JP3119898B2 - 電気光学装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明は、駆動用スイッチング素子
として薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）を使用し
た液晶電気光学装置における画像表示方法において、特
に中間的な色調や濃淡の表現を得るための階調表示方法
に関するものである。本発明は、特に、外部からいかな
るアナログ信号をもアクティブ素子に印加することな
く、階調表示をおこなう、いわゆる完全デジタル階調表
示に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶組成物はその物質特性から、分子軸
に対して水平方向と垂直方向に誘電率が異なるため、外
部の電解に対して水平方向に配列したり、垂直方向に配
列したりさせることが容易にできる。液晶電気光学装置
は、この誘電率の異方性を利用して、光の透過光量また
は散乱量を制御することでＯＮ／ＯＦＦ、すなわち明暗
の表示をおこなっている。液晶材料としては、ＴＮ（ツ
イステッド・ネマティック）液晶、ＳＴＮ（スーパー・
ツイステッド・ネマティック）液晶、強誘電性液晶、ポ
リマー液晶あるいは分散型液晶とよばれる材料が知られ
ている。液晶は外部電圧に対して、無限に短い時間に反
応するのではなく、応答するまでにある一定の時間がか
かることが知られている。その値はそれぞれの液晶材料
に固有で、ＴＮ液晶の場合には、数１０ｍｓｅｃ、ＳＴ
Ｎ液晶の場合には数１００ｍｓｅｃ、強誘電性液晶の場
合には数１０μｓｅｃ、分散型あるいはポリマー液晶の
場合には数１０ｍｓｅｃである。

【０００３】液晶を利用した電気光学装置のうちでもっ
とも優れた画質が得られるものは、アクティブマトリク
ス方式を用いたものであった。従来のアクティブマトリ
クス型の液晶電気光学装置では、アクティブ素子として
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用い、ＴＦＴにはアモル
ファスまたは多結晶型の半導体を用い、１つの画素にＰ
型またはＮ型のいずれか一方のみのタイプのＴＦＴを用
いたものであった。即ち、一般にはＮチャネル型ＴＦＴ
（ＮＴＦＴという）を画素に直列に連結している。そし
て、マトリクスの信号線に信号電圧を流し、それぞれの
信号線の直交する箇所に設けられたＴＦＴに双方から信
号が印加されるとＴＦＴがＯＮ状態となることを利用し
て液晶画素のＯＮ／ＯＦＦを個別に制御するものであっ
た。このような方法によって画素の制御をおこなうこと
によって、コントラストの大きい液晶電気光学装置を実
現することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなアクティブマトリクス方式では、明暗や色調といっ
た、階調表示をおこなうことは極めて難しかった。従
来、階調表示は液晶の光透過性が、印加される電圧の大
きさによって変わることを利用する方式が検討されてい
た。これは、例えば、マトリクス中のＴＦＴのソース・
ドレイン間に、適切な電圧を周辺回路から供給し、その
状態でゲイト電極に信号電圧を印加することによって、
液晶画素にその大きさの電圧をかけようとするものであ
った。

【０００５】しかしながら、このような方法では、例え
ば、ＴＦＴの不均質性やマトリクス配線の不均質性のた
めに、実際には液晶画素にかかる電圧は、各画素によっ
て、最低でも数％も異なってしまった。これに対し、例
えば、液晶の光透過度の電圧依存性は、極めて非線型性
が強く、ある特定の電圧で急激に光透過性が変化するた
め、たとえ数％の違いでも、光透過性が著しく異なって
しまうことがあった。例えば、ＴＮ液晶の場合、ＯＮ／
ＯＦＦ状態の電位差は、約１．２Ｖであり、１６階調を
達成せんとする場合には、液晶の電位差を７５ｍＶの精
度で制御する必要があった。そのため、実際には１６階
調を達成することが限界であった。

【０００６】このように階調表示が困難であるというこ
とは、液晶ディスプレー装置が従来の一般的な表示装置
であるＣＲＴ（陰極線管）と競争してゆく上で極めて不
利であった。

【０００７】本発明は従来、困難であった階調表示を実
現させるための全く新しい方法を提案することを目的と
するものである。

【０００８】

【問題を解決するための手段】さて、液晶にかける電圧
をアナログ的に制御することによって、その光透過性を
制御することが可能であることを先に述べたが、本発明
人らは、液晶に電圧のかかっている時間を制御すること
によって、視覚的に階調を得ることができることを見出
した。

【０００９】例えば、代表的な液晶材料であるＴＮ（ツ
イステッド・ネマチック）液晶を用いた場合において、
例えば、図１（ａ）において、Ａで示されるような矩形
パルスを印加する場合と、Ｃで示されるような矩形パル
スを印加する場合を比べて見ると、Ａの方が明るいこと
を見出した。ここで、パルスの周期は１ｍｓｅｃとし
た。結果的には、Ａが最も明るく、以下、Ｂ、Ｃ、Ｄの
順であった。このことは全く予想外のことである。なぜ
ならば、通常の上記のＴＮ液晶材料においては、１ｍｓ
ｅｃという時間はあまりにも短く、そのような短時間に
はＴＮ液晶は反応しないのである。したがって、いずれ
の場合にも液晶はＯＮ状態を実現することは不可能なは
ずである。しかしながら、実際には液晶は中間的な濃さ
を実現できた。

【００１０】その具体的な原理についてはまだ詳細にわ
かっていない。しかしながら、本発明人らは、この現象
を利用して階調表現が可能であることを見いだしたので
ある。すなわち、液晶材料が反応しないような周期で液
晶材料にパルスを印加するときにパルスの幅を制御する
ことによって、中間的な明るさをデジタル制御で実現す
ることが、まさに本発明の特徴とするものである。本発
明人らの研究の結果、このような中間的な濃度を得るた
めのパルスの周期はＴＮ液晶の場合には１０ｍｓｅｃ以
下が必要であることがわかった。

【００１１】ここで、パルスの周期という語句につい
て、その意味を明確にする。すなわち、この場合には、
複数のパルスを連続的に液晶に印加するのであるが、こ
の場合のパルスの周期とは、１つのパルスが始まってか
ら、次のパルスが始まるまでの間の時間のことをいう。
したがって、パルスの繰り返し周波数の逆数となる。ま
た、パルス幅とは、パルスが電圧状態にある時間のこと
をいう。したがって、図１において、例えばＣのパルス
列の場合には、Ｔがパルスの周期であり、τがパルス幅
である。

