JP3053332B2 - Resin sealing method for semiconductor device - Google Patents

Resin sealing method for semiconductor device

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JP3053332B2
JP3053332B2 JP6100714A JP10071494A JP3053332B2 JP 3053332 B2 JP3053332 B2 JP 3053332B2 JP 6100714 A JP6100714 A JP 6100714A JP 10071494 A JP10071494 A JP 10071494A JP 3053332 B2 JP3053332 B2 JP 3053332B2
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molten resin
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semiconductor device
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、リードフレーム上に搭
載された半導体装置の樹脂封止方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin sealing method for a semiconductor device mounted on a lead frame.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC等の半導体製品は、通常リードフレ
ームの中央に形成された半導体搭載部に半導体素子を載
置し、周囲のインナーリードとの間のワイヤボンディン
グを行った後、金型のキャビティ内に入れて樹脂封止さ
れている。そして、この樹脂封止に際しては、例えば特
開平3−263840号公報に記載のように、キャビテ
ィに通じるゲート部及び該ゲート部とは対向するキャビ
ティ外にエアベントを設け、前記キャビティ内のエアを
前記エアベントから排出しながら、前記ゲート部から溶
融樹脂を封入するようにしている。
2. Description of the Related Art A semiconductor product such as an IC usually has a semiconductor element mounted on a semiconductor mounting portion formed at the center of a lead frame, and wire bonding with surrounding inner leads is performed. The resin is sealed in the cavity. Then, at the time of this resin sealing, for example, as described in JP-A-3-263840, a gate portion communicating with the cavity and an air vent provided outside the cavity opposed to the gate portion are provided, and the air in the cavity is blown by the air. The molten resin is sealed from the gate portion while discharging from the air vent.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記樹
脂封止においては樹脂封止用のゲート部が一箇所である
ため、溶融樹脂はゲート部の開口部分では対角線方向に
流れが速くなる傾向があり、平面視して略四角形のキャ
ビティ内の上下及び周囲まで均等に樹脂を封入すること
が困難であるという問題があった。また、キャビティの
外側に設けられたエアベントに向かってキャビティ内の
エアは流れるが、これに伴って溶融樹脂も流れ込み、エ
アが充分に抜けきらない内に溶融樹脂がエアベント内に
流れ込むと、エアベントが樹脂で詰まり、キャビティ内
にエアが残るという問題があった。そこで、従来はゲー
ト部から注入された樹脂が均等にキャビティに充填され
るように、ゲート部の形状を変えることによって溶融樹
脂の流れを制御し、キャビティ内に溶融樹脂が完全に充
填されているようにしていたが、ゲート部による制御は
難しく、充分でなかった。本発明はかかる事情に鑑みて
なされたもので、キャビティ内の樹脂封止が略完全に行
なえる半導体装置の樹脂封止方法を提供することを目的
とする。
However, since there is only one gate portion for resin sealing in the resin sealing, the molten resin tends to flow diagonally faster at the opening of the gate portion. However, there has been a problem that it is difficult to uniformly fill the resin up, down, and around the substantially rectangular cavity in plan view. In addition, although the air in the cavity flows toward the air vent provided outside the cavity, the molten resin also flows along with this, and if the molten resin flows into the air vent before the air can not be sufficiently removed, the air vent will There is a problem that the resin is clogged and air remains in the cavity. Therefore, conventionally, the flow of the molten resin is controlled by changing the shape of the gate portion so that the resin injected from the gate portion is evenly filled in the cavity, and the molten resin is completely filled in the cavity. However, the control by the gate was difficult and not sufficient. The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a resin sealing method for a semiconductor device in which resin sealing in a cavity can be performed almost completely.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項1
記載の半導体装置の樹脂封止方法は、溶融樹脂の流入口
となるゲート部を設けた封止金型のキャビティに半導体
素子を搭載したリードフレームを保持した状態で、前記
ゲート部より前記キャビティ内に溶融樹脂を注入して樹
脂封止する半導体装置の樹脂封止方法において、前記リ
ードフレームの一部で前記ゲート部の開口に近接する位
置に、前記ゲート部の開口よりキャビティ内部に流入す
る溶融樹脂の主流れに対向する低融点ガラスの整流用突
起を設けて、溶融樹脂に流れ抵抗を与えながらキャビテ
ィ内に流入させ、更に、前記整流用突起の形状は平面的
に見て流れ方向に直交する直線状、逆V字状又はV字状
である。また、請求項2記載の半導体装置の樹脂封止方
法は、溶融樹脂の流入口となるゲート部とキャビティ内
のエアを排出するエアベントとを設けた金型の前記キャ
ビティ内部に半導体素子を搭載したリードフレームを保
持した状態で、前記ゲート部から前記キャビティ内に溶
