JP3117663B2 - Method of forming a polycrystalline silicon thin film - Google Patents

Method of forming a polycrystalline silicon thin film

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Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜トランジスタ等に用いられる多結晶シリコン薄膜の成膜方法に関する。 The present invention relates to relates to method of forming a polycrystalline silicon thin film used in the example thin film transistors or the like.

【0002】 [0002]

【従来の技術】多結晶シリコン薄膜は、一般に、移動度が数10〜数100cm 2と高い値を示し、例えばディスプレイパネルの画素のスイッチング素子や、駆動回路素子等として利用されている。 BACKGROUND OF THE INVENTION Polycrystalline silicon thin film, generally, the mobility indicates a high value of several tens to several hundreds of 100 cm 2, for example, switching elements of the pixels of the display panel, and is utilized as a driving circuit device or the like.

【0003】このような多結晶シリコン薄膜を成膜する方法として、従来、レーザアニール法や減圧CVD法等が知られている。 As a method of forming such a polycrystalline silicon thin film, conventionally, a laser annealing method or a low pressure CVD method are known.

【0004】レーザアニール法は、例えば、絶縁基板上に非晶質シリコン膜を成膜し、600℃程度の温度でアニールすることにより、非晶質シリコン膜を固相成長させて、配向性をもった多結晶シリコン薄膜を成膜する方法である。 [0004] Laser annealing method, for example, by forming an amorphous silicon film on an insulating substrate by annealing at a temperature of about 600 ° C., the amorphous silicon film by solid phase growth, the orientation a method of forming a polycrystalline silicon thin film having.

【0005】一方、減圧CVD法は、例えば基板温度を550℃以上に保持した状態で、ヘリウムにより20% On the other hand, a low pressure CVD method, for example while holding the substrate temperature above 550 ° C., 20% by helium
に希釈したモノシランガス等を原料として1Torrの圧力下でLPCVD膜を堆積させ、次にN 2の雰囲気中で600℃の温度で熱処理を行うことで配向性をもった多結晶シリコン薄膜を成膜する方法である。 The diluted monosilane or the like LPCVD film is deposited under 1Torr pressure as a raw material, and then forming a polycrystalline silicon thin film having a orientation by performing heat treatment at a temperature of 600 ° C. in an atmosphere of N 2 to it is a method.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のようなレーザアニール法や減圧CVD法等の従来の多結晶シリコン薄膜の成膜方法では、基板の表面温度を550℃ [SUMMARY OF THE INVENTION Incidentally, in the method of forming the conventional polycrystalline silicon thin film of a laser annealing method or a low pressure CVD method as described above, 550 ° C. The surface temperature of the substrate
ないしは600℃程度と相当に高くしなければエピタキシャル成長させることができないため、全ての材質の基板、例えば通常のガラス基板(最高で600℃前後までしか加熱できないという制約がある)に対して配向性をもった多結晶シリコン薄膜を成膜しにくい、あるいは成膜することができないという問題があった。 Since or it can not be epitaxially grown to be considerably and 600 ° C. about high substrate of all material, the orientation, for example with respect to the normal of the glass substrate (up to there is a restriction that only can be heated up to 600 ° C. so) hardly deposited polycrystalline silicon thin film having, or there is a problem that can not be formed.