【００１２】同様な効果は、ＳＴＮ液晶においても、強
誘電性液晶においても、また、ポリマー液晶あるいは分
散型液晶においても見られた。いずれも、その応答時間
よりも短い周期のパルスを加えることによって、中間的
な色調が得られることが明らかになった。すなわち、Ｓ
ＴＮ液晶においては、１００ｍｓｅｃ以下、のぞましく
は１０ｍｓｅｃ以下、強誘電性液晶においては１０μｓ
ｅｃ以下、のぞましくは１μｓｅｃ以下、ポリマー液晶
あるいは分散型液晶においては１０ｍｓｅｃ以下、のぞ
ましくは１ｍｓｅｃ以下の周期のパルスを加えることに
よって、階調表示が得られた。

【００１３】通常は、テレビ等の画像では１秒間に３０
枚の静止画が次々に繰り出されて動画を形成する。した
がって、１枚の静止画が継続する時間は約３０ｍｓｅｃ
である。この時間は人間の目にはあまりにも早すぎて、
文字通り『目にも止まらない』時間であり、結果とし
て、視覚的には静止画を１枚１枚識別することはできな
い。ともかく、通常の動画を得るには、１枚の静止画は
長くても１００ｍｓｅｃ以上継続することはできない。

【００１４】本発明を利用して２５６階調の階調表示を
おこなうとすれば、例えば、Ｔ＝３ｍｓｅｃとすれば、
この３ｍｓｅｃの時間を、少なくとも２５６分割しうる
パルス電圧印加方法、を画素に電圧を印加する方法とし
て採用する必要がある。すなわち、最短で３ｍｓｅｃ／
２５６＝１１．７μｓｅｃのパルス状の電圧が画素にか
かるような回路を組む必要がある。実際には、図３に示
すように、パルスのデューティー比τ／Ｔと液晶画素の
光透過性は非線型的な関係であり、２５６階調を得るた
めには、さらに、パルスのデューティー比を細かく制御
することが必要である。

【００１５】しかも、実際の画像表示をおこなう場合に
は、他の画素も考慮しなければならない。実際の画像表
示装置では、例えば４００行もの行がある。すなわち、
後に述べるように、マトリクスのアクティブ素子は１０
０ｎｓｅｃという極短応答性が求められる。そこで、そ
のような短時間応答性を有する回路の例を図４に示し、
以下、その説明をする。

【００１６】図４は本発明を実施するために必要な液晶
表示装置のアクティブマトリクスの回路の例を示す。本
発明では、アクティブ素子は１００ｎｓｅｃ以下の短時
間で応答することが要求されるので高速動作する回路を
組む必要がある。そのためには従来のようにＮＴＦＴあ
るいはＰＴＦＴだけでスイッチングをおこなうのではな
く、図４に示されるようにＮＴＦＴとＰＴＦＴとが相補
的に動作するように構成された、変形インバータ型の回
路を用いることが必要である。

【００１７】この例ではＮ×Ｍのマトリクスの例を示し
たものであるが、煩雑さをさけるために、そのうちのｎ
行ｍ列近傍のみを示した。これと同じものを上下左右に
展開すれば完全なものが得られる。

【００１８】図４には、４つの変形インバータ回路が描
かれている。各変形インバータ回路は少なくとも２つの
ＮＴＦＴと少なくとも２つのＰＴＦＴから構成される。
ＴＦＴの数は、不良が存在した場合に備えて、さらに増
やしても構わない。この回路では、まず、中央部の１組
のＮＴＦＴとＰＴＦＴのゲイト電極が信号線Ｘ_ｎに接続
され、また、このＮＴＦＴとＰＴＦＴのソースあるいは
ドレインの一方は互いに接続され、これは画素Ｚ_ｎ，ｍ
の電極に接続される。この状態は通常の相補型電界効果
素子（ＣＭＯＳ）と同じである。このＮＴＦＴおよびＰ
ＴＦＴの他方のソースあるいはドレインは、それぞれ、
第２のＮＴＦＴ、ＰＴＦＴのソースあるいはドレインに
接続されている。また、この第２のＮＴＦＴ、ＰＴＦＴ
の他方のソースあるいはドレインは、それぞれ、信号線
Ｙ_ｍ＋１とＹ_ｍに接続されている。さらに、第２のＮＴ
ＦＴ、ＰＴＦＴのゲイト電極は、それぞれ、信号線Ｙ
_{ｍ＋ １}とＹ_ｍに接続されている。以下では、信号線Ｘ
_１，Ｘ_２，．．Ｘ_Ｎを、集合的に、あるいは個別にＸ線
とよび、信号線Ｙ_１，Ｙ_２，．．Ｙ_Ｍを、集合的に、あ
るいは個別にＹ線とよぶ。また、図では、画素のキャパ
シタと並列に人為的にキャパシタが挿入されている。。
このとき挿入されたキャパシタは、画素の電荷が自然放
電することによって、画素の電圧が低下することを抑制
する効果を有する。画素の電圧の降下は、画素のばらつ
きがあると、一様でなくなり、特に本発明のように、画
素に印加される電圧が一定のものとして階調表示をおこ
なおうとする発明においては、画質の低下を招くもので
ある。しかしながら、このように画素に並列にキャパシ
タを挿入することにより、画素のばらつきによる電圧降
下は著しく抑えることができ、高画質を得ることができ
る。

【００１９】次に、このような回路を用いた場合の回路
の動作例を図１（ｂ）および図２を用いて説明する。こ
のマトリクス回路は図１（ａ）に示されるようなパルス
状の電圧を液晶セルに印加するように動作する必要があ
る。そこで、このようなパルスを発生するためにＸ線お
よびＹ線に印加される信号電圧の概要を図１（ｂ）に示
す。例として、４００×６４０のマトリクスを考える。

【００２０】Ｘ線に印加される信号は、例えばＸ_ｎ線の
場合は、Ｖ（Ｘ_ｎ）で示されるが、これは、周期Ｔで繰
り返されるひとまとまりのパルスの中に、実は２５６個
のパルス（以下、サブパルスという）が含まれており、
さらにその２５６個のサブパルスのそれぞれは、４００
個の要素が入ったパルス列から構成されていることがわ
かる。ここで、４００という数字はマトリクスの行数で
ある。したがって、Ｘ線に印加されるパルスの最小単位
はＴ＝３ｍｓｅｃとすれば、２９ｎｓｅｃである。

