JP3068612B1 - プラズマｃｖｄ薄膜製造装置及び製膜方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ薄膜製造装置及び製膜方法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
【要約】
【課題】製膜速度に寄らず均一な膜分布を得ることを課
題とする。 【解決手段】真空容器３１と、この真空容器３１内にガ
スを導入するガス導入管４１と、前記真空容器３１内を
排気する排気管４２と、前記真空容器３１内に配置さ
れ、基板３８を支持する基板加熱用ヒータ３２と、前記
真空容器３１内に前記基板３８と対向するように配置さ
れた放電用電極３４と、この放電用電極３４に接続され
た電源切り替え器３７と、この電源切り替え器３７に接
続された周波数の異なる２台以上の放電用電源３５ａ，
３５ｂと、前記基板加熱用ヒータ３２と放電用電極３５
ａ，３５ｂ間に配置され製膜表面ヒータ４０とを具備す
ることを特徴とするプラズマＣＶＤ薄膜製造装置。
題とする。 【解決手段】真空容器３１と、この真空容器３１内にガ
スを導入するガス導入管４１と、前記真空容器３１内を
排気する排気管４２と、前記真空容器３１内に配置さ
れ、基板３８を支持する基板加熱用ヒータ３２と、前記
真空容器３１内に前記基板３８と対向するように配置さ
れた放電用電極３４と、この放電用電極３４に接続され
た電源切り替え器３７と、この電源切り替え器３７に接
続された周波数の異なる２台以上の放電用電源３５ａ，
３５ｂと、前記基板加熱用ヒータ３２と放電用電極３５
ａ，３５ｂ間に配置され製膜表面ヒータ４０とを具備す
ることを特徴とするプラズマＣＶＤ薄膜製造装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファスシリ
コン太陽電池、薄膜トランジスタ、光センサ、半導体保
護膜など各種電子デバイスに使用される大面積薄膜の製
造に適用されるプラズマＣＶＤ薄膜製造装置に関する。
コン太陽電池、薄膜トランジスタ、光センサ、半導体保
護膜など各種電子デバイスに使用される大面積薄膜の製
造に適用されるプラズマＣＶＤ薄膜製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は、先に、非晶質シリコン太陽
電池を製造するために適用されるプラズマＣＶＤ薄膜製
造装置として、図６に示すものを提案した。
電池を製造するために適用されるプラズマＣＶＤ薄膜製
造装置として、図６に示すものを提案した。
【０００３】図中の符番１は反応容器であり、内部に基
板加熱ヒータ２、及びアース線３に接続されたラダー型
の放電用電極４が対向して配置されている。前記放電用
電極４には、高周波電源５がインピーダンス整合器６を
介して接続されている。前記基板加熱用ヒータ２には、
基板７が支持されている。この基板７と前記放電用電極
４間には、製膜表面ヒータ用電源８が接続されたメッシ
ュ状の製膜表面ヒータ９が配置されている。前記反応容
器１には、放電用電極４周辺に反応ガスを導入する反応
ガス導入管１０が接続されている。また、前記反応容器
１には、排気管１１を介して真空ポンプ１２が接続され
ている。
板加熱ヒータ２、及びアース線３に接続されたラダー型
の放電用電極４が対向して配置されている。前記放電用
電極４には、高周波電源５がインピーダンス整合器６を
介して接続されている。前記基板加熱用ヒータ２には、
基板７が支持されている。この基板７と前記放電用電極
４間には、製膜表面ヒータ用電源８が接続されたメッシ
ュ状の製膜表面ヒータ９が配置されている。前記反応容
器１には、放電用電極４周辺に反応ガスを導入する反応
ガス導入管１０が接続されている。また、前記反応容器
１には、排気管１１を介して真空ポンプ１２が接続され
ている。
【０００４】図７は、非晶質シリコン太陽電池の断面図
を示す。この太陽電池は、ガラス基板２１上に、透明電
極２２、非晶質シリコン層２３及びアルミからなる電極
２４が形成されている。ここで、非晶質シリコン層２３
は、ガラス基板２１側から順にｐ層２５、バッファ層２
６、膜厚５〜５０ｎｍのｉ層初期膜２７、ｉ層バルク膜
２８、ｉ層後期膜２９、ｎ層３０を積層してなる。
を示す。この太陽電池は、ガラス基板２１上に、透明電
極２２、非晶質シリコン層２３及びアルミからなる電極
２４が形成されている。ここで、非晶質シリコン層２３
は、ガラス基板２１側から順にｐ層２５、バッファ層２
６、膜厚５〜５０ｎｍのｉ層初期膜２７、ｉ層バルク膜
２８、ｉ層後期膜２９、ｎ層３０を積層してなる。
【０００５】こうした構成の太陽電池は図６の装置を用
いて次のように製造される。まず、ガラス基板２１上に
別装置を用いて透明電極２２を形成する。つづいて、こ
の透明電極２２上に、ｐ層２５と、バッファ層２６と、
ｉ層初期膜２７と、ｉ層バルク膜２８と、ｉ層後期膜２
９と、ｎ層３０からなる非晶質シリコン層２３を形成す
る。
いて次のように製造される。まず、ガラス基板２１上に
別装置を用いて透明電極２２を形成する。つづいて、こ
の透明電極２２上に、ｐ層２５と、バッファ層２６と、
ｉ層初期膜２７と、ｉ層バルク膜２８と、ｉ層後期膜２
９と、ｎ層３０からなる非晶質シリコン層２３を形成す
る。
【０００６】その際、ｉ層初期膜２７及びｉ層後期膜２
９は、例えば製膜速度０．１〜０．４ｎｍ／ｓ、製膜表
面ヒータ９による加熱（電力１５０〜２００Ｗ）、放電
周波数２７〜１００ＭＨｚの少なくともいずれかの条件
を満たしながら、角条件を適正化し、欠陥密度８×１０
14個／ｃｃ以下とする。また、ｉ層バルク膜２８は、ｉ
層初期膜２７を形成後、放電を維持したまま形成する。
さらに、ｉ層後期膜２９はｉ層バルク膜２８を形成後、
放電を維持したまま形成する。ここで、ｉ層バルク膜２
８は、生産性向上による低コスト化を図るため、ｉ層初
期膜２７よりも高い製膜速度にて形成する。最後に、非
晶質シリコン層２３上に電極取り出しのための電極２４
を形成し、電池を完成する。
９は、例えば製膜速度０．１〜０．４ｎｍ／ｓ、製膜表
面ヒータ９による加熱（電力１５０〜２００Ｗ）、放電
周波数２７〜１００ＭＨｚの少なくともいずれかの条件
を満たしながら、角条件を適正化し、欠陥密度８×１０
14個／ｃｃ以下とする。また、ｉ層バルク膜２８は、ｉ
層初期膜２７を形成後、放電を維持したまま形成する。
さらに、ｉ層後期膜２９はｉ層バルク膜２８を形成後、
放電を維持したまま形成する。ここで、ｉ層バルク膜２
８は、生産性向上による低コスト化を図るため、ｉ層初
期膜２７よりも高い製膜速度にて形成する。最後に、非
晶質シリコン層２３上に電極取り出しのための電極２４
を形成し、電池を完成する。
【０００７】このようにして製造される非晶質シリコン
太陽電池は、以下の特徴を有する。低欠陥密度のｉ層初
期膜２７をｐ層２５上にバッファ層２６を介して設ける
ことにより、ｐ層２５／ｉ層バルク膜２８界面付近の欠
陥準位が低減し、短波長感度を改善でき、短絡電流を増
大できる。
太陽電池は、以下の特徴を有する。低欠陥密度のｉ層初
期膜２７をｐ層２５上にバッファ層２６を介して設ける
ことにより、ｐ層２５／ｉ層バルク膜２８界面付近の欠
陥準位が低減し、短波長感度を改善でき、短絡電流を増
大できる。
【０００８】低欠陥で表面被覆性に優れたｉ層後期膜２
９をｉ層バルク膜２８上に設けることにより、ｉ層バル
ク膜２８／ｎ層３０界面の密着性を向上できる。その結
果、長波長が改善され、短絡電流が増大できる。また、
ｎ層３０の膜厚分布が改善され、ｉ層バルク膜２８内の
内部電界の均一性が向上するため、開放電圧が増大す
る。
９をｉ層バルク膜２８上に設けることにより、ｉ層バル
ク膜２８／ｎ層３０界面の密着性を向上できる。その結
果、長波長が改善され、短絡電流が増大できる。また、
ｎ層３０の膜厚分布が改善され、ｉ層バルク膜２８内の
内部電界の均一性が向上するため、開放電圧が増大す
る。
【０００９】低欠陥密度のｉ層初期膜２７及び低欠陥で
表面被覆性に優れたｉ層後期膜２９を設けることによ
り、ｉ層バルク膜２８の亀裂発生が抑制するため、ｉ層
バルク膜２８内でのキャリア再結合が低減向上し、短絡
電流が増大する。
表面被覆性に優れたｉ層後期膜２９を設けることによ
り、ｉ層バルク膜２８の亀裂発生が抑制するため、ｉ層
バルク膜２８内でのキャリア再結合が低減向上し、短絡
電流が増大する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
非晶質シリコン薄膜を製造するために適用されるプラズ
マＣＶＤ薄膜製造装置によれば、以下に述べる問題点を
有していた。
非晶質シリコン薄膜を製造するために適用されるプラズ
マＣＶＤ薄膜製造装置によれば、以下に述べる問題点を
有していた。
【００１１】（１）膜厚分布は放電電力及び製膜速度依
存性を有しており、ｉ層初期膜２７及びｉ層後期膜２９
とｉ層バルク膜２８の製膜速度が異なるため、通常用い
られている放電電力によるプラズマ密度の直接制御方法
のみでは、同一装置にてｉ層初期膜２７及びｉ層後期膜
２９とｉ層バルク膜２８の膜の分布をともに均一にする
ことは困難であった。この問題は、製膜面積を拡大させ
た場合に特に顕著となるため、生産性向上による低コス
ト化を図るには大きな障害となる。
存性を有しており、ｉ層初期膜２７及びｉ層後期膜２９
とｉ層バルク膜２８の製膜速度が異なるため、通常用い
られている放電電力によるプラズマ密度の直接制御方法
のみでは、同一装置にてｉ層初期膜２７及びｉ層後期膜
２９とｉ層バルク膜２８の膜の分布をともに均一にする
