JP3096355B2 - Ｍｓ／ｍｓ装置 - Google Patents
Ｍｓ／ｍｓ装置Info
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- JP3096355B2 JP3096355B2 JP04143170A JP14317092A JP3096355B2 JP 3096355 B2 JP3096355 B2 JP 3096355B2 JP 04143170 A JP04143170 A JP 04143170A JP 14317092 A JP14317092 A JP 14317092A JP 3096355 B2 JP3096355 B2 JP 3096355B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２台の質量分析装置を
縦続接続した所謂ＭＳ／ＭＳ装置に関するものである。
縦続接続した所謂ＭＳ／ＭＳ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＳ／ＭＳ装置は、複雑な構造を持つ物
質の分子構造解析を行う上で極めて有用な装置である。
このＭＳ／ＭＳ装置では、第１の質量分析装置（ＭＳ−
１）において特定の質量を持つイオンのみを選択的に取
出し、取出した親イオンを例えばガス分子と衝突させて
解離させ、派生した娘イオンを第２の質量分析装置（Ｍ
Ｓ−２）に導入して質量分析することによって、イオン
源内に存在する物質を分析する。
質の分子構造解析を行う上で極めて有用な装置である。
このＭＳ／ＭＳ装置では、第１の質量分析装置（ＭＳ−
１）において特定の質量を持つイオンのみを選択的に取
出し、取出した親イオンを例えばガス分子と衝突させて
解離させ、派生した娘イオンを第２の質量分析装置（Ｍ
Ｓ−２）に導入して質量分析することによって、イオン
源内に存在する物質を分析する。
【０００３】この娘イオンを高い分解能で分析するため
には、ＭＳ−２として二重収束質量分析装置を用いるこ
とが必要であり、現在、扇形電場と扇形磁場を組み合わ
せた二重収束質量分析装置をＭＳ−１及びＭＳ−２とし
て使用する大型のＭＳ／ＭＳ装置が実用化されている。
には、ＭＳ−２として二重収束質量分析装置を用いるこ
とが必要であり、現在、扇形電場と扇形磁場を組み合わ
せた二重収束質量分析装置をＭＳ−１及びＭＳ−２とし
て使用する大型のＭＳ／ＭＳ装置が実用化されている。
【０００４】この実用化されているＭＳ／ＭＳ装置で
は、通常、ＭＳ−１で注目する親イオンのみを継続的に
取り出し、ＭＳ−２を掃引することによりその親イオン
から派生する娘イオンのスペクトルを取得する分析法が
用いられる。
は、通常、ＭＳ−１で注目する親イオンのみを継続的に
取り出し、ＭＳ−２を掃引することによりその親イオン
から派生する娘イオンのスペクトルを取得する分析法が
用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】娘イオンスペクトルも
もちろん有用であるが、ある特定質量の娘イオンを派生
するすべての親イオンがわかれば分析上非常に有用な場
合が多い。この様な言わば親イオンスペクトルを取得す
るために、ＭＳ−１とＭＳ−２の磁場強度を連動して掃
引することが試みられているが、２つの磁場を精度良く
連動させて掃引することは極めて困難であり、従来必ず
しも良い結果が得られていない。
もちろん有用であるが、ある特定質量の娘イオンを派生
するすべての親イオンがわかれば分析上非常に有用な場
合が多い。この様な言わば親イオンスペクトルを取得す
るために、ＭＳ−１とＭＳ−２の磁場強度を連動して掃
引することが試みられているが、２つの磁場を精度良く
連動させて掃引することは極めて困難であり、従来必ず
しも良い結果が得られていない。
【０００６】本発明は、上述した点に鑑みてなされたも
のであり、２つの磁場強度を連動して掃引することなし
