Diese
Erfindung bezieht sich auf ein dielektrisches Bandsperrfilter. Diese
Erfindung bezieht sich insbesondere auf ein dielektrisches Bandsperrfilter, das
zur Verwendung in einer mobilen Kommunikationsvorrichtung, wie z.
B. einem tragbaren Telefon, angepaßt ist.These
The invention relates to a dielectric band elimination filter. These
The invention relates in particular to a dielectric band elimination filter which
for use in a mobile communication device, such.
B. a portable phone adapted.
Wie
in 25 gezeigt, und wie es ferner durch ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm, das in 26 gezeigt
ist, gezeigt ist, ist ein bekanntes dielektrisches Einstufenbandsperrfilter
(BEF) mit einem dielektrischen Resonator 111 und einem
Kopplungskondensator Ce 112 gebildet,
die durch einen Verbinderanschluß 113 seriell geschaltet
sind. Die Frequenzdämpfungscharakteristik
desselben ist in 27 gezeigt. 28 ist
ein Blockdiagramm einer bekannten Mobilkommunikationsvorrichtung,
wie z. B. eines tragbaren Telefons, und ein dielektrisches Bandsperrfilter,
wie im vorhergehenden beschrieben, wird in der Senderschaltung innerhalb
des Duplexers D1 derselben verwendet. Die
Senderfrequenz fTX und die Empfängerfrequenz
fRX dieser Kommunikationsvorrichtung sind
in dem Diagramm von 27 gezeigt. Dieselben sind derart
eingestellt, daß die
Empfängerfrequenz
fRX und die Sperrfrequenz fT des
dielektrischen BEF miteinander übereinstimmen.As in 25 and as further shown by an equivalent circuit diagram incorporated in 26 is a known single-pass dielectric barrier filter (BEF) with a dielectric resonator 111 and a coupling capacitor C e 112 formed by a connector terminal 113 are connected in series. The frequency attenuation characteristic thereof is in 27 shown. 28 is a block diagram of a known mobile communication device, such. As a portable telephone, and a dielectric notch filter, as described above, is used in the transmitter circuit within the duplexer D 1 thereof. The transmitter frequency f TX and the receiver frequency f RX of this communication device are shown in the diagram of FIG 27 shown. They are set such that the receiver frequency f RX and the cutoff frequency f T of the dielectric BEF coincide with each other.
Als
ein weiteres Beispiel der bekannten Technologie ist ein allgemeines
bekanntes dielektrisches Zweistufen-BEF in 29 gezeigt.
In 29 und 30, die
das äquivalente
Schaltungsdiagramm derselben ist, bezeichnet R einen Resonator, Ce bezeichnet einen Sperrkondensator, Ct bezeichnet einen parallelen Kondensator,
L bezeichnet einen Induktor, der als ein Viertelwellenlängenphasenschieber
dient, und die Ziffern 121, 122, 123 bzw. 124 bezeichnen
eine Gehäuseabdeckung,
einen Verbinderanschluß,
ein Induktorstruktursubstrat und ein gemeinsames Substrat. 31 zeigt
die Frequenzdämpfungscharakteristik
dieses dielektrischen BEF, und zeigt ferner die Senderfrequenz fTX und die Empfängerfrequenz fRX,
wenn dieses Filter in der Senderseite des Duplexers D1 der
Kommunikationsvorrichtung, die in 28 gezeigt
ist, verwendet wird. Bei dieser Anwendung sind auch die Empfängerfrequenz fRX und die Sperrfrequenz fT des
Filters eingestellt, um übereinzustimmen.As another example of the known technology is a general well-known two-stage dielectric BEF in 29 shown. In 29 and 30 1, which is the equivalent circuit diagram thereof, R denotes a resonator, C e denotes a blocking capacitor, C t denotes a parallel capacitor, L denotes an inductor serving as a quarter wavelength phase shifter, and the numerals 121 . 122 . 123 respectively. 124 denotes a housing cover, a connector terminal, an inductor substrate, and a common substrate. 31 shows the frequency attenuation characteristic of this dielectric BEF, and further shows the transmitter frequency f TX and the receiver frequency f RX when this filter is in the transmitter side of the duplexer D 1 of the communication device incorporated in 28 shown is used. In this application, the receiver frequency f RX and the rejection frequency f T of the filter are also set to coincide.
Bei
der bekannten mobilen Kommunikationsvorrichtung, die oben beschrieben
ist, können
Wellen mit einer Frequenz fS = fTX – (fRX – fTX), die von der Antenne A1 in
die Senderseite des Duplexers D1 eintreten,
nicht durch ein dielektrisches BEF mit einer Dämpfungscharakteristik, die
in der 27 oder der 31 angegeben
ist, alleine gestoppt werden. Dies ist der Grund, warum ein Isolator
I1 in die Senderschaltung eingefügt ist.
Zusätzlich
ist ein Bandpaßfilter
(BPF) B1 in der Senderschaltung erforderlich,
um Wellen mit unerwünschten
Frequenzen zu dämpfen, die
in dem Mixer M1 auf der Senderseite erzeugt
werden.In the known mobile communication device described above, waves having a frequency f S = f TX - (f RX - f TX ) entering from the antenna A 1 into the transmitter side of the duplexer D 1 can not be detected by a dielectric BEF with a damping characteristic, which in the 27 or the 31 is specified, stopped alone. This is the reason why an isolator I 1 is inserted in the transmitter circuit. In addition, a bandpass filter (BPF) B 1 in the transmitter circuit is required to attenuate waves of undesired frequencies generated in the mixer M 1 on the transmitter side.
Probleme
dieser Art treten nicht auf, wenn ein dielektrisches BPF anstelle
des dielektrischen BEF in der Senderschaltung des Duplexers D1 verwendet wird. Es tritt jedoch ein anderes
Problem auf, daß der
Einfügeverlust
und die Dämpfungscharakteristika,
die durch ein dielektrisches BEF erhaltbar sind, nicht vollständig durch
ein Filter einer vergleichbaren Größe realisiert werden können. Um
ein dielektrisches Einstufen-BEF zu bilden, wie es oben beschrieben
ist, ist außerdem
nicht nur ein dielektrischer Resonator sondern ferner ein Kopplungskondensator
und ein Verbinderanschluß zum
Verbinden des dielektrischen Resonators und des Kopplungskondensators
erforderlich. Ähnlich
sind, um ein dielektrisches Zweistufen-BEF, wie oben beschrieben, zu
bilden, nicht nur ein dielektrischer Resonator sondern ferner zusätzliche
Komponententeile, wie z. B. eine Gehäuseabdeckung, Verbinderanschlüsse, ein Induktorstruktursubstrat
und ein gemeinsames Substrat, erforderlich. Kurz gesagt, nehmen
die Anzahl der erforderlichen Komponententeile und die Kosten zu,
und die Vorrichtung wird sperriger.Problems of this kind do not occur when a dielectric BPF is used instead of the dielectric BEF in the transmitter circuit of the duplexer D 1 . However, there is another problem that the insertion loss and the attenuation characteristics obtainable by a dielectric BEF can not be fully realized by a filter of a comparable size. Further, in order to form a one-stage dielectric BEF as described above, not only a dielectric resonator but also a coupling capacitor and a connector terminal are required for connecting the dielectric resonator and the coupling capacitor. Similarly, in order to form a two-stage dielectric BEF as described above, not only a dielectric resonator but also additional component parts, such as, e.g. As a housing cover, connector terminals, an inductor substrate and a common substrate required. In short, the number of component parts required and the cost increase, and the device becomes bulkier.
Es
ist daher ein Ziel dieser Erfindung, die Probleme zu eliminieren,
die oben beschrieben sind, und dielektrische BEFs zu schaffen, die
die Schaltungsstruktur von mobilen Kommunikationsvorrichtungen,
wie z. B. tragbaren Telefonen, vereinfachen können, wobei dieselben lediglich
eine kleine Anzahl von Komponententeilen aufweisen und eine kompakte
Größe besitzen.It
is therefore an object of this invention to eliminate the problems
described above, and to provide dielectric BEFs that
the circuit structure of mobile communication devices,
such as As portable phones, can simplify the same
have a small number of component parts and a compact
Own size.
Ein
kleines Interdigitalfilter ist in der JP-A-61-167201 offenbart,
das mehrere zylinderförmige
metallisierte Durchgangslöcher
in einem dielektrischen Block mit einem leitfähigen Film auf demselben aufweist.
Ein Ende jedes Lochs weist einen nicht-leitfähigen Abschnitt auf, der auf
der Oberfläche des
dielektrischen Blocks vorgesehen ist. Benachbarte leitfähige Durchgangslöcher besitzen
ihren nichtleitfähigen
Abschnitt an gegenüberliegenden Enden.A small interdigital filter is in the JP-A-61-167201 discloses a plurality of cylindrical metallized through holes in a dielectric block having a conductive film thereon. One end of each hole has a non-conductive portion provided on the surface of the dielectric block. Adjacent conductive vias have their non-conductive portion at opposite ends.
Die
Erfindung sieht ein dielektrisches Bandsperrfilter vor, das einen
dielektrischen Block mit äußeren Oberflächen, die
eine erste und eine zweite Endoberfläche aufweisen, die einander
gegenüberliegen,
einen äußeren Leiter,
der Abschnitte der äußeren Oberflächen bedeckt,
und zwei gegenseitig gekoppelte Resonanzleitungen aufweist, die
in dem dielektrischen Block sich zwischen den Endoberflächen erstreckend
gebildet sind, wobei jede der Resonanzleitungen ein Leerlaufende
aufweist, das sich nicht in einem Kontakt mit dem äußeren Leiter
befindet, und ein Kurzschlußende
aufweist, das sich in einem Kontakt mit dem äußeren Leiter befindet, wobei die
Leerlauf- und die Kurzschluß-Enden
der zwei Resonanzleitungen entgegengesetzt ausgerichtet sind; dadurch
gekennzeichnet, daß das
Leerlaufende von einer der zwei Resonanzleitungen nicht mit einer äußeren Schaltung
verbunden ist, und das Leerlaufende der anderen der Resonanzleitungen
mit einer äußeren Schaltung
verbunden ist.The invention provides a dielectric band-stop filter comprising a dielectric block having outer surfaces having first and second end surfaces facing each other, an outer conductor covering portions of the outer surfaces, and two mutually coupled resonant lines disposed in the dielectric block are formed extending between the end surfaces, each of the resonant lines having an open end that is not in contact with the outer conductor, and having a shorting end that is in contact with the outer conductor, wherein the open and short ends of the two resonant lines are oppositely directed; characterized in that the open end of one of the two resonant lines is not connected to an external circuit, and the open end of the other of the resonant lines is connected to an external circuit.
