JP3074089B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

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JP3074089B2
JP3074089B2 JP05071146A JP7114693A JP3074089B2 JP 3074089 B2 JP3074089 B2 JP 3074089B2 JP 05071146 A JP05071146 A JP 05071146A JP 7114693 A JP7114693 A JP 7114693A JP 3074089 B2 JP3074089 B2 JP 3074089B2
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substrate
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賢司 杉本
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置、特に、
半導体基板や液晶用又はフォトマスク用ガラス基板等の
薄板状基板(以下、単に「基板」という。)を表面処理
するための基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus,
The present invention relates to a substrate processing apparatus for surface-treating a thin plate-like substrate (hereinafter, simply referred to as a “substrate”) such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal or a photomask.

【0002】[0002]

【従来技術】基板を処理槽に充満した処理液に浸漬し、
処理槽下部から薬液や純水などの処理液を供給して処理
槽の上縁部から溢れ出させて当該基板の表面処理を行な
う、いわゆるオーバーフロー方式の基板処理装置におい
ては、通常、処理槽から溢れ出た処理液を当該処理槽の
外周上部に形成された処理液回収槽によって回収して循
環濾過して再使用し、メンテナンスコストを低減するよ
うにしている。
2. Description of the Related Art A substrate is immersed in a processing solution filled in a processing tank,
In a so-called overflow type substrate processing apparatus, a processing solution such as a chemical solution or pure water is supplied from the lower portion of the processing tank and overflows from the upper edge of the processing tank to perform surface treatment on the substrate. The overflowing processing liquid is collected by a processing liquid recovery tank formed at the upper part of the outer periphery of the processing tank, circulated and filtered, and reused, thereby reducing maintenance costs.

【0003】このようなオーバーフロー方式の基板処理
装置にあっては、基板表面に常に清浄な処理液が供給さ
れるために処理時間を大幅に短縮できるという利点があ
るが、一方では、処理液が絶えず循環してオバーフロー
しているので、大気と接触する機会が多くなり、大気中
の不要な成分、特に酸素が処理液中に溶解し、処理液中
の溶存酸素量が増加する。
[0003] Such an overflow type substrate processing apparatus has the advantage that the processing time can be greatly reduced because a clean processing liquid is always supplied to the substrate surface. Since the fluid constantly circulates and overflows, the chance of contact with the atmosphere increases, and unnecessary components in the atmosphere, particularly oxygen, are dissolved in the processing solution, and the amount of dissolved oxygen in the processing solution increases.

【0004】また、処理槽から溢れ出た処理液を再利用
することなしに廃液槽へ廃棄するタイプの基板処理装置
においても、処理液と大気の接触により、処理液中の溶
存酸素量が増加する。
Also, in a substrate processing apparatus of a type in which a processing liquid overflowing from a processing tank is discarded into a waste liquid tank without being reused, the amount of dissolved oxygen in the processing liquid increases due to contact between the processing liquid and the atmosphere. I do.

【0005】このように処理液中の溶存酸素量が増加す
ることは基板の表面処理においてはあまり好ましいこと
ではない。たとえば、表面に酸化膜が形成されたシリコ
ン基板を純水で洗浄処理する場合には、純水中の溶存酸
素によってシリコン基板表面の自然酸化膜の成長が助長
されることになるが、当該シリコン基板の表面に形成さ
れた酸化膜がゲート酸化膜のような場合には、その膜厚
が数十オングストローム程度に調整されているので、上
記自然酸化膜の成長は当該基板処理の精度に重大な障害
を生ぜしめる結果となる。
[0005] Such an increase in the amount of dissolved oxygen in the processing solution is not very desirable in the surface treatment of the substrate. For example, when a silicon substrate having an oxide film formed on its surface is cleaned with pure water, the dissolved oxygen in the pure water promotes the growth of a natural oxide film on the silicon substrate surface. When the oxide film formed on the surface of the substrate is a gate oxide film, the thickness of the oxide film is adjusted to about several tens of angstroms, so that the growth of the natural oxide film is critical to the accuracy of the substrate processing. This results in disability.

【0006】大気との接触により処理液中の溶存酸素量
が増加するのを防止するため、処理槽に充満された処理
液の液面に窒素ガスなどの不活性ガスを吹き付ける方法
が従来からあった。その一例として、たとえば特開平4
−97525号公報には、図7に示すような技術が開示
されている。同図において処理液Lが充満された処理槽
1の外周上部には、当該処理槽1と一体に処理液回収槽
2が設けられており、処理液1の上縁からオーバーフロ
ーした処理液Lは、当該処理液回収槽2に回収されて排
液口3から排液され、図示しない処理液循環装置によっ
て、処理槽1の底面部中央に設けられた処理液供給口4
に供給され循環使用される。
[0006] In order to prevent the amount of dissolved oxygen in the processing solution from increasing due to contact with the atmosphere, a method of blowing an inert gas such as nitrogen gas onto the surface of the processing solution filled in the processing tank has been conventionally used. Was. One example is disclosed in
Japanese Patent Application Publication No. 97525 discloses a technique as shown in FIG. In the figure, a processing liquid recovery tank 2 is provided integrally with the processing tank 1 at the upper part of the outer periphery of the processing tank 1 filled with the processing liquid L, and the processing liquid L overflowing from the upper edge of the processing liquid 1 is The processing liquid supply port 4 provided in the center of the bottom of the processing tank 1 is collected by the processing liquid recovery tank 2 and drained from the drain port 3, and is processed by a processing liquid circulation device (not shown).
Is supplied and used for circulation.

