JP3064861B2 - Radio wave absorber - Google Patents

Radio wave absorber

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JP3064861B2
JP3064861B2 JP7094230A JP9423095A JP3064861B2 JP 3064861 B2 JP3064861 B2 JP 3064861B2 JP 7094230 A JP7094230 A JP 7094230A JP 9423095 A JP9423095 A JP 9423095A JP 3064861 B2 JP3064861 B2 JP 3064861B2
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radio wave
absorber
ghz
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relative permittivity
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不二郎 島野
精順 阿部
康雄 橋本
謙一 市原
隆 田中
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電波吸収体、特に電波
暗室用の電波吸収体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radio wave absorber, and more particularly to a radio wave absorber for an anechoic chamber.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年無線LAN等のデータ通信分野をは
じめとして各種通信分野においてミリ波帯の利用が活発
化してきており、それに伴い、従来から利用されている
マイクロ波帯に加えてミリ波帯においても使用可能な電
波暗室が求められている。
2. Description of the Related Art In recent years, the use of the millimeter wave band has been activated in various communication fields including the data communication field such as wireless LAN, and accordingly, the millimeter wave band has been used in addition to the microwave band conventionally used. There is a demand for an anechoic chamber that can also be used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】各種通信分野において
評価設備として使用される電波暗室は、高精度の計測を
行うことを目的としているため、高性能な無反射特性が
要求されている。従って、この電波暗室に使用される電
波吸収体についても高性能な吸収特性が要求される。こ
の要求される吸収特性とは、電波暗室の使用目的によっ
ても異なるが、一般には、マイクロ波帯では反射減衰量
40dB以上、ミリ波帯では反射減衰量50dB以上で
ある。
An anechoic chamber used as an evaluation facility in various communication fields is intended to perform high-precision measurement, and is required to have high-performance anti-reflection characteristics. Therefore, a radio wave absorber used in the anechoic chamber is also required to have high-performance absorption characteristics. The required absorption characteristics vary depending on the intended use of the anechoic chamber, but are generally 40 dB or more in the microwave band and 50 dB or more in the millimeter wave band.

【0004】現状の電波暗室用の電波吸収体は、マイク
ロ波帯以下の周波数を対象としており、ミリ波帯まで含
めた設計は行われていない。従って従来の電波吸収体を
使った場合、材質及び形状に起因する表面反射によって
ミリ波帯では吸収特性の低下が生じてしまい、マイクロ
波帯で50dB以上の電波吸収特性を有するものが、ミ
リ波帯では43dB程度に低下してしまうことが報告さ
れている。その結果、ミリ波帯で高性能な電波暗室を得
ることは非常に困難であった。
[0004] Current radio wave absorbers for anechoic chambers are intended for frequencies below the microwave band, and have not been designed to include the millimeter wave band. Therefore, when a conventional radio wave absorber is used, the absorption characteristics are degraded in the millimeter wave band due to surface reflection caused by the material and the shape. It has been reported that the band is reduced to about 43 dB. As a result, it was very difficult to obtain a high-performance anechoic chamber in the millimeter wave band.

【0005】本発明は、マイクロ波帯で40dB以上、
ミリ波帯で50dB以上の反射減衰量を有する広帯域高
性能な電波吸収体を提供することを目的とする。
[0005] The present invention relates to a microwave band of 40 dB or more,
It is an object of the present invention to provide a high-performance radio wave absorber having a return loss of 50 dB or more in a millimeter wave band.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれ
ば、誘電損失材料からなる四角錐形状の突出部を複数配
列して構成された第1の電波導入部と、この第1の電波
導入部の各突出部間に設けられており、電波到来方向の
形状がくさび形状又は四角錐形状であり誘電損失材料か
らなる第2の電波導入部とを備えており、
According to the present invention, there is provided a first radio wave introducing section constituted by arranging a plurality of quadrangular pyramid-shaped protrusions made of a dielectric loss material, and the first radio wave introducing section. A second radio wave introduction part made of a dielectric loss material having a wedge shape or a quadrangular pyramid shape in a radio wave arrival direction, provided between the respective projecting portions of the portion,

【数3】 (Equation 3) To

【数4】 としたとき、2GHzにおいて εr2′≦1.8 εr2″≦0.4 であり、100GHzにおいて εr2′≦1.3 0.03≦εr2″≦0.2 である電波吸収体が提供される。(Equation 4) Provided is a radio wave absorber in which ε r2 ′ ≦ 1.8 ε r2 ″ ≦ 0.4 at 2 GHz and ε r2 ≦ 1.3 0.03 ≦ ε r2 ″ ≦ 0.2 at 100 GHz. Is done.

