JP3108814B2 - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JP3108814B2 JP3108814B2 JP03065286A JP6528691A JP3108814B2 JP 3108814 B2 JP3108814 B2 JP 3108814B2 JP 03065286 A JP03065286 A JP 03065286A JP 6528691 A JP6528691 A JP 6528691A JP 3108814 B2 JP3108814 B2 JP 3108814B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録が可能の磁
気ディスク装置に関する。コンピュータシステムの外部
記憶装置として用いられる磁気ディスク装置は、小型化
及び大容量化が要求され、高記録密度化が進められてい
る。このような記録密度の向上に伴って、クロストーク
の低減とトラッキング精度の向上とが要望されている。
気ディスク装置に関する。コンピュータシステムの外部
記憶装置として用いられる磁気ディスク装置は、小型化
及び大容量化が要求され、高記録密度化が進められてい
る。このような記録密度の向上に伴って、クロストーク
の低減とトラッキング精度の向上とが要望されている。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の小型，大容量化の為
に、線記録密度とトラック密度との双方から高密度化が
進められており、線記録密度の向上の為に、磁気ディス
クの記録層の薄層化及び高保磁力化が図られている。又
磁気ヘッドは、フェライトヘッドが主に使用されていた
が、微細構造を高精度に実現できる薄膜ヘッドを用いる
ようになっている。又トラック密度の向上の為に、記録
トラック間に案内溝を形成した磁気ディスクが提案さ
れ、この磁気ディスクと、磁気ヘッドと電極とを一体的
に構成した複合型ヘッドとを組合せて、電極による磁気
ディスクとの間の静電容量を検出することにより、トラ
ッキングを行う構成が提案されている。
に、線記録密度とトラック密度との双方から高密度化が
進められており、線記録密度の向上の為に、磁気ディス
クの記録層の薄層化及び高保磁力化が図られている。又
磁気ヘッドは、フェライトヘッドが主に使用されていた
が、微細構造を高精度に実現できる薄膜ヘッドを用いる
ようになっている。又トラック密度の向上の為に、記録
トラック間に案内溝を形成した磁気ディスクが提案さ
れ、この磁気ディスクと、磁気ヘッドと電極とを一体的
に構成した複合型ヘッドとを組合せて、電極による磁気
ディスクとの間の静電容量を検出することにより、トラ
ッキングを行う構成が提案されている。
【０００３】図９は、前述の案内溝を設けた従来例の説
明図であり、磁気ディスク６５の記録トラック６７の両
側に同心円状又はスパイラル状の案内溝６６を形成す
る。この案内溝６６は右側に概略断面として示すよう
に、断面三角形であるが、他の断面形状とすることもで
きる。この磁気ディスク６５と、磁気ヘッド部６１と電
極部６２，６３とからなる複合型ヘッド６４とを用い、
２個の電極部６２，６３による静電容量がほぼ等しくな
るように、複合型ヘッド６４の位置決めを行うことによ
り、磁気ヘッド部６１が記録トラック６７のほぼ中心に
位置決めされることになり、この磁気ヘッド部６１によ
り記録トラック６７に磁気的に記録又は再生を行うもの
である。このような構成は、例えば、特開昭６３−１８
３６０５号公報に示されている。
明図であり、磁気ディスク６５の記録トラック６７の両
側に同心円状又はスパイラル状の案内溝６６を形成す
る。この案内溝６６は右側に概略断面として示すよう
に、断面三角形であるが、他の断面形状とすることもで
きる。この磁気ディスク６５と、磁気ヘッド部６１と電
極部６２，６３とからなる複合型ヘッド６４とを用い、
２個の電極部６２，６３による静電容量がほぼ等しくな
るように、複合型ヘッド６４の位置決めを行うことによ
り、磁気ヘッド部６１が記録トラック６７のほぼ中心に
位置決めされることになり、この磁気ヘッド部６１によ
り記録トラック６７に磁気的に記録又は再生を行うもの
である。このような構成は、例えば、特開昭６３−１８
３６０５号公報に示されている。
【０００４】又図１０は、ピットによる案内溝を設けた
場合の従来例の説明図であり、複合型ヘッド７４は、ヨ
ーク７１とコイル７２とによる磁気ヘッド部と、パーマ
ロイ等の磁性薄膜７３による電極部とから構成され、カ
ンチレバー７８を介してアクチュエータ７９に取付けら
れている。又磁気ディスク７５は、例えば、カーボン微
粉末等を混入した導電性ポリエステル等の基板上に、Ｃ
ｏ−Ｃｒ等の磁性層を被覆し、同心円状又はスパイラル
状の記録トラック７７の両側にピット列７６が形成さ
れ、隣接するピット列７６のピットの配列ピッチを相違
させて、電極部による静電容量検出を行った時に、周波
