JP3053279B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JP3053279B2 JP3053279B2 JP32433591A JP32433591A JP3053279B2 JP 3053279 B2 JP3053279 B2 JP 3053279B2 JP 32433591 A JP32433591 A JP 32433591A JP 32433591 A JP32433591 A JP 32433591A JP 3053279 B2 JP3053279 B2 JP 3053279B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、帯電破壊を低減する液
晶表示素子に関する。
晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置の大型化への進展が
著しく、一方はサイズの大きいカラーテレビ用パネルを
製品化し応用分野を拡大する方向で、他方はラップトッ
プ型を代表とするパーソナル・コンピュータ分野への応
用する方向であり、特にパーソナル・コンピュータ分野
では１０インチ級の開発が主流である。
著しく、一方はサイズの大きいカラーテレビ用パネルを
製品化し応用分野を拡大する方向で、他方はラップトッ
プ型を代表とするパーソナル・コンピュータ分野への応
用する方向であり、特にパーソナル・コンピュータ分野
では１０インチ級の開発が主流である。
【０００３】また、液晶表示装置は、液晶の表示形態に
より、単純マトリクス型とアクティブマトリクス型の２
つに分けられ、さらに、アクティブマトリクス型は薄膜
トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いた３端子
型と非線形ダイオードを用いた２端子型とに分けられ
る。
より、単純マトリクス型とアクティブマトリクス型の２
つに分けられ、さらに、アクティブマトリクス型は薄膜
トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いた３端子
型と非線形ダイオードを用いた２端子型とに分けられ
る。
【０００４】一方、画面サイズが大型化するに従って、
小型には見られない種々の問題が発生してくる。たとえ
ば、配線抵抗の大きさが無視できなくなるため、駆動
上、画面の上下でシェーディングが起きてしまう。
小型には見られない種々の問題が発生してくる。たとえ
ば、配線抵抗の大きさが無視できなくなるため、駆動
上、画面の上下でシェーディングが起きてしまう。
【０００５】このため、多層構造の配線により抵抗の低
減化が図られているが、この多層構造による場合には、
露光回数が増えることになり、製造工程が複雑化し、望
ましいものではない。また、他の解決策として画面の駆
動をＹアドレス方向の２つの領域に分割して駆動する方
法があるが、この画面の駆動をＹアドレス方向の２つの
領域に分割する方法は、単純マトリクス型とアクティブ
マトリクス型の２端子型とに多く見られる。このＹアド
レス方向を２つの領域に分割して駆動する場合は、画面
中心領域のシェーディングは無視できるようになる。
減化が図られているが、この多層構造による場合には、
露光回数が増えることになり、製造工程が複雑化し、望
ましいものではない。また、他の解決策として画面の駆
動をＹアドレス方向の２つの領域に分割して駆動する方
法があるが、この画面の駆動をＹアドレス方向の２つの
領域に分割する方法は、単純マトリクス型とアクティブ
マトリクス型の２端子型とに多く見られる。このＹアド
レス方向を２つの領域に分割して駆動する場合は、画面
中心領域のシェーディングは無視できるようになる。
【０００６】そして、非線形素子として金属にタンタル
（Ｔａ）を使用したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal ）
素子を図２を参照して説明する。なお、金属としてタン
タル（Ｔａ）を使用したＭＩＭ素子は、非線形素子のな
かでは唯一実用化されている。
（Ｔａ）を使用したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal ）
素子を図２を参照して説明する。なお、金属としてタン
タル（Ｔａ）を使用したＭＩＭ素子は、非線形素子のな
かでは唯一実用化されている。
【０００７】この図２に示すＭＩＭ素子は、透光性基板