【0007】マイクロ波帯において高性能な吸収特性を
有する四角錐形状の複数の突出部からなる第1の電波導
入部(以下基盤吸収体と称する)の谷間部分にくさび形
状又はピラミッド形状の低誘電率、低損失材料からなる
第2の電波導入部(以下吸収体素子と称する)を挿入し
て吸収体を構成することにより、マイクロ波からミリ波
まで広い周波数範囲で高性能な吸収特性が得られる。
A wedge-shaped or pyramid-shaped low dielectric material is provided at a valley portion of a first radio wave introducing portion (hereinafter referred to as a base absorber) comprising a plurality of quadrangular pyramid-shaped protrusions having high-performance absorption characteristics in a microwave band. By inserting a second radio wave introduction part (hereinafter referred to as an absorber element) made of a low-loss material with low efficiency, a high-performance absorption characteristic can be obtained in a wide frequency range from microwaves to millimeter waves. Can be

【0008】ミリ波帯においては、波長がマイクロ波帯
と比較して短くなるためより電波の直進性が高まり、基
盤吸収体のみの場合は、谷間部分で電波が多重反射を繰
り返してその一部が吸収体前面に反射するが、吸収体素
子を基盤吸収体の谷間部分に挿入することにより、基盤
吸収体の谷間部分の多重反射成分が吸収体素子で吸収さ
れ、その結果、吸収体前面への反射が抑制される。ただ
し、このように吸収体素子を基盤吸収体の谷間部分に挿
入する技術は、実開平2−67699号公報等により公
知である。
In the millimeter wave band, the wavelength is shorter than that in the microwave band, so that the directivity of the radio wave is further improved. In the case of only the base absorber, the radio wave is repeatedly reflected multiple times in the valley portion and a part of the wave is reflected. Is reflected on the front surface of the absorber, but by inserting the absorber element into the valley portion of the base absorber, the multiple reflection components in the valley portion of the base absorber are absorbed by the absorber element. Is suppressed. However, such a technique of inserting the absorber element into the valley portion of the base absorber is known from Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 2-67699.

【0009】本発明では、吸収体素子を構成する誘電損
失材料の2GHzにおける複素比誘電率の実数部εr2
を1.8以下としており、虚数部εr2″を0.4以下と
しているため、吸収体素子のマイクロ波帯での影響を少
ないものとしている。このように基盤吸収体の谷間部分
に挿入された吸収体素子の誘電率が小さいため、マイク
ロ波帯においては、電波的にはほとんど影響を与えな
い。従ってマイクロ波帯での吸収特性は、基盤吸収体の
特性がそのまま反映されるので高性能な特性が実現され
る。
In the present invention, the real part ε r2 ′ of the complex relative permittivity at 2 GHz of the dielectric loss material constituting the absorber element is provided.
Is 1.8 or less, and the imaginary part ε r2 ″ is 0.4 or less, so that the influence of the absorber element in the microwave band is reduced. Since the dielectric constant of the absorber element is small, it has almost no effect on radio waves in the microwave band, so that the absorption characteristics in the microwave band reflect the characteristics of the base absorber as they are, so that high performance is achieved. Characteristics are realized.

【0010】また、吸収体素子を構成する誘電損失材料
の100GHzにおける複素比誘電率の実数部εr2′を
1.3以下としており、虚数部εr2″を0.03以上で
かつ0.2以下としているため、ミリ波帯での電波が十
分に減衰されかつ反射が抑えられ、ミリ波帯で50dB
以上の反射減衰量という高性能な特性が実現される。
Further, the real part ε r2 ′ of the complex relative permittivity at 100 GHz of the dielectric loss material constituting the absorber element is set to 1.3 or less, and the imaginary part ε r2 ″ is set to 0.03 or more and 0.2 Because of the following, the radio wave in the millimeter wave band is sufficiently attenuated and the reflection is suppressed, and the radio wave in the millimeter wave band is 50 dB.
The above-described high-performance characteristic of return loss is realized.