【0007】処理槽1の上方には、一対の窒素ガス噴出
パイプ5、6が紙面に垂直な方向に左右対称に設けられ
ており、図示しない窒素ガス供給装置から供給された窒
素ガスが、窒素ガス噴出パイプ5、6の各側面に列状に
設けられた噴出孔5a,6aから処理槽1に充満した処
理液Lの液面に向けて噴出され、処理液Lの液面におい
て窒素ガス雰囲気を形成する。
Above the processing tank 1, a pair of nitrogen gas ejection pipes 5 and 6 are provided symmetrically in a direction perpendicular to the plane of the paper, and nitrogen gas supplied from a nitrogen gas supply device (not shown) is The gas is ejected from the ejection holes 5a, 6a provided in a row on each side surface of the gas ejection pipes 5, 6 toward the liquid surface of the processing liquid L filled in the processing tank 1, and a nitrogen gas atmosphere is formed on the liquid surface of the processing liquid L. To form

【0008】これにより、オーバーフローする処理液L
が、大気に直接接触することなく循環されるので、大気
中の酸素が処理液Lへ溶解して溶存酸素量が増加するの
を大幅に押えることができる。
As a result, the overflowing treatment liquid L
However, since it is circulated without directly contacting the atmosphere, it is possible to greatly suppress the increase in the amount of dissolved oxygen due to the oxygen in the atmosphere being dissolved in the processing liquid L.

【0009】なお、処理槽1の底面部に設けられた7
は、複数枚の基板を収納した基板搬送容器(キャリア)
を載置するための仕切り板であって、複数の孔7aが設
けられており、処理液供給口4から供給された処理液L
が当該孔7aで分流して整流化された状態で浸漬された
基板に均一に供給されるようになっている。
[0009] In addition, 7 provided on the bottom portion of the processing tank 1
Is a substrate transport container (carrier) containing multiple substrates
Is provided with a plurality of holes 7a, and the processing liquid L supplied from the processing liquid supply port 4 is provided.
Is uniformly supplied to the immersed substrate in a state of being rectified and rectified by the holes 7a.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の基板処理装置における構成においては、窒
素ガスを斜め上方から単に処理液Lの液面に吹き付けて
いるだけなので窒素ガスが散逸してしまい、大気と処理
液Lとを完全に遮断するために大量の窒素ガスが必要と
なって、コストが多大になるという問題点があった。ま
た、通常、基板処理装置においては処理槽1の上方から
クリーンエアをダウンフローさせて処理槽1の周囲を経
て下方から排気し、基板処理の際に発生した有害なガス
を排気するようにしているが、このダウンフローの排気
の影響を受けて窒素ガスがさらに拡散され、窒素ガスの
供給量を一層増加しなければならなくなり、また当該排
気量とのバランスを取る必要も出てくる。
However, in the configuration of the conventional substrate processing apparatus as described above, the nitrogen gas is merely sprayed from obliquely above the surface of the processing liquid L, so that the nitrogen gas is dissipated. As a result, a large amount of nitrogen gas is required to completely shut off the atmosphere and the processing liquid L, resulting in a problem that the cost is increased. Also, in a substrate processing apparatus, clean air is usually down-flowed from above the processing tank 1 and exhausted from below through the periphery of the processing tank 1 to exhaust harmful gas generated during substrate processing. However, the nitrogen gas is further diffused under the influence of the exhaust gas of the downflow, so that the supply amount of the nitrogen gas must be further increased, and it is necessary to balance with the exhaust gas amount.

【0011】本発明は、上述のような問題点を解消する
ためになされたものであって、簡単で安価な構成により
大気中の不要な成分が処理液中に溶解するのを防止する
ことができる基板処理装置を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to prevent unnecessary components in the atmosphere from being dissolved in a processing solution by a simple and inexpensive structure. Provide a substrate processing apparatus capable of

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の請求項1にかかる基板処理装置は、基板が
保持された処理槽内に処理液を供給してオーバーフロー
させ、前記基板の表面処理を行う基板処理装置におい
て、前記処理槽の処理液面に噴出手段を介して不活性ガ
スを吹き付ける不活性ガス供給手段と、前記噴出手段と
対向して設けられた排気口を介して前記不活性ガスを排
気する排気手段と、前記処理液面に吹き付けられた不活
性ガスの拡散を防止するため、前記処理槽上縁部の周囲
に設けられたカバー部材と、を備え、前記処理槽外周に
は前記オーバーフローした処理液を回収するための処理
液回収槽が設けられるととともに、前記カバー部材の下
端部は、前記処理液回収槽に貯溜した処理液に浸漬され
ることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention supplies a processing liquid into a processing tank holding a substrate to overflow the processing liquid, and In a substrate processing apparatus that performs a surface treatment, an inert gas supply unit that blows an inert gas onto a processing liquid surface of the processing tank through a jet unit, and an exhaust port that is provided to face the jet unit. An exhaust means for exhausting an inert gas, and a cover member provided around an upper edge of the processing tank in order to prevent diffusion of the inert gas sprayed on the surface of the processing liquid; A processing liquid recovery tank for collecting the overflowed processing liquid is provided on the outer periphery, and a lower end of the cover member is immersed in the processing liquid stored in the processing liquid recovery tank. .

【0013】また、請求項2の基板処理装置は、請求項
1における不活性ガス供給手段は、当該不活性ガスの噴
出量を制御する噴出量調整手段と、前記排気手段による
排気量を検出する排気量検出手段と、前記排気量検出手
段からの検出信号によって前記噴出量調整手段の動作を
制御する制御手段と、を備え、前記不活性ガス供給手段
による不活性ガスの供給量を、前記排気手段による排気
量に応じて適量に制御するようにしている。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first aspect, the inert gas supply means detects a discharge amount by the discharge amount adjusting means for controlling a discharge amount of the inert gas and an exhaust amount by the exhaust means. An exhaust amount detection unit; and a control unit that controls the operation of the ejection amount adjustment unit based on a detection signal from the exhaust amount detection unit. An appropriate amount is controlled in accordance with the amount of exhaust by the means.