融樹脂を注入して樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方
法において、前記リードフレームの一部で前記エアベン
トの開口部に近接する位置に、前記エアベントの開口部
に前記キャビティ内より流出するエア流に対向する低融
点ガラスの整流用突起を設け、前記キャビティ内から前
記エアベントに向かって流れようとする前記溶融樹脂に
流れ抵抗を与え、更に、前記リードフレームの一部で前
記ゲート部の開口に近接する位置に、前記ゲート部の開
口よりキャビティ内部に流入する溶融樹脂の主流れに対
向して流れ抵抗を与える低融点ガラスの整流用突起が更
に設けられている。請求項3記載の半導体装置の樹脂封
止方法は、溶融樹脂の流入口となるゲート部とキャビテ
ィ内のエアを排出するエアベントとを設けた金型の前記
キャビティ内部に半導体素子を搭載したリードフレーム
を保持した状態で、前記ゲート部から前記キャビティ内
に溶融樹脂を注入して樹脂封止する半導体装置の樹脂封
止方法において、前記リードフレームの一部で前記エア
ベントの開口部に近接する位置に、前記エアベントの開
口部に前記キャビティ内より流出するエア流に対向する
低融点ガラスの整流用突起を設け、前記キャビティ内か
ら前記エアベントに向かって流れようとする前記溶融樹
脂に流れ抵抗を与え、更に、前記整流用突起の形状は平
面的に見て流れ方向に直交する直線状、逆V字状又はV
字状である。そして、請求項4記載の半導体装置の樹脂
封止方法は、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導
体装置の樹脂封止方法において、前記整流用突起はスク
リーン印刷法によって形成されている。
According to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising:
The resin sealing method for a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, while holding a lead frame on which a semiconductor element is mounted in a cavity of a sealing mold provided with a gate serving as an inlet for molten resin, In a resin sealing method for a semiconductor device in which a molten resin is injected into a semiconductor device, the molten resin flows into a cavity through an opening of the gate portion at a position close to the opening of the gate portion in a part of the lead frame. A rectifying projection made of low-melting glass opposed to the main flow of the resin is provided and flows into the cavity while giving flow resistance to the molten resin. Further, the shape of the rectifying projection is orthogonal to the flow direction in a plan view. Linear, inverted V-shaped or V-shaped. According to a second aspect of the present invention, there is provided a resin sealing method for a semiconductor device, wherein a semiconductor element is mounted inside the cavity of a mold provided with a gate portion serving as an inlet for molten resin and an air vent for discharging air in the cavity. In a resin sealing method for a semiconductor device in which a molten resin is injected from the gate portion into the cavity while the lead frame is held, and the resin is sealed, a part of the lead frame is close to the opening of the air vent. At the position, a rectifying projection of low-melting glass facing the air flow flowing out of the cavity is provided at the opening of the air vent, and a flow resistance is applied to the molten resin that is going to flow from the cavity toward the air vent. Further, at a position close to the opening of the gate portion in a part of the lead frame, the current flows into the cavity through the opening of the gate portion. Rectifying protrusion of the low melting point glass is further provided opposite to the main flow of the molten resin gives a flow resistance to. 4. The method according to claim 3, wherein the mold is provided with a gate portion serving as an inlet for molten resin and an air vent for discharging air from the cavity. In a resin sealing method for a semiconductor device in which molten resin is injected from the gate portion into the cavity while sealing the resin, the resin is sealed at a position close to the opening of the air vent in a part of the lead frame. Providing a rectifying projection of low-melting glass facing the air flow flowing out of the cavity at the opening of the air vent, to provide a flow resistance to the molten resin that is going to flow from the cavity toward the air vent, Further, the shape of the rectifying projection may be linear, inverted V-shaped or V
It is shaped like a letter. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a resin sealing method for a semiconductor device according to any one of the first to third aspects, wherein the rectifying projection is formed by a screen printing method. I have.

