JP3093198B2 - Wafer holder for vertical CVD equipment - Google Patents

Wafer holder for vertical CVD equipment

Info

Publication number
JP3093198B2
JP3093198B2 JP12152199A JP12152199A JP3093198B2 JP 3093198 B2 JP3093198 B2 JP 3093198B2 JP 12152199 A JP12152199 A JP 12152199A JP 12152199 A JP12152199 A JP 12152199A JP 3093198 B2 JP3093198 B2 JP 3093198B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafer holder
holder
flat surface
vertical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP12152199A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000003952A (en
Inventor
博信 宮
昭生 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP12152199A priority Critical patent/JP3093198B2/en
Publication of JP2000003952A publication Critical patent/JP2000003952A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3093198B2 publication Critical patent/JP3093198B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、縦型CVD装置を用い
てウェーハ表面に低温酸化膜(LTO膜)あるいはリン
ドープ低温酸化膜等のCVD膜の生成等のウェーハ処理
を行う際に用いる縦型CVD装置用ウェーハホルダに関
する。 【0002】 【従来の技術】従来、ウェーハの表面にポリシリコン
膜、窒化膜などのCVD膜を生成する場合には、直接、
石英製ウェーハボート5上にウェーハ2を装填して行わ
れるが、SiH4 とO2 を用いたLTO膜(生成温度3
00〜400℃)やPSG膜(LTO膜にリンをドープ
した膜)、あるいはSiH4 とN2 Oを用いる高温酸化
膜(HTO膜、生成温度700〜850℃)、リンドー
プポリシリコン膜などの生成においては、ボートに保持
される石英製のウェーハホルダが用いられており、図4
に示したように、ウェーハホルダ16の上にウェーハ2
の裏面が密着して載置されて、膜生成が行われる。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ウェーハホルダ16にあっては、ウェーハホルダ16上
にウェーハ2の裏面が密着しているために、ウェーハ2
をウェーハホルダ16に装着あるいは脱着する時に、自
動搬送を行うのは困難であるという問題がある。また、
ウェーハ2がウェーハホルダ16上を自由に移動できる
ので、ウェーハホルダ16が移動する際に、ウェーハが
脱落することがあるという問題がある。 【0004】本願発明はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、自動搬送に適したウェーハホルダを提供すること
を目的とする。 【0005】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のウェーハホルダは、平坦面を持つウェーハ
ホルダ本体と、保持するウェーハ外周に沿って前記ウェ
ーハホルダ本体の平坦面上に設けられウェーハが載置さ
れると共に載置されたウェーハの周面に当接可能な複数
個のつめと、を備え、該複数のつめによって、保持され
たウェーハをウェーハホルダ本体の平坦面から浮かし
て、ウェーハとウェーハホルダ本体の平坦面との間にウ
ェーハ搬送アームが挿入可能な隙間を形成することを特
徴とする。 【0006】また、各つめには段差部が設けられ、該段
差部が、ウェーハの裏面と接触する略平坦な平坦面と、
ウェーハの横方向の移動を制限する移動制限面とを有
し、該段差部が載置されるウェーハの中心側を向くよう
にすることができる。 【0007】 【作用】未処理ウェーハを搬送するウェーハ搬送アーム
が、ウェーハホルダの上方から下降して、つめにウェー
ハを接触させた後、さらに下降して、ウェーハとウェー
ハホルダ本体の平坦面との間の隙間から脱出すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となく、ウェーハをつめに載置することができる。ま
た、ウェーハホルダ上に保持された処理済みウェーハに
対して、ウェーハ搬送アームがウェーハとウェーハホル
ダ本体の平坦面との間の隙間に挿入して、上昇すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となく、ウェーハをウェーハホルダから取り出して搬送
することができる。 【0008】また、移動制限面によってウェーハの移動
を制限することで、ウェーハホルダが移動する際に、保
持されるウェーハが傾いたり脱落するのを防止し、安定
にウェーハを保持することができる。 【0009】 【実施例】図1は、本発明ウェーハホルダの1実施例を
示す斜視図である。この実施例では、ウェーハホルダ6
は、ウェーハホルダ本体6aとつめ7からなり、平坦面
を持つウェーハホルダ本体6aの上には、保持するウェ
ーハ2の外周に沿って複数個(本例では4個)のつめ7
が設けられている。各つめ7には、ウェーハホルダ本体
6aよりも上方にあってウェーハ2が載置される段差部
7aが形成されている。段差部7aは、ウェーハ2の裏
面と接触する略平坦な平坦面7bと、平坦面7bと直交
しウェーハ2の周面に当接可能な移動制限面7cとを有
しており、この平坦面7bと移動制限面7cからなる段
差部7aは、載置されるウェーハ2の中心側を向いてい
る。段差部7aによってウェーハ2をウェーハホルダ本
体6a平坦面より例えば4mm程度浮かすことにより、
ウェーハ2をウェーハホルダ6に装着あるいは脱着する
時にはウェーハ2とウェーハホルダ本体6aとの間にウ
ェーハ立替機3のウェーハ搬送アーム4の真空吸着部4
aを挿入して、ウェーハ2の裏面を吸着して移動を行う
ことができるようになっている。また、複数の移動制限
面7cがウェーハ2の周面の回りに間隔をおいて配置さ
れるので、これらの移動制限面7cによってウェーハホ
ルダ6上でのウェーハ2の横方向の移動が制限されてい
る。 【0010】図2は、縦型CVD装置のウェーハ搬送機
構の1例を示す斜視図である。ウェーハホルダ6は、縦
型石英製ウェーハボート5上に約1.1度の角度をもっ
て保持されており、複数のつめ7がウェーハ2を下方か
ら支持することで、ウェーハ2の脱落を阻止し、また、
ウェーハボート5を回転または昇降させた時にウェーハ
2が動かないようにすることができる。 【0011】未処理のウェーハ2が納められたカセット
1は、カセットエレベータ8に載置されており、ウェー
ハ立替機3の伸縮及び上下機構を持ったウェーハ搬送ア
ーム4の真空吸着部4a(図3参照)によって、カセッ
ト1からウェーハ2が吸着されて取り出される。次い
で、ウェーハ立替機3のウェーハ搬送アーム4が、取り
出されたウェーハ2を90度回転してボート5上に保持
されたウェーハホルダ6上に搬送する。ウェーハホルダ
6上方にウェーハ2がくるとウェーハ搬送アーム4は下
降してウェーハ2をウェーハホルダ6のつめ7の段差部
7a上に密着させる。同時に真空吸着部4aによる吸着
が解除されてウェーハ2は段差部7a上に載せられる。
ウェーハ搬送アーム4は更に下降し、次いで縮まり、ウ
ェーハ2とウェーハホルダ本体6aとの間の隙間から脱
出し、次のウェーハ2の搬送の準備をする。 【0012】ウェーハ搬送アーム4の厚みが2mm程度
であるため、ウェーハ2とウェーハホルダ本体6aとの
間の隙間は前記のように4mm位とすれば、ウェーハ2
のウェーハホルダ6への装着または脱着の際にウェーハ
搬送アーム4が十分、該隙間内を上下動することができ
る。昇降機構10によってボート5が昇降し、所定数の
ウェーハ2がボート5に移載されると、ボート移し替え
機構9によって膜生成処理済みのウェーハを載置したボ
ート5と未処理ウェーハを載置したボート5とを移し替
え、未処理ウェーハを載置したボート5を昇降機構11
により反応管12内に下方から入れて、ガスインレット
13より反応ガスを供給して反応管12内でウェーハ表
面にCVD膜を生成する。 【0013】また、膜生成処理が終了すると、上記と逆
の手順でウェーハ2をカセット1に搬送する。以上のよ
うな手順でウェーハ2の自動搬送を行うことができる。
ウェーハホルダ本体6a上につめ7が設けられているた
め、当該ウェーハホルダ6を用いて後記表1の生成条件
下においてLTO膜を生成した場合には、後記表2のN
o.2に示すようにウェーハ周辺部の膜厚が厚くなり、ウ
ェーハ周辺5mm部分の膜厚均一性は±10%を越えて
しまい全体の膜厚均一性は±4〜8%になる。後記表2
のNo.1に示すように、従来のウェーハホルダ16を用い
た場合の全体の膜厚均一性が±2〜3%と比較して、膜
厚均一性が悪くなるものの、ウェーハ2を自動搬送する
ことができるようになるため、製造コストの低減を図る
ことができる。 【0014】 【表1】 【0015】 【表2】 【0016】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハホルダ本体の平坦面上に、保持するウェーハ外
周に沿って複数個のつめが備えられ、つめによってウェ
ーハをウェーハホルダ本体の平坦面から浮かしてウェー
ハとウェーハホルダ本体との間にウェーハ搬送アームが
挿入可能な隙間を形成することとしているので、ウェー
ハ搬送アームがウェーハホルダに接触することなく、つ
めにウェーハを載置することができ、逆の動作として、