【0014】[0014]

【作用】請求項1の発明によれば、カバー部材により処
理槽上縁部の周囲を囲むようにしているので、不活性ガ
ス供給手段の噴出手段から吹き出された不活性ガスは、
散逸せずに処理液面のみに供給される。当該吹き出され
た不活性ガスは、噴出手段と対向して設けられた排気口
を介して排気手段により排気されるので、処理液表面に
不活性ガスのエアカーテンが形成され大気と処理液面が
遮断される。
According to the first aspect of the present invention, since the periphery of the upper edge of the processing tank is surrounded by the cover member, the inert gas blown out from the jetting means of the inert gas supply means is:
It is supplied only to the processing liquid surface without dissipating. The blown-in inert gas is exhausted by the exhaust means through an exhaust port provided opposite to the ejection means, so that an inert gas air curtain is formed on the surface of the processing liquid, and the atmosphere and the processing liquid surface are separated. Will be shut off.

【0015】前記カバー部材の下端部は処理槽の周囲に
形成された処理液回収槽に貯溜した処理液に浸漬する状
態で配設されるので、この部分でウォーターシール機構
が形成され、処理槽の傾きなどの調整を容易にしなが
ら、当該部分での不活性ガスの散逸を確実に防止する。
Since the lower end of the cover member is disposed so as to be immersed in the processing liquid stored in the processing liquid collecting tank formed around the processing tank, a water seal mechanism is formed at this portion, and the processing tank is formed. In addition, it is possible to easily prevent the inert gas from being dissipated in the portion while easily adjusting the inclination of the gas.

【0016】請求項2の発明によれば、排気量を排気量
検出手段より検出しながら、制御手段により噴出量調整
手段の動作を制御して、不活性ガス供給手段からの不活
性ガスの供給量を適量に制御するので、無駄な不活性ガ
スの使用がなくなる。
According to the second aspect of the present invention, while controlling the operation of the ejection amount adjusting means by the control means while detecting the exhaust amount by the exhaust amount detecting means, the supply of the inert gas from the inert gas supply means is controlled. Since the amount is appropriately controlled, useless use of an inert gas is eliminated.

【0017】[0017]

【実施例】以下、図面を参照して本発明にかかる基板処
理装置の一実施例を詳細に説明するが、本発明の技術的
範囲がこれによって制限されるものではないことはもち
ろんである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, it is needless to say that the technical scope of the present invention is not limited thereby.

【0018】図1は本発明にかかる基板処理装置の処理
槽部分の構成を示す側面縦断面による概略図、図2は図
1のA−A線における矢視断面概略図である。また、図
3は、外槽の外観を示す斜視図である。
FIG. 1 is a schematic view of a processing tank portion of a substrate processing apparatus according to the present invention, which is a schematic view in a side vertical section, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 3 is a perspective view showing the appearance of the outer tub.

【0019】基板Wの処理槽としての内槽10の外周の
上部には、内槽10の上縁部12からオーバーフローし
た処理液を回収するための処理液回収槽11が、当該内
槽10と一体に形成されている。この内槽10および処
理液回収槽11の素材としては、通常、強い耐腐食性を
有する石英が使用されるが、処理液Lとしてフッ酸系の
ものを使用する場合にはフッ素樹脂やポリ塩化ビニル
(PVC)などが使用される。
Above the outer periphery of the inner tank 10 as a processing tank for the substrate W, a processing liquid recovery tank 11 for collecting the processing liquid overflowing from the upper edge 12 of the inner tank 10 is provided with the inner tank 10. It is formed integrally. Usually, quartz having strong corrosion resistance is used as a material of the inner tank 10 and the processing liquid recovery tank 11, but when a hydrofluoric acid-based processing liquid L is used, a fluorine resin or polychlorinated resin is used. Vinyl (PVC) or the like is used.

【0020】内槽10は、フッ素樹脂やポリ塩化ビニル
(PVC)など耐腐食性樹脂で形成された外槽20の底
面部に設けられた4本のレベル調整ネジ21上に載置さ
れる。レベル調整ネジ21は、図2に示すように外ネジ
211と、この外ネジ211の中心部に形成されたネジ
穴に螺合される内ネジ212と、前記外ネジ211の中
心部に回転自在に挿入され前記内ねじ212の先端に当
接する支持部材213とからなる。外ネジ211の外周
にもネジ溝が刻設されており、外槽20の底面部に形成
されたネジ穴に螺合される。
The inner tank 10 is mounted on four level adjusting screws 21 provided on the bottom of an outer tank 20 made of a corrosion-resistant resin such as fluororesin or polyvinyl chloride (PVC). As shown in FIG. 2, the level adjusting screw 21 has an outer screw 211, an inner screw 212 screwed into a screw hole formed in the center of the outer screw 211, and a rotatable center of the outer screw 211. And a support member 213 which is inserted into A screw groove is also formed on the outer periphery of the outer screw 211, and is screwed into a screw hole formed on the bottom surface of the outer tank 20.

【0021】このレベル調整ネジ21による内槽10の
レベル出しは、まず、外ネジ211を回転させて、支持
部材213の先端の高さが大体等しくなるように設定し
た後、処理槽10を載置し、水平器などで内槽10の上
縁部12の水平度を確認しながら、内ネジ212を回転
させて微調整することにより達成される。これにより内
槽10の四方の上縁部12のレベルが同一となって処理
液Lが当該上縁部12から均一に溢れ出るので、処理液
Lが内槽10内を均一に循環することが可能になり基板
の表面処理の均一化に寄与する。
In order to set the level of the inner tank 10 by the level adjusting screw 21, first, the outer screw 211 is rotated to set the height of the tip of the support member 213 to be substantially equal, and then the processing tank 10 is mounted. This can be achieved by placing the apparatus and checking the level of the upper edge portion 12 of the inner tank 10 with a leveler or the like and rotating the inner screw 212 to make fine adjustment. As a result, the levels of the upper edges 12 of the four sides of the inner tank 10 become the same, and the processing liquid L overflows from the upper edge 12 uniformly, so that the processing liquid L circulates uniformly in the inner tank 10. This makes it possible to make the surface treatment of the substrate uniform.