数成分のレベル比較により位置決め誤差成分を得ること
ができる。このような構成は、例えば、特公平１−４０
４０２号公報に示されている。なお、この公報は垂直磁
気記録を行う場合を示す。
場合の従来例の説明図であり、複合型ヘッド７４は、ヨ
ーク７１とコイル７２とによる磁気ヘッド部と、パーマ
ロイ等の磁性薄膜７３による電極部とから構成され、カ
ンチレバー７８を介してアクチュエータ７９に取付けら
れている。又磁気ディスク７５は、例えば、カーボン微
粉末等を混入した導電性ポリエステル等の基板上に、Ｃ
ｏ−Ｃｒ等の磁性層を被覆し、同心円状又はスパイラル
状の記録トラック７７の両側にピット列７６が形成さ
れ、隣接するピット列７６のピットの配列ピッチを相違
させて、電極部による静電容量検出を行った時に、周波
数成分のレベル比較により位置決め誤差成分を得ること
ができる。このような構成は、例えば、特公平１−４０
４０２号公報に示されている。なお、この公報は垂直磁
気記録を行う場合を示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】前述の図９に示す従
来例は、記録トラック６７の両側に連続した案内溝６６
が形成されているから、隣接トラックに対して磁気記録
領域が広がる書き滲みを解消し、クロストークの低減に
は非常に有効であるが、電極部６２，６３による静電容
量は、直流成分として検出されることになり、従って、
ノイズやドリフトによる影響が大きくなり、トラッキン
グ誤差が生じる欠点がある。
来例は、記録トラック６７の両側に連続した案内溝６６
が形成されているから、隣接トラックに対して磁気記録
領域が広がる書き滲みを解消し、クロストークの低減に
は非常に有効であるが、電極部６２，６３による静電容
量は、直流成分として検出されることになり、従って、
ノイズやドリフトによる影響が大きくなり、トラッキン
グ誤差が生じる欠点がある。
【０００６】又前述の図１０に示す従来例は、隣接する
ピット列７６の周期が異なるので、複合型ヘッド７４の
電極部による静電容量の変化は、ピット列７６の周期に
対応したものとなり、その周波数成分を抽出してレベル
比較を行うことにより、トラッキング制御を行うことが
できるから外乱に強い利点があるが、ピット間は磁性層
が半径方向に連続的となるから、クロストーク及び再生
波形の劣化の問題が生じる。本発明は、良好なエンベロ
ープ波形を得ることができると共に外乱に強い高精度の
トラッキング制御を可能とすることを目的とする。
ピット列７６の周期が異なるので、複合型ヘッド７４の
電極部による静電容量の変化は、ピット列７６の周期に
対応したものとなり、その周波数成分を抽出してレベル
比較を行うことにより、トラッキング制御を行うことが
できるから外乱に強い利点があるが、ピット間は磁性層
が半径方向に連続的となるから、クロストーク及び再生
波形の劣化の問題が生じる。本発明は、良好なエンベロ
ープ波形を得ることができると共に外乱に強い高精度の
トラッキング制御を可能とすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク装
置は、図１を参照して説明すると、磁気ヘッド部１と電
極部２とを一体的に構成した複合型ヘッド３と、複数の
ピットからなる案内溝４を有する磁気ディスク５とを備
え、複合型ヘッド３の電極部２と磁気ディスク５との間
の静電容量を検出して、複合型ヘッド３のトラッキング
制御を行う磁気ディスク装置に於いて、案内溝４を、磁
気ディスク５の円周上の任意数の個所に形成され、且つ
半径方向に隣接する案内溝４のピットのパターンが異な
るように形成されたピット領域から構成したものであ
る。
置は、図１を参照して説明すると、磁気ヘッド部１と電
極部２とを一体的に構成した複合型ヘッド３と、複数の
ピットからなる案内溝４を有する磁気ディスク５とを備
え、複合型ヘッド３の電極部２と磁気ディスク５との間
の静電容量を検出して、複合型ヘッド３のトラッキング
制御を行う磁気ディスク装置に於いて、案内溝４を、磁
気ディスク５の円周上の任意数の個所に形成され、且つ
半径方向に隣接する案内溝４のピットのパターンが異な
るように形成されたピット領域から構成したものであ
る。
【０００８】更に、案内溝４を、磁気ディスク５の円周
上の任意数の個所に形成され、且つ半径方向に隣接する
ピットパターン形状が異なるピット領域と、このピット
領域間に連続した溝６が形成された連続溝領域とにより
構成したものである。
上の任意数の個所に形成され、且つ半径方向に隣接する
ピットパターン形状が異なるピット領域と、このピット
領域間に連続した溝６が形成された連続溝領域とにより
構成したものである。
【０００９】又磁気ディスク５の円周を複数のセクタに
分割し、各セクタの一部に前記案内溝４のピット領域を
形成することができる。又このピット領域間に連続した
溝６からなる連続溝領域を形成することができる。