に親イオンスペクトルを求めることの出来るＭＳ／ＭＳ
装置を提供することを目的としている。
のであり、２つの磁場強度を連動して掃引することなし
に親イオンスペクトルを求めることの出来るＭＳ／ＭＳ
装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、イオン源と、該イオン源からの被分析イ
オンが導入される電場及び磁場から構成される第１の質
量分析系と、該第１の質量分析系を通過したイオンが入
射するイオン解離手段と、解離により生成されたイオン
が導入される電場及び磁場から構成される第２の質量分
析系と、該第２の質量分析系を出射したイオンを検出す
るためのイオン検出器とを備えたＭＳ／ＭＳ装置におい
て、前記イオン源で生成されるイオンの運動エネルギ
ー、前記第１の質量分析系の電場強度及び磁場強度をそ
れぞれの比を一定に維持しつつ掃引する掃引手段を設け
たことを特徴としている。
め、本発明は、イオン源と、該イオン源からの被分析イ
オンが導入される電場及び磁場から構成される第１の質
量分析系と、該第１の質量分析系を通過したイオンが入
射するイオン解離手段と、解離により生成されたイオン
が導入される電場及び磁場から構成される第２の質量分
析系と、該第２の質量分析系を出射したイオンを検出す
るためのイオン検出器とを備えたＭＳ／ＭＳ装置におい
て、前記イオン源で生成されるイオンの運動エネルギ
ー、前記第１の質量分析系の電場強度及び磁場強度をそ
れぞれの比を一定に維持しつつ掃引する掃引手段を設け
たことを特徴としている。
【０００８】
【作用】イオン源で生成されるイオンの運動エネルギ
ー、前記第１の質量分析系の電場強度及び磁場強度をそ
れぞれの比を一定に維持しつつ掃引する掃引手段を設け
たことにより親イオンスペクトルを取得することができ
る。
ー、前記第１の質量分析系の電場強度及び磁場強度をそ
れぞれの比を一定に維持しつつ掃引する掃引手段を設け
たことにより親イオンスペクトルを取得することができ
る。
【０００９】以下、図面を用いて本発明の一実施例を詳
説する。
説する。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示すイオン光学図
である。図１において第１の質量分析装置ＭＳ−１とし
ては、イオン源１、主スリット２、扇形電場３、扇形磁
場４、コレクタスリット５から構成される通常の掃引型
二重収束質量分析装置が用いられ、その後方に衝突室６
及び第２の質量分析装置ＭＳ−２が配置される。ＭＳ−
２としては、スリット７，扇形電場８，スリット９，扇
形磁場１０，イオン検出器１１から構成される二重収束
質量分析装置が用いられる。１２は掃引信号を発生する
掃引回路で、掃引信号は、掃引制御回路１４へ送られ
る。掃引制御回路１４は、掃引信号に基づいてイオン加
速電源１３，電場電源１５及び磁場電源１６を制御す
る。１７はコレクタスリット５と衝突室６の間のイオン
通路に配置されるＭＳ−１用のイオン検出器で、イオン
通路を挟んで対向配置される変換ダイノードＣＤと電子
増倍管ＥＭから構成される。そして、変換ダイノードＣ
Ｄに高電圧を印加することにより、イオン通路を通るイ
オンをダイノードに向けて加速衝突させ、派生する２次
荷電粒子を電子像倍管ＥＭに導入して検出することがで
きる。また、変換ダイノードに電圧を印加しなければ、
イオンはそのまま通過して衝突室６へ到達し、ＭＳ／Ｍ
Ｓ装置としての測定ができる。
である。図１において第１の質量分析装置ＭＳ−１とし
ては、イオン源１、主スリット２、扇形電場３、扇形磁
場４、コレクタスリット５から構成される通常の掃引型
二重収束質量分析装置が用いられ、その後方に衝突室６
及び第２の質量分析装置ＭＳ−２が配置される。ＭＳ−
２としては、スリット７，扇形電場８，スリット９，扇
形磁場１０，イオン検出器１１から構成される二重収束
質量分析装置が用いられる。１２は掃引信号を発生する
掃引回路で、掃引信号は、掃引制御回路１４へ送られ
