JP3263053B2 - Liquid crystal display device and electric appliance - Google Patents

Liquid crystal display device and electric appliance

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JP3263053B2 JP30316699A JP30316699A JP3263053B2 JP 3263053 B2 JP3263053 B2 JP 3263053B2 JP 30316699 A JP30316699 A JP 30316699A JP 30316699 A JP30316699 A JP 30316699A JP 3263053 B2 JP3263053 B2 JP 3263053B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、コンピューター、ワー
ドプロセッサー、テレビ受像機等の表示画面として用い
ることが出来、階調表示を必要とする分野への応用が可
能である。
The present invention can be used as a display screen of a computer, a word processor, a television receiver or the like, and can be applied to a field requiring a gradation display.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来コンピューター、ワードプロセッサ
ー等の表示画面にはSTN(スーパーツイストネマチッ
ク)型の液晶表示装置が多く用いられている。STNは
以前のTN(ツイストネマチック)型の液晶表示装置に
比べて、液晶材料の電気光学特性に急峻性があるため
に、TNでは難しかった情報量の多い高時分割駆動が可
能となり、現在のノートパソコン、ノートワープロの火
付け役となった。しかしながら時分割駆動を行なうがた
めに、走査線の数が増加すると走査線中の選択と非選択
部での印加電圧比がとりにくくなり、表示品質特にコン
トラストの低下が起きてしまった。
2. Description of the Related Art Conventionally, an STN (super twist nematic) type liquid crystal display device is often used for a display screen of a computer, a word processor or the like. The STN has a steep electro-optical characteristic of the liquid crystal material as compared with the previous TN (twisted nematic) type liquid crystal display device, so that it is possible to perform high time division driving with a large amount of information, which was difficult with the TN. It sparked notebook computers and notebook word processors. However, when time-division driving is performed, if the number of scanning lines increases, it becomes difficult to obtain an applied voltage ratio between selected and non-selected portions of the scanning lines, resulting in a reduction in display quality, particularly in contrast.

【0003】これを解消するために、TFT(薄膜トラ
ンジスタ)を用いてTN液晶を駆動させるアクティブマ
トリックスの開発が行なわれて現在に到っている。アク
ティブマトリックス型の液晶表示装置は、書込みを行な
いたい走査線につながるTFTのゲートのみをON状態
にするために、他の走査線への影響を極力押さえる事が
出来、クロストークフリーな表示が可能になった。ま
た、一度書き込んだ後は、実質的に容量成分である液晶
部分に電荷がチャージされるために、他の走査線を書き
込んでいる間でも、コントラストの低下が発生しないス
タティック駆動が可能になり、格段に表示品質が向上し
た。また、ソース・ドレイン間電圧を調整することで容
易に階調表示が可能になっている。しかしながら、TF
Tの作製工程において、6〜8枚のフォトマスクを使用
するために歩留りの低下が否めなかった。さらにゲート
酸化膜のピンホール等から正常動作しない素子も多く、
やはり歩留りの点から全体の製造コストを上げる要因の
一つとなっていた。そこで、簡易な構造で表示品質の良
い液晶表示装置が求められていた。
In order to solve this problem, an active matrix for driving a TN liquid crystal using a TFT (thin film transistor) has been developed and has been developed up to the present. Active matrix type liquid crystal display devices can minimize the influence on other scanning lines because only the gate of the TFT connected to the scanning line to be written is turned on, and crosstalk free display is possible. Became. Also, after writing once, the liquid crystal portion, which is substantially a capacitance component, is charged with electric charge, so that even while writing other scanning lines, static driving that does not cause a decrease in contrast becomes possible, Significantly improved display quality. Further, by adjusting the voltage between the source and the drain, gray scale display can be easily performed. However, TF
In the manufacturing process of T, the use of 6 to 8 photomasks inevitably reduced the yield. In addition, many devices do not operate normally due to pin holes in the gate oxide film, etc.
Again, this was one of the factors that increased the overall manufacturing cost in terms of yield. Therefore, a liquid crystal display device having a simple structure and good display quality has been demanded.

【0004】そこでクラーク・ラグァウォールらによっ
て提案されたものが、強誘電性液晶を用いたディスプレ
イであった。図1にその概念図を示す。強誘電性液晶は
自発分極を有するために、螺旋がほどけるまで液晶層の
厚みを薄くした場合、界面安定状態(SSFLC)が出
来、一度電界を加えたあとは、その電界を取り去っても
透過または非透過の状態が継続するメモリー効果を得る
ことが出来た。このメモリー状態を利用することによっ
て、TFTのアクティブマトリックスLCDと同じよう
な、スタティック的な駆動が可能になっている。
[0004] Thus, what has been proposed by Clark Laguawall et al. Is a display using a ferroelectric liquid crystal. FIG. 1 shows a conceptual diagram thereof. Since the ferroelectric liquid crystal has spontaneous polarization, when the thickness of the liquid crystal layer is reduced until the helix is unwound, an interface stable state (SSFLC) is created, and once an electric field is applied, transmission occurs even when the electric field is removed. Alternatively, a memory effect in which a non-transmissive state continues can be obtained. By utilizing this memory state, the same static driving as the active matrix LCD of the TFT is enabled.

