JP3062831B2 - イオン化式煙感知器 - Google Patents
イオン化式煙感知器Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン化式煙感知器に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のイオン化式煙感知器１の回
路図を示し、イオン化式煙感知器１は信号線を介して火
災受信機（図示せず）と接続する信号線接続端子１ａ，
１ａを備えている。イオン化式煙感知器１は常時信号線
（図示せず）を介して火災受信機（図示せず）から電圧
の供給を受けている。ダイオードブリッジ１０は供給さ
れる電圧を整流し、整流した電圧を発報信号回路１１を
介して電源回路１２に入力する。電源回路１２はダイオ
ードブリッジ１０から発報信号回路１１を介して入力し
た電圧を適宜電圧に変換し煙感知回路１４及び煙感知部
１３に駆動電圧Ｖ ccを供給している。
路図を示し、イオン化式煙感知器１は信号線を介して火
災受信機（図示せず）と接続する信号線接続端子１ａ，
１ａを備えている。イオン化式煙感知器１は常時信号線
（図示せず）を介して火災受信機（図示せず）から電圧
の供給を受けている。ダイオードブリッジ１０は供給さ
れる電圧を整流し、整流した電圧を発報信号回路１１を
介して電源回路１２に入力する。電源回路１２はダイオ
ードブリッジ１０から発報信号回路１１を介して入力し
た電圧を適宜電圧に変換し煙感知回路１４及び煙感知部
１３に駆動電圧Ｖ ccを供給している。
【０００３】煙感知部１３は、放射線源１３ａが載置さ
れる内電極１３ｂ及び内電極１３ｂを囲んでイオン室１
３ｅを形成する外電極１３ｃ並びに内電極１３ｂと外電
極１３ｃとの間に形成する中間電極１３ｄを備えてい
る。外電極１３ｃは電源回路１２の駆動電圧Ｖcc側に接
続し、内電極１３ｂは電源回路１２のアース側に接続
し、中間電極１３ｄは電界効果型トランジスタFET のゲ
ートに接続している。
れる内電極１３ｂ及び内電極１３ｂを囲んでイオン室１
３ｅを形成する外電極１３ｃ並びに内電極１３ｂと外電
極１３ｃとの間に形成する中間電極１３ｄを備えてい
る。外電極１３ｃは電源回路１２の駆動電圧Ｖcc側に接
続し、内電極１３ｂは電源回路１２のアース側に接続
し、中間電極１３ｄは電界効果型トランジスタFET のゲ
ートに接続している。
【０００４】感度調整用のトランジスタTrのコレクタは
駆動電圧Ｖcc側と接続し、トランジスタTrのエミッタは
電界効果型トランジスタFET のソースＳと接続し、電界
効果型トランジスタFET のドレインＤは抵抗Ｒ1 及び抵
抗Ｒ2 と接続している。また、抵抗Ｒ1 の他方はアース
側に接続し、抵抗Ｒ2 の他方は電解コンデンサＣのプラ
ス側及びトリガ素子であるシリコン制御整流素子PUT の
アノードに接続している。電解コンデンサＣのマイナス
側はアース側に接続し、シリコン制御整流素子PUT のカ
ソードは発報信号回路１１に接続している。
駆動電圧Ｖcc側と接続し、トランジスタTrのエミッタは
電界効果型トランジスタFET のソースＳと接続し、電界
効果型トランジスタFET のドレインＤは抵抗Ｒ1 及び抵
抗Ｒ2 と接続している。また、抵抗Ｒ1 の他方はアース
側に接続し、抵抗Ｒ2 の他方は電解コンデンサＣのプラ
ス側及びトリガ素子であるシリコン制御整流素子PUT の
アノードに接続している。電解コンデンサＣのマイナス
側はアース側に接続し、シリコン制御整流素子PUT のカ
ソードは発報信号回路１１に接続している。
【０００５】シリコン制御整流素子PUT のゲートは直列
接続した抵抗Ｒ3 と抵抗Ｒ4 との接続点に接続し、抵抗
Ｒ3 の他方は駆動電圧Ｖcc側と接続し、抵抗Ｒ4 の他方
はアース側に接続している。また、トランジスタTrのベ
ースは可変抵抗VRの摺動端子に接続し、可変抵抗VRの一
方は駆動電圧Ｖcc側に他方はアース側にそれぞれ接続し
ている。
接続した抵抗Ｒ3 と抵抗Ｒ4 との接続点に接続し、抵抗