る。掃引制御回路１４は、掃引信号に基づいてイオン加
速電源１３，電場電源１５及び磁場電源１６を制御す
る。１７はコレクタスリット５と衝突室６の間のイオン
通路に配置されるＭＳ−１用のイオン検出器で、イオン
通路を挟んで対向配置される変換ダイノードＣＤと電子
増倍管ＥＭから構成される。そして、変換ダイノードＣ
Ｄに高電圧を印加することにより、イオン通路を通るイ
オンをダイノードに向けて加速衝突させ、派生する２次
荷電粒子を電子像倍管ＥＭに導入して検出することがで
きる。また、変換ダイノードに電圧を印加しなければ、
イオンはそのまま通過して衝突室６へ到達し、ＭＳ／Ｍ
Ｓ装置としての測定ができる。
【００１１】上記構成において、イオン源１で生成され
イオン加速電源１３から発生するイオン加速電圧により
等しいエネルギーが与えられたイオンは、扇形電場３及
び扇形磁場４を通過し、この扇形電場３及び線形磁場４
から構成される二重収束質量分析系の二重収束点に配置
されるコレクタスリット５上にマススペクトルとして展
開収束される。掃引制御回路１４により磁場４の強度を
掃引すると、このマススペクトルがコレクタスリット上
を移動するため、前記イオン検出器１７を用いることに
より、ＭＳ−１によるマススペクトルを取得することが
できる。このスペクトルに基づいて磁場強度を適宜選ぶ
ことにより、スペクトル中の所望のイオンがコレクタス
リットを通過するようにＭＳ−１を設定することができ
る。
イオン加速電源１３から発生するイオン加速電圧により
等しいエネルギーが与えられたイオンは、扇形電場３及
び扇形磁場４を通過し、この扇形電場３及び線形磁場４
から構成される二重収束質量分析系の二重収束点に配置
されるコレクタスリット５上にマススペクトルとして展
開収束される。掃引制御回路１４により磁場４の強度を
掃引すると、このマススペクトルがコレクタスリット上
を移動するため、前記イオン検出器１７を用いることに
より、ＭＳ−１によるマススペクトルを取得することが
できる。このスペクトルに基づいて磁場強度を適宜選ぶ
ことにより、スペクトル中の所望のイオンがコレクタス
リットを通過するようにＭＳ−１を設定することができ
る。
【００１２】このようにしてＭＳ−１で選ばれた特定イ
オンすなわち親イオンは、衝突室６へ入射し、衝突室内
のガス分子と衝突する。このガス分子との衝突解離によ
り発生した娘イオンは、スリット９を介してＭＳ−２へ
導入され、ＭＳ−２の電場８及び磁場１０を通過した娘
イオンは、イオン検出器１１へ到達して検出される。こ
の状態で、磁場１０の強度を掃引すれば、イオン検出器
１１へ到達する娘イオンの質量電荷比を掃引することが
でき、その結果、前述した娘イオンスペクトルを取得す
ることができる。
オンすなわち親イオンは、衝突室６へ入射し、衝突室内
のガス分子と衝突する。このガス分子との衝突解離によ
り発生した娘イオンは、スリット９を介してＭＳ−２へ
導入され、ＭＳ−２の電場８及び磁場１０を通過した娘
イオンは、イオン検出器１１へ到達して検出される。こ
の状態で、磁場１０の強度を掃引すれば、イオン検出器
１１へ到達する娘イオンの質量電荷比を掃引することが
でき、その結果、前述した娘イオンスペクトルを取得す
ることができる。
【００１３】こうして得られた娘イオンスペクトル中に
例えば質量１００のピークが存在し、この質量電荷比１
００の娘イオンを派生するすべての親イオンを知りたい
場合、まず、ＭＳ−２の電場８，磁場１０の強度Ｅd ，
Ｂd は所定値に固定された状態で、イオン加速電圧Ｖa
，ＭＳ−１の電場強度Ｅp ，磁場強度Ｂp が、掃引制
御回路１４によって連動して掃引される。この掃引中、
三者の強度比は常に一定に維持される。
例えば質量１００のピークが存在し、この質量電荷比１
００の娘イオンを派生するすべての親イオンを知りたい
場合、まず、ＭＳ−２の電場８，磁場１０の強度Ｅd ，
Ｂd は所定値に固定された状態で、イオン加速電圧Ｖa