分割し、各セクタの一部に前記案内溝４のピット領域を
形成することができる。又このピット領域間に連続した
溝６からなる連続溝領域を形成することができる。
【００１０】又複合型ヘッド３の電極部２を、磁気ディ
スク５の半径方向に沿って複数のトラック対応に設け、
磁気ディスク５の案内溝４のピット領域を、電極部２の
個数のトラック毎に形成することができる。又ピット領
域間に連続した溝６からなる連続溝領域を形成すること
もできる。
スク５の半径方向に沿って複数のトラック対応に設け、
磁気ディスク５の案内溝４のピット領域を、電極部２の
個数のトラック毎に形成することができる。又ピット領
域間に連続した溝６からなる連続溝領域を形成すること
もできる。
【００１１】
【作用】磁気ディスク５に形成した案内溝４は、磁気デ
ィスク５の円周上の任意数の個所に形成され、半径方向
に隣接するピット列のパターンが異なるから、電極部２
による静電容量の検出は、ピット列パターンの相違に従
った異なる周波数の信号として検出されることになり、
外乱に強い高精度のトラッキング制御を行うことができ
る。又ピット領域以外をデータ記録領域とすることによ
り、エンベロープ波形の劣化による復調誤りを改善する
ことができる。
ィスク５の円周上の任意数の個所に形成され、半径方向
に隣接するピット列のパターンが異なるから、電極部２
による静電容量の検出は、ピット列パターンの相違に従
った異なる周波数の信号として検出されることになり、
外乱に強い高精度のトラッキング制御を行うことができ
る。又ピット領域以外をデータ記録領域とすることによ
り、エンベロープ波形の劣化による復調誤りを改善する
ことができる。
【００１２】又ピット領域間に連続溝領域を形成し、こ
の連続溝領域の記録トラックをデータ記録領域とするこ
とにより、エンベロープ波形の改善とクロストークの低
減とを図ることができる。
の連続溝領域の記録トラックをデータ記録領域とするこ
とにより、エンベロープ波形の改善とクロストークの低
減とを図ることができる。
【００１３】又セクタの一部にピット領域を形成した構
成に於いては、通常のセクタサーボと同様な制御が可能
となり、このピット領域はセクタの５〜２０％程度とす
ることができ、残りをデータ記録領域とすることができ
る。
成に於いては、通常のセクタサーボと同様な制御が可能
となり、このピット領域はセクタの５〜２０％程度とす
ることができ、残りをデータ記録領域とすることができ
る。
【００１４】又電極部２をＮトラック対応にＮ個設け、
磁気ディスク５のＮトラック毎に案内溝４のピット領域
を形成した場合、ピット領域が片側又は両側に形成され
ていないトラックが（Ｎ−１）個存在し、そのトラック
については全周をデータ記録領域とすることができる。
磁気ディスク５のＮトラック毎に案内溝４のピット領域
を形成した場合、ピット領域が片側又は両側に形成され
ていないトラックが（Ｎ−１）個存在し、そのトラック
については全周をデータ記録領域とすることができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例の説明図であ
り、磁気ヘッド部１と電極部２とを一体的に構成した複
合型ヘッド３を、図示を省略したヘッドアームに取付
け、このヘッドアームをアクチュエータにより移動し
て、複合型ヘッド３を磁気ディスク５上の所定のトラッ
クに位置決めするものである。その磁気ディスク５は、
円周上の任意数の個所に、短いピット４ａの列と、長い
ピット４ｂの列とを半径方向に交互に形成して案内溝４
のピット領域とし、このピット領域間には円周上に連続
した溝６からなる連続溝領域を形成している。
り、磁気ヘッド部１と電極部２とを一体的に構成した複
合型ヘッド３を、図示を省略したヘッドアームに取付
け、このヘッドアームをアクチュエータにより移動し
て、複合型ヘッド３を磁気ディスク５上の所定のトラッ
クに位置決めするものである。その磁気ディスク５は、
円周上の任意数の個所に、短いピット４ａの列と、長い
ピット４ｂの列とを半径方向に交互に形成して案内溝４
のピット領域とし、このピット領域間には円周上に連続
した溝６からなる連続溝領域を形成している。
【００１６】複合型ヘッド３の電極部２による磁気ディ
スク５との間の静電容量の変化の周波数は、ピット４ａ
によりｆ１、ピット４ｂによりｆ２とすると、図示の場
合、ｆ１＞ｆ２の関係となる。従って、周波数ｆ１，ｆ
２の検出信号を分離して、各周波数ｆ１，ｆ２の信号の
レベルが等しくなるように、複合型ヘッド３の位置決め
制御を行うことにより、磁気ヘッド部１をトラック中心
に位置決めすることができる。又ピット領域は、円周上
の複数個所に形成することができ、このピット領域のト
ラックを除いたトラック領域をデータ記録領域とする
と、溝６により隣接トラック間が磁気的に分離されるか
ら、書き滲みがなく、クロストークを低減することがで
きる。なお、ピット領域にもデータを記録することが可