【0022】なお、内槽10をレベル調整ネジ21上に
載置する代わりに、ネジ等の調整機構を介して外槽20
より釣り下げることにより、上縁部12のレベルを調整
する構成としても良い。
Instead of placing the inner tank 10 on the level adjusting screw 21, the outer tank 20 is adjusted via an adjusting mechanism such as a screw.
A configuration in which the level of the upper edge portion 12 is adjusted by lowering it further may be adopted.

【0023】内槽10内には複数枚の基板Wが等間隔で
図示しない基板保持ホルダーによって起立状態で保持さ
れており、内槽10内の基板Wの下方には、石英で形成
された2本の処理液噴出パイプ30が内槽10の側面を
貫通して水平に横設され、その貫通部分で液密に溶着固
定される。処理液噴出パイプ30の一方の端部31は閉
塞されており、他方の端部32は内槽10の側面から突
出して後述の処理液循環装置50(図4)に接続され
る。
A plurality of substrates W are held in the inner tank 10 at equal intervals by a substrate holding holder (not shown) in an upright state. The processing liquid ejection pipe 30 is horizontally laid horizontally through the side surface of the inner tank 10, and is welded and fixed in a liquid-tight manner at the penetrating portion. One end 31 of the processing liquid ejection pipe 30 is closed, and the other end 32 projects from the side surface of the inner tank 10 and is connected to a processing liquid circulation device 50 (FIG. 4) described later.

【0024】処理液噴出パイプ30の側面には、複数の
処理液噴出孔30aが、基板Wの配列間隔と等しいピッ
チで1列に設けられており、処理液Lは基板Wの表面に
均一に流れるように図2の矢印方向に噴出される。噴出
された処理液Lは内槽10内を流れ、やがて上縁部12
から溢れ出て処理液回収槽11に回収される。処理液回
収槽11には排液口11aが設けられており、この排液
口11aから排液された処理液Lは処理液循環装置50
(図4)において浄化された後、再び上記処理液噴出パ
イプ30から内槽10内に供給される。
A plurality of processing liquid ejection holes 30a are provided in a row on the side surface of the processing liquid ejection pipe 30 at a pitch equal to the arrangement interval of the substrates W, and the processing liquid L is uniformly spread on the surface of the substrate W. It is ejected in the direction of the arrow in FIG. 2 so as to flow. The jetted processing liquid L flows in the inner tank 10 and eventually the upper edge 12
The liquid overflows from the tank and is collected in the processing liquid collecting tank 11. The processing liquid recovery tank 11 is provided with a drainage port 11a, and the processing liquid L discharged from the drainage port 11a is supplied to the processing liquid circulation device 50.
After being purified in (FIG. 4), it is supplied again into the inner tank 10 from the processing liquid ejection pipe 30.

【0025】外槽20の内周の上部にはカバー部材22
が取り付けられる。このカバー部材22は、水平部22
1と垂直部222を有しており、図1、図2に示すよう
に垂直部222の下端部は内槽10には接触せずに、オ
ーバーフローして処理液回収槽11に貯溜している処理
液Lに浸漬される。
A cover member 22 is provided above the inner periphery of the outer tank 20.
Is attached. The cover member 22 includes a horizontal portion 22.
1 and a vertical portion 222, and the lower end portion of the vertical portion 222 overflows and is stored in the processing liquid recovery tank 11 without contacting the inner tank 10 as shown in FIGS. 1 and 2. It is immersed in the processing liquid L.

【0026】カバー部材22の内周の一辺における水平
部221と垂直部222の交差する部分には不活発ガス
の噴出手段として不活発ガス噴出パイプ40が水平に付
設されるとともに、これに対向する辺におけるカバー部
材22の高さは若干高くなって、その垂直部222下方
には第1の排気口223が設けられる。
An inert gas ejection pipe 40 is horizontally provided as an inert gas ejecting means at an intersection of the horizontal portion 221 and the vertical portion 222 on one side of the inner periphery of the cover member 22 and faces the same. The height of the cover member 22 on the side is slightly increased, and a first exhaust port 223 is provided below the vertical portion 222.

【0027】このカバー部材22は、図3に示すように
フッ素樹脂などの耐腐食性樹脂によって一体成形されて
おり、外槽20の内周部に付設された支持部材201に
載置されているだけなので、組立時のみならず、内槽1
0や外槽20の洗浄時や、メンテナンスのときなどに簡
単に取付け・取外しができ、既存の基板処理装置にも容
易に設置できる。
As shown in FIG. 3, the cover member 22 is integrally formed of a corrosion-resistant resin such as a fluorine resin, and is mounted on a support member 201 attached to the inner peripheral portion of the outer tank 20. Therefore, not only during assembly, but also
It can be easily attached and detached at the time of cleaning the outer tank 20 and the outer tub 20, and at the time of maintenance, and can be easily installed in an existing substrate processing apparatus.