，ＭＳ−１の電場強度Ｅp ，磁場強度Ｂp が、掃引制
御回路１４によって連動して掃引される。この掃引中、
三者の強度比は常に一定に維持される。
【００１４】このような掃引により親イオンスペクトル
が得られることを以下に説明する。一般に、二重収束質
量分析装置において、加速電圧Ｖa で加速された質量Ｍ
のイオンが中心軌道を通って二重収束点に達するために
は、（１），（２）式が成立することが必要であり、Ｍ
Ｓ−１，ＭＳ−２についても当然（１），（２）式が成
立する。
が得られることを以下に説明する。一般に、二重収束質
量分析装置において、加速電圧Ｖa で加速された質量Ｍ
のイオンが中心軌道を通って二重収束点に達するために
は、（１），（２）式が成立することが必要であり、Ｍ
Ｓ−１，ＭＳ−２についても当然（１），（２）式が成
立する。
【００１５】Ｍ・Ｖa ＝α・Ｂ2 …（１） Ｅ＝β・Ｖa …（２） （１），（２）式において、Ｅ，Ｂは二重収束質量分析
装置を構成する電場と磁場の強度であり、α，βは装置
固有の定数である。
装置を構成する電場と磁場の強度であり、α，βは装置
固有の定数である。
【００１６】いま、ＭＳ−１で選択される親イオンの質
量をＭp 、ＭＳ−２で検出される娘イオンの質量をＭd
、イオン加速電圧をＶa 、ＭＳ−１の電場強度（電場
電圧）をＥp 、磁場強度をＢp 、ＭＳ−２の電場強度
（電場電圧）をＥd 、磁場強度をＢd 、ＭＳ−１の装置
定数をα1 ，β1 、ＭＳ−２の装置定数をα2 ，β2 と
すると、（１），（２）式にしたがって下式が成立す
る。
量をＭp 、ＭＳ−２で検出される娘イオンの質量をＭd
、イオン加速電圧をＶa 、ＭＳ−１の電場強度（電場
電圧）をＥp 、磁場強度をＢp 、ＭＳ−２の電場強度
（電場電圧）をＥd 、磁場強度をＢd 、ＭＳ−１の装置
定数をα1 ，β1 、ＭＳ−２の装置定数をα2 ，β2 と
すると、（１），（２）式にしたがって下式が成立す
る。
【００１７】 Ｍp ・Ｖa ＝α1 ・Ｂp 2 …（１．１） Ｅp ＝β1 ・Ｖa …（２．１） Ｍd （Ｍd ／Ｍp ）Ｖa ＝α2 ・Ｂd 2 …（１．２） Ｅd ＝β2 （Ｍd ／Ｍp ）Ｖa …（２．２） （１．１）式及び（１．２）式からＭp を消去すると、
下式が得られる。 Ｋ・Ｂd ／Ｍd ＝Ｖa ／Ｂp …（３） （３）式においてＫは、（α1 ・α2 ）1/2 で与えられ
る定数である。
下式が得られる。 Ｋ・Ｂd ／Ｍd ＝Ｖa ／Ｂp …（３） （３）式においてＫは、（α1 ・α2 ）1/2 で与えられ
る定数である。
【００１８】ＭＳ−２の磁場強度Ｂd をＢdoに固定し、
且つ常に一定の娘イオンを検出するために娘イオンの質
量Ｍd をＭdo一定とした場合、（３）式は（３´）式と
なって左辺が一定となる。 Ｋ・Ｂdo／Ｍdo＝Ｖa ／Ｂp …（３´） この（３´）式を満足させるようにイオン加速電圧Ｖa
及びＭＳ−１の磁場強度Ｂp を連動して掃引すれば、Ｍ
Ｓ−１の磁場４を通りコレクタスリット５を通過した親
イオンから派生した一定質量Ｍdoの娘イオンは、強度Ｂ
doに固定されたＭＳ−２の磁場１０を通ってイオン検出
器１１へ到達することができる。
且つ常に一定の娘イオンを検出するために娘イオンの質
量Ｍd をＭdo一定とした場合、（３）式は（３´）式と
なって左辺が一定となる。 Ｋ・Ｂdo／Ｍdo＝Ｖa ／Ｂp …（３´） この（３´）式を満足させるようにイオン加速電圧Ｖa
及びＭＳ−１の磁場強度Ｂp を連動して掃引すれば、Ｍ
Ｓ−１の磁場４を通りコレクタスリット５を通過した親
イオンから派生した一定質量Ｍdoの娘イオンは、強度Ｂ
doに固定されたＭＳ−２の磁場１０を通ってイオン検出
器１１へ到達することができる。
【００１９】それと同時に、（２．１）式および（２．
２）式が成立するようにすれば、親イオンは電場３をも
通過でき、娘イオンは電場８をも通過できる。その結
果、コレクタスリットに到達する親イオンの質量Ｍp が