Ｒ3 の他方は駆動電圧Ｖcc側と接続し、抵抗Ｒ4 の他方
はアース側に接続している。また、トランジスタTrのベ
ースは可変抵抗VRの摺動端子に接続し、可変抵抗VRの一
方は駆動電圧Ｖcc側に他方はアース側にそれぞれ接続し
ている。
【０００６】従って、該イオン化式煙感知器１は次のよ
うに発報信号を出力する。イオン室１３ｅに煙が流入す
ると中間電極１３ｄの電位が降下する。すなわち電界効
果型トランジスタFET のゲート電圧（以降ＶG と記す）
が降下する。一方、電界効果型トランジスタFET のソー
ス電圧（以降ＶS と記す）は電界効果型トランジスタFE
T のゲート電圧ＶG の降下とともに降下するが、可変抵
抗VRによって調整されたトランジスタTrのベース電圧
（以降ＶB と記す）からトランジスタTrのベース・エミ
ッタ間電圧（以降ＶBEと記す）を引いた電圧よりは下が
らない。
うに発報信号を出力する。イオン室１３ｅに煙が流入す
ると中間電極１３ｄの電位が降下する。すなわち電界効
果型トランジスタFET のゲート電圧（以降ＶG と記す）
が降下する。一方、電界効果型トランジスタFET のソー
ス電圧（以降ＶS と記す）は電界効果型トランジスタFE
T のゲート電圧ＶG の降下とともに降下するが、可変抵
抗VRによって調整されたトランジスタTrのベース電圧
（以降ＶB と記す）からトランジスタTrのベース・エミ
ッタ間電圧（以降ＶBEと記す）を引いた電圧よりは下が
らない。
【０００７】しかし、煙の流入によって、電界効果型ト
ランジスタFETのゲート電圧ＶG が更に降下して、電界
効果型トランジスタFET のソース電圧ＶS とゲート電圧
ＶG との差（以降ゲート・ソース間電圧ＶGSと記す）が
一定値（以降しきいち電圧Ｖ GS(th)と記す）以上となる
と電界効果型トランジスタFET がオンしてソースＳから
ドレインＤに電流が流れる。すると、電解コンデンサＣ
は抵抗Ｒ2 を介して充電され、電解コンデンサＣの電圧
は上昇していく。そして、電解コンデンサＣの電圧が抵
抗Ｒ3 と抵抗Ｒ4 とで分圧されたシリコン制御整流素子
PUT のゲート電圧以上になると、シリコン制御整流素子
PUT がオンして発報信号回路１１をトリガし、イオン化
式煙感知器１は発報信号を出力する。
ランジスタFETのゲート電圧ＶG が更に降下して、電界
効果型トランジスタFET のソース電圧ＶS とゲート電圧
ＶG との差（以降ゲート・ソース間電圧ＶGSと記す）が
一定値（以降しきいち電圧Ｖ GS(th)と記す）以上となる
と電界効果型トランジスタFET がオンしてソースＳから
ドレインＤに電流が流れる。すると、電解コンデンサＣ
は抵抗Ｒ2 を介して充電され、電解コンデンサＣの電圧
は上昇していく。そして、電解コンデンサＣの電圧が抵
抗Ｒ3 と抵抗Ｒ4 とで分圧されたシリコン制御整流素子
PUT のゲート電圧以上になると、シリコン制御整流素子
PUT がオンして発報信号回路１１をトリガし、イオン化
式煙感知器１は発報信号を出力する。
【０００８】なお、可変抵抗VRの調整は、中間電極１３
ｄの煙に対する電位変化のバラツキ及び電界効果型トラ
ンジスタFET のしきいち電圧ＶSG(th)のバラツキによっ
て、個々のイオン化式煙感知器１の発報感度が異なるこ
とを防止するためのものである。また、電界効果型トラ
ンジスタFET がオンして、電解コンデンサＣが抵抗Ｒ 2
を介して充電され始めてからシリコン制御整流素子PUT
がオンして発報信号回路１１をトリガするまでの時間を
遅延時間と言う。
ｄの煙に対する電位変化のバラツキ及び電界効果型トラ
ンジスタFET のしきいち電圧ＶSG(th)のバラツキによっ
て、個々のイオン化式煙感知器１の発報感度が異なるこ
とを防止するためのものである。また、電界効果型トラ
ンジスタFET がオンして、電解コンデンサＣが抵抗Ｒ 2
を介して充電され始めてからシリコン制御整流素子PUT
がオンして発報信号回路１１をトリガするまでの時間を
遅延時間と言う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電界効果型