【0005】[0005]

【作用】請求項1記載の半導体装置の樹脂封止方法にお
いては、リードフレームの一部でゲート部の開口よりキ
ャビティ内部に、キャビティ内に流入する溶融樹脂の主
流れに対向して流れ抵抗を与える低融点ガラスの整流用
突起を設けているので、これによってゲート部の開口か
らキャビティ内に流入した溶融樹脂の主流部は、前記整
流用突起に当たり、これによって両側に広がり、キャビ
ティ内に円滑に溶融樹脂が充填される。そして、請求項
2、3記載の半導体装置の樹脂封止方法においては、リ
ードフレームの一部でキャビティ外に形成されたエアベ
ントの開口部に近接する位置に、キャビティ内より流出
するエアの流れに対向して低融点ガラスの整流用突起を
設け、前記キャビティ内を流れる前記溶融樹脂を前記整
流用突起によって流れ抵抗を与えるようにしているの
で、エアベントに向けて流れる樹脂の速力を落とし、こ
れによって該エアベントが溶融樹脂で閉塞されるのを防
止して、エアの排出を図り、内部に気泡等の発生を防止
している。特に、請求項2記載の半導体装置の樹脂封止
方法においては、キャビティ内のゲート部近傍、エアベ
ントの近傍に整流用突起が設けられているので、キャビ
ティ内を急速に流れようとする溶融樹脂に抵抗を与えて
より均等にキャビティ内に樹脂が充填されるようにして
いる。特に、請求項4記載の半導体装置の樹脂封止方法
においては、整流用突起をスクリーン印刷法によって形
成しているので、自由の形状の整流用突起が形成でき
る。
In the resin sealing method for a semiconductor device according to the first aspect of the present invention, the flow resistance is reduced in a part of the lead frame into the inside of the cavity from the opening of the gate portion in opposition to the main flow of the molten resin flowing into the cavity. Since the rectifying projections of the low-melting glass to be provided are provided, the main flow portion of the molten resin which has flowed into the cavity from the opening of the gate portion hits the rectifying projections and thereby spreads on both sides, thereby smoothly entering the cavity. The molten resin is filled. In the resin sealing method for a semiconductor device according to the second and third aspects, the flow of air flowing out of the cavity is set at a position close to the opening of the air vent formed outside the cavity in a part of the lead frame. A rectifying projection made of low-melting glass is provided to oppose, so that the molten resin flowing in the cavity is given a flow resistance by the rectifying projection, so that the speed of the resin flowing toward the air vent is reduced, whereby The air vent is prevented from being clogged with the molten resin to discharge air and to prevent the generation of air bubbles and the like inside. In particular, in the resin sealing method for a semiconductor device according to the second aspect, since the rectifying projection is provided near the gate portion in the cavity and near the air vent, it is possible to reduce the flow rate of the molten resin in the cavity. The resin is more uniformly filled into the cavity by giving resistance. In particular, in the resin sealing method for a semiconductor device according to the fourth aspect, since the rectifying projection is formed by the screen printing method, a free-form rectifying projection can be formed.

【0006】[0006]

【実施例】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図1は本発明の第1の実施例に係る半導体
装置の樹脂封止方法を適用したリードフレームの平面
図、図2は同部分側面図、図3は整流用突起の他の例を
示す部分平面図、図4は本発明の第2の実施例に係る半
導体装置の樹脂封止方法を適用したリードフレームの平
面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments embodying the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention. FIG. 1 is a plan view of a lead frame to which a resin sealing method for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention is applied, FIG. 2 is a partial side view thereof, and FIG. 3 is another example of a rectifying projection. FIG. 4 is a plan view of a lead frame to which a resin sealing method for a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention is applied.