【0011】また、基盤吸収体が四角錐形状であるた
め、電波の偏波による吸収特性の方向性がない。
Further, since the base absorber has a quadrangular pyramid shape, there is no directionality in the absorption characteristics due to the polarization of radio waves.

【0012】さらに、四角錐形状の長さ方向に垂直な断
面積の長さ方向に対する変化率を一般の四角錐の変化率
である2乗よりも高次の変化率、例えば2.5乗又は3
乗とすることが好ましい。これによって、ミリ波帯での
吸収特性を向上させることができる。
Furthermore, the rate of change in the longitudinal direction of the cross-sectional area perpendicular to the longitudinal direction of the quadrangular pyramid is a higher rate of change than the square of the general rate of change of the pyramid, for example, 2.5 or 3
It is preferably a power. Thereby, the absorption characteristics in the millimeter wave band can be improved.

【0013】[0013]

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明の電波吸収体の一実施例の構成を概略
的に示す斜視図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of one embodiment of the radio wave absorber of the present invention.

【0014】同図において、10は平板形状の基台であ
り、この基台10上に四角錐形状の複数の突出部からな
る基盤吸収体(本発明の第1の電波導入部に相当する)
11が基台10と一体となるように固着(本実施例では
接着)されている。基盤吸収体11の各突出部間には電
波到来方向の形状が四角錐形状(ピラミッド形状)であ
る吸収体素子(本発明の第2の電波導入部に相当する)
12がそれぞれ一体的に設けられている。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a flat base. On the base 10, a base absorber composed of a plurality of quadrangular pyramid-shaped protrusions (corresponding to a first radio wave introduction unit of the present invention).
11 is fixed (adhered in this embodiment) so as to be integrated with the base 10. An absorber element having a quadrangular pyramid shape (pyramid shape) between the respective projecting portions of the base absorber 11 in a radio wave arrival direction (corresponding to a second radio wave introduction unit of the present invention)
12 are provided integrally.

【0015】基台10、基盤吸収体11、及び吸収体素
子12は、本実施例においては共に同種の誘電損失材料
で形成されている。しかしながら、これらを互いに異な
る誘電率の誘電損失材料で形成してもよい。
The base 10, the base absorber 11, and the absorber element 12 are all formed of the same type of dielectric loss material in this embodiment. However, they may be formed of dielectric loss materials having different dielectric constants.

【0016】本実施例では、誘電損失材料として、カー
ボン粉末を混入した発泡ポリエチレンが用いられてい
る。誘電損失材料としてはその他に、カーボン粉末を混
入した発泡ポリウレタン、カーボン液中に含浸した発泡
ポリウレタン、又は粒子の表面にカーボンをコーティン
グした発泡ポリスチロール等が適用可能である。
In this embodiment, foamed polyethylene mixed with carbon powder is used as the dielectric loss material. In addition, as the dielectric loss material, foamed polyurethane mixed with carbon powder, foamed polyurethane impregnated in a carbon liquid, foamed polystyrene in which particles are coated with carbon, or the like can be applied.

【0017】また、本実施例では、高さが50mmの基
台10を用い、基盤吸収体11の突出部としては高さ2
50mmの四角錐形状吸収体を用いており、吸収体素子
12としては高さ150mmの四角錐形状のものを用い
ている。
Further, in this embodiment, the base 10 having a height of 50 mm is used, and
A 50 mm square pyramid-shaped absorber is used, and the absorber element 12 is a square pyramid having a height of 150 mm.

【0018】本実施例では、基盤吸収体11を構成する
材料の2GHzにおける複素比誘電率は、実数部εr1
が2.16、虚数部εr1″が1.76である。また、吸
収体素子12を構成する材料の2GHzにおける複素比
誘電率は、実数部εr2′が1.35、虚数部εr2″が
0.08であり、100GHzにおける複素比誘電率は
実数部εr2′が1.11、虚数部εr2″が0.05であ
る。
In this embodiment, the complex relative permittivity at 2 GHz of the material constituting the base absorber 11 is a real part ε r1 ′.
Is 2.16 and the imaginary part ε r1 ″ is 1.76. The complex relative permittivity of the material forming the absorber element 12 at 2 GHz is 1.35 for the real part ε r2 ′ and imaginary part ε r2. Is 0.08, and the complex relative permittivity at 100 GHz is 1.11 for the real part ε r2 ′ and 0.05 for the imaginary part ε r2 ″.

