JP3085139B2 - Dielectric filter - Google Patents

Dielectric filter

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JP3085139B2
JP3085139B2 JP07101400A JP10140095A JP3085139B2 JP 3085139 B2 JP3085139 B2 JP 3085139B2 JP 07101400 A JP07101400 A JP 07101400A JP 10140095 A JP10140095 A JP 10140095A JP 3085139 B2 JP3085139 B2 JP 3085139B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信機器等に使
用される誘電体フィルタに関し、特に、バンドパスフィ
ルタ(BPF)を兼ね備えるバンドエリミネーションフ
ィルタ(BEF)型の誘電体フィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric filter used for mobile communication equipment and the like, and more particularly to a band elimination filter (BEF) type dielectric filter having a band pass filter (BPF).

【0002】[0002]

【従来の技術】図17に、従来の一般的な2段構成のB
EF型誘電体フィルタの展開斜視図を示す。また、図1
8にこのBEF型誘電体フィルタの等価回路を示し、図
19に周波数減衰特性図を示す。
2. Description of the Related Art FIG. 17 shows a conventional general two-stage B
FIG. 2 is a developed perspective view of an EF type dielectric filter. FIG.
8 shows an equivalent circuit of the BEF type dielectric filter, and FIG. 19 shows a frequency attenuation characteristic diagram.

【0003】図18に示した等価回路において、Rは誘
電体共振器、Ceはトラップ容量、Ctは並列容量、L
は電気角π/2移相器としてのインダクタである。図1
7に示したBEF型誘電体フィルタは、ベース基板94
上に誘電体共振器R,R、及びトラップ容量Ce,Ce
を接続したインダクタパターン基板93を載置し、誘電
体共振器R,Rとトラップ容量Ce,Ceとを接続端子
92、92で接続し、ケースカバー91を取り付けて構
成されている。
In the equivalent circuit shown in FIG. 18, R is a dielectric resonator, Ce is a trap capacitance, Ct is a parallel capacitance, and L is
Is an inductor as an electrical angle π / 2 phase shifter. FIG.
The BEF type dielectric filter shown in FIG.
Above the dielectric resonators R, R, and the trap capacitors Ce, Ce
Are mounted, the dielectric resonators R, R and the trap capacitors Ce, Ce are connected by the connection terminals 92, 92, and the case cover 91 is attached.

【0004】このBEF型誘電体フィルタを用いた携帯
電話機等の移動体通信機のブロック回路図は図20に示
す構成となっており、このBEF型誘電体フィルタはデ
ュプレクサDPX内の送信(TX)側回路に用いられ
る。また、この移動体通信機におけるTXの周波数fTX
及び受信(RX)側の周波数fRXを図19に示す。RX
周波数fRXは、BEF型誘電体フィルタのトラップ周波
数fT に一致される。
A block circuit diagram of a mobile communication device such as a portable telephone using the BEF type dielectric filter has a configuration shown in FIG. 20, and the BEF type dielectric filter transmits (TX) in a duplexer DPX. Used for side circuit. Further, the frequency f TX of TX in this mobile communication device
19 and the frequency f RX on the reception (RX) side are shown in FIG. RX
The frequency f RX is matched with the trap frequency f T of the BEF type dielectric filter.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記の図20に示すよ
うな移動体通信機においては、アンテナANTからデュ
プレクサDPX内のTX側回路に侵入してくるfTX
(fRX−fTX)の周波数fs(図19参照)の信号は、
従来の図19に示した周波数減衰特性を持つBEF型誘
電体フィルタのみでは阻止できない。従って、アイソレ
ータISOをTX側回路に挿入することが必要となって
いた。
In the mobile communication device as shown in FIG. 20, f TX- which enters the TX side circuit in the duplexer DPX from the antenna ANT.
The signal of the frequency fs (see FIG. 19) of (f RX −f TX ) is
Conventional BEF-type dielectric filters having the frequency attenuation characteristics shown in FIG. Therefore, it is necessary to insert the isolator ISO into the TX side circuit.

【0006】また、TX側のミキサMXにて発生した不
要な周波数の信号を減衰させるために、バンドパスフィ
ルタBPFをTX側回路に挿入することが必要となって
いた。
Further, in order to attenuate an unnecessary frequency signal generated in the mixer MX on the TX side, it has been necessary to insert a band-pass filter BPF into the circuit on the TX side.

【0007】ここで、デュプレクサDPX内のTX側回
路においてBEF型誘電体フィルタの代わりにBPF型
誘電体フィルタを用いると、上記の問題は発生しない
が、BEF型誘電体フィルタと同様の挿入損失特性や減
衰特性が同等のサイズでは十分得られないという新たな
問題が発生する。
Here, if a BPF type dielectric filter is used in place of the BEF type dielectric filter in the TX side circuit in the duplexer DPX, the above problem does not occur, but the same insertion loss characteristic as that of the BEF type dielectric filter. And a new problem that the attenuation characteristics cannot be sufficiently obtained with the same size.

【0008】さらに、上記従来のような構成のBEF型
誘電体フィルタを構成するためには、誘電体共振器の他
に前記の接続端子92、インダクタパターン基板93、
ベース基板94等の部品が必要であり、部品点数が多く
コストが高くなり、形状も大型化するという問題があっ
た。
Further, in order to form the BEF type dielectric filter having the above-described conventional configuration, in addition to the dielectric resonator, the connection terminal 92, the inductor pattern substrate 93,
There is a problem that components such as the base substrate 94 are required, the number of components is large, the cost is high, and the shape is large.

【0009】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであり、部品点数が少なく、必要通過帯
域以外で大きな減衰量を得ることができ、よって、安価
で小形のBPFを兼ね備えるBEF型誘電体フィルタを
提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and has a small number of components, can obtain a large amount of attenuation outside a necessary pass band, and therefore has both a low-cost and small BPF. An object of the present invention is to provide a BEF type dielectric filter.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の課題に対する手
段は以下の通りである。
The means for solving the problems of the present invention are as follows.

【0011】請求項1に係る発明は、第1および第2の
端面と、これら第1、第2の端面の間をつなぐ4つの側
面とを有してなる誘電体ブロックと、この誘電体ブロッ
クの第1、第2の端面間を貫通して形成された少なくと
も4つの共振線路とを有する誘電体フィルタであって、
隣接する一対の共振線路が開放端と短絡端とを逆向きに
して形成され、この一対の共振線路をインターディジタ
ル的に結合させてなる1段バンドエリミネーションフィ
ルタを少なくとも2つ構成し、これら少なくとも2つの
1段バンドエリミネーションフィルタをインターディジ
タル的に又はコムライン的に電気角でπ/2移相結合さ
せてなることを特徴とする。
The invention according to claim 1 is characterized in that the first and second
The end face and the four sides connecting between the first and second end faces
And a dielectric block having a surface.
At least a portion formed between the first and second end faces of the
Is also a dielectric filter having four resonance lines,
Adjacent pair of resonance lines reverse open and short ends
This pair of resonant lines are interdigitated
One-stage band elimination filter
And at least two of these at least two
Interstage one-stage band elimination filter
Π / 2 phase shift coupling in electrical angle
It is characterized by being made.

【0012】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
誘電体フィルタにおいて、前記1段バンドエリミネーシ
ョンフィルタのうち1つの共振線路の開放端は該共振線
路が形成された共振線路孔の中に設けられた誘電体素地
により形成され、もう1つの共振線路の開放端は前記誘
電体ブロックの端面に形成されていることを特徴とす
る。
[0012] The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1.
In the dielectric filter, the one-stage band eliminator
The open end of one of the resonance lines of the
Dielectric body provided in the resonant line hole where the path is formed
And the open end of another resonant line is
Characterized by being formed on the end face of the electric block
You.