【0007】本発明はこのような実情に鑑みてなされたもので、従来の方法に比して低温の条件下で、電気的特性に優れ、移動度の高い多結晶シリコン薄膜を成膜することができ、もって通常のガラス基板等の表面にも良質な多結晶シリコン薄膜を成膜することのできる方法の提供を目的としている。 [0007] The present invention has been made in view of such circumstances, as compared with the conventional method at a low temperature conditions, excellent electrical properties, forming a film of high mobility polycrystalline silicon thin film are intended to provide a method capable of can be, also the surface of the glass substrate or the like normal with forming a good polycrystalline silicon thin film.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、本発明の多結晶シリコン薄膜の成膜方法は、スパッタ法を用いて基板表面に多結晶シリコン薄膜を成膜する方法において、シリコンのスパッタ蒸着工程に先立ち、 Means for Solving the Problems] To achieve the above object, method of forming a polycrystalline silicon thin film of the present invention is a method of forming a polycrystalline silicon thin film on the substrate surface by sputtering, a silicon prior to the sputter deposition process,
多結晶シリコン膜を成膜すべき基板表面にあらかじめバッファ層を形成しておき、スパッタ蒸着工程では、ターゲット電極に電圧を印加してターゲットの近傍にプラズマを発生させてスパッタを行う工程と、バッファ層の表面近傍にターゲット電極以外の電極からのマイクロ波放電によるエネルギを加える工程を交互または同時に繰り返すことで、上記バッファ層の配向に沿った配向を有する多結晶シリコン薄膜を成膜することによって特徴づけられる(請求項1)。 Polycrystalline silicon film previously formed buffer layer on the substrate surface to be deposited, in the sputtering deposition process, a step of applying a voltage to the target electrode to generate plasma in the vicinity of the target performing sputtering, a buffer by repeating the step of adding energy by microwave discharge from the electrode other than the target electrode in the vicinity of the surface of the layer alternately or simultaneously, characterized by depositing a polycrystalline silicon thin film having an orientation along the orientation of the buffer layer It is marked (claim 1).

【0009】ここで、本発明においては、上記スパッタ蒸着工程における基板温度を350℃以上500℃以下とすることが望ましい(請求項2)。 [0009] Here, in the present invention, it is desirable that a substrate temperature of 350 ° C. or higher 500 ° C. or less in the sputter deposition process (Claim 2).

【0010】本発明において用いられるバッファ層の材質としては、300℃程度で多結晶膜が得られる材質、 [0010] As the material of the buffer layer used in the present invention, the material of the polycrystalline film is obtained at about 300 ° C.,
例えばZnS,Ni,AlN,Mo等、とすることが好ましい。 For example ZnS, Ni, AlN, Mo or the like, it is preferable to.

【0011】本発明の成膜方法において、ターゲット電極以外の電極(以下、アシスト電極と称する)からのエネルギは、スパッタ粒子の反応性を高める役割を果たし、スパッタ粒子がバッファ層に付着してから安定するまでの間、その反応性を高めることができる。 [0011] In the film forming method of the present invention, the electrode other than the target electrode energy (hereinafter, the assist electrode hereinafter) serves to enhance the reactivity of the sputtered particles, sputtered particles from adhering to the buffer layer until the stabilization, it is possible to enhance the reactivity. これにより、従来の成膜方法に比してより低温の条件下で、バッファ層の配向に沿った配向をもち、かつ、移動度の高い多結晶シリコン薄膜の成長が可能となる。 Thus, under conditions of lower temperature than the conventional film-forming method, having an orientation along the orientation of the buffer layer, and it is possible to grow high mobility polycrystalline silicon thin film.

【0012】本発明の成膜方法によれば、ターゲット電極に高周波等の電圧を印加してターゲットの近傍にプラズマを発生させてスパッタを行った後に、バッファ層の表面近傍にアシスト電極からのマイクロ波放電によるエネルギを加えるという工程を繰り返して行うか、あるいはターゲット電極への電圧印加と同時にアシスト電極からのマイクロ波放電によるエネルギをバッファ層の表面近傍に加えるという工程を繰り返して行うので、シリコン原子等のスパッタ粒子が基板上のバッファ層に付着した後、次のスパッタ粒子が到来するまでの間、バッファ層への付着粒子の反応性を高めることを繰り返し行うことが可能となり、従来に比して低温でバッファ層の配向に沿った配向で、移動度の高い多結晶シリコン薄膜を成膜することができ According to the film formation method of the present invention, by applying a voltage of a high frequency such as the target electrode to generate plasma in the vicinity of the target after the sputtering, micro from the assist electrode near the surface of the buffer layer or performed by repeating the steps of adding energy by wave discharge, or because the energy from microwave discharge from simultaneously assist electrode and voltage application to the target electrode is repeatedly performed a step of adding to the vicinity of the surface of the buffer layer, silicon atoms after sputter particles etc. is attached to the buffer layer on the substrate, until the next sputtered particles arriving, it is possible to perform repeatedly to increase the reactivity of the adhered particles to the buffer layer, compared with the conventional orientation along the orientation of the buffer layer at a low temperature Te, it is possible to deposit a high mobility polycrystalline silicon thin film .