【0005】しかしながらこのメモリー性を強調した場
合、現実的には『焼け』と呼ばれる現象が起き、表示不
良をひきおこしている。『焼け』は一度透過となり、非
透過となり、その状態をメモリーさせて長時間放置した
場合、次にその逆の状態を表示しようとしても完全な非
透過または透過の状態が得られず、コントラストの低下
を引き起こしていた。これを解決する手段として、メモ
リー性を極力押さえた液晶材料を用いて、表示を行なう
ことが有効であることが判った。強誘電性液晶におい
て、全くメモリー性の無いまたは自発分極を持たない組
成物は存在しえないが、『焼け』を解消するためにそれ
らを極力押さえた場合、数画面分のメモリー性はあるも
のの、時分割数が増加したりした場合に表示品質を落と
すという欠点がクローズアップしてきた。しかし、強誘
電性液晶の持つ高速応答性については捨てがたく、この
特徴を生かしたまま『焼け』現象が解決されるような方
法が求められていた。
However, when this memory property is emphasized, a phenomenon called "burn" actually occurs, causing display failure. "Burning" becomes transparent and non-transparent once, and if the state is memorized and left for a long time, complete non-transparent or transparent state cannot be obtained even if the opposite state is displayed, and the contrast Was causing the decline. As a means for solving this problem, it has been found effective to perform display using a liquid crystal material having a minimum memory property. In a ferroelectric liquid crystal, there can be no composition having no memory property or having no spontaneous polarization, but when they are suppressed as much as possible to eliminate "burn", although there is memory property for several screens, However, the disadvantage that the display quality is deteriorated when the number of time divisions is increased has been highlighted. However, the high-speed responsiveness of ferroelectric liquid crystals is indispensable, and there has been a demand for a method that can solve the "burn" phenomenon while utilizing this characteristic.

【0006】また、強誘電性液晶の場合、透過、非透過
の2個の安定状態しかとらないために、情報の多様化に
ともなう階調表示を苦手としていた。これを解決する方
法として、単位画素を面積的に多分割して複数のドット
で構成することにより、階調を表示することがなされて
いる。例えば、単位画素を面積比で1:2:4に分割
し、それらのON/OFFの組み合わせで8階調を得る
等が考案されている。図2(a)、(b)に2階調表示
の時の電極構造と、8階調表示の時の電極構造を示す。
Further, in the case of ferroelectric liquid crystal, since only two stable states, transmissive and non-transmissive, are taken, gradation display accompanying diversification of information is not good. As a method for solving this, a gray scale is displayed by dividing a unit pixel into a plurality of areas and forming a plurality of dots. For example, it has been devised that a unit pixel is divided into 1: 2: 4 in an area ratio and eight gradations are obtained by a combination of ON / OFF. FIGS. 2A and 2B show an electrode structure for two-gradation display and an electrode structure for eight-gradation display.

【0007】しかしながら、1つの単位画素につき3個
のデーター信号を加えなければならないため、外部回路
が非常に複雑になってきてしまい、コストの上昇および
外部回路接続時の歩留りの低下が生じてしまった。また
さらに、分割のために電極間の絶縁区間をとるため、開
口率の低下が起きてしまっている。例えば、250μm
ピッチ、25μmギャップの単位画素を考えた場合、分
割をしない場合の開口率は81%であるのに対して、同
一ギャップで分割した場合、63%まで低下してしまう
ことが判る。またさらに、分割のために一番細い電極
(103)の幅は、前記ピッチ、ギャップの場合、25
μmとなってしまう。液晶表示装置として1000×1
000画素のものをITOのシート抵抗が5Ω以下のも
のを使い作製した場合でも、データー方向の電極は端か
ら端まで約50kΩの抵抗を有することになる。これで
は、電極の両端における液晶にかかる電界強度が異な
り、均一な表示が出来なくなってしまうことになった。
そこで、アナログ的に階調が制御できる方法が求められ
ていた。
However, since three data signals must be applied to one unit pixel, the external circuit becomes very complicated, resulting in an increase in cost and a decrease in the yield when the external circuit is connected. Was. Further, since an insulating section is provided between the electrodes for division, the aperture ratio is reduced. For example, 250 μm
When a unit pixel having a pitch of 25 μm is considered, the aperture ratio is 81% when no division is made, whereas it is reduced to 63% when divided with the same gap. Furthermore, the width of the thinnest electrode (103) for division is 25 in the case of the pitch and gap.
μm. 1000 × 1 as a liquid crystal display
Even when a pixel having 000 pixels is manufactured using an ITO sheet resistance of 5Ω or less, the electrode in the data direction has a resistance of about 50 kΩ from end to end. In this case, the electric field intensity applied to the liquid crystal at both ends of the electrode is different, and uniform display cannot be performed.
Therefore, there has been a demand for a method capable of controlling the gradation in an analog manner.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本願発明は、電気的安
定性の高い表示装置を得ることを課題とする。例えば液
晶層として強誘電液晶層を用いた場合、強誘電性液晶の
自発分極と電気的相互作用をすることがなく、強誘電性
液晶の高速応答に影響を与えない液晶表示装置を得るこ
とを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a display device having high electrical stability. For example, when a ferroelectric liquid crystal layer is used as a liquid crystal layer, it is necessary to obtain a liquid crystal display device that does not interact with the spontaneous polarization of the ferroelectric liquid crystal and does not affect the high-speed response of the ferroelectric liquid crystal. Make it an issue.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願発明は、SiXY
Z(X+Y+Z=1)で示される組成物を含む薄膜およ
びDLC薄膜からなる積層膜を用いた表示装置におい
て、前記SiXYZ(X+Y+Z=1)で示される組
成物を含む薄膜またはDLC薄膜にはハロゲンまたはリ
ンが含まれていることを特徴とする。以下に実施例を示
し、さらに詳細な説明を加える。
Means for Solving the Problems The present invention, Si X C Y O
Z (X + Y + Z = 1) display odor <br/> using a laminated film of a thin film and DLC film comprises a composition represented by Te, the Si X C Y O Z composition represented by (X + Y + Z = 1 ) Or a DLC thin film containing halogen or phosphorus. Examples will be shown below, and further detailed description will be added.