【0013】請求項3に係る発明は、短辺と長辺とから
なる矩形の第1および第2の端面と、これら第1、第2
の端面の間をつなぐ4つの側面とを有してなる誘電体ブ
ロックと、この誘電体ブロックの第1、第2の端面間を
貫通して形成された複数の共振線路とを有する誘電体フ
ィルタであって、前記複数の共振線路が、前記誘電体ブ
ロックの第1および第2の端面において短辺方向に2列
に並んで、また長辺方向に複数列に並んで形成され、短
辺方向に2列に並んだ共振線路がそれぞれ第1の共振線
路群と第2の共振線路群とを構成し、第1の共振線路群
はそれぞれ短絡端が誘電体ブロックの第1の端面に形成
されるとともに、開放端が誘電体ブロックの第2の端面
に形成され、また第2の共振線路群はそれぞれ短絡端が
誘電体ブロックの第2の端面に形成されるとともに、開
放端が誘電体ブロックの第1の端面に形成され、長辺方
向の同列に形成された隣接する一対の共振線路がインタ
ーディジタル的に結合してそれぞれ1段バンドエリミネ
ーションフィルタを構成し、これら複数の1段バンドエ
リミネーションフィルタをコムライン的に電気角でπ/
2移相結合させてなることを特徴とする。
[0013] The invention according to claim 3 is based on the short side and the long side.
Rectangular first and second end faces, and the first and second
Dielectric block having four side surfaces connecting between the end surfaces thereof.
Between the lock and the first and second end faces of the dielectric block.
A dielectric member having a plurality of resonant lines formed therethrough;
A filter, wherein the plurality of resonance lines are formed by the dielectric block.
Two rows in the short side direction at the first and second end faces of the lock
Formed in multiple rows in the long side direction.
The resonance lines arranged in two rows in the side direction are first resonance lines, respectively.
A first group of resonance lines comprising a road group and a second group of resonance lines;
Each has a short-circuit end formed on the first end face of the dielectric block
And the open end is the second end face of the dielectric block.
And the second resonance line group has a short-circuited end.
Formed on the second end face of the dielectric block and opened.
A release end is formed on the first end surface of the dielectric block, and
A pair of adjacent resonance lines formed in the same row
-Digitally coupled to one-stage band elimination
And a plurality of one-stage band filters.
Combination of the limiting filter in electrical angle π /
It is characterized by two phase-shift couplings.

【0014】請求項4に係る発明は、短辺と長辺とから
なる矩形の第1および第2の端面と、これら第1、第2
の端面の間をつなぐ4つの側面とを有してなる誘電体ブ
ロックと、この誘電体ブロックの第1、第2の端面間を
貫通して形成された複数の共振線路とを有する誘電体フ
ィルタであって、前記複数の共振線路が、前記誘電体ブ
ロックの第1および第2の端面において短辺方向に2列
に並んで、また長辺方向に複数列に並んで形成され、短
辺方向に2列に並んだ共振線路がそれぞれ第1の共振線
路群と第2の共振線路群とを構成し、第1の共振線路群
の各共振線路および第2の共振線路群の各共振線路はそ
れぞれ開放端および短絡端が交互に反対の端面に形成さ
れ、かつ長辺方向の同列に形成された第1の共振線路群
の共振線路と第2の共振線路群の共振線路はそれぞれ開
放端および短絡端が互いに反対の端面に形成され、長辺
方向の同列に形成された隣接する一対の共振線路がイン
ターディジタル的に結合してそれぞれ1段バンドエリミ
ネーションフィルタを構成し、これら複数の1段バンド
エリミネーションをインターディジタル的に電気角でπ
/2移相結合させてなることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, the short side and the long side
Rectangular first and second end faces, and the first and second
Dielectric block having four side surfaces connecting between the end surfaces thereof.
Between the lock and the first and second end faces of the dielectric block.
A dielectric member having a plurality of resonant lines formed therethrough;
A filter, wherein the plurality of resonance lines are formed by the dielectric block.
Two rows in the short side direction at the first and second end faces of the lock
Formed in multiple rows in the long side direction.
The resonance lines arranged in two rows in the side direction are first resonance lines, respectively.
A first group of resonance lines comprising a road group and a second group of resonance lines;
Each resonance line of the second resonance line group and each resonance line of the second resonance line group
The open and short ends are alternately formed on the opposite end surfaces, respectively.
First resonance line group formed in the same row in the long side direction
And the resonance lines of the second resonance line group are open.
The discharge end and short-circuit end are formed on opposite end faces,
A pair of adjacent resonance lines formed in the same row in the
One-stage band elimination
A plurality of one-stage bands
Eliminates elimination interdigitally by electrical angle π
/ 2 phase shift coupling.

【0015】請求項5に係る発明は、請求項3又は請求
項4に記載の誘電体フィルタにおいて、前記第1の共振
線路群の隣接する共振線路の間に遮蔽電極が設けられて
いることを特徴とする。
The invention according to claim 5 is the invention according to claim 3 or claim
Item 5. The dielectric filter according to item 4, wherein the first resonance
A shield electrode is provided between adjacent resonance lines in the line group.
It is characterized by being.

【0016】請求項6に係る発明は、短辺と長辺とから
なる矩形の第1および第2の端面と、これら第1、第2
の端面の間をつなぐ4つの側面とを有してなる誘電体ブ
ロックと、この誘電体ブロックの第1、第2の端面間を
貫通して形成された複数の共振線路とを有する誘電体フ
ィルタであって、前記複数の共振線路が、前記誘電体ブ
ロックの第1および第2の端面において短辺方向に2列
に並んで、また長辺方向に3列以上に並んで形成され、
短辺方向に2列に並んだ共振線路がそれぞれ第1の共振
線路群と第2の共振線路群とを構成し、長辺方向の同列
に形成された隣接する一対の共振線路がそれぞれ開放端
と短絡端とを逆向きにして形成されてインターディジタ
ル的に結合してそれぞれ1段バンドエリミネーションフ
ィルタを構成し、これら複数の1段バンドエリミネーシ
ョンフィルタがインターディジタル的に又はコムライン
的に電気角でπ/2移相結合しており、第1の共振線路
群の各共振線路の開放端は該共振線路が形成された共振
線路孔の中に設けられた誘電体素地により形成され、第
2の共振線路群の両端の共振線路の開放端は誘電体ブロ
ックのいずれかの端面に形成されるとともに、該端面に
形成された接続電極に接続され、第2の共振線路群の残
りの共振線路の開放端は該共振線路が形成された共振線
路孔の中に設けられた誘電体素地により形成されている
ことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, the short side and the long side
Rectangular first and second end faces, and the first and second
Dielectric block having four side surfaces connecting between the end surfaces thereof.
Between the lock and the first and second end faces of the dielectric block.
A dielectric member having a plurality of resonant lines formed therethrough;
A filter, wherein the plurality of resonance lines are formed by the dielectric block.
Two rows in the short side direction at the first and second end faces of the lock
, And formed in three or more rows in the long side direction,
The resonance lines arranged in two rows in the short side direction are the first resonance lines, respectively.
A line group and a second resonance line group, and are arranged in the same direction in the long side direction.
A pair of adjacent resonance lines formed at
And the short-circuit end are formed in the opposite direction.
And one-stage band elimination
A plurality of one-stage band eliminators.
Filter is interdigital or comb line
Π / 2 phase shift coupling in electrical angle, and the first resonance line
The open end of each resonance line of the group is the resonance at which the resonance line is formed.
Formed by a dielectric substrate provided in the line hole,
The open ends of the resonance lines at both ends of the two resonance line groups are
Formed on either end of the
The remaining of the second resonance line group is connected to the formed connection electrode.
The open end of the resonance line is the resonance line on which the resonance line is formed.
It is formed by a dielectric substrate provided in the road hole
It is characterized by the following.

【0017】請求項7に係る発明は、請求項1から請求
項6のいずれかに記載の誘電体フィルタにおいて、前記
共振線路が形成された共振線路孔の断面形状が扁平化さ
れていることを特徴とする。
[0017] The invention according to claim 7 is the invention according to claim 1
Item 7. The dielectric filter according to any one of Items 6,
The cross-sectional shape of the resonance line hole where the resonance line is formed is flattened
It is characterized by having been done.

【0018】[0018]

【0019】[0019]

【0020】[0020]

【0021】[0021]

【作用】上記の構成によれば、単一の誘電体ブロック
に、インターディジタルペア結合2共振線路BEFを1
段として、これを複数段形成して多段BEF型誘電体フ
ィルタを構成するので、トラップ周波数の低域側及び高
域側の周波数帯域が減衰する特性を持つBPFの機能を
備えた小形のBEF型誘電体フィルタを得ることができ
る。すなわち、部品点数が少なくなり、小形化できると
ともに、必要通過帯域以外で大きな減衰量が得られ、移
動体通信機器の回路構成を簡素化することができる。
According to the above arrangement, one interdigital pair-coupled two-resonance line BEF is connected to a single dielectric block.
Since a plurality of stages are formed to form a multi-stage BEF type dielectric filter, a small BEF type having a BPF function of attenuating the frequency band on the low frequency side and the high frequency side of the trap frequency is provided. A dielectric filter can be obtained. In other words, the number of components is reduced, the size can be reduced, and a large amount of attenuation can be obtained outside the necessary passband, so that the circuit configuration of the mobile communication device can be simplified.