トランジスタFET がオンして抵抗Ｒ2 を介して電解コン
デンサＣを充電するときのドレイン電圧（以降ＶD と記
す）は、ベース電圧ＶB からベース・エミッタ間電圧Ｖ
BEと電界効果型トランジスタFET のソース・ドレイン間
電圧（以降ＶSDと記す）とを引いた電圧であり、イオン
室１３ｅ内が同一の煙濃度であっても個々のイオン化式
煙感知器１によって可変抵抗VRが調整されベース電圧Ｖ
B が異なるので、個々のイオン化式煙感知器１によって
ドレイン電圧ＶD が異なる。
トランジスタFET がオンして抵抗Ｒ2 を介して電解コン
デンサＣを充電するときのドレイン電圧（以降ＶD と記
す）は、ベース電圧ＶB からベース・エミッタ間電圧Ｖ
BEと電界効果型トランジスタFET のソース・ドレイン間
電圧（以降ＶSDと記す）とを引いた電圧であり、イオン
室１３ｅ内が同一の煙濃度であっても個々のイオン化式
煙感知器１によって可変抵抗VRが調整されベース電圧Ｖ
B が異なるので、個々のイオン化式煙感知器１によって
ドレイン電圧ＶD が異なる。
【００１０】従って、図３に示すように、ドレイン電圧
ＶD に向かって充電される電解コンデンサＣの電圧が、
抵抗Ｒ2 を介して充電され始めてからシリコン制御整流
素子PUT のゲート電圧（以降ＶPGと記す）以上になる時
間は、ドレイン電圧ＶD が高い場合は曲線Ｌ1 で示すよ
うにｔ1 時間となり、ドレイン電圧ＶD が低い場合は曲
線Ｌ2 で示すようにｔ2 時間となる。つまり個々のイオ
ン化式煙感知器１のイオン室１３ｅ内の煙濃度が同一で
あっても、ドレイン電圧ＶD が低いイオン化式煙感知器
１は電界効果型トランジスタFET がオンしてからシリコ
ン制御整流素子PUT がオンするまでの遅延時間が長い。
ＶD に向かって充電される電解コンデンサＣの電圧が、
抵抗Ｒ2 を介して充電され始めてからシリコン制御整流
素子PUT のゲート電圧（以降ＶPGと記す）以上になる時
間は、ドレイン電圧ＶD が高い場合は曲線Ｌ1 で示すよ
うにｔ1 時間となり、ドレイン電圧ＶD が低い場合は曲
線Ｌ2 で示すようにｔ2 時間となる。つまり個々のイオ
ン化式煙感知器１のイオン室１３ｅ内の煙濃度が同一で
あっても、ドレイン電圧ＶD が低いイオン化式煙感知器
１は電界効果型トランジスタFET がオンしてからシリコ
ン制御整流素子PUT がオンするまでの遅延時間が長い。
【００１１】また、同一のイオン化式煙感知器１であっ
ても、電界効果型トランジスタFETがオンした後のイオ
ン室１３ｅ内の煙濃度が異なると中間電極１３ｄの電位
降下量が異なり、煙濃度が低いと中間電極１３ｄの電位
降下量が少ない。そして、ゲート・ソース間電圧ＶGSが
異なると、電界効果型トランジスタFET のソース・ドレ
イン間抵抗（以降ＲSDと記す）も異なり、ゲート・ソー
ス間電圧ＶGSが低いとソース・ドレイン間抵抗ＲSDは高
い。
ても、電界効果型トランジスタFETがオンした後のイオ
ン室１３ｅ内の煙濃度が異なると中間電極１３ｄの電位
降下量が異なり、煙濃度が低いと中間電極１３ｄの電位
降下量が少ない。そして、ゲート・ソース間電圧ＶGSが
異なると、電界効果型トランジスタFET のソース・ドレ
イン間抵抗（以降ＲSDと記す）も異なり、ゲート・ソー
ス間電圧ＶGSが低いとソース・ドレイン間抵抗ＲSDは高
い。
【００１２】従って、図４に示すように、電解コンデン
サＣが抵抗Ｒ2 を介して充電され始めてから電解コンデ
ンサＣの電圧がシリコン制御整流素子PUT のゲート電圧
ＶPG以上になる時間は、ソース・ドレイン間抵抗ＲSDが
低い場合は曲線Ｌ3 で示すようにｔ3 時間であり、ソー
ス・ドレイン間抵抗ＲSDが高い場合は曲線Ｌ4 で示すよ
うにｔ4 時間である。つまり同一のイオン化式煙感知器
１であっても煙濃度が低くソース・ドレイン間抵抗ＲSD
が高い場合は電界効果型トランジスタFET がオンしてか
らイオン化式煙感知器１の発報までの遅延時間が長い。