【0010】 [液晶表示装置の作製方法の例1] 本作製方法の例は、図7にその構造を示すように、可視
光を透過する絶縁性基板(1)上に、可視光を透過する第
1の電極(2)およびリードを有し、該電極上をSiXY
Z(X+Y+Z=1)で示される組成物を含む薄膜(3)
で覆い、該薄膜上に、可視光を透過する第2の電極(4)
を有する第一の基板(10)と、可視光を透過する絶縁性基
板(9)上に、可視光を透過する第3の電極(8)およびリー
ドを有する第2の基板(11)を使用し、それら、第1の基
板(10)と第2の基板(11)の内側に、強誘電性を示す液晶
組成物(7)と、該液晶組成物を一定方向に配向させる手
段(5)とを有する液晶表示装置の作製方法の例である。
[Example 1 of Manufacturing Method of Liquid Crystal Display Device] In an example of this manufacturing method, as shown in FIG. 7, the visible light is transmitted on an insulating substrate (1) that transmits visible light. having a first electrode (2) and leads, the electric superb Si X C Y
A thin film containing the composition represented by O Z (X + Y + Z = 1) (3)
And a second electrode (4) that transmits visible light on the thin film.
Using a first substrate (10) having a transparent electrode and a second substrate (11) having a third electrode (8) transmitting visible light and a lead on an insulating substrate (9) transmitting visible light. Inside the first substrate (10) and the second substrate (11), a liquid crystal composition (7) exhibiting ferroelectricity and means (5) for orienting the liquid crystal composition in a certain direction are provided. 5 is an example of a method for manufacturing a liquid crystal display device having the following.

【0011】以下、本作製方法の例に用いた液晶表示装
置の作製法を最初に示す。まず1.1mmのソーダライム
ガラス(1)に、DCスパッタ法によって、ITOを100n
m成膜し、その後、フォトリソ法を用いて、表示画素電
極の一方の辺と、概略同一寸法とする幅のストライプ状
に、パターニングをして、第一の電極(2)とした。
Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device used in an example of the present manufacturing method will be described first. First, 100 n of ITO was applied to 1.1 mm soda-lime glass (1) by DC sputtering.
m, and then patterned by a photolithography method into a stripe having a width substantially equal to one side of the display pixel electrode to form a first electrode (2).

【0012】その後、下記条件の下にグロー放電を行
い、SiXYZ(X+Y+Z=1)膜(3)を50nm成膜
した。成膜条件は、ガス混合比C24が2SCCM、N
3が1SCCM、H2が10SCCMであり、反応圧力
が50Pa、RFパワーが100Wである。
Thereafter, glow discharge was performed under the following conditions to form a 50 nm thick Si X C Y O Z (X + Y + Z = 1) film (3). The film formation conditions were such that the gas mixture ratio C 2 H 4 was 2 SCCM, N
F 3 is 1 SCCM, and are H 2 is 10 SCCM, a reaction pressure 50 Pa, RF power is 100W.

【0013】本作製方法の例においてNF3を添加する
のは、膜(3)の導電率を変化させ、非線型特性を制御す
るためであり、30体積%以下の割合で添加すると効果が
ある。この非線型性を制御する方法としては、熱アニー
ルを加える方法がある。これは、MIM型素子のI(in
sulator)部分に相当する薄膜(3)の脱水素化を計ること
によって膜中の水素含有量をコントロールし、MIM型
素子の非線型性を制御するものである。この熱アニール
の処理条件は、温度が380℃、圧力が100Pa、処
理雰囲気がAr、処理時間が1時間である。また、本発
明においてはこのSiXYZ(X+Y+Z=1)で示
される組成物を含む薄膜(3)の厚さを200nm以下、好ま
しくは50nm以下にすることによって、その光透過性を
高めることができた。図8にSiXYZ(X+Y+Z
=1)で示される組成物を含む薄膜の50nm時の分光透
過率を示す。
The reason why NF 3 is added in the example of the present manufacturing method is to change the conductivity of the film (3) and to control the non-linear characteristics, and it is effective to add NF 3 at a ratio of 30% by volume or less. . As a method of controlling the non-linearity, there is a method of adding thermal annealing. This is because the I (in
The hydrogen content in the film is controlled by measuring the dehydrogenation of the thin film (3) corresponding to the (sulator) portion, thereby controlling the non-linearity of the MIM element. The conditions for the thermal annealing are as follows: temperature is 380 ° C., pressure is 100 Pa, processing atmosphere is Ar, and processing time is 1 hour. In the present invention, the light transmittance of the thin film (3) containing the composition represented by Si x C Y O Z (X + Y + Z = 1) is set to 200 nm or less, preferably 50 nm or less. Could be enhanced. Figure 8 Si X C Y O Z ( X + Y + Z
= 1) shows the spectral transmittance at 50 nm of a thin film containing the composition shown in 1).

【0014】従来はMIM型素子のinsulator部分に、
例えばTaO5(5酸化タンタル)膜を用いようとする
場合、その光透過性が問題となるので、なるべくその面
積を小さくする等の工程上の制約があった。その後,再
びDCスパッタ法によって、膜(3)上にITOを100nm
成膜し、フォトリソ法を用いて、第2の電極(4)を得
た。この場合、マグネトロン型RFスパッタ法を用いて
もよい。
Conventionally, in the insulator portion of the MIM type element,
For example, when a TaO 5 (tantalum pentoxide) film is to be used, its light transmittance is a problem, and there are restrictions in the process such as minimizing the area as much as possible. After that, ITO is again deposited on the film (3) to a thickness of 100 nm by DC sputtering.
The film was formed, and a second electrode (4) was obtained by using a photolithography method. In this case, a magnetron type RF sputtering method may be used.

【0015】画素電極の一方である第2の電極の寸法
は、一辺が250μmの正方形とし、画素間のギャップ
は、25μmとした。この第2の電極(4)は表示の際、単
位画素となる大きさを有するものであり、薄膜(3)に加
わる電界が各画素において均一になるように作用するも
のである。この様にして、第1の基板(10)を得た。
The size of the second electrode, which is one of the pixel electrodes, was a square having a side of 250 μm, and the gap between the pixels was 25 μm. The second electrode (4) has a size to be a unit pixel at the time of display, and acts so that an electric field applied to the thin film (3) becomes uniform in each pixel. Thus, a first substrate (10) was obtained.