【0022】[0022]

【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0023】図1は2段構成のBEF型誘電体フィルタ
の第1実施例を示すものである。10は矩形状の誘電体
ブロックで、この誘電体ブロック10には、一方の端面
から対向する他方の端面にかけて、近接して4つの円筒
状の貫通共振線路孔1a、2a、3a、4aが設けられ
ている。
FIG. 1 shows a first embodiment of a two-stage BEF type dielectric filter. Reference numeral 10 denotes a rectangular dielectric block. The dielectric block 10 has four cylindrical through resonance line holes 1a, 2a, 3a, and 4a close to each other from one end face to the other end face. Have been.

【0024】共振線路孔1a〜4aの内面には内導体が
設けられている。共振線路孔2aの内導体は、誘電体ブ
ロック10の一方の端面において電極2bに接続されて
いる。また、共振線路孔3aの内導体は、誘電体ブロッ
ク10の他方の端面において、電極3bに接続されてい
る。誘電体ブロック10の外面には、電極2b、3bの
外側の誘電体素地2c、3cを除いて、主として外導体
が形成されている。これらの誘電体素地2c、3cは共
振線路の開放端を形成している。
An inner conductor is provided on the inner surface of each of the resonance line holes 1a to 4a. The inner conductor of the resonance line hole 2a is connected to the electrode 2b at one end face of the dielectric block 10. The inner conductor of the resonance line hole 3a is connected to the electrode 3b on the other end surface of the dielectric block 10. An outer conductor is mainly formed on the outer surface of the dielectric block 10 except for the dielectric bases 2c and 3c outside the electrodes 2b and 3b. These dielectric substrates 2c and 3c form open ends of the resonance line.

【0025】また、共振線路孔1aにおいて誘電体ブロ
ック10の他方の端面近傍もしくは端面に隣接する部分
には、リング状の誘電体素地1cが設けられている。ま
た、共振線路孔4aにおいて誘電体ブック10の一方の
端面近傍もしくは端面に隣接する部分にも、リング状の
誘電体素地4cが設けられている。これらの誘電体素地
1c、4cは、各内導体を分断するともに共振線路の開
放端を形成している。共振線路孔1a、3a、4aの内
導体は、誘電体ブロック10の一方の端面において外導
体に接続されている。また、共振線路孔1a、2a、4
aの内導体は、誘電体ブロック10の他方の端面におい
て外導体に接続されている。そして、これらの共振線路
孔1a〜4aは、インターディジタル型共振線路1〜4
をそれぞれ構成している。共振線路2と3の電極2bと
3bが入出力端子となる。
In the resonance line hole 1a, a ring-shaped dielectric substrate 1c is provided near or adjacent to the other end face of the dielectric block 10. Further, a ring-shaped dielectric base 4c is also provided in the vicinity of one end face of the dielectric book 10 or in a portion adjacent to the end face in the resonance line hole 4a. These dielectric bases 1c and 4c divide the respective inner conductors and form the open ends of the resonance lines. The inner conductor of the resonance line holes 1a, 3a, 4a is connected to the outer conductor at one end face of the dielectric block 10. Also, the resonance line holes 1a, 2a, 4
The inner conductor a is connected to the outer conductor at the other end face of the dielectric block 10. These resonance line holes 1a to 4a are provided with interdigital resonance lines 1 to 4 respectively.
Respectively. The electrodes 2b and 3b of the resonance lines 2 and 3 serve as input / output terminals.

【0026】図1に示す共振線路1、2は、図2の等価
回路に示すように、インターディジタル的にペア結合し
て1段のバンドエリミネーションフィルタ(BEF)1
1を構成する。また、共振線路3、4も同様に、インタ
ーディジタル的にペア結合して、1段のバンドエリミネ
ーションフィルタ(BEF)12を構成する。そして、
これらのBEF11、12は、共振線路2、3間に形成
される電気角π/2の移相器により結合されて、トータ
ル2段構成のBEF型誘電体フィルタとなる。この第1
実施例のBEF型誘電体フィルタは、バンドパスフィル
タ(BPF)の機能も備えており、トラップ周波数の低
域側及び高域側で減衰が得られる。
As shown in the equivalent circuit of FIG. 2, the resonance lines 1 and 2 shown in FIG. 1 are pair-coupled interdigitally to form a one-stage band elimination filter (BEF) 1.
1. Similarly, the resonance lines 3 and 4 are pair-coupled in an interdigital manner to form a one-stage band elimination filter (BEF) 12. And
These BEFs 11 and 12 are coupled by a phase shifter having an electrical angle of π / 2 formed between the resonance lines 2 and 3 to form a BEF type dielectric filter having a total of two stages. This first
The BEF type dielectric filter of the embodiment also has the function of a band pass filter (BPF), and attenuation can be obtained on the low frequency side and the high frequency side of the trap frequency.

【0027】この第1実施例に係る誘電体フィルタの等
価回路が図3に、周波数減衰特性図が図4に、それぞれ
示される。
FIG. 3 shows an equivalent circuit of the dielectric filter according to the first embodiment, and FIG. 4 shows a frequency attenuation characteristic diagram.

【0028】図3の等価回路において、Zeはイーブン
モードの特性インピーダンス、Zkは結合特性インピー
ダンス、θは移相角でπ/2である。図3において、1
段のBEFは、Zk、θ、およびZe、θを直列接続し
た並列枝とZe、θの並列枝とで表される。第1実施例
に係る誘電体フィルタは、この1段のBEFを2段、Z
k、θの伝送線路を介して接続したものである。
In the equivalent circuit of FIG. 3, Ze is the characteristic impedance of the even mode, Zk is the coupling characteristic impedance, and θ is the phase shift angle of π / 2. In FIG. 3, 1
The BEF of a stage is represented by a parallel branch in which Zk, θ and Ze, θ are connected in series, and a parallel branch of Ze, θ. In the dielectric filter according to the first embodiment, this one-stage BEF is divided into two stages, Z
They are connected via transmission lines of k and θ.

【0029】図4の周波数減衰特性図において、実線は
本実施例の場合で、破線は図19にも示した従来例のB
EF型誘電体フィルタの周波数減衰特性である。図4よ
り、本実施例は従来例に比べ、トラップ周波数fT にお
ける減衰量はほぼ同じであるが、トラップ周波数の低域
側及び高域側(矢印で示す)の周波数帯域において減衰
量が大きいことがわかる。
In the frequency attenuation characteristic diagram of FIG. 4, the solid line is the case of the present embodiment, and the broken line is the B of the conventional example shown in FIG.
It is a frequency attenuation characteristic of an EF type dielectric filter. As shown in FIG. 4, the present embodiment has almost the same attenuation at the trap frequency f T as compared with the conventional example, but has a larger attenuation in the frequency band on the low frequency side and on the high frequency side (indicated by the arrow) of the trap frequency. You can see that.

【0030】図17に示す従来例では、図18に示すよ
うに、LCのπ型回路でπ/2の位相器とローパスフィ
ルタとを兼ねさせて、これにより帯域外減衰を得ている
が、LCローパスフィルタでは低域側減衰は得られず、
また高域側も本実施例のような減衰が得られていない。
In the conventional example shown in FIG. 17, as shown in FIG. 18, an out-of-band attenuation is obtained by using a .pi. / 2 phase shifter and a low-pass filter in an LC .pi.-type circuit. The low-pass attenuation cannot be obtained with the LC low-pass filter.
Also, no attenuation as in this embodiment is obtained on the high frequency side.

【0031】このような減衰特性を持つ本実施例のBE
F型誘電体フィルタを、図20に示した移動体通信機の
デュプレクサDPX内のTX側回路に用いる場合、トラ
ップ周波数の低域側において必要な減衰度を得ることが
できるために、アンテナANTからデュプレクサDPX
内のTX側回路に侵入してくる信号(周波数fs等の信
号)を阻止するためのアイソレータISOを不要とする
ことが可能となる。また、トラップ周波数の低域側及び
高域側において減衰を得ることができるため、TX側の
ミキサMXにて発生した不要な周波数の信号を減衰させ
るためのバンドパスフィルタBPFも不要、もしくは必
要であっても段数の少ない小型で低コストのBPFに代
替することができる。
The BE of this embodiment having such an attenuation characteristic
When the F-type dielectric filter is used in the TX side circuit in the duplexer DPX of the mobile communication device shown in FIG. 20, the required attenuation can be obtained on the low frequency side of the trap frequency. Duplexer DPX
It is possible to eliminate the need for an isolator ISO for blocking a signal (a signal having a frequency fs or the like) entering the TX side circuit therein. In addition, since attenuation can be obtained on the low frequency side and the high frequency side of the trap frequency, a bandpass filter BPF for attenuating a signal of an unnecessary frequency generated in the mixer MX on the TX side is unnecessary or necessary. Even if there is, it can be replaced with a small and low-cost BPF with a small number of stages.

【0032】次ぎに、本発明の第2実施例について、図
5を参照して説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0033】図5は5段構成のコムライン結合BEF型
誘電体フィルタを示すものである。20は矩形状の誘電
体ブロックで、この誘電体ブロック20には、一方の端
面から対向する他方の端面にかけて、近接して幾何学的
に横2列、縦5列よりなる円筒状の共振線路21a〜2
5aの貫通共振線路孔が上段に、共振線路21b〜25
bの貫通共振線路孔が下段に、全部で10個設けられて
いる。
FIG. 5 shows a five-stage comb-line coupled BEF type dielectric filter. Reference numeral 20 denotes a rectangular dielectric block. The dielectric block 20 has a cylindrical resonant line formed of two rows and five columns in a geometrical proximity from one end face to the other end face. 21a-2
The through-resonance line holes 5a are provided in the upper stage, and the resonance lines 21b to 25b
A total of ten through resonance line holes b are provided at the lower stage.

【0034】誘電体ブロック20の一方の端面におい
て、上段の共振線路21a〜25aは短絡端を、下段の
共振線路21b〜25bは開放端をそれぞれ構成し、ま
た、他方の端面において、上段の共振線路21a〜25
aは開放端を、下段の共振線路21b〜25bは短絡端
をそれぞれ構成している。そして、これらの開放端面を
除いた誘電体ブロック20の外面は主として外導体で覆
われている。また、共振線路21a〜25aの貫通共振
線路孔および共振線路21b〜25bの貫通共振線路孔
には、内導体が設けられている。
On one end face of the dielectric block 20, the upper resonance lines 21a to 25a constitute a short-circuit end, the lower resonance lines 21b to 25b constitute an open end, and the other end face has an upper resonance line. Tracks 21a-25
a constitutes an open end, and the lower resonance lines 21b to 25b constitute short-circuit ends. The outer surface of the dielectric block 20 excluding these open end surfaces is mainly covered with an outer conductor. In addition, inner conductors are provided in the through resonance line holes of the resonance lines 21a to 25a and the through resonance line holes of the resonance lines 21b to 25b.

【0035】上下の共振線路21aと21b、22aと
22b、23aと23b、24aと24b、25aと2
5bは、それぞれインターディジタル的にペア結合して
1段のバンドエリミネーションフィルタ(BEF)2
1、22、23、24、25をそれぞれ構成する。これ
らBEF21、22、23、24、25は、近接フィル
タ同士で、コムライン結合をする。コムライン結合させ
る具体的構造は従来公知の構造とする。この誘電体フィ
ルタの入出力は、共振線路21bと25bを用いてなさ
れる。この等価回路が図6に示される。図6は、Ze、
θおよびZk、θを直列接続した並列枝とZe、θの並
列枝とからなる1段BEFを、Zk、θの伝送線路を介
して接続したものである。
The upper and lower resonance lines 21a and 21b, 22a and 22b, 23a and 23b, 24a and 24b, 25a and 2
5b is a one-stage band elimination filter (BEF) 2 which is pair-connected in an interdigital manner.
1, 22, 23, 24 and 25 are respectively constituted. These BEFs 21, 22, 23, 24, and 25 perform comb line coupling between adjacent filters. The specific structure for comb line coupling is a conventionally known structure. Input and output of this dielectric filter are performed using the resonance lines 21b and 25b. This equivalent circuit is shown in FIG. FIG. 6 shows Ze,
A single-stage BEF including a parallel branch in which θ and Zk, θ are connected in series and a parallel branch of Ze, θ is connected via a transmission line of Zk, θ.

【0036】図7は5段構成のインターディジタル結合
BEF型誘電体フィルタの第3実施例を示すものであ
る。30は矩形状の誘電体ブロックで、この誘電体ブロ
ック30には、一方の端面から対向する他方の端面にか
けて、近接して幾何学的に横2列、縦5列よりなる共振
線路31a〜35aの貫通共振線路孔が上段に、共振線
路31b〜35bの貫通共振線路孔が下段に、全部で1
0個設けられている。これらの共振線路31a〜35
a、31b〜35bの貫通共振線路孔には、内導体が設
けられる。
FIG. 7 shows a third embodiment of a 5-stage interdigitally coupled BEF type dielectric filter. Numeral 30 denotes a rectangular dielectric block. The dielectric block 30 has two resonance lines 31a to 35a geometrically arranged in two rows and five columns in close proximity from one end face to the other end face. In the upper stage, and the through resonance line holes in the resonance lines 31b to 35b in the lower stage.
There are zero. These resonance lines 31a to 35
a, an inner conductor is provided in each of the through resonance line holes 31b to 35b.

【0037】共振線路31a、32b、33a、34
b、35aは、誘電体ブロック30の一方の端面におい
て短絡端を構成し、他方の端面において開放端を構成す
る。また、共振線路31b、32a、33b、34a、
35bは、誘電体ブロック30の一方の端面において開
放端を構成し、他方の端面において短絡端を構成する。
誘電体ブロック30の外面は、前記開放端を除いて、主
として外導体で覆われている。
The resonance lines 31a, 32b, 33a, 34
b and 35a constitute a short-circuit end on one end face of the dielectric block 30 and constitute an open end on the other end face. Also, the resonance lines 31b, 32a, 33b, 34a,
35b constitutes an open end on one end face of the dielectric block 30 and constitutes a short-circuit end on the other end face.
The outer surface of the dielectric block 30 is mainly covered with an outer conductor except for the open end.

【0038】上下の共振線路31aと31b、32aと
32b、33aと33b、34aと34b、35aと3
5bは、それぞれインターディジタル的にペア結合して
1段のバンドエリミネーションフィルタ(BEF)3
1、32、33、34、35をそれぞれ構成する。これ
らのBEF31、32、33、34、35は、近接フィ
ルタ同志で、インターディジタル結合をする。その等価
回路が図8に示される。この図8の等価回路は、図3に
おいて説明したところと同様であるので、その説明を省
略する。この誘電体フィルタの入出力は、共振線路31
bと35bを用いてなされる。
The upper and lower resonance lines 31a and 31b, 32a and 32b, 33a and 33b, 34a and 34b, 35a and 3
5b is a one-stage band elimination filter (BEF) 3 which is pair-coupled interdigitally.
1, 32, 33, 34, and 35 respectively. These BEFs 31, 32, 33, 34, 35 are interdigitally coupled by proximity filters. The equivalent circuit is shown in FIG. Since the equivalent circuit of FIG. 8 is the same as that described in FIG. 3, the description is omitted. The input / output of this dielectric filter is
b and 35b.

【0039】図9は5段構成のコムライン結合BEF型
誘電体フィルタの第4実施例を示すもので、図5に示す
第2実施例において、近接する上段共振線路21a、2
2a、23a、24a、25a間に、外導体と導通する
遮蔽電極41を設けて、近接する上段共振線路間の結合
を無くしたものである。その他は、図5に示す第2実施
例と同様なので、第2実施例と同一番号を付して、その
説明を省略する。
FIG. 9 shows a fourth embodiment of a comb-line-coupled BEF type dielectric filter having a five-stage structure. In the second embodiment shown in FIG.
A shielding electrode 41 that conducts with an outer conductor is provided between 2a, 23a, 24a, and 25a to eliminate coupling between adjacent upper resonance lines. The other parts are the same as in the second embodiment shown in FIG.

【0040】図10は3段構成のインターディジタル結
合BEF型誘電体フィルタの第5実施例を示すものであ
る。50は矩形状の誘電体ブロックで、この誘電体ブロ
ック50には、一方の端面から対向する他方の端面にか
けて、近接して幾何学的に横2列、縦3列よりなる円筒
状の共振線路51a〜53aの貫通共振線路孔が上段
に、共振線路51b〜53bの貫通共振線路孔が下段
に、全部で6個インターディジタル的に設けられてい
る。これらの共振線路51a〜53a、51b〜53b
の貫通共振線路孔には、内導体が設けられている。
FIG. 10 shows a fifth embodiment of an interdigitally coupled BEF type dielectric filter having a three-stage configuration. Numeral 50 denotes a rectangular dielectric block. The dielectric block 50 has a cylindrical resonance line formed of two rows and three columns in close proximity from one end face to the other end face. A total of six through resonance line holes 51a to 53a are provided in an upper stage, and a total of six through resonance line holes are present in a lower stage in the resonance lines 51b to 53b. These resonance lines 51a-53a, 51b-53b
Are provided with inner conductors.

【0041】共振線路51b、52a、53bの内導体
は、誘電体ブロック50の一方の端面において、電極5
1c、52c、53cにそれぞれ接続され、他方の端面
において、外導体に接続されている。また、共振線路5
1a、52b、53aの内導体は、誘電体ブロック50
の他方の端面において、電極51d、52d、53dに
それぞれ接続され、一方の端面において、外導体に接続
されている。誘電体ブロック50は、電極51c、52
c、53c、51d、52d、53dの外側の誘電体素
地50aを除いて、主として外導体で被覆されている。
The inner conductor of the resonance lines 51b, 52a, 53b is connected to the electrode 5 on one end face of the dielectric block 50.
1c, 52c, and 53c, and the other end face is connected to an outer conductor. Also, the resonance line 5
The inner conductors 1a, 52b and 53a are
Are connected to the electrodes 51d, 52d, and 53d, respectively, and connected to an outer conductor at one end. The dielectric block 50 includes electrodes 51c and 52
Except for the dielectric substrate 50a outside of c, 53c, 51d, 52d, and 53d, it is mainly covered with an outer conductor.

【0042】上段の共振線路51aと52a、共振線路
52aと53aの間には、遮蔽電極54が設けられて、
近接する線路間の結合を遮蔽している。そして、上下の
共振線路51aと51b、52aと52b、53aと5
3bが、インターディジタル的にペア結合して1段のバ
ンドエリミネーションフィルタ(BEF)51、52、
53をそれぞれ構成している。そして、これらのBEF
51、52、53は、下段の共振線路51bと52b、
52bと53bが、それぞれインターディジタル的に電
気角でπ/2移相結合することによって、本実施例のイ
ンターディジタル結合BEF型誘電体フィルタが構成さ
れる。図11はその回路構成図で、図12は等価回路図
である。
A shielding electrode 54 is provided between the upper resonance lines 51a and 52a and between the resonance lines 52a and 53a.
It shields coupling between adjacent lines. The upper and lower resonance lines 51a and 51b, 52a and 52b, 53a and 5
3b are paired in an interdigital manner to form one-stage band elimination filters (BEF) 51, 52,
53 are constituted respectively. And these BEF
51, 52 and 53 are lower resonance lines 51b and 52b,
The interdigital-coupled BEF type dielectric filter of the present embodiment is formed by interdigitating π / 2 phase shifts in electrical angles between 52b and 53b. FIG. 11 is a circuit configuration diagram, and FIG. 12 is an equivalent circuit diagram.

【0043】図13は3段構成のインターディジタル結
合BEF型誘電体フィルタの第6実施例を示すもので、
凸型の誘電体ブロック60に、左右インターディジタル
ペア結合の共振線路61aと61b、上下インターディ
ジタルペア結合の共振線路62aと62b、左右インタ
ーディジタルペア結合の共振線路63aと63bによ
り、1段BEF61、62、63を構成したものであ
る。共振線路61b、62a、63aの内導体は、誘電
体ブロック60の一方の端面において、電極61c、6
2c、63cにそれぞれ接続され、他方の端面におい
て、外導体に接続されている。
FIG. 13 shows a sixth embodiment of a three-stage interdigitally coupled BEF type dielectric filter.
A one-stage BEF 61 is provided on the convex dielectric block 60 by resonance lines 61a and 61b of left and right interdigital pair coupling, resonance lines 62a and 62b of upper and lower interdigital pair coupling, and resonance lines 63a and 63b of left and right interdigital pair coupling. 62 and 63 are configured. The inner conductors of the resonance lines 61b, 62a, 63a are connected to the electrodes 61c, 6 on one end face of the dielectric block 60.
2c and 63c, respectively, and the other end face is connected to the outer conductor.

【0044】また、共振線路61a、62b、63bの
内導体は、誘電体ブロック60の他方の端面において、
電極61d、62d、63dにそれぞれ接続され、一方
の端面において、外導体に接続されている。誘電体ブロ
ック60は、電極61c、62c、63c、61d、6
2d、63dの外側の誘電体素地60aを除いて、主と
して外導体で被覆されている。1段BEF61、62、
63は、前記実施例と同様に、インターディジテル的に
電気角でπ/2移相結合して、本実施例のインターディ
ジタル結合BEF型誘電体フィルタが構成される。本実
施例の回路構成図および等価回路図は、前記実施例の図
11および図12に、ほぼ対応することになる。
The inner conductors of the resonance lines 61a, 62b, 63b are connected to the other end face of the dielectric block 60 by
The electrodes are connected to the electrodes 61d, 62d, and 63d, respectively, and are connected to the outer conductor at one end surface. The dielectric block 60 includes electrodes 61c, 62c, 63c, 61d, 6
Except for the dielectric substrate 60a outside of 2d and 63d, it is mainly covered with an outer conductor. 1-stage BEF61, 62,
Reference numeral 63 denotes an interdigitally coupled BEF type dielectric filter according to the present embodiment, which is π / 2 phase-shifted by an electrical angle in an interdigital manner, similarly to the above-described embodiment. The circuit configuration diagram and the equivalent circuit diagram of the present embodiment almost correspond to FIGS. 11 and 12 of the embodiment.

【0045】図14は3段構成のインターディジタル結
合BEF型誘電体フィルタの第7実施例を示すものであ
る。70は矩形状の誘電体ブロックで、この誘電体ブロ
ック70には、一方の端面から対向する他方の端面にか
けて、近接して幾何学的に横2列、縦3列よりなる円筒
状の共振線路71a〜73aの貫通共振線路孔が上段
に、共振線路71b〜73bの貫通共振線路孔が下段
に、全部で6個設けられている。これらの共振線路71
a〜73a、71b〜73bの貫通共振線路孔には、内
導体が設けられている。
FIG. 14 shows a seventh embodiment of a three-stage interdigitally coupled BEF type dielectric filter. Numeral 70 denotes a rectangular dielectric block. The dielectric block 70 has a cylindrical resonant line formed of two rows and three columns in close proximity from one end face to the other end face. A total of six through resonance line holes 71a to 73a are provided in the upper stage, and a total of six through resonance line holes in the resonance lines 71b to 73b are provided in the lower stage. These resonance lines 71
Inner conductors are provided in the through resonance line holes a to 73a and 71b to 73b.

【0046】共振線路71b、73bの内導体は、誘電
体ブロック70の一方の端面において、電極71c、7
3cにそれぞれ接続されている。これらの共振線路71
b、73bの一方の端面を除いて、共振線路71a〜7
3a、71b〜73bの内導体の両端は、外導体に接続
されている。誘電体ブロック70は、電極71c、73
cの外側の誘電体素地70aを除いて、主として外導体
で被覆されている。
The inner conductors of the resonance lines 71b and 73b are connected to the electrodes 71c and 7c on one end face of the dielectric block 70.
3c. These resonance lines 71
b, 73b, except for one end face.
Both ends of the inner conductor 3a, 71b to 73b are connected to the outer conductor. The dielectric block 70 includes electrodes 71c and 73
With the exception of the dielectric substrate 70a outside c, it is mainly covered with an outer conductor.

【0047】共振線路71a、72b、73aにおいて
誘電体ブロック70の他方の端面近傍もしくは端面に隣
接する部分には、リング状の誘電体素地71d、72
d、73dが設けられている。また、共振線路72aに
おいて誘電体ブロック70の一方の端面近傍もしくは端
面に隣接する部分にも、リング状の誘電体素地72cが
設けられている。これらの誘電体素地71d、72d、
73d、72cは、各内導体を分断するとともに共振線
路の開放端を構成している。
In the resonance lines 71a, 72b and 73a, the ring-shaped dielectric bases 71d and 72 are provided near the other end face of the dielectric block 70 or at a portion adjacent to the end face.
d and 73d are provided. Also, a ring-shaped dielectric base 72c is provided in the vicinity of or adjacent to one end face of the dielectric block 70 in the resonance line 72a. These dielectric substrates 71d, 72d,
Reference numerals 73d and 72c divide the respective inner conductors and constitute open ends of the resonance line.

【0048】上段の共振線路71aと72a、共振線路
72aと73aの間には、遮蔽貫通孔70bがそれぞれ
設けられている。この遮蔽貫通孔70bには電極が形成
され、この電極は両端で外導体に接続されて、上段の共
振線路71aと72a、共振線路72aと73aの結合
を遮蔽している。
A shield through hole 70b is provided between the upper resonance lines 71a and 72a and between the resonance lines 72a and 73a. An electrode is formed in the shielding through-hole 70b, and this electrode is connected to an outer conductor at both ends to shield the coupling between the upper resonance lines 71a and 72a and the resonance lines 72a and 73a.

【0049】そして、上下の共振線路71aと71b、
72aと72b、73aと73bが、インターディジタ
ル的にペア結合して1段のバンド・エリミネーション・
フィルタ(BEF)71、72、73をそれぞれ構成し
ている。そして、これらのBEF71、72、73は、
下段の共振線路71bと72b、72bと73bが、そ
れぞれインターディジタル的に電気角でπ/2移相結合
することによって、本実施例のインターディジタル結合
BEF型誘電体フィルタが構成される。図11はその回
路構成図で、図12は等価回路図である。
The upper and lower resonance lines 71a and 71b,
72a and 72b and 73a and 73b are paired in an interdigital manner to form a one-stage band elimination circuit.
Filters (BEF) 71, 72, and 73 are configured, respectively. And these BEFs 71, 72, 73
The lower-stage resonance lines 71b and 72b, and 72b and 73b are interdigitally phase-coupled by π / 2 in terms of electrical angle, thereby forming the interdigitally coupled BEF type dielectric filter of the present embodiment. FIG. 11 is a circuit configuration diagram, and FIG. 12 is an equivalent circuit diagram.

【0050】次ぎに、図15は6段構成のインターディ
ジタル結合BEF型誘電体フィルタの第8実施例を示す
ものである。80は矩形状の誘電体ブロックで、この誘
電体ブロック80には、一方の端面から対向する他方の
端面にかけて、近接して幾何学的に横3列、縦4列より
なる円筒状の共振線路81a〜86a、81b〜86b
の貫通共振線路孔が全部で12個設けられている。これ
らの共振線路81a〜86a、81b〜86bの貫通共
振線路孔には、内導体が設けられる。
FIG. 15 shows an eighth embodiment of an interdigitally coupled BEF type dielectric filter having a six-stage configuration. Reference numeral 80 denotes a rectangular dielectric block. The dielectric block 80 has a cylindrical resonant line formed of three rows and four columns in a geometrical proximity from one end face to the other end face. 81a-86a, 81b-86b
Are provided in total. Inner conductors are provided in the through resonance line holes of these resonance lines 81a to 86a and 81b to 86b.

【0051】共振線路81a、82b、83a、84
a、85b、86aは、誘電体ブロック80の一方の端
面において開放端を構成し、他方の端面において短絡端
を構成する。また、共振線路81b、82a、83b、
84b、85a、86bは、誘電体ブロック80の一方
の端面において短絡端を構成し、他方の端面において開
放端を構成する。誘電体ブロック80の外面は、前記開
放端を除いて、主として外導体で覆われている。下段共
振線路81bと86a、中段共振線路82bと85aの
間の誘電体ブロック80には、遮蔽電極80aが設けら
れている。この遮蔽電極80は外導体に接続されてい
る。
The resonance lines 81a, 82b, 83a, 84
a, 85b and 86a constitute an open end on one end face of the dielectric block 80 and a short-circuit end on the other end face. Also, the resonance lines 81b, 82a, 83b,
84b, 85a, and 86b form a short-circuited end on one end surface of the dielectric block 80 and an open end on the other end surface. The outer surface of the dielectric block 80 is mainly covered with an outer conductor except for the open ends. A shield electrode 80a is provided in the dielectric block 80 between the lower resonance lines 81b and 86a and the middle resonance lines 82b and 85a. The shield electrode 80 a is connected to the outer conductor.

【0052】そして、左右の共振線路81aと81b、
82aと82b、83aと83b、84aと84b、8
5aと85b、86aと86bは、それぞれインターデ
ィジタル的にペア結合して1段のバンド・エリミネーシ
ョン・フィルタ(BEF)81、82、83、84、8
5、86をそれぞれ構成する。これらのBEF81、8
2、83、84、8586は近接フィルタ同志で、イ
ンターディジタル的に電気角でπ/2移相結合すること
によって、本実施例のインターディジタル結合BEF型
誘電体フィルタが構成される。この誘電体フィルタの入
出力は共振線路81bと86aを用いてなされる。
Then, the left and right resonance lines 81a and 81b,
82a and 82b, 83a and 83b, 84a and 84b, 8
5a and 85b, 86a and 86b are paired in an interdigital manner to form a single-stage band elimination filter (BEF) 81, 82, 83, 84, 8
5 and 86 respectively. These BEF81, 8
Reference numerals 2 , 83 , 84 , 85 , and 86 denote proximity filters, which are interdigitally phase-coupled by π / 2 in terms of electrical angle, thereby forming an interdigitally coupled BEF type dielectric filter of this embodiment. Input and output of this dielectric filter are performed using the resonance lines 81b and 86a.

【0053】なお、これらの実施例において、前述の貫
通共振線路孔や遮蔽貫通孔の断面形状は必ずしも円形と
する必要はない。従って、例えば、貫通共振線路孔や遮
蔽貫通孔の断面形状を長方形や略楕円形等に偏平化する
ことにより、BEF型誘電体フィルタの形状を低背化す
ることもできる。
In these embodiments, the cross-sectional shapes of the above-described through-resonance line hole and shield through-hole do not necessarily have to be circular. Therefore, for example, the shape of the BEF type dielectric filter can be reduced by flattening the cross-sectional shape of the through resonance line hole or the shielding through hole into a rectangle or a substantially elliptical shape.

【0054】一つの例として、図16に、第7実施例の
変形例であるBEF型誘電体フィルタを示す。なお、図
14に示す第7実施例と同じもしくは同等の部分には同
じ符号を付してその説明を省略する。第7実施例におい
て断面形状が円形であった、71a〜73a、71b〜
73bの貫通共振線路孔と、70bの遮蔽貫通孔は、第
7実施例の変形例では略楕円形とされている。これによ
り、誘電体ブロック70の形状を低背化することができ
る。
As one example, FIG. 16 shows a BEF type dielectric filter which is a modification of the seventh embodiment. The same or equivalent parts as those in the seventh embodiment shown in FIG. 14 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. 71a-73a, 71b-
The through resonance line hole 73b and the shield through hole 70b are substantially elliptical in the modification of the seventh embodiment. Thus, the height of the dielectric block 70 can be reduced.

【0055】[0055]

【発明の効果】本発明は、単一の誘電体ブロックに、イ
ンターディジタルペア結合2共振線路BEFを1段とし
て、これを複数段形成して互いに結合させて、トラップ
周波数の低域側及び高域側の周波数帯域が減衰する特性
を持つBPFを兼ね備えた多段BEF型誘電体フィルタ
を構成している。
According to the present invention, an interdigital pair-coupled two-resonance line BEF is formed as a single stage in a single dielectric block, and a plurality of stages are formed and coupled to each other, so that the trap frequency is lower and higher. A multi-stage BEF-type dielectric filter having a BPF having a characteristic of attenuating the frequency band on the band side is configured.

【0056】したがって、携帯電話機等の移動体通信機
において、本発明のBEF型誘電体フィルタを用いれ
ば、従来必要であったアイソレータやBPFを省略する
ことができるので、回路構成を簡素化することができ
る。
Therefore, if the BEF type dielectric filter of the present invention is used in a mobile communication device such as a mobile phone, the conventionally required isolator and BPF can be omitted, and the circuit configuration can be simplified. Can be.

【0057】また、従来例に比較して部品点数が減少す
るので、小形化できるとともにコストダウンを図ること
ができる。また、部品点数の減少に伴いはんだ付け箇所
も減少するので、信頼性が向上し、特性ばらつきも低減
して、歩留りも向上する。
Also, since the number of parts is reduced as compared with the conventional example, the size can be reduced and the cost can be reduced. In addition, since the number of soldered parts is reduced with a decrease in the number of components, reliability is improved, characteristic variations are reduced, and the yield is improved.

【0058】また、誘電体ブロックに形成した貫通共振
線路孔の断面形状を長方形や略楕円形等に偏平化するこ
とにより、BEF型誘電体フィルタの形状を低背化する
こともできる。
The shape of the BEF type dielectric filter can also be reduced by flattening the cross-sectional shape of the through-resonance line hole formed in the dielectric block into a rectangle, a substantially ellipse, or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1実施例の斜視図FIG. 1 is a perspective view of a first embodiment of the present invention.

【図2】 第1実施例の回路構成図FIG. 2 is a circuit diagram of a first embodiment;

【図3】 第1実施例の等価回路図FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the first embodiment.

【図4】 第1実施例と従来例との周波数減衰特性図FIG. 4 is a diagram showing frequency attenuation characteristics of the first embodiment and a conventional example.

【図5】 本発明の第2実施例の斜視図FIG. 5 is a perspective view of a second embodiment of the present invention.

【図6】 第2実施例の等価回路図FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the second embodiment.

【図7】 本発明の第3実施例の斜視図FIG. 7 is a perspective view of a third embodiment of the present invention.

【図8】 第3実施例の等価回路図FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of the third embodiment.

【図9】 本発明の第4実施例の斜視図FIG. 9 is a perspective view of a fourth embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第5実施例の斜視図FIG. 10 is a perspective view of a fifth embodiment of the present invention.

【図11】 第5実施例の回路構成図FIG. 11 is a circuit diagram of a fifth embodiment.

【図12】 第5実施例の等価回路図FIG. 12 is an equivalent circuit diagram of the fifth embodiment.

【図13】 本発明の第6実施例の斜視図FIG. 13 is a perspective view of a sixth embodiment of the present invention.

【図14】 本発明の第7実施例の斜視図FIG. 14 is a perspective view of a seventh embodiment of the present invention.

【図15】 本発明の第8実施例の斜視図FIG. 15 is a perspective view of an eighth embodiment of the present invention.

【図16】 第7実施例の変形例の斜視図FIG. 16 is a perspective view of a modification of the seventh embodiment.

【図17】 従来例の展開斜視図FIG. 17 is an exploded perspective view of a conventional example.

【図18】 従来例の一般的等価回路図FIG. 18 is a general equivalent circuit diagram of a conventional example.

【図19】 従来例の周波数減衰特性図FIG. 19 is a diagram showing frequency attenuation characteristics of a conventional example.

【図20】 従来のBEF型誘電体フィルタを用いた携
帯電話機等の移動体通信機のブロック回路図
FIG. 20 is a block circuit diagram of a conventional mobile communication device such as a mobile phone using a BEF type dielectric filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2、3、4 共振線路 1a、2a、3a、4a 共振線路孔 2b、3b 電極 1c、4c、2c、3c、70a、71d 誘電体
素地 10、20、30、50、60、70、80 誘電体
ブロック 11、12 BEF 21〜25、31〜35 BEF 21a〜25a 共振線路 21b〜25b 共振線路 31a〜31a、31b〜31b 共振線路 41 遮蔽電極 50a 誘電体素地 51a〜53a、51b〜53b 共振線路 51c、52c、53c 電極 51d、52d、53d 電極 54、80a 遮蔽電極 51〜53、61〜63、71〜73、81〜86
BEF 60a、70a
誘電体素地 61a、62a、63a 共振線路 61b、62b、63b 共振線路 61c、62c、63c 電極 61d、62d、63d 電極 70b 遮蔽貫通孔 71a、72a、73a 共振線路 71b、72b、73b 共振線路 71c、73c 電極 71d、72c、72d、73d
誘電体素地 81a、82a、83a、84a、85a、86a
共振線路 81b、82b、83b、84b、85b、86b
共振線路
1, 2, 3, 4 Resonance line 1a, 2a, 3a, 4a Resonance line hole 2b, 3b Electrode 1c, 4c, 2c, 3c, 70a, 71d Dielectric substrate 10, 20, 30, 50, 60, 70, 80 Dielectric block 11, 12 BEF 21-25, 31-35 BEF 21a-25a Resonant line 21b-25b Resonant line 31a-31a, 31b-31b Resonant line 41 Shielding electrode 50a Dielectric substrate 51a-53a, 51b-53b Resonant line 51c, 52c, 53c Electrode 51d, 52d, 53d Electrode 54, 80a Shielding electrode 51-53, 61-63, 71-73, 81-86
BEF 60a, 70a
Dielectric body 61a, 62a, 63a Resonant line 61b, 62b, 63b Resonant line 61c, 62c, 63c Electrode 61d, 62d, 63d Electrode 70b Shielding through hole 71a, 72a, 73a Resonant line 71b, 72b, 73b Resonant line 71c, 73c Electrodes 71d, 72c, 72d, 73d
Dielectric substrate 81a, 82a, 83a, 84a, 85a, 86a
Resonant lines 81b, 82b, 83b, 84b, 85b, 86b
Resonant line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−278401(JP,A) 特開 平6−69703(JP,A) 特開 平8−46402(JP,A) 特開 平5−175703(JP,A) 特開 平4−220001(JP,A) 実開 昭64−8807(JP,U) 実開 昭60−129706(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/205 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-63-278401 (JP, A) JP-A-6-69703 (JP, A) JP-A 8-46402 (JP, A) JP-A-5-46402 175703 (JP, A) JP-A-4-220001 (JP, A) Japanese Utility Model Application Laid-open No. 64-8807 (JP, U) Japanese Utility Model Application Laid-open No. 60-129706 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. 7 , DB name) H01P 1/205