サＣが抵抗Ｒ2 を介して充電され始めてから電解コンデ
ンサＣの電圧がシリコン制御整流素子PUT のゲート電圧
ＶPG以上になる時間は、ソース・ドレイン間抵抗ＲSDが
低い場合は曲線Ｌ3 で示すようにｔ3 時間であり、ソー
ス・ドレイン間抵抗ＲSDが高い場合は曲線Ｌ4 で示すよ
うにｔ4 時間である。つまり同一のイオン化式煙感知器
１であっても煙濃度が低くソース・ドレイン間抵抗ＲSD
が高い場合は電界効果型トランジスタFET がオンしてか
らイオン化式煙感知器１の発報までの遅延時間が長い。
【００１３】また、シリコン制御整流素子PUT を確実に
オンするには、シリコン制御整流素子PUT のピーク電流
（以降ＩP と記す）以上の電流をシリコン制御整流素子
PUTのアノードに流す必要がある。ところが、抵抗Ｒ2
を流れる電流は電界効果型トランジスタFET のドレイン
電圧ＶD によって決まるため、イオン室１３ｅ及びしき
いち電圧ＶGS(th)のバラツキ、可変抵抗VRの設定によっ
て変化する。また、シリコン制御整流素子PUT のピーク
電流ＩPそのものも周囲温度やシリコン制御整流素子PUT
のゲート抵抗（図２ではゲート抵抗ＲG は ＲG ＝Ｒ
3 Ｒ4／（Ｒ3 ＋Ｒ4 ））によって大きく変化し、必要
なピーク電流ＩP と実際にアノードに流れる電流とのバ
ランスをとってシリコン制御整流素子PUT の確実なオン
動作を保障するのは難しい。
オンするには、シリコン制御整流素子PUT のピーク電流
（以降ＩP と記す）以上の電流をシリコン制御整流素子
PUTのアノードに流す必要がある。ところが、抵抗Ｒ2
を流れる電流は電界効果型トランジスタFET のドレイン
電圧ＶD によって決まるため、イオン室１３ｅ及びしき
いち電圧ＶGS(th)のバラツキ、可変抵抗VRの設定によっ
て変化する。また、シリコン制御整流素子PUT のピーク
電流ＩPそのものも周囲温度やシリコン制御整流素子PUT
のゲート抵抗（図２ではゲート抵抗ＲG は ＲG ＝Ｒ
3 Ｒ4／（Ｒ3 ＋Ｒ4 ））によって大きく変化し、必要
なピーク電流ＩP と実際にアノードに流れる電流とのバ
ランスをとってシリコン制御整流素子PUT の確実なオン
動作を保障するのは難しい。
【００１４】以上のような問題点があった。本発明は、
上記の問題点を改善するために成されたもので、その目
的とするところは、同一濃度の煙が流入した場合に個々
のイオン化式煙感知器で遅延時間が異なることを少なく
すると共に同一のイオン化式煙感知器であっても煙濃度
の異なりで遅延時間が異なることを少なくし、また、イ
オン室及び電界効果型トランジスタの特性のバラツキが
あっても周囲温度が変わっても確実に発報信号を出力す
るイオン化式煙感知器を提供することにある。
上記の問題点を改善するために成されたもので、その目
的とするところは、同一濃度の煙が流入した場合に個々
のイオン化式煙感知器で遅延時間が異なることを少なく
すると共に同一のイオン化式煙感知器であっても煙濃度
の異なりで遅延時間が異なることを少なくし、また、イ
オン室及び電界効果型トランジスタの特性のバラツキが
あっても周囲温度が変わっても確実に発報信号を出力す
るイオン化式煙感知器を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題点を
解決するため、放射線源が載置される内電極と、内電極
を囲んでイオン室を形成する外電極と、内電極と外電極
との間に形成する中間電極とを備え、イオン室内に流入
した煙によって変化する中間電極の電位を電界効果型ト
ランジスタのゲートに入力し、該電界効果型トランジス
タを介して流れる電流でコンデンサを充電し、該コンデ
ンサの充電電圧が所定電圧以上になったときトリガ出力
して発報信号を出力するイオン化式煙感知器において、
第１のトランジスタと第２のトランジスタとを設け、前
記電界効果型トランジスタを介して流れる電流を前記第
１のトランジスタのベースに入力し、前記第１のトラン
ジスタがオンしたとき前記第２のトランジスタをオン