【0013】すなわち、ターゲット電極以外の電極(アシスト電極)からのエネルギを結晶成長面に供給することで、低温でエピタキシャル成長が可能となり、かつ、 [0013] That is, by supplying the energy from the electrode other than the target electrode (assist electrode) to the crystal growth surface, it is possible to epitaxially grow at a low temperature, and,
成長の速度を高めることができる。 It is possible to increase the speed of growth.

【0014】このように低温でのエピタキシャル成長が可能である本発明方法において、請求項2に記載のようにスパッタリング工程における基板温度を、350℃以上500℃以下の温度範囲とすることにより、上記したような良質な多結晶シリコン薄膜が得られることが確認されている。 [0014] In this present invention process it is possible to epitaxially grow at a low temperature, the substrate temperature in the sputtering process as described in claim 2, by a temperature range of 350 ° C. or higher 500 ° C. or less, and the quality polycrystalline silicon thin film that is obtained has been confirmed as.

【0015】 [0015]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態において用いられるスパッタ装置の構成を示す模式的断面図である。 Figure 1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION is a schematic sectional view showing a configuration of a sputtering apparatus used in the embodiment of the present invention.

【0016】この図1のスパッタ装置は、補助的にマイクロ波プラズマを真空処理室1内に導入する方式を採用した構成となっている。 The sputtering apparatus of FIG. 1 has a configuration that employs a method of introducing into the vacuum processing chamber 1 auxiliary microwave plasma.

【0017】真空処理室1内には、シリコンからなるスパッタ用2極間ターゲット2がその片面を真空処理室1 [0017] The vacuum processing chamber 1, sputtering 2 interpolar target 2 made of silicon vacuum processing chamber one side 1
内に露出させた状態で、その反対側の面がターゲット電極3に密着した状態で配置されている。 Being exposed within, the opposite surface is disposed in close contact with the target electrode 3. このターゲット電極3には、インピーダンス整合のためのマッチングボックス4を介してRF電源5に接続されている。 This target electrode 3, and is connected to an RF power source 5 via a matching box 4 for impedance matching.

【0018】真空処理室1内には、また、2極間ターゲット2に対向するように基板支持台6が配置されており、多結晶シリコン薄膜を形成すべきガラス基板7がその基板支持台6に取り付けらる。 [0018] The vacuum processing chamber 1, also 2 interpolar substrate support 6 so as to face the target 2 is disposed, a glass substrate 7 to form the polycrystalline silicon thin film that substrate support table 6 Toritsukeraru to. なお、このガラス基板7には、多結晶シリコン薄膜を形成すべき表面に、後述するようにあらかじめバッファ層7aが形成される。 Incidentally, the glass substrate 7, the surface to form the polycrystalline silicon thin film, pre-buffer layer 7a as described later is formed.

【0019】真空処理室1の外側には、2極間ターゲット2隣接するように、かつ、ターゲット2の内側から外側に向けてN極,S極が隣り合うように交互に同心状に永久磁石8が配置されている。 [0019] On the outside of the vacuum processing chamber 1, as 2 interpolar target 2 adjacent, and permanent magnets concentrically from the inside of the target 2 N poles outward, alternately so that the S pole adjacent 8 is arranged. この永久磁石8により、 The permanent magnet 8,
図1に破線で示すような磁場が真空処理室1内に形成されるようになっている。 Magnetic field as indicated by a broken line and is formed in the vacuum processing chamber 1 in Figure 1.

【0020】2極間ターゲット2の略中央部には、同軸管9が真空処理室1内に向けて開口しており、この同軸管9はマグネトロン(図示せず)に連通して、マイクロ波プラズマを真空処理室1内に導入するように構成されている。 [0020] The substantially central portion of the 2 interpolar target 2, coaxial waveguide 9 is open toward the vacuum processing chamber 1, the coaxial tube 9 communicates with a magnetron (not shown), microwave and it is configured to introduce into the vacuum processing chamber 1 of the plasma. なお、9aは同軸管9に設けられたプラズマ放電用のアンテナであり、ターゲット表面より1/4λだけ突起している。 Incidentally, 9a is an antenna for plasma discharge provided coaxial tube 9, and only 1 / 4.lamda projections from the target surface.