【0028】不活性ガス噴出パイプ40には所定ピッチ
で列上に複数個の噴出孔40aが設けられており、後述
の不活性ガス供給装置80(図4)からこの不活性ガス
噴出パイプ40に不活性ガスを供給することにより、不
活性ガスが当該噴出孔40aから処理液Lの液面にほぼ
平行にその全面を覆うようにして噴出され、第1の排気
口223から外槽20の側面部に設けられた第2の排気
口23を経由して、排気装置70(図4)によって外部
に排気される。また、第2の排気口23に設けられたダ
ンパー24の回転角度を変えることにより上記排気量を
調整できるようになっている。
The inert gas ejection pipe 40 is provided with a plurality of ejection holes 40a on a row at a predetermined pitch, and is supplied from an inert gas supply device 80 (FIG. 4) described later to this inert gas ejection pipe 40. By supplying the inert gas, the inert gas is ejected from the ejection holes 40a so as to cover the entire surface of the processing liquid L substantially in parallel with the liquid surface thereof, and the inert gas is injected from the first exhaust port 223 to the side surface of the outer tank 20. The air is exhausted to the outside by an exhaust device 70 (FIG. 4) via a second exhaust port 23 provided in the section. Further, by changing the rotation angle of the damper 24 provided in the second exhaust port 23, the above exhaust amount can be adjusted.

【0029】図4は、本実施例にかかる基板処理装置の
全体の構成を示すブロック図である。処理液回収槽11
の排液口11aは、処理液循環装置50に連結される。
この処理液循環装置50は、循環ポンプ51と循環ポン
プ51から送り出された処理液Lを濾過する濾過器52
を備える。循環ポンプ51により送られ濾過器52によ
って表面処理の際生じた重金属のかけらや塵などの異物
を取り除かれ浄化された処理液Lは、処理液噴出パイプ
30に送られる。循環ポンプ51は、通常ベローズ式の
ポンプが使用され、耐腐食性の可撓性樹脂で形成された
ベローズをモータや電磁石などの駆動機構によって外部
から伸縮駆動させることにより、ポンプ動作を行なうよ
うになっており、この循環ポンプ51の駆動は表面処理
工程の進行状況に応じて制御装置60によって管理され
制御される。このようにして処理液Lは循環使用される
ので、メンテナンスコストを低く押えることができる。
FIG. 4 is a block diagram showing the overall configuration of the substrate processing apparatus according to this embodiment. Treatment liquid recovery tank 11
Is connected to the processing liquid circulation device 50.
The treatment liquid circulation device 50 includes a circulation pump 51 and a filter 52 for filtering the treatment liquid L sent from the circulation pump 51.
Is provided. The processing liquid L which is sent by the circulation pump 51 and purified by removing foreign matter such as heavy metal fragments and dust generated during the surface treatment by the filter 52 is sent to the processing liquid ejection pipe 30. As the circulating pump 51, a bellows-type pump is usually used, and a bellows made of a corrosion-resistant flexible resin is driven to expand and contract from the outside by a driving mechanism such as a motor or an electromagnet to perform a pump operation. The driving of the circulation pump 51 is managed and controlled by the control device 60 according to the progress of the surface treatment process. In this way, the processing liquid L is circulated and used, so that the maintenance cost can be reduced.

【0030】なお、上述のようにカバー部材22の垂直
部222の下端部においてウォーターシール機構が成立
するためには、オーバーフローした処理液Lが、処理液
回収槽11に適量に貯溜される必要があるので、処理液
循環装置50による循環流量はそのような範囲内におい
て制御装置60によって制御される。
In order for the water seal mechanism to be established at the lower end of the vertical portion 222 of the cover member 22 as described above, it is necessary that the overflowing processing liquid L be stored in the processing liquid recovery tank 11 in an appropriate amount. Therefore, the circulation flow rate of the processing liquid circulation device 50 is controlled by the control device 60 within such a range.

【0031】一方、外槽20側面の第2の排気口23
は、排気装置70に接続される。排気装置70はファン
71をモータ72で回転させて強制排気し、ガス処理器
73で基板処理の際に発生した人体に有害なガスを処理
して無害なものに変えてから大気中に放出する。ダンパ
ー24の回転角やモータ72の動作は、制御装置60に
より制御され、これにより排気量が適性に保たれるよう
になっている。この排気装置70として、半導体等の製
造工場に設備として設置されているものを使用する事も
可能である。
On the other hand, the second exhaust port 23 on the side of the outer tank 20
Is connected to the exhaust device 70. The exhaust device 70 rotates the fan 71 with the motor 72 to forcibly exhaust the gas, and the gas processing device 73 processes the gas harmful to the human body generated during the substrate processing, converts the gas into harmless gas, and discharges the gas to the atmosphere. . The rotation angle of the damper 24 and the operation of the motor 72 are controlled by the control device 60, so that the displacement is appropriately maintained. As the exhaust device 70, a device installed as a facility in a manufacturing factory for semiconductors or the like can be used.

【0032】不活性ガス噴出パイプ40には不活性ガス
供給装置80が接続される。この不活性ガス供給装置8
0は、不活性ガスボンベ81、レギュレータ82、流量
調整弁83、流量計84、およびフィルター85を直列
に接続して構成されており、不活性ガスGとしては、通
常安価な窒素ガスが使用される。
An inert gas supply device 80 is connected to the inert gas ejection pipe 40. This inert gas supply device 8
Numeral 0 is constituted by connecting an inert gas cylinder 81, a regulator 82, a flow control valve 83, a flow meter 84, and a filter 85 in series. As the inert gas G, an inexpensive nitrogen gas is generally used. .

【0033】レギュレータ82は制御装置60の制御を
受けて、不活性ガスボンベ81から供給されるガス量を
調整し、流量制御弁83は、過度なガス量が供給されな
いように規制する。また、流量計84により作業員が常
時流量をチェックできるようにもなっている。流量計8
4を通過した不活性ガスGはフィルター85によって塵
などの異物を除去された後、不活性ガス噴出パイプ40
から処理液Lの液面とほぼ平行な方向に噴出される。
The regulator 82 controls the amount of gas supplied from the inert gas cylinder 81 under the control of the control device 60, and the flow control valve 83 regulates the supply of an excessive amount of gas. In addition, the flow meter 84 allows the operator to constantly check the flow rate. Flow meter 8
The inert gas G that has passed through the filter 4 is subjected to removal of foreign matter such as dust by a filter 85 and then the inert gas ejection pipe 40.
From the processing liquid L in a direction substantially parallel to the liquid surface.