し、第２のトランジスタで前記コンデンサを充電するよ
うにしたことを特徴とする。
解決するため、放射線源が載置される内電極と、内電極
を囲んでイオン室を形成する外電極と、内電極と外電極
との間に形成する中間電極とを備え、イオン室内に流入
した煙によって変化する中間電極の電位を電界効果型ト
ランジスタのゲートに入力し、該電界効果型トランジス
タを介して流れる電流でコンデンサを充電し、該コンデ
ンサの充電電圧が所定電圧以上になったときトリガ出力
して発報信号を出力するイオン化式煙感知器において、
第１のトランジスタと第２のトランジスタとを設け、前
記電界効果型トランジスタを介して流れる電流を前記第
１のトランジスタのベースに入力し、前記第１のトラン
ジスタがオンしたとき前記第２のトランジスタをオン
し、第２のトランジスタで前記コンデンサを充電するよ
うにしたことを特徴とする。
【００１６】
【作用】上記のように構成したことにより、イオン室に
煙が流入して中間電極の電位が変化し電界効果型トラン
ジスタがオンすると、第１のトランジスタがオンし、第
１のトランジスタがオンすると第２のトランジスタがオ
ンし、第２のトランジスタを介して流れる電流がコンデ
ンサを充電するのである。
煙が流入して中間電極の電位が変化し電界効果型トラン
ジスタがオンすると、第１のトランジスタがオンし、第
１のトランジスタがオンすると第２のトランジスタがオ
ンし、第２のトランジスタを介して流れる電流がコンデ
ンサを充電するのである。
【００１７】
【実施例】図１は本発明に係るイオン化式煙感知器の一
実施例の回路図を示し、図１が従来例の図２と異なるの
は煙感知回路１４のみである。従って、煙感知回路１４
の接続関係を説明し、その後動作を説明する。
実施例の回路図を示し、図１が従来例の図２と異なるの
は煙感知回路１４のみである。従って、煙感知回路１４
の接続関係を説明し、その後動作を説明する。
【００１８】感度調整用のトランジスタTrのコレクタは
駆動電圧Ｖcc側と接続し、トランジスタTrのエミッタは
電界効果型トランジスタFET のソースＳと接続し、電界
効果型トランジスタFET のドレインＤは抵抗Ｒ8 を介し
て第１のトランジスタに相当するトランジスタTr1 のベ
ース及び抵抗Ｒ7 に接続し、抵抗Ｒ7 の他方は電源回路
１２のアース側に接続している。また、感度調整用のト
ランジスタTrのベースは可変抵抗VRの摺動端子に接続
し、可変抵抗VRの一方は駆動電圧Ｖcc側に他方はアース
側にそれぞれ接続している。
駆動電圧Ｖcc側と接続し、トランジスタTrのエミッタは
電界効果型トランジスタFET のソースＳと接続し、電界
効果型トランジスタFET のドレインＤは抵抗Ｒ8 を介し
て第１のトランジスタに相当するトランジスタTr1 のベ
ース及び抵抗Ｒ7 に接続し、抵抗Ｒ7 の他方は電源回路
１２のアース側に接続している。また、感度調整用のト
ランジスタTrのベースは可変抵抗VRの摺動端子に接続
し、可変抵抗VRの一方は駆動電圧Ｖcc側に他方はアース
側にそれぞれ接続している。
【００１９】抵抗Ｒ5 の一方は駆動電圧Ｖcc側に接続
し、抵抗Ｒ5 の他方は第２のトランジスタに相当するト
ランジスタTr2 のベース及び抵抗Ｒ6 と接続し、抵抗Ｒ
6 の他方はトランジスタTr1 のコレクタと接続し、トラ
ンジスタTr1 のエミッタはアース側に接続している。ま
た、トランジスタTr2のエミッタは駆動電圧Ｖcc側に接
続し、トランジスタTr2 のコレクタは抵抗Ｒ1 及び抵抗
Ｒ2 に接続し、抵抗Ｒ1 の他方はアース側に接続してい
る。抵抗Ｒ2 の他方は電解コンデンサＣのプラス側及び
シリコン制御整流素子PUT のアノードと接続し、電解コ
ンデンサＣのマイナス側はアース側に接続している。シ
リコン制御整流素子PUT のカソードは発報信号回路１１
に接続している。
し、抵抗Ｒ5 の他方は第２のトランジスタに相当するト
ランジスタTr2 のベース及び抵抗Ｒ6 と接続し、抵抗Ｒ
6 の他方はトランジスタTr1 のコレクタと接続し、トラ