（１．１）式にしたがって掃引され、且つ、その親イオ
ンから派生した質量Ｍdoの娘イオンはＭＳ−２の電場及
び磁場を通過してイオン検出器１１へ到達することがで
き、イオン検出器１１からは、一定質量Ｍdoを派生する
すべての親イオンを示す親イオンスペクトル信号が得ら
れる。
２）式が成立するようにすれば、親イオンは電場３をも
通過でき、娘イオンは電場８をも通過できる。その結
果、コレクタスリットに到達する親イオンの質量Ｍp が
（１．１）式にしたがって掃引され、且つ、その親イオ
ンから派生した質量Ｍdoの娘イオンはＭＳ−２の電場及
び磁場を通過してイオン検出器１１へ到達することがで
き、イオン検出器１１からは、一定質量Ｍdoを派生する
すべての親イオンを示す親イオンスペクトル信号が得ら
れる。
【００２０】上記（２．１）式を成立させるためには、
（３´）式を成立させつつ行なわれるＶa （及びＢp ）
の掃引に連動して、Ｖa とＥp の比が一定値（β1 ）に
なるように電場３を発生させる電場電圧Ｅp を掃引すれ
ば良い。また、（２．２）式は下記に示すようにＶa ／
Ｍp が一定となるため、Ｅd は（２．２）式で決まる一
定値に維持されれば良い。
（３´）式を成立させつつ行なわれるＶa （及びＢp ）
の掃引に連動して、Ｖa とＥp の比が一定値（β1 ）に
なるように電場３を発生させる電場電圧Ｅp を掃引すれ
ば良い。また、（２．２）式は下記に示すようにＶa ／
Ｍp が一定となるため、Ｅd は（２．２）式で決まる一
定値に維持されれば良い。
【００２１】即ち、（３´）式から Ｂp ＝（Ｍdo／Ｋ・Ｂdo）Ｖa が得られ、これを（２．１）式に代入しＢp を消去する
と、 Ｍp ・Ｖa ＝α1 （Ｍdo／Ｋ・Ｂdo）2 Ｖa 2 が得られる。これを整理すれば、 Ｖa ／Ｍp ＝１／α1 （Ｍdo／Ｋ・Ｂdo）2 ＝const となる。
と、 Ｍp ・Ｖa ＝α1 （Ｍdo／Ｋ・Ｂdo）2 Ｖa 2 が得られる。これを整理すれば、 Ｖa ／Ｍp ＝１／α1 （Ｍdo／Ｋ・Ｂdo）2 ＝const となる。
【００２２】以上を整理すれば、ＭＳ−２の電場，磁場
の強度Ｅd ，Ｂd は所定値に固定で、イオン加速電圧Ｖ
a 及びＭＳ−１の磁場強度Ｂp ，電場強度Ｅp を互いの
比が一定になるような関係を維持しつつ掃引することに
より、親イオンスペクトルを得ることができる。
の強度Ｅd ，Ｂd は所定値に固定で、イオン加速電圧Ｖ
a 及びＭＳ−１の磁場強度Ｂp ，電場強度Ｅp を互いの
比が一定になるような関係を維持しつつ掃引することに
より、親イオンスペクトルを得ることができる。
【００２３】実際の掃引は、掃引回路１２及び掃引制御
回路１４によって行われる。いま、ＭＳ−１によってあ
る質量Ｍpkの親イオンを継続的に選択し、この親イオン
から注目する質量１００の娘イオンが派生し、この質量
１００の娘イオンがＭＳ−２の電場及び磁場を通過して
イオン検出器１１に到達して検出されているものとす
る。この時のＭＳ−２の電場強度Ｅd ，磁場強度Ｂd が
それぞれＥd100，Ｂd100であり、イオン加速電圧Ｖa が
Ｖak，ＭＳ−１の電場強度Ｅp 及び磁場強度Ｂpがそれ
ぞれＥpk，Ｂpkであったとする。
回路１４によって行われる。いま、ＭＳ−１によってあ
る質量Ｍpkの親イオンを継続的に選択し、この親イオン
から注目する質量１００の娘イオンが派生し、この質量
１００の娘イオンがＭＳ−２の電場及び磁場を通過して
イオン検出器１１に到達して検出されているものとす
る。この時のＭＳ−２の電場強度Ｅd ，磁場強度Ｂd が
それぞれＥd100，Ｂd100であり、イオン加速電圧Ｖa が
Ｖak，ＭＳ−１の電場強度Ｅp 及び磁場強度Ｂpがそれ
ぞれＥpk，Ｂpkであったとする。
【００２４】ここで、質量１００の娘イオンを派生する
すべての親イオンを求める親イオンスペクトルの測定が
指令され、掃引回路１２から鋸歯状掃引信号が掃引制御