Die
Erfindung sieht ferner ein dielektrisches Bandsperrfilter, wie oben,
vor, bei dem der dielektrische Block eine Mehrzahl von Einstufen-Bandsperrfiltern
aufweist, wobei jedes derselben zwei interdigital gekoppelte Resonanzleitungen
aufweist, die sich zwischen der ersten und der zweiten Endoberfläche innerhalb
der Durchgangslöcher
durch den Block erstrecken, wobei jedes gegenseitig benachbarte
Paar der Einstufenbandsperrfilter mit einer Phasenverschiebung π/2 miteinander
interdigital gekoppelt oder kammleitungsgekoppelt ist.The
The invention further provides a dielectric band rejection filter as above.
in that the dielectric block filters a plurality of single-stage bandstop filters
each having two inter-digitally coupled resonant lines
which extends between the first and second end surfaces within
the through holes
extend through the block, each mutually adjacent
A pair of single-band-stop filters having a phase shift π / 2 with each other
interdigitated coupled or comb-line coupled.
Jedes
Einstufenbandsperrfilter kann, wie oben beschrieben, strukturiert
sein, wobei jede der zwei Resonanzleitungen desselben ein Leerlaufende und
ein Kurzschlußende
aufweist, und das Leerlaufende und das Kurzschlußende derselben entgegengesetzt
ausgerichtet sind. Jedes Leerlaufende kann an einer der Endoberflächen des
dielektrischen Blocks, wobei dasselbe mit einer Elektrode an der Endoberfläche verbunden
ist und von dem äußeren Leiter
isoliert ist, oder bei einem ringförmigen leiterfreien Bereich
gebildet sein, der auf der inneren Oberfläche des entsprechenden Durchgangslochs gebildet
ist.each
A single-stage barrier filter may be structured as described above
wherein each of the two resonant lines thereof is an open circuit end and
a short circuit end
and the neutral end and the short-circuit end thereof are opposite
are aligned. Each idle end may be on one of the end surfaces of the
dielectric block, the same being connected to an electrode on the end surface
is and from the outer conductor
is isolated, or at an annular ladder-free area
be formed, which formed on the inner surface of the corresponding through hole
is.
Die
Resonanzleitungen zum Bilden der Mehrzahl von Einstufenbandsperrfiltern
können
auf verschiedene Arten und Weisen angeordnet sein. Dieselben können in
zwei horizontalen Reihen (die obere und die untere Reihe) und vielen
vertikalen Spalten angeordnet sein, wobei die obere und die untere
Reihe in jeder Spalte ein Einstufenfilter bilden. Mit dieser Anordnung
der Resonanzleitungen können
alle Resonanzleitungen in der oberen Reihe angeordnet sein, so daß die Leerlaufenden
derselben hin zu einer der Endoberflächen des dielektrischen Blocks
zeigen, wobei dieselben in der unteren Reihe zu der anderen Endoberfläche zeigen.
Alternativ können
die Resonanzleitungen derart angeordnet sein, daß die Leerlaufenden von zwei
gegenseitig benachbarten Resonanzleitungen in der gleichen Reihe
immer in entgegengesetzten Richtungen ausgerichtet sind. Abschirmelektroden
können
zwischen den Resonanzleitungen eingebracht sein, die sich in der gleichen
Reihe nahe zueinander befinden.The
Resonant lines for forming the plurality of single-stage band-stop filters
can
be arranged in various ways. They can be in
two horizontal rows (the top and bottom rows) and many
be arranged in vertical columns, the upper and the lower
Row in each column to form a one-shot filter. With this arrangement
the resonant lines can
all resonance lines in the upper row be arranged so that the idle ends
the same toward one of the end surfaces of the dielectric block
show the same in the lower row to the other end surface.
Alternatively you can
the resonant lines may be arranged such that the open ends of two
mutually adjacent resonant lines in the same row
always aligned in opposite directions. shield
can
be inserted between the resonant lines, which are in the same
Row are close to each other.
Die
Resonanzleitungspaare, die die Einstufenbandsperrfilter bilden,
müssen
nicht alle in der gleichen Richtung ausgerichtet sein. Zwei derartige Filter
mit einer horizontal ausgerichteten Resonanzleitung können ein
Filter mit einer vertikal ausgerichteten Resonanzleitung innerhalb
eines horizontal länglichen
dielektrischen Blocks mit einem nach oben gerichteten vorstehenden
Mittelteil zum Bilden einer der Resonanzleitungen für das vertikal
ausgerichtete Filter darin zwischen sich schichten.The
Resonant line pairs forming the single-stage band-stop filters,
have to
not all aligned in the same direction. Two such filters
with a horizontally aligned resonant line can
Filter with a vertically aligned resonant line inside
a horizontally elongated
dielectric blocks with an upward protruding
Middle part for forming one of the resonance lines for the vertical
sandwich aligned filters in it.
Die
Durchgangslöcher
zum Enthalten der Resonanzleitungen können eine abgeflachte Form derart
aufweisen, daß der
dielektrische Block dünner gemacht
werden kann.The
Through holes
for containing the resonance lines may be a flattened shape such
have that the
Dielectric block made thinner
can be.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Die
beigefügten
Zeichnungen, die aufgenommen sind und einen Teil dieser Beschreibung
bilden, stellen Ausführungsbeispiele
der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, um
die Prinzipien der Erfindung zu erklären. In den Zeichnungen istThe
attached
Drawings that are included and part of this description
form, make embodiments
of the invention and, together with the description to serve
to explain the principles of the invention. In the drawings is
1 eine
schematische Diagonalansicht eines dielektrischen Einstufen-BEF
gemäß einem ersten
Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 1 a schematic diagonal view of a single-stage dielectric BEF according to a first embodiment of this invention;
2 ein
Schaltungsstrukturdiagramm des Filters von 1; 2 a circuit structure diagram of the filter of 1 ;
3 ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm des Filters von 1; 3 an equivalent circuit diagram of the filter of 1 ;
4 eine
Schnittansicht des Filters von 1, die entlang
der Linie 4-4 in 1 zum Erklären der äquivalenten Kondensatoren vorgenommen ist; 4 a sectional view of the filter of 1 along the line 4-4 in 1 is made to explain the equivalent capacitors;
5 ein
Diagramm, das die Eingangsimpedanzcharakteristik des Filters von 1 zeigt; 5 a diagram showing the input impedance characteristic of the filter of 1 shows;
6 eine
Frequenzdämpfungscharakteristik
des Filters von 1; 6 a frequency attenuation characteristic of the filter of 1 ;
7 eine
schematische Diagonalansicht eines weiteren dielektrischen Einstufen-BEF
gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 7 a schematic diagonal view of another single-stage dielectric BEF according to a second embodiment of this invention;
8 eine
schematische Diagonalansicht eines weiteren dielektrischen Einstufen-BEF
gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 8th a schematic diagonal view of another single-stage dielectric BEF according to a third embodiment of this invention;
9 eine
schematische Diagonalansicht eines dielektrischen Zweistufen-BEF
gemäß einem vierten
Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 9 a schematic diagonal view of a two-stage dielectric BEF according to a fourth embodiment of this invention;
10 ein
Schaltungsstrukturdiagramm des Filters von 9; 10 a circuit structure diagram of the filter of 9 ;
11 ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm des Filters von 9; 11 an equivalent circuit diagram of the filter of 9 ;
12 ein
Frequenzdämpfungscharakteristikdiagramm
für das
Filter von 9 und ein bekanntes Filter; 12 a frequency attenuation characteristic tikdiagramm for the filter of 9 and a known filter;
13 eine
schematische Diagonalansicht eines dielektrischen Fünfstufen-BEF
gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 13 a schematic diagonal view of a five-stage dielectric BEF according to a fifth embodiment of this invention;
14 ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm des Filters von 13; 14 an equivalent circuit diagram of the filter of 13 ;
15 eine
schematische Diagonalansicht eines weiteren dielektrischen Fünfstufen-BEF
gemäß einem
sechsten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 15 a schematic diagonal view of another five-stage dielectric BEF according to a sixth embodiment of this invention;
16 ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm des Filters von 15; 16 an equivalent circuit diagram of the filter of 15 ;
17 eine
schematische Diagonalansicht eines weiteren dielektrischen Fünfstufen-BEF
gemäß einem
siebten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 17 a schematic diagonal view of another five-stage dielectric BEF according to a seventh embodiment of this invention;
18 eine
schematische Diagonalansicht eines dielektrischen Dreistufen-BEF
gemäß einem achten
Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 18 a schematic diagonal view of a three-stage dielectric BEF according to an eighth embodiment of this invention;
19 ein
Schaltungsstrukturdiagramm des Filters von 18; 19 a circuit structure diagram of the filter of 18 ;
20 ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm des Filters von 18; 20 an equivalent circuit diagram of the filter of 18 ;
21 eine
schematische Diagonalansicht eines weiteren dielektrischen Dreistufen-BEF
gemäß einem
neunten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 21 a schematic diagonal view of another three-stage dielectric BEF according to a ninth embodiment of this invention;
22 eine
schematische Diagonalansicht eines weiteren dielektrischen Dreistufen-BEF
gemäß einem
zehnten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 22 a schematic diagonal view of another three-stage dielectric BEF according to a tenth embodiment of this invention;
23 eine
schematische Diagonalansicht eines dielektrischen Sechsstufen-BEF
gemäß einem elften
Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung; 23 a schematic diagonal view of a dielectric six-stage BEF according to an eleventh embodiment of this invention;
24 eine
schematische Diagonalansicht eines dielektrischen Dreistufen-BEF
gemäß einer
Variation des zehnten Ausführungsbeispiels
dieser Erfindung; 24 a schematic diagonal view of a three-stage dielectric BEF according to a variation of the tenth embodiment of this invention;
25 eine
Explosionsdiagonalansicht eines bekannten dielektrischen Einstufen-BEF; 25 an exploded diagonal view of a known single-stage dielectric BEF;
26 ein
Schaltungsstrukturdiagramm des bekannten Filters von 25; 26 a circuit structure diagram of the known filter of 25 ;
27 ein
Frequenzdämpfungscharakteristikdiagramm
des bekannten Filters von 25; 27 a frequency attenuation characteristic diagram of the known filter of 25 ;
28 ein
Blockschaltungsdiagramm einer mobilen Kommunikationsvorrichtung,
wie z. B. einem tragbaren Telefon, unter Verwendung eines bekannten
dielektrischen BEF; 28 a block circuit diagram of a mobile communication device, such. A portable telephone, using a known dielectric BEF;
29 eine
Explosionsdiagonalansicht eines weiteren bekannten dielektrischen
BEF; 29 an exploded diagonal view of another known dielectric BEF;
30 ein
Schaltungsstrukturdiagramm eines allgemeinen bekannten dielektrischen
Filters; und 30 a circuit structure diagram of a generally known dielectric filter; and
31 ein
Frequenzdämpfungscharakteristikdiagramm
des bekannten Filters von 29. 31 a frequency attenuation characteristic diagram of the known filter of 29 ,
1 zeigt
ein dielektrisches Einstufen-BEF gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das durch eine Kombination von zwei Resonanzleitungen
gebildet ist. Ein rechteckförmiger
dielektrischer Block 101 weist zwei kreiszylinderförmige Durchgangslöcher 102a, 103a auf,
die nahe zueinander von einer Endoberfläche zu der gegenüberliegenden
Endoberfläche
gebildet sind. Innere Leiter sind an den inneren Oberflächen der
Durchgangslöcher 102a, 103a gebildet.