ことは困難であった。この問題は、製膜面積を拡大させ
た場合に特に顕著となるため、生産性向上による低コス
ト化を図るには大きな障害となる。
【００１２】（２）また、通常一般的に用いられている
周波数１３ＭＨｚの放電電力によるプラズマ密度の直接
制御方法により、高速性膜を実施すると、プラズマ中の
イオンエネルギーも増大する。しかして、ｉ層製膜時に
高エネルギーイオンが膜に衝突すると、欠陥準位を生
じ、キャリア再結合損失が増大するため、短絡電流が低
下してしまう。
周波数１３ＭＨｚの放電電力によるプラズマ密度の直接
制御方法により、高速性膜を実施すると、プラズマ中の
イオンエネルギーも増大する。しかして、ｉ層製膜時に
高エネルギーイオンが膜に衝突すると、欠陥準位を生
じ、キャリア再結合損失が増大するため、短絡電流が低
下してしまう。
【００１３】本発明は、こうした事情を考慮してなされ
たもので、周波数の異なる２台以上の放電用電源を配置
したり、あるいは周波数が可変の放電用電源を配置する
ことにより、製膜速度に寄らずに共に均一な膜分布を得
られるプラズマＣＶＤ薄膜製造装置を提供することを目
的とする。
たもので、周波数の異なる２台以上の放電用電源を配置
したり、あるいは周波数が可変の放電用電源を配置する
ことにより、製膜速度に寄らずに共に均一な膜分布を得
られるプラズマＣＶＤ薄膜製造装置を提供することを目
的とする。
【００１４】また、本発明は、周波数の異なる２台以上
の放電用電源を製膜に応じて切り替えることにより、あ
るいは周波数が可変の放電用電源の放電周波数を製膜に
応じて放電周波数を切り替えることにより、製膜速度に
寄らず共に均一な膜分布を得られる製膜方法を提供する
ことを目的とする。
の放電用電源を製膜に応じて切り替えることにより、あ
るいは周波数が可変の放電用電源の放電周波数を製膜に
応じて放電周波数を切り替えることにより、製膜速度に
寄らず共に均一な膜分布を得られる製膜方法を提供する
ことを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器と、
この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空
容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置さ
れ、基板を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器
内に前記基板と対向するように配置された放電用電極
と、この放電用電極に接続された電源切り替え器と、こ
の電源切り替え器に接続された周波数の異なる２台以上
の放電用電源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間
に配置された製膜表面ヒータとを具備し、基板に形成す
る製膜の速度に応じて前記放電用電源の種類を切り替え
ることを特徴とするプラズマＣＶＤ薄膜製造装置であ
る。
この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空
容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置さ
れ、基板を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器
内に前記基板と対向するように配置された放電用電極
と、この放電用電極に接続された電源切り替え器と、こ
の電源切り替え器に接続された周波数の異なる２台以上
の放電用電源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間
に配置された製膜表面ヒータとを具備し、基板に形成す
る製膜の速度に応じて前記放電用電源の種類を切り替え
ることを特徴とするプラズマＣＶＤ薄膜製造装置であ
る。
【００１６】本願第２の発明は、真空容器と、この真空
容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を
排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板
を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記
基板と対向するように配置された放電用電極と、この放
電用電極に接続された可変周波数対応の整合器と、この
整合器に接続された周波数が可変の放電用電源と、前記
基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表面
ヒータとを具備し、基板に形成する製膜の速度に応じて
前記放電用電源の周波数を切り替えることを特徴とする
プラズマＣＶＤ薄膜製造装置である。
容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を
排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板
を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記
基板と対向するように配置された放電用電極と、この放
電用電極に接続された可変周波数対応の整合器と、この
整合器に接続された周波数が可変の放電用電源と、前記
基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表面
ヒータとを具備し、基板に形成する製膜の速度に応じて
前記放電用電源の周波数を切り替えることを特徴とする
プラズマＣＶＤ薄膜製造装置である。
【００１７】本願第３の発明は、真空容器と、この真空
容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を
排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板
を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記
基板と対向するように配置された放電用電極と、この放
電用電極に接続された電源切り替え器と、この電源切り
替え器に接続された周波数の異なる２台以上の放電用電
源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置され
た製膜表面ヒータと、前記製膜表面ヒータに電気的に接
続した直流電源と、真空容器の外周部に配置された、プ
ラズマ生成部に磁界を印加するための空間的磁界発生用
コイルと、この空間的磁界発生用コイルに電気的に接続
された磁界発生用電源とを具備することを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ薄膜製造装置である。
容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を
排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板
を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記
基板と対向するように配置された放電用電極と、この放
電用電極に接続された電源切り替え器と、この電源切り
替え器に接続された周波数の異なる２台以上の放電用電
源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置され
た製膜表面ヒータと、前記製膜表面ヒータに電気的に接
続した直流電源と、真空容器の外周部に配置された、プ
ラズマ生成部に磁界を印加するための空間的磁界発生用
コイルと、この空間的磁界発生用コイルに電気的に接続
された磁界発生用電源とを具備することを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ薄膜製造装置である。
【００１８】本願第４の発明は、真空容器と、この真空
容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を
排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板
を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記
基板と対向するように配置された放電用電極と、この放
電用電極に接続された電源切り替え器と、この電源切り
替え器に接続された周波数の異なる２台以上の放電用電
源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置され
た製膜表面ヒータとを具備し、放電用電極には複数の給
電点が設けられ、前記電源切り替え器は前記給電点の数
に応じて複数個配置され、前記電源切り替え器には夫々
周波数の異なる放電用電源が夫々接続され、更に前記各
電源切り替え器には給電ＯＮ／ＯＦＦ切り替えタイミン
グを制御するコントローラが接続されていることを具備
することを特徴とするプラズマＣＶＤ薄膜製造装置であ
る。本願第５の発明は、真空容器と、この真空容器内に
ガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する
排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板を支持す
る基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対