【0007】図1に示すように、本発明の第1の実施例
に係る半導体装置の樹脂封止方法を適用したリードフレ
ーム10は、周囲のアウターリード11及び内側のイン
ナーリード12からなって、該インナーリード12の内
側に絶縁層を介して設けられたヒートシンク13上には
半導体素子14が搭載され、周囲のインナーリード12
とは図示しないワイヤボンディングが行われている。
As shown in FIG. 1, a lead frame 10 to which a resin sealing method for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention is applied comprises a peripheral outer lead 11 and an inner inner lead 12. A semiconductor element 14 is mounted on a heat sink 13 provided on the inside of the inner lead 12 via an insulating layer.
Means that wire bonding (not shown) is performed.

【0008】そして、樹脂封止用金型に挿入した場合、
図1に示すように領域Aの部分が金型によって囲まれる
樹脂封止部となり、該金型によって形成されるキャビテ
ィ内に樹脂を注入するゲート部の開口15に相当する位
置Bの正面側には整流用突起16が設けられている。こ
の整流用突起16、17は前記ゲート部がシングルゲー
トの場合には、図2に示すように、側面視して厚みが約
0.25mm程度のインナーリード12の上に0.5m
m程度の高さで突出し、下部側の整流用突起17の方が
上部に形成された整流用突起16より流れ方向後退位置
に形成されている。
When inserted into a resin sealing mold,
As shown in FIG. 1, a portion of the region A becomes a resin sealing portion surrounded by a mold, and is located on a front side of a position B corresponding to an opening 15 of a gate portion for injecting a resin into a cavity formed by the mold. Is provided with a rectifying projection 16. When the gate portion is a single gate, as shown in FIG. 2, the rectification projections 16 and 17 are placed 0.5 m above the inner lead 12 having a thickness of about 0.25 mm in side view.
The rectifying projection 17 on the lower side is formed at a position retracted in the flow direction from the rectifying projection 16 formed on the upper side.

【0009】図2に示すように、リードフレーム10の
上部に形成された開口15からキャビティ18内に流れ
こむ正面流、即ち対角線方向に流れる溶融樹脂に抵抗を
与えて周囲に拡散し、更に下側のキャビティ18に回っ
た溶融樹脂にも後部位置で抵抗を与えて、対角線方向だ
けでなく周囲にも溶融樹脂を均等に流すようにしてい
る。
As shown in FIG. 2, the frontal flow flowing into the cavity 18 from the opening 15 formed in the upper portion of the lead frame 10, that is, the molten resin flowing in the diagonal direction is diffused to the surroundings by giving resistance, and further downward. Resistance is also given to the molten resin that has flowed into the cavity 18 on the side at the rear portion, so that the molten resin flows evenly not only in the diagonal direction but also in the surroundings.

【0010】なお、前記整流用突起16、17の平面形
状は、前述のように平面視してV字状にすることによっ
て、溶融樹脂に対する抵抗を大きくすることができる
が、半導体装置の状況に合わせて図3の(A)、
(B)、(C)、(D)にそれぞれ示すように、平面視
して三角形状の整流用突起19、平面視して直角折れ曲
がり形状の整流用突起20、平面視して受皿断面形状の
整流用突起21あるいは平面視して樹脂の流れに直交す
る線分状の整流用突起22とすることもできる。
Although the rectifying projections 16 and 17 are formed in a V-shape in plan view as described above, the resistance to the molten resin can be increased. In addition, FIG.
As shown in (B), (C), and (D), a rectifying projection 19 having a triangular shape in plan view, a rectifying projection 20 having a right-angled bent shape in plan view, and a tray cross-sectional shape in plan view. The rectifying projection 21 or a straight line-shaped rectifying projection 22 which is orthogonal to the flow of the resin in plan view can also be used.