１上に酸化シリコン膜などのコーティング膜を施し、金
属膜として厚さ３０００オングストロームのタンタルを
スパッタ法で形成する。この金属膜形成後、第１の方向
に沿ったバスラインB1，B2，B3，…として、第１の方向
に直交する第２の方向の左右方向のＸアドレス方向にス
トライプ状に形成する。このとき、上下方向であるバス
ラインB1，B2，B3，…のＹアドレス方向のほぼ中心に、
ドライエッチングでセンターラインC1，C2，C3，…を設
け、バスラインB1，B2，B3，…をＹアドレス方向に上下
に第１のバスライン領域を形成するバスラインB11 ，B2
1 ，B31 ，…および第２のバスライン領域を形成するバ
スラインB12 ，B22 ，B32 に２分割する。
１上に酸化シリコン膜などのコーティング膜を施し、金
属膜として厚さ３０００オングストロームのタンタルを
スパッタ法で形成する。この金属膜形成後、第１の方向
に沿ったバスラインB1，B2，B3，…として、第１の方向
に直交する第２の方向の左右方向のＸアドレス方向にス
トライプ状に形成する。このとき、上下方向であるバス
ラインB1，B2，B3，…のＹアドレス方向のほぼ中心に、
ドライエッチングでセンターラインC1，C2，C3，…を設
け、バスラインB1，B2，B3，…をＹアドレス方向に上下
に第１のバスライン領域を形成するバスラインB11 ，B2
1 ，B31 ，…および第２のバスライン領域を形成するバ
スラインB12 ，B22 ，B32 に２分割する。
【０００８】そして、これらセンターラインC1，C2，C
3，…の位置は、隣り合うバスライン、たとえばバスラ
インB11 とバスラインB12 とでは異なる位置に、１つお
きのバスライン、たとえばバスラインB11 とバスライン
B13 では同じ位置になるように設置する。すなわち、直
線的な分割配置の場合は、画面上に１本の線として視認
できるため画質上好ましくないので、バスラインB11 ，
B12 ，B13 ，…は、センターラインC1，C2，C3，…の長
手方向に対して交互に上下に位置するように、いわゆる
千鳥足配置になっている。
3，…の位置は、隣り合うバスライン、たとえばバスラ
インB11 とバスラインB12 とでは異なる位置に、１つお
きのバスライン、たとえばバスラインB11 とバスライン
B13 では同じ位置になるように設置する。すなわち、直
線的な分割配置の場合は、画面上に１本の線として視認
できるため画質上好ましくないので、バスラインB11 ，
B12 ，B13 ，…は、センターラインC1，C2，C3，…の長
手方向に対して交互に上下に位置するように、いわゆる
千鳥足配置になっている。
【０００９】また、各々のバスラインB11 ，B12 ，B13
，…，B21 ，B22 ，B23 ，…には、各Ｙアドレスに相
当する位置に、ＭＩＭダイオード２を形成するアノード
３も各々のバスラインB11 ，B12 ，B13 ，…，B21 ，B2
2 ，B23 ，…から突出して一緒に形成される。次に、陽
極酸化法によりバスラインB11 ，B12 ，B13 ，…，B2
1，B22 ，B23 ，…を含みタンタル膜を全面に形成す
る。そして、対向金属４をアノード３と直交するように
エッチングして形成する。
，…，B21 ，B22 ，B23 ，…には、各Ｙアドレスに相
当する位置に、ＭＩＭダイオード２を形成するアノード
３も各々のバスラインB11 ，B12 ，B13 ，…，B21 ，B2
2 ，B23 ，…から突出して一緒に形成される。次に、陽
極酸化法によりバスラインB11 ，B12 ，B13 ，…，B2
1，B22 ，B23 ，…を含みタンタル膜を全面に形成す
る。そして、対向金属４をアノード３と直交するように
エッチングして形成する。
【００１０】次に、画素電極５としてＩＴＯ（Indium T
in Oxide）膜を、アノード３の周囲を切り欠いた矩形状
に形成する。このとき、バスラインB11 ，B12 ，B13 ，
…，B21 ，B22 ，B23 ，…と画素電極５との最近接距離
は１０μｍで、Ｙアドレス方向に隣り合う画素電極５間
の距離は２０μｍで，この画素電極５間の距離２０μｍ
は、センターラインC1，C2，C3，…に限らず、全画面同
じ間隔に配置される。
in Oxide）膜を、アノード３の周囲を切り欠いた矩形状
に形成する。このとき、バスラインB11 ，B12 ，B13 ，
…，B21 ，B22 ，B23 ，…と画素電極５との最近接距離