ウェーハ搬送アームが前記隙間に入ってウェーハ搬送ア
ームがウェーハホルダに接触することなく、つめに載置
されたウェーハを取り出して搬送することができるの
で、ウェーハの自動搬送が可能になる。 【0017】また、移動制限面によってウェーハの横方
向の移動を制限することで、ウェーハホルダが移動する
際に、保持されるウェーハが傾いたり脱落するのを防止
し、安定にウェーハを保持することができる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the formation of a CVD film such as a low-temperature oxide film (LTO film) or a phosphorus-doped low-temperature oxide film on a wafer surface using a vertical CVD apparatus. The present invention relates to a vertical CVD apparatus wafer holder used when performing the above wafer processing. Conventionally, when a CVD film such as a polysilicon film or a nitride film is formed on the surface of a wafer,
This is carried out by loading the wafer 2 on a quartz wafer boat 5 and using an LTO film (forming temperature 3) using SiH 4 and O 2.
00 to 400 ° C.), PSG film (LTO film doped with phosphorus), high-temperature oxide film using SiH 4 and N 2 O (HTO film, generation temperature 700 to 850 ° C.), phosphorus-doped polysilicon film, etc. In the production, a quartz wafer holder held by a boat is used.
As shown in the figure, the wafer 2 is placed on the wafer holder 16.
Are placed in close contact with each other to form a film. [0003] However, in the conventional wafer holder 16, since the back surface of the wafer 2 is in close contact with the wafer holder 16, the wafer 2
There is a problem that it is difficult to carry out automatic transfer when attaching or detaching the wafer holder 16 to or from the wafer holder 16. Also,
Since the wafer 2 can freely move on the wafer holder 16, there is a problem that the wafer may drop off when the wafer holder 16 moves. The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a wafer holder suitable for automatic transfer. In order to achieve the above object, a wafer holder according to the present invention comprises a wafer holder body having a flat surface, and a flat surface of the wafer holder body along a periphery of a wafer to be held. And a plurality of claws on which the wafer is placed and which can be brought into contact with a peripheral surface of the placed wafer. And a gap is formed between the wafer and the flat surface of the wafer holder main body so that the wafer transfer arm can be inserted. [0006] Each of the claws is provided with a step, and the step has a substantially flat flat surface that comes into contact with the back surface of the wafer.
A movement restriction surface for restricting the lateral movement of the wafer, and the step portion can be directed to the center side of the wafer on which the wafer is mounted. A wafer transfer arm for transferring an unprocessed wafer is lowered from above the wafer holder to bring the wafer into contact with the claw, and then further lowered to allow the wafer and the flat surface of the wafer holder main body to move. By escaping from the gap therebetween, the wafer can be placed on the claws without the wafer transfer arm coming into contact with the wafer holder. In addition, for the processed wafer held on the wafer holder, the wafer transfer arm is inserted into the gap between the wafer and the flat surface of the wafer holder body and rises, so that the wafer transfer arm moves to the wafer holder. The wafer can be taken out of the wafer holder and transferred without contact. Further, by restricting the movement of the wafer by the movement restricting surface, it is possible to prevent the held wafer from tilting or falling off when the wafer holder moves, and to stably hold the wafer. FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of a wafer holder according to the present invention. In this embodiment, the wafer holder 6
Comprises a plurality of (four in this example) pawls 7 on the wafer holder main body 6a having a flat surface along the outer periphery of the wafer 2 to be held.
Is provided. Each claw 7 is formed with a stepped portion 7a above the wafer holder main body 6a and on which the wafer 2 is placed. The step portion 7a has a substantially flat flat surface 7b in contact with the back surface of the wafer 2, and a movement limiting surface 7c orthogonal to the flat surface 7b and capable of contacting the peripheral surface of the wafer 2. The step portion 7a composed of 7b and the movement limiting surface 7c faces the center of the wafer 2 to be placed. By lifting the wafer 2 from the flat surface of the wafer holder main body 6a by, for example, about 4 mm by the step portion 7a,