【0011】前記整流用突起16、17、19〜22を
インナーリード12上に形成する場合には、低融点ガラ
スの粉末と接着剤とを混合してゲル状物を作り、これを
スクリーン印刷によってリードフレーム状の所定の形状
で載せ、次に焼成して接着剤を除去すると共に低融点ガ
ラスを焼成して固める方法によって行い、これによって
自由な形状の整流用突起が形成できると共に隣合うイン
ナーリード12を保持する作用もある。また、リードフ
レームのワイヤボンディング部の外側に枠状あるいは線
状の整流用突起を設けることも可能であり、これによっ
て溶融樹脂流の流れにブレーキをかけてワイヤの曲がり
を防止することや、搭載された半導体阻止の影になる部
分に空隙等を防止できる。
When the rectifying projections 16, 17, 19 to 22 are formed on the inner leads 12, a low melting glass powder and an adhesive are mixed to form a gel, which is screen-printed. It is mounted in a predetermined shape of a lead frame, then fired to remove the adhesive and fired and solidified the low melting point glass, whereby free-form rectifying projections can be formed and adjacent inner leads It also has the effect of retaining the number 12. It is also possible to provide a frame-shaped or linear rectifying projection on the outside of the wire bonding part of the lead frame, thereby applying a brake to the flow of the molten resin flow to prevent bending of the wire or mounting. A void or the like can be prevented in a portion that becomes a shadow of the semiconductor blocking performed.

【0012】次に、本発明の第2の実施例に係る半導体
装置の樹脂封止方法を適用したリードフレーム24につ
いて図4を参照しながら説明すると、ゲート部25とは
異なる角部外側の3位置の金型に設けられたエアベント
26〜28の手前側のインナーリード29上にも、整流
用突起30〜32が設けられている。この整流用突起3
0〜32はエアベント方向に対して直行する線分状とな
っているが、前記第1の実施例において説明した整流用
突起と同一形状であることも可能である。また、前記ゲ
ート部25の開口近くには、前述した整流用突起16、
17又は19〜22と同一構造で同一の作用効果を発揮
する整流用突起33が設けられている。
Next, a lead frame 24 to which a resin sealing method for a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention is applied will be described with reference to FIG. Rectifying projections 30 to 32 are also provided on the inner lead 29 on the front side of the air vents 26 to 28 provided in the mold at the position. This rectifying projection 3
Although 0 to 32 are linear segments perpendicular to the air vent direction, they may have the same shape as the rectifying projections described in the first embodiment. In addition, near the opening of the gate portion 25, the aforementioned rectifying projection 16,
A rectifying projection 33 having the same structure and the same operation and effect as 17 or 19 to 22 is provided.

【0013】前記整流用突起30〜33は、低融点ガラ
スで構成され、隣合うインナーリード29をブリッジし
ながら表裏にリードフレームより少しの距離突出して形
成されている。前記整流用突起33は中央の素子搭載部
34のサポートリード35の絶縁支持も合わせて行って
いる。なお、図4において36は半導体素子を示す。
The rectifying projections 30 to 33 are made of low-melting glass, and are formed so as to protrude a small distance from the lead frame on the front and back surfaces while bridging the adjacent inner leads 29. The rectifying projections 33 also support the support leads 35 of the central element mounting portion 34 in an insulating manner. In FIG. 4, reference numeral 36 denotes a semiconductor element.

【0014】なお、前記第2の実施例に適用した整流用
突起30〜32を前記第1の実施例に示すリードフレー
ム上に形成することも可能である。
The rectifying projections 30 to 32 applied to the second embodiment can be formed on the lead frame shown in the first embodiment.