は１０μｍで、Ｙアドレス方向に隣り合う画素電極５間
の距離は２０μｍで，この画素電極５間の距離２０μｍ
は、センターラインC1，C2，C3，…に限らず、全画面同
じ間隔に配置される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
構成の場合、センターラインC1，C2，C3，…に沿って、
帯電破壊が起き易い問題を有している。
構成の場合、センターラインC1，C2，C3，…に沿って、
帯電破壊が起き易い問題を有している。
【００１２】すなわち、画素電極５は各々独立している
ので、バスラインB1，B2，B3，…をアースに落として
も、電気的には浮いているので静電気の影響を極めて受
けやすく、バスラインB11 ，B12 ，B13 ，…，B21 ，B2
2 ，B23 ，…は画素電極５の領域外では結線されていて
も抵抗値が高いために、センターラインC1，C2，C3，…
近傍のバスラインB11 ，B12 ，B13 ，…，B21 ，B22 ，
B23 ，…間で電位差を生じ、絶縁破壊が容易に起こる。
ので、バスラインB1，B2，B3，…をアースに落として
も、電気的には浮いているので静電気の影響を極めて受
けやすく、バスラインB11 ，B12 ，B13 ，…，B21 ，B2
2 ，B23 ，…は画素電極５の領域外では結線されていて
も抵抗値が高いために、センターラインC1，C2，C3，…
近傍のバスラインB11 ，B12 ，B13 ，…，B21 ，B22 ，
B23 ，…間で電位差を生じ、絶縁破壊が容易に起こる。
【００１３】また、静電気はアレイ工程のみならず、次
工程であるセル組み立て工程でも発生し易く、歩留まり
低下の大きな要因となっている。
工程であるセル組み立て工程でも発生し易く、歩留まり
低下の大きな要因となっている。
【００１４】そして、放電経路を調べた結果、図２に示
すようにａ→ｂ→ｃ→ｄの経路、または、逆のｄ→ｃ→
ｂ→ａの経路を通過して放電し、ＭＩＭダイオード２が
破壊されることが判明した。これは、センターラインC
1，C2，C3，…では、下側のバスラインB21 ，B22 ，B23
，…に接続されている画素電極５と、上側バスラインB
11 ，B12 ，B13 ，…とが最隣接していることに拠って
いる。したがって、帯電破壊を改善するためには、他の
特性を損なうことなく最隣接距離をできるだけ広げる対
策が必要である。
すようにａ→ｂ→ｃ→ｄの経路、または、逆のｄ→ｃ→
ｂ→ａの経路を通過して放電し、ＭＩＭダイオード２が
破壊されることが判明した。これは、センターラインC
1，C2，C3，…では、下側のバスラインB21 ，B22 ，B23
，…に接続されている画素電極５と、上側バスラインB
11 ，B12 ，B13 ，…とが最隣接していることに拠って
いる。したがって、帯電破壊を改善するためには、他の
特性を損なうことなく最隣接距離をできるだけ広げる対
策が必要である。
【００１５】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、帯電破壊を低減させる液晶表示素子を提供すること
を目的とする。
で、帯電破壊を低減させる液晶表示素子を提供すること
を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
素子は、それぞれ第１の方向に沿って配置される複数本
のバスラインと、スイッチング用の非線形素子と、前記
バスラインに前記非線形素子を介して電気的に接続され
る画素電極とを備えた液晶表示装置において、前記バス
ラインは、それぞれ前記第１の方向とほぼ直交する第２
の方向に第１のバスライン領域および第２のバスライン
領域に分割され、前記第１のバスライン領域および第２
のバスライン領域間に第３のバスライン領域が配置され
るものである。
素子は、それぞれ第１の方向に沿って配置される複数本
のバスラインと、スイッチング用の非線形素子と、前記
バスラインに前記非線形素子を介して電気的に接続され
る画素電極とを備えた液晶表示装置において、前記バス
ラインは、それぞれ前記第１の方向とほぼ直交する第２
の方向に第１のバスライン領域および第２のバスライン
領域に分割され、前記第１のバスライン領域および第２
のバスライン領域間に第３のバスライン領域が配置され
るものである。
【００１７】請求項２記載の液晶表示素子は、請求項１
記載の液晶表示素子において、第３ のバスライン領域
は、第２の方向に対して千鳥状に配置されるものであ