ンジスタTr1 のエミッタはアース側に接続している。ま
た、トランジスタTr2のエミッタは駆動電圧Ｖcc側に接
続し、トランジスタTr2 のコレクタは抵抗Ｒ1 及び抵抗
Ｒ2 に接続し、抵抗Ｒ1 の他方はアース側に接続してい
る。抵抗Ｒ2 の他方は電解コンデンサＣのプラス側及び
シリコン制御整流素子PUT のアノードと接続し、電解コ
ンデンサＣのマイナス側はアース側に接続している。シ
リコン制御整流素子PUT のカソードは発報信号回路１１
に接続している。
【００２０】シリコン制御整流素子PUT のゲートは直列
接続した抵抗Ｒ3 と抵抗Ｒ4 との接続点に接続し、抵抗
Ｒ3 の他方は駆動電圧Ｖcc側と接続し、抵抗Ｒ4 の他方
はアース側に接続している。
接続した抵抗Ｒ3 と抵抗Ｒ4 との接続点に接続し、抵抗
Ｒ3 の他方は駆動電圧Ｖcc側と接続し、抵抗Ｒ4 の他方
はアース側に接続している。
【００２１】従って、イオン室１３ｅに煙が流入すると
中間電極１３ｄの電位が降下して電界効果型トランジス
タFET のゲート電圧ＶG 降下し、ゲート・ソース間電圧
ＶGSがしきいち電圧ＶGS(th)以上となると電界効果型ト
ランジスタFET がオンしてソースＳからドレインＤに電
流が流れる。すると、トランジスタTr1 のベース電圧が
HighになるのでトランジスタTr1 はオンし、トランジス
タTr2 のベース電圧がLow になるのでトランジスタTr2
はオンする。
中間電極１３ｄの電位が降下して電界効果型トランジス
タFET のゲート電圧ＶG 降下し、ゲート・ソース間電圧
ＶGSがしきいち電圧ＶGS(th)以上となると電界効果型ト
ランジスタFET がオンしてソースＳからドレインＤに電
流が流れる。すると、トランジスタTr1 のベース電圧が
HighになるのでトランジスタTr1 はオンし、トランジス
タTr2 のベース電圧がLow になるのでトランジスタTr2
はオンする。
【００２２】すると、電解コンデンサＣは駆動電圧Ｖcc
からトランジスタTr2 と抵抗Ｒ2 とを介して充電され、
電解コンデンサＣの電圧は上昇していく。そして、電解
コンデンサＣの電圧が抵抗Ｒ3 と抵抗Ｒ4 とで分圧され
たシリコン制御整流素子PUTのゲート電圧ＶPG以上にな
ると、シリコン制御整流素子PUT がオンして発報信号回
路１１をトリガし、イオン化式煙感知器１は発報信号を
出力する。
からトランジスタTr2 と抵抗Ｒ2 とを介して充電され、
電解コンデンサＣの電圧は上昇していく。そして、電解
コンデンサＣの電圧が抵抗Ｒ3 と抵抗Ｒ4 とで分圧され
たシリコン制御整流素子PUTのゲート電圧ＶPG以上にな
ると、シリコン制御整流素子PUT がオンして発報信号回
路１１をトリガし、イオン化式煙感知器１は発報信号を
出力する。
【００２３】従って、電界効果型トランジスタFET がオ
ンすれば、電解コンデンサＣは駆動電圧Ｖccからトラン
ジスタTr2 のベース・エミッタ間電圧を引いた電圧に向
けて充電され、従来のようにイオン室１３ｅや電界効果
型トランジスタFET の特性のバラツキによって異なるド
レイン電圧ＶG に向けて充電されるのではないので、同
一濃度の煙が流入した場合に個々のイオン化式煙感知器
１で遅延時間が異なることはない。
ンすれば、電解コンデンサＣは駆動電圧Ｖccからトラン
ジスタTr2 のベース・エミッタ間電圧を引いた電圧に向
けて充電され、従来のようにイオン室１３ｅや電界効果
型トランジスタFET の特性のバラツキによって異なるド
レイン電圧ＶG に向けて充電されるのではないので、同
一濃度の煙が流入した場合に個々のイオン化式煙感知器
１で遅延時間が異なることはない。
【００２４】また、トランジスタTr2 のオン状態によっ
て電解コンデンサＣの充電抵抗は変化するものの、従来
と比較すればはるかに少ない中間電極１３ｄの電位変化
量でトランジスタTr2 はオフからオンへ立ち上がる。従
って、同一のイオン化式煙感知器であっても電界効果型
トランジスタFET がオンした後のイオン室１３ｅ内の煙
濃度の異なりで遅延時間が異なることが少なくなる。