When attaching or detaching the wafer 2 to or from the wafer holder 6, the vacuum suction unit 4 of the wafer transfer arm 4 of the wafer transfer machine 3 is provided between the wafer 2 and the wafer holder body 6 a.
By inserting a, the wafer 2 can be moved by sucking the back surface of the wafer 2. Further, since the plurality of movement limiting surfaces 7c are arranged at intervals around the peripheral surface of the wafer 2, the movement of the wafer 2 on the wafer holder 6 in the lateral direction is limited by these movement limiting surfaces 7c. I have. FIG. 2 is a perspective view showing an example of a wafer transfer mechanism of a vertical CVD apparatus. The wafer holder 6 is held on the vertical quartz wafer boat 5 at an angle of about 1.1 degrees, and the plurality of claws 7 support the wafer 2 from below, thereby preventing the wafer 2 from falling off. Also,
The wafer 2 can be prevented from moving when the wafer boat 5 is rotated or moved up and down. A cassette 1 containing unprocessed wafers 2 is placed on a cassette elevator 8 and has a vacuum suction part 4a (FIG. 3) of a wafer transfer arm 4 having a telescopic unit of a wafer refilling machine 3 and a vertical mechanism. 2), the wafer 2 is sucked out of the cassette 1 and taken out. Next, the wafer transfer arm 4 of the wafer changer 3 rotates the taken-out wafer 2 by 90 degrees and transfers it to the wafer holder 6 held on the boat 5. When the wafer 2 comes above the wafer holder 6, the wafer transfer arm 4 descends to bring the wafer 2 into close contact with the step 7 a of the pawl 7 of the wafer holder 6. At the same time, the suction by the vacuum suction unit 4a is released, and the wafer 2 is placed on the step 7a.
The wafer transfer arm 4 is further lowered and then contracted, escapes from the gap between the wafer 2 and the wafer holder main body 6a, and prepares for transfer of the next wafer 2. Since the thickness of the wafer transfer arm 4 is about 2 mm, if the gap between the wafer 2 and the wafer holder body 6a is about 4 mm as described above, the wafer 2
The wafer transfer arm 4 can sufficiently move up and down in the gap when the wafer is mounted on or detached from the wafer holder 6. When the boat 5 is moved up and down by the elevating mechanism 10 and a predetermined number of wafers 2 are transferred to the boat 5, the boat 5 on which the film-formed wafers are mounted and the unprocessed wafers are mounted by the boat transfer mechanism 9. The boat 5 on which the unprocessed wafers are placed is moved to the lifting mechanism 11.
The reaction gas is supplied into the reaction tube 12 from below, and a reaction gas is supplied from the gas inlet 13 to generate a CVD film on the wafer surface in the reaction tube 12. When the film forming process is completed, the wafer 2 is transferred to the cassette 1 in the reverse procedure. The automatic transfer of the wafer 2 can be performed according to the above procedure.
Since the pawl 7 is provided on the wafer holder main body 6a, when the wafer holder 6 is used to form an LTO film under the conditions shown in Table 1 below, N
As shown in o.2, the film thickness at the peripheral portion of the wafer becomes thick, and the uniformity of the film thickness at the 5 mm peripheral portion exceeds ± 10%, and the uniformity of the entire film thickness becomes ± 4 to 8%. Table 2 below
As shown in No. 1, although the overall film thickness uniformity when using the conventional wafer holder 16 is lower than ± 2 to 3%, the wafer 2 is automatically transferred. Therefore, manufacturing costs can be reduced. [Table 1] [Table 2] As described above, according to the present invention,
On the flat surface of the wafer holder body, a plurality of claws are provided along the outer periphery of the wafer to be held, and the claws lift the wafer from the flat surface of the wafer holder body, and a wafer transfer arm is provided between the wafer and the wafer holder body. Since a gap that can be inserted is formed, the wafer can be placed on the nail without the wafer transfer arm coming into contact with the wafer holder.
Since the wafer mounted on the claw can be taken out and transferred without the wafer transfer arm entering the gap and the wafer transfer arm coming into contact with the wafer holder, automatic transfer of the wafer becomes possible. Further, by limiting the lateral movement of the wafer by the movement limiting surface, it is possible to prevent the held wafer from tilting or falling off when the wafer holder moves, and to stably hold the wafer. Can be.