る。
記載の液晶表示素子において、第３ のバスライン領域
は、第２の方向に対して千鳥状に配置されるものであ
る。
【００１８】請求項３記載の液晶表示素子は、請求項１
または２記載の液晶表示素子において、第３のバスライ
ン領域は、第１の方向に隣接する画素電極間に対応する
領域に配置されるものである。
または２記載の液晶表示素子において、第３のバスライ
ン領域は、第１の方向に隣接する画素電極間に対応する
領域に配置されるものである。
【００１９】
【作用】請求項１記載の液晶表示素子は、バスライン
は、それぞれ第１の方向とほぼ直交する第２の方向に第
１のバスライン領域および第２のバスライン領域に分割
され、第１のバスライン領域および第２のバスライン領
域間に第３のバスライン領域が配置されるため、第１の
バスライン領域および第２のバスライン領域の第３のバ
スライン領域によりバスラインおよび画素電極の電気的
な最短距離が長くなり、電界強度が小さくなるので、帯
電破壊しにくい。
は、それぞれ第１の方向とほぼ直交する第２の方向に第
１のバスライン領域および第２のバスライン領域に分割
され、第１のバスライン領域および第２のバスライン領
域間に第３のバスライン領域が配置されるため、第１の
バスライン領域および第２のバスライン領域の第３のバ
スライン領域によりバスラインおよび画素電極の電気的
な最短距離が長くなり、電界強度が小さくなるので、帯
電破壊しにくい。
【００２０】請求項２記載の液晶表示素子は、請求項１
記載の液晶表示素子において、第３のバスライン領域
は、第２の方向に対して千鳥状に配置されるため、視認
性を低下させることを防止する。
記載の液晶表示素子において、第３のバスライン領域
は、第２の方向に対して千鳥状に配置されるため、視認
性を低下させることを防止する。
【００２１】請求項３記載の液晶表示素子は、請求項１
または２記載の液晶表示素子において、第３のバスライ
ン領域は、第１の方向に隣接する画素電極間に対応する
領域に配置されるため、対応する画素電極との電界強度
が充分に低下する。
または２記載の液晶表示素子において、第３のバスライ
ン領域は、第１の方向に隣接する画素電極間に対応する
領域に配置されるため、対応する画素電極との電界強度
が充分に低下する。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の液晶表示素子の一実施例を図
１を参照して説明する。なお、図２に示す従来例に対応
する部分には、同一符号を付して説明する。
１を参照して説明する。なお、図２に示す従来例に対応
する部分には、同一符号を付して説明する。
【００２３】この図１に示す液晶表示素子は、ＭＩＭ
（Metal-Insulator-Metal ）素子で、画素数がたとえば
水平１１５２×垂直９００の対角１２インチＭＩＭ液晶
表示装置であり、センターラインC1，C2，C3，…は垂直
画素数のほぼ中間である垂直４５０画素、４５１画素間
に位置する。
（Metal-Insulator-Metal ）素子で、画素数がたとえば
水平１１５２×垂直９００の対角１２インチＭＩＭ液晶
表示装置であり、センターラインC1，C2，C3，…は垂直
画素数のほぼ中間である垂直４５０画素、４５１画素間
に位置する。
【００２４】次に、この図１に示すＭＩＭ液晶表示素子
について製造工程とともに説明する。まず、透光性基板
１としては、たとえばコーニング社製 商品名７０５
９、ホヤ社製 商品名ＮＡ４０、あるいは、青板ガラス
などを用いる。また、必要によっては、予めこれら透光
性基板１上に酸化シリコン膜などのコーティング膜を施
す。
について製造工程とともに説明する。まず、透光性基板
１としては、たとえばコーニング社製 商品名７０５
９、ホヤ社製 商品名ＮＡ４０、あるいは、青板ガラス
などを用いる。また、必要によっては、予めこれら透光
性基板１上に酸化シリコン膜などのコーティング膜を施
す。
【００２５】そして、金属膜として、厚さ３０００オン
グストロームのタンタル（Ｔａ）を、スパッタ法で透光
性基板１上に形成し、この後、左右方向となるＸアドレ
ス方向に幅２０μｍのストライプでピッチ２１０μｍで
バスラインB1，B2，B3，…を形成する。さらに、バスラ
インB1，B2，B3，…の上下方向となるＹアドレス方向の
ほぼ中心である垂直４５０画素、４５１画素間に、ふっ
化炭素（ＣＦ4 ）と酸素（Ｏ2 ）との混合ガスプラズマ