Der innere Leiter innerhalb des Durchgangslochs 102a ist
mit einer rechteckförmigen
Elektrode 102b an einer der Endoberflächen (die erste Endoberfläche) des
dielektrischen Blocks 101 verbunden. Der innere Leiter
innerhalb des Durchgangslochs 103a ist mit einer weiteren
rechteckförmigen
Elektrode 103b an der anderen Endoberfläche (die zweite Endoberfläche) des
dielektrischen Blocks 101 verbunden. Die äußeren Oberflächen des
dielektrischen Blocks 101 sind im wesentlichen vollständig durch
einen äußeren Leiter
bedeckt, ausgenommen den leiterfreien (oder den das Dielektrikum
freilegenden) Bereichen 102c, 103c, die die Elektroden 102b, 103b umgeben. 1 Fig. 10 shows a single-stage dielectric BEF according to a first embodiment of this invention formed by a combination of two resonant lines. A rectangular dielectric block 101 has two circular cylindrical through holes 102 . 103a which are formed close to each other from one end surface to the opposite end surface. Inner conductors are on the inner surfaces of the through holes 102 . 103a educated. The inner conductor inside the through hole 102 is with a rectangular electrode 102b on one of the end surfaces (the first end surface) of the dielectric block 101 connected. The inner conductor inside the through hole 103a is with another rectangular electrode 103b on the other end surface (the second end surface) of the dielectric block 101 connected. The outer surfaces of the dielectric block 101 are substantially completely covered by an outer conductor except for the conductor-free (or dielectric-exposing) regions 102c . 103c that the electrodes 102b . 103b surround.
Der
innere Leiter innerhalb des Durchgangslochs 102a ist mit
dem äußeren Leiter
an der zweiten Endoberfläche
des dielektrischen Blocks 101 verbunden, um eine Viertelwellenlängenresonanzleitung 102 zu
bilden. Der innere Leiter innerhalb des Durchgangslochs 103a ist
mit dem äußeren Leiter
an der ersten Endoberfläche
des dielektrischen Blocks 101 verbunden, um eine weitere
Viertelwellenlängenresonanzleitung 103 zu
bilden. Die leiterfreien Bereiche 102c, 103c dienen
als Leerlaufenden dieser Viertelwellenlängenresonanzleitungen 102, 103.
Es sei bemerkt, daß diese
zwei Resonanzleitungen 102, 103 sich in einer
punktsymmetrischen Beziehung bezüglich
der Mitte des dielektrischen Blocks 101 befinden.The inner conductor inside the through hole 102 is with the outer conductor at the second end surface of the dielectric block 101 connected to a quarter wavelength resonant line 102 to build. The inner conductor inside the through hole 103a is with the outer conductor at the first end surface of the dielectric block 101 connected to another quarter-wavelength resonant line 103 to build. The ladder-free areas 102c . 103c serve as open ends of these quarter wave resonant lines 102 . 103 , It should be noted that these two resonant lines 102 . 103 in a point-symmetric relationship with respect to the center of the dielectric block 101 are located.
2 zeigt
die Schaltungsstruktur des Filters, das oben beschrieben ist. Das äquivalente Schaltungsdiagramm
desselben ist in 3 gezeigt, und 4 ist
eine Schnittansicht des Filters, die entlang der Linie 4-4 in 1 vorgenommen
ist, um zu zeigen, wie äquivalente
Kondensatoren gebildet werden. Wie in 4 gezeigt,
wird die Eigenkapazität C11 pro Einheitslänge zwischen jeder der Resonanzleitungen 102, 103 und
dem äußeren Leiter
gebildet, und die Gegenkapazität
(Betriebskapazität)
C12 wird zwischen den zwei Resonanzleitungen 102, 103 gebildet.
In den 2 und 3 bezeichnet Zin die
Eingangsimpedanz. In 3 bezeichnen Ze bzw.
Zo die charakteristische Impedanz des geraden
Modus bzw. des ungeraden Modus, die durch die folgenden Gleichungen
gegeben sind: Ze = √∊r/VcC1 Zo = √∊r/Vc(C11 + 2C12) 2 shows the circuit structure of the filter described above. The equivalent circuit diagram thereof is in 3 shown, and 4 is a sectional view of the filter taken along the line 4-4 in FIG 1 is made to show how equivalent capacitors are formed the. As in 4 the self-capacitance C 11 per unit length between each of the resonant lines is shown 102 . 103 and the outer conductor, and the counter capacitance C 12 becomes between the two resonance lines 102 . 103 educated. In the 2 and 3 denotes Z in the input impedance. In 3 Z e and Z o denote the characteristic impedance of the even mode and the odd mode, respectively, which are given by the following equations: Z e = √εr / V c C 1 Z O = √ε r / V c (C 11 + 2C 12 )
Er
ist die spezifische dielektrische Konstante und Vc ist
die Lichtgeschwindigkeit. Die charakteristische Kopplungsimpedanz
Zk ist wie folgt definiert: Zk = 2ZeZo/(Ze – Zo)
= √∊r/VcC12 It is the specific dielectric constant and V c is the speed of light. The characteristic coupling impedance Z k is defined as follows: Z k = 2Z e Z O / (Z e - Z O ) = √ε r / V c C 12
Der
Phasenwinkel Θ ist
wie folgt gegeben: Θ = ω√∊r·L/Vc ω bezeichnet
die Winkelfrequenz (oder ω =
2πf, wobei
f die Frequenz ist), und L bezeichnet die Länge jeder Resonanzleitung.The phase angle Θ is given as follows: Θ = ω√ε r · L / V c ω denotes the angular frequency (or ω = 2πf, where f is the frequency), and L denotes the length of each resonance line.
In 3 zeigt
das äquivalente
Schaltungsdiagramm eine Parallelschaltung der charakteristischen
Impedanz des geraden Modus Ze und eine Serienschaltung
der charakteristischen Kopplungsimpedanz Zk und
der charakteristischen Impedanz des geraden Modus Ze zwischen
dem Eingang (Ausgang) und Masse.In 3 Fig. 12 is an equivalent circuit diagram showing a parallel connection of the characteristic impedance of the even mode Z e and a series connection of the characteristic coupling impedance Z k and the characteristic impedance of the even mode Z e between the input (output) and ground.
5 zeigt
die charakteristische Eingangsimpedanz dieses Filters, und 6 zeigt
die Frequenzdämpfungscharakteristik
desselben. In 6 ist die Sperrfrequenz fT wie folgt gegeben: fT = Vc/4√∊r·L 5 shows the characteristic input impedance of this filter, and 6 shows the frequency attenuation characteristic thereof. In 6 the blocking frequency f T is given as follows: f T = V c / 4√ε r · L
In 6 gilt
die durchgezogene Linie für
diese Erfindung; die gestrichelte Linie gilt für ein bekanntes Beispiel, das
in 27 gezeigt ist. 6 zeigt, daß eine erhöhte Dämpfung durch
die vorliegende Erfindung sowohl in Regionen (die durch doppelköpfige Pfeile
bezeichnet sind) auf der höherfrequenten als
auch der niederfrequenten Seite der Sperrfrequenz erhalten wird.In 6 the solid line applies to this invention; the dashed line applies to a known example that is in 27 is shown. 6 shows that increased attenuation is obtained by the present invention both in regions (indicated by double-headed arrows) on the higher and the lower frequency sides of the rejection frequency.
Wenn
ein dielektrisches Einstufen-BEF gemäß dieser Erfindung, das eine
derartige Frequenzdämpfungscharakteristik
aufweist, in der Senderschaltung des Duplexers D1 der
mobilen Kommunikationsvorrichtung, die in 28 gezeigt
ist, verwendet wird, wird es möglich,
den Isolator I1 zu eliminieren, um von der
Antenne A1 in die Senderseite des Duplexers
D1 eindringende Wellen zu stoppen, da eine
ausreichende Dämpfung
auf der niederfrequenten Seite der Sperrfrequenz erhalten wird.