回路１４に送られると、掃引制御回路１４は、Ｖa ：Ｅ
p ：Ｂp ＝Ｖak：Ｅpk：Ｂpkの関係を保ちながら、Ｖa
，Ｅp ，Ｂp の三者を例えば増大させる方向に連動し
て掃引する。掃引に伴い、Ｍpkから始まってより高質量
の親イオンがＭＳ−１によって次々に選択されて衝突室
６に入射し、その親イオンから質量１００の娘イオンが
派生した場合には、派生した質量１００の娘イオンのみ
が電場強度，磁場強度がそれぞれＥd100，Ｂd100に一定
に維持されたＭＳ−２を通過してイオン検出器１１へ到
達して検出され、検出器１１からは、質量１００の娘イ
オンを派生するすべての親イオン（質量Ｍpkより高質量
側）を示す親イオンスペクトル信号が得られる。
すべての親イオンを求める親イオンスペクトルの測定が
指令され、掃引回路１２から鋸歯状掃引信号が掃引制御
回路１４に送られると、掃引制御回路１４は、Ｖa ：Ｅ
p ：Ｂp ＝Ｖak：Ｅpk：Ｂpkの関係を保ちながら、Ｖa
，Ｅp ，Ｂp の三者を例えば増大させる方向に連動し
て掃引する。掃引に伴い、Ｍpkから始まってより高質量
の親イオンがＭＳ−１によって次々に選択されて衝突室
６に入射し、その親イオンから質量１００の娘イオンが
派生した場合には、派生した質量１００の娘イオンのみ
が電場強度，磁場強度がそれぞれＥd100，Ｂd100に一定
に維持されたＭＳ−２を通過してイオン検出器１１へ到
達して検出され、検出器１１からは、質量１００の娘イ
オンを派生するすべての親イオン（質量Ｍpkより高質量
側）を示す親イオンスペクトル信号が得られる。
【００２５】なお、減少させる方向に掃引を行えば、Ｍ
pkよりも低質量側についての親イオンスペクトル信号を
取得できる。また、掃引をＭpkから始める必要は必ずし
もなく、任意の質量から始めても良い。
pkよりも低質量側についての親イオンスペクトル信号を
取得できる。また、掃引をＭpkから始める必要は必ずし
もなく、任意の質量から始めても良い。
【００２６】本発明は上記実施例に限らず変形が可能で
あり、例えば、ＭＳ−１とＭＳ−２は、二重収束質量分
析装置であれば扇形場がいくつあっても良く、その他に
補正用のレンズなどがあってもかまわない。また、掃引
回路及び掃引制御回路は、アナログ回路で構成しても良
いし、コンピュータ制御でデジタル的に掃引するように
しても良い。
あり、例えば、ＭＳ−１とＭＳ−２は、二重収束質量分
析装置であれば扇形場がいくつあっても良く、その他に
補正用のレンズなどがあってもかまわない。また、掃引
回路及び掃引制御回路は、アナログ回路で構成しても良
いし、コンピュータ制御でデジタル的に掃引するように
しても良い。
【００２７】さらに、上記実施例は衝突室６を接地電位
で使用する場合について説明したが、衝突室にある電位
Ｖc （Ｖc ＝μ・Ｖa ）を印加して使用する場合には、
（１．２）式は、次式のように変形される。
で使用する場合について説明したが、衝突室にある電位
Ｖc （Ｖc ＝μ・Ｖa ）を印加して使用する場合には、
（１．２）式は、次式のように変形される。
【００２８】 ｛（１−μ）Ｍd 2 ＋μ・Ｍd ・Ｍp ｝Ｖa ＝α2 ・Ｍp ・Ｂd 2 …（１．３） この（１．３）式と（１．１）式より、 （１−μ）Ｖa 2 ・Ｍd 2 ＋μ・Ｍd ・α1 ・Ｖa ・Ｂp 2 −α1 ・α2 ・Ｂp 2 ・Ｂd 2 ＝０ …（４） が得られる。（４）式のうちＶa とＢp 以外は固定なの
で、Ｖa とＢp を（４）式が常に満足されるように掃引
すれば良い。Ｅp も（１．２）式に従ってＶa と共に掃
引する必要があることは言うまでもない。
で、Ｖa とＢp を（４）式が常に満足されるように掃引
すれば良い。Ｅp も（１．２）式に従ってＶa と共に掃
引する必要があることは言うまでもない。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述したごとく、本発明によれば、