によるドライエッチングで、２本ずつセンターラインC1
1 ，C12 ，C21 ，C22 ，C31 ，C32 ，…を設け、バスラ
インB1，B2，B3，…をＹアドレス方向に上下２分割す
る。そして、センターラインC11 ，C12 ，C21 ，C22 ，
C31 ，C32 ，…により、バスラインB1，B2，B3，…を、
Ｙアドレス方向に２分割するとともに、分割された間に
小さな小片となる第１のバスライン領域のバスラインB1
1 ，B21 ，B31 ，…、第２のバスライン領域のバスライ
ンB12 ，B22 ，B32 ，…および第３のバスライン領域の
バスラインB13 ，B23 ，B33，…を形成する。
グストロームのタンタル（Ｔａ）を、スパッタ法で透光
性基板１上に形成し、この後、左右方向となるＸアドレ
ス方向に幅２０μｍのストライプでピッチ２１０μｍで
バスラインB1，B2，B3，…を形成する。さらに、バスラ
インB1，B2，B3，…の上下方向となるＹアドレス方向の
ほぼ中心である垂直４５０画素、４５１画素間に、ふっ
化炭素（ＣＦ4 ）と酸素（Ｏ2 ）との混合ガスプラズマ
によるドライエッチングで、２本ずつセンターラインC1
1 ，C12 ，C21 ，C22 ，C31 ，C32 ，…を設け、バスラ
インB1，B2，B3，…をＹアドレス方向に上下２分割す
る。そして、センターラインC11 ，C12 ，C21 ，C22 ，
C31 ，C32 ，…により、バスラインB1，B2，B3，…を、
Ｙアドレス方向に２分割するとともに、分割された間に
小さな小片となる第１のバスライン領域のバスラインB1
1 ，B21 ，B31 ，…、第２のバスライン領域のバスライ
ンB12 ，B22 ，B32 ，…および第３のバスライン領域の
バスラインB13 ，B23 ，B33，…を形成する。
【００２６】したがって、センターラインC11 ，C12 ，
C21 ，C22 ，C31 ，C32 ，…は、Ｙアドレス方向の中心
線に対して非対称に設置される。すなわち、隣り合うバ
スライン、たとえばバスラインB11 ，B12 およびB13 と
バスラインB21 ，B22 およびB23 では異なる位置に、１
つおきのバスライン、たとえばバスラインB11 ，B12お
よびB13 とバスラインB31 ，B32 ，B33 では同じ位置に
なるように、幅３０μｍで設置し、いわゆる千鳥足配置
にする。このように、千鳥足配置させるのは、センター
ラインC11 ，C12 ，C21 ，C22 ，C31 ，C32 ，…を直線
的な分割配置にすると、画面上にセンターラインが１本
の線として視認できるため画質上好ましくないためであ
る。
C21 ，C22 ，C31 ，C32 ，…は、Ｙアドレス方向の中心
線に対して非対称に設置される。すなわち、隣り合うバ
スライン、たとえばバスラインB11 ，B12 およびB13 と
バスラインB21 ，B22 およびB23 では異なる位置に、１
つおきのバスライン、たとえばバスラインB11 ，B12お
よびB13 とバスラインB31 ，B32 ，B33 では同じ位置に
なるように、幅３０μｍで設置し、いわゆる千鳥足配置
にする。このように、千鳥足配置させるのは、センター
ラインC11 ，C12 ，C21 ，C22 ，C31 ，C32 ，…を直線
的な分割配置にすると、画面上にセンターラインが１本
の線として視認できるため画質上好ましくないためであ
る。
【００２７】そして、各々のバスラインB11 ，B12 ，B1
3 ，B21 ，B22 ，B23 ，B31 ，B32，B33 ，…は，各Ｙ
アドレスに相当する位置に、非線形素子であるＭＩＭダ
イオード２を形成するアノード３が突出して形成され
る。なお、各々のバスラインB11 ，B12 ，B13 ，B21 ，
B22 ，B23 ，B31 ，B32 ，B33 ，…は有効画面以外の領
域で図示しないショートリングにより結線されており、
静電気による破壊防止の対策が図られている。
3 ，B21 ，B22 ，B23 ，B31 ，B32，B33 ，…は，各Ｙ
アドレスに相当する位置に、非線形素子であるＭＩＭダ
イオード２を形成するアノード３が突出して形成され
る。なお、各々のバスラインB11 ，B12 ，B13 ，B21 ，
B22 ，B23 ，B31 ，B32 ，B33 ，…は有効画面以外の領
域で図示しないショートリングにより結線されており、
静電気による破壊防止の対策が図られている。
【００２８】次に、０．０１重量％のクエン酸を用いた