Da eine Dämpfung
sowohl auf der nie derfrequenten als auch auf der höherfrequenten
Seite der Sperrfrequenz erhalten wird, kann außerdem der BPF B1 zum
Dämpfen
von Wellen mit unerwünschten
Frequenzen, die durch den Mixer M1 auf der
Senderseite erzeugt werden, entweder eliminiert oder durch einen
kleineren, weniger aufwendigen BPF mit weniger Stufen ersetzt werden.
Außerdem
besteht, da das dielektrische BEF gemäß dieser Erfindung mit einem
einzigen dielektrischen Block gebildet ist, der die Sperrschaltung desselben
durch ein gegenseitig koppelndes Paar von Resonanzleitungen vorsieht,
keine Notwendigkeit für
einen Kopplungskondensator, der angeschlossen werden muß, oder
für einen
Verbinderanschluß.
Es kann mit anderen Worten die Anzahl der Komponententeile reduziert
werden.When a single-stage dielectric BEF according to this invention having such a frequency-attenuation characteristic is included in the transmitter circuit of the duplexer D 1 of the mobile communication device disclosed in U.S. Pat 28 is shown, it becomes possible to eliminate the insulator I 1 to stop waves entering from the antenna A 1 into the transmitter side of the duplexer D 1 because sufficient attenuation is obtained on the low-frequency side of the notch frequency. In addition, since attenuation is obtained on both the never-frequency and the higher-frequency side of the notch frequency, the BPF B 1 can be either eliminated or tuned to attenuate unwanted frequencies generated by the mixer M 1 on the transmitter side smaller, less expensive BPF can be replaced with fewer stages. In addition, since the dielectric BEF according to this invention is formed with a single dielectric block which provides the blocking circuit thereof by a mutually coupling pair of resonant lines, there is no need for a coupling capacitor to be connected or for a connector terminal. In other words, the number of component parts can be reduced.
7 zeigt
ein weiteres dielektrisches Einstufen-BEF gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das ähnlich
zu demselben ist, das oben beschrieben ist, mit der Ausnahme, daß die Elektroden 103b für die Resonanzleitung 103 und
der äußere Leiter
von der zweiten Endoberfläche
entfernt sind. Die Komponenten, die im wesentlichen identisch sind,
oder die im wesentlichen identisch zu denselben des Filters funktionieren,
das in 1 gezeigt ist, sind durch die gleichen Ziffern
bezeichnet und sind im folgenden nicht wiederholt beschrieben. 7 FIG. 12 shows another one-shot dielectric BEF according to a second embodiment of this invention, which is similar to that described above, except that the electrodes 103b for the resonance line 103 and the outer conductor is away from the second end surface. The components which are substantially identical or which function substantially identically to the same of the filter used in 1 are indicated by the same numerals and are not described repeatedly below.
Das
Filter gemäß dem zweiten
Ausführungsbeispiel,
das in 7 gezeigt ist, funktioniert im wesentlichen wie
das erste Ausführungsbeispiel
und ist vorteilhaft dahingehend, daß die Anzahl der Elektrodenstrukturen
reduziert ist, und daß dasselbe
daher mit reduzierten Kosten erzeugt werden kann.The filter according to the second embodiment, which is in 7 is substantially the same as the first embodiment, and is advantageous in that the number of electrode structures is reduced, and therefore that it can be produced at a reduced cost.
8 zeigt
ein weiteres dielektrisches Einstufen-BEF gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das ähnlich
zu dem ersten Ausführungsbeispiel
ist, das oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben
ist, und dessen Komponenten, die im wesentlichen identisch oder
zumindestens ähnlich
zu denselben des ersten Ausführungsbeispiels
sind, in 8 durch die gleichen Ziffern
bezeichnet sind. Das dritte Ausführungsbeispiel unterscheidet
sich von dem ersten Ausführungsbeispiel
dahingehend, daß zwei
innere Leiter (der erste und der zweite innere Leiter) innerhalb
eines der Durchgangslöcher
(104a) gebildet sind. Ein Ende des ersten inneren Leiters
ist mit dem äußeren Leiter an
der ersten Endoberfläche
des dielektrischen Blocks 101 verbunden. Ein Ende des zweiten
inneren Leiters ist mit dem äußeren Leiter
an der zweiten Endoberfläche
des dielektrischen Blocks 101 verbunden. Zwischen den anderen
Enden der zwei inneren Leiter gibt es einen ringförmigen leiterfreien
(oder das Dielektrikum freilegenden) Bereich 104b, der
an der inneren Oberfläche
des Durchgangslochs 104a nahe der zweiten Endoberfläche gebildet
ist. Der längere der
inneren Leiter (oder der erste innere Leiter in 8)
dient als die Resonanzleitung 104, die ihr Leerlaufende
innerhalb des Durchgangslochs 103a aufweist. 8th FIG. 12 shows another one-shot dielectric BEF according to a third embodiment of this invention, which is similar to the first embodiment described above with reference to FIG 1 and its components which are substantially identical or at least similar to those of the first embodiment, in FIG 8th are designated by the same numbers. The third embodiment differs from the first embodiment in that two inner conductors (the first and second inner conductors) are disposed within one of the through-holes (FIG. 104a ) are formed. An end of the first inner conductor is connected to the outer conductor on the first end surface of the dielectric block 101 connected. An end of the second inner conductor is connected to the outer conductor on the second end surface of the dielectric block 101 connected. Between the other ends of the two inner conductors there is an annular ladder-free (or Dielectric exposing) area 104b at the inner surface of the through hole 104a is formed near the second end surface. The longer of the inner conductors (or the first inner conductor in 8th ) serves as the resonance line 104 their idle end inside the through hole 103a having.
Obwohl
es nicht getrennt in einer Figur dargestellt ist, kann der leiterfreie
Bereich 104b benachbart zu der zweiten Endoberfläche (es
gibt keinen zweiten inneren Leiter) als eine Variation des dritten Ausführungsbeispiels
gebildet sein.Although not shown separately in a figure, the ladder-free area 104b adjacent to the second end surface (there is no second inner conductor) as a variation of the third embodiment.
Ein
Einstufenfilter gemäß dem dritten
Ausführungsbeispiel
der Erfindung weist ferner Funktionen auf, die ähnlich zu denselben des ersten
Ausführungsbeispiels
sind, und dasselbe ist dahingehend vorteilhaft, daß dasselbe
bessere Abschirmeffekte aufweist, da die äußeren Oberflächen des
dielektrischen Blocks 1 durch den äußeren Leiter, ausgenommen an
den Eingangs- und Ausgangs-Abschnitten, vollständig bedeckt sind.A single-stage filter according to the third embodiment of the invention further has functions similar to those of the first embodiment, and is advantageous in that it has better shielding effects because the outer surfaces of the dielectric block 1 are completely covered by the outer conductor, except at the input and output sections.
9 zeigt
ein dielektrisches Zweistufen-BEF gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel dieser
Erfindung, das einen rechteckförmigen
dielektrischen Block 10 mit vier kreiszylinderförmigen Durchgangslöchern 1a, 2a, 3a, 4a aufweist,
die durch denselben nahe zueinander von einer Endoberfläche zu einer
gegenüberliegenden
Endoberfläche
des Blocks 10 gebildet sind. Die inneren Leiter sind an den
inneren Oberflächen
der Durchgangslöcher 1a, 2a, 3a, 4a gebildet.
Der innere Leiter innerhalb des Durchgangslochs 2a ist
mit einer Elektrode 2b an einer der Endoberflächen (die
erste Endoberfläche) des
Blocks 10 verbunden. Der innere Leiter innerhalb des Durchgangslochs 3a ist
mit einer weiteren Elektrode 3b an der anderen Endoberfläche (der
zweiten Endoberfläche)
des Blocks 10 verbunden. Die äußeren Oberflächen des
Blocks 10 sind im wesentlichen vollständig durch einen äußeren Leiter,
ausgenommen in den leiterfreien (oder das Dielektrikum freilegenden)
Bereichen 2c, 3c, die die Elektroden 2b, 3b umgeben,
bedeckt. 9 shows a two-stage dielectric BEF according to a fourth embodiment of this invention, which is a rectangular dielectric block 10 with four circular cylindrical through holes 1a . 2a . 3a . 4a passing therethrough close to each other from one end surface to an opposite end surface of the block 10 are formed. The inner conductors are on the inner surfaces of the through holes 1a . 2a . 3a . 4a educated. The inner conductor inside the through hole 2a is with an electrode 2 B at one of the end surfaces (the first end surface) of the block 10 connected. The inner conductor inside the through hole 3a is with another electrode 3b on the other end surface (the second end surface) of the block 10 connected. The outer surfaces of the block 10 are essentially completely through an outer conductor, except in the conductor-free (or dielectric-exposing) areas 2c . 3c that the electrodes 2 B . 3b surrounded, covered.
Innerhalb
des Durchgangslochs 1a ist ein ringförmiger leiterfreier (oder das
Dielektrikum freilegender) Bereich 1c an der inneren Oberfläche nahe der
zweiten Endoberfläche
gebildet. Innerhalb des Durchgangslochs 4a ist ein weiterer
ringförmiger
leiterfreier (oder das Dielektrikum freilegender) Bereich 4c an
der inneren Oberfläche
nahe der ersten Endoberfläche
gebildet. Die inneren Leiter innerhalb der Durchgangslöcher 1a, 3a, 4a sind
mit dem äußeren Leiter
an der ersten Endoberfläche
verbunden, und die inneren Leiter innerhalb der Durchgangslöcher 1a, 2a, 4a sind
mit dem äußeren Leiter
an der zweiten Endoberfläche
derart verbunden, daß die
interdigitalen Resonanzleitungen 1–4 durch diese Durchgangslöcher 1a–4a gebildet
sind. Es sei bemerkt, daß die
leiterfreien Bereiche 1c, 2c, 3c, 4c als
Leerlaufenden der Resonanzleitungen 1 bis 4 dienen.Inside the through hole 1a is an annular, conductor-free (or dielectric-exposing) region 1c formed on the inner surface near the second end surface. Inside the through hole 4a is another annular, ladder-free (or dielectric-exposing) region 4c formed on the inner surface near the first end surface. The inner conductors within the through holes 1a . 3a . 4a are connected to the outer conductor at the first end surface, and the inner conductors within the through holes 1a . 2a . 4a are connected to the outer conductor at the second end surface such that the interdigital resonant lines 1 - 4 through these through holes 1a - 4a are formed. It should be noted that the ladder-free areas 1c . 2c . 3c . 4c as idle ends of the resonant lines 1 to 4 serve.