能であり、この実施例に於いては、重要度が比較的低い
データを記録することが望ましいものである。
スク５との間の静電容量の変化の周波数は、ピット４ａ
によりｆ１、ピット４ｂによりｆ２とすると、図示の場
合、ｆ１＞ｆ２の関係となる。従って、周波数ｆ１，ｆ
２の検出信号を分離して、各周波数ｆ１，ｆ２の信号の
レベルが等しくなるように、複合型ヘッド３の位置決め
制御を行うことにより、磁気ヘッド部１をトラック中心
に位置決めすることができる。又ピット領域は、円周上
の複数個所に形成することができ、このピット領域のト
ラックを除いたトラック領域をデータ記録領域とする
と、溝６により隣接トラック間が磁気的に分離されるか
ら、書き滲みがなく、クロストークを低減することがで
きる。なお、ピット領域にもデータを記録することが可
能であり、この実施例に於いては、重要度が比較的低い
データを記録することが望ましいものである。
【００１７】図２は本発明の第２の実施例の説明図であ
り、図１と同一符号は同一部分を示し、１０は静電容量
検出部、１１，１２はバンドパスフィルタ、１３は比較
制御部である。この実施例は、ピット領域間に溝６を形
成しない場合を示し、下方にピット４ａ，４ｂとトラッ
ク７とのＡ−Ｂ線に沿った磁気ディスク５の要部の断面
を示している。
り、図１と同一符号は同一部分を示し、１０は静電容量
検出部、１１，１２はバンドパスフィルタ、１３は比較
制御部である。この実施例は、ピット領域間に溝６を形
成しない場合を示し、下方にピット４ａ，４ｂとトラッ
ク７とのＡ−Ｂ線に沿った磁気ディスク５の要部の断面
を示している。
【００１８】又バンドパスフィルタ１１は周波数ｆ１、
バンドパスフィルタ１２は周波数ｆ２の通過帯域を有
し、電極部２と磁気ディスク５との間の静電容量を、静
電容量検出部１０により検出し、ピット４ａのパターン
によるｆ１の周波数成分の信号をバンドパスフィルタ１
１により抽出し、ピット４ｂのパターンによるｆ２の周
波数成分の信号をバンドパスフィルタ１２により抽出
し、比較制御部１３により周波数ｆ１，ｆ２の信号のレ
ベル比較を行い、図示を省略しているアクチュエータを
制御して、周波数ｆ１，ｆ２の信号レベルが等しくなる
ようにする。それにより、複合型ヘッド３の磁気ヘッド
部２を、トラック７の中心に位置決めすることができ
る。
バンドパスフィルタ１２は周波数ｆ２の通過帯域を有
し、電極部２と磁気ディスク５との間の静電容量を、静
電容量検出部１０により検出し、ピット４ａのパターン
によるｆ１の周波数成分の信号をバンドパスフィルタ１
１により抽出し、ピット４ｂのパターンによるｆ２の周
波数成分の信号をバンドパスフィルタ１２により抽出
し、比較制御部１３により周波数ｆ１，ｆ２の信号のレ
ベル比較を行い、図示を省略しているアクチュエータを
制御して、周波数ｆ１，ｆ２の信号レベルが等しくなる
ようにする。それにより、複合型ヘッド３の磁気ヘッド
部２を、トラック７の中心に位置決めすることができ
る。
【００１９】図３は本発明の第３の実施例の説明図であ
り、磁気ディスクの１周をｎ個に分割してセクタとし、
各セクタ１〜セクタｎの一部にピット領域を形成したも
のであり、静電容量変化に従って周波数ｆ１の信号を検
出できる短いピット４ａの列と、周波数ｆ２の信号を検
出できる長いピット４ｂの列とは、前述の各実施例と同
様に半径方向に交互に形成されている。このピット領域
をセクタサーボ領域とし、他をデータ記録領域とするこ
とができる。その場合、トラッキング精度の関係から、
ピット領域は、１セクタ当たり５〜２０％とするのが実
用的である。
り、磁気ディスクの１周をｎ個に分割してセクタとし、
各セクタ１〜セクタｎの一部にピット領域を形成したも
のであり、静電容量変化に従って周波数ｆ１の信号を検
出できる短いピット４ａの列と、周波数ｆ２の信号を検
出できる長いピット４ｂの列とは、前述の各実施例と同
様に半径方向に交互に形成されている。このピット領域
をセクタサーボ領域とし、他をデータ記録領域とするこ
とができる。その場合、トラッキング精度の関係から、
ピット領域は、１セクタ当たり５〜２０％とするのが実
用的である。
【００２０】図４は本発明の第４の実施例の説明図であ
り、前述の第３の実施例と同様に、セクタ１〜セクタｎ
の一部にピット領域を形成し、更に、各ピット領域間に
は連続した溝６からなる連続溝領域を形成したものであ
る。この実施例は、各セクタ１〜セクタｎに於けるデー
タ記録領域が、溝６により隣接トラックと磁気的に分離
されるから、クロストークを低減できることになる。
り、前述の第３の実施例と同様に、セクタ１〜セクタｎ
の一部にピット領域を形成し、更に、各ピット領域間に
は連続した溝６からなる連続溝領域を形成したものであ
る。この実施例は、各セクタ１〜セクタｎに於けるデー
タ記録領域が、溝６により隣接トラックと磁気的に分離
されるから、クロストークを低減できることになる。
【００２１】図５は本発明の第５の実施例の説明図であ