【0021】そして、同軸管9の真空処理室1に向けての開口部分の周辺にはアシスト電極10が設けられており、このアシスト電極10は、同軸管9を通じてマグネトロンに接続されて、2.45GHzのマイクロ波放電によるエネルギを基板支持台6に装着されているガラス基板7の表面近傍に加え得るようになっている。 [0021] Then, the periphery of the opening portion toward the vacuum processing chamber 1 of the coaxial tube 9 and the assist electrode 10 is provided, the assist electrode 10 is connected to the magnetron via a coaxial tube 9, 2. energy by microwave discharge of 45GHz is adapted to be added in the vicinity of the surface of the glass substrate 7 that is mounted on the substrate support table 6.

【0022】次に、以上のスパッタ装置を用いて、ガラス基板7の表面に多結晶シリコン薄膜を形成する具体的方法について述べる。 Next, using the above sputtering apparatus, will be described specifically a method of forming a polycrystalline silicon thin film on the surface of the glass substrate 7.

【0023】ガラス基板7を真空処理室1の基板支持台6に装着する前に、そのガラス基板7の多結晶シリコン膜膜を形成すべき表面に、例えばZnS,Ni,AlN [0023] Before mounting the glass substrate 7 on the substrate support table 6 of the vacuum processing chamber 1, on the surface to form the polycrystalline silicon film film of the glass substrate 7, for example ZnS, Ni, AlN
あるいはMo等、300℃程度で多結晶膜が形成される材料を用いたバッファ層7aを形成しておく。 Alternatively Mo, etc., previously formed buffer layer 7a of a material that polycrystalline film is formed at about 300 ° C..

【0024】このようなバッファ層7aを形成したガラス基板7を真空処理室1内の基板支持台6に装着した後、真空処理室1内を真空排気したうえで、アルゴンガス等のスパッタガスを供給管(図示せず)を介して真空処理室1内に導入するとともに、ガラス基板7の表面温度を350〜500℃程度に加熱する。 [0024] After mounting the glass substrate 7 formed of such a buffer layer 7a on the substrate support table 6 of the vacuum processing chamber 1, a vacuum processing chamber 1 after having evacuated, the sputtering gas such as argon gas It is introduced into the vacuum processing chamber 1 through the supply pipe (not shown) to heat the surface temperature of the glass substrate 7 to about 350 to 500 ° C..

【0025】次に、図2にターゲット電極3への印加電圧とアシスト電極10への印加電圧波形のタイムチャートを示すように、ターゲット電極3にRF電源から高周波電圧を印加して2極間ターゲット2の面近傍にプラズマを発生させる工程と、アシスト電極10に2.45G Next, as shown in the time chart of voltage waveforms applied to the applied voltage and the assist electrode 10 to the target electrode 3 in FIG. 2, 2 interpolar target by applying a high frequency voltage from the RF power to the target electrode 3 a step of generating a plasma in the second surface vicinity, 2.45 g assist electrode 10
Hzのマイクロ波を印加する工程を交互に繰り返す。 Repeating the steps of applying a microwave Hz alternating.

【0026】各電極への電圧印加周期は、例えば、ターゲット電極3に対しては10〜100μs、アシスト電極10に対しては50〜200μs程度とする。 The voltage application period for each electrode, for example, for the target electrode 3 10~100Myuesu, the order of 50~200μs for assisting electrode 10.

【0027】以上の動作において、ターゲット電極3への高周波電圧の印加により、2極間ターゲット2の表面近傍にプラズマが発生するが、このとき、陰極から出た電子は永久磁石8の磁場によってサイクロトロン運動し、プラズマ中の気体分子と高確率で衝突して多数のイオンを作りだし、効率よく2極間ターゲット2をスパッタリングし、図3(A)に模式的に示すように、シリコン原子はじめとするスパッタ粒子Pはガラス基板7のバッファ層7aに付着する。 [0027] In the above operation, the application of the high-frequency voltage to the target electrode 3, a plasma near the surface of the 2 interpolar target 2 occurs at this time, electrons emitted from the cathode cyclotron by the magnetic field of the permanent magnet 8 exercise, creating a large number of ions collide with high probability and gas molecules in the plasma, and sputtered efficiently 2 interpolar target 2, as schematically shown in FIG. 3 (a), including silicon atoms sputtered particles P adhere to the buffer layer 7a of the glass substrate 7.