【0015】[0015]

【発明の効果】請求項1記載の半導体装置の樹脂封止方
法においては、リードフレームの一部にキャビティ内に
流入する溶融樹脂の主流れに対向して流れ抵抗を与える
低融点ガラスの整流用突起を設けているので、これによ
ってゲート部の開口からキャビティ内に流入した溶融樹
脂はキャビティ内に均等・円滑に充填される。これによ
って、内部に気泡等の欠陥の少ない半導体装置を提供で
きる。そして、請求項2、3記載の半導体装置の樹脂封
止方法においては、エアベントの手前側に低融点ガラス
の整流用突起を設けているので、これによってキャビテ
ィ内に溶融樹脂がエアを含んだ状態で閉塞されることが
なく、結果として気泡等の欠陥の少ない半導体装置を提
供できる。また、請求項1〜4記載の半導体装置の樹脂
封止方法においては、整流用突起に低融点ガラスを用い
ているので、絶縁性が良く、封止樹脂等の溶解温度には
影響を受けることがなく、更には内側に配置されたリー
ドのサポートも合わせて行うという効果を有する。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for rectifying a low-melting point glass which provides a flow resistance to a main flow of a molten resin flowing into a cavity in a part of a lead frame. Since the projection is provided, the molten resin flowing into the cavity from the opening of the gate portion is uniformly and smoothly filled in the cavity. Thus, a semiconductor device having few defects such as bubbles inside can be provided. In the resin sealing method for a semiconductor device according to the second and third aspects, the rectifying projection of low melting point glass is provided on the front side of the air vent, so that the molten resin contains air in the cavity. Thus, a semiconductor device with less defects such as bubbles can be provided. Further, in the resin sealing method for a semiconductor device according to the first to fourth aspects, since the low-melting glass is used for the rectifying projection, the insulating property is good and the melting temperature of the sealing resin is affected. There is an effect that the support of the lead arranged inside is also performed together.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係る半導体装置の樹脂
封止方法を適用したリードフレームの平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a lead frame to which a resin sealing method for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention is applied.

【図2】同部分側面図である。FIG. 2 is a partial side view of the same.

【図3】整流用突起の他の例を示す部分平面図である。FIG. 3 is a partial plan view showing another example of a rectifying projection.

【図4】本発明の第2の実施例に係る半導体装置の樹脂
封止方法を適用したリードフレームの平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a lead frame to which a resin sealing method for a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:リードフレーム、11:アウターリード、12:
インナーリード、13:ヒートシンク、14:半導体素
子、15:開口、16:整流用突起、17:整流用突
起、18:キャビティ、19:整流用突起、20:整流
用突起、21:整流用突起、22:整流用突起、24:
リードフレーム、25:ゲート部、26:エアベント、
27:エアベント、28:エアベント、29:インナー
リード、30:整流用突起、31:整流用突起、32:
整流用突起、33:整流用突起、34:素子搭載部、3
5:サポートリード、36:半導体素子
10: Lead frame, 11: Outer lead, 12:
Inner lead, 13: heat sink, 14: semiconductor element, 15: opening, 16: rectifying projection, 17: rectifying projection, 18: cavity, 19: rectifying projection, 20: rectifying projection, 21: rectifying projection, 22: rectifying projection, 24:
Lead frame, 25: gate, 26: air vent,
27: air vent, 28: air vent, 29: inner lead, 30: rectifying projection, 31: rectifying projection, 32:
Rectification projection, 33: Rectification projection, 34: Element mounting part, 3
5: Support lead, 36: Semiconductor element