り、複合型ヘッドの電極部を複数トラック対応に複数個
設けたもので、トラック７−１〜７−４に対応して４個
の電極部２−１〜２−４を設けた場合を示す。又静電容
量変化に従って周波数ｆ１の信号を検出できる短いピッ
ト４ａの列と、周波数ｆ２の信号を検出できる長いピッ
ト４ｂの列との組を、４トラック毎のトラック７−１，
７−５，７−９，・・・に形成するものである。なお、
電極部の個数は３個以上の任意の個数とすることができ
るものである。
り、複合型ヘッドの電極部を複数トラック対応に複数個
設けたもので、トラック７−１〜７−４に対応して４個
の電極部２−１〜２−４を設けた場合を示す。又静電容
量変化に従って周波数ｆ１の信号を検出できる短いピッ
ト４ａの列と、周波数ｆ２の信号を検出できる長いピッ
ト４ｂの列との組を、４トラック毎のトラック７−１，
７−５，７−９，・・・に形成するものである。なお、
電極部の個数は３個以上の任意の個数とすることができ
るものである。
【００２２】又電極部２−１の位置に磁気ヘッド部を設
けた複合型ヘッドを用いる場合、トラック７−１に位置
決めする時、電極部２−１と、トラック７−１の両側の
ピット４ａ，４ｂとの間の静電容量の変化に従った周波
数ｆ１，ｆ２の信号を得ることができるから、周波数ｆ
１，ｆ２の信号レベルがほぼ等しくなるように、複合型
ヘッドの磁気ヘッド部の位置決め制御を行うことができ
る。又トラック７−２に位置決めする時は、電極部２−
４がトラック７−５の両側のピット４ａ，４ｂとの間の
静電容量の変化に従った周波数ｆ１，ｆ２の信号を得る
ことができるから、複合型ヘッドの磁気ヘッド部をトラ
ック７−２の中心に位置決め制御することができる。同
様に、トラック７−３に位置決めする時は、電極部２−
３がトラック７−５の両側のピット４ａ，４ｂとの間の
静電容量の変化に従った周波数ｆ１，ｆ２の信号を得る
ことができるから、複合型ヘッドの磁気ヘッド部をトラ
ック７−３の中心に位置決めすることができる。
けた複合型ヘッドを用いる場合、トラック７−１に位置
決めする時、電極部２−１と、トラック７−１の両側の
ピット４ａ，４ｂとの間の静電容量の変化に従った周波
数ｆ１，ｆ２の信号を得ることができるから、周波数ｆ
１，ｆ２の信号レベルがほぼ等しくなるように、複合型
ヘッドの磁気ヘッド部の位置決め制御を行うことができ
る。又トラック７−２に位置決めする時は、電極部２−
４がトラック７−５の両側のピット４ａ，４ｂとの間の
静電容量の変化に従った周波数ｆ１，ｆ２の信号を得る
ことができるから、複合型ヘッドの磁気ヘッド部をトラ
ック７−２の中心に位置決め制御することができる。同
様に、トラック７−３に位置決めする時は、電極部２−
３がトラック７−５の両側のピット４ａ，４ｂとの間の
静電容量の変化に従った周波数ｆ１，ｆ２の信号を得る
ことができるから、複合型ヘッドの磁気ヘッド部をトラ
ック７−３の中心に位置決めすることができる。
【００２３】複合型ヘッドに於いて、磁気ディスクの半
径方向に沿って複数の磁気ヘッド部を設けることは、薄
膜ヘッド構成としたとしても、薄膜コイルの幅により困
難であるが、電極部は複数個設けることができるもので
あり、又トラック７−１，７−５，７−９，・・・のピ
ット領域を除いて、総てデータ記録領域として使用でき
るから、例えば、トラック７−２，７−３，７−４は全
周をデータ記録領域とすることができる。従って、高精
度のトラッキング制御を行わせると共に、記憶容量を増
加することができる。
径方向に沿って複数の磁気ヘッド部を設けることは、薄
膜ヘッド構成としたとしても、薄膜コイルの幅により困
難であるが、電極部は複数個設けることができるもので
あり、又トラック７−１，７−５，７−９，・・・のピ
ット領域を除いて、総てデータ記録領域として使用でき
るから、例えば、トラック７−２，７−３，７−４は全
周をデータ記録領域とすることができる。従って、高精
度のトラッキング制御を行わせると共に、記憶容量を増
加することができる。
【００２４】図６は本発明の第６の実施例の説明図であ
り、図５と同一符号は同一部分を示す。この実施例は、
前述の第５の実施例に溝６を形成した場合に相当し、溝
６間に形成されているトラック７−１，７−５，・・・
に於けるクロストークを低減することができる。
り、図５と同一符号は同一部分を示す。この実施例は、
前述の第５の実施例に溝６を形成した場合に相当し、溝
６間に形成されているトラック７−１，７−５，・・・
に於けるクロストークを低減することができる。
【００２５】図７は本発明の第７の実施例の説明図であ
り、図５及び図６と同一符号は同一部分を示す。この実
施例は、前述の第６の実施例に於けるトラック７−３の
両側に連続溝８を形成したものである。この実施例に於
いては、連続溝８はトラッキング制御の為のものではな
く、磁気記録に於ける書き滲みを阻止し、クロストーク
を低減できる利点がある。
り、図５及び図６と同一符号は同一部分を示す。この実