【００２１】一方、Ｙ線には、時間Ｔ／２５６の間に、
図のＶ（Ｙ_１）、Ｖ（Ｙ_ｍ）、Ｖ（Ｙ_ｍ＋１）、Ｖ（Ｙ
_４００）で示されるようなパルスが、それぞれのタイミ
ングをずらして印加される。このパルスは、上記Ｘ線に
印加されるパルスの最小単位パルスよりもさらに短い必
要がある。結局、時間Ｔの間には、各Ｙ線には、２５６
回パルスが印加される。

【００２２】次に、実際の回路の動作を図２に基づいて
説明する。まず、第１のサブパルスがそれぞれのＸ線に
印加される。当然のことながら、これらのサブパルスは
Ｘ線ごとに異なる。一方、Ｙ線には、先に述べたよう
に、パルスが最初にＹ_１、次にＹ_２というように順々に
印加されてゆく。まず、パルスがＹ_１に印加されたとき
を考える。このとき、画素Ｚ_１，１に接続されている、
アクティブ素子はＯＦＦ状態となる。すなわち、Ｙ_１は
電圧状態であり、かつＹ_２は電圧状態でないので、画素
のアクティブ素子の４つのＴＦＴのうち、上のＰＴＦＴ
と下のＮＴＦＴはＯＮ状態となり、中央のインバータが
動作する状態にある。そして、インバータの入力Ｘ_１に
は電圧が加わっているから、出力は反転して電圧の加わ
らない状態となる。次いで、Ｙ_２に電圧が加わるのであ
るが、このとき、画素Ｚ_１，２には電圧のかかった状態
となる。すなわち、インバータの入力Ｘ_１には電圧がか
かっていないからである。そして、この電圧状態は、Ｙ
_２のパルスが切られた後も継続し、次にＹ_２にパルスが
加わるまで持続する。同様に、Ｚ_１，ｍもＺ_{１，ｍ＋１}
もＺ_{１，４００}も、電圧状態となる。

【００２３】このようにして、パルスが順々に印加され
てゆき、Ｙ_ｍに印加された場合を考える。今、４つの画
素Ｚ_ｎ，ｍ、Ｚ_{ｎ，ｍ＋１}、Ｚ_{ｎ＋１，ｍ}、Ｚ
_{ｎ＋１，ｍ＋１}に注目しているとすれば、Ｘ_ｎおよびＸ
_ｎ＋１の第１のサブパルスのｍ番目および（ｍ＋１）番
目に注目すればよい。Ｘ_ｎもＸ_ｎ＋１もｍ番目は電圧状
態でないので、画素Ｚ_ｎ，ｍ、Ｚ_{ｎ＋１，ｍ}は電圧（充
電）状態になる。ついで、Ｙ_ｍ＋１にパルスが印加され
る。Ｘ_ｎもＸ_ｎ＋１も（ｍ＋１）番目は電圧状態でない
ので、この場合も画素Ｚ_{ｎ，ｍ＋１}、Ｚ_{ｎ＋１，ｍ＋１}
は充電状態となる。

【００２４】次に、図では省略されているが、第２のサ
ブパルスが来たものとする。このとき、Ｘ_ｎもＸ_ｎ＋１
もｍ番目および（ｍ＋１）番目が電圧状態でなかったな
らば、充電状態がなくならず、以上４つの画素は引き続
き電圧状態を継続する。その後、第（ｈ−１）のサブパ
ルスまでは、４つの画素とも電圧状態が継続したものと
する。

【００２５】次に、サブパルスが進んで、第ｈのサブパ
ルスが来たものとする。図では煩雑さを避けるためにｍ
番目および（ｍ＋１）番目以外は省略した。このとき、
Ｘ_ｎもＸ_ｎ＋１もｍ番目は電圧状態でないので、画素Ｚ
_ｎ，ｍ、Ｚ_{ｎ＋１，ｍ}は電圧状態を継続する。しかし、
Ｘ_ｎ＋１には（ｍ＋１）番目が電圧状態であるので、画
素Ｚ_{ｎ＋１，ｍ}は電圧状態が継続するものの、画素Ｚ
_{ｎ＋１，ｍ＋１}は、アクティブ素子の出力が電圧状態で
なくなり、蓄えられていた電荷が放出され、電圧状態は
中断される。

【００２６】さらに、第ｉのサブパルスが来たときに
は、Ｘ_ｎの（ｍ＋１）番目は電圧状態となったので、Ｚ
_{ｎ，ｎ＋１}の充電状態は解除される。以下、第ｊおよび
第ｋのサブパルスにおいて、それぞれ、Ｘ_ｎ＋１、Ｘ_ｎ
のｍ番目が電圧状態となったので、画素Ｚ_ｎ，ｍ、Ｚ
_{ｎ＋１，ｍ}の充電状態がぞれぞれ、第ｋ、第ｊのサブパ
ルス中に中断される。このような過程を経ることによっ
て、図２のＶ（Ｚ）に示すように、各画素ごとに電圧状
態の時間をデジタル的にコントロールできる。

【００２７】このような動作を繰り返すことにより、各
画素に加わる電圧パルスの幅を図１（ａ）のように任意
に制御することができる。

【００２８】以上の説明から明らかなように、本発明を
実施するにあたっては、上記のようなサブパルスは、明
確に定義できるパルス状のものでなければならないわけ
ではない。説明を簡単にするために、サブパルスという
概念を持ち出したが、特に、サブパルスとサブパルスの
間が明確でなく、信号としては、ほとんど境界のないも
のであっても、本発明を実施できることはあきらかであ
る。さらに、説明をわかりやすくするために、信号のゼ
ロレベルと電圧レベルを明確にしたが、これは、液晶あ
るいはＴＦＴのしきい値電圧以下であるか、以上である
かという問題だけであるので、絶対にゼロである必要は
ない。また、電圧とは任意の点の電位を基準とした相対
的な物理量であるので、以上の例において、パルスは逆
の極性を持つものであっても、構わないことは明らかで
あろう。また、以上の例では、画面は１行づつ順に走査
されていったが、最初にＹ_１，Ｙ_３，Ｙ_{５，．．．}とい
うように走査し、その後、Ｙ_２，Ｙ_４，Ｙ_６．．．とい
うように走査する、いわゆる飛び越し走査法も可能であ
ることは言うまでもない。