【0028】この状態で、次のスパッタまでの間にアシスト電極10からのエネルギがガラス基板7のバッファ層7aの近傍に加わることにより、図3(B)に示すように、バッファ層7aに付着したスパッタ粒子Pはこのバッファ層7aの配向に沿って移動して安定する。 [0028] In this state, by acting on the vicinity of the buffer layer 7a of energy glass substrate 7 from the assist electrode 10 until the next sputtering, as shown in FIG. 3 (B), attached to the buffer layer 7a sputtered particles P that is stabilized to move along the orientation of the buffer layer 7a. その後、以上のようなスパッタとアシスト電極10からのエネルギの印加を繰り返すことにより、図3(C), Thereafter, by repeating the application of energy from the sputter and the assist electrode 10 as described above, FIG. 3 (C), the
(D)に示すように、下地のバッファ層7aの配向(1 (D), the orientation of the underlying buffer layer 7a (1
11,110)に沿った形で多結晶シリコン薄膜Fが形成されていく。 Polycrystalline silicon thin film F is gradually formed in line with 11,110). すなわち、350〜500℃の低温の条件下であっても、アシスト電極10からのエネルギの作用によってシリコンがバッファ層7a上にエピタキシャル成長することが可能となり、また、その成長速度を高くすることができる。 That is, even under conditions of low temperature 350 to 500 ° C., the silicon becomes possible to epitaxially grow on the buffer layer 7a by the action of the energy from the assist electrode 10, also can be increased the growth rate .

【0029】なお、以上の実施の形態では、ターゲット電極3に対して高周波電圧を印加して2極間ターゲット2の表面近傍にプラズマを発生させてスパッタした後に、アシスト電極10からの2.45GHzのマイクロ波放電を行ってガラス基板7の表面近傍にエネルギを加えるという動作を交互に繰り返した例を述べたが、図4 [0029] In the above embodiment, to generate a plasma to the vicinity of the surface of the 2 interpolar target 2 frequency voltage to the target electrode 3 after sputtering, 2.45 GHz from the assist electrode 10 performing a microwave discharge has been dealt with the cases where repeated alternately operating of adding energy to the vicinity of the surface of the glass substrate 7, 4
に各電極への印加電圧波形のタイムチャートを例示するように、ターゲット電極3への高周波電圧印加と、アシスト電極10からのエネルギの印加とを同時に行うことも可能である。 As illustrated a time chart of voltage waveforms applied to each electrode in the high frequency voltage applied to the target electrode 3, it is also possible to carry out the application of energy from the assist electrode 10 at the same time.

【0030】また、以上の実施の形態においては、ターゲット電極3にRF電源5から高周波電圧を印加たが、 Further, in the above embodiments, there was applied a high frequency voltage from the RF power supply 5 to the target electrode 3,
これを直流電圧とすることも可能であることは勿論であり、要は目的に応じた膜質を得るのに最適な電圧を印加すればよい。 It is of course it is also possible to this DC voltage, may be applied an optimum voltage for short get quality according to the purpose.