施例は、前述の第６の実施例に於けるトラック７−３の
両側に連続溝８を形成したものである。この実施例に於
いては、連続溝８はトラッキング制御の為のものではな
く、磁気記録に於ける書き滲みを阻止し、クロストーク
を低減できる利点がある。
【００２６】図８は本発明の実施例の製造工程説明図で
あり、（ａ）〜（ｅ）の工程を有する場合を示し、先ず
（ａ）に示すように、Ｎｉ−Ｐメッキ処理のアルミニウ
ムの基板２１上に、厚さ１μｍのフォトレジスト２２を
塗布する。
あり、（ａ）〜（ｅ）の工程を有する場合を示し、先ず
（ａ）に示すように、Ｎｉ−Ｐメッキ処理のアルミニウ
ムの基板２１上に、厚さ１μｍのフォトレジスト２２を
塗布する。
【００２７】次に、（ｂ）に示すように、前述のピット
４ａ，４ｂのパターンを有する露光マスク２３を用い
て、フォトレジスト２２に対して露光し、現像処理によ
りレジストパターンを形成する。例えば、露光マスク２
３の透光部２４はピット４ａ，４ｂ又は溝６，８のパタ
ーンに形成されており、現像処理によりフォトレジスト
２２は、露光マスク２３の遮光部２５のパターンが残存
する。
４ａ，４ｂのパターンを有する露光マスク２３を用い
て、フォトレジスト２２に対して露光し、現像処理によ
りレジストパターンを形成する。例えば、露光マスク２
３の透光部２４はピット４ａ，４ｂ又は溝６，８のパタ
ーンに形成されており、現像処理によりフォトレジスト
２２は、露光マスク２３の遮光部２５のパターンが残存
する。
【００２８】次に、（ｃ）に示すように、露光，現像に
より残存したフォトレジスト２２によるレジストパター
ン２６をマスクとして、イオンミリング法により基板２
１をエッチングする。
より残存したフォトレジスト２２によるレジストパター
ン２６をマスクとして、イオンミリング法により基板２
１をエッチングする。
【００２９】次に、（ｄ）に示すように、レジストマス
クを酸素プラズマ処理により除去すると、ピット４ａ，
４ｂ，溝６，８を形成する凹部２７と、トラックを形成
する凸部２８とが構成される。
クを酸素プラズマ処理により除去すると、ピット４ａ，
４ｂ，溝６，８を形成する凹部２７と、トラックを形成
する凸部２８とが構成される。
【００３０】次に、（ｅ）に示すように、磁性層３０を
形成する。（ｆ）は磁性層３０の構成を拡大して示すも
ので、基板２１上に、例えば、０．３μｍの厚さのＣｒ
の下地層３１を形成し、その上に、０．０５μｍの厚さ
のＣｏＮｉＣｒの記録層３２を形成する。この下地層３
１及び記録層３２は連続スパッタリング法により形成す
ることができる。従って、基板２１の凸部２８に相当す
る領域がトラックとなり、凹部２７に相当する領域がピ
ット領域又は連続溝領域となる。
形成する。（ｆ）は磁性層３０の構成を拡大して示すも
ので、基板２１上に、例えば、０．３μｍの厚さのＣｒ
の下地層３１を形成し、その上に、０．０５μｍの厚さ
のＣｏＮｉＣｒの記録層３２を形成する。この下地層３
１及び記録層３２は連続スパッタリング法により形成す
ることができる。従って、基板２１の凸部２８に相当す
る領域がトラックとなり、凹部２７に相当する領域がピ
ット領域又は連続溝領域となる。
【００３１】ピット４ａ，４ｂ及び溝６，８の深さは、
容量変化に従った周波数成分の信号のＳ／Ｎを大きくす
る為には、複合型ヘッド３の浮上量以上とすることが望
ましく、又クロストーク低減の為には、図８の（ｅ），
（ｆ）に示すように、記録層３２の厚さ以上とすること
が望ましい。又スタンパ法等により基板２１にピット４
ａ，４ｂ及び溝６，８に相当する凹部２７を形成するこ
とも可能であり、又磁性層３０は、蒸着法やメッキ法等
により形成することも可能である。又保護層を設けるこ
ともできる。
容量変化に従った周波数成分の信号のＳ／Ｎを大きくす
る為には、複合型ヘッド３の浮上量以上とすることが望
ましく、又クロストーク低減の為には、図８の（ｅ），
（ｆ）に示すように、記録層３２の厚さ以上とすること
が望ましい。又スタンパ法等により基板２１にピット４
ａ，４ｂ及び溝６，８に相当する凹部２７を形成するこ
とも可能であり、又磁性層３０は、蒸着法やメッキ法等
により形成することも可能である。又保護層を設けるこ
ともできる。
【００３２】又ピット４ａ，４ｂの列は、静電容量検出
による異なる周波数成分の信号を得る為のものであるか
ら、ピット４ａ，４ｂとを同一の大きさとし、ピッチの
みを相違させることもできる。又２種類のパターンのみ
でなく、更に多くのパターンを用いることも可能であ
る。例えば、或るトラックについては静電容量検出によ
る周波数ｆ１，ｆ２の信号が得られ、それに隣接するト
ラックについては周波数ｆ２，ｆ３の信号が得られるよ
うにすることも可能である。この場合、図２に於ける周
波数ｆ１，ｆ２のバンドパスフィルタ１１，１２と、更
に周波数ｆ３のバンドパスフィルタを設け、且つ周波数
ｆ１，ｆ２の信号のレベル比較と共に、周波数ｆ１，ｆ
３の信号のレベル比較及び周波数ｆ２，ｆ３の信号のレ