【００２９】

【実施例】『実施例１』 本実施例では図４に示すよう
な回路構成を用いた液晶表示装置を用いて、壁掛けテレ
ビを作製したので、その説明を行う。またその際のＴＦ
Ｔは、レーザーアニールを用いた多結晶シリコンとし
た。

【００３０】この回路構成に対応する実際の電極等の配
置構成を１つの画素について、図５に示している。ま
ず、本実施例で使用する液晶パネルの作製方法を図６を
使用して説明する。本発明を実施するためには、１つの
画素にＮＴＦＴとＰＴＦＴが２つづつ必要であるので、
計４つのＴＦＴを図に示すが、簡略化のために、番号は
ＮＴＦＴとＰＴＦＴの一方にのみ付して説明する。図６
（Ａ）において、石英ガラス等の高価でない７００℃以
下、例えば約６００℃の熱処理に耐え得るガラス５０上
にマグネトロンＲＦ（高周波）スパッタ法を用いてブロ
ッキング層５１としての酸化珪素膜を１０００〜３００
０Åの厚さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰
囲気、成膜温度１５０℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力
０．５Ｐａとした。ターゲットに石英または単結晶シリ
コンを用いた成膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００３１】この上にシリコン膜をプラズマＣＶＤ法に
より珪素膜５２を作製した。成膜温度は２５０℃〜３５
０℃で行い本実施例では３２０℃とし、モノシラン（Ｓ
ｉＨ_４）を用いた。モノシラン（ＳｉＨ_４）に限らず、
ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）またトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）
を用いてもよい。これらをＰＣＶＤ装置内に３Ｐａの圧
力で導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成
膜した。この際、高周波電力は０．０２〜０．１０Ｗ／
ｃｍ^２が適当であり、本実施例では０．０５５Ｗ／ｃｍ
^２を用いた。また、モノシラン（ＳｉＨ_４）の流量は２
０ＳＣＣＭとし、その時の成膜速度は約１２０Å／分で
あった。ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのスレッシュホールド電
圧（Ｖｔｈ）を概略同一に制御するため、ホウ素をジボ
ランを用いて１×１０^１５〜１×１０^１８ｃｍ^−３の濃
度として成膜中に添加してもよい。またＴＦＴのチャネ
ル領域となるシリコン層の成膜にはこのプラズマＣＶＤ
だけでなく、スパッタ法、減圧ＣＶＤ法を用いても良
く、以下にその方法を簡単に述べる。

【００３２】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×１０^−５Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをターゲ
ットとして、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰
囲気で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とし
た。成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、
スパッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａで
あった。

【００３３】減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よ
りも１００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５
３０℃でジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）またはトリシラン（Ｓ
ｉ_３Ｈ_８）をＣＶＤ装置に供給して成膜した。反応炉内
圧力は３０〜３００Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５
０Å／分であった。ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのスレッシュ
ホールド電圧（Ｖｔｈ）を概略同一に制御するため、ホ
ウ素をジボランを用いて１×１０^１５〜１×１０^１８ｃ
ｍ^−３の濃度として成膜中に添加してもよい。

【００３４】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×１０^２１ｃｍ^−３以下であることが好まし
い。結晶化を助長させるためには、酸素濃度を７×１０
^１９ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１９ｃｍ^−３以
下とすることが望ましいが、少なすぎると、バックライ
トによりオフ状態のリーク電流が増加してしまうため、
この濃度を選択した。この酸素濃度が高いと、結晶化さ
せにくく、レーザーアニール温度を高くまたはレーザー
アニール時間を長くしなければならない。水素は４×１
０^２０ｃｍ^−３であり、珪素４×１０^２２ｃｍ^−３とし
て比較すると１原子％であった。

【００３５】また、ソース、ドルインに対してより結晶
化を助長させるため、酸素濃度を７×１０^１９ｃｍ^−３
以下、好ましくは１×１０^１９ｃｍ^−３以下とし、ピク
セル構成するＴＦＴのチャネル形成領域のみに酸素をイ
オン注入法により５×１０^２０〜５×１０^２１ｃｍ^−３
となるように添加してもよい。上記方法によって、アモ
ルファス状態の珪素膜を５００〜５０００Å、本実施例
では１０００Åの厚さに成膜した。

【００３６】その後、フォトレジスト５３をマスクＰ１
を用いてソース・ドレイン領域のみ開孔したパターンを
形成した。その上に、プラズマＣＶＤ法によりｎ型の活
性層となる珪素膜５４を作製した。成膜温度は２５０℃
〜３５０℃でおこない、本実施例では３２０℃とし、モ
ノシラン（ＳｉＨ_４）とモノシランベースのフォスフィ
ン（ＰＨ_３）３％濃度のものを用いた。これらをＰＣＶ
Ｄ装置内５Ｐａの圧力でに導入し、１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を加えて成膜した。この際、高周波電力は
０．０５〜０．２０Ｗ／ｃｍ^２が適当であり、本実施例
では０．１２０Ｗ／ｃｍ^２を用いた。

【００３７】この方法によって出来上がったｎ型シリコ
ン層の比導電率は２×１０^−１〔Ωｃｍ^−１〕程度とな
った。膜厚は５０Åとした。その後リフトオフ法を用い
て、レジスト５３を除去し、ソース・ドレイン領域５
５、５６を形成した。

【００３８】同様のプロセスを用いて、ｐ型の活性層を
形成した。その際の導入ガスは、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ_４）とモノシランベースのジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）５％
濃度のものを用いた。これらをＰＣＶＤ装置内に４Ｐａ
の圧力でに導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加
えて成膜した。この際、高周波電力は０．０５〜０．２
０Ｗ／ｃｍ^２が適当であり、本実施例では０．１２０Ｗ
／ｃｍ^２を用いた。この方法によって出来上がったｐ型
シリコン層の比導電率は５×１０^−２〔Ωｃｍ^−１〕程
度となった。膜厚は５０Åとした。その後Ｎ型領域と同
様にリフトオフ法を用いて、ソース・ドレイン領域５
９、６０を形成した。その後、マスクＰ３を用いて珪素
膜５２をエッチング除去し、Ｎチャネル型薄膜トランジ
スタ用アイランド領域６３とＰチャネル型薄膜トランジ
スタ用アイランド領域６４を形成した。