【0031】 [0031]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、シリコンのスパッタ蒸着工程において、ターゲット電極に電圧を印加してターゲットの近傍にプラズマを発生させてスパッタを行う工程と、基板表面に前もって形成しておいたバッファ層の表面近傍にターゲット電極以外の電極からのマイクロ波放電によるエネルギを加える工程を交互または同時に繰り返して行うことで、シリコン原子をはじめとするスパッタ粒子の反応性を高め、その粒子がバッファ層の配向に沿って移動することを助長し、350 As is evident from the foregoing description, according to the present invention, in the sputtering deposition process of the silicon, and performing sputtering by applying a voltage to the target electrode to generate plasma in the vicinity of the target in advance on the substrate surface the step of adding energy by microwave discharge from the electrode other than the target electrode in the vicinity of the surface of the formation to keep the buffer layer by performing alternating or repeated simultaneously, enhance the reactivity of the sputtered particles including silicon atoms, encourage that the particles move along the orientation of the buffer layer, 350
〜500℃程度の従来に比してより低温の条件下でシリコンの実用的なエピタキシャル成長を可能とすることができた。 It was possible to allow practical epitaxial growth of silicon at lower temperature conditions than the 500 of about ℃ conventional. その結果、基板温度が350〜500℃程度の低温であっても、バッファ層の配向に沿い、かつ、移動度の優れた多結晶シリコン薄膜を成膜することが可能となり、550〜600℃以下程度に加熱が制限されるガラス基板等にも、容易に良質な多結晶シリコン薄膜を成膜することができるようになった。 As a result, even at a low temperature of the substrate temperature of about 350 to 500 ° C., along the orientation of the buffer layer, and it is possible to form an excellent polysilicon thin film mobility, 550 to 600 ° C. or less to a glass substrate or the like which degree the heating is limited, can now be deposited easily quality polycrystalline silicon thin film.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態において用いたスパッタ装置の構成を示す模式的断面図 Schematic cross-sectional view showing the structure of a sputtering apparatus used in the embodiment of the present invention; FIG

【図2】本発明の実施の形態におけるターゲット電極3 [2] the target electrode 3 in the embodiment of the present invention
への印加電圧波形とアシスト電極10への印加電圧波形を示すタイムチャート Time chart showing the voltage waveform applied to the applied voltage waveform and the assist electrode 10 to

【図3】本発明の実施の形態におけるスパッタ粒子Pの挙動の説明図 Illustration of the behavior of sputtered particles P in the embodiment of the present invention; FIG

【図4】本発明の他の実施の形態におけるターゲット電極3への印加電圧波形とアシスト電極10への印加電圧波形を示すタイムチャート Figure 4 is a time chart illustrating the voltage waveform applied to the applied voltage waveform and the assist electrode 10 to the target electrode 3 according to another embodiment of the present invention

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 真空処理室 2 2極間ターゲット 3 ターゲット電極 5 RF電源 6 基板支持台 7 ガラス基板 7a バッファ層 8 永久磁石 9 同軸管 10 アシスト電極 P スパッタ粒子 F 多結晶シリコン薄膜 1 vacuum processing chamber 2 2 interpolar target 3 target electrode 5 RF power source 6 substrate support 7 glass substrate 7a buffer layer 8 permanent magnet 9 coaxial tube 10 assists electrode P sputtered particles F polycrystalline silicon thin film

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 スパッタ法を用いて基板表面に多結晶シリコン薄膜を成膜する方法において、シリコンのスパッタ蒸着工程に先立ち、多結晶シリコン膜を成膜すべき基板表面にあらかじめバッファ層を形成しておき、スパッタ蒸着工程では、 ターゲット電極に電圧を印加してター 1. A method of forming a polycrystalline silicon thin film on the substrate surface by sputtering, prior to the sputter deposition process of the silicon, polycrystalline silicon film in advance to form a buffer layer on the substrate surface to be deposited advance, in the sputtering deposition process, coater by applying a voltage to the target electrode
    ゲットの近傍にプラズマを発生させてスパッタを行う工 Engineering to perform sputtering in the vicinity of the target to generate a plasma
    程と、バッファ層の表面近傍にターゲット電極以外の電 And extent, electricity other than the target electrode in the vicinity of the surface of the buffer layer
    極からのマイクロ波放電によるエネルギを加える工程を The step of adding energy by microwave discharge from electrode
    交互または同時に繰り返すことで、上記バッファ層の配向に沿った配向を有する多結晶シリコン膜を成膜することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の成膜方法。 By repeating alternately or simultaneously, the film forming method for preparation of polycrystalline silicon thin film characterized in that a polycrystalline silicon film having an orientation along the orientation of the buffer layer.
  2. 【請求項2】 上記スパッタ蒸着工程における基板温度を350℃以上500℃以下とすることを特徴とする、 Wherein, characterized in that a substrate temperature of 350 ° C. or higher 500 ° C. or less in the sputter deposition process,
    請求項1に記載の多結晶シリコン薄膜の成膜方法。 Method of forming a polycrystalline silicon thin film according to claim 1.
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