ベル比較を行う構成を付加することになる。又ピット４
ａ，４ｂ及び溝６，８は、基板２１の凹部２７によって
形成する代わりに、下地層３１や磁性層３２等にフォト
リソグラフィ技術等により形成することもできる。
による異なる周波数成分の信号を得る為のものであるか
ら、ピット４ａ，４ｂとを同一の大きさとし、ピッチの
みを相違させることもできる。又２種類のパターンのみ
でなく、更に多くのパターンを用いることも可能であ
る。例えば、或るトラックについては静電容量検出によ
る周波数ｆ１，ｆ２の信号が得られ、それに隣接するト
ラックについては周波数ｆ２，ｆ３の信号が得られるよ
うにすることも可能である。この場合、図２に於ける周
波数ｆ１，ｆ２のバンドパスフィルタ１１，１２と、更
に周波数ｆ３のバンドパスフィルタを設け、且つ周波数
ｆ１，ｆ２の信号のレベル比較と共に、周波数ｆ１，ｆ
３の信号のレベル比較及び周波数ｆ２，ｆ３の信号のレ
ベル比較を行う構成を付加することになる。又ピット４
ａ，４ｂ及び溝６，８は、基板２１の凹部２７によって
形成する代わりに、下地層３１や磁性層３２等にフォト
リソグラフィ技術等により形成することもできる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、磁気デ
ィスク５の円周上の任意数の個所に、半径方向に隣接す
る案内溝４のピットのパターンが異なるピット領域を形
成したもので、複合型ヘッド３の電極部２と磁気ディス
ク５との間の静電容量検出による周波数ｆ１，ｆ２の信
号が得られることから、外乱に強い高精度のトラッキン
グ制御が可能となり、又セクタサーボ形式と同様に、ピ
ット領域によるトラッキング情報を得る為の領域以外を
データ記録領域とし、良好なエンベロープ波形を得るこ
とができるから、高トラック密度，高線記録密度による
大容量化を図ることができる利点がある。
ィスク５の円周上の任意数の個所に、半径方向に隣接す
る案内溝４のピットのパターンが異なるピット領域を形
成したもので、複合型ヘッド３の電極部２と磁気ディス
ク５との間の静電容量検出による周波数ｆ１，ｆ２の信
号が得られることから、外乱に強い高精度のトラッキン
グ制御が可能となり、又セクタサーボ形式と同様に、ピ
ット領域によるトラッキング情報を得る為の領域以外を
データ記録領域とし、良好なエンベロープ波形を得るこ
とができるから、高トラック密度，高線記録密度による
大容量化を図ることができる利点がある。
【００３４】又ピット領域以外に連続溝領域を形成する
ことにより、高トラッキング精度が得られると共に、ク
ロストークを低減できるから、高トラック密度化するこ
とが容易となる。
ことにより、高トラッキング精度が得られると共に、ク
ロストークを低減できるから、高トラック密度化するこ
とが容易となる。
【００３５】又複合型ヘッド３に複数の電極部を設けた
ことにより、磁気ディスク５に於けるピット領域を複数
トラック毎に設ければ良いことになり、データ記録領域
を多くすることができ、従って、大容量化を図ることが
できる。
ことにより、磁気ディスク５に於けるピット領域を複数
トラック毎に設ければ良いことになり、データ記録領域
を多くすることができ、従って、大容量化を図ることが
できる。
【図１】本発明の第１の実施例の説明図である。
【図２】本発明の第２の実施例の説明図である。
【図３】本発明の第３の実施例の説明図である。
【図４】本発明の第４の実施例の説明図である。
【図５】本発明の第５の実施例の説明図である。
【図６】本発明の第６の実施例の説明図である。
【図７】本発明の第７の実施例の説明図である。
【図８】本発明の実施例の製造工程説明図である。
【図９】従来例の説明図である。
【図１０】従来例の説明図である。
１ 磁気ヘッド部 ２ 電極部 ３ 複合型ヘッド ４ 案内溝 ４ａ ピット ４ｂ ピット ５ 磁気ディスク ６ 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 溝下 義文 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 山田 朋良 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−269285（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−3582（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−301018（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/596 G11B 21/10
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気記録再生用の磁気ヘッド部と静電容
量検出用の電極部とを一体的に構成した複合型ヘッド