【００３９】その後ＸｅＣｌエキシマレーザーを用い
て、ソース・ドレイン・チャネル領域をレーザーアニー
ルすると同時に、活性層にレーザードーピングを行なっ
た。この時のレーザーエネルギーは、閾値エネルギーが
１３０ｍＪ／ｃｍ^２で、膜厚全体が溶融するには２２０
ｍＪ／ｃｍ^２が必要となる。しかし、最初から２２０ｍ
Ｊ／ｃｍ^２以上のエネルギーを照射すると、膜中に含ま
れる水素が急激に放出されるために、膜の破壊が起き
る。そのために低エネルギーで最初に水素を追い出した
後に溶融させる必要がある。本実施例では最初１５０ｍ
Ｊ／ｃｍ^２で水素の追い出しを行なった後、２３０ｍＪ
／ｃｍ^２で結晶化をおこなった。

【００４０】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として
５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成し
た。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と
同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナト
リウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００４１】この後、この上側にリンが１〜５×１０
^２１ｃｍ^−３の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリ
コン膜とその上にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ），ＭｏＳｉ_２またはＷＳｉ_２との多層膜を形成し
た。これを第４のフォトマスクＰ４にてパターニングし
て図６（Ｄ）を得た。ＮＴＦＴ用のゲイト電極６６、Ｐ
ＴＦＴ用のゲイト電極６７を形成した。例えばチャネル
長７μｍ、ゲイト電極としてリンドープ珪素を０．２μ
ｍ、その上にモリブデンを０．３μｍの厚さに形成し
た。同時に、図７（Ａ）に示すように、ゲイト配線６５
とそれに並行して設置された配線６８もパターニングし
た。

【００４２】また、ゲート電極材料としてアルミニウム
（Ａｌ）を用いた場合、これを第４のフォトマスクＰ４
にてパターニング後、その表面を陽極酸化することで、
セルファライン工法が適用可能なため、ソース・ドルイ
ンのコンタクトホールをよりゲートに近い位置に形成す
ることが出来るため、移動度、スレッシュホールド電圧
の低減からさらにＴＦＴの特性を上げることができる。

【００４３】かくすると、４００℃以上にすべての工程
で温度を加えることがなくＣ／ＴＦＴを作ることができ
る。そのため、基板材料として、石英等の高価な基板を
用いなくてもよく、本発明の大画面の液晶表示装置にき
わめて適したプロセスであるといえる。

【００４４】図６（Ｅ）において、層間絶縁物６８を前
記したスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行っ
た。この酸化珪素膜の形成はＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよい。例えば０．２〜０．
６μｍの厚さに形成し、その後、第５のフォトマスクＰ
５を用いて電極用の窓７９を形成した。その後、さら
に、これら全体にアルミニウムを０．３μｍの厚みにス
パッタ法により形成し第６のフォトマスクＰ６を用いて
リード７４およびコンタクト７３、７５を作製した。こ
うして、図６（Ｅ）と図７（Ｂ）を得た。その後、表面
を平坦化用有機樹脂７７例えば透光性ポリイミド樹脂を
塗布形成し、再度の電極穴あけを第７のフォトマスクＰ
７にて行った。さらに、これら全体にＩＴＯ（インジウ
ム酸化錫）を０．１μｍの厚みにスパッタ法により形成
し第８のフォトマスクＰ８を用いて画素電極７１を形成
した。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００〜
４００℃の酸素または大気中のアニールにより成就し
た。

【００４５】こうして、図６（Ｆ）と図７（Ｃ）を得
た。図７（Ｃ）のＡ−Ａ’の断面図を図７（Ｄ）に示
す。実際には、この上に液晶材料をはさんで、対向電極
が設けられ、図に示すように、対向電極と画素電極７１
の間に静電容量が生じる。それと同時に配線６８と電極
７１の間にも静電容量が生じる。そして、配線６８を対
向電極と同電位に保つことによって、図４に示したよう
に、液晶画素に並列に容量が挿入された回路を構成する
こととなる。特に本実施例のように配置することによっ
て、配線６８はゲイト配線６５と平行であるので、２配
線間の規制容量が少なく、したがって、ゲイト配線を伝
わる信号の減衰や遅延を減らす効果がある。

【００４６】また、このようにして形成された配線６８
は、接地して使用される場合には、各マトリクス配線の
終端に設けられる保護回路の接地線として使用できる。
保護回路は、図１０に示されるように、周辺の駆動回路
と画素の間に設けられた図１１と図１２で示されるよう
な回路をいう。いずれも画素に過大な電圧がかかるとＯ
Ｎ状態となり、電圧を取り去る作用を有する。これらの
保護回路は、シリコンのようなドーピングされた、ある
いはドーピングされていない半導体材料や、ＩＴＯのよ
うな透明導電材料、あるいは通常の配線材料を用いて構
成される。したがって、画素の回路を形成するときに同
時に形成することが可能である。

【００４７】このことは、例えば、図１１の保護回路
が、ＮＴＦＴやＰＴＦＴ、あるいはそれらをあわせたＣ
／ＴＦＴで構成されていることから明らかであろう。ま
た、図１２の保護回路はＴＦＴは使用されていないが、
ダイオードは、例えばＰＩＮ接合によって構成され、ま
た、特にツェナー特性を重視するダイオードはＮＩＮ、
ＰＩＰ、ＮＰＮ、あるいはＰＮＰといった構造を有し、
いちいち説明するまでもなく、本実施例で示した作製方
法を援用することによって作製されうることは明確であ
る。

【００４８】さて、以上のようにして得られたＴＦＴの
電気的な特性はＰＴＦＴで移動度は４０（ｃｍ^２／Ｖ
ｓ）、Ｖｔｈは−５．９（Ｖ）で、ＮＴＦＴで移動度は
８０（ｃｍ^２／Ｖｓ）、Ｖｔｈは５．０（Ｖ）であっ
た。