Obwohl
es nicht getrennt in den Figuren dargestellt ist, können die
ringförmigen
leiterfreien Bereiche 1c, 4c benachbart zu der
zweiten Endoberfläche bzw.
zu der ersten Endoberfläche
des Blocks 10 gebildet sein, wie es unter Bezugnahme auf
das Filter gemäß dem dritten
Ausführungsbeispiel
der Erfindung erörtert
ist, das in 8 gezeigt ist.Although not shown separately in the figures, the annular ladder-free areas 1c . 4c adjacent to the second end surface and the first end surface of the block, respectively 10 be formed as discussed with reference to the filter according to the third embodiment of the invention, which in 8th is shown.
Wie
es in 10 gezeigt ist, das ein Schaltungsstruktur diagramm
des Filters ist, das in 9 gezeigt ist, sind die Resonanzleitungen 1, 2 miteinander
interdigital gekoppelt, um zusammen ein Einstufen-BEF 11 zu
bilden, und die Resonanzleitungen 3, 4 sind ähnlich miteinander
interdigital gekoppelt, um zusammen ein weiteres Einstufen-BEF 12 zu
bilden. Diese zwei BEFs 11, 12 sind miteinander
durch einen Viertelwellenlängenphasenschieber
verbunden, der zwischen den Resonanzleitungen 2, 3 derart
gebildet ist, daß ein
dielektrisches Zweistufen-BEF vollständig gebildet ist. Ein dielektrisches
BEF, das derart gebildet ist, kann eine Dämpfung auf sowohl der höherfrequenten
als auch der niederfrequenten Seite der Sperrfrequenz vorsehen,
wobei die Elektroden 2b, 3b der Resonanzleitungen 2, 3 als
Eingangs- und Ausgangsleitungen dienen. In 11, die
ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm des Filters von 9 ist, bezeichnen
Ze, Zk und Θ wiederum
die charakteristische Impedanz des geraden Modus, die charakteristische
Kopplungsimpedanz bzw. den Phasenschiebewinkel π/2. Jedes Einstufen-BEF 11, 12 wird
als eine Parallelschaltung eines seriengeschalteten Parallelzweigs,
der (Zk, Θ) und (Ze, Θ) aufweist,
und eines weiteren Parallelzweigs, der (Ze, Θ) aufweist, dargestellt.
Das Filter, das in 9 gezeigt ist, ist als eine
Kombination zwei derartiger Einstufen-BEFs dargestellt, die durch Übertragungsleitungen
(Zk, Θ) verbunden
sind.As it is in 10 is shown that is a circuit structure diagram of the filter that is in 9 is shown are the resonant lines 1 . 2 Interdigital coupled together to form a single-stage BEF 11 to form, and the resonant lines 3 . 4 are similarly interdigitally coupled together to form another one-stage BEF 12 to build. These two BEFs 11 . 12 are connected together by a quarter wavelength phase shifter, which is located between the resonant lines 2 . 3 is formed such that a two-stage dielectric BEF is completely formed. A dielectric BEF thus formed may provide attenuation on both the higher and the lower frequency side of the rejection frequency, with the electrodes 2 B . 3b the resonance lines 2 . 3 serve as input and output lines. In 11 , which is an equivalent circuit diagram of the filter of 9 Let Z e , Z k and Θ again denote the characteristic impedance of the even mode, the characteristic coupling impedance and the phase shift angle π / 2, respectively. Each one-stage BEF 11 . 12 is represented as a parallel connection of a series-connected parallel branch having (Z k , Θ) and (Z e , Θ) and another parallel branch having (Z e , Θ). The filter used in 9 is shown as a combination of two such one-stage BEFs connected by transmission lines (Z k , Θ).
In
dem Frequenzdämpfungscharakteristikdiagramm
von 12 dient die durchgezogene Linie für das oben
beschriebene Filter, und die gestrichelte Linie dient einem bekannten
Filter, das durch 31 dargestellt ist. 12 zeigt,
daß die
Dämpfung
bei der Sperrfrequenz fT etwa gleich ist,
daß jedoch
eine erhöhte
Dämpfung
durch die vorliegende Erfindung sowohl in der niederfrequenten als
auch in der höherfrequenten
Region (die durch die Pfeile gezeigt sind) bezüglich der Sperrfrequenz fT erhalten wird.In the frequency attenuation characteristic diagram of FIG 12 is the solid line for the filter described above, and the dashed line is a known filter by 31 is shown. 12 shows that the attenuation at the cut-off frequency f T is about equal, but that increased attenuation is obtained by the present invention in both the low-frequency and higher-frequency regions (shown by the arrows) with respect to the cut-off frequency f T.
Bei
dem bekannten Beispiel, das in 29 gezeigt
ist, ist eine LC-Typ-π-Schaltung
angepaßt, um
sowohl als ein Viertelwellenlängenphasenschieber
als auch als ein Tiefpaßfilter zum
Erhalten der Dämpfung
außerhalb
des Bands zu dienen. Mit einem LC-Typ-Tiefpaßfilter kann jedoch eine Dämpfung nicht
auf der niederfrequenten Seite erhalten werden, und die Dämpfung auf
der höherfrequenten Seite
ist im Vergleich zu dem, was durch die vorliegende Erfindung erreichbar
ist, nicht ausreichend groß.In the known example, which is in 29 2, an LC type π circuit is adapted to serve as both a quarter wavelength phase shifter and a low pass filter for obtaining off-band attenuation. However, with an LC type low-pass filter, attenuation can not be obtained on the low-frequency side and the higher frequency side attenuation is not sufficiently large in comparison with what is achievable by the present invention.
Wenn
ein dielektrisches Zweistufen-BEF, das eine derartige Frequenzdämpfungscharakteristik aufweist,
in der Senderschaltung in dem Duplexer D1 der
mobilen Kommunikationsvorrichtung verwendet wird, die in 28 gezeigt
ist, ist es möglich
den Isolator I1 zum Stoppen von in die Senderseite
des Duplexers D1 von der Antenne A1 eindringende Wellen zu eliminieren, da
eine ausreichende Dämpfung
auf der niederfrequenten Seite der Sperrfrequenz erhalten wird.
Da eine Dämpfung
tatsächlich
sowohl auf der niederfrequenten als auch auf der höherfrequenten
Seite der Sperrfrequenz erhalten wird, kann das BPF B1 zum
Dämpfen
von Wellen unerwünschter Frequenzen,
die durch den Mischer M1 auf der Senderseite
erzeugt werden, entweder eliminiert oder durch ein kleineres, weniger
aufwendiges BPF mit weniger Stufen ersetzt werden.When a two-stage dielectric BEF having such a frequency attenuation characteristic is used in the transmitter circuit in the duplexer D 1 of the mobile communication device disclosed in US Pat 28 is shown, it is possible to eliminate the insulator I 1 for stopping waves entering the transmitter side of the duplexer D 1 from the antenna A 1 because sufficient attenuation is obtained on the low-frequency side of the notch frequency. Since attenuation is actually obtained on both the low and high frequency sides of the rejection frequency, the BPF B 1 can be either eliminated or attenuated by a smaller one to attenuate waves of unwanted frequencies generated by the mixer M 1 on the transmitter side. less expensive BPF can be replaced with fewer stages.
13 zeigt
ein kammleitungsgekoppeltes dielektrisches Fünfstufen-BEF gemäß einem
fünften Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das einen rechteckförmigen dielektrischen Block 20 aufweist, der
eine Gesamtzahl von zehn kreiszylinderförmigen Durchgangslöchern aufweist,
die durch denselben nahe zueinander von einer Endoberfläche zu der
gegenüberliegenden
Endoberfläche
des Blocks 20 gebildet sind, und die geometrisch in zwei
horizontalen Reihen derart angeordnet sind, daß Resonanzleitungen 21a–25a in
den fünf
Durchgangslöchern
der oberen Reihe gebildet sind, und daß Resonanzleitungen 21b–25b in
den fünf
Durchgangslöchern
der unteren Reihe gebildet sind. 13 FIG. 12 shows a comb-line coupled five-stage dielectric BEF according to a fifth embodiment of this invention, which is a rectangular dielectric block 20 having a total of ten circular-cylindrical through-holes through the same close to each other from one end surface to the opposite end surface of the block 20 are formed, and which are arranged geometrically in two horizontal rows such that resonant lines 21a - 25a are formed in the five through holes of the upper row, and that resonant lines 21b - 25b are formed in the five through holes of the lower row.
Auf
einer der Endoberflächen
(die erste Endoberfläche)
des dielektrischen Blocks 20 weisen die Resonanzleitungen 21a– 25a der
oberen Reihe jeweils ein Kurzschlußende auf, und die Resonanzleitungen 21b–25b der
unteren Reihe weisen jeweils ein Leerlaufende auf. Auf der gegenüberliegenden Endoberfläche (die
zweite Endoberfläche)
des Blocks 20 weisen die Resonanzleitungen 21a–25a der
oberen Reihe jeweils ein Leerlaufende auf, und die Resonanzleitungen 21b–25b der
unteren Reihe weisen jeweils ein Kurzschlußende auf. Die äußeren Oberflächen des
dielektrischen Blocks 20 sind im wesentlichen vollständig durch
einen äußeren Leiter, außer den
offenen Endoberflächen,
bedeckt. Die inneren Leiter sind an den inneren Oberflächen der Durchgangslöcher gebildet,
die die Resonanzleitungen 21a–25a, 21b–25b bilden.On one of the end surfaces (the first end surface) of the dielectric block 20 assign the resonance lines 21a - 25a each of the upper row has a short-circuit end, and the resonant lines 21b - 25b the lower row each have an open end. On the opposite end surface (the second end surface) of the block 20 assign the resonance lines 21a - 25a each of the upper row has an open circuit end, and the resonant lines 21b - 25b the lower row each have a short circuit end. The outer surfaces of the dielectric block 20 are substantially completely covered by an outer conductor other than the open end surfaces. The inner conductors are formed on the inner surfaces of the through holes containing the resonant lines 21a - 25a . 21b - 25b form.