向するように配置された放電用電極と、この放電用電極
に接続された電源切り替え器と、この電源切り替え器に
接続された周波数の異なる２台以上の放電用電源と、前
記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表
面ヒータとを具備するプラズマＣＶＤ薄膜製造装置を用
いて製膜する方法であり、基板に形成する製膜の速度に
応じて前記放電用電源の種類を切り替えることを特徴と
する製膜方法である。 本願第６の発明は、真空容器と、
この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空
容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置さ
れ、基板を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器
内に前記基板と対向するように配置された放電用電極
と、この放電用電極に接続された可変周波数対応の整合
器と、この整合器に接続された周波数が可変の放電用電
源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置され
た製膜表面ヒータとを具備するプラズマＣＶＤ薄膜製造
装置を用いて製膜する方法であり、基板に形成する製膜
の速度に応じて前記放電用電源の周波数を変えることを
特徴とする製膜方法である。 本願第７の発明は、第３の
発明に係るプラズマＣＶＤ薄膜製造装置を用いて製 膜す
る方法であり、基板に形成する製膜の速度に応じて前記
放電用電源の周波数を変えることを特徴とする製膜方法
である。 本願第８の発明は、第４の発明に係るプラズマ
ＣＶＤ薄膜製造装置を用いて製膜する方法であり、基板
に形成する製膜の速度に応じて前記放電用電源の周波数
を変えることを特徴とする製膜方法である。
容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を
排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板
を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記
基板と対向するように配置された放電用電極と、この放
電用電極に接続された電源切り替え器と、この電源切り
替え器に接続された周波数の異なる２台以上の放電用電
源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置され
た製膜表面ヒータとを具備し、放電用電極には複数の給
電点が設けられ、前記電源切り替え器は前記給電点の数
に応じて複数個配置され、前記電源切り替え器には夫々
周波数の異なる放電用電源が夫々接続され、更に前記各
電源切り替え器には給電ＯＮ／ＯＦＦ切り替えタイミン
グを制御するコントローラが接続されていることを具備
することを特徴とするプラズマＣＶＤ薄膜製造装置であ
る。本願第５の発明は、真空容器と、この真空容器内に
ガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する
排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板を支持す
る基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対
向するように配置された放電用電極と、この放電用電極
に接続された電源切り替え器と、この電源切り替え器に
接続された周波数の異なる２台以上の放電用電源と、前
記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表
面ヒータとを具備するプラズマＣＶＤ薄膜製造装置を用
いて製膜する方法であり、基板に形成する製膜の速度に
応じて前記放電用電源の種類を切り替えることを特徴と
する製膜方法である。 本願第６の発明は、真空容器と、
この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空
容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置さ
れ、基板を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器
内に前記基板と対向するように配置された放電用電極
と、この放電用電極に接続された可変周波数対応の整合
器と、この整合器に接続された周波数が可変の放電用電
源と、前記基板加熱用ヒータと放電用電極間に配置され
た製膜表面ヒータとを具備するプラズマＣＶＤ薄膜製造
装置を用いて製膜する方法であり、基板に形成する製膜
の速度に応じて前記放電用電源の周波数を変えることを
特徴とする製膜方法である。 本願第７の発明は、第３の
発明に係るプラズマＣＶＤ薄膜製造装置を用いて製 膜す
る方法であり、基板に形成する製膜の速度に応じて前記
放電用電源の周波数を変えることを特徴とする製膜方法
である。 本願第８の発明は、第４の発明に係るプラズマ
ＣＶＤ薄膜製造装置を用いて製膜する方法であり、基板
に形成する製膜の速度に応じて前記放電用電源の周波数
を変えることを特徴とする製膜方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について更に具体的
に説明する。第１の発明において、前記切り替え器に
は、電源切り替え時間を制御するためのコントローラを
電気的に接続させることが好ましい。これにより、低製
膜速度膜と高製膜速度膜の製膜に応じて低い製膜速度膜
側に低周波数の電源を使用すると共に、プラズマが連続
的に生成される様に２以上の放電用電源の切り替え時間
を制御でき、電源切り替えをプラズマが消滅することな
く連続的に行えるので、ｐ／ｉ界面層とｉ層間の界面の
膜欠陥を抑制し、膜分布の改善に加えてさらに界面特性
の向上を図ることができる。
に説明する。第１の発明において、前記切り替え器に
は、電源切り替え時間を制御するためのコントローラを
電気的に接続させることが好ましい。これにより、低製
膜速度膜と高製膜速度膜の製膜に応じて低い製膜速度膜
側に低周波数の電源を使用すると共に、プラズマが連続
的に生成される様に２以上の放電用電源の切り替え時間
を制御でき、電源切り替えをプラズマが消滅することな
く連続的に行えるので、ｐ／ｉ界面層とｉ層間の界面の
膜欠陥を抑制し、膜分布の改善に加えてさらに界面特性
の向上を図ることができる。
【００２０】第１の発明において、前記製膜表面ヒータ
に直流電源を電気的に接続するとともに、真空容器の外
側にプラズマ生成部に磁界を印加するための空間的磁界
発生用コイルを配置し、更にこの空間的磁界発生用コイ
ルに磁界発生用電源を電気的に接続させることが好まし
い。これにより、低製膜速度膜と高製膜速度膜の製膜に
応じて低い製膜速度膜側に低周波数の電源を使用する
様、放電用電源を切り替えることと同時に、製膜表面ヒ
ータに接続された直流電源により静電界でプラズマ制御
を行い、更に空間的変動磁界発生用コイルにより磁界で
プラズマ制御を行うことにより、異なる周波数の放電用
電源を単に切り替えた場合の膜分布の改善に加えて、さ
らにプラズマ密度分布を均一にすることができるため、
膜分布を一層向上することができる。
に直流電源を電気的に接続するとともに、真空容器の外
側にプラズマ生成部に磁界を印加するための空間的磁界
発生用コイルを配置し、更にこの空間的磁界発生用コイ
ルに磁界発生用電源を電気的に接続させることが好まし
い。これにより、低製膜速度膜と高製膜速度膜の製膜に
応じて低い製膜速度膜側に低周波数の電源を使用する
様、放電用電源を切り替えることと同時に、製膜表面ヒ
ータに接続された直流電源により静電界でプラズマ制御
を行い、更に空間的変動磁界発生用コイルにより磁界で
プラズマ制御を行うことにより、異なる周波数の放電用
電源を単に切り替えた場合の膜分布の改善に加えて、さ
らにプラズマ密度分布を均一にすることができるため、
膜分布を一層向上することができる。
【００２１】第１の発明において、放電用電極に複数の
給電点を設け、電源切り替え器は前記給電点の数に応じ
て複数個配置し、前記切り替え器には夫々周波数の異な
る放電用電源を夫々接続し、更に前記各切り替え器には
給電ＯＮ／ＯＦＦ切り替えタイミングを制御するコント
ローラを接続させることが好ましい。これにより、低製
膜速度膜と高製膜速度膜の製膜に応じて低製膜速度膜側
に低周波数の電源を使用する様、放電用電源、複数の給
電点を切り替えることにより、単に周波数切り替えによ
る膜厚分布の改善に加えて、給電点を切り替えることに
より、更に膜厚分布改善を図ることができる。
給電点を設け、電源切り替え器は前記給電点の数に応じ
て複数個配置し、前記切り替え器には夫々周波数の異な
る放電用電源を夫々接続し、更に前記各切り替え器には
給電ＯＮ／ＯＦＦ切り替えタイミングを制御するコント
ローラを接続させることが好ましい。これにより、低製
膜速度膜と高製膜速度膜の製膜に応じて低製膜速度膜側
に低周波数の電源を使用する様、放電用電源、複数の給
電点を切り替えることにより、単に周波数切り替えによ
る膜厚分布の改善に加えて、給電点を切り替えることに
より、更に膜厚分布改善を図ることができる。
【００２２】第５の発明においては、異なる周波数の２
台以上の放電用電源及び整合装置を用い、基板に形成す
る膜の製膜速度に応じて、例えば図７における低製膜速
度膜である初期膜、後期膜と高製膜速度膜であるバルク
膜の製膜に応じて、低製膜速度膜側に低周波数の電源を