て電解コンデンサＣの充電抵抗は変化するものの、従来
と比較すればはるかに少ない中間電極１３ｄの電位変化
量でトランジスタTr2 はオフからオンへ立ち上がる。従
って、同一のイオン化式煙感知器であっても電界効果型
トランジスタFET がオンした後のイオン室１３ｅ内の煙
濃度の異なりで遅延時間が異なることが少なくなる。
【００２５】また、シリコン制御整流素子PUT のアノー
ドにはトランジスタTr2 と抵抗Ｒ2 とを介して駆動電圧
Ｖccから電流を流せるので、電界効果型トランジスタFE
T がオンすればアノードへの流入電流はイオン室１３ｅ
及び電界効果型トランジスタFET の特性のバラツキやト
ランジスタTrのベース電圧ＶB の調整とは略無関係に決
定される。更に、従来と比較して高い電圧（つまり駆動
電圧ＶccからトランジスタTr2 のベース・エミッタ間電
圧を引いた電圧）からアノードへの流入電流が流せ、周
囲温度の変化に対しても余裕のある設計ができる。従っ
て、イオン室１３ｅ及び電界効果型トランジスタFET の
特性のバラツキがあっても周囲温度が変わっても確実に
発報信号を出力する。
ドにはトランジスタTr2 と抵抗Ｒ2 とを介して駆動電圧
Ｖccから電流を流せるので、電界効果型トランジスタFE
T がオンすればアノードへの流入電流はイオン室１３ｅ
及び電界効果型トランジスタFET の特性のバラツキやト
ランジスタTrのベース電圧ＶB の調整とは略無関係に決
定される。更に、従来と比較して高い電圧（つまり駆動
電圧ＶccからトランジスタTr2 のベース・エミッタ間電
圧を引いた電圧）からアノードへの流入電流が流せ、周
囲温度の変化に対しても余裕のある設計ができる。従っ
て、イオン室１３ｅ及び電界効果型トランジスタFET の
特性のバラツキがあっても周囲温度が変わっても確実に
発報信号を出力する。
【００２６】
【発明の効果】本発明のイオン化式煙感知器は上記のよ
うに構成されたものであるから、同一濃度の煙が流入し
た場合に個々のイオン化式煙感知器で遅延時間が異なる
ことが無くなると共に同一のイオン化式煙感知器であっ
ても煙濃度の異なりで遅延時間が異なることが無く、更
にイオン室及び電界効果型トランジスタの特性のバラツ
キがあっても周囲温度が変わっても確実に発報信号を出
力するイオン化式煙感知器を提供できると言う効果を奏
する。
うに構成されたものであるから、同一濃度の煙が流入し
た場合に個々のイオン化式煙感知器で遅延時間が異なる
ことが無くなると共に同一のイオン化式煙感知器であっ
ても煙濃度の異なりで遅延時間が異なることが無く、更
にイオン室及び電界効果型トランジスタの特性のバラツ
キがあっても周囲温度が変わっても確実に発報信号を出
力するイオン化式煙感知器を提供できると言う効果を奏
する。
【図１】本発明の一実施例のイオン化式煙感知器を示す
回路図である。
回路図である。
【図２】従来例のイオン化式煙感知器を示す回路図であ
る。
る。
【図３】従来例のイオン化式煙感知器の電解コンデンサ
の充電特性バラツキを説明する充電特性図である。
の充電特性バラツキを説明する充電特性図である。
【図４】従来例のイオン化式煙感知器の電解コンデンサ
の充電特性バラツキを説明する充電特性図である。
の充電特性バラツキを説明する充電特性図である。
１ イオン化式煙感知器 １３ａ 放射線源 １３ｂ 内電極 １３ｃ 外電極 １３ｄ 中間電極 １３ｅ イオン室 Ｃ コンデンサ FET 電界効果型トランジスタ Tr1 第１のトランジスタ Tr2 第２のトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G08B 17/11
Claims (1)
- 【請求項１】 放射線源が載置される内電極と、内電極
を囲んでイオン室を形成する外電極と、内電極と外電極
との間に形成する中間電極とを備え、イオン室内に流入
した煙によって変化する中間電極の電位を電界効果型ト
ランジスタのゲートに入力し、該電界効果型トランジス
タを介して流れる電流でコンデンサを充電し、該コンデ