【００４９】上記の様な方法に従って作製された液晶電
気光学装置用の一方の基板を得ることが出来た。この液
晶表示装置の電極等の配置の様子を図５に示している。
本発明による変形インバータを構成するＴＦＴが信号線
Ｙ_１とＹ_２の間、およびＹ_２とＹ_３の間に、信号線
Ｘ_１、Ｘ_２に平行に設けられている。このようなＣ／Ｔ
ＦＴを用いたマトリクス構成を有せしめた。かかる構造
を左右、上下に繰り返すことにより、６４０×４８０、
１２８０×９６０といった大画素の液晶表示装置とする
ことができる。本実施例では１９２０×４００とした。
この様にして第１の基板を得た。

【００５０】他方の基板の作製方法を図８に示す。ガラ
ス基板上にポリイミドに黒色顔料を混合したポリイミド
樹脂をスピンコート法を用いて１μｍの厚みに成膜し、
第９のフォトマスクＰ９を用いてブラックストライプ８
１を作製した。その後、赤色顔料を混合したポリイミド
樹脂をスピンコート法を用いて１μｍの厚みに成膜し、
第１０のフォトマスクＰ１０を用いて赤色フィルター８
３を作製した。同様にしてマスクＰ１１、Ｐ１２を使用
し、緑色フィルター８５および青色フィルター８６を作
製した。これらの作製中各フィルターは３５０℃にて窒
素中で６０分の焼成を行なった。その後、やはりスピン
コート法を用いて、レベリング層８９を透明ポリイミド
を用いて作製した。

【００５１】その後、これら全体にＩＴＯ（インジュー
ム酸化錫）を０．１μｍの厚みにスパッタ法により形成
し第１０のフォトマスクＰ１０を用いて共通電極９０を
形成した。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２０
０〜３００℃の酸素または大気中のアニールにより成就
し、第２の基板を得た。

【００５２】前記基板上に、オフセット法を用いて、ポ
リイミド前駆体を印刷し、非酸化性雰囲気たとえば窒素
中にて３５０℃１時間焼成を行った。その後、公知のラ
ビング法を用いて、ポリイミド表面を改質し、少なくと
も初期において、液晶分子を一定方向に配向させる手段
を設けた。

【００５３】その後、前記第一の基板と第二の基板によ
って、ネマチック液晶組成物を挟持し、周囲をエポキシ
性接着剤にて固定した。基板上のリードにＴＡＢ形状の
駆動ＩＣと共通信号、電位配線を有するＰＣＢを接続
し、外側に偏光板を貼り、透過型の液晶電気光学装置を
得た。これと冷陰極管を３本配置した後部照明装置、テ
レビ電波を受信するチューナーを接続し、壁掛けテレビ
として完成させた。従来のＣＲＴ方式のテレビと比べ
て、平面形状の装置となったために、壁等に設置するこ
とも出来るようになった。この液晶テレビの動作は図
１、図２に示したものと、実質的に同等な信号を液晶画
素に印加することにより確認された。

【００５４】『実施例２』 本実施例では図４に示すよ
うな回路構成を用いた液晶表示装置を用いて、壁掛けテ
レビを作製したので、その説明を行う。またその際のＴ
ＦＴは、レーザーアニールを用いた多結晶シリコンとし
た。

【００５５】以下では、ＴＦＴ部分の作製方法について
図９にしたがって記述する。図９（Ａ）において、石英
ガラス等の高価でない７００℃以下、例えば約６００℃
の熱処理に耐え得るガラス１００上にマグネトロンＲＦ
（高周波）スパッタ法を用いてブロッキング層１０１と
しての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚さに作製
する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成膜温度１
５０℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａとし
た。ターゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成
膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００５６】この上にシリコン膜をプラズマＣＶＤ法に
より珪素膜１０２を作製した。成膜温度は２５０℃〜３
５０℃で行い本実施例では３２０℃とし、モノシラン
（ＳｉＨ_４）を用いた。モノシラン（ＳｉＨ_４）に限ら
ず、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）またトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ
_８）を用いてもよい。これらをＰＣＶＤ装置内に３Ｐａ
の圧力で導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加え
て成膜した。この際、高周波電力は０．０２〜０．１０
Ｗ／ｃｍ^２が適当であり、本実施例では０．０５５Ｗ／
ｃｍ^２を用いた。また、モノシラン（ＳｉＨ_４）の流量
は２０ＳＣＣＭとし、その時の成膜速度は約１２０Å／
分であった。ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのスレッシュホール
ド電圧（Ｖｔｈ）を概略同一に制御するため、ホウ素を
ジボランを用いて１×１０^１５〜１×１０^１８ｃｍ^−３
の濃度として成膜中に添加してもよい。またＴＦＴのチ
ャネル領域となるシリコン層の成膜にはこのプラズマＣ
ＶＤだけでなく、スパッタ法、減圧ＣＶＤ法を用いても
良く、以下にその方法を簡単に述べる。

【００５７】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×１０^−５Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをターゲ
ットとして、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰
囲気で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とし
た。成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、
スパッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａで
あった。

【００５８】減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よ
りも１００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５
３０℃でジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）またはトリシラン（Ｓ
ｉ_３Ｈ_８）をＣＶＤ装置に供給して成膜した。反応炉内
圧力は３０〜３００Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５
０Å／分であった。ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのスレッシュ
ホールド電圧（Ｖｔｈ）を概略同一に制御するため、ホ
ウ素をジボランを用いて１×１０^１５〜１×１０^１８ｃ
ｍ^−３の濃度として成膜中に添加してもよい。

【００５９】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×１０^２１ｃｍ^−３以下であることが好まし
い。結晶化を助長させるためには、酸素濃度を７×１０
^１９ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１９ｃｍ^−３以
下とすることが望ましいが、少なすぎると、バックライ
トによりオフ状態のリーク電流が増加してしまうため、
この濃度を選択した。この酸素濃度が高いと、結晶化さ
せにくく、レーザーアニール温度を高くまたはレーザー
アニール時間を長くしなければならない。水素は４×１
０^２０ｃｍ^−３であり、珪素４×１０^２２ｃｍ^−３とし
て比較すると１原子％であった。

【００６０】また、ソース、ドレインに対してより結晶
化を助長させるため、酸素濃度を７×１０^１９ｃｍ^−３
以下、好ましくは１×１０^１９ｃｍ^−３以下とし、ピク
セル構成するＴＦＴのチャネル形成領域のみに酸素をイ
オン注入法により５×１０^２０〜５×１０^２１ｃｍ^−３
となるように添加してもよい。上記方法によって、アモ
ルファス状態の珪素膜を５００〜５０００Å、本実施例
では１０００Åの厚さに成膜した。