【図面の簡単な説明】 【図1】(a)及び(b)はそれぞれ本発明ウェーハホ
ルダの1実施例を示す斜視図及びそのIV−IV線断面
図である。 【図2】縦型CVD装置のウェーハ搬送機構の1例を示
す斜視図である。 【図3】図2に使用するウェーハ搬送アームの斜視図で
ある。 【図4】従来のウェーハホルダを示す側面図である。 【符号の説明】 2 ウェーハ 4 ウェーハ搬送アーム 6 ウェーハホルダ 6a ウェーハホルダ本体 7 つめ 7a 段差部 7b 平坦面 7c 移動制限面
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 (a) and 1 (b) are a perspective view and a cross-sectional view taken along line IV-IV of an embodiment of the wafer holder of the present invention, respectively. FIG. 2 is a perspective view showing an example of a wafer transfer mechanism of a vertical CVD apparatus. FIG. 3 is a perspective view of a wafer transfer arm used in FIG. 2; FIG. 4 is a side view showing a conventional wafer holder. [Description of Signs] 2 Wafer 4 Wafer transfer arm 6 Wafer holder 6a Wafer holder body 7 Pawl 7a Step 7b Flat surface 7c Movement limiting surface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭53−153040(JP,U) 実開 昭58−56439(JP,U) 前田和夫著「最新LSIプロセス技 術」(初版)P.473、第6−14行、株 式会社工業調査会 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/205 H01L 21/22 511 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References Japanese Utility Model Sho-53-153040 (JP, U) Japanese Utility Model Sho 58-56439 (JP, U) Kazuo Maeda, “Latest LSI Process Technology” (First Edition), p. 473, lines 6-14, Industrial Research Institute of Stock Company (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 H01L 21/205 H01L 21/22 511