使用する様、放電用電源を電源切り替え器により切り替
えて製膜を行なうことにより、製膜速度に寄らず共に均
一な膜分布を得ることができる。
台以上の放電用電源及び整合装置を用い、基板に形成す
る膜の製膜速度に応じて、例えば図７における低製膜速
度膜である初期膜、後期膜と高製膜速度膜であるバルク
膜の製膜に応じて、低製膜速度膜側に低周波数の電源を
使用する様、放電用電源を電源切り替え器により切り替
えて製膜を行なうことにより、製膜速度に寄らず共に均
一な膜分布を得ることができる。
【００２３】第６の発明においては、周波数の可変の放
電用電源、整合装置を用い、基板に形成する膜の製膜速
度に応じて、例えば図７における低製膜速度膜と高製膜
速度膜の製膜に応じて、低製膜速度膜側に低周波数域を
使用する様、放電周波数を切り替えることにより、製膜
速度に寄らず共に均一な膜分布を得ることができる。
電用電源、整合装置を用い、基板に形成する膜の製膜速
度に応じて、例えば図７における低製膜速度膜と高製膜
速度膜の製膜に応じて、低製膜速度膜側に低周波数域を
使用する様、放電周波数を切り替えることにより、製膜
速度に寄らず共に均一な膜分布を得ることができる。
【００２４】第６の発明の場合、第５の発明と比べ、連
続的な周波数変化が可能となり、より界面欠陥が少ない
高品質膜の製膜が可能となる。
続的な周波数変化が可能となり、より界面欠陥が少ない
高品質膜の製膜が可能となる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 （実施例１）図中の符番３１は反応容器であり、内部に
基板加熱ヒータ３２、ラダー型の放電用電極３４が対向
して配置されている。ここで、放電用電極３４の具体的
な形状は、後述する図５（Ｂ）で示すように、断面が例
えば円形状の複数の線材をはしご型に接続した平面形コ
イル構成となっている。なお、放電用電極３４は、アー
ス線（図示せず）に接続されていてもよい。前記放電用
電極３４には、低い周波数の放電電源３５ａがインピー
ダンス整合器３６ａ、電源切り替え器３７を介して接続
され、さらに高い周波数の放電電源３５ｂがインピーダ
ンス整合器３６ｂ、電源切り替え器３７を介して接続さ
れている。ここで、前記インピーダンス整合器３６ａ，
３６ｂは、電力を効率的に放電用電極に供給するための
整合器である。また、前記電源切り替え器３７は、放電
電源３５ａ，３５ｂから放電用電極３４間への電力供給
をどちらか一方に任意に切り替え可能な切り替え器であ
る。
て説明する。 （実施例１）図中の符番３１は反応容器であり、内部に
基板加熱ヒータ３２、ラダー型の放電用電極３４が対向
して配置されている。ここで、放電用電極３４の具体的
な形状は、後述する図５（Ｂ）で示すように、断面が例
えば円形状の複数の線材をはしご型に接続した平面形コ
イル構成となっている。なお、放電用電極３４は、アー
ス線（図示せず）に接続されていてもよい。前記放電用
電極３４には、低い周波数の放電電源３５ａがインピー
ダンス整合器３６ａ、電源切り替え器３７を介して接続
され、さらに高い周波数の放電電源３５ｂがインピーダ
ンス整合器３６ｂ、電源切り替え器３７を介して接続さ
れている。ここで、前記インピーダンス整合器３６ａ，
３６ｂは、電力を効率的に放電用電極に供給するための
整合器である。また、前記電源切り替え器３７は、放電
電源３５ａ，３５ｂから放電用電極３４間への電力供給
をどちらか一方に任意に切り替え可能な切り替え器であ
る。
【００２６】前記基板加熱用ヒータ３２には、基板３８
が支持されている。この基板３８と前記放電用電極３４
間には、製膜表面ヒータ用電源３９が接続されたメッシ
ュ状の製膜表面ヒータ４０が配置されている。前記反応
容器３１には、放電用電極３４周辺に反応ガスを導入す
る導入手段としてのボンベ（図示せず）が反応ガス導入
管４１を介して接続されている。また、前記反応容器３
１には、排気管４２を介して真空ポンプ（排気手段）４
３が接続されている。
が支持されている。この基板３８と前記放電用電極３４
間には、製膜表面ヒータ用電源３９が接続されたメッシ
ュ状の製膜表面ヒータ４０が配置されている。前記反応
容器３１には、放電用電極３４周辺に反応ガスを導入す
る導入手段としてのボンベ（図示せず）が反応ガス導入
管４１を介して接続されている。また、前記反応容器３
１には、排気管４２を介して真空ポンプ（排気手段）４
３が接続されている。
【００２７】実施例１によれば、周波数の異なる２台以
上の放電用電源３５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器
３６ａ，３６ｂ及び電源切り替え器３７を配置し、例え
ば低い製膜速度膜である初期膜、後期膜と高い製膜速度
膜であるバルク膜の製膜に応じて、低い製膜速度膜側に
低周波数の電源を使用するよう、放電用電源を電源切り
替え器３７を用いて切り替えることにより、製膜速度に
寄らず共に均一な膜分布が得られる。
上の放電用電源３５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器
３６ａ，３６ｂ及び電源切り替え器３７を配置し、例え
ば低い製膜速度膜である初期膜、後期膜と高い製膜速度
膜であるバルク膜の製膜に応じて、低い製膜速度膜側に
低周波数の電源を使用するよう、放電用電源を電源切り
替え器３７を用いて切り替えることにより、製膜速度に
寄らず共に均一な膜分布が得られる。
【００２８】このことは、以下のことで説明することが
できる。まず、ＲＦ電力を０から徐々に増加してプラズ
マ密度を増加させていくと、（１）低い電力にてプラズ
マが生成・維持され始める低電力域、（２）ほぼ均一な
電界内でプラズマが均一に分布する中電力域、（３）電
力が過剰となり、プラズマ密度が不均一になる高電力域
に区分することができる。これは、電力が過少の場合、
放電電力とプラズマ表面から散逸するパワーが釣り合う
様、プラズマが収縮した形で維持される一方、過大の場
合、放電の一部分に強電離部が発生し、さらに電力が集
中しやすくなるためプラズマ密度に分布が生じるためで
ある。
できる。まず、ＲＦ電力を０から徐々に増加してプラズ
マ密度を増加させていくと、（１）低い電力にてプラズ
マが生成・維持され始める低電力域、（２）ほぼ均一な
電界内でプラズマが均一に分布する中電力域、（３）電
力が過剰となり、プラズマ密度が不均一になる高電力域
に区分することができる。これは、電力が過少の場合、
放電電力とプラズマ表面から散逸するパワーが釣り合う
様、プラズマが収縮した形で維持される一方、過大の場
合、放電の一部分に強電離部が発生し、さらに電力が集
中しやすくなるためプラズマ密度に分布が生じるためで
ある。
【００２９】１ＭＨｚ以上の空間的な電離が放電を支配
する周波数領域では、放電周波数が高くなるに従い、低
い電界強度で高いプラズマ密度が生成されるので、プラ
ズマが均一に分布するプラズマ密度範囲は、放電周波数
が高くなるに従い、高密度側へシフトする傾向を有す
る。
する周波数領域では、放電周波数が高くなるに従い、低
い電界強度で高いプラズマ密度が生成されるので、プラ
ズマが均一に分布するプラズマ密度範囲は、放電周波数
が高くなるに従い、高密度側へシフトする傾向を有す
る。
【００３０】また、放電周波数が高くなるに従い、波長
が短くなり定在波が起き易いため、プラズマが均一に分
布するプラズマ密度範囲は、狭くなる傾向を有する。
が短くなり定在波が起き易いため、プラズマが均一に分
布するプラズマ密度範囲は、狭くなる傾向を有する。
【００３１】従って、周波数の異なる２台以上の放電用
電源３５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器３６ａ，３
６ｂ及び電源切り替え器３７を配置し、高い製膜速度膜
であるバルク膜の製膜に対して高周波数の電源を、低い
製膜速度膜である初期膜、後期膜に対して、低周波数の
電源を使用することにより、高周波数では高プラズマ密
度側に分布の均一領域が、低周波数では低プラズマ密度
側に分布の均一領域が存在するため、高い製膜速度膜、
低い製膜速度膜の両方共、分布を均一化させることがで
きる。
電源３５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器３６ａ，３
６ｂ及び電源切り替え器３７を配置し、高い製膜速度膜
であるバルク膜の製膜に対して高周波数の電源を、低い
製膜速度膜である初期膜、後期膜に対して、低周波数の
電源を使用することにより、高周波数では高プラズマ密
度側に分布の均一領域が、低周波数では低プラズマ密度
側に分布の均一領域が存在するため、高い製膜速度膜、
低い製膜速度膜の両方共、分布を均一化させることがで
きる。
【００３２】事実、初期膜、後期膜１３〜６０ＭＨｚ、
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍの条件で製
膜を実施し、図７に示す非晶質シリコン太陽電池を製作
した結果、初期膜、後期膜、バルク膜いずれも膜厚分布
±１０％以内にて膜形成を行うことができ、基板全面に
高品質の太陽電池を製造することができた。
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍの条件で製
膜を実施し、図７に示す非晶質シリコン太陽電池を製作
した結果、初期膜、後期膜、バルク膜いずれも膜厚分布
±１０％以内にて膜形成を行うことができ、基板全面に
高品質の太陽電池を製造することができた。
【００３３】前述において、初期膜、後期膜製膜時の周
波数を１３〜６０ＭＨｚにしたのは、該膜は膜欠陥密度
が８×１０14個／ｃｃ以下という高品質膜が必要であ
り、放電周波数１３ＭＨｚ未満では、プラズマの高周波
数化に伴う電子温度低下効果が小さいため、低欠陥密度
膜が得られず、界面特性の改善効果が小さいためであ
る。また、放電周波数が６０ＭＨｚを超えると、膜ダメ
ージが少ない低放電電力条件では放電が局所的になり、
高品質性膜可能で均一なプラズマがえられないため太陽
電池特性がばらつくためである。
波数を１３〜６０ＭＨｚにしたのは、該膜は膜欠陥密度
が８×１０14個／ｃｃ以下という高品質膜が必要であ
り、放電周波数１３ＭＨｚ未満では、プラズマの高周波
数化に伴う電子温度低下効果が小さいため、低欠陥密度
膜が得られず、界面特性の改善効果が小さいためであ
る。また、放電周波数が６０ＭＨｚを超えると、膜ダメ
ージが少ない低放電電力条件では放電が局所的になり、
高品質性膜可能で均一なプラズマがえられないため太陽
電池特性がばらつくためである。
【００３４】また、バルク膜の周波数を４０〜１００Ｍ
Ｈｚにしたのは、放電周波数が４０ＭＨｚ未満ではプラ
ズマ密度が低いため、製膜速度が０．５ｎｍ／ｓ以上の
範囲で均一な製膜が困難であり生産性が劣るためであ
る。一方、放電周波数が１００ＭＨｚを超えると、波長
が短くなるため、定在波が発生して均一なプラズマが得
られず、不均一な膜となるためである。
Ｈｚにしたのは、放電周波数が４０ＭＨｚ未満ではプラ
ズマ密度が低いため、製膜速度が０．５ｎｍ／ｓ以上の
範囲で均一な製膜が困難であり生産性が劣るためであ
る。一方、放電周波数が１００ＭＨｚを超えると、波長
が短くなるため、定在波が発生して均一なプラズマが得
られず、不均一な膜となるためである。
【００３５】なお、上記特性は太陽電池製膜のためのプ
ラズマＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２
層以上の膜製膜が必要な場合、同様な手法によりその界
面特性向上を図ることができる。
ラズマＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２
層以上の膜製膜が必要な場合、同様な手法によりその界
面特性向上を図ることができる。
【００３６】（実施例２）図２を参照する。但し、図１
と同部材は同符号を付して説明を省略する。図中の符番
５１は、放電用電極３４に接続された可変周波数対応の
整合器を示す。この整合器５１には、周波数が可変の放
電用電源５２が接続されている。
と同部材は同符号を付して説明を省略する。図中の符番
５１は、放電用電極３４に接続された可変周波数対応の
整合器を示す。この整合器５１には、周波数が可変の放
電用電源５２が接続されている。
【００３７】実施例２によれば、放電用電極３４に周波
数が可変の放電用電源５２を可変周波数対応の整合器５
１を介して接続した構成となっているため、例えば低製
膜速度膜である初期膜、後期膜と高製膜速度膜であるバ
ルク膜の製膜に応じて、高製膜速度膜側に高周波数域
を、低製膜速度膜側に低周波数域を使用する様、放電周
波数を切り替えることにより、製膜速度に寄らず共に均
一な膜分布が得られる。
数が可変の放電用電源５２を可変周波数対応の整合器５
１を介して接続した構成となっているため、例えば低製
膜速度膜である初期膜、後期膜と高製膜速度膜であるバ
ルク膜の製膜に応じて、高製膜速度膜側に高周波数域
を、低製膜速度膜側に低周波数域を使用する様、放電周
波数を切り替えることにより、製膜速度に寄らず共に均
一な膜分布が得られる。
【００３８】これは、放電周波数１ＭＨｚ以上の空間的
な電離が放電を支配する周波数領域では、放電周波数が
高くなるに従い、低い電界強度で高いプラズマ密度が生
成されるので、プラズマが均一に分布するプラズマ密度
範囲は、放電周波数が高くなるに従い、高密度側へシフ
トする傾向をしており、周波数の可変の放電用電源５
２、整合器５１を配置し、高い製膜速度膜であるバルク
膜の製膜に対して高周波数を、低い製膜速度膜である初
期膜、後期膜に対して、低周波数を使用することによ
り、高周波数では高プラズマ密度側に均一領域が、低周
波数では低プラズマ密度側に分布の均一領域が存在する
ためである。
な電離が放電を支配する周波数領域では、放電周波数が
高くなるに従い、低い電界強度で高いプラズマ密度が生
成されるので、プラズマが均一に分布するプラズマ密度
範囲は、放電周波数が高くなるに従い、高密度側へシフ
トする傾向をしており、周波数の可変の放電用電源５
２、整合器５１を配置し、高い製膜速度膜であるバルク
膜の製膜に対して高周波数を、低い製膜速度膜である初
期膜、後期膜に対して、低周波数を使用することによ
り、高周波数では高プラズマ密度側に均一領域が、低周
波数では低プラズマ密度側に分布の均一領域が存在する
ためである。
【００３９】また、周波数の可変電源を使用することに
より、２台以上の電源を使用する場合と比較して、連続
的な周波数片かが可能となり、寄り界面欠陥が少ない高
品質膜の製膜が可能となる。
より、２台以上の電源を使用する場合と比較して、連続
的な周波数片かが可能となり、寄り界面欠陥が少ない高
品質膜の製膜が可能となる。
【００４０】事実、初期膜、後期膜１３〜６０ＭＨｚ、
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍの条件で製
膜を実施し、図７に示す非晶質シリコン太陽電池を製作
した結果、初期膜、後期膜、バルク膜いずれも膜厚分布
±１０％以内にて膜形成を行うことができ、基板全面に
高品質の太陽電池を製造することができた。
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍの条件で製
膜を実施し、図７に示す非晶質シリコン太陽電池を製作
した結果、初期膜、後期膜、バルク膜いずれも膜厚分布
±１０％以内にて膜形成を行うことができ、基板全面に
高品質の太陽電池を製造することができた。
【００４１】前述において、初期膜、後期膜製膜時の周
波数を１３〜６０ＭＨｚにしたのは、該膜は膜欠陥密度
が８×１０14個／ｃｃ以下という高品質膜が必要であ
り、放電周波数１３ＭＨｚ未満では、プラズマの高周波
数化に伴う電子温度低下効果が小さいため、低欠陥密度
膜が得られず、界面特性の改善効果が小さいためであ
る。また、放電周波数が６０ＭＨｚを超えると、膜ダメ
ージが少ない低放電電力条件では放電が局所的になり、
高品質性膜可能で均一なプラズマが得られないため太陽
電池特性がばらつくためである。
波数を１３〜６０ＭＨｚにしたのは、該膜は膜欠陥密度
が８×１０14個／ｃｃ以下という高品質膜が必要であ
り、放電周波数１３ＭＨｚ未満では、プラズマの高周波
数化に伴う電子温度低下効果が小さいため、低欠陥密度
膜が得られず、界面特性の改善効果が小さいためであ
る。また、放電周波数が６０ＭＨｚを超えると、膜ダメ
ージが少ない低放電電力条件では放電が局所的になり、
高品質性膜可能で均一なプラズマが得られないため太陽
電池特性がばらつくためである。
【００４２】また、バルク膜の周波数を４０〜１００Ｍ
Ｈｚにしたのは、放電周波数が４０ＭＨｚ未満ではプラ
ズマ密度が低いため、製膜速度が０．５ｎｍ／ｓ以上の
範囲で均一な製膜が困難であり生産性が劣るためであ
る。一方、放電周波数が１００ＭＨｚを超えると、波長
が短くなるため、定在波が発生して均一なプラズマが得
られず、不均一な膜となるためである。
Ｈｚにしたのは、放電周波数が４０ＭＨｚ未満ではプラ
ズマ密度が低いため、製膜速度が０．５ｎｍ／ｓ以上の
範囲で均一な製膜が困難であり生産性が劣るためであ
る。一方、放電周波数が１００ＭＨｚを超えると、波長
が短くなるため、定在波が発生して均一なプラズマが得
られず、不均一な膜となるためである。
【００４３】なお、上記特性は太陽電池製膜のためのプ
ラズマＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２
層以上の膜製膜が必要な場合、同様な手法によりその界
面特性向上を図ることができる。
ラズマＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２
層以上の膜製膜が必要な場合、同様な手法によりその界
面特性向上を図ることができる。
【００４４】（実施例３）図３を参照する。なお、図１
と同部材は同符号を付し、要部のみを説明する。本実施
例３は、実施例１と比べ、電源切り替え器３７に電源切
り替え時間を制御するためのコントローラ６１を電気的
に接続させた点を特徴とする。
と同部材は同符号を付し、要部のみを説明する。本実施
例３は、実施例１と比べ、電源切り替え器３７に電源切
り替え時間を制御するためのコントローラ６１を電気的
に接続させた点を特徴とする。
【００４５】実施例３によれば、周波数の異なる２台の
放電用電源３５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器３６
ａ，３６、切り替え器３７及びコントローラ６１を配置
した構成となっているため、低い製膜速度膜と高い製膜
速度膜の製膜に応じて低い製膜速度膜側に低周波数の電
源を使用すると共に、プラズマが連続的に生成される様
に放電用電源３５ａ，３５ｂの切り替え時間を制御で
き、電源切り替えをプラズマが消滅することなく連続的
に行えるので、ｐ／ｉ界面層とｉ層間の界面の膜欠陥を
抑制し、膜分布の改善に加えてさらに界面特性の向上を
図ることができる。
放電用電源３５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器３６
ａ，３６、切り替え器３７及びコントローラ６１を配置
した構成となっているため、低い製膜速度膜と高い製膜
速度膜の製膜に応じて低い製膜速度膜側に低周波数の電
源を使用すると共に、プラズマが連続的に生成される様
に放電用電源３５ａ，３５ｂの切り替え時間を制御で
き、電源切り替えをプラズマが消滅することなく連続的
に行えるので、ｐ／ｉ界面層とｉ層間の界面の膜欠陥を
抑制し、膜分布の改善に加えてさらに界面特性の向上を
図ることができる。
【００４６】事実、初期膜、後期膜１３〜６０ＭＨｚ、
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍの条件で製
膜を実施し、図７に示す非晶質シリコン太陽電池を製作
した結果、初期膜、後期膜、バルク膜いずれも膜厚分布
±１０％以内にて膜形成を行うことができ、基板全面に
高品質の太陽電池を製造することができた。
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍの条件で製
膜を実施し、図７に示す非晶質シリコン太陽電池を製作
した結果、初期膜、後期膜、バルク膜いずれも膜厚分布
±１０％以内にて膜形成を行うことができ、基板全面に
高品質の太陽電池を製造することができた。
【００４７】初期膜、後期膜とバルク膜の切り替え時間
を５０〜１００ｍｓとしたのは、プラズマが消滅する前
に電源切り替えを行うためであり、ガス圧力条件により
拡散消滅時間が変化するが、圧力０．０５〜０．３Ｔｏ
ｒｒの範囲内では、１００ｍｓ以内であることが望まし
いためである。
を５０〜１００ｍｓとしたのは、プラズマが消滅する前
に電源切り替えを行うためであり、ガス圧力条件により
拡散消滅時間が変化するが、圧力０．０５〜０．３Ｔｏ
ｒｒの範囲内では、１００ｍｓ以内であることが望まし
いためである。
【００４８】上記特性は太陽電池製膜のためのプラズマ
ＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２層以上
の膜製膜が必要な場合、同様の手法により、その界面特
性向上を図ることが可能である。
ＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２層以上
の膜製膜が必要な場合、同様の手法により、その界面特
性向上を図ることが可能である。
【００４９】（実施例４）図４を参照する。なお、図１
と同部材は同符号を付し、要部のみを説明する。本実施
例４は、実施例１と比べ、製膜表面ヒータ４０に電気的
に接続された直流電源７１を配置するとともに、真空容
器３１の外側にプラズマ生成部に磁界を印加するための
空間的変動磁界発生用コイル７２、及び該コイル７２に
電気的に接続された磁界発生用電源７３を配置したこと
を特徴とする。
と同部材は同符号を付し、要部のみを説明する。本実施
例４は、実施例１と比べ、製膜表面ヒータ４０に電気的
に接続された直流電源７１を配置するとともに、真空容
器３１の外側にプラズマ生成部に磁界を印加するための
空間的変動磁界発生用コイル７２、及び該コイル７２に
電気的に接続された磁界発生用電源７３を配置したこと
を特徴とする。
【００５０】こうした構成の薄膜製造装置の操作は、次
の通りである。まず、製膜表面ヒータ４０に直流電源７
１を接続し、例えば負電圧を印加することにより、プラ
ズマ中の電子を製膜表面ヒータ４０から遠ざけることが
できる。遠ざけられた電子（プラズマ）は、密度の低い
部分へ拡散するので、空間的により均一なプラズマ密度
分布を得ることができる。その結果、放電周波数切り替
えの効果に加えて、膜厚分布が更に向上する。
の通りである。まず、製膜表面ヒータ４０に直流電源７
１を接続し、例えば負電圧を印加することにより、プラ
ズマ中の電子を製膜表面ヒータ４０から遠ざけることが
できる。遠ざけられた電子（プラズマ）は、密度の低い
部分へ拡散するので、空間的により均一なプラズマ密度
分布を得ることができる。その結果、放電周波数切り替
えの効果に加えて、膜厚分布が更に向上する。
【００５１】次に、空間的変動磁界発生用コイル７２を
用いて磁界をプラズマに印加することにより、プラズマ
中の電子は磁力線に捕捉される性質を有するので、プラ
ズマの空間的な分布を変化させることができる。この空
間的な変動を制御することにより、空間的により均一な
プラズマ密度分布を得ることができる。その結果、放電
用周波数切り替えの効果に加えて、膜厚分布が更に向上
する。
用いて磁界をプラズマに印加することにより、プラズマ
中の電子は磁力線に捕捉される性質を有するので、プラ
ズマの空間的な分布を変化させることができる。この空
間的な変動を制御することにより、空間的により均一な
プラズマ密度分布を得ることができる。その結果、放電
用周波数切り替えの効果に加えて、膜厚分布が更に向上
する。
【００５２】このように、実施例４では、非晶質シリコ
ン薄膜を製造するために適用されるプラズマＣＶＤ薄膜
製造装置において、周波数の異なる２台の放電用電源３
５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器３６ａ，３６ｂ、
切り替え器３７を配置し、低い製膜速度膜と高い製膜速
度膜の製膜に応じて低い製膜速度膜側に低周波数の電源
を使用する様、放電用電源を切り替えることと同時に、
製膜表面ヒータ４０に接続された直流電源７１により静
電界でプラズマ制御を行い、更に空間的変動磁界発生用
コイル７２により磁界でプラズマ制御を行うことによ
り、実施例１での膜分布の改善に加えて、さらにプラズ
マ密度分布を均一にすることができるため、膜分布を一
層向上することができる。
ン薄膜を製造するために適用されるプラズマＣＶＤ薄膜
製造装置において、周波数の異なる２台の放電用電源３
５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器３６ａ，３６ｂ、
切り替え器３７を配置し、低い製膜速度膜と高い製膜速
度膜の製膜に応じて低い製膜速度膜側に低周波数の電源
を使用する様、放電用電源を切り替えることと同時に、
製膜表面ヒータ４０に接続された直流電源７１により静
電界でプラズマ制御を行い、更に空間的変動磁界発生用
コイル７２により磁界でプラズマ制御を行うことによ
り、実施例１での膜分布の改善に加えて、さらにプラズ
マ密度分布を均一にすることができるため、膜分布を一
層向上することができる。
【００５３】事実、初期膜、後期膜１３〜６０ＭＨｚ、
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍ、圧力０．
１Ｔｏｒｒの条件で製膜を実施し、同時に、初期膜、後
期膜製膜時に、製膜表面ヒータ４０への直流印加電圧−
６０Ｖ〜−１０Ｖ、空間的変動磁界として回転磁界０．
００１５〜０．０１Ｔを印加し、図７に示す非晶質シリ
コン太陽電池を製作した結果、初期膜、後期膜、バルク
膜いずれも膜厚分布±５％以内にて膜形成を行うことが
でき、基板全面に高品質の太陽電池を製造することがで
きた。
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍ、圧力０．
１Ｔｏｒｒの条件で製膜を実施し、同時に、初期膜、後
期膜製膜時に、製膜表面ヒータ４０への直流印加電圧−
６０Ｖ〜−１０Ｖ、空間的変動磁界として回転磁界０．
００１５〜０．０１Ｔを印加し、図７に示す非晶質シリ
コン太陽電池を製作した結果、初期膜、後期膜、バルク
膜いずれも膜厚分布±５％以内にて膜形成を行うことが
でき、基板全面に高品質の太陽電池を製造することがで
きた。
【００５４】上記において、製膜表面ヒータ４０への直
流印加電圧を−６０Ｖ〜−１０Ｖとしたのは、電圧が−
１０Ｖを超えた場合、電子の高エネルギー成分を電界に
より押し返し、プラズマを製膜表面ヒータ面よりも電極
側に制限することができず、基板とプラズマとの距離が
不均一になるためであり、電圧が−６０Ｖ未満の場合、
製膜表面ヒータを起点として直流電圧による２次放電が
発生するためである。
流印加電圧を−６０Ｖ〜−１０Ｖとしたのは、電圧が−
１０Ｖを超えた場合、電子の高エネルギー成分を電界に
より押し返し、プラズマを製膜表面ヒータ面よりも電極
側に制限することができず、基板とプラズマとの距離が
不均一になるためであり、電圧が−６０Ｖ未満の場合、
製膜表面ヒータを起点として直流電圧による２次放電が
発生するためである。
【００５５】また、空間的変動磁界として回転磁界０．
００１５〜０．０１Ｔとしたのは、磁界０．００１５未
満の場合、電子を捕捉する磁力が弱く攪拌力が不足する
ため、空間的に均一なプラズマを得るには不十分である
ためであり、磁界０．０１Ｔを超えると、電子を捕捉す
る磁力が強くなりすぎて、捕捉された電子と中性粒子と
の衝突頻度が増加し、プラズマ密度自身に磁束密度分布
を反映した分布が生じ、逆にプラズマ密度分布が悪化す
るためである。
００１５〜０．０１Ｔとしたのは、磁界０．００１５未
満の場合、電子を捕捉する磁力が弱く攪拌力が不足する
ため、空間的に均一なプラズマを得るには不十分である
ためであり、磁界０．０１Ｔを超えると、電子を捕捉す
る磁力が強くなりすぎて、捕捉された電子と中性粒子と
の衝突頻度が増加し、プラズマ密度自身に磁束密度分布
を反映した分布が生じ、逆にプラズマ密度分布が悪化す
るためである。
【００５６】上記特性は太陽電池製膜のためのプラズマ
ＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２層以上
の膜製膜が必要な場合、同様の手法により、その界面特
性向上を図ることが可能である。
ＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２層以上
の膜製膜が必要な場合、同様の手法により、その界面特
性向上を図ることが可能である。
【００５７】（実施例５）図５（Ａ），（Ｂ）を参照す
る。ここで、図５（Ａ）は実施例５に係るプラズマＣＶ
Ｄ薄膜製造装置の全体図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一
構成である放電用電極の説明図を示す。なお、図１と同
部材は同符号を付し、要部のみを説明する。本実施例５
は、実施例１と比べ、放電用電極３４の各給電点８４ａ
〜８４ｅに切り替え器８１ａ，８１ｂが接続されるとと
もに、各切り替え器８１ａ，８１ｂには放電用電源３５
ａ，３５ｂがインピーダンス整合器３６ａ，３６ｂを介
して接続され、更に前記切り替え器８１ａ，８１ｂに給
電ＯＮ／ＯＦＦ切り替えタイミングを制御するためのコ
ントローラ８２が接続されていることを特徴とする。
る。ここで、図５（Ａ）は実施例５に係るプラズマＣＶ
Ｄ薄膜製造装置の全体図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一
構成である放電用電極の説明図を示す。なお、図１と同
部材は同符号を付し、要部のみを説明する。本実施例５
は、実施例１と比べ、放電用電極３４の各給電点８４ａ
〜８４ｅに切り替え器８１ａ，８１ｂが接続されるとと
もに、各切り替え器８１ａ，８１ｂには放電用電源３５
ａ，３５ｂがインピーダンス整合器３６ａ，３６ｂを介
して接続され、更に前記切り替え器８１ａ，８１ｂに給
電ＯＮ／ＯＦＦ切り替えタイミングを制御するためのコ
ントローラ８２が接続されていることを特徴とする。
【００５８】具体的には、図５（Ｂ）に示すように、放
電用電極３４の各コーナ部に位置する給電点８４ａ，８
４ｂ，８４ｃ，８４ｄには放電用電源３５ａが接続さ
れ、放電用電極３４の中央部に位置する給電点８４ｅに
は放電用電源３５ｂが接続されている。
電用電極３４の各コーナ部に位置する給電点８４ａ，８
４ｂ，８４ｃ，８４ｄには放電用電源３５ａが接続さ
れ、放電用電極３４の中央部に位置する給電点８４ｅに
は放電用電源３５ｂが接続されている。
【００５９】このように、実施例５では、非晶質シリコ
ン薄膜を製造するために適用されるプラズマＣＶＤ薄膜
製造装置において、周波数の異なる２台の放電用電源３
５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器３６ａ，３６ｂ、
及び放電用電極３４への切り替え器８１ａ，８１ｂを配
置し、低い製膜速度膜と高い製膜速度膜の製膜に応じて
低い製膜速度膜側に低周波数の電源を使用する様、放電
用電源３５ａ，３５ｂ、複数の給電点８４ａ〜８４ｅを
切り替えることにより、実施例１に見られた周波数切り
替えによる膜厚分布の改善に加えて、給電点を切り替え
ることにより、更に膜厚分布改善が図られる。これは以
下のことで説明される。
ン薄膜を製造するために適用されるプラズマＣＶＤ薄膜
製造装置において、周波数の異なる２台の放電用電源３
５ａ，３５ｂ、インピーダンス整合器３６ａ，３６ｂ、
及び放電用電極３４への切り替え器８１ａ，８１ｂを配
置し、低い製膜速度膜と高い製膜速度膜の製膜に応じて
低い製膜速度膜側に低周波数の電源を使用する様、放電
用電源３５ａ，３５ｂ、複数の給電点８４ａ〜８４ｅを
切り替えることにより、実施例１に見られた周波数切り
替えによる膜厚分布の改善に加えて、給電点を切り替え
ることにより、更に膜厚分布改善が図られる。これは以
下のことで説明される。
【００６０】電源から電力を供給する場合、ある周波数
に対して、給電ケーブル、放電用電極上に定在波と呼ば
れる電位の波状空間分布が発生する。この電位分布の節
と節の距離は周波数の逆数に比例して波長を反映してお
り、給電点数が複数の場合、電位分布は各給電点にて生
じる定在波分布の重ね合わせとなる。
に対して、給電ケーブル、放電用電極上に定在波と呼ば
れる電位の波状空間分布が発生する。この電位分布の節
と節の距離は周波数の逆数に比例して波長を反映してお
り、給電点数が複数の場合、電位分布は各給電点にて生
じる定在波分布の重ね合わせとなる。
【００６１】従って、同一給電点への電力供給に対して
その電源周波数を変化させた場合、電位分布の腹節の位
置が移動するので、周波数変化前の周波数に対して均一
な電位分布が得られていたのに対して、周波数変化後に
電位分布が悪化することが発生する。
その電源周波数を変化させた場合、電位分布の腹節の位
置が移動するので、周波数変化前の周波数に対して均一
な電位分布が得られていたのに対して、周波数変化後に
電位分布が悪化することが発生する。
【００６２】これに対して、放電用電源切り替えによる
放電周波数切り替えと同時に複数の給電点を切り替える
ことにより、設定した周波数に対して、均一な電位分布
が得られる様、給電点を選ぶことができるため、実施例
１に見られた周波数切り替えによる膜厚分布の改善効果
に加えて、更に膜厚分布改善が図られる。
放電周波数切り替えと同時に複数の給電点を切り替える
ことにより、設定した周波数に対して、均一な電位分布
が得られる様、給電点を選ぶことができるため、実施例
１に見られた周波数切り替えによる膜厚分布の改善効果
に加えて、更に膜厚分布改善が図られる。
【００６３】事実、初期膜、後期膜１３〜６０ＭＨｚ、
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍの条件で製
膜を実施し、図７に示す非晶質シリコン太陽電池を製作
した結果、電極４角の給電点を同一として電源のみを切
り替えた場合に、初期膜、後期膜膜厚分布±１０％以
内、バルク膜の膜厚分布±２０％以内であったのに対し
て、バルク膜製膜時に電極給電点を８点に増加させた結
果、バルク膜の膜厚分布±１０％以内で膜形成を行うこ
とができ、基板全面に高品質の太陽電池を製造すること
ができた。
バルク膜４０〜１００ＭＨｚ、電極寸法４００ｍｍ×４
００ｍｍ、基板寸法３００ｍｍ×３００ｍｍの条件で製
膜を実施し、図７に示す非晶質シリコン太陽電池を製作
した結果、電極４角の給電点を同一として電源のみを切
り替えた場合に、初期膜、後期膜膜厚分布±１０％以
内、バルク膜の膜厚分布±２０％以内であったのに対し
て、バルク膜製膜時に電極給電点を８点に増加させた結
果、バルク膜の膜厚分布±１０％以内で膜形成を行うこ
とができ、基板全面に高品質の太陽電池を製造すること
ができた。
【００６４】上記特性は太陽電池製膜のためのプラズマ
ＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２層以上
の膜製膜が必要な場合、同様の手法により、その界面特
性向上を図ることが可能である。
ＣＶＤ薄膜多層膜製造装置についてであるが、２層以上
の膜製膜が必要な場合、同様の手法により、その界面特
性向上を図ることが可能である。
【００６５】なお、上記実施例５では、放電用電極に給
電点が５つ設けられ、２つの周波数の異なる放電用電源
が各給電点に任意に接続されている場合について述べた
が、給電点の数や位置、放電用電源の数はこれに限ら
ず、例えば５つの給電点に対し５つの放電用電源を夫々
個別に接続させる等任意の組み合わせが可能である。
電点が５つ設けられ、２つの周波数の異なる放電用電源
が各給電点に任意に接続されている場合について述べた
が、給電点の数や位置、放電用電源の数はこれに限ら
ず、例えば５つの給電点に対し５つの放電用電源を夫々
個別に接続させる等任意の組み合わせが可能である。
【００６６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、周
波数の異なる２台以上の電源を配置したり、周波数が可
変の放電用電源を配置することにより、製膜速度に寄ら
ず共に均一な膜分布を得られるプラズマＣＶＤ薄膜製造
装置を提供を提供できる。
波数の異なる２台以上の電源を配置したり、周波数が可
変の放電用電源を配置することにより、製膜速度に寄ら
ず共に均一な膜分布を得られるプラズマＣＶＤ薄膜製造
装置を提供を提供できる。
【００６７】また、本発明によれば、周波数の異なる２
台以上の放電用電源を製膜に応じて切り替えることによ
り、あるいは周波数が可変の放電用電源の放電周波数を
製膜に応じて放電周波数を切り替えることにより、製膜
速度に寄らず共に均一な膜分布を得られる製膜方法を提
供できる。
台以上の放電用電源を製膜に応じて切り替えることによ
り、あるいは周波数が可変の放電用電源の放電周波数を
製膜に応じて放電周波数を切り替えることにより、製膜
速度に寄らず共に均一な膜分布を得られる製膜方法を提
供できる。
【図１】本発明の実施例１に係るプラズマＣＶＤ薄膜製
造装置の説明図。
造装置の説明図。
【図２】本発明の実施例２に係るプラズマＣＶＤ薄膜製
造装置の説明図。
造装置の説明図。
【図３】本発明の実施例３に係るプラズマＣＶＤ薄膜製
造装置の説明図。
造装置の説明図。
【図４】本発明の実施例４に係るプラズマＣＶＤ薄膜製
造装置の説明図。
造装置の説明図。
【図５】本発明の実施例５に係るプラズマＣＶＤ薄膜製
造装置の説明図。
造装置の説明図。
【図６】従来のプラズマＣＶＤ薄膜製造装置の説明図。
【図７】非晶質シリコン太陽電池の断面図。