【0019】本実施例の電波吸収体の2GHz及び10
0GHzにおける垂直入射での吸収性能として、2GH
zで44dB以上、100GHzで54dB以上の吸収
性能が得られている。
2 GHz and 10 GHz of the radio wave absorber of this embodiment
The absorption performance at normal incidence at 0 GHz is 2 GHz.
Absorption performance of 44 dB or more at z and 54 dB or more at 100 GHz is obtained.

【0020】図2は、基盤吸収体11の突出部の変更態
様を表す斜視図である。基盤吸収体11の突出部は、ピ
ラミッド形状であるが、そのテーパー形状(高さに対す
る断面積変化で表す)を従来の場合と同様に2乗のテー
パー変化率としてもよいが、2乗よりも高次の変化率、
例えば2.5乗又は3乗とすることによってより優れた
吸収特性を得ることができる。図2の例では、テーパー
変化率が3乗となっている。
FIG. 2 is a perspective view showing a modified form of the projecting portion of the base absorbent body 11. The protruding portion of the base absorber 11 has a pyramid shape, and its taper shape (expressed by a change in cross-sectional area with respect to height) may have a squared taper change rate as in the conventional case, but may have a squared taper change rate. Higher rate of change,
For example, by setting it to the 2.5th power or the 3rd power, more excellent absorption characteristics can be obtained. In the example of FIG. 2, the taper change rate is the third power.

【0021】一般に、ピラミッドの1山の単位寸法(以
下セルサイズと称する)の波長に対する割合(セルサイ
ズ/波長)が大きくなるに従って電波吸収体高さ方向に
対する等価比誘電率が変化し反射減衰量が低下する可能
性がある。このため、2乗よりも高次のテーパー変化率
とすることによって、このような高い周波数で生じるピ
ラミッド高さに対する等価比誘電率の変化が改善され
る。図3は、100GHzにおける基盤吸収体の突出部
のテーパー形状の変化率に対する反射減衰量を表す特性
図である。同図から、2.5乗の場合に反射減衰量が約
3dB向上していることがわかる。
In general, as the ratio (cell size / wavelength) of the unit size (hereinafter referred to as cell size) of one peak of the pyramid to the wavelength increases, the equivalent relative permittivity in the height direction of the radio wave absorber changes and the return loss increases. May decrease. For this reason, by setting the taper change rate to a higher order than the square, the change in the equivalent relative permittivity with respect to the pyramid height occurring at such a high frequency is improved. FIG. 3 is a characteristic diagram showing the return loss with respect to the rate of change of the tapered shape of the protrusion of the base absorber at 100 GHz. From the figure, it can be seen that the return loss is improved by about 3 dB in the case of 2.5 power.

【0022】図4は本発明の電波吸収体の他の実施例の
構成を概略的に示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view schematically showing the configuration of another embodiment of the radio wave absorber of the present invention.

【0023】同図において、40は平板形状の基台であ
り、この基台40上に四角錐形状の複数の突出部からな
る基盤吸収体(本発明の第1の電波導入部に相当する)
41が基台40と一体となるように固着(本実施例では
接着)されている。基盤吸収体41の各突出部間には電
波到来方向の形状がくさび形状である吸収体素子(本発
明の第2の電波導入部に相当する)42がそれぞれ一体
的に設けられている。
In FIG. 1, reference numeral 40 denotes a flat base, on which a base absorber composed of a plurality of quadrangular pyramid-shaped protrusions (corresponding to a first radio wave introducing section of the present invention).
41 is fixed (adhered in this embodiment) so as to be integrated with the base 40. Absorber elements (corresponding to a second radio wave introduction section of the present invention) 42 each having a wedge shape in a radio wave arrival direction are provided integrally between the respective projecting portions of the base absorber 41.

【0024】基台40、基盤吸収体41、及び吸収体素
子42は、本実施例においては共に同種の誘電損失材料
で形成されている。しかしながら、これらを互いに異な
る誘電率の誘電損失材料で形成してもよい。
The base 40, the base absorber 41, and the absorber element 42 are formed of the same type of dielectric loss material in this embodiment. However, they may be formed of dielectric loss materials having different dielectric constants.

【0025】本実施例では、誘電損失材料として、カー
ボン粉末を混入した発泡ポリエチレンが用いられてい
る。誘電損失材料としてはその他に、カーボン粉末を混
入した発泡ポリウレタン、カーボン液中に含浸した発泡
ポリウレタン、又は粒子の表面にカーボンをコーティン
グした発泡ポリスチロール等が適用可能である。
In this embodiment, foamed polyethylene mixed with carbon powder is used as the dielectric loss material. In addition, as the dielectric loss material, foamed polyurethane mixed with carbon powder, foamed polyurethane impregnated in a carbon liquid, foamed polystyrene in which particles are coated with carbon, or the like can be applied.

【0026】また、本実施例では、高さが50mmの基
台40を用い、基盤吸収体41の突出部としては高さ3
00mmの四角錐形状吸収体を用いており、吸収体素子
42としては高さ150mmのくさび形状のものを用い
ている。基盤吸収体41の突出部を図2に示すように、
2乗よりも高次のテーパー変化率、例えば2.5乗又は
3乗のテーパー形状としてもよい。
In this embodiment, the base 40 having a height of 50 mm is used, and the height of the base absorber 41 is 3 mm.
A quadrangular pyramid-shaped absorber of 00 mm is used, and a wedge-shaped absorber having a height of 150 mm is used as the absorber element 42. As shown in FIG. 2, the projecting portion of the base absorbent body 41 is
A taper change rate higher than the second power, for example, a taper shape of 2.5 power or 3 power may be used.

【0027】本実施例では、基盤吸収体41を構成する
材料の2GHzにおける複素比誘電率は、実数部εr1
が2.16、虚数部εr1″が1.76である。吸収体素
子42を構成する材料の2GHzにおける複素比誘電率
は、実数部εr2′が1.35、虚数部εr2″が0.08
であり、100GHzにおける複素比誘電率は実数部ε
r2′が1.11、虚数部εr2″が0.05である。
In this embodiment, the complex relative permittivity at 2 GHz of the material constituting the base absorber 41 is the real part ε r1 ′.
Is 2.16 and the imaginary part ε r1 ″ is 1.76. The complex relative permittivity of the material forming the absorber element 42 at 2 GHz is 1.35 for the real part ε r2 ′ and 1.35 for the imaginary part ε r2 ″. 0.08
Where the complex relative permittivity at 100 GHz is the real part ε
r2 ′ is 1.11 and the imaginary part ε r2 ″ is 0.05.

【0028】本実施例の電波吸収体の2GHz及び10
0GHzにおける垂直入射での吸収性能として、2GH
zで43dB以上、100GHzで54dB以上の吸収
性能が得られている。
2 GHz and 10 GHz of the radio wave absorber of this embodiment
The absorption performance at normal incidence at 0 GHz is 2 GHz.
Absorption performance of 43 dB or more at z and 54 dB or more at 100 GHz is obtained.

【0029】図5〜図8は、本発明の電波吸収体の反射
減衰量が、吸収体素子を構成する材料の2GHzにおけ
る複素比誘電率の実数部εr2′、虚数部εr2″、100
GHzにおける複素比誘電率の実数部εr2′、及び虚数
部εr2″の変化に対してどのように変化するかを表わし
ている。
FIGS. 5 to 8 show that the return loss of the radio wave absorber according to the present invention is expressed by the real part ε r2 ′ and the imaginary part ε r2 ″, 100, of the complex relative permittivity of the material constituting the absorber element at 2 GHz.
It shows how the complex relative permittivity changes in response to changes in the real part ε r2 ′ and the imaginary part ε r2 ″ at GHz.

【0030】これらの図からも明らかのように、吸収体
素子12、42を構成する誘電損失材料の2GHzにお
ける複素比誘電率の実数部εr2′を1.8以下、虚数部
εr2″を0.4以下とすることにより、マイクロ波帯で
の吸収体素子12、42の電波的影響を少なくしてい
る。その結果、マイクロ波帯での吸収特性は、基盤吸収
体11、41の特性がそのまま反映されるので2GHz
で40dB以上という高性能な吸収特性が実現される。
As apparent from these figures, the real part ε r2 ′ of the complex relative permittivity at 2 GHz of the dielectric loss material constituting the absorber elements 12 and 42 is 1.8 or less, and the imaginary part ε r2 ″ is not more than 1.8. By setting the ratio to 0.4 or less, the radio wave influence of the absorber elements 12 and 42 in the microwave band is reduced, and as a result, the absorption characteristics in the microwave band are the same as those of the base absorbers 11 and 41. Is reflected as it is, so 2GHz
, A high-performance absorption characteristic of 40 dB or more is realized.

【0031】一方、吸収体素子12、42を構成する誘
電損失材料の100GHzにおける複素比誘電率の実数
部εr2′を1.3以下、虚数部εr2″を0.03以上か
つ0.2以下とすることにより、ミリ波帯である100
GHzで50dB以上の吸収特性が得られる。
On the other hand, the real part ε r2 ′ of the complex relative permittivity at 100 GHz of the dielectric loss material forming the absorber elements 12 and 42 is 1.3 or less, and the imaginary part ε r2 ″ is 0.03 or more and 0.2. By making the following, 100 millimeter wave band
An absorption characteristic of 50 dB or more at GHz is obtained.

【0032】以上述べた実施例は全て本発明を例示的に
示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は
他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができ
る。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等
範囲によってのみ規定されるものである。
The embodiments described above all illustrate the present invention by way of example and not by way of limitation, and the present invention can be embodied in various other modified and modified forms. Therefore, the scope of the present invention is defined only by the appended claims and their equivalents.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、電波吸収体は、誘電損失材料からなる四角錐形状の
突出部を複数配列して構成された第1の電波導入部と、
第1の電波導入部の各突出部間に設けられており、電波
到来方向の形状がくさび形状又は四角錐形状であり誘電
損失材料からなる第2の電波導入部とを備えており、第
2の電波導入部の構成材料の複素比誘電率の実数部をε
r2′、虚数部をεr2″としたとき、2GHzにおいて、
εr2′≦1.8、εr2″≦0.4と設定し、100GH
zにおいて、εr2′≦1.3、0.03≦εr2″≦0.
2と設定しているため、マイクロ波からミリ波まで広い
周波数範囲で高性能な吸収特性を有している。従って、
本発明の電波吸収体を電波暗室に用いることによりマイ
クロ波帯からミリ波帯をカバーする高性能な電波暗室が
実現可能となる。
As described above in detail, according to the present invention, the radio wave absorber comprises a first radio wave introduction portion formed by arranging a plurality of quadrangular pyramid-shaped protrusions made of a dielectric loss material;
A second radio wave introducing portion, which is provided between the projecting portions of the first radio wave introducing portion, has a wedge shape or a quadrangular pyramid shape in a radio wave arrival direction, and is made of a dielectric loss material; The real part of the complex relative permittivity of the constituent material of the
r2 ′ and the imaginary part is ε r2 ″, at 2 GHz,
ε r2 ′ ≦ 1.8, ε r2 ″ ≦ 0.4, 100 GH
At z, ε r2 ′ ≦ 1.3, 0.03 ≦ ε r2 ″ ≦ 0.
Since it is set to 2, it has high-performance absorption characteristics in a wide frequency range from microwaves to millimeter waves. Therefore,
By using the electromagnetic wave absorber of the present invention in an anechoic chamber, a high-performance anechoic chamber covering a microwave band to a millimeter wave band can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電波吸収体の一実施例の構成を概略的
に示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration of one embodiment of a radio wave absorber of the present invention.

【図2】基盤吸収体の突出部の変更態様を表す斜視図で
ある。
FIG. 2 is a perspective view illustrating a modified form of a protruding portion of a base absorbent body.

【図3】基盤吸収体の突出部のテーパー形状の変化率に
対する反射減衰量を表す特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a return loss with respect to a change rate of a taper shape of a protrusion of a base absorber.

【図4】本発明の電波吸収体の他の実施例の構成を概略
的に示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view schematically showing a configuration of another embodiment of the radio wave absorber of the present invention.

