法では、従来に較べて選
択比を向上させることができる。したがって、オーバー
エッチングによってシリコン層に損傷を与えることな
く、ＳｉＯ２薄膜等の確実なエッチング処理を行うこと
ができる。[Action] In the etching method of the present invention can improve the selection ratio than the traditional. Therefore, a reliable etching process of the SiO 2 thin film or the like can be performed without damaging the silicon layer by over-etching.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１１】図１に示すように、エッチング装置１に
は、材質例えばアルマイト処理を施したアルミニウムか
らなり、内部を気密に閉塞可能に構成された処理チャン
バ２が設けられている。この処理チャンバ２は、例えば
電気的にアースされており、その内部には、処理チャン
バ２の内壁と電気的に絶縁された一対の平行平板電極で
ある上部電極３と下部電極４が対向する如く設けられて
いる。As shown in FIG. 1, the etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 made of a material, for example, alumite-treated aluminum and configured to hermetically close the inside. The processing chamber 2 is electrically grounded, for example, and an upper electrode 3 and a lower electrode 4, which are a pair of parallel plate electrodes electrically insulated from the inner wall of the processing chamber 2, are opposed to each other. Is provided.
【００１２】この下部電極４は、円板状に形成されてお
り、上面に被処理物である半導体ウエハ５を載置可能に
構成されている。また、下部電極４には、図示しない冷
媒循環流路が設けられており、冷媒循環機構６から液体
ヘリウム等の冷媒を循環させることにより、半導体ウエ
ハ５を冷却することができるよう構成されている。The lower electrode 4 is formed in a disk shape, and is configured such that a semiconductor wafer 5 as an object to be processed can be placed on the upper surface thereof. The lower electrode 4 is provided with a refrigerant circulation channel (not shown), and is configured so that the semiconductor wafer 5 can be cooled by circulating a refrigerant such as liquid helium from the refrigerant circulation mechanism 6. .
【００１３】一方、上部電極３は円板状に形成されてお
り、半導体ウエハ５に対向するその下面には、ガス供給
用の図示しない多数の細孔が設けられている。そして、
これらの細孔により、Ａｒ供給源７、ＣＨＦ3 供給源
８、ＣＦ4 供給源９、ＣＯ供給源１０ａ、１０ｂから供
給されるそれぞれのガスを、マスフローコントローラ１
１で流量制御しつつ、下部電極４上の半導体ウエハ５に
向けて噴出させるよう構成されている。なお、このよう
に構成された下部電極４のガス流路は、同心的に区分さ
れた内側部１２ａと外側部１２ｂとから構成されてい
る。そして、内側部１２ａから、Ａｒ供給源７、ＣＨＦ
3 供給源８、ＣＦ4 供給源９、ＣＯ供給源１０ａによる
混合ガスを半導体ウエハ５の中心部に供給し、外側部１
２ｂからＣＯ供給源１０ｂによるＣＯガスを半導体ウエ
ハ５の周縁部に供給するよう構成されている。On the other hand, the upper electrode 3 is formed in a disk shape, and has a plurality of unillustrated pores for supplying gas on its lower surface facing the semiconductor wafer 5. And
The gas supplied from the Ar supply source 7, the CHF 3 supply source 8, the CF 4 supply source 9, and the CO supply sources 10a and 10b are supplied to the mass flow controller 1 by these pores.
While the flow rate is controlled in step 1, the liquid is ejected toward the semiconductor wafer 5 on the lower electrode 4. In addition, the gas flow path of the lower electrode 4 configured as described above includes an inner portion 12a and an outer portion 12b that are concentrically divided. Then, from the inner portion 12a, the Ar supply source 7, CHF
A mixed gas from a 3 supply source 8, a CF 4 supply source 9, and a CO supply source 10a is supplied to a central portion of the semiconductor wafer 5, and an outer portion 1
The configuration is such that a CO gas from a CO supply source 10b is supplied to the periphery of the semiconductor wafer 5 from 2b.
【００１４】なお、このようにＣＯガスを半導体ウエハ
５の周縁部に重点的に供給するように構成されているの
は、本発明者等の実験により、ＣＯガスを他の処理ガス
と同様に均一に供給すると、半導体ウエハ５の中心部と
周縁部とでＳｉＯ2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ
2 に対するエッチング速度／Ｓｉに対するエッチング速
度）が大幅に異なり、半導体ウエハ５の中心部で選択比
が向上し、半導体ウエハ５の周縁部ではあまり選択比が
向上しないことが確認されたからである。これは、排気
位置（下部電極４の周囲）等の関係から半導体ウエハ５
の中心部から周縁部に向かってガス流が形成されるため
と推測されるが、ＣＯガスを半導体ウエハ５の周縁部に
重点的に供給することにより、半導体ウエハ５の周縁部
での選択比を向上させることができ、半導体ウエハ５の
面内における選択比のユニフォーミティを向上させるこ
とができる。It is to be noted that the configuration in which the CO gas is mainly supplied to the peripheral portion of the semiconductor wafer 5 is such that the CO gas is supplied to the peripheral portion of the semiconductor wafer 5 in the same manner as the other processing gases by an experiment conducted by the present inventors. When the semiconductor wafer 5 is supplied uniformly, the selectivity of SiO 2 to silicon (SiO 2
This is because it has been confirmed that the etching rate for 2 / the etching rate for Si) is significantly different, and the selectivity is improved at the center of the semiconductor wafer 5 and the selectivity is not significantly improved at the periphery of the semiconductor wafer 5. This is because the semiconductor wafer 5 has a small size due to the exhaust position (around the lower electrode 4).
It is presumed that a gas flow is formed from the center portion of the semiconductor wafer 5 toward the peripheral portion. However, by selectively supplying the CO gas to the peripheral portion of the semiconductor wafer 5, the And the uniformity of the selectivity in the plane of the semiconductor wafer 5 can be improved.
【００１５】本実施例においては、このように構成され
た上部電極３は、高周波電源１３に接続されており、下
部電極４は、接地電位に接続されている。なお、下部電
極４に高周波電源１３を接続したり、上部電極３および
下部電極４双方に高周波電源１３を接続して位相のずれ
た交流電力を印加するようにしても良い。In this embodiment, the upper electrode 3 configured as described above is connected to a high-frequency power supply 13, and the lower electrode 4 is connected to a ground potential. Note that the high-frequency power supply 13 may be connected to the lower electrode 4 or the high-frequency power supply 13 may be connected to both the upper electrode 3 and the lower electrode 4 so as to apply AC power with a phase shift.
【００１６】また、下部電極４の下側には蛇腹機構１４
が設けられており、図示しない駆動機構によって上下動
し、上部電極３との間隔を変更可能に構成されている。
さらに、この下部電極４の下部には、排気機構１５に接
続された排気配管が接続されており、処理チャンバ２内
を所定の真空度に排気することができるよう構成されて
いる。A bellows mechanism 14 is provided below the lower electrode 4.
Are provided, and are vertically movable by a driving mechanism (not shown), so that the distance between the upper electrode 3 and the upper electrode 3 can be changed.
Further, an exhaust pipe connected to an exhaust mechanism 15 is connected to a lower portion of the lower electrode 4, so that the inside of the processing chamber 2 can be exhausted to a predetermined degree of vacuum.
【００１７】上記構成のエッチング装置１を用いて本実
施例では、次のようにしてＳｉＯ2 薄膜のエッチング処
理を行った。In this embodiment, the etching treatment of the SiO 2 thin film was performed as follows using the etching apparatus 1 having the above configuration.
【００１８】すなわち、予め冷媒循環機構６によって-1
0 ℃に冷却した下部電極４上に直径6 インチの半導体ウ
エハ５を載置し、排気機構１５で真空排気を実施するこ
とにより、処理チャンバ２内を0.5 Torrの真空度に保持
しつつ、上部電極３の図示しない多数の細孔から半導体
ウエハ５に向けて処理ガスを供給し、これとともに、高
周波電源１３から周波数380KHz、800Wの電力を供給し
た。That is, -1 is previously determined by the refrigerant circulation mechanism 6.
The semiconductor wafer 5 having a diameter of 6 inches is placed on the lower electrode 4 cooled to 0 ° C., and the evacuation mechanism 15 is evacuated to thereby maintain the inside of the processing chamber 2 at a vacuum of 0.5 Torr. A processing gas was supplied from a number of pores (not shown) of the electrode 3 toward the semiconductor wafer 5, and at the same time, a power of 380 KHz and 800 W was supplied from the high frequency power supply 13.
【００１９】Ａｒ供給源７、ＣＨＦ3 供給源８、ＣＦ4
供給源９からのガス流量は、 ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ＝20／20／1000(SCCM) として固定し、まずＣＯ供給源１０ａ、１０ｂから供給
されるＣＯガスの流量を50SCCM（25SCCM+25SCCM ）とし
て、エッチング処理を行った。この時、ＳｉＯ2 のシリ
コンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチング速度
／Ｓｉに対するエッチング速度）は、20.7であった。Ar supply source 7, CHF 3 supply source 8, CF 4
The gas flow rate from the supply source 9 is fixed as CHF 3 / CF 4 / Ar = 20/20/1000 (SCCM). First, the flow rate of the CO gas supplied from the CO supply sources 10a and 10b is set to 50 SCCM (25 SCCM + 25 SCCM). ), An etching process was performed. At this time, the selectivity of SiO 2 to silicon (etching rate for SiO 2 / etching rate for Si) was 20.7.
【００２０】次に、ＣＯ供給源１０ａ、１０ｂから供給
されるＣＯガスの流量を、200SCCM（100SCCM+100SCCM
）として、エッチング処理を行った。この時、ＳｉＯ
2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に対するエッチ
ング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）は、29.1であ
った。Next, the flow rate of the CO gas supplied from the CO supply sources 10a and 10b is set to 200 SCCM (100 SCCM + 100 SCCM).
), An etching process was performed. At this time, SiO
The selectivity of 2 to silicon (etching rate for SiO 2 / etching rate for Si) was 29.1.
【００２１】次に、比較のため、ＣＯガスの流量をゼロ
とし、他は上記と同一条件でエッチング処理を行ったと
ころ、ＳｉＯ2 のシリコンに対する選択比（ＳｉＯ2 に
対するエッチング速度／Ｓｉに対するエッチング速度）
は、18.2であった。Next, for comparison, the etching process was performed under the same conditions as above except that the flow rate of the CO gas was set to zero, and the selectivity of SiO 2 to silicon (the etching rate for SiO 2 / the etching rate for Si) was determined. )
Was 18.2.
【００２２】なお上記ＣＯガスの流量と選択比との関係
を表１に示す。Table 1 shows the relationship between the flow rate of the CO gas and the selectivity.
【００２３】[0023]
【表１】 このように本実施例では、フッ化炭素系ガスであるＣＦ
4 ガスと、フッ化炭化水素系ガスであるＣＨＦ3 ガス
と、不活性ガスであるＡｒガスとからなる処理ガスにＣ
Ｏガスを添加することにより、従来に較べて選択比を向
上させることができた。したがって、オーバーエッチン
グによってシリコン層に損傷を与えることなく、ＳｉＯ
2 薄膜の確実なエッチング処理を行うことができる。[Table 1] As described above, in this embodiment, CF, which is a fluorocarbon-based gas, is used.
4 gas, CHF 3 gas which is a fluorohydrocarbon-based gas, and Ar gas which is an inert gas
By adding O gas, the selectivity could be improved as compared with the conventional case. Therefore, without damaging the silicon layer by over-etching,
(2 ) Reliable etching of the thin film can be performed.
【００２４】なお、フッ化炭素系ガスとしては、ＣＦ4
ガスの他に、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ2 Ｆ6 等も使用することがで
きる。また、フッ化炭化水素系ガスとしては、ＣＨＦ3
ガスの他に、ＣＨ2 Ｆ2 等も使用することができるが、
フッ化炭化水素系ガスは使用せずに例えばＣＦ4 ガスと
Ｈ2 ガスを使用することもできる。また、ＳｉＯ2 薄膜
のエッチングに限らず、ＳｉＮ薄膜、ＳｉＯＮ薄膜等の
エッチング、あるいはＳｉ以外のＴａ2 Ｏ5 薄膜、Ｔｉ
Ｏ2 薄膜、ＴｉＮ薄膜等のエッチング等にも適用するこ
とができる。The fluorocarbon-based gas is CF 4
Besides gas, C 3 F 8 , C 2 F 6 and the like can also be used. CHF 3 is used as the fluorinated hydrocarbon gas.
In addition to gas, CH 2 F 2 etc. can also be used,
For example, CF 4 gas and H 2 gas can be used without using the fluorocarbon-based gas. Further, the present invention is not limited to etching of a SiO 2 thin film, but also etching of a SiN thin film, a SiON thin film, or a Ta 2 O 5 thin film other than Si,
The present invention can be applied to etching of an O 2 thin film, a TiN thin film, and the like.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ方法によれば、従来に較べてさらに高い選択比を得る
ことができ、シリコン層に損傷を与えることなく、目的
とする薄膜のエッチングを行うことができる。As described above, according to the etching method of the present invention, a higher selectivity can be obtained as compared with the conventional method, and the desired thin film can be etched without damaging the silicon layer. It can be carried out.
【図１】本発明の一実施例のエッチング方法を説明する
ための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an etching method according to an embodiment of the present invention.
１ エッチング装置 ２ 処理チャンバ ３ 上部電極 ４ 下部電極 ５ 半導体ウエハ ６ 冷媒循環機構 ７ Ａｒ供給源 ８ ＣＨＦ3 供給源 ９ ＣＦ4 供給源 １０ａ、１０ｂ ＣＯ供給源 １１ マスフローコントローラ １２ａ 内側部 １２ｂ 外側部 １３ 高周波電源 １４ 蛇腹機構 １５ 排気機構1 etching apparatus 2 treatment chamber 3 the upper electrode 4 lower electrode 5 semiconductor wafer 6 refrigerant circulation mechanism 7 Ar supply source 8 CHF 3 source 9 CF 4 sources 10a, 10b CO source 11 a mass flow controller 12a inner portion 12b outer part 13 RF Power supply 14 Bellows mechanism 15 Exhaust mechanism
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松下 貴哉 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝 総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−84113（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−49236（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−13627（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−142744（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−269318（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−172727（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−274033（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Takaya Matsushita 1 Toshiba, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture (56) References JP-A-58-84113 (JP, A) JP-A-57-49236 (JP, A) JP-A-61-13627 (JP, A) JP-A-61-142744 (JP, A) JP-A-62-269318 (JP, A) JP-A-62-172727 (JP, A) , A) JP-A-61-274033 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/3065 C23F 4/00
Claims (4)
もに、所定の処理ガスを供給し、該処理チャンバ内を所
定圧力の処理ガス雰囲気とし、前記処理チャンバ内に設
けられた平行平板電極間に交流電力を供給してプラズマ
を発生させ、前記平行平板電極間に設けられた被処理基
板のＳｉを下地としたＳｉＯ2 のエッチングを行うエッ
チング方法において、 前記処理ガスは、少なくともＣＦ4 と、ＣＨＦ3 と、Ｃ
Ｏとを含むガスであり、ＣＯの、ＣＦ4 とＣＨＦ3 に対
する混合比（ＣＯ流量／（ＣＦ4 流量＋ＣＨＦ3 流
量））が、１．２５以上であることを特徴とするエッチ
ング方法。1. A process chamber is evacuated, a predetermined process gas is supplied, a process gas atmosphere is set at a predetermined pressure, and an alternating current is supplied between parallel plate electrodes provided in the process chamber. In an etching method in which power is supplied to generate plasma to etch SiO2 with Si as a base of a substrate provided between the parallel plate electrodes, the processing gas includes at least CF4, CHF3, and C2.
It is a gas containing O, and it reacts with CF4 and CHF3 of CO.
Mixing ratio (CO flow rate / (CF4 flow rate + CHF3 flow)
The amount)) is an etching method characterized by der Rukoto 1.25 or more.
て、 前記処理ガスが、少なくともＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＯ及
びＡｒとを含むガスであることを特徴とするエッチング
方法。2. The etching method according to claim 1, wherein the processing gas is a gas containing at least CF4, CHF3, CO and Ar.
もに、少なくともフッ化炭素系ガスと、一酸化炭素ガス
とを含む処理ガスを供給し、該処理チャンバ内を所定圧
力の処理ガス雰囲気とし、前記処理チャンバ内に設けら
れた平行平板電極間に交流電力を供給してプラズマを発
生させ、前記平行平板電極間に設けられた被処理基板の
エッチングを行うエッチング方法において、 被処理基板の中心部に較べて、該被処理基板の周縁部に
一酸化炭素ガスのみをより多く供給することを特徴とす
るエッチング方法。3. A vacuum evacuation is performed from the inside of the processing chamber, and a processing gas containing at least a fluorocarbon-based gas and a carbon monoxide gas is supplied. In an etching method for generating plasma by supplying AC power between parallel plate electrodes provided in a processing chamber to etch a substrate provided between the parallel plate electrodes, In comparison, an etching method characterized in that more carbon monoxide gas alone is supplied to the periphery of the substrate to be processed.
て、 前記処理ガスのガス流路が、同心的に区分された内側部
と外側部とから構成され、前記内側部から少なくともフ
ッ化炭素系ガスと一酸化炭素ガスとを含む混合ガスを供
給し、前記外側部から一酸化炭素ガスのみを供給するこ
とを特徴とするエッチング方法。4. The etching method according to claim 3 , wherein the gas flow path of the processing gas includes an inner portion and an outer portion which are concentrically divided, and at least a fluorocarbon-based gas is formed from the inner portion. An etching method, wherein a mixed gas containing a carbon monoxide gas is supplied, and only the carbon monoxide gas is supplied from the outer portion.
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