ＭＳ−２の電場及び磁場強度を固定した状態でイオン加
速電圧，ＭＳ−１の電場及び磁場強度をそれぞれの比を
一定に維持しつつ掃引する手段を設けることにより親イ
オンスペクトルを取得できる。磁場の掃引と電圧の掃引
を連動させることは、ＭＳ−１とＭＳ−２の磁場を連動
して掃引することに比べ容易に精度良くできるため、実
用性の高いＭＳ／ＭＳ装置が提供される。
ＭＳ−２の電場及び磁場強度を固定した状態でイオン加
速電圧，ＭＳ−１の電場及び磁場強度をそれぞれの比を
一定に維持しつつ掃引する手段を設けることにより親イ
オンスペクトルを取得できる。磁場の掃引と電圧の掃引
を連動させることは、ＭＳ−１とＭＳ−２の磁場を連動
して掃引することに比べ容易に精度良くできるため、実
用性の高いＭＳ／ＭＳ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
１ イオン源 ３，８ 扇形電場 ４，１０ 扇形磁場 ５ コレクタスリット ６ 衝突室 ７，９ スリット １１ イオン検出器 １２ 掃引回路 １３ イオン加速電源 １４ 掃引制御回路 １５ 電場電源 １６ 磁場電源
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン源と、該イオン源からの被分析イ
オンが導入される電場及び磁場から構成される第１の質
量分析系と、該第１の質量分析系を通過したイオンが入
射するイオン解離手段と、解離により生成されたイオン
が導入される電場及び磁場から構成される第２の質量分
析系と、該第２の質量分析系を出射したイオンを検出す
るためのイオン検出器とを備えたＭＳ／ＭＳ装置におい
て、前記イオン源で生成されるイオンの運動エネルギ
ー、前記第１の質量分析系の電場強度及び磁場強度をそ
れぞれの比を一定に維持しつつ掃引する掃引手段を設け
たことを特徴とするＭＳ／ＭＳ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04143170A JP3096355B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | Ｍｓ／ｍｓ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04143170A JP3096355B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | Ｍｓ／ｍｓ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314947A JPH05314947A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3096355B2 true JP3096355B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=15332547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04143170A Expired - Fee Related JP3096355B2 (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | Ｍｓ／ｍｓ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3096355B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP04143170A patent/JP3096355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05314947A (ja) | 1993-11-26 |
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