【0016】他方の第2の基板(11)も、1.1mmのソー
ダライムガラス(9)に、DCスパッタ法によって、IT
Oを100nm成膜した。その後、フォトリソ法を用い
て、表示画素電極の一方の辺と、概略同一寸法とする幅
のストライプ状に、パターニングをして、第3の電極
(8)とした構造となっている。
The other second substrate (11) is also coated on a 1.1 mm soda lime glass (9) by DC sputtering to obtain an IT.
O was deposited to a thickness of 100 nm. After that, using a photolithography method, the third electrode is patterned into a stripe shape having a width substantially equal to one side of the display pixel electrode.
(8).

【0017】前記第1の基板(10)上に、印刷法によりポ
リイミド薄膜を20nm成膜し、その後,ラビング法によ
って、液晶分子をある一定方向に並べる手段として配向
膜(5)を設けた。
On the first substrate (10), a polyimide thin film having a thickness of 20 nm was formed by a printing method, and then an alignment film (5) was provided by a rubbing method as a means for arranging liquid crystal molecules in a certain direction.

【0018】第1の基板(10)と第2の基板(11)の間に、
強誘電性液晶(7)、および樹脂からなる基板間の間隔を
保持するためのスペーサー(6)を入れ、その周囲をエポ
キシ系の接着剤で固定した。
Between the first substrate (10) and the second substrate (11),
A spacer (6) for maintaining the interval between the ferroelectric liquid crystal (7) and the substrate made of resin was inserted, and the periphery thereof was fixed with an epoxy adhesive.

【0019】その後,第1の電極(2)、第3の電極(4)に
つながるリードに、COG法を用いて液晶駆動用LSI
を接続し、液晶表示装置を得た。
Thereafter, a liquid crystal driving LSI is formed on the leads connected to the first electrode (2) and the third electrode (4) by using the COG method.
Was connected to obtain a liquid crystal display device.

【0020】本作製方法の例において成膜した薄膜(3)
は光透過性を有しており50nmの厚さであれば光学的に
なんら問題はなかった。
The thin film formed in the example of the present manufacturing method (3)
Has optical transparency and has no optical problem if the thickness is 50 nm.

【0021】図14、図15に本作製方法の例の非線形
素子の電流電圧特性を示す。
FIG. 14 and FIG. 15 show the current-voltage characteristics of the nonlinear element of this example of the manufacturing method.

【0022】[0022]

【実施例】【Example】

【0023】本実施例に用いた液晶表示装置の構造を図
11に示す。本実施例は、可視光を透過する絶縁性基板
(1)と、該絶縁性基板上に設けられた金属酸化物で可視
光を透過する第1の電極(2)およびリードと、前記電極
およびリード上を覆う少なくともSiXYZ(X+Y
+Z=1)で示される組成物を含んだ2層からなる薄膜
(71),(72)と、該薄膜上に設けられた強誘電性を示す液
晶組成物(7)と、該液晶層上に設けられた金属酸化物で
可視光を透過する第2の電極(8)およびリード、そして
可視光を透過する第2の絶縁性基板(9)からなる液晶表
示装置において、前記SiXYZ(X+Y+Z=1)
で示される組成物を含んだ薄膜の液晶層側の面上にこの
薄膜上に設けられる強誘電性を示す液晶組成物を一定方
向に配向させる機能を持たせた液晶表示装置の実施例で
ある。
FIG. 11 shows the structure of the liquid crystal display device used in this embodiment. This embodiment is an insulating substrate that transmits visible light.
And (1), at least Si X C covering the first electrode (2) and the lead that transmits visible light with a metal oxide provided on the insulating substrate, the electrodes and leads on Y O Z (X + Y
+ Z = 1) a two-layer thin film containing the composition represented by the following formula:
(71), (72), a ferroelectric liquid crystal composition (7) provided on the thin film, and a second electrode that transmits visible light with a metal oxide provided on the liquid crystal layer (8) and the lead, and the liquid crystal display device comprising a second insulating substrate which transmits visible light (9), the Si X C Y O Z (X + Y + Z = 1)
This is an embodiment of a liquid crystal display device having a function of orienting a ferroelectric liquid crystal composition provided on the thin film on a liquid crystal layer side of a thin film containing the composition shown in the above formula in a fixed direction. .

【0024】本実施例では、SiXYZ(X+Y+Z
=1)で示される組成物を含んだ薄膜、すなわち非線形
素子のinsulatorとして、第1の薄膜としてSiXYZ
(X+Y+Z=1)においてY≪1として炭素を含んだ
SiO2に近い膜(71)を、第2の薄膜としてSiXYZ
(X+Y+Z=1)においてX=0、Z=0でDLC膜
(72)を設け、この2層を用いた。
In this embodiment, Si X C Y O Z (X + Y + Z
= Thin film containing a composition represented by 1), i.e. as the insulator of the non-linear element, Si X C Y O Z as a first thin film
In (X + Y + Z = 1), a film (71) close to SiO 2 containing carbon as Y≪1 is used as a second thin film of Si X C Y O Z
(X + Y + Z = 1) X = 0, Z = 0 and DLC film
(72) was provided, and these two layers were used.

【0025】マグネトロン型RFスパッタ法によって、
まず第1の薄膜(71)を以下の条件で5〜200nmの厚さ、
本実施例においては30nmの厚さに形成した。成膜条
件は、基板温度が150℃、RFパワーは400W、成
膜圧力は0.5Pa、成膜雰囲気はO2体積95%、NF3
体積5%であり、ターゲットはSiにCを微量に添加し
たインゴットを用いた。また、成膜法としては、公知の
光CVD法を用いてもよい。なお、上記スパッタ時の雰
囲気中に水素を添加することにより各画素における非線
型特性を制御することができる。
By the magnetron type RF sputtering method,
First, the first thin film (71) is formed to a thickness of 5 to 200 nm under the following conditions,
In this embodiment, the thickness is 30 nm. The film forming conditions are as follows: substrate temperature is 150 ° C., RF power is 400 W, film forming pressure is 0.5 Pa, film forming atmosphere is O 2 volume 95%, NF 3
The volume used was 5%, and the target used was an ingot obtained by adding a small amount of C to Si. Further, as a film forming method, a known photo CVD method may be used. Note that the non-linear characteristics of each pixel can be controlled by adding hydrogen to the atmosphere during the sputtering.

【0026】つぎに、この薄膜(71)の液晶層に接する面
上に炭素を主成分とする(以下DLCと称する)薄膜(7
2)を以下の条件で2〜200nm、本実施例では30nmの厚
さに成膜した。成膜条件は、ガス混合比がC26:NF
3:H2=2:1:10であり、RFパワーが100Wで
ある。このDLC薄膜(72)の液晶層に接する面上(12)に
配向処理を施し、後は液晶表示装置の作製方法の例1と
同様にして本実施例を完成させた。
Next, on the surface of the thin film (71) in contact with the liquid crystal layer, a thin film (hereinafter referred to as DLC) containing carbon as a main component (7) is formed.
2) was formed to a thickness of 2 to 200 nm under the following conditions, and 30 nm in this example. The film formation conditions are such that the gas mixture ratio is C 2 H 6 : NF.
3 : H 2 = 2: 1: 10 and the RF power is 100 W. An alignment treatment was performed on the surface (12) of the DLC thin film (72) in contact with the liquid crystal layer, and thereafter, the present example was completed in the same manner as in Example 1 of the method for manufacturing a liquid crystal display device.

【0027】本実施例の特性は液晶表示装置の作製方法
の例1と同様であったが、その電気的安定性が高く、特
性の変化が小さかった。本実施例においては、薄膜(71)
と薄膜(72)でMIM型素子のinsulatorに相当する部分
を形成しようとするものである。この際、弗素、窒素元
素の混入した酸化珪素膜である薄膜(71)は、水素が含ま
れておらず極めて電気的に安定しているという特徴を有
する。また、DLC膜である薄膜(72)はIV族元素が主
体であるので極性をもたず、しかも水素、窒素、弗素の
作用で低抵抗率を有しているので、液晶層として強誘電
液晶層を用いた場合、強誘電性液晶の自発分極と電気的
相互作用をすることがなく、強誘電性液晶の高速応答に
影響を与えないという特徴を有する。
The characteristics of the present example were the same as those of Example 1 of the method for manufacturing a liquid crystal display device, but the electrical stability was high and the change in the characteristics was small. In this embodiment, the thin film (71)
And a thin film 72 to form a portion corresponding to an insulator of the MIM type element. At this time, the thin film (71), which is a silicon oxide film in which fluorine and nitrogen elements are mixed, has a feature that it is extremely electrically stable without containing hydrogen. The thin film (72), which is a DLC film, is mainly composed of a group IV element, has no polarity, and has a low resistivity due to the action of hydrogen, nitrogen, and fluorine. When a layer is used, it does not interact with spontaneous polarization of the ferroelectric liquid crystal and does not affect the high-speed response of the ferroelectric liquid crystal.

【0028】これらの薄膜(71)と薄膜(72)は全くパター
ニングする必要がないので、従来の単純マトリックス型
式の液晶表示表示装置の作製工程に上記2枚の薄膜を作
製する工程が増えるだけですむという作製工程上の特徴
も有する。さらに、insulator部分となるいずれかの膜
中にハロゲン元素、リンを20原子パーセント以下混入さ
せ、ガラス基板から拡散するナトリウムイオンが固定電
荷となり電気的不安定性の原因となる結合から離れた水
素イオン等のゲッタリング(取り込んでしまう作用)効
果を得る。
Since the thin film (71) and the thin film (72) do not need to be patterned at all, only the steps of manufacturing the above two thin films are added to the manufacturing process of the conventional simple matrix type liquid crystal display device. It also has a feature in the manufacturing process. In addition, 20% by atom or less of halogen element and phosphorus are mixed into any of the films to be the insulator part, and sodium ions diffused from the glass substrate become fixed charges and hydrogen ions separated from the bond causing electrical instability etc. Gettering (effect of taking in).

【0029】本実施例は、図11に示すように液晶表示
装置の作製方法の例1においてSiXYZ(X+Y+
Z=1)で示される組成物を含んだ薄膜上に設けられた
第2の電極がないものである。
[0029] This example, Si in the example 1 of a method for manufacturing a liquid crystal display device as shown in FIG. 11 X C Y O Z (X + Y +
Z = 1) without the second electrode provided on the thin film containing the composition shown by 1).

【0030】本実施例における液晶表示装置の作製方法
は、液晶表示装置の作製方法の例1における各画素に対
応する第2の電極(4)、配向膜(5)がないこと、SiXY
Z(X+Y+Z=1)で示される組成物を含んだ薄膜
(3)の成膜法と構成が違うこと、この薄膜(3)の液晶層に
接する面に配向処理がなされること、以外は液晶表示装
置の作製方法の例1とその作製法は同様である。
The method for manufacturing a liquid crystal display device in [0030] this embodiment, the second electrode (4) corresponding to each pixel in the example 1 of a method for manufacturing a liquid crystal display device, an alignment film (5) that there is no, Si X C Y
A thin film containing a composition represented by O Z (X + Y + Z = 1)
The manufacturing method is the same as that of Example 1 of the liquid crystal display device except that the film forming method is different from the film forming method of (3), and the alignment treatment is performed on the surface of the thin film (3) in contact with the liquid crystal layer. is there.

【0031】 [液晶表示装置の作製方法の例2] 本作製方法の例では、実施例のinsulatorの第2の薄膜
として、SiXYZ(X+Y+Z=1)で示される組
成物を含む薄膜をZ=0としてSiC膜を設けてもよ
い。
[0031] In the example of this manufacturing method [Example 2 of a method for manufacturing a liquid crystal display device, a second thin film of insulator embodiments, including Si X C Y O Z (X + Y + Z = 1) composition represented by The SiC film may be provided with Z = 0.

【0032】また、本作製方法の例では、実施例の膜(7
1)と膜(72)の何れか一方のみを用いて、この膜上に配向
処理を施してもよい。
In the example of this manufacturing method, the film (7
Using only one of 1) and the film (72), an alignment treatment may be performed on this film.

【0033】 [液晶表示装置の駆動方法の例] 『焼け』現象を回避するためのメモリー性の低下策は、
図3(201)に示す時分割駆動時における非選択時の
透過率の揺らぎを生じ、コントラストの低下を招いてい
る。図3に駆動波形と液晶表示装置の光学応答を示す。
[Example of Driving Method of Liquid Crystal Display Device] Measures to reduce the memory property to avoid the “burn” phenomenon are as follows.
Fluctuation of the transmittance at the time of non-selection at the time of the time-division driving shown in FIG. 3 (201) causes fluctuation of the contrast. FIG. 3 shows the driving waveform and the optical response of the liquid crystal display device.

【0034】さらに階調表示を行なうため、信号パルス
の波高(電圧)を変化させた場合、任意の画素が非選択
の場合でも通常の2階調表示時に比べて大きな電圧が加
わるために、図4(202)に示す揺らぎをさらに生
じ、コントラストの低下を生じていた。図4に通常の強
誘電液晶に階調表示を行なう場合における駆動波形と液
晶表示装置の光学応答を示す。
Further, when the peak (voltage) of the signal pulse is changed to perform the gradation display, a larger voltage is applied as compared with the normal two-gradation display even when an arbitrary pixel is not selected. 4 (202), which further reduced the contrast. FIG. 4 shows a driving waveform and an optical response of the liquid crystal display device when gradation display is performed on a normal ferroelectric liquid crystal.

【0035】時分割駆動時の非選択時の透過率の揺らぎ
を解決する方法として、抵抗成分がオームの法則にのら
ない非線型特性を有する素子を、液晶表示素子電極に直
列接合する方法がある。
As a method of solving the fluctuation of the transmittance at the time of non-selection at the time of the time-division driving, a method of connecting an element having a non-linear characteristic whose resistance component does not conform to Ohm's law to a liquid crystal display element electrode in series. is there.

【0036】また、強誘電性液晶を狭持する2枚の基板
のうち、少なくとも何方か一方の液晶層側の面上にSi
XYZ(X+Y+Z=1)で示される組成物質を含む
薄膜を有する液晶表示装置を用いる。また、前記液晶表
示装置を駆動する際に、走査側電極に単位時間内に単相
よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に単
相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動方法におい
て、最終相分のパルス高さを変化させることによって、
液晶パネルの透過率を任意に制御する。
Further, at least one of the two substrates sandwiching the ferroelectric liquid crystal is provided with Si on the surface on the liquid crystal layer side.
X C Y O Z (X + Y + Z = 1) a liquid crystal display device having a thin film containing a composition substance represented by. Further, when driving the liquid crystal display device, a drive is performed in which a single-phase electric signal is applied to the scanning-side electrode within a unit time and an electric signal having a single-phase number or more is applied to the information-side electrode within a unit time. In the method, by changing the pulse height of the final phase,
The transmittance of the liquid crystal panel is arbitrarily controlled.

【0037】強誘電性液晶は図5に示す様に、応答速度
と加えるパルスの電圧値との積がほぼ一定の特性を有し
ている。つまり、低い電圧パルスの時の応答速度と電圧
値との積と、高い電圧パルスの時の応答速度と電圧値と
の積とが概略等しくなるのである。これを、メモリー性
が極力少ない強誘電性を示す液晶組成物に適用した場
合、パルス幅を一定にして電圧を変化させると、一定期
間内の透過率を制御できることが判った。図6に駆動パ
ルス(波形)と液晶表示装置の光学応答を示す。
As shown in FIG. 5, the ferroelectric liquid crystal has a substantially constant product of the response speed and the voltage value of the applied pulse. That is, the product of the response speed and the voltage value at the time of the low voltage pulse is substantially equal to the product of the response speed and the voltage value at the time of the high voltage pulse. When this was applied to a liquid crystal composition having ferroelectricity with as little memory property as possible, it was found that the transmittance within a certain period could be controlled by changing the voltage while keeping the pulse width constant. FIG. 6 shows the driving pulse (waveform) and the optical response of the liquid crystal display device.

【0038】そこで、階調表示を実現させるために、駆
動方法として本効果を利用した。 (駆動方法例1) 液晶表示装置に対し走査側電極に単位時間内に4相より
なる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に4相よ
りなる電気信号を加える駆動方法において、後半2相分
または最終相分のパルス高さを変化させることによっ
て、液晶パネルの透過率を任意に制御する液晶電気光学
装置の駆動方法を示す。
Therefore, in order to realize a gradation display, the present effect was used as a driving method. (Driving Method Example 1) In a driving method in which a four-phase electric signal is applied to a scanning-side electrode within a unit time and a four-phase electric signal is applied to an information-side electrode within a unit time to a liquid crystal display device, A method of driving a liquid crystal electro-optical device that arbitrarily controls the transmittance of a liquid crystal panel by changing the pulse height of the phase or the final phase will be described.

【0039】図9に本駆動方法の例における液晶装置に
加える駆動波形を示す。走査側電極に単位時間内に4相
よりなる電気信号(301)を加え、情報側電極に単位
時間内に4相よりなる電気信号(302)を加え後半2
相分または最終相分のパルス高さを変化させることによ
って(303a、303b)、液晶パネルの透過率を任
意に制御している。選択時ONのときの信号(304)
は4相中の最後の相を3Vから4Vの間で変化させるこ
とによって、透過率を制御するものである。
FIG. 9 shows a driving waveform applied to the liquid crystal device in the example of the present driving method. An electric signal (301) consisting of four phases is applied to the scanning electrode in a unit time, and an electric signal (302) consisting of four phases is applied to the information electrode in a unit time.
The transmittance of the liquid crystal panel is arbitrarily controlled by changing the pulse height of the phase or the final phase (303a, 303b). Signal when selected ON (304)
Is to control the transmittance by changing the last phase of the four phases between 3V and 4V.

【0040】図10に駆動信号と本駆動方法の例1によ
る液晶表示装置の光学応答を示す。これらの図を見ると
明らかなように、非線形素子の効果によって液晶セルに
は、ある一定以上の強さの信号電界が液晶装置に加わっ
た場合にのみ電界が加わっているために非選択時におい
ても揺らぎが観測されない。また、最終相または最終相
の前の相の電圧を変化させることで、光学応答が制御で
きていることが判る。
FIG. 10 shows the driving signal and the optical response of the liquid crystal display device according to Example 1 of the present driving method. As is apparent from these figures, the liquid crystal cell is subjected to the electric field only when a signal electric field of a certain strength or more is applied to the liquid crystal device due to the effect of the nonlinear element. No fluctuation is observed. Also, it can be seen that the optical response can be controlled by changing the voltage of the final phase or the phase before the final phase.

【0041】(駆動方法例2) 前記液晶表示装置に対し、走査側電極に単位時間内に3
相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に
3相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動方法にお
いて、後部2相分または最終相分のパルス高さを変化さ
せることによって、液晶パネルの透過率を任意に制御す
る液晶電気光学装置の駆動方法を示す。
(Driving Method Example 2) With respect to the liquid crystal display device, three electrodes are applied to the scanning
In a driving method in which an electric signal composed of three phases is applied and an electric signal composed of three or more phases is applied to the information side electrode within a unit time in a unit time, by changing a pulse height of two rear phases or a final phase, A method for driving a liquid crystal electro-optical device for arbitrarily controlling the transmittance of a liquid crystal panel will be described.

【0042】図12に本駆動方法の例2における液晶装
置に加える駆動波形を示す。走査側電極に単位時間内に
3相よりなる電気信号(305)を加え、情報側電極に
単位時間内に3相よりなる電気信号(306)を加え後
半2相分または最終相分のパルス高さを変化させること
によって(307a、307b)、液晶パネルの透過率
を任意に制御している。選択時ONのときの信号(30
8)は3相中の最後の相を3Vから4Vの間で変化させ
ることによって、透過率を制御するものである。
FIG. 12 shows a driving waveform applied to the liquid crystal device in Example 2 of the present driving method. A three-phase electric signal (305) is applied to the scanning-side electrode within a unit time, and a three-phase electric signal (306) is applied to the information-side electrode within a unit time. The transmittance of the liquid crystal panel is arbitrarily controlled by changing the height (307a, 307b). Signal when ON when selected (30
8) is to control the transmittance by changing the last phase of the three phases between 3V and 4V.

【0043】(駆動方法例3) 本駆動方法の例は実施例と同じ構造の液晶表示装置を用
い、図13に示す駆動波形を加えることによって、階調
表示をおこなわせている。走査側電極に単位時間内に2
相よりなる電気信号を加え、情報側電極に単位時間内に
2相以上の相数よりなる電気信号を加える駆動方法にお
いて、後部2相分または最終相分のパルス高さを変化さ
せることによって、液晶パネルの透過率を任意に制御す
ることを特徴とする液晶電気光学装置の駆動方法を示す
ものである。
(Driving Method Example 3) In this driving method example, a liquid crystal display device having the same structure as that of the embodiment is used, and gradation display is performed by adding a driving waveform shown in FIG. 2 times per unit time
In a driving method in which an electric signal composed of two phases or more and an electric signal composed of two or more phases are applied within a unit time to the information side electrode, by changing the pulse height of the rear two phases or the final phase, This shows a method for driving a liquid crystal electro-optical device, which is characterized by arbitrarily controlling the transmittance of a liquid crystal panel.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明の構成をとることによって、表示
装置の絶縁膜としてSiXYZを用いることによって
高い電気的安定性を得ることができ、またDLC膜を用
いると低抵抗率を有する膜を得ることができる。さら
に、液晶層として強誘電液晶層を用いた場合、強誘電性
液晶の自発分極と電気的相互作用をすることがなく、強
誘電性液晶の高速応答に影響を与えないという特徴を有
することができる。
By taking the configuration of the present invention, it is possible to obtain a high electrical stability by the use of the Si X C Y O Z as an insulating film of the display <br/> device, also, a DLC film And a film having a low resistivity can be obtained. Furthermore, when a ferroelectric liquid crystal layer is used as the liquid crystal layer, it does not interact with the spontaneous polarization of the ferroelectric liquid crystal and does not affect the high-speed response of the ferroelectric liquid crystal. it can.

【0045】また、各画素に非線形性を持たせることが
でき、簡単な構造でありながら時分割駆動時の非選択時
の透過率の揺らぎが生ぜず、しかも表示コントラストの
高い液晶ディスプレイ、特に強誘電性液晶ディスプレイ
を得ることができた。
In addition, since each pixel can have a non-linear characteristic, the liquid crystal display has a simple structure, does not cause fluctuation in transmittance when not selected during time-division driving, and has a high display contrast. A dielectric liquid crystal display was obtained.

【0046】さらに、insulator部分となるいずれかの
膜中にハロゲン元素、リンを20原子パーセント以下混入
させることにより、ガラス基板から拡散するナトリウム
イオンが固定電荷となり電気的不安定性の原因となる結
合から離れた水素イオン等のゲッタリング(取り込んで
しまう作用)に効果がある。
Further, by incorporating a halogen element or phosphorus in an amount of 20 atomic percent or less into any of the films serving as the insulator portion, sodium ions diffused from the glass substrate become fixed charges and cause a bond that causes electrical instability. This is effective in gettering (take-in action) of distant hydrogen ions and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】強誘電性液晶の概念図を示すFIG. 1 shows a conceptual diagram of a ferroelectric liquid crystal.

【図2】画素電極面積の変化による階調表示方式を示
す。
FIG. 2 shows a gray scale display method based on a change in pixel electrode area.

【図3】通常の強誘電性液晶に時分割駆動させた時の駆
動波形と光学応答を示す。
FIG. 3 shows a driving waveform and an optical response when a normal ferroelectric liquid crystal is time-divisionally driven.

【図4】通常の強誘電性液晶に本発明の駆動方法で動作
させた時の駆動波形と光学応答を示す。
FIG. 4 shows a driving waveform and an optical response when a normal ferroelectric liquid crystal is operated by the driving method of the present invention.

【図5】強誘電性液晶の電圧と応答速度の関係を示す。FIG. 5 shows the relationship between the voltage and the response speed of a ferroelectric liquid crystal.

【図6】メモリー性が極力少ない強誘電性液晶に、電圧
を変化させて動作させた時の光学応答を示す。
FIG. 6 shows an optical response when a ferroelectric liquid crystal having a minimal memory property is operated by changing a voltage.

【図7】本実施例に用いた液晶表示装置の構造図を示
す。
FIG. 7 is a structural diagram of a liquid crystal display device used in this example.

【図8】本実施例に用いた非線形素子用の絶縁膜の透過
率を示す。
FIG. 8 shows the transmittance of an insulating film for a non-linear element used in this example.

【図9】本発明による駆動波形を示す。FIG. 9 shows a driving waveform according to the present invention.

【図10】本発明による駆動波形と光学応答を示す。FIG. 10 shows a driving waveform and an optical response according to the present invention.

【図11】本実施例に用いた液晶表示装置の構造図を示
す。
FIG. 11 is a structural view of a liquid crystal display device used in this example.

【図12】本発明による駆動波形を示す。FIG. 12 shows a drive waveform according to the present invention.

【図13】本発明による駆動波形を示す。FIG. 13 shows a drive waveform according to the present invention.

【図14】本実施例に用いた非線形素子の電気光学特性
を示す。
FIG. 14 shows the electro-optical characteristics of the nonlinear element used in this example.

【図15】本実施例に用いた非線形素子の電気光学特性
を示す。
FIG. 15 shows the electro-optical characteristics of the nonlinear element used in this example.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C23C 16/42 C23C 16/42 G02F 1/141 G02F 1/137 510 (56)参考文献 特開 平1−234566(JP,A) 特開 平2−250968(JP,A) 特開 平2−15172(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1333 G02F 1/141 C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI C23C 16/42 C23C 16/42 G02F 1/141 G02F 1/137 510 (56) References JP-A-1-234566 (JP, A JP-A-2-250968 (JP, A) JP-A-2-15172 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/1333 G02F 1/141 C23C 14 / 00-14/58 C23C 16/00-16/56

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】SiXYZ(X+Y+Z=1)で示され
る組成物を含む薄膜およびDLC薄膜からなる積層膜を
用いた液晶表示装置であって、 前記SiXYZ(X+Y+Z=1)で示される組成物
を含む薄膜またはDLC薄膜にはハロゲンまたはリンが
含まれていることを特徴とする液晶表示装置
1. A liquid crystal display device using a laminated film composed of a thin film containing a composition represented by Si X C Y O Z (X + Y + Z = 1) and a DLC thin film, wherein the X C Y O Z (X + Y + Z) = liquid crystal display device is a thin film or DLC film, characterized in that it contains the halogen or phosphorus containing composition represented by 1).
【請求項2】炭素と酸素と珪素を含む薄膜およびDLC
薄膜からなる積層膜を用いた液晶表示装置であって、 前記炭素と酸素と珪素を含む薄膜またはDLC薄膜には
ハロゲンまたはリンが含まれていることを特徴とする
晶表示装置
2. A thin film containing carbon, oxygen and silicon and a DLC.
A liquid crystal display device using a laminated film of a thin film, liquid in thin film or DLC film containing the carbon, oxygen and silicon characterized in that it contains halogen or phosphorus
Crystal display device .
【請求項3】請求項2において、前記炭素と酸素と珪素
を含む薄膜は炭素を含む酸化珪素薄膜であることを特徴
とする液晶表示装置
3. A liquid crystal display device according to claim 2, wherein said thin film containing carbon, oxygen and silicon is a silicon oxide thin film containing carbon.
【請求項4】請求項1乃至請求項3のいずれか一におい
て、前記積層膜は200nm以下の膜厚であることを特
徴とする液晶表示装置
4. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein said laminated film has a thickness of 200 nm or less.
【請求項5】請求項1乃至請求項4のいずれか一におい
て、前記液晶表示装置は強誘電性液晶を有することを特
徴とする液晶表示装置
5. A any one of claims 1 to 4, a liquid crystal display device wherein the liquid crystal display device having a ferroelectric liquid crystal.
【請求項6】請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載
の前記液晶表示装置を具備することを特徴とする電気器
具。
6. claimed in any one of claims 1 to 5
An electric device comprising the liquid crystal display device
Utensils.
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