ンサの充電電圧が所定電圧以上になったときトリガ出力
して発報信号を出力するイオン化式煙感知器において、
第１のトランジスタと第２のトランジスタとを設け、前
記電界効果型トランジスタを介して流れる電流を前記第
１のトランジスタのベースに入力し、前記第１のトラン
ジスタがオンしたとき前記第２のトランジスタをオン
し、第２のトランジスタで前記コンデンサを充電するよ
うにしたことを特徴とするイオン化式煙感知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061402A JP3062831B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | イオン化式煙感知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061402A JP3062831B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | イオン化式煙感知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363795A JPH04363795A (ja) | 1992-12-16 |
| JP3062831B2 true JP3062831B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=13170113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3061402A Expired - Fee Related JP3062831B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | イオン化式煙感知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3062831B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8017795B2 (en) | 2005-04-21 | 2011-09-13 | Ndsu Research Foundation | Radiation curable polymer films having improved laser ablation properties and radiation curable sensitizers therefor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9189940B2 (en) * | 2011-12-14 | 2015-11-17 | Microchip Technology Incorporated | Method and apparatus for detecting smoke in an ion chamber |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3061402A patent/JP3062831B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8017795B2 (en) | 2005-04-21 | 2011-09-13 | Ndsu Research Foundation | Radiation curable polymer films having improved laser ablation properties and radiation curable sensitizers therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04363795A (ja) | 1992-12-16 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |