JP3059491B2 - Nonlinear element and liquid crystal display device using the same - Google Patents

Nonlinear element and liquid crystal display device using the same

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、コンピューター、ワー
ドプロセッサー、テレビ受像機等の表示画面として用い
ることが出来、階調表示を必要とする分野への応用が可
能である。
The present invention can be used as a display screen of a computer, a word processor, a television receiver or the like, and can be applied to a field requiring a gradation display.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来コンピューター、ワードプロセッサ
ー等の表示画面にはSTN(スーパーツイストネマチッ
ク)型の液晶表示装置が多く用いられている。STNは
以前のTN(ツイストネマチック)型の液晶表示装置に
比べて、液晶材料の電気光学特性に急峻性があるため
に、TNでは難しかった情報量の多い高時分割駆動が可
能となり、現在のノートパソコン、ノートワープロの火
付け役となった。しかしながら時分割駆動を行なうがた
めに、操作線の数が増加すると走査線中の選択と非選択
部での印加電圧比がとりにくくなり、表示品質特にコン
トラストの低下が起きてしまった。
2. Description of the Related Art Conventionally, an STN (super twist nematic) type liquid crystal display device is often used for a display screen of a computer, a word processor or the like. The STN has a steep electro-optical characteristic of the liquid crystal material as compared with the previous TN (twisted nematic) type liquid crystal display device, so that it is possible to perform high time division driving with a large amount of information, which was difficult with the TN. It sparked notebook computers and notebook word processors. However, when time-division driving is performed, if the number of operation lines increases, it becomes difficult to obtain an applied voltage ratio between the selected and non-selected portions in the scanning line, and the display quality, particularly the contrast, is reduced.

【0003】これを解消するために、TFT(薄膜トラ
ンジスタ)を用いてTN液晶を駆動させるアクティブマ
トリックスの開発が行なわれて現在に到っている。アク
ティブマトリックス型の液晶表示装置は、書込みを行な
いたい操作線につながるTFTのゲートのみをON状態
にするために、他の操作線への影響を極力押さえる事が
出来、クロストークフリーな表示が可能になった。ま
た、一度書き込んだ後は、実質的に容量成分である液晶
部分に電荷がチャージされるために、他の操作線を書き
込んでいる間でも、コントラストの低下が発生しないス
タティック駆動が可能になり、格段に表示品質が向上し
た。また、ソース・ドレイン間電圧を調整することで容
易に階調表示が可能になっている。しかしながら、TF
Tの作製工程において、6〜8枚のフォトマスクを使用
するために歩留りの低下が否めなかった。さらにゲート
酸化膜のピンホール等から正常動作しない素子も多く、
やはり歩留りの点から全体の製造コストを上げる要因の
一つとなっていた。そこで、簡易な構造で表示品質の良
い液晶表示装置が求められていた。
In order to solve this problem, an active matrix for driving a TN liquid crystal using a TFT (thin film transistor) has been developed and has been developed up to the present. The active matrix type liquid crystal display device minimizes the influence on other operation lines because only the gate of the TFT connected to the operation line to be written is turned on, and crosstalk free display is possible. Became. Also, after writing once, the liquid crystal portion, which is substantially a capacitance component, is charged with electric charges, so that even while writing other operation lines, static driving that does not cause a decrease in contrast becomes possible, Significantly improved display quality. Further, by adjusting the voltage between the source and the drain, gray scale display can be easily performed. However, TF
In the manufacturing process of T, the use of 6 to 8 photomasks inevitably reduced the yield. In addition, many devices do not operate normally due to pin holes in the gate oxide film, etc.
Again, this was one of the factors that increased the overall manufacturing cost in terms of yield. Therefore, a liquid crystal display device having a simple structure and good display quality has been demanded.

【0004】そこでクラーク・ラグァウォールらによっ
て提案されたものが、強誘電性液晶を用いたディスプレ
イであった。図1にその概念図を示す。強誘電性液晶は
自発分極を有するために、螺旋がほどけるまで液晶層の
厚みを薄くした場合、界面安定状態(SSFLC)が出
来、一度電界を加えたあとは、その電界を取り去っても
透過または非透過の状態が継続するメモリー効果を得る
ことが出来た。このメモリー状態を利用することによっ
て、TFTのアクティブマトリックスLCDと同じよう
な、スタティック的な駆動が可能になっている。
[0004] Thus, what has been proposed by Clark Laguawall et al. Is a display using a ferroelectric liquid crystal. FIG. 1 shows a conceptual diagram thereof. Since the ferroelectric liquid crystal has spontaneous polarization, when the thickness of the liquid crystal layer is reduced until the helix is unwound, an interface stable state (SSFLC) is created, and once an electric field is applied, transmission occurs even when the electric field is removed. Alternatively, a memory effect in which a non-transmissive state continues can be obtained. By utilizing this memory state, the same static driving as the active matrix LCD of the TFT is enabled.

【0005】しかしながらこのメモリー性を強調した場
合、現実的には『焼け』と呼ばれる現象が起き、表示不
良をひきおこしている。『焼け』は一度透過となり、非
透過となり、その状態をメモリーさせて長時間放置した
場合、次にその逆の状態を表示しようとしても完全な非
透過または透過の状態が得られず、コントラストの低下
を引き起こしていた。これを解決する手段として、メモ
リー性を極力押さえた液晶材料を用いて、表示を行なう
ことが有効であることが判った。強誘電性液晶におい
て、全くメモリー性の無いまたは自発分極を持たない組
成物は存在しえないが、『焼け』を解消するためにそれ
らを極力押さえた場合、数画面分のメモリー性はあるも
のの、時分割数が増加したりした場合に表示品質を落と
すという欠点がクローズアップしてきた。しかし、強誘
電性液晶の持つ高速応答性については捨てがたく、この
特徴を生かしたまま『焼け』現象が解決されるような方
法が求められていた。
However, when this memory property is emphasized, a phenomenon called "burn" actually occurs, causing display failure. "Burning" becomes transparent and non-transparent once, and if the state is memorized and left for a long time, complete non-transparent or transparent state cannot be obtained even if the opposite state is displayed, and the contrast Was causing the decline. As a means for solving this problem, it has been found effective to perform display using a liquid crystal material having a minimum memory property. In a ferroelectric liquid crystal, there can be no composition having no memory property or having no spontaneous polarization, but when they are suppressed as much as possible to eliminate "burn", although there is memory property for several screens, However, the disadvantage that the display quality is deteriorated when the number of time divisions is increased has been highlighted. However, the high-speed responsiveness of ferroelectric liquid crystals is indispensable, and there has been a demand for a method that can solve the "burn" phenomenon while utilizing this characteristic.

【0006】また、強誘電性液晶の場合、透過、非透過
の2個の安定状態しかとらないために、情報の多様化に
ともなう階調表示を苦手としていた。これを解決する方
法として、単位画素を面積的に多分割して複数のドット
で構成することにより、階調を表示することがなされて
いる。例えば、単位画素を面積比で1:2:4に分割
し、それらのON/OFFの組み合わせで8階調を得る
等が考案されている。図2(a)、(b)に2階調表示
の時の電極構造と、8階調表示の時の電極構造を示す。
Further, in the case of ferroelectric liquid crystal, since only two stable states, transmissive and non-transmissive, are taken, gradation display accompanying diversification of information is not good. As a method for solving this, a gray scale is displayed by dividing a unit pixel into a plurality of areas and forming a plurality of dots. For example, it has been devised that a unit pixel is divided into 1: 2: 4 in an area ratio and eight gradations are obtained by a combination of ON / OFF. FIGS. 2A and 2B show an electrode structure for two-gradation display and an electrode structure for eight-gradation display.

【0007】 しかしながら、1つの単位画素につき3個
のデーター信号を加えなければならないため、外部回路
が非常に複雑になってきてしまい、コストの上昇および
外部回路接続時の歩留りの低下が生じてしまった。また
さらに、分割のために電極間の絶縁区間をとるため、開
口率の低下が起きてしまっている。例えば、250μm
ピッチ、25μmギャップの単位画素を考えた場合、分
割をしない場合の開口率は81%であるのに対して、同
一ギャップで分割した場合、63%まで低下してしまう
ことが判る。またさらに、分割のために一番細い電極
(103)の幅は、前記ピッチ、ギャップの場合、25
μmとなってしまう。液晶表示装置として1000×1
000画素のものをITOのシート抵抗が5Ω以下のも
のを使い作製した場合でも、データー方向の電極は端か
ら端まで約50kΩの抵抗を有することになる。これで
は、電極の両端における液晶にかかる電界強度が異な
り、均一な表示が出来なくなってしまうことになった。
そこで、アナログ的に階調が制御できる方法が求められ
ていた。
However, since the must be added three data signals for one unit pixel, it will have become very complicated external circuit, got decrease in yield during rising costs and the external circuit connection occurs Was. Further, since an insulating section is provided between the electrodes for division, the aperture ratio is reduced. For example, 250 μm
When a unit pixel having a pitch of 25 μm is considered, the aperture ratio is 81% when no division is made, whereas it is reduced to 63% when divided with the same gap. Furthermore, the width of the thinnest electrode (103) for division is 25 in the case of the pitch and gap.
μm. 1000 × 1 as a liquid crystal display
Even when a pixel having 000 pixels is manufactured using an ITO sheet resistance of 5Ω or less, the electrode in the data direction has a resistance of about 50 kΩ from end to end. In this case, the electric field intensity applied to the liquid crystal at both ends of the electrode is different, and uniform display cannot be performed.
Therefore, there has been a demand for a method capable of controlling the gradation in an analog manner.

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the invention]

【0008】 本願発明は、強誘電性液晶の自発分極と電
気的相互作用をすることがなく、強誘電性液晶の高速応
答に影響を与えない非線形素子を得ることを課題とす
る。
[0008] The present invention is not to be spontaneous polarization and electrical interaction of the ferroelectric liquid crystal, it is an object to obtain a non-linear element does not affect the high-speed response of the ferroelectric liquid crystal.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願発明は、Si X Y
Z (X+Y+Z=1、Y≪1)で示される組成物を含む
薄膜およびDLC薄膜からなる積層膜を有する非線形素
子において、前記Si X Y Z (X+Y+Z=1、Y≪
1)で示される組成物を含む薄膜またはDLC薄膜には
ハロゲンまたはリンが含まれている非線形素子を用いる
ことを特徴とする。以下に実施例を示し、さらに詳細な
説明を加える。
Means for Solving the Problems The present invention, Si X C Y O
Including a composition represented by Z (X + Y + Z = 1, Y≪1)
Non-linear element having laminated film composed of thin film and DLC thin film
In the element, the above-mentioned Si X C Y O Z (X + Y + Z = 1, Y≪
For a thin film or DLC thin film containing the composition shown in 1),
Use a non-linear element containing halogen or phosphorus
It is characterized by the following. Examples are shown below, and more detailed
Add a description.

【0010】[0010]

【液晶表示装置の作製方法の例1】 本作製方法の例 は、
図7にその構造を示すように、可視光を透過する絶縁性
基板(1)上に、可視光を透過する第1の電極(2)およびリ
ードを有し、該電極上をSixYZ(X+Y+Z=
1)で示される組成物を含む薄膜(3)で覆い、該薄膜上
に、可視光を透過する第2の電極(4)を有する第一の基
板(10)と、可視光を透過する絶縁性基板(9)上に、可視
光を透過する第3の電極(8)およびリードを有する第2
の基板(11)を使用し、それら、第1の基板(10)と第2の
基板(11)の内側に、強誘電性を示す液晶組成物(7)と、
該液晶組成物を一定方向に配向させる手段(5)とを有す
る液晶表示装置の作製方法の例である。
[Example 1 of manufacturing method of liquid crystal display device] An example of this manufacturing method is as follows.
As the structure of which is shown in FIG 7, on an insulating substrate which transmits visible light (1), having a first electrode (2) and the lead that transmits visible light, the electric superb Si x C Y O Z (X + Y + Z =
A first substrate (10) having a second electrode (4) that transmits visible light and a first substrate (10) covered with a thin film (3) containing the composition shown in (1) above is disposed on the thin film. A second electrode having a third electrode (8) transmitting visible light and a lead on a conductive substrate (9).
And a liquid crystal composition (7) exhibiting ferroelectricity inside the first substrate (10) and the second substrate (11).
This is an example of a method for manufacturing a liquid crystal display device having means (5) for orienting the liquid crystal composition in a certain direction .

【0011】 以下、本作製方法の例に用いた液晶表示装
置の作製法を最初に示す。まず1.1mmのソーダライム
ガラス(1)に、DCスパッタ法によって、ITOを100n
成膜し、その後、フォトリソ法を用いて、表示画素電
極の一方の辺と、概略同一寸法とする幅のストライプ状
に、パターニングをして、第一の電極(2) とした。
[0011] Hereinafter, first shows a method of producing a liquid crystal display device used in Examples of this manufacturing method. First, 100 nm of ITO was applied to 1.1 mm soda-lime glass (1) by DC sputtering.
and m deposition, then, by photolithography, and one side of the display pixel electrodes, a stripe having a width of substantially a same size, and the patterned, and a first electrode (2).

【0012】 その後、下記条件の下にグロー放電を行
い、SixYZ(X+Y+Z=1)膜(3)を50nm成膜
した。成膜条件は、ガス混合比C24が2SCCM、N
3が1SCCM、H2 が10SCCMであり、反応圧
力が50Pa、RFパワーが100Wである。
[0012] Thereafter, a glow discharge under the following conditions, Si x C Y O Z ( X + Y + Z = 1) layer (3) was 5 0 nm deposition. The film formation conditions were such that the gas mixture ratio C 2 H 4 was 2 SCCM, N
F 3 is 1 SCCM, H2 is 10 SCCM, a reaction pressure 50 Pa, RF power is 100W.

【0013】 本作製方法の例 においてNF3を添加する
のは、膜(3)の導電率を変化させ、非線型特性を制御す
るためであり、30体積%以下の割合で添加すると効果が
ある。この非線型性を制御する方法としては、熱アニー
ルを加える方法がある。これは、MIM型素子のI(in
sulator)部分に相当する薄膜(3) の脱水素化を計るこ
とによって膜中の水素含有量をコントロールし、MIM
型素子の非線型性を制御するものである。この熱アニー
ルの処理条件は、温度が380℃、圧力が100Pa、
処理雰囲気がAr、処理時間が1時間でる。また、本
発明においてはこのSixYZ(X+Y+Z=1)で
示される組成物を含む薄膜(3)の厚さを200nm以下、好
ましくは50nm以下にすることによって、その光透過性
を高めることができた。図8にSixYZ(X+Y+
Z=1)で示される組成物を含む薄膜の50nm時の分光
透過率を示す。
The reason why NF 3 is added in the example of the present manufacturing method is to change the conductivity of the film (3) and to control the non-linear characteristics, and it is effective to add NF 3 at a ratio of 30% by volume or less. . As a method of controlling the non-linearity, there is a method of adding thermal annealing. This is because the I (in
The hydrogen content in the film is controlled by measuring the dehydrogenation of the thin film (3) corresponding to the
It controls the non-linearity of the mold element. The processing conditions of this thermal annealing are as follows: temperature is 380 ° C., pressure is 100 Pa,
Processing atmosphere is Ar, the processing time is Ru Oh in one hour. Further, in the present invention the thickness of the Si x C Y O Z (X + Y + Z = 1) thin film comprising a composition represented by (3) 20 0 nm or less, by preferably below 5 0 nm, the light transmittance Was able to enhance the character. Figure 8 Si x C Y O Z ( X + Y +
5 shows the spectral transmittance at 50 nm of a thin film containing the composition represented by Z = 1).

【0014】 従来はMIM型素子のinsulator 部分に、
例えばTaO 5 (5酸化タンタル)膜を用いようとする
場合、その光透過性が問題となるので、なるべくその面
積を小さくする等の工程上の制約があった。その後,再
びDCスパッタ法によって、膜(3)上にITOを100nm
成膜し、フォトリソ法を用いて、第2の電極(4)を得
た。この場合、マグネトロン型RFスパッタ法を用いて
もよい。
[0014] conventionally insulator part of the MIM type element,
For example, when a TaO 5 (tantalum pentoxide) film is to be used, its light transmittance is a problem, and there are restrictions in the process such as minimizing the area as much as possible. Then, ITO was again deposited on the film (3) to a thickness of 100 nm by DC sputtering.
The film was formed, and a second electrode (4) was obtained by using a photolithography method. In this case, a magnetron type RF sputtering method may be used.

【0015】 画素電極の一方である第2の電極の寸法
は、一辺が250 μmの正方形とし、画素間のギャップ
は、25μmとした。この第2の電極(4) は表示の際、単
位画素となる大きさを有するものであり、薄膜(3)に加
わる電界が各画素において均一になるように作用するも
のである。この様にして、第1の基板(10)を得た。
The dimension of the second electrode is one of a pixel electrode, one side is a square 250 [mu] m, the gaps between pixels, and a 25 [mu] m. The second electrode (4) has a size to be a unit pixel at the time of display, and acts so that the electric field applied to the thin film (3) becomes uniform in each pixel. Thus, a first substrate (10) was obtained.

【0016】 他方の第2の基板(11)も、1.1mmのソー
ダライムガラス(9)に、DCスパッタ法によって、IT
Oを100nm成膜した。その後、フォトリソ法を用い
て、表示画素電極の一方の辺と、概略同一寸法とする幅
のストライプ状に、パターニングをして、第3の電極
(8)とした構造となっている。
The other second substrate (11) is also coated on a 1.1 mm soda lime glass (9) by DC sputtering to obtain an IT.
O was deposited to a thickness of 100 nm . After that, using a photolithography method, the third electrode is patterned into a stripe shape having a width substantially equal to one side of the display pixel electrode.
(8).

【0017】 前記第1の基板(10)上に、印刷法によりポ
リイミド薄膜を20nm成膜し、その後,ラビング法によ
って、液晶分子をある一定方向に並べる手段として配向
膜(5)を設けた。
On the first substrate (10), a polyimide thin film having a thickness of 20 nm was formed by a printing method, and then an alignment film (5) was provided by a rubbing method as a means for arranging liquid crystal molecules in a certain direction. .

【0018】 第1の基板(10)と第2の基板(11)の間に、
強誘電性液晶(7)、および樹脂からなる基板間の間隔を
保持するためのスペーサー(6)を入れ、その周囲をエポ
キシ系の接着剤で固定した。
Between the first substrate (10) and the second substrate (11),
A spacer (6) for maintaining the interval between the ferroelectric liquid crystal (7) and the substrate made of resin was inserted, and the periphery thereof was fixed with an epoxy adhesive.

【0019】 その後,第1の電極(2)、第3の電極(4)に
つながるリードに、COG法を用いて液晶駆動用LSI
を接続し、液晶表示装置を得た。
[0019] Then, the first electrode (2), the lead connected to the third electrode (4), LSI for liquid crystal drive by a COG method
Was connected to obtain a liquid crystal display device.

【0020】作製方法の例において成膜した薄膜(3)
は光透過性を有しており50nmの厚さであれば光学的に
なんら問題はなかった。
The thin film formed in the example of the present manufacturing method (3)
Has optical transparency and has no optical problem if the thickness is 50 nm .

【0021】 図14、図15に本作製方法の例の非線形
素子の電流電圧特性を示す。
FIG . 14 and FIG. 15 show the current-voltage characteristics of the nonlinear element of this example of the manufacturing method .

【0022】[0022]

【実施例】【Example】

【0023】 本実施例に用いた液晶表示装置の構造を図
11に示す。本実施例は、可視光を透過する絶縁性基板
(1)と、該絶縁性基板上に設けられた金属酸化物で可視
光を透過する第1の電極(2)およびリードと、前記電極
およびリード上を覆う少なくともSixYZ(X+Y
+Z=1)で示される組成物を含んだ2層からなる薄膜
(71),(72)と、該薄膜上に設けられた強誘電性を示す液
晶組成物(7)と、該液晶層上に設けられた金属酸化物で
可視光を透過する第2の電極(8)およびリード、そして
可視光を透過する第2の絶縁性基板(9)からなる液晶表
示装置において、前記SixYZ(X+Y+Z=1)
で示される組成物を含んだ薄膜の液晶層側の面上にこの
薄膜上に設けられる強誘電性を示す液晶組成物を一定方
向に配向させる機能を持たせた液晶表示装置の実施例で
ある。
[0023] The structure of the liquid crystal display device used in this embodiment is shown in FIG. 11. This embodiment is an insulating substrate that transmits visible light.
And (1), at least Si x C covering the first electrode (2) and the lead that transmits visible light with a metal oxide provided on the insulating substrate, the electrodes and leads on Y O Z (X + Y
+ Z = 1) a two-layer thin film containing the composition represented by the following formula:
(71), (72), a ferroelectric liquid crystal composition (7) provided on the thin film, and a second electrode that transmits visible light with a metal oxide provided on the liquid crystal layer (8) and the lead, and the liquid crystal display device comprising a second insulating substrate which transmits visible light (9), the Si x C Y O Z (X + Y + Z = 1)
In the embodiment of the liquid crystal display device having a function of orienting a liquid crystal composition having ferroelectricity provided on the thin film on a surface of the thin film containing the composition shown in the liquid crystal layer side in a certain direction.
is there.

【0024】 本実施例ではSiXYZ(X+Y+Z
=1)で示される組成物を含んだ薄膜、すなわち非線形
素子のinsulatorとして、第1の薄膜としてSiXYZ
(X+Y+Z=1)においてY≪1として炭素を含んだ
SiO2に近い膜(71)を、第2の薄膜としてSi X Y Z
(X+Y+Z=1)においてX=0,Z=0でDLC膜
(72)を設け、この2層を用いた。
In this embodiment , Si X C Y O Z (X + Y + Z
= Thin film containing a composition represented by 1), i.e. as the insulator of the non-linear element, Si X C Y O Z as a first thin film
In (X + Y + Z = 1), a film (71) close to SiO 2 containing carbon as Y≪1 is used as a second thin film of Si X C Y O Z
(X + Y + Z = 1), X = 0, Z = 0 and DLC film
(72) was provided, and these two layers were used.

【0025】 マグネトロン型RFスパッタ法によって、
まず第1の薄膜(71)を以下の条件で5〜200nmの厚さ、
本実施例においては30nmの厚さに形成した。成膜条
件は、基板温度が150℃、RFパワーは400W、成
膜圧力は0.5Pa、成膜雰囲気はO2体積95%、NF3
体積5%であり、ターゲットはSiにCを微量に添加し
たインゴットを用いた。また、成膜法としては、公知の
光CVD法を用いてもよい。なお、上記スパッタ時の雰
囲気中に水素を添加することにより各画素における非線
型特性を制御することができる。
By the magnetron type RF sputtering method,
First, the first thin film (71) is formed to a thickness of 5 to 200 nm under the following conditions,
In this embodiment, the thickness is set to 30 nm . The film forming conditions are as follows: substrate temperature is 150 ° C., RF power is 400 W, film forming pressure is 0.5 Pa, film forming atmosphere is O 2 volume 95%, NF 3
The volume used was 5%, and the target used was an ingot obtained by adding a small amount of C to Si. Further, as a film forming method, a known photo CVD method may be used. Note that the non-linear characteristics of each pixel can be controlled by adding hydrogen to the atmosphere during the sputtering.

【0026】 つぎに、この薄膜(71)の液晶層に接する面
上に炭素を主成分とする(以下DLCと称する)薄膜(7
2)を以下の条件で2〜200nm、本実施例では30nmの厚
さに成膜した。成膜条件は、ガス混合比がC26:NF
3:H2=2:1:10であり、RFパワーが100Wで
ある。このDLC薄膜(72)の液晶層に接する面上(12)に
配向処理を施し、後は液晶表示装置の作製方法の例1
同様にして本実施例を完成させた。
Next, the thin film (71) containing carbon as a main component on a surface on which is in contact with the liquid crystal layer (hereinafter referred to as DLC) thin film (7
2) was formed to a thickness of 2 to 200 nm under the following conditions, and 30 nm in this example. The film formation conditions are such that the gas mixture ratio is C 2 H 6 : NF.
3 : H 2 = 2: 1: 10 and the RF power is 100 W. An alignment treatment was performed on the surface (12) of the DLC thin film (72) in contact with the liquid crystal layer, and thereafter, the present example was completed in the same manner as in Example 1 of the method for manufacturing a liquid crystal display device .

【0027】 本実施例の特性は液晶表示装置の作製方法
の例1と同様であったが、その電気的安定性が高く、特
性の変化が小さかった。本実施例においては、薄膜(71)
と薄膜(72)でMIM型素子のinsulatorに相当する部分
を形成しようとするものである。この際、弗素、窒素元
素の混入した酸化珪素膜である薄膜(71)は、水素が含ま
れておらず極めて電気的に安定しているという特徴を有
する。また、DLC膜である薄膜(72)はIV族元素が主
体であるので極性をもたず、しかも水素、窒素、弗素の
作用で低抵抗率を有しているので、液晶層として強誘電
液晶層を用いた場合、強誘電性液晶の自発分極と電気的
相互作用をすることがなく、強誘電性液晶の高速応答に
影響を与えないという特徴を有する。
The characteristics of this example method for manufacturing a liquid crystal display device
It was similar to example 1, but the electrical stability is high, the change in characteristics is small. In this embodiment, the thin film (71)
And a thin film 72 to form a portion corresponding to an insulator of the MIM type element. At this time, the thin film (71), which is a silicon oxide film in which fluorine and nitrogen elements are mixed, has a feature that it is extremely electrically stable without containing hydrogen. The thin film (72), which is a DLC film, is mainly composed of a group IV element, has no polarity, and has a low resistivity due to the action of hydrogen, nitrogen, and fluorine. When a layer is used, it does not interact with spontaneous polarization of the ferroelectric liquid crystal and does not affect the high-speed response of the ferroelectric liquid crystal.

【0028】 これらの薄膜(71)と薄膜(72)は全くパター
ニングする必要がないので、従来の単純マトリックス型
式の液晶表示表示装置の作製工程に上記2枚の薄膜を作
製する工程が増えるだけですむという作製工程上の特徴
も有する。さらに、insulator部分となるいずれかの膜
中にハロゲン元素、リンを20原子パーセント以下混入
せ、ガラス基板から拡散するナトリウムイオンが固定電
荷となり電気的不安定性の原因となる結合から離れた水
素イオン等のゲッタリング(取り込んでしまう作用)効
を得る
[0028] a thin film (72) these thin films (71) since absolutely no need to pattern only process a manufacturing process to produce a thin film of two said liquid crystal display display device of a conventional simple matrix type increases It also has a feature in the manufacturing process. In addition, halogen element and phosphorus are mixed in 20% by atom or less in one of the films to be the insulator part.
Thus, the gettering (effect of taking in) hydrogen ions and the like separated from the bond which causes electric instability due to sodium ions diffused from the glass substrate to become fixed charges is obtained .

【0029】 本実施例は、図11に示すように液晶表示
装置の作製方法の例1においてSixYZ(X+Y+
Z=1)で示される組成物を含んだ薄膜上に設けられた
第2の電極がないものである。
[0029] This embodiment includes a liquid crystal display as shown in FIG. 11
In Example 1 of a method for manufacturing a device Si x C Y O Z (X + Y +
Z = 1) without the second electrode provided on the thin film containing the composition shown by 1).

【0030】 本実施例における液晶表示装置の 作製方法
は、液晶表示装置の作製方法の例1における各画素に対
応する第2の電極(4)、配向膜(5)がないこと、SixY
Z(X+Y+Z=1)で示される組成物を含んだ薄膜
(3)の成膜法と構成が違うこと、この薄膜(3)の液晶層に
接する面に配向処理がなされること、以外は液晶表示装
置の作製方法の例1とその作製法は同様である。
The method for manufacturing a liquid crystal display device in [0030] this embodiment, the second electrode (4) corresponding to each pixel in the example 1 of a method for manufacturing a liquid crystal display device, an alignment film (5) that there is no, Si x C Y
A thin film containing a composition represented by O Z (X + Y + Z = 1)
(3) film forming method and arrangement are different things, the alignment process on the surface in contact with the liquid crystal layer of the thin film (3) is made, other than the liquid crystal display instrumentation
Example 1 of the method of manufacturing the device and the method of manufacturing the same are the same.

【0031】[0031]

【液晶表示装置の作製方法の例2】本作製方法の例で
は、実施例のinsulatorの第2の薄膜として、Si x Y
Z (X+Y+Z=1)で示される組成物を含む薄膜を
Z=0としてSiC膜を設けてもよい。
In the example of this manufacturing method [Example 2 of a method for manufacturing a liquid crystal display device]
As a second thin film of insulator embodiments, Si x C Y
A thin film containing the composition represented by O Z (X + Y + Z = 1)
An SiC film may be provided with Z = 0.

【0032】[0032] また、本作製方法の例では、実施例の膜(7Further, in the example of the present manufacturing method, the film (7
1)と膜(72)の何れか一方のみを用いて、この膜上に配向Orientation on this film using only one of 1) and film (72)
処理を施してもよい。Processing may be performed.

【0033】[0033]

【液晶表示装置の駆動方法の例】 『焼け』現象を回避す
るためのメモリー性の低下策は、図3(201)に示す
時分割駆動時における非選択時の透過率の揺らぎを生
じ、コントラストの低下を招いている。図3に駆動波形
と液晶表示装置の光学応答を示す。
[Example of Driving Method of Liquid Crystal Display Device] The measure for lowering the memory property to avoid the “burn” phenomenon causes a fluctuation in transmittance at the time of non-selection in time-division driving shown in FIG. Has been reduced. FIG. 3 shows the driving waveform and the optical response of the liquid crystal display device.

【0034】 さらに階調表示を行なうため、信号パルス
の波高(電圧)を変化させた場合、任意の画素が非選択
の場合でも通常の2階調表示時に比べて大きな電圧が加
わるために、図4(202)に示す揺らぎをさらに生
じ、コントラストの低下を生じていた。図4に通常の強
誘電液晶に階調表示を行なう場合における駆動波形と液
晶表示装置の光学応答を示す。
[0034] To further perform gradation display, the case of changing the height of the signal pulse (voltage), for a given pixel is added a large voltage compared to the normal two-gradation display even if unselected, FIG 4 (202), which further reduced the contrast. FIG. 4 shows a driving waveform and an optical response of the liquid crystal display device when gradation display is performed on a normal ferroelectric liquid crystal.

【0035】 時分割駆動時の非選択時の透過率の揺らぎ
を解決する方法として、抵抗成分がオームの法則にのら
ない非線型特性を有する素子を、液晶表示素子電極に直
列接合する方法がある。
As a method of solving the fluctuation of the transmittance at the time of non-selection at the time of the time-division driving, a method of connecting an element having a non-linear characteristic whose resistance component does not conform to Ohm's law to a liquid crystal display element electrode in series. is there.

【0036】 また 、強誘電性液晶を狭持する2枚の基板
のうち、少なくとも何方か一方の液晶層側の面上にSi
XYZ(X+Y+Z=1)で示される組成物質を含む
薄膜を有する液晶表示装置を用いる。また、前記液晶表
示装置を駆動する際に、走査側電極に単位時間内に単相
よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に単
相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動方法におい
て、最終相分のパルス高さを変化させることによって、
液晶パネルの透過率を任意に制御する。
Further, the strength of the two substrates sandwiching the ferroelectric liquid crystal, Si on the surface of at least several people or the other liquid crystal layer side of the
X C Y O Z (X + Y + Z = 1) a liquid crystal display device having a thin film containing a composition substance represented by. Further, when driving the liquid crystal display device, a drive is performed in which a single-phase electric signal is applied to the scanning-side electrode within a unit time and an electric signal having a single-phase number or more is applied to the information-side electrode within a unit time. In the method, by changing the pulse height of the final phase,
We arbitrarily control the transmittance of the liquid crystal panel.

【0037】 強誘電性液晶は図5に示す様に、応答速度
と加えるパルスの電圧値との積がほぼ一定の特性を有し
ている。つまり、低い電圧パルスの時の応答速度と電圧
値との積と、高い電圧パルスの時の応答速度と電圧値と
の積とが概略等しくなるのである。これを、メモリー性
が極力少ない強誘電性を示す液晶組成物に適用した場
合、パルス幅を一定にして電圧を変化させると、一定期
間内の透過率を制御できることが判った。図6に駆動パ
ルス(波形)と液晶表示装置の光学応答を示す。
As shown in FIG. 5, the ferroelectric liquid crystal has a substantially constant product of the response speed and the voltage value of the applied pulse. That is, the product of the response speed and the voltage value at the time of the low voltage pulse is substantially equal to the product of the response speed and the voltage value at the time of the high voltage pulse. When this was applied to a liquid crystal composition having ferroelectricity with as little memory property as possible, it was found that the transmittance within a certain period could be controlled by changing the voltage while keeping the pulse width constant. FIG. 6 shows the driving pulse (waveform) and the optical response of the liquid crystal display device.

【0038】 そこで、階調表示を実現させるために、駆
動方法として本効果を利用した。(駆動方法例1) 液晶表示装置に 対し走査側電極に単位時間内に4相より
なる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に4相よ
りなる電気信号を加える駆動方法において、後半2相分
または最終相分のパルス高さを変化させることによっ
て、液晶パネルの透過率を任意に制御する液晶電気光学
装置の駆動方法を示す。
[0038] Therefore, in order to realize a gradation display, using the present effective as a driving method. (Driving Method Example 1) A liquid crystal display device an electrical signal consisting of 4 phases in unit time to the scan side electrode against the addition, in the driving method of applying electric signals composed of 4 phase information side electrode in a unit time, the second half 2 by varying the phase amount or the pulse height of the final phase, illustrating a method of driving you arbitrarily control the transmittance of the liquid crystal panel liquid crystal electro-optical device.

【0039】図 9に本駆動方法の例における液晶装置に
加える駆動波形を示す。走査側電極に単位時間内に4相
よりなる電気信号(301)を加え、情報側電極に単位
時間内に4相よりなる電気信号(302)を加え後半2
相分または最終相分のパルス高さを変化させることによ
って(303a、303b)、液晶パネルの透過率を任
意に制御している。選択時ONのときの信号(304)
は4相中の最後の相を3Vから4Vの間で変化させるこ
とによって、透過率を制御するものである。
FIG. 9 shows a driving waveform applied to the liquid crystal device in the example of the present driving method . An electric signal (301) consisting of four phases is applied to the scanning electrode in a unit time, and an electric signal (302) consisting of four phases is applied to the information electrode in a unit time.
The transmittance of the liquid crystal panel is arbitrarily controlled by changing the pulse height of the phase or the final phase (303a, 303b). Signal when selected ON (304)
Is to control the transmittance by changing the last phase of the four phases between 3V and 4V.

【0040】 図10に駆動信号と本駆動方法の例1によ
る液晶表示装置の光学応答を示す。これらの図を見ると
明らかなように、非線形素子の効果によって液晶セルに
は、ある一定以上の強さの信号電界が液晶装置に加わっ
た場合にのみ電界が加わっているために非選択時におい
ても揺らぎが観測されない。また、最終相または最終相
の前の相の電圧を変化させることで、光学応答が制御で
きていることが判る。
FIG . 10 shows the driving signal and the optical response of the liquid crystal display device according to Example 1 of the present driving method . As is apparent from these figures, the liquid crystal cell is subjected to the electric field only when a signal electric field of a certain strength or more is applied to the liquid crystal device due to the effect of the nonlinear element. No fluctuation is observed. Also, it can be seen that the optical response can be controlled by changing the voltage of the final phase or the phase before the final phase.

【0041】(駆動方法例2) 前記液晶表示装置に 対し、走査側電極に単位時間内に3
相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に
3相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動方法にお
いて、後部2相分または最終相分のパルス高さを変化さ
せることによって、液晶パネルの透過率を任意に制御す
る液晶電気光学装置の駆動方法を示す。
[0041] (a driving method Example 2) 3 wherein against the liquid crystal display device, within a unit time to the scan side electrode
In a driving method in which an electric signal composed of three phases is applied and an electric signal composed of three or more phases is applied to the information side electrode within a unit time in a unit time, by changing a pulse height of two rear phases or a final phase, Arbitrarily controlling the transmittance of the LCD panel
Shows the driving method that the liquid crystal electro-optical device.

【0042】図 12に本駆動方法の例2における液晶装
置に加える駆動波形を示す。走査側電極に単位時間内に
3相よりなる電気信号(305)を加え、情報側電極に
単位時間内に3相よりなる電気信号(306)を加え後
半2相分または最終相分のパルス高さを変化させること
によって(307a、307b)、液晶パネルの透過率
を任意に制御している。選択時ONのときの信号(30
8)は3相中の最後の相を3Vから4Vの間で変化させ
ることによって、透過率を制御するものである。
FIG. 12 shows a driving waveform applied to the liquid crystal device in Example 2 of the present driving method . A three-phase electric signal (305) is applied to the scanning-side electrode within a unit time, and a three-phase electric signal (306) is applied to the information-side electrode within a unit time. The transmittance of the liquid crystal panel is arbitrarily controlled by changing the height (307a, 307b). Signal when ON when selected (30
8) is to control the transmittance by changing the last phase of the three phases between 3V and 4V.

【0043】駆動方法例3) 本駆動方法の例 は実施例と同じ構造の液晶表示装置を用
い、図13に示す駆動波形を加えることによって、階調
表示をおこなわせている。走査側電極に単位時間内に2
相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に
2相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動方法にお
いて、後部2相分または最終相分のパルス高さを変化さ
せることによって、液晶パネルの透過率を任意に制御す
ることを特徴とする液晶電気光学装置の駆動方法を示す
ものである。
[0043] Examples of (a driving method Example 3) This driving method using the liquid crystal display device having the same structure as the embodiment, by adding the drive waveform shown in FIG. 13, thereby performing the gradation display. 2 times per unit time
In a driving method in which an electric signal composed of two phases or more and an electric signal composed of two or more phases are applied within a unit time to the information side electrode, by changing the pulse height of the rear two phases or the final phase, This shows a method for driving a liquid crystal electro-optical device, which is characterized by arbitrarily controlling the transmittance of a liquid crystal panel.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明の構成をとることによって、非線
形素子の絶縁膜としてSi X Y Z を用いることによっ
て高い電気的安定性を得ることができ、またDLC膜を
用いると低抵抗率を有する膜を得ることができる。さら
に、液晶層として強誘電液晶層を用いた場合、強誘電性
液晶の自発分極と電気的相互作用をすることがなく、強
誘電性液晶の高速応答に影響を与えないという特徴を有
することができる。
According to the structure of the present invention, the non-linear
Depending on the use of the Si X C Y O Z as an insulating film in the form element
And high electrical stability can be obtained.
When used, a film having a low resistivity can be obtained. Further
When a ferroelectric liquid crystal layer is used as the liquid crystal layer,
No strong interaction with spontaneous polarization of liquid crystal
It does not affect the high-speed response of dielectric liquid crystal.
can do.

【0045】 また、 各画素に非線形性を持たせることが
でき、簡単な構造でありながら時分割駆動時の非選択時
の透過率の揺らぎが生ぜず、しかも表示コントラストの
高い液晶ディスプレイ、特に強誘電性液晶ディスプレイ
を得ることができた。
In addition, since each pixel can have a non-linear characteristic, the liquid crystal display has a simple structure, does not cause fluctuation in transmittance when not selected during time-division driving, and has a high display contrast. A dielectric liquid crystal display was obtained.

【0046】さらに、insulator部分となるいずれかのIn addition, any of the
膜中にハロゲン元素、リンを20原子パーセント以下混入20 atomic percent or less of halogen element and phosphorus mixed into the film
させることにより、ガラス基板から拡散するナトリウムSodium diffused from the glass substrate
イオンが固定電荷となり電気的不安定性の原因となる結The ions become fixed charges and cause electrical instability.
合から離れた水素イオン等のゲッタリング(取り込んでGettering of hydrogen ions etc.
しまう作用)に効果がある。Effect).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 強誘電性液晶の概念図Fig. 1 Conceptual diagram of ferroelectric liquid crystal

【図2】 画素電極面積の変化による階調表示方式FIG. 2 is a gray scale display method based on a change in pixel electrode area.

【図3】 通常の強誘電性液晶に時分割駆動させた時の
駆動波形と光学応答
FIG. 3 shows a driving waveform and an optical response when a normal ferroelectric liquid crystal is driven in a time division manner.

【図4】 通常の強誘電性液晶に本発明の駆動方法で動
作させた時の駆動波形と光学応答
FIG. 4 shows a driving waveform and an optical response when a normal ferroelectric liquid crystal is operated by the driving method of the present invention.

【図5】 強誘電性液晶の電圧と応答速度の関係FIG. 5: Relationship between voltage and response speed of ferroelectric liquid crystal

【図6】 メモリー性が極力少ない強誘電性液晶に、電
圧を変化させて動作させた時の光学応答
FIG. 6 shows the optical response of a ferroelectric liquid crystal with minimal memory when operated by changing the voltage.

【図7】 本実施例に用いた液晶表示装置の構造図FIG. 7 is a structural view of a liquid crystal display device used in this example.

【図8】 本実施例に用いた非線形素子用の絶縁膜の透
過率
FIG. 8 shows the transmittance of an insulating film for a non-linear element used in this example.

【図9】 本発明による駆動波形FIG. 9 shows a driving waveform according to the present invention.

【図10】 本発明による駆動波形と光学応答FIG. 10 shows a driving waveform and an optical response according to the present invention.

【図11】 本実施例に用いた液晶表示装置の構造図FIG. 11 is a structural diagram of a liquid crystal display device used in this example.

【図12】 本発明による駆動波形FIG. 12 shows a driving waveform according to the present invention.

【図13】 本発明による駆動波形FIG. 13 shows a driving waveform according to the present invention.

【図14】 本実施例に用いた非線形素子の電気光学特
FIG. 14 shows electro-optical characteristics of the nonlinear element used in this example.

【図15】 本実施例に用いた非線形素子の電気光学特
FIG. 15 shows the electro-optical characteristics of the nonlinear element used in this example.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−50489(JP,A) 特開 昭64−53425(JP,A) 特開 昭64−47076(JP,A) 特開 平2−289828(JP,A) 特開 昭57−197592(JP,A) 特許2945947(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1365 H01L 49/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-2-50489 (JP, A) JP-A-64-53425 (JP, A) JP-A-64-47076 (JP, A) 289828 (JP, A) JP-A-57-197592 (JP, A) Patent 2945947 (JP, B1) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/1365 H01L 49/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】SiXYZ(X+Y+Z=1、Y<<
)で示される組成物を含む薄膜およびDLC薄膜から
なる積層膜を有する非線形素子において、 前記SiXYZ(X+Y+Z=1、Y<<1)で示さ
れる組成物を含む薄膜またはDLC薄膜にはハロゲンま
たはリンが含まれていることを特徴とする非線形素子。
1. A Si X C Y O Z (X + Y + Z = 1, Y <<
1 ) A non-linear element having a laminated film composed of a thin film containing the composition shown in ( 1 ) and a DLC thin film, wherein the thin film or DLC containing the composition shown in the above-mentioned Six X C Y O Z (X + Y + Z = 1, Y << 1 ) A non-linear element, wherein the thin film contains halogen or phosphorus.
【請求項2】請求項1において、 前記Si X Y Z (X+Y+Z=1、Y<<1)で示さ
れる組成物を含む薄膜は5〜200nmの膜厚であり、
DLC薄膜は2〜200nmの膜厚であることを特徴と
する非線形素子。
2. The method of claim 1, represented by Si X C Y O Z (X + Y + Z = 1, Y << 1)
The thin film containing the composition to be formed has a thickness of 5 to 200 nm,
A DLC thin film having a thickness of 2 to 200 nm.
【請求項3】請求項1又は請求項2に記載の非線形素子
を用いた液晶表示装置。
3. A liquid crystal display device using the nonlinear element according to claim 1.
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