Jedes
der Paare von Resonanzleitungen der oberen Reihe und der unteren
Reihe 21a mit 21b, 22a mit 22b, 23a mit 23b, 24a mit 24b, 25a mit 25b koppelt
interdigital, um Einstufen-BEFs 21, 22, 23, 24, 25 zu
bilden. Jedes gegenseitig benachbarte Paar dieser Einstufen-BEFs
ist miteinander gemäß einem
bekannten Mechanismus kammleitungsgekoppelt. Die Eingabe und die
Ausgabe von diesem dielektrischen Filter werden durch die Resonanzleitungen 21b und 25b bewirkt.
Ein äquivalentes
Schaltungsdiagramm dieses Filters ist in 14 gezeigt, die
Einstufen-BPFs zeigt, die jeweils als eine Parallelschaltung eines
seriengeschalteten Zweigs mit (Ze, Θ) und (Zk, Θ)
und eines weiteren Zweigs (Ze, Θ) dargestellt
sind, die durch kurzgeschlossene Übertragungsleitungen (Zk, Θ)
verbunden sind.Each of the pairs of resonant lines of the upper row and the lower row 21a With 21b . 22a With 22b . 23a With 23b . 24a With 24b . 25a With 25b couples interdigital to single-stage BEFs 21 . 22 . 23 . 24 . 25 to build. Each adjacent pair of these one-stage BEFs are comb-line coupled together according to a known mechanism. The input and output of this dielectric filter are through the resonant lines 21b and 25b causes. An equivalent circuit diagram of this filter is in FIG 14 3, which shows single-stage BPFs, each shown as a parallel connection of a series-connected branch with (Z e , Θ) and (Z k , Θ) and another branch (Z e , Θ), which are interconnected by shorted transmission lines (Z k , Θ) are connected.
15 zeigt
ein interdigital gekoppeltes dielektrisches Fünfstufen-BEF gemäß einem
sechsten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das einen rechteckförmigen dielektrischen Block 30 aufweist, der
eine Gesamtzahl von zehn kreiszylinderförmigen Durchgangslöchern aufweist,
die durch denselben nahe zueinander von einer Endoberfläche zu einer gegenüberliegenden
Endoberfläche
des Blocks 30 gebildet sind, und die in zwei horizontalen
Reihen geometrisch angeordnet sind, wobei Resonanzleitungen 31a–35a in
den fünf
Durchgangslöchern
der oberen Reihe gebildet sind, und Resonanzleitun gen 31b–35b in
den fünf
Durchgangslöchern
der unteren Reihe gebildet sind. Innere Leiter sind an inneren Oberflächen dieser
zehn Durchgangslöcher
für die Resonanzleitungen 31a–35a, 31b–35b gebildet. 15 FIG. 5 shows a five-stage interdigitally coupled dielectric BEF according to a sixth embodiment of this invention, which comprises a rectangular dielectric block 30 having a total of ten circular-cylindrical through-holes through the same close to each other from one end surface to an opposite end surface of the block 30 are formed, and which are arranged geometrically in two horizontal rows, wherein resonant lines 31a - 35a are formed in the five through holes of the upper row, and Resonanzleitun conditions 31b - 35b are formed in the five through holes of the lower row. Inner conductors are on inner surfaces of these ten through holes for the resonant lines 31a - 35a . 31b - 35b educated.
Die
Resonanzleitungen 31a, 32b, 33a, 34b, 35a weisen
jeweils ein Kurzschlußende
an einer der Endoberflächen
(die erste Endoberfläche)
des dielektrischen Blocks 30 und ein Leerlaufende an der anderen
Endoberfläche
(der zweiten Endoberfläche) auf.
Die Resonanzleitungen 31b, 32a, 33b, 34a, 35b weisen
jeweils ein Leerlaufende an der ersten Endoberfläche und ein Kurzschlußende an
der zweiten Endoberfläche
auf. Die äußeren Oberflächen des
dielektrischen Blocks 30 sind im wesentlichen vollständig durch
einen äußeren Leiter,
ausgenommen an den vorher erwähnten
Leerlaufenden, bedeckt. Jedes der Paare einer oberen einer unteren
Resonanzleitung 31a mit 31b, 32a mit 32b, 33a mit 33b, 34a mit 34b, 35a mit 35b ist
miteinander interdigital gekoppelt, um ein Einstufen-BEF 31, 32, 33, 34, 35 zu
bilden. Jedes gegenseitig benachbarte Paar dieser Einstufen-BEFs
ist interdigital gekoppelt, wie es in dem äquivalenten Schaltungsdiagramm
von 16 gezeigt ist. Da dieses äquivalente Schaltungsdiagramm ähnlich zu
demselben ist, das oben in 11 erklärt ist,
wird dasselbe nicht wiederholt erklärt. Die Eingabe und die Ausgabe
von diesem Filter werden durch die Resonanzleitungen 31b und 35b bewirkt.The resonant lines 31a . 32b . 33a . 34b . 35a each have a shorting end on one of the end surfaces (the first end surface) of the dielectric block 30 and an open end at the other end surface (the second end surface). The resonant lines 31b . 32a . 33b . 34a . 35b each have an open end at the first end surface and a short end at the second end surface. The outer surfaces of the dielectric block 30 are substantially completely covered by an outer conductor except at the previously mentioned idle ends. Each of the pairs of an upper of a lower resonance line 31a With 31b . 32a With 32b . 33a With 33b . 34a With 34b . 35a With 35b is interdigitally coupled to one-stage BEF 31 . 32 . 33 . 34 . 35 to build. Each adjacent pair of these one-stage BEFs are interdigitated, as shown in the equivalent circuit diagram of FIG 16 is shown. Since this equivalent circuit diagram is similar to that described above in FIG 11 is explained, the same is not repeatedly explained. The input and output of this filter are through the resonant lines 31b and 35b causes.
17 zeigt
ein weiteres kammleitungsgekoppeltes dielektrisches Fünfstufen-BEF
gemäß einem
siebten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung. Dieses Filter ist ähnlich zu demselben, das im
vorhergehenden unter Bezugnahme auf 13 beschrieben
ist, ausgenommen, daß Abschirmelektroden 41, die
mit dem äußeren Leiter
verbunden sind, zwischen jedem gegenseitig benachbarten Paar der
Resonanzleitungen 21a–25a der
oberen Reihe vorgesehen sind. In allen anderen Aspekten ist dieses
Filter identisch zu demselben, das in 13 gezeigt
ist. Daher werden einige Ziffern in 13 in 17 verwendet,
um identische Komponenten zu bezeichnen. 17 Fig. 12 shows another comb-line coupled five-stage dielectric BEF according to a seventh embodiment of this invention. This filter is similar to the same one described above with reference to FIG 13 beschrie ben, except that shielding electrodes 41 which are connected to the outer conductor, between each mutually adjacent pair of resonant lines 21a - 25a the upper row are provided. In all other aspects, this filter is identical to the same one used in 13 is shown. Therefore, some digits will be in 13 in 17 used to designate identical components.
18 zeigt
ein interdigital gekoppeltes dielektrisches Dreistufen-BEF gemäß einem
achten Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das einen rechteckförmigen dielektrischen Block 50 mit
einer Gesamtzahl von sechs kreiszylinderförmigen Durchgangslöchern aufweist,
die durch denselben nahe zueinander von einer Endoberfläche zu einer
gegenüberliegenden
Endoberfläche
des Blocks 50 gebildet sind, und die in zwei horizontalen
Reihen geometrisch angeordnet sind, wobei Resonanzleitungen 51a–53a in
den Durchgangslöchern
der oberen Reihe gebildet sind, und Resonanzleitungen 51b–53b in den
Durchgangslöchern
der unteren Reihe gebildet sind. Innere Leiter sind an den inneren
Oberflächen dieser
Durchgangslöcher
für die
Resonanzleitungen 51a–53a, 51b–53b gebildet.
Die inneren Leiter der Resonanzleitungen 51b, 52a, 53b sind
mit Elektroden 51c, 52c bzw. 53c an einer
der Endoberflächen (der
ersten Endoberfläche)
des Blocks 50 und mit einem äußeren Leiter an der anderen
Endoberfläche (der
zweiten Endoberfläche)
verbunden. Die inneren Leiter der Resonanzleitungen 51a, 52b, 53a sind
mit Elektroden 51d, 52d bzw. 53d an der
zweiten Endoberfläche
und mit dem äußeren Leiter
an der ersten Endoberflächen
verbunden. Der äußere Leiter
bedeckt im wesentlichen vollständig
die äußeren Oberflächen des
dielektrischen Blocks 50 außer in den leiterfreien (oder
das Dielektrikum freilegenden) Bereichen 50a, die die Elektroden 51c–53c, 51d–53d umgeben. 18 FIG. 12 shows an interdigitally coupled three-stage dielectric BEF according to an eighth embodiment of this invention, which includes a rectangular dielectric block 50 having a total of six circular-cylindrical through-holes passing therethrough close to each other from one end surface to an opposite end surface of the block 50 are formed, and which are arranged geometrically in two horizontal rows, wherein resonant lines 51a - 53a are formed in the through holes of the upper row, and resonant lines 51b - 53b are formed in the through holes of the lower row. Inner conductors are on the inner surfaces of these through holes for the resonant lines 51a - 53a . 51b - 53b educated. The inner conductors of the resonant cables 51b . 52a . 53b are with electrodes 51c . 52c respectively. 53c at one of the end surfaces (the first end surface) of the block 50 and connected to an outer conductor on the other end surface (the second end surface). The inner conductors of the resonant cables 51a . 52b . 53a are with electrodes 51d . 52d respectively. 53d at the second end surface and connected to the outer conductor at the first end surface. The outer conductor substantially completely covers the outer surfaces of the dielectric block 50 except in the ladder-free (or dielectric exposing) areas 50a that the electrodes 51c - 53c . 51d - 53d surround.