【００６１】その後、フォトレジスト１０３をマスクＰ
１を用いてＮＴＦＴのソース・ドレイン領域となるべき
領域のみ開孔したパターンを形成した。そして、レジス
ト１０３をマスクとして、リンイオンをイオン注入法に
より、２×１０^１４〜５×１０^１６ｃｍ^−２、好ましく
は２×１０^１６ｃｍ^−２だけ、注入し、ｎ型不純物領域
１０４を形成した。その後、レジスト１０３は除去され
た。

【００６２】同様に、レジスト１０５を塗布し、マスク
Ｐ２を用いて、ＰＴＦＴのソース・ドレイン領域となる
べき領域のみ開孔したパターンを形成した。そして、レ
ジスト１０５をマスクとして、ｐ型の不純物領域１０６
を形成した。不純物としては、ホウソを用い、やはりイ
オン注入法を用いて、２×１０^１４〜５×１０^１６ｃｍ
^−２、好ましくは２×１０^１６ｃｍ^−２だけ、不純物を
導入した。このようにして。図９（Ｂ）を得た。

【００６３】その後、珪素膜１０２上に、厚さ５０〜３
００ｎｍ、例えば、１００ｎｍの酸化珪素被膜１０７
を、上記のＲＦスパッタ法によって形成した。そして、
ＸｅＣｌエキシマレーザーを用いて、ソース・ドレイン
・チャネル領域をレーザーアニールによって、結晶化・
活性化した。この時のレーザーエネルギーは、閾値エネ
ルギーが１３０ｍＪ／ｃｍ^２で、膜厚全体が溶融するに
は２２０ｍＪ／ｃｍ^２が必要となる。しかし、最初から
２２０ｍＪ／ｃｍ^２以上のエネルギーを照射すると、膜
中に含まれる水素が急激に放出されるために、膜の破壊
が起きる。そのために低エネルギーで最初に水素を追い
出した後に溶融させる必要がある。本実施例では最初１
５０ｍＪ／ｃｍ^２で水素の追い出しを行なった後、２３
０ｍＪ／ｃｍ^２で結晶化をおこなった。さらに、レーザ
ーアニール終了後は酸化珪素膜１０７は取り去った。

【００６４】その後、フォトマスクＰ３によって、アイ
ランド状のＮＴＦＴ領域１１１とＰＴＦＴ領域１１２を
形成した。この上に酸化珪素膜１０８をゲイト絶縁膜と
して５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成
した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製
と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナ
トリウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００６５】この後、この上側にリンが１〜５×１０
^２１ｃｍ^−３の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリ
コン膜とその上にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ），ＭｏＳｉ_２またはＷＳｉ_２との多層膜を形成し
た。これを第４のフォトマスクＰ４にてパターニングし
て図９（Ｄ）を得た。ＮＴＦＴ用のゲイト電極１０９、
ＰＴＦＴ用のゲイト電極１１０を形成した。例えばチャ
ネル長７μｍ、ゲイト電極としてリンドープ珪素を０．
２μｍ、その上にモリブデンを０．３μｍの厚さに形成
した。図には示されていないが、実施例１の場合と同様
にゲイト配線とそれに平行な配線も形成した。

【００６６】この配線の材料としては、上記の材料以外
にも、例えばアルミニウム（Ａｌ）を用いることも可能
である。アルミニウムを用いた場合、これを第４のフォ
トマスクＰ４にてパターニング後、その表面を陽極酸化
することで、セルファライン工法が適用可能なため、ソ
ース・ドルインのコンタクトホールをよりゲートに近い
位置に形成することが出来るため、移動度、スレッシュ
ホールド電圧の低減からさらにＴＦＴの特性を上げるこ
とができる。

【００６７】かくすると、４００℃以上にすべての工程
で温度を加えることがなくＣ／ＴＦＴを作ることができ
る。そのため、基板材料として、石英等の高価な基板を
用いなくてもよく、本発明の大画面の液晶表示装置にき
わめて適したプロセスであるといえる。

【００６８】図９（Ｅ）において、層間絶縁物１１３を
前記したスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行っ
た。この酸化珪素膜の形成はＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよい。例えば０．２〜０．
６μｍの厚さに形成し、その後、第５のフォトマスクＰ
５を用いて電極用の窓１１７を形成した。その後、さら
に、これら全体にアルミニウムを０．３μｍの厚みにス
パッタ法により形成し第６のフォトマスクＰ６を用いて
リード１１６およびコンタクト１１４、１１５を作製し
た後、表面を平坦化用有機樹脂１１９、例えば透光性ポ
リイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あけを第７の
フォトマスクＰ７にて行った。さらに、これら全体にＩ
ＴＯ（インジウム酸化錫）を０．１μｍの厚みにスパッ
タ法により形成し第８のフォトマスクＰ８を用いて画素
電極１１８を形成した。このＩＴＯは室温〜１５０℃で
成膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニー
ルにより成就した。

【００６９】得られたＴＦＴの電気的な特性はＰＴＦＴ
で移動度は３５（ｃｍ^２／Ｖｓ）、Ｖｔｈは−５．９
（Ｖ）で、ＮＴＦＴで移動度は９０（ｃｍ^２／Ｖｓ）、
Ｖｔｈは４．８（Ｖ）であった。

【００７０】上記の様な方法に従って作製された液晶電
気光学装置用の一方の基板を得ることが出来た。他方の
基板の作製方法は実施例１と同じであるので省略する。
その後、前記第一の基板と第二の基板によって、ネマチ
ック液晶組成物を挟持し、周囲をエポキシ性接着剤にて
固定した。基板上のリードにＴＡＢ形状の駆動ＩＣと共
通信号、電位配線を有するＰＣＢを接続し、外側に偏光
板を貼り、透過型の液晶電気光学装置を得た。これと冷
陰極管を３本配置した後部照明装置、テレビ電波を受信
するチューナーを接続し、壁掛けテレビとして完成させ
た。従来のＣＲＴ方式のテレビと比べて、平面形状の装
置となったために、壁等に設置することも出来るように
なった。この液晶テレビの動作は図１、図２に示したも
のと、実質的に同等な信号を液晶画素に印加することに
より確認された。