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 溶融樹脂の流入口となるゲート部を設け
た封止金型のキャビティに半導体素子を搭載したリード
フレームを保持した状態で、前記ゲート部より前記キャ
ビティ内に溶融樹脂を注入して樹脂封止する半導体装置
の樹脂封止方法において、 前記リードフレームの一部で前記ゲート部の開口に近接
する位置に、前記ゲート部の開口よりキャビティ内部に
流入する溶融樹脂の主流れに対向する低融点ガラスの整
流用突起を設けて、溶融樹脂に流れ抵抗を与えながらキ
ャビティ内に流入させ、 更に、前記整流用突起の形状は平面的に見て流れ方向に
直交する直線状、逆V字状又はV字状であることを特徴
とする半導体装置の樹脂封止方法。
1. A molten resin is injected from the gate portion into the cavity while a lead frame having a semiconductor element mounted thereon is held in a cavity of a sealing mold provided with a gate portion serving as an inlet for the molten resin. A resin sealing method for a semiconductor device, wherein a part of the lead frame is located at a position close to the opening of the gate portion and faces a main flow of the molten resin flowing into the cavity from the opening of the gate portion. A rectifying projection made of low-melting glass is provided so as to flow into the cavity while giving flow resistance to the molten resin. Further, the shape of the rectifying projection is a straight line which is orthogonal to the flow direction in plan view and has an inverted V shape. A resin sealing method for a semiconductor device, wherein the method is a letter shape or a V shape.
【請求項2】 溶融樹脂の流入口となるゲート部とキャ
ビティ内のエアを排出するエアベントとを設けた金型の
前記キャビティ内部に半導体素子を搭載したリードフレ
ームを保持した状態で、前記ゲート部から前記キャビテ
ィ内に溶融樹脂を注入して樹脂封止する半導体装置の樹
脂封止方法において、 前記リードフレームの一部で前記エアベントの開口部に
近接する位置に、前記エアベントの開口部に前記キャビ
ティ内より流出するエア流に対向する低融点ガラスの整
流用突起を設け、前記キャビティ内から前記エアベント
に向かって流れようとする前記溶融樹脂に流れ抵抗を与
え、 更に、前記リードフレームの一部で前記ゲート部の開口
に近接する位置に、前記ゲート部の開口よりキャビティ
内部に流入する溶融樹脂の主流れに対向して流れ抵抗を
与える低融点ガラスの整流用突起が更に設けられている
ことを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
2. A mold provided with a gate portion serving as an inlet for molten resin and an air vent for discharging air in the cavity, wherein the lead portion having a semiconductor element mounted therein is held inside the cavity. A resin sealing method for a semiconductor device, in which molten resin is injected into the cavity from the cavity, the resin sealing is performed at a position close to the opening of the air vent in a part of the lead frame. A rectifying projection made of low-melting glass opposed to the air flow flowing out from the inside, to provide a flow resistance to the molten resin which is about to flow toward the air vent from the inside of the cavity; At a position close to the opening of the gate portion, the flow is opposed to the main flow of the molten resin flowing into the cavity from the opening of the gate portion. Resin sealing method of a semiconductor device characterized by rectifying protrusions of the low-melting glass that gives resistance is further provided.
【請求項3】 溶融樹脂の流入口となるゲート部とキャ
ビティ内のエアを排出するエアベントとを設けた金型の
前記キャビティ内部に半導体素子を搭載したリードフレ
ームを保持した状態で、前記ゲート部から前記キャビテ
ィ内に溶融樹脂を注入して樹脂封止する半導体装置の樹
脂封止方法において、 前記リードフレームの一部で前記エアベントの開口部に
近接する位置に、前記エアベントの開口部に前記キャビ
ティ内より流出するエア流に対向する低融点ガラスの整
流用突起を設け、前記キャビティ内から前記エアベント
に向かって流れようとする前記溶融樹脂に流れ抵抗を与
え、 更に、前記整流用突起の形状は平面的に見て流れ方向に
直交する直線状、逆V字状又はV字状であることを特徴
とする半導体装置の樹脂封止方法。
3. A mold provided with a gate portion serving as an inlet for molten resin and an air vent for discharging air in the cavity, wherein the gate portion holds a lead frame on which a semiconductor element is mounted inside the cavity. A resin sealing method for a semiconductor device, in which molten resin is injected into the cavity from the cavity, the resin sealing is performed at a position close to the opening of the air vent in a part of the lead frame. A rectifying projection made of low-melting glass facing the air flow flowing out from the inside is provided, and a flow resistance is given to the molten resin that flows from the inside of the cavity toward the air vent. Further, the shape of the rectifying projection is A resin sealing method for a semiconductor device, wherein the resin sealing method has a linear shape, an inverted V-shape, or a V-shape orthogonal to a flow direction when viewed in a plan view.
【請求項4】 前記整流用突起はスクリーン印刷法によ
って形成される請求項1〜3のいずれか1項に記載の半
導体装置の樹脂封止方法。
4. The method according to claim 1, wherein the rectifying projection is formed by a screen printing method.
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