Abschirmelektroden 54 sind
zwischen horizontal benachbarten Paaren von Resonanzleitungen der
oberen Reihe 51a mit 52a, 52a mit 53a vorgesehen,
um eine Kopplung zwischen denselben zu verhindern. Jedes Paar von
vertikal benachbarten Resonanzleitungen 51a mit 51b, 52a mit 52b, 53a mit 53b der
oberen und unteren Reihe ist interdigital gekoppelt, um Einstufen-BEFs 51, 52, 53 zu
bilden. Gegenseitig benachbarte Paare der Resonanzleitungen der unteren
Reihe 51b mit 52b, 52b mit 53b sind
mit einer Phasenverschiebung von π/2
derart interdigital gekoppelt, daß die drei Einstufen-BEFs 51, 52, 53 zusammen
ein interdigital gekoppeltes dielektrisches BEF bilden. 19 stellt
das Schaltungsstrukturdiagramm desselben dar, und 20 ist
das äquivalente
Schaltungsdiagramm desselben.shield 54 are between horizontally adjacent pairs of resonant lines of the upper row 51a With 52a . 52a With 53a provided to prevent a coupling between the same. Each pair of vertically adjacent resonant lines 51a With 51b . 52a With 52b . 53a With 53b the top and bottom rows are interdigitally coupled to single stage BEFs 51 . 52 . 53 to build. Mutually adjacent pairs of resonant lines of the lower row 51b With 52b . 52b With 53b are interdigitated with a phase shift of π / 2 such that the three single stage BEFs 51 . 52 . 53 together form an interdigitated coupled BEF. 19 represents the circuit structure diagram of the same, and 20 is the equivalent circuit diagram of the same.
21 zeigt
ein weiteres interdigital gekoppeltes dielektrisches Dreistufen-BEF
gemäß einem neunten
Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das einen rechteckförmigen dielektrischen Block 60 aufweist,
der einen Vorstand und eine Gesamtzahl von sechs Durchgangslöchern aufweist,
die durch denselben mit inneren Leitern gebildet sind, die an den inneren
Oberflächen
dieser Durchgangslöcher
gebildet sind, um sechs Resonanzleitungen 61a–63a, 61b–63b nahe
zueinander vorzusehen. Die Resonanzleitungen 62a und 62b sind
zueinander vertikal benachbart und miteinander interdigital gekoppelt, um
zusammen ein Einstufen-BEF 62 zu bilden. Resonanzleitungspaare 61a mit 61b, 63a mit 63b sind horizontal
benachbart zueinander und miteinander interdigital gekoppelt, um
Einstufen-BEFs 61 bzw. 63 zu bilden. Die inneren
Leiter der Resonanzleitungen 61b, 62a, 63a sind
mit Elektroden 61c, 62c bzw. 63c an einer
Endoberfläche
(der ersten Endoberfläche) des
dielektrischen Blocks 60 und mit einem äußeren Leiter an einer gegenüberliegenden
Endoberfläche (die
zweite Endoberfläche)
verbunden. Die inneren Leiter der Resonanzleitungen 61a, 62b, 63b sind
mit Elektroden 61d, 62d bzw. 63d an der
zweiten Endoberfläche
und mit dem äußeren Leiter
an der ersten Endoberflächen
verbunden. Der äußere Leiter
bedeckt im wesentlichen vollständig
die äußeren Oberflächen des
dielektrischen Blocks 60 ausgenommen in den leiterfreien
(oder das Dielektrikum freilegenden) Bereichen 60a um die
Elektroden 61c–63c, 61d–63d.
Die drei Einstufen-BEFs 61, 62, 63 sind
mit der Phasenverschiebung π/2,
wie bei dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel
der Erfindung, interdigital gekoppelt, was ein interdigital gekoppeltes
dielektrisches BEF bildet. Das Schaltungsstrukturdiagramm und das äquivalente
Schaltungsdiagramm dieses Filters sind im wesentlichen ähnlich zu
denselben, die in 19 und 20 gezeigt
sind. 21 FIG. 11 shows another interdigitally coupled three-stage dielectric BEF according to a ninth embodiment of this invention, which includes a rectangular dielectric block 60 comprising a board and a total of six through-holes formed therethrough with inner conductors formed on the inner surfaces of these through-holes by six resonance lines 61a - 63a . 61b - 63b provide close to each other. The resonant lines 62a and 62b are vertically adjacent to one another and interdigitated with each other to form a single stage BEF 62 to build. Resonance line pairs 61a With 61b . 63a With 63b are horizontally adjacent to each other and interdigitally coupled to one-stage BEFs 61 respectively. 63 to build. The inner conductors of the resonant cables 61b . 62a . 63a are with electrodes 61c . 62c respectively. 63c on an end surface (the first end surface) of the dielectric block 60 and connected to an outer conductor at an opposite end surface (the second end surface). The inner conductors of the resonant cables 61a . 62b . 63b are with electrodes 61d . 62d respectively. 63d at the second end surface and connected to the outer conductor at the first end surface. The outer conductor substantially completely covers the outer surfaces of the dielectric block 60 except in the ladder-free (or dielectric-exposing) areas 60a around the electrodes 61c - 63c . 61d - 63d , The three single-stage BEFs 61 . 62 . 63 are interdigitally coupled to the phase shift π / 2 as in the previous embodiment of the invention, forming an interdigitated coupled BEF. The circuit structure diagram and the equivalent circuit diagram of this filter are substantially similar to those shown in FIG 19 and 20 are shown.
22 zeigt
ein weiteres interdigital gekoppeltes dielektrisches Dreistufen-BEF
gemäß einem zehnten
Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das einen rechteckförmigen dielektrischen Block 70 aufweist,
der eine Gesamtzahl von sechs resonatorbildenden Durchgangslöchern aufweist,
die durch denselben von einer Endoberfläche zu einer gegenüberliegenden
Endoberfläche
des Blocks 70 gebildet sind, und die geometrisch nahe zueinander
angeordnet sind, um drei kreiszylinderförmige Resonanzleitungen 71a–73a in
einer oberen Reihe und drei andere 71b–73b in einer unteren
Reihe zu bilden. Innere Leiter sind an den inneren Oberflächen dieser
resonatorbildenden Durchgangslöcher
gebildet. 22 FIG. 12 shows another interdigitally coupled three-stage dielectric BEF according to a tenth embodiment of this invention, which is a rectangular dielectric block 70 having a total of six resonator-forming through-holes penetrating therethrough from one end surface to an opposite end surface of the block 70 are formed, and which are arranged geometrically close to each other, around three circular cylindrical resonance lines 71a - 73a in an upper row and three others 71b - 73b to form in a lower row. Inner conductors are formed on the inner surfaces of these resonator-forming through holes.
Die
inneren Leiter der Resonanzleitungen 71b, 73b sind
mit Elektroden 71c bzw. 73c an einer der Endoberflächen (der
ersten Endoberfläche)
des dielektrischen Blocks 70 verbunden. Beide Enden der
inneren Leiter der Resonanzleitungen 71a–73a, 71b–73b sind
mit einem äußeren Leiter,
ausgenommen an den Enden der Resonanzleitungen 71b, 73b, an
der ersten Endoberfläche
verbunden. Der äußere Leiter
bedeckt im wesentlichen vollständig
die äußeren Oberflächen des
dielektrischen Blocks 70, ausgenommen in den leiterfreien
(oder das Dielektrikum freilegenden) Bereichen 70a, die
die Elektroden 71c, 73c umgeben.The inner conductors of the resonant cables 71b . 73b are with electrodes 71c respectively. 73c on one of the end surfaces (the first end surface) of the dielectric block 70 connected. Both ends of the inner conductors of the resonant cables 71a - 73a . 71b - 73b are with an outer conductor, except at the ends of the resonant lines 71b . 73b connected to the first end surface. The outer conductor essentially completely covers the outer ren surfaces of the dielectric block 70 except in the ladder-free (or dielectric-exposing) areas 70a that the electrodes 71c . 73c surround.
Die
Resonanzleitungen 71a, 72b, 73a sind mit
ringförmigen
leiterfreien (oder das Dielektrikum freilegenden) Bereichen 71d, 72d bzw. 73d nahe
der gegenüberliegenden
Endoberfläche
(der zweiten Endoberfläche)
des dielektrischen Blocks 70 gebildet. Die Resonanzleitung 72a ist ähnlich mit
einem ringförmigen
leiterfreien (oder das Dielektrikum freilegenden) Bereich 72c nahe
der ersten Endoberfläche des
dielektrischen Blocks 70 versehen. Diese ringförmigen Bereiche 71d–73d, 72c dienen
nicht nur dazu, um die entsprechenden inneren Leiter in zwei Teile zu
teilen, sondern ferner als Leerlaufenden der entsprechenden Resonanzleitungen.
Obwohl es nicht getrennt dargestellt ist, können diese ringförmigen Bereiche 71d–73d, 72c jeweils
benachbart zu (und nicht nahe zu) der ersten oder der zweiten Endoberfläche gebildet
sein.The resonant lines 71a . 72b . 73a are with annular conductor-free (or dielectric exposing) areas 71d . 72d respectively. 73d near the opposite end surface (the second end surface) of the dielectric block 70 educated. The resonance line 72a is similar to an annular ladder-free (or dielectric-exposing) region 72c near the first end surface of the dielectric block 70 Mistake. These annular areas 71d - 73d . 72c not only serve to divide the corresponding inner conductors into two parts, but also as open ends of the corresponding resonant lines. Although not shown separately, these annular areas can 71d - 73d . 72c each adjacent to (and not close to) the first or second end surface.
Abschirmende
Durchgangslöcher 70b sind durch
den dielektrischen Block 70 parallel zu den vorher erwähnten resonatorbildenden
Durchgangslöchern
zwischen den Resonanzleitungen 71a und 72a und
ferner zwischen den Resonanzleitungen 72a und 73a in
der oberen Reihe gebildet. Diese abschirmenden Durchgangslöcher 70b enthalten
Abschirmelektroden in sich, die mit dem äußeren Leiter an beiden Enden
kontaktiert sind, um ein Koppeln zwischen den Resonanzleitungen 71a und 72a und
zwischen den Resonanzleitungen 72a und 73a zu
verhindern. Die vertikal benachbarten Paare von Resonanzleitungen 71a mit 71b, 72a mit 72b, 73a mit 73b sind
miteinander interdigital gekoppelt, um drei Einstufen-BEFs 71, 72, 73 zu
bilden. Die gegenseitig benachbarten Paare von Resonanzleitungen
in der unteren Reihe 71b mit 72b, 72b mit 73b sind
jeweils mit der Phasenverschiebung π/2 derart interdigital gekoppelt, daß die drei
Einstufen-BEFs 71, 72, 73 zusammen ein
dielektrisches interdigital gekoppeltes BEF bilden. 19 zeigt
das Schaltungsstrukturdiagramm desselben, und 20 zeigt
das äquivalente
Schaltungsdiagramm desselben.Shielding through holes 70b are through the dielectric block 70 parallel to the aforementioned resonator-forming through holes between the resonant lines 71a and 72a and further between the resonant lines 72a and 73a formed in the upper row. These shielding through holes 70b include shielding electrodes in contact with the outer conductor at both ends for coupling between the resonant lines 71a and 72a and between the resonant lines 72a and 73a to prevent. The vertically adjacent pairs of resonant lines 71a With 71b . 72a With 72b . 73a With 73b are interdigitated with each other to produce three single stage BEFs 71 . 72 . 73 to build. The mutually adjacent pairs of resonant lines in the lower row 71b With 72b . 72b With 73b are each interdigitated with the phase shift π / 2 such that the three single stage BEFs 71 . 72 . 73 together form a dielectric interdigitated coupled BEF. 19 shows the circuit structure diagram of the same, and 20 shows the equivalent circuit diagram of the same.
23 zeigt
ein interdigital gekoppeltes Sechsstufen-BEF gemäß einem elften Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das einen rechteckförmigen dielektrischen Block 80 aufweist,
der eine Gesamtzahl von zwölf
kreiszylinderförmigen
Durchgangslöchern
aufweist, die von einer Endoberfläche zu einer gegenüberliegenden
Endoberfläche
des dielektrischen Blocks 80 gebildet sind, und die in
drei horizontalen Reihen und vier vertikalen Spalten geometrisch
angeordnet sind, wobei dieselben innere Leiter aufweisen, die an
den inneren Oberflächen
der Durchgangslöcher
gebildet sind, um als Resonanzleitungen 81a–86a, 81b–86b zu
dienen. Die Resonanzleitungen 81a, 82b, 83a, 84a, 85b, 86a weisen jeweils
ein Leerlaufende an einer der Endoberflächen (die erste Endoberfläche) des
dielektrischen Blocks 80 und ein Kurzschlußende an
der gegenüberliegenden
Endoberfläche
(der zweiten Endoberfläche)
des dielektrischen Blocks 80 auf. Die Resonanzlei tungen 81b, 82a, 83b, 84b, 85a, 86b weisen
jeweils ein Kurzschlußende
an der ersten Endoberfläche
und ein Leerlaufende an der zweiten Endoberfläche auf. Die äußeren Oberflächen des
dielektrischen Blocks 80 sind im wesentlichen vollständig durch
einen äußeren Leiter,
ausgenommen an den vorher erwähnten
offenen Enden, bedeckt. Abschirmelektroden 80a, die mit
dem äußeren Leiter
verbunden sind, sind zwischen gegenseitig benachbarte Paare von
Resonanzleitungen 81b und 86a der unteren Reihe
und zwischen gegenseitig benachbarte Paare von Resonanzleitungen 82b und 85a der
Mittelreihe geschaltet. Die horizontal benachbarten Paare der Resonanzleitungen 81a und 81b, 82a und 82b, 83a und 83b, 84a und 84b, 85a und 85b, 86a und 86b sind miteinander
innerhalb derselben interdigital gekoppelt, um Einstufen-BEFs 81, 82, 83, 84, 85 bzw. 86 zu bilden.
Gegenseitig benachbarte Paare dieser Einstufen-BEFs 81–86 sind
mit Phasenverschiebungen π/2
miteinander interdigital gekoppelt, um dadurch zusammen ein interdigital
gekoppeltes dielektrisches BEF zu bilden. Die Eingabe und die Ausgabe
aus diesem Filter werden durch die Resonanzleitungen 81b und 86a bewirkt. 23 FIG. 12 shows an interdigitated six-stage BEF according to an eleventh embodiment of this invention, which is a rectangular dielectric block. FIG 80 comprising a total of twelve circular-cylindrical through-holes extending from one end surface to an opposite end surface of the dielectric block 80 are formed, and which are geometrically arranged in three horizontal rows and four vertical columns, having the same inner conductor formed on the inner surfaces of the through holes as resonant lines 81a - 86a . 81b - 86b to serve. The resonant lines 81a . 82b . 83a . 84a . 85b . 86a each have an open end at one of the end surfaces (the first end surface) of the dielectric block 80 and a shorting end on the opposite end surface (the second end surface) of the dielectric block 80 on. The resonance lines 81b . 82a . 83b . 84b . 85a . 86b each have a shorting end on the first end surface and an open end on the second end surface. The outer surfaces of the dielectric block 80 are substantially completely covered by an outer conductor except at the aforementioned open ends. shield 80a that are connected to the outer conductor are between mutually adjacent pairs of resonant lines 81b and 86a the lower row and between mutually adjacent pairs of resonant lines 82b and 85a the middle row switched. The horizontally adjacent pairs of resonant lines 81a and 81b . 82a and 82b . 83a and 83b . 84a and 84b . 85a and 85b . 86a and 86b are interdigitally coupled to each other within the same one-shot BEFs 81 . 82 . 83 . 84 . 85 respectively. 86 to build. Mutually adjacent pairs of these single-stage BEFs 81 - 86 are interdigitated with phase shifts π / 2 with each other to thereby collectively form an interdigitally coupled dielectric BEF. The input and output from this filter are through the resonant lines 81b and 86a causes.
Obwohl
die vorliegende Erfindung im vorhergehenden unter Bezugnahme auf
lediglich eine begrenzte Anzahl von Beispielen beschrieben wurde, sollen
diese Beispiele nicht den Schutzbereich dieser Erfindung begrenzen.
Viele Modifikationen und Variationen sind innerhalb des Schutzbereichs
dieser Erfindung möglich.
Beispielsweise müssen
die Durchgangslöcher,
unabhängig
davon, ob dieselben zum Bilden der Resonanzleitungen in denselben
oder zum Enthalten einer Abschirmelektrode dienen, nicht bezüglich des
Querschnitts kreisförmig
sein. Wenn die Durchgangslöcher
in der Form eines horizontal länglichen
Rechtecks einer abgeflachten Ellipse gebildet sind, kann das Filter
insgesamt dünner
gemacht werden. 24 zeigt beispielsweise eine
Variation des Filters gemäß dem zehnten
Ausführungsbeispiel
dieser Erfindung, das oben in 22 gezeigt ist,
wobei alle Durchgangslöcher
desselben in einer elliptischen Form gebildet sind. Da die Filter,
die in den 22 und 24 gezeigt sind,
sich lediglich bezüglich
der Querschnittsformen der Durchgangslöcher derselben unterscheiden
und hinsichtlich aller anderen Aspekte identisch sind, werden die
gleichen Ziffern verwendet, um entsprechende Komponenten zu bezeichnen.
In allen Beispielen ist es ferner offensichtlich, daß die Eingangs-
und Ausgangsverbindungen auf beliebige bekannte Arten gebildet sein können.Although the present invention has been described above with reference to only a limited number of examples, these examples are not intended to limit the scope of this invention. Many modifications and variations are possible within the scope of this invention. For example, the through holes, whether serving to form the resonant lines therein or to contain a shield electrode, need not be circular with respect to the cross section. When the through holes are formed in the shape of a horizontally elongated rectangle of a flattened ellipse, the filter as a whole can be made thinner. 24 For example, FIG. 16 shows a variation of the filter according to the tenth embodiment of this invention, which is described in the above 22 is shown, wherein all through-holes thereof are formed in an elliptical shape. Because the filters in the 22 and 24 are different from each other only in cross-sectional shapes of the through-holes thereof and are identical in all other respects, the same numerals are used to designate corresponding components. It is further evident in all examples that the input and output connections may be formed in any known manner.
Zusammenfassend
kann eine ausreichende Dämpfung
sowohl auf der niederfrequenten als auch auf der höherfrequenten
Seite der Sperrfrequenz durch ein dielektrisches BEF gemäß dieser
Erfindung erhalten werden. Wenn ein derartiges Filter in einer mobilen
Kommunikationsvorrichtung, wie z. B. einem tragbaren Telefon, verwendet
wird, ist es möglich,
die Schaltungsstruktur zu vereinfachen, indem der Isolator und das
BPF, das notwendig war, eliminiert werden. Da die Anzahl der Komponententeile
reduziert wird, werden die Herstellungskosten ebenfalls reduziert.
Wenn die Anzahl der Komponenten, die gelötet werden müssen, reduziert
ist, wird die Zuverlässigkeit
verbessert, einzelne Variationen bezüglich der Charakteristika werden
innerhalb der Produkte reduziert, und die Ausbeute wird erhöht.In summary
can provide sufficient damping
both on the low-frequency and the higher-frequency ones
Side of the cutoff frequency by a dielectric BEF according to this
Invention can be obtained. If such a filter in a mobile
Communication device, such. As a portable phone used
it will be possible
simplify the circuit structure by using the insulator and the
BPF that was necessary to be eliminated. As the number of component parts
is reduced, the production costs are also reduced.
When the number of components that need soldering is reduced
is, reliability becomes
improved, individual variations in the characteristics become
reduced within the products, and the yield is increased.