【図5】本発明の電波吸収体の反射減衰量が吸収体素子
を構成する材料の2GHzにおける複素比誘電率の実数
部εr2′に対してどのように変化するかを示す特性図で
ある。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing how the return loss of the radio wave absorber of the present invention changes with respect to the real part ε r2 ′ of the complex relative permittivity at 2 GHz of the material forming the absorber element. .

【図6】本発明の電波吸収体の反射減衰量が吸収体素子
を構成する材料の2GHzにおける複素比誘電率の虚数
部εr2″に対してどのように変化するかを示す特性図で
ある。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing how the return loss of the radio wave absorber of the present invention changes with respect to the imaginary part ε r2 ″ of the complex relative permittivity at 2 GHz of the material forming the absorber element. .

【図7】本発明の電波吸収体の反射減衰量が吸収体素子
を構成する材料の100GHzにおける複素比誘電率の
実数部εr2′に対してどのように変化するかを示す特性
図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing how the return loss of the radio wave absorber of the present invention changes with respect to the real part ε r2 ′ of the complex relative permittivity at 100 GHz of the material constituting the absorber element. .

【図8】本発明の電波吸収体の反射減衰量が吸収体素子
を構成する材料の100GHzにおける複素比誘電率の
虚数部εr2″に対してどのように変化するかを示す特性
図である。
FIG. 8 is a characteristic diagram showing how the return loss of the radio wave absorber of the present invention changes with respect to the imaginary part ε r2 ″ of the complex relative permittivity at 100 GHz of the material forming the absorber element. .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、40 基台 11、41 基盤吸収体 12、42 吸収体素子 10, 40 Base 11, 41 Base absorber 12, 42 Absorber element

フロントページの続き (72)発明者 橋本 康雄 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 市原 謙一 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 田中 隆 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−206999(JP,A) 特開 昭63−14498(JP,A) 特開 昭57−66699(JP,A) 特開 昭62−183599(JP,A) 特開 昭57−17202(JP,A) 特開 昭58−19000(JP,A) 特開 平2−250398(JP,A) 実開 平2−67699(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 9/00 Continuing from the front page (72) Yasuo Hashimoto Inventor, TDK Corporation, 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo (72) Inventor Kenichi Ichihara, 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo (72) Inventor Takashi Tanaka 1-13-1 Nihombashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation (56) References JP-A-4-206999 (JP, A) JP-A-63-14498 (JP, A) JP-A-57-66699 (JP, A) JP-A-62-183599 (JP, A) JP-A-57-17202 (JP, A) JP-A-58-199000 (JP, A) JP-A-2-250398 (JP, A) Hikaru Hei 2-67699 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H05K 9/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 誘電損失材料からなる四角錐形状の突出
部を複数配列して構成された第1の電波導入部と、該第
1の電波導入部の各突出部間に設けられており、電波到
来方向の形状がくさび形状又は四角錐形状であり誘電損
失材料からなる第2の電波導入部とを備えており、前記
第2の電波導入部の構成材料の複素比誘電率 【数1】 を 【数2】 としたとき、2GHzにおいて εr2′≦1.8 εr2″≦0.4 であり、100GHzにおいて εr2′≦1.3 0.03≦εr2″≦0.2 であることを特徴とする電波吸収体。
1. A first radio wave introduction part configured by arranging a plurality of quadrangular pyramid-shaped protrusions made of a dielectric loss material, and provided between the respective protrusions of the first radio wave introduction part. And a second radio wave introducing portion made of a dielectric loss material having a wedge shape or a quadrangular pyramid shape in a radio wave arrival direction, and a complex relative permittivity of a constituent material of the second radio wave introducing portion. To Εr2 ′ ≦ 1.8 εr2 ″ ≦ 0.4 at 2 GHz and εr2 ′ ≦ 1.3 0.03 ≦ εr2 ″ ≦ 0.2 at 100 GHz. Radio wave absorber.
【請求項2】 前記第1の電波導入部における突出部の
四角錐形状の長さ方向に垂直な断面積の長さ方向に対す
る変化率を、2乗よりも高次の変化率としたことを特徴
とする請求項1に記載の電波吸収体。
2. A rate of change in a length direction of a cross-sectional area perpendicular to a length direction of a quadrangular pyramid of a protruding portion of the first radio wave introduction portion is set to a higher rate than a square. The radio wave absorber according to claim 1, wherein:
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