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.ウェーハ処理を行うに際してウェーハを保持する縦
型CVD装置用ウェーハホルダにおいて、 平坦面を持つウェーハホルダ本体(6a)と、保持する
ウェーハ(2)外周に沿って前記ウェーハホルダ本体
(6a)の平坦面上に設けられウェーハ(2)が載置さ
れると共に載置されたウェーハ(2)の周面に当接可能
な複数個のつめ(7)と、を備え、該複数のつめ(7)
によって、保持されたウェーハ(2)をウェーハホルダ
本体(6a)の平坦面から浮かして、ウェーハ(2)と
ウェーハホルダ本体(6a)の平坦面との間にウェーハ
搬送アーム(4)が挿入可能な隙間を形成する、ことを
特徴とする縦型CVD装置用ウェーハホルダ。 2.各つめ(7)には段差部(7a)が設けられ、該段
差部(7a)は、ウェーハ(2)の裏面と接触する略平
坦な平坦面(7b)と、ウェーハ(2)の横方向の移動
を制限する移動制限面(7c)とを有し、該段差部(7
a)が載置されるウェーハ(2)の中心側を向いている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の縦型CV
D装置用ウェーハホルダ。
(57) [Claims] A wafer holder for a vertical CVD apparatus for holding a wafer when performing wafer processing, a wafer holder body (6a) having a flat surface, and a flat surface of the wafer holder body (6a) along an outer periphery of the wafer to be held (2). A plurality of pawls (7) provided thereon and capable of abutting a peripheral surface of the placed wafer (2), and the plurality of pawls (7).
Thereby, the held wafer (2) can be lifted from the flat surface of the wafer holder body (6a), and the wafer transfer arm (4) can be inserted between the wafer (2) and the flat surface of the wafer holder body (6a). A vertical wafer holder for a vertical CVD apparatus, wherein a vertical gap is formed. 2. Each pawl (7) is provided with a step (7a), and the step (7a) has a substantially flat flat surface (7b) in contact with the back surface of the wafer (2) and a lateral direction of the wafer (2). And a movement restricting surface (7c) for restricting the movement of the stepped portion (7c).
2. The vertical CV according to claim 1, wherein a) faces the center of the wafer to be mounted.
Wafer holder for D equipment.
JP12152199A 1999-04-28 1999-04-28 Wafer holder for vertical CVD equipment Expired - Lifetime JP3093198B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12152199A JP3093198B2 (en) 1999-04-28 1999-04-28 Wafer holder for vertical CVD equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12152199A JP3093198B2 (en) 1999-04-28 1999-04-28 Wafer holder for vertical CVD equipment