３１…真空容器、 ３２…基板加熱ヒータ、 ３４…放電用電極、 ３５ａ，３５ｂ…放電用電源、 ３６ａ，３６ｂ…インピーダンス整合器、 ３７，８１ａ，８１ｂ…電源切り替え器、 ３８…基板、 ３９…製膜表面ヒータ用電源、 ４０…製膜表面ヒータ、 ４１…ガス導入管、 ４２…排気管、 ４３…真空ポンプ、 ５１…周波数可変の放電用電源、 ５２…可変周波数対応の整合器、 ６１，８２…コントローラ、 ７１…直流電源、 ７２…空間的変動磁界発生用コイル、 ７３…磁界発生用電源、 ８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ，８４…給電点。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 良昭 長崎県長崎市深堀町五丁目717番１号 三菱重工業株式会社長崎研究所内 (56)参考文献 特開 平11−74550（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−129377（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−77144（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 31/04 H05H 1/46
Claims (8)
- 【請求項１】 真空容器と、この真空容器内にガスを導
入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段
と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加
熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するよ
うに配置された放電用電極と、この放電用電極に接続さ
れた電源切り替え器と、この電源切り替え器に接続され
た周波数の異なる２台以上の放電用電源と、前記基板加
熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表面ヒータ
とを具備し、基板に形成する製膜の速度に応じて前記放
電用電源の種類を切り替えることを特徴とするプラズマ
ＣＶＤ薄膜製造装置。 - 【請求項２】 真空容器と、この真空容器内にガスを導
入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段
と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加
熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するよ
うに配置された放電用電極と、この放電用電極に接続さ
れた可変周波数対応の整合器と、この整合器に接続され
た周波数が可変の放電用電源と、前記基板加熱用ヒータ
と放電用電極間に配置された製膜表面ヒータとを具備
し、基板に形成する製膜の速度に応じて前記放電用電源
の周波数を切り替えることを特徴とするプラズマＣＶＤ
薄膜製造装置。 - 【請求項３】 真空容器と、この真空容器内にガスを導
入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段
と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加
熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するよ
うに配置された放電用電極と、この放電用電極に接続さ
れた電源切り替え器と、この電源切り替え器に接続され
た周波数の異なる２台以上の放電用電源と、前記基板加
熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表面ヒータ
と、前記製膜表面ヒータに電気的に接続した直流電源
と、真空容器の外周部に配置された、プラズマ生成部に
磁界を印加するための空間的磁界発生用コイルと、この
空間的磁界発生用コイルに電気的に接続された磁界発生
用電源とを具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ薄
膜製造装置。 - 【請求項４】 真空容器と、この真空容器内にガスを導
入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段
と、前記真空容器内に配置され、基板を支持 する基板加
熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するよ
うに配置された放電用電極と、この放電用電極に接続さ
れた電源切り替え器と、この電源切り替え器に接続され
た周波数の異なる２台以上の放電用電源と、前記基板加
熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表面ヒータ
とを具備し、放電用電極には複数の給電点が設けられ、
前記電源切り替え器は前記給電点の数に応じて複数個配
置され、前記電源切り替え器には夫々周波数の異なる放
電用電源が夫々接続され、更に前記各電源切り替え器に
は給電ＯＮ／ＯＦＦ切り替えタイミングを制御するコン
トローラが接続されていることを具備することを特徴と
するプラズマＣＶＤ薄膜製造装置。 - 【請求項５】 真空容器と、この真空容器内にガスを導
入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段
と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加
熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するよ
うに配置された放電用電極と、この放電用電極に接続さ
れた電源切り替え器と、この電源切り替え器に接続され
た周波数の異なる２台以上の放電用電源と、前記基板加
熱用ヒータと放電用電極間に配置された製膜表面ヒータ
とを具備するプラズマＣＶＤ薄膜製造装置を用いて製膜
する方法であり、基板に形成する製膜の速度に応じて前
記放電用電源の種類を切り替えることを特徴とする製膜
方法。 - 【請求項６】 真空容器と、この真空容器内にガスを導
入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段
と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加
熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するよ
うに配置された放電用電極と、この放電用電極に接続さ
れた可変周波数対応の整合器と、この整合器に接続され
た周波数が可変の放電用電源と、前記基板加熱用ヒータ
と放電用電極間に配置された製膜表面ヒータとを具備す
るプラズマＣＶＤ薄膜製造装置を用いて製膜する方法で
あり、基板に形成する製膜の速度に応じて前記放電用電
源の周波数を変えることを特徴とする製膜方法。 - 【請求項７】 請求項３記載のプラズマＣＶＤ薄膜製造
装置を用いて製膜する方法であり、基板に形成する製膜
の速度に応じて前記放電用電源の周波数を変えることを
特徴とする製膜方法。 - 【請求項８】 請求項４記載のプラズマＣＶＤ薄膜製造
装置を用いて製膜する方法であり、基板に形成する製膜
の速度に応じて前記放電用電源の周波数を変えることを
特徴とする製膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181619A JP3068612B1 (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | プラズマｃｖｄ薄膜製造装置及び製膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181619A JP3068612B1 (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | プラズマｃｖｄ薄膜製造装置及び製膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3068612B1 true JP3068612B1 (ja) | 2000-07-24 |
| JP2001011639A JP2001011639A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=16103971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11181619A Expired - Fee Related JP3068612B1 (ja) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | プラズマｃｖｄ薄膜製造装置及び製膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068612B1 (ja) |
-
1999
- 1999-06-28 JP JP11181619A patent/JP3068612B1/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001011639A (ja) | 2001-01-16 |
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