【0034】上記制御装置60は、処理液Lのアップフ
ローの有無、処理槽10上方からのクリーンエアのダウ
ンフロー量、排気装置70の動作状況などから判断し
て、適量の不活性ガスGが不活性ガス噴出パイプ40か
ら噴出され、処理液Lの液面で均一で密な不活性ガスの
雰囲気が形成されるようにレギュレータ82を制御する
が、処理液Lの液面における不活性ガスGの雰囲気形成
においては、排気装置70による排気量の影響が一番大
きいので、より精度よく制御するため、第2の排気口2
3に排気圧検出器231を設置し、この出力信号を制御
装置60に与えてフィードバック制御するようにしてい
る。これにより、不活性ガスGの使用量を必要かつ最小
限に維持することができる。
The control unit 60 determines whether an appropriate amount of the inert gas G is present, based on the presence / absence of the upflow of the processing liquid L, the amount of downflow of the clean air from above the processing tank 10, and the operation state of the exhaust device 70. The regulator 82 is controlled so that the inert gas is ejected from the inert gas ejection pipe 40 and a uniform and dense atmosphere of the inert gas is formed on the surface of the processing liquid L. Since the influence of the exhaust amount by the exhaust device 70 is the largest in the atmosphere formation of the second exhaust port 2, the second exhaust port 2
3, an exhaust pressure detector 231 is provided, and this output signal is provided to the control device 60 to perform feedback control. Thereby, the usage amount of the inert gas G can be maintained as necessary and to a minimum.

【0035】図5は、本実施例においてクリーンエアC
がダウンフローされている場合の気体の流れを模式的に
示す図である。不活性ガス噴出パイプ40の噴出孔40
aから処理液Lの液面とほぼ平行な方向に噴出された不
活性ガスGは、上述のようにウォーターシール機構を有
するカバー部材22の働きにより、側方には散逸せずに
有効に処理液Lの液面を覆って流れ、そのまま第1の排
気口223から吸い込まれて外槽20の第2の排気口2
3を経由して排気される。一方、処理槽10の上方から
下方に向けてブローされたクリーンエアCは、処理液L
の液面付近に来ると、不活性ガスGの流れを下方に貫く
ことなしに、不活性ガスGの流れに沿って同じくカバー
部材22の第1の排気口223に吸い込まれ、外槽20
の第2の排気口23から排気される。これにより、大気
やクリーンエアCは、ほとんど処理液Lの液面に接触せ
ずに排気されることになり、処理液L中の溶存酸素の増
加を阻止することができる。このような不活性ガスGに
よるエアカーテンは、上述のように大気と処理液Lの接
触を遮断して溶存酸素の増加を防止するだけでなく、薬
液による基板処理中に発生したミストが外部に飛散する
のを防止するという働きも有するので、ダウンフロー量
や排気量を従来より低く押えることができるという2次
的な効果も有する。
FIG. 5 shows clean air C in this embodiment.
It is a figure which shows typically the flow of gas when downflow is carried out. Jet hole 40 of inert gas jet pipe 40
The inert gas G ejected from a in a direction substantially parallel to the liquid surface of the treatment liquid L is effectively treated without being scattered to the sides by the action of the cover member 22 having the water seal mechanism as described above. The liquid L flows over the liquid surface, and is sucked as it is from the first exhaust port 223 and the second exhaust port 2
Exhausted via 3. On the other hand, the clean air C blown downward from above the processing tank 10 contains the processing liquid L.
Of the cover member 22 along the flow of the inert gas G without flowing downward through the flow of the inert gas G,
Is exhausted from the second exhaust port 23. As a result, the atmosphere and the clean air C are exhausted almost without contacting the liquid surface of the processing liquid L, and an increase in dissolved oxygen in the processing liquid L can be prevented. As described above, the air curtain by the inert gas G not only blocks the contact between the atmosphere and the processing liquid L to prevent an increase in dissolved oxygen, but also causes mist generated during substrate processing by the chemical liquid to the outside. Since it also has a function of preventing scattering, it also has a secondary effect that the downflow amount and the exhaust amount can be suppressed lower than before.

【0036】図6は、本発明に係る基板処理装置の他の
実施例の図1に相当する側面断面図である。
FIG. 6 is a side sectional view corresponding to FIG. 1 of another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

【0037】この実施例は、基板の処理に使用した処理
液を再利用することなく廃液槽へ廃棄するタイプの基板
処理装置に本発明を適用したものである。
In this embodiment, the present invention is applied to a substrate processing apparatus of a type in which a processing liquid used for processing a substrate is discarded into a waste liquid tank without being reused.

【0038】前述したように、カバー部材22の垂直部
222の下端部においてウォーターシール機構が成立す
るためには、オーバーフローした処理液Lが処理液回収
槽11に適量に貯溜される必要があるが、処理液回収槽
11を単に廃液槽に連結した場合には、処理液Lは処理
液回収槽11に貯溜される事なく廃液槽に流出してしま
う事となる。このため、この実施例においては、処理液
回収槽11にオーバーフロー部11bを設けると共にこ
のオーバーフロー部11bの外側に第二回収槽11cを
設けることにより、内槽10の上縁部12からオーバー
フローした処理液Lをオーバーフロー部11bの高さに
より規定される量だけ一旦処理液回収槽11に貯溜し、
さらにオーバーフロー部11bより第二回収槽11cに
オーバーフローした処理液Lを廃液口11dより廃液槽
(図示せず)に排出するようにしている。
As described above, in order for the water seal mechanism to be established at the lower end of the vertical portion 222 of the cover member 22, it is necessary to store an appropriate amount of the overflowing processing liquid L in the processing liquid recovery tank 11. When the processing liquid recovery tank 11 is simply connected to the waste liquid tank, the processing liquid L flows out to the waste liquid tank without being stored in the processing liquid recovery tank 11. For this reason, in this embodiment, by providing the processing liquid recovery tank 11 with the overflow section 11b and providing the second recovery tank 11c outside the overflow section 11b, the processing overflowing from the upper edge 12 of the inner tank 10 is performed. The liquid L is temporarily stored in the processing liquid recovery tank 11 by an amount defined by the height of the overflow portion 11b,
Further, the processing liquid L overflowing from the overflow section 11b to the second recovery tank 11c is discharged from a waste liquid port 11d to a waste liquid tank (not shown).