【００７１】

【発明の効果】本発明では、従来のアナログ方式の階調
表示に対し、デジタル方式の階調表示を行うことを特徴
としている。その効果として、例えば６４０×４００ド
ットの画素数を有する液晶電気光学装置を想定したばあ
い、合計２５６，０００個のＴＦＴすべての特性をばら
つき無く作製することは、非常に困難を有し、現実的に
は量産性、歩留りを考慮すると、１６階調表示が限界と
考えられているのに対し、本発明のように、全くアナロ
グ的な信号を加えることなく純粋にデジタル制御のみで
階調表示することにより、２５６階調表示以上の階調表
示が可能となった。完全なデジタル表示であるので、Ｔ
ＦＴの特性ばらつきによる階調の曖昧さは全くなくな
り、したがって、ＴＦＴのばらつきが少々あっても、極
めて均質な階調表示が可能であった。したがって、従来
はばらつきの少ないＴＦＴを得るために極めて歩留りが
悪かったのに対し、本発明によって、ＴＦＴの歩留りが
さほど問題とされなくなったため、液晶装置の歩留りは
向上し、作製コストも著しく抑えることができた。

【００７２】例えば６４０×４００ドットの２５６，０
００組のＴＦＴを３００ｍｍ角に作成した液晶電気光学
装置に対し通常のアナログ的な階調表示を行った場合、
ＴＦＴの特性ばらつきが約±１０％存在するために、１
６階調表示が限界であった。しかしながら、本発明によ
るデジタル階調表示をおこなった場合、ＴＦＴ素子の特
性ばらつきの影響を受けにくいために、２５６階調表示
まで可能になりカラー表示ではなんと１６，７７７，２
１６色の多彩であり微妙な色彩の表示が実現できてい
る。テレビ映像の様なソフトを映す場合、例えば同一色
からなる『岩』でもその微細な窪み等から微妙に色合い
が異なる。自然の色彩に近い表示を行おうとした場合、
１６階調では困難を要する。本発明による階調表示によ
って、これらの微細な色調の変化を付けることが可能に
なった。

【００７３】本発明の実施例では、シリコンを用いたＴ
ＦＴを中心に説明を加えたが、ゲルマニウムを用いたＴ
ＦＴも同様に使用できる。とくに、単結晶ゲルマニウム
の電子移動度は３６００ｃｍ^２／Ｖｓ、ホール移動度は
１８００ｃｍ^２／Ｖｓと、単結晶シリコンの値（電子移
動度で１３５０ｃｍ^２／Ｖｓ、ホール移動度で４８０ｃ
ｍ^２／Ｖｓ）の特性を上回っているため、高速動作が要
求される本発明を実行する上で極めて優れた材料であ
る。また、ゲルマニウムは非晶質状態から結晶状態へ遷
移する温度がシリコンに比べて低く、低温プロセスに向
いている。また、結晶成長の際の核発生率が小さく、し
たがって、一般に、多結晶成長させた場合には大きな結
晶が得られる。このようにゲルマニウムはシリコンと比
べても遜色のない特性を有している。

【００７４】本発明の技術思想を説明するために、主と
して液晶を用いた電気光学装置、特に表示装置を例とし
て説明を加えたが、本発明の思想を適用するには、なに
も表示装置である必要はなく、いわゆるプロジェクショ
ン型テレビやその他の光スイッチ、光シャッターであっ
てもよい。さらに、電気光学材料も液晶に限らず、電
界、電圧等の電気的な影響を受けて光学的な特性の変わ
るものであれば、本発明を適用できることは明らかであ
ろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による駆動波形の例を示す。

【図２】 本発明による駆動波形の例を示す。

【図３】 本発明による液晶の階調表示特性の例を示
す。

【図４】 本発明によるマトリクス構成の例を示す。

【図５】 実施例による素子の平面構造を示す。

【図６】 実施例によるＴＦＴのプロセスを示す。

【図７】 実施例によるＴＦＴのプロセスを示す。

【図８】 実施例によるカラーフィルターの工程を示
す。

【図９】 実施例によるＴＦＴのプロセスを示す。

【図１０】実施例における保護回路の接続例を示す。

【図１１】実施例における保護回路の例を示す。

【図１２】実施例における保護回路の例を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−281924（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/133

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、Ｎ本（Ｎは自然数）の信号線
   Ｘ₁、Ｘ₂、・・・、Ｘ_Nと、前記信号線Ｘ₁、Ｘ₂、・・
   ・、Ｘ_Nに直交するＭ本（Ｍは自然数）の信号線Ｙ₁、Ｙ
   ₂、・・・、Ｙ_Mが設けられ、 前記信号線Ｘ_n（ｎは整数で、１≦ｎ≦Ｎ）と前記信号
   線Ｙ_m（ｍは整数で、１≦ｍ≦Ｍ）の交差部に第１およ
   び第２のＮチャネル型薄膜トランジスタと、第１および
   第２のＰチャネル型薄膜トランジスタと、コンデンサ
   と、画素電極とが設けられ、 前記第１のＮチャネル型薄膜トランジスタのソースおよ
   びドレインの一方と前記第１のＰチャネル型薄膜トラン
   ジスタのソースおよびドレインの一方とを接続して、前
   記コンデンサおよび前記画素電極に接続し、 前記第１のＰチャネル型薄膜トランジスタのソースおよ
   びドレインの他方と前記第２のＰチャネル型薄膜トラン
   ジスタのソースおよびドレインの一方とを接続し、 前記第１のＮチャネル型薄膜トランジスタのソースおよ
   びドレインの他方と前記第２のＮチャネル型薄膜トラン
   ジスタのソースおよびドレインの一方とを接続し、 前記第２のＰチャネル型薄膜トランジスタのソースおよ
   びドレインの他方を前記信号線Ｙ_mに接続し、 前記第２のＮチャネル型薄膜トランジスタのソースおよ
   びドレインの他方を前記信号線Ｙ_m のとなりに設けられ
   た信号線Ｙ_m+1に接続し、 前記第１のＮチャネル型薄膜トランジスタおよび前記第
   １のＰチャネル型薄膜トランジスタのゲイト電極を前記
   信号線Ｘ_nに接続し、 前記第２のＰチャネル型薄膜トランジスタのゲイト電極
   を前記信号線Ｙ_m+1に接続し、 前記第２のＮチャネル型薄膜トランジスタのゲイト電極
   を前記信号線Ｙ_mに接続したことを特徴とする電気光学
   装置。