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1および第2の端面と、これら第1、
第2の端面の間をつなぐ4つの側面とを有してなる誘電
体ブロックと、この誘電体ブロックの第1、第2の端面
間を貫通して形成された少なくとも4つの共振線路とを
有する誘電体フィルタであって、 隣接する一対の共振線路が開放端と短絡端とを逆向きに
して形成され、この一対の共振線路をインターディジタ
ル的に結合させてなる1段バンドエリミネーションフィ
ルタを少なくとも2つ構成し、これら少なくとも2つの
1段バンドエリミネーションフィルタをインターディジ
タル的に又はコムライン的に電気角でπ/2移相結合さ
せてなることを特徴とするバンドエリミネーション型誘
電体フィルタ
A first and a second end face, and the first and second end faces
Dielectric having four sides connecting between second end faces
Body block and first and second end faces of the dielectric block
At least four resonance lines formed through
A dielectric filter having a pair of adjacent resonance lines having an open end and a short-circuited end in opposite directions.
This pair of resonant lines are interdigitated
One-stage band elimination filter
And at least two of these at least two
Interstage one-stage band elimination filter
Π / 2 phase shift coupling in electrical angle
Band elimination type invitation
Electric body filter .
【請求項2】 請求項1に記載の誘電体フィルタにおい
て、前記1段バンドエリミネーションフィルタのうち1
つの共振線路の開放端は該共振線路が形成された共振線
路孔の中に設けられた誘電体素地により形成され、もう
1つの共振線路の開放端は前記誘電体ブロックの端面に
形成されていることを特徴とするバンドエリミネーショ
ン型誘電体フィルタ
2. The dielectric filter according to claim 1, wherein
And one of the one-stage band elimination filters
The open ends of the two resonance lines are the resonance lines on which the resonance lines are formed.
It is formed by a dielectric substrate provided in the
The open end of one resonance line is connected to the end face of the dielectric block.
Band elimination characterized by being formed
Type dielectric filter .
【請求項3】 短辺と長辺とからなる矩形の第1および
第2の端面と、これら第1、第2の端面の間をつなぐ4
つの側面とを有してなる誘電体ブロックと、この誘電体
ブロックの第1、第2の端面間を貫通して形成された複
数の共振線路とを有する誘電体フィルタであって、 前記複数の共振線路が、前記誘電体ブロックの第1およ
び第2の端面において短辺方向に2列に並んで、また長
辺方向に複数列に並んで形成され、短辺方向に2列に並
んだ共振線路がそれぞれ第1の共振線路群と第2の共振
線路群とを構成し、第1の共振線路群はそれぞれ短絡端
が誘電体ブロックの第1の端面に形成されるとともに、
開放端が誘電体ブロックの第2の端面に形成され、また
第2の共振線路群はそれぞれ短絡端が誘電体ブロックの
第2の端面に形成されるとともに、開放端が誘電体ブロ
ックの第1の端面に形成され、 長辺方向の同列に形成された隣接する一対の共振線路が
インターディジタル的に結合してそれぞれ1段バンドエ
リミネーションフィルタを構成し、これら複数 の1段バ
ンドエリミネーションフィルタをコムライン的に電気角
でπ/2移相結合させてなることを特徴とするバンドエ
リミネーション型誘電体フィルタ
3. First and second rectangles each having a short side and a long side.
4 connecting the second end face and the first and second end faces
And a dielectric block having two sides.
A multi-layer formed between the first and second end faces of the block
A dielectric filter having a number of resonance lines, wherein the plurality of resonance lines are arranged in the first and second portions of the dielectric block.
At the second end face in two rows in the short side direction,
A plurality of lines are formed in the side direction, and two lines are formed in the short side direction.
The first resonance line group and the second resonance line
And a first resonance line group, each of which has a short-circuited end.
Is formed on the first end face of the dielectric block,
An open end is formed on the second end face of the dielectric block;
Each of the second resonance line groups has a short-circuited end of a dielectric block.
A dielectric block formed on the second end face and having an open end
A pair of adjacent resonance lines formed on the first end face of the
One stage band energy
A plurality of one-stage filters constitute a limiting filter.
Electrical elimination filter with electrical angle
Characterized by π / 2 phase shift coupling at
Limitation type dielectric filter .
【請求項4】 短辺と長辺とからなる矩形の第1および
第2の端面と、これら第1、第2の端面の間をつなぐ4
つの側面とを有してなる誘電体ブロックと、この誘電体
ブロックの第1、第2の端面間を貫通して形成された複
数の共振線路とを有する誘電体フィルタであって、 前記複数の共振線路が、前記誘電体ブロックの第1およ
び第2の端面において短辺方向に2列に並んで、また長
辺方向に複数列に並んで形成され、短辺方向に2列に並
んだ共振線路がそれぞれ第1の共振線路群と第2の共振
線路群とを構成し、第1の共振線路群の各共振線路およ
び第2の共振線路群の各共振線路はそれぞれ開放端およ
び短絡端が交互に反対の端面に形成され、かつ長辺方向
の同列に形成された第1の共振線路群の共振線路と第2
の共振線路群の共振線路はそれぞれ開放端および短絡端
が互いに反対の端面に形成され、 長辺方向の同列に形成された隣接する一対の共振線路が
インターディジタル的に結合してそれぞれ1段バンドエ
リミネーションフィルタを構成し、これら複数の1段バ
ンドエリミネーションをインターディジタル的に電気角
でπ/2移相結合させてなることを特徴とするバンドエ
リミネーション型誘電体フィルタ
4. A first and second rectangle having a short side and a long side.
4 connecting the second end face and the first and second end faces
And a dielectric block having two sides.
A multi-layer formed between the first and second end faces of the block
A dielectric filter having a number of resonance lines, wherein the plurality of resonance lines are arranged in the first and second portions of the dielectric block.
At the second end face in two rows in the short side direction,
A plurality of lines are formed in the side direction, and two lines are formed in the short side direction.
The first resonance line group and the second resonance line
Line group, and each resonance line of the first resonance line group and
And each resonance line of the second resonance line group has an open end and
And short-circuited ends are formed alternately on the opposite end faces, and
And the resonance line of the first resonance line group formed in the same row
The resonance lines of the resonance line group
Are formed on opposite end faces, and a pair of adjacent resonance lines formed in the same row in the long side direction are
One stage band energy
A plurality of one-stage filters constitute a limiting filter.
Electrical elimination of electrical elimination
Characterized by π / 2 phase shift coupling at
Limitation type dielectric filter .
【請求項5】 請求項3又は請求項4に記載の誘電体フ
ィルタにおいて、前記第1の共振線路群の隣接する共振
線路の間に遮蔽電極が設けられていることを特徴とする
バンドエリミネーション型誘電体フィルタ
5. The dielectric member according to claim 3, wherein
A first resonance line group adjacent to the first resonance line group;
It is characterized in that a shielding electrode is provided between the lines
Band elimination type dielectric filter .
【請求項6】 短辺と長辺とからなる矩形の第1および
第2の端面と、これら第1、第2の端面の間をつなぐ4
つの側面とを有してなる誘電体ブロックと、この誘電体
ブロックの第1、第2の端面間を貫通して形成された複
数の共振線路とを有する誘電体フィルタであって、 前記複数の共振線路が、前記誘電体ブロックの第1およ
び第2の端面において短辺方向に2列に並んで、また長
辺方向に3列以上に並んで形成され、短辺方向に2列に
並んだ共振線路がそれぞれ第1の共振線路群と第2の共
振線路群とを構成し、長辺方向の同列に形成された隣接
する一対の共振線路がそれぞれ開放端と短絡端とを逆向
きにして形成されてインターディジタル的に結合してそ
れぞれ1 段バンドエリミネーションフィルタを構成し、
これら複数の1段バンドエリミネーションフィルタがイ
ンターディジタル的に又はコムライン的に電気角でπ/
2移相結合しており、 第1の共振線路群の各共振線路の開放端は該共振線路が
形成された共振線路孔の中に設けられた誘電体素地によ
り形成され、第2の共振線路群の両端の共振線路の開放
端は誘電体ブロックのいずれかの端面に形成されるとと
もに、該端面に形成された接続電極に接続され、第2の
共振線路群の残りの共振線路の開放端は該共振線路が形
成された共振線路孔の中に設けられた誘電体素地により
形成されていることを特徴とするバンドエリミネーショ
ン型誘電体フィルタ
6. A first and a second rectangle having a short side and a long side.
4 connecting the second end face and the first and second end faces
And a dielectric block having two sides.
A multi-layer formed between the first and second end faces of the block
A dielectric filter having a number of resonance lines, wherein the plurality of resonance lines are arranged in the first and second portions of the dielectric block.
And two lines on the second end face in the short side direction,
Formed in three or more rows in the side direction and two rows in the short side direction
The arranged resonance lines are respectively the first resonance line group and the second resonance line group.
And adjacent lines formed in the same row in the long side direction
Pair of resonant lines have open ends and short ends
And are interdigitally combined
Each constitutes a one- stage band elimination filter,
These multiple one-stage band elimination filters
Π / electrical angle in electrical angle
2 phase shift coupling, the open ends of the resonance lines of the first resonance line group
The dielectric substrate provided in the formed resonant line hole
Opening of the resonance lines at both ends of the second resonance line group
When the end is formed on any end face of the dielectric block
And a second electrode connected to the connection electrode formed on the end face.
The open ends of the remaining resonance lines of the resonance line group are
With the dielectric substrate provided in the formed resonant line hole
Band elimination characterized by being formed
Type dielectric filter .
【請求項7】 請求項1から請求項6のいずれかに記載
の誘電体フィルタにおいて、前記共振線路が形成された
共振線路孔の断面形状が扁平化されていることを特徴と
するバンドエリミネーション型誘電体フィルタ
7. The method according to claim 1, wherein :
In the dielectric filter, the resonance line is formed.
The cross-sectional shape of the resonant line hole is flattened.
Band elimination type dielectric filter .
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