【0039】なお、上述の実施例においては、不活性ガ
ス噴出パイプ40に複数の噴出孔40aを列状に設けて
いるが、この噴出孔40aの代わりに不活性ガス噴出パ
イプ40の側面長手方向に一本のスリットを形成し、こ
のスリットから不活性ガスを噴出するようにしてもよい
し、複数本のノズルを同方向に向けて配設するようにし
てもよい。また、不活性ガスの噴出方向は、処理液Lの
液面にほぼ平行な方向としたが、当該液面に対し所定角
度を有して噴出されてもよい。この場合には、不活性ガ
スが散逸しやすくなるのでカバー部材の垂直部222の
高さをより高くする方が好ましい。
In the above-described embodiment, a plurality of ejection holes 40a are provided in a row in the inert gas ejection pipe 40, but instead of the ejection holes 40a, the side surface longitudinal direction of the inert gas ejection pipe 40 is used. One slit may be formed, and an inert gas may be ejected from the slit, or a plurality of nozzles may be arranged in the same direction. In addition, the jetting direction of the inert gas is set to a direction substantially parallel to the liquid surface of the processing liquid L, but may be jetted at a predetermined angle with respect to the liquid surface. In this case, it is preferable to make the height of the vertical portion 222 of the cover member higher because the inert gas is easily dissipated.

【0040】また、図4の構成においては第2の排気口
23に排気圧検出器231を設置し、この出力信号を制
御装置60に与えて不活発ガス供給装置80を制御し、
不活性ガスGの噴出量を自動制御するようにしている
が、場合によってはこのような制御装置60による自動
制御は必ずしも必要ではなく、たとえば他の処理条件が
十分制御されて常に一定であるような場合においては、
手動制御で十分な場合もある。
In the configuration shown in FIG. 4, an exhaust pressure detector 231 is provided at the second exhaust port 23, and this output signal is given to the control device 60 to control the inert gas supply device 80.
Although the ejection amount of the inert gas G is automatically controlled, in some cases, such automatic control by the control device 60 is not necessarily required. For example, other processing conditions are sufficiently controlled and are always constant. In some cases,
In some cases, manual control is sufficient.

【0041】また、カバー部材22は、取り外しやすい
ように一体型としているが、一辺ごとに分離して取り外
せるようにしてもよいし、その素材も、上述のフッ素樹
脂の他、PVC,PE,SUSなどでもよい。不活性ガ
スは、窒素ガスにかかわらず、当該基板処理に適した他
のガスを使用してもよい。
The cover member 22 is of an integral type so that it can be easily removed. However, the cover member 22 may be separated and removed for each side, and may be made of PVC, PE, SUS or the like in addition to the above-mentioned fluororesin. And so on. Regardless of the nitrogen gas, other gases suitable for the substrate processing may be used as the inert gas.

【0042】また、上述した基板処理装置の構成要素の
うちその素材を明記していないものにおいても処理液L
と接触するものについては、少なくともその接触面に対
腐食性の素材が使用されることはいうまでもない。
Also, among the constituent elements of the above-described substrate processing apparatus, those whose material is not specified, the processing liquid L
It is needless to say that a material having anticorrosive properties is used at least on the contact surface.

【0043】濾過器52、フィルター85としてはメン
ブレン膜を使用したもののほか、場合によっては電気的
その他の手段によって浄化するものでも可能である。
As the filter 52 and the filter 85, in addition to a filter using a membrane membrane, a filter purifying by electric or other means may be used in some cases.

【0044】なお、本発明は、基板Wを基板搬送用容器
(キャリア)から出して、基板Wのみ内槽10内の基板
保持ホルダーに保持して処理する、いわゆるキャリアレ
ス方式の基板処理装置に限らず、キャリアに載置したま
ま内槽10内に浸漬させて処理するキャリア方式のもの
にも適用できる。
The present invention relates to a so-called carrierless type substrate processing apparatus in which a substrate W is taken out of a substrate transfer container (carrier), and only the substrate W is processed by holding the substrate W in a substrate holding holder in an inner tank 10. The present invention is not limited thereto, and the present invention can also be applied to a carrier type in which the carrier is immersed in the inner tank 10 while being placed on the carrier for processing.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上述べたように、請求項1の発明によ
れば、カバー部材により処理槽上縁部の周囲を囲むよう
にしているので、不活性ガス供給手段の噴出手段から吹
き出された不活性ガスは、散逸せずに処理液面のみに供
給されて排気手段より排気される。当該カバー部材の下
端は処理槽の周囲に形成された処理液回収槽に貯溜した
処理液に浸漬された状態で配設されるので、この部分で
ウォーターシール機構が形成され、処理槽の傾きなどの
調整を容易にしながら、当該部分での不活性ガスの散逸
を確実に防止することができる。これにより、少ない不
活性ガス量で処理液表面において当該不活性ガスの雰囲
気を効率よく形成して大気と処理液面の接触を完全に遮
断することができ、大気中の不要な成分が処理液中に溶
解するような不都合が生ぜず、低いコストで基板処理を
精度よく行うことができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, since the periphery of the upper edge of the processing tank is surrounded by the cover member, the inert gas blown out from the jetting means of the inert gas supply means. The gas is supplied only to the processing liquid surface without being dissipated, and is exhausted by the exhaust means. Since the lower end of the cover member is disposed in a state where it is immersed in the processing liquid stored in the processing liquid recovery tank formed around the processing tank, a water seal mechanism is formed at this portion, and the inclination of the processing tank is reduced. In addition, while facilitating the adjustment, the dissipation of the inert gas in the relevant portion can be reliably prevented. As a result, the atmosphere of the inert gas can be efficiently formed on the surface of the processing liquid with a small amount of inert gas, and the contact between the atmosphere and the surface of the processing liquid can be completely shut off. Inconvenience such as dissolution in the substrate does not occur, and substrate processing can be performed accurately at low cost.