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14611599A Division JP3244492B2 (en) 1999-05-26 1999-05-26 Vertical CVD equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000003952A JP2000003952A (en) 2000-01-07
JP3093198B2 true JP3093198B2 (en) 2000-10-03

Family

ID=14813292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12152199A Expired - Lifetime JP3093198B2 (en) 1999-04-28 1999-04-28 Wafer holder for vertical CVD equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3093198B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100636482B1 (en) 2005-07-18 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 Holder for fabricating organic light emitting display
CN115338804B (en) * 2022-10-13 2023-02-03 吾拾微电子(苏州)有限公司 Adjustable wafer fixture device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
前田和夫著「最新LSIプロセス技術」(初版)P.473、第6−14行、株式会社工業調査会

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000003952A (en) 2000-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3234576B2 (en) Wafer support device in semiconductor manufacturing equipment
TWI636858B (en) Substrate transfer robot and substrate processing system
JP2002520833A5 (en)
JP5059157B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor substrate loading and / or unloading method
ITMI990281A1 (en) DEVICE FOR HANDLING SUB-LAYERS BY MEANS OF A SELF-LEVELING DEPRESSION SYSTEM IN INDUCTION EPISTAXIAL REACTORS WITH
JP2002520833A (en) Multi-position load lock chamber
JP2004515073A5 (en)
US6318957B1 (en) Method for handling of wafers with minimal contact
JPH06127621A (en) Substrate transfer equipment
TWI462212B (en) Processing system and processing methods
JP3093198B2 (en) Wafer holder for vertical CVD equipment
EP0405301A2 (en) Apparatus for handling semiconductor wafers
JP3244492B2 (en) Vertical CVD equipment
JP3138554B2 (en) Wafer support device
JP2591202Y2 (en) Vertical CVD equipment
JP2005197380A (en) Wafer supporting device
JPH0783003B2 (en) Waferbot transport method
JPH10301U (en) Wafer holder
US20050176252A1 (en) Two-stage load for processing both sides of a wafer
JPH0635467Y2 (en) Quartz wafer holder for vertical CVD equipment
JP2003209153A (en) Substrate treatment device and method for manufacturing semiconductor device
JP4589545B2 (en) Wafer support member, wafer holder and wafer holding device
JP3265498B2 (en) Vertical furnace for semiconductor wafer
JPH01313953A (en) Spatula apparatus for wafer transfer and method of arranging wafers
JPH07169819A (en) Substrate moving and mounting method

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000704

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070728

Year of fee payment: 7