と、複数のピットからなる案内溝を有する磁気ディスク
とを備え、前記複合型ヘッドの電極部と、前記磁気ディ
スクとの間の静電容量を検出して前記複合型ヘッドのト
ラッキング制御を行う磁気ディスク装置に於いて、 前記案内溝は、前記磁気ディスクの円周上の任意数の個
所に形成され、且つ半径方向に隣接するピットパターン
形状が異なるピット領域と、該ピット領域間に連続した
溝が形成された連続溝領域とからなることを特徴とする
磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 前記磁気ディスクの円周を複数のセクタ
に分割し、該セクタの一部に前記案内溝のピット領域を
形成したことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク
装置。 - 【請求項３】 前記複合型ヘッドの前記電極部を、前記
磁気ディスクの半径方向に沿って複数の記録トラック対
応に設け、前記磁気ディスクの前記案内溝の前記ピット
領域を、前記電極部の個数の記録トラック毎に形成した
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ディスク装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03065286A JP3108814B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03065286A JP3108814B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278216A JPH04278216A (ja) | 1992-10-02 |
| JP3108814B2 true JP3108814B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=13282540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03065286A Expired - Fee Related JP3108814B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3108814B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8509849B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for displaying operating state of multi-standby terminal |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872676A (en) * | 1996-01-02 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for positioning a dual element magnetoresistive head using thermal signals |
| US6118632A (en) * | 1997-02-12 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic disk stack having laser-bump identifiers on magnetic disks |
| US6657809B2 (en) * | 2001-01-29 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for positioning a transducer using a phase difference in surface profile variations on a storage medium |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP03065286A patent/JP3108814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8509849B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for displaying operating state of multi-standby terminal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04278216A (ja) | 1992-10-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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