【0046】請求項2の発明によれば、排気手段による
排気量を排気量検出手段より検出して制御手段によって
噴出量調整手段の動作をフィードバック制御し、不活性
ガス供給手段からの不活性ガスの噴出量を適量に制御す
ることができるので、無駄な不活性ガスの使用が規制さ
れ、その使用量を必要かつ最小限にすることができる。
According to the second aspect of the present invention, the exhaust amount detected by the exhaust unit is detected by the exhaust amount detecting unit, and the operation of the ejection amount adjusting unit is feedback-controlled by the control unit. Can be controlled to an appropriate amount, the use of useless inert gas is regulated, and the amount of use can be minimized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例にかかる基板処理装置の処理
槽部分の側面断面図である。
FIG. 1 is a side sectional view of a processing tank part of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A線における正面断面図である。FIG. 2 is a front sectional view taken along line AA of FIG. 1;

【図3】図1における外槽の外観を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an appearance of an outer tub in FIG.

【図4】図1の基板処理装置の全体の構成を示す概略図
である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an overall configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1;

【図5】図1の実施例においてダウンフローがある場合
の気体の流れる様子を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a state of gas flow when there is a downflow in the embodiment of FIG. 1;

【図6】本発明に係る基板処理装置の他の実施例の図1
に相当する側面断面図である。
FIG. 6 shows another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG.

【図7】従来の基板処理装置の処理槽部分の正面断面図
である。
FIG. 7 is a front sectional view of a processing tank part of a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 内槽 11 処理液回収槽 20 外槽 21 レベル調節ネジ 22 カバー部材 30 処理液噴出パイプ 40 不活性ガス噴出パイプ 50 処理液循環装置 60 制御装置 70 排気装置 80 不活性ガス供給装置 81 不活性ガスボンベ 82 レギュレータ 231 排気圧検出器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Inner tank 11 Processing liquid collection tank 20 Outer tank 21 Level adjusting screw 22 Cover member 30 Processing liquid ejection pipe 40 Inert gas ejection pipe 50 Processing liquid circulation device 60 Control device 70 Exhaust device 80 Inert gas supply device 81 Inert gas cylinder 82 Regulator 231 Exhaust pressure detector

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 文浩 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会 社 野洲事業所内 (56)参考文献 特開 平4−9773(JP,A) 実開 平3−71627(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 642 B08B 3/04 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Fumihiro Ikeda 2426-1, Minogami-ku, Kinokawahara, Yasu-cho, Yasu-gun, Shiga Prefecture Inside the Yasu Works of Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. 9773 (JP, A) Hikaru Hei 3-71627 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 642 B08B 3/04

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板が保持された処理槽内に処理液を供
給してオーバーフローさせ、前記基板の表面処理を行う
基板処理装置において、 前記処理槽の処理液面に噴出手段を介して不活性ガスを
吹き付ける不活性ガス供給手段と、 前記噴出手段と対向して設けられた排気口を介して前記
不活性ガスを排気する排気手段と、 前記処理液面に吹き付けられた不活性ガスの拡散を防止
するため、前記処理槽上縁部の周囲に設けられたカバー
部材と、 を備え、 前記処理槽外周には前記オーバーフローした処理液を回
収するための処理液回収槽が設けられるととともに、前
記カバー部材の下端部は、前記処理液回収槽に貯溜した
処理液に浸漬されることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for supplying a processing liquid into a processing tank in which a substrate is held and causing the processing liquid to overflow to perform a surface treatment of the substrate. An inert gas supply unit that blows a gas, an exhaust unit that exhausts the inert gas through an exhaust port provided to face the ejection unit, and a diffusion of the inert gas that is sprayed on the processing liquid surface. A cover member provided around the upper edge of the processing tank, and a processing liquid recovery tank for collecting the overflowed processing liquid is provided on the outer periphery of the processing tank, A substrate processing apparatus, wherein a lower end of the cover member is immersed in a processing liquid stored in the processing liquid recovery tank.
【請求項2】 前記不活性ガス供給手段は、当該不活性
ガスの噴出量を制御する噴出量調整手段と、前記排気手
段による排気量を検出する排気量検出手段と、前記排気
量検出手段からの検出信号によって前記噴出量調整手段
の動作を制御する制御手段と、を備え、 前記不活性ガス供給手段による不活性ガスの供給量を、
前記排気手段による排気量に応じて適量に制御するよう
にしたことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装
置。
2. The method according to claim 1, wherein the inert gas supply unit includes: an ejection amount adjustment unit that controls an ejection amount of the inert gas; an exhaust amount detection unit that detects an exhaust amount by the exhaust unit; Control means for controlling the operation of the ejection amount adjustment means by the detection signal of, the supply amount of the inert gas by the inert gas supply means,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an appropriate amount is controlled according to an exhaust amount of the exhaust unit.
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