陽極酸化法により、透光性基板１のバラスインB11 ，B1
2 ，B13 ，B21 ，B22 ，B23 ，B31 ，B32 ，B33 ，…を
含む表面上に酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）膜を形成す
る。この膜厚は、酸化タンタル膜内のプールフレンケル
伝導を損なわないように、７００オングストロームとし
た。また、タンタル（Ｔａ）膜の対向金属４としては、
クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）などが選択される。こ
の選定基準としては、交流駆動するため電圧電流特性の
対称性が良く、下地の酸化タンタル膜とエッチング選択
比が大きい材料が選ばれる。本実施例ではチタンを選択
し、エッチング液は選択比の大きいエチレン−ジアミン
−テトラ酢酸、アンモニア水、過酸化水素水および純水
からなる混合液を用いた。
陽極酸化法により、透光性基板１のバラスインB11 ，B1
2 ，B13 ，B21 ，B22 ，B23 ，B31 ，B32 ，B33 ，…を
含む表面上に酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）膜を形成す
る。この膜厚は、酸化タンタル膜内のプールフレンケル
伝導を損なわないように、７００オングストロームとし
た。また、タンタル（Ｔａ）膜の対向金属４としては、
クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）などが選択される。こ
の選定基準としては、交流駆動するため電圧電流特性の
対称性が良く、下地の酸化タンタル膜とエッチング選択
比が大きい材料が選ばれる。本実施例ではチタンを選択
し、エッチング液は選択比の大きいエチレン−ジアミン
−テトラ酢酸、アンモニア水、過酸化水素水および純水
からなる混合液を用いた。
【００２９】そして、対向金属４はアノード３と直交す
るようにエッチングし、アノード３と対向金属４の交点
に５μｍ×５μｍの面積を有するＭＩＭダイオード２を
形成する。なお、ＭＩＭダイオード２はプールフレンケ
ル伝導に基づく抵抗成分と、酸化タンタルが絶縁体であ
ることに基づく容量成分を有する。
るようにエッチングし、アノード３と対向金属４の交点
に５μｍ×５μｍの面積を有するＭＩＭダイオード２を
形成する。なお、ＭＩＭダイオード２はプールフレンケ
ル伝導に基づく抵抗成分と、酸化タンタルが絶縁体であ
ることに基づく容量成分を有する。
【００３０】次に、画素電極５として透明電極であるＩ
ＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を、約２００μｍ×２００
μｍの大きさで、アノード３に対応する部分が切り欠か
れた矩形状に形成する。このとき、バスラインB11 ，B1
2 ，B13 ，B21 ，B22 ，B23，B31 ，B32 ，B33 ，…と
画素電極５との最近接距離は５μｍで、Ｙアドレス方向
に隣り合う画素電極５間の距離は２０μｍである。ま
た、画素電極５間の距離２０μｍは、センターラインに
限らず、全画面同じ間隔に配置される。
ＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を、約２００μｍ×２００
μｍの大きさで、アノード３に対応する部分が切り欠か
れた矩形状に形成する。このとき、バスラインB11 ，B1
2 ，B13 ，B21 ，B22 ，B23，B31 ，B32 ，B33 ，…と
画素電極５との最近接距離は５μｍで、Ｙアドレス方向
に隣り合う画素電極５間の距離は２０μｍである。ま
た、画素電極５間の距離２０μｍは、センターラインに
限らず、全画面同じ間隔に配置される。
【００３１】このような位置関係において、上下のバス
ラインB11 ，B12 ，B13 ，B21 ，B22 ，B23 ，B31 ，B3
2 ，B33 ，…間で、放電する場合電気的に最も近い経路
は、図１に示すように、ａ→ｂ→ｃ→ｄとなり、センタ
ーラインC11 ，C12 ，C21 ，C22 ，C31 ，C32 ，…に隣
り合う画素電極５間を通過する経路であることが判明す
る。すなわち、上記の構成にすると最短距離はバスライ
ンと画素電極間から画素電極間に移ることになる。した
がって、同一量の電荷が帯電した場合、バスラインと画
素電極の距離が５μｍ、画素電極間距離が２０μｍであ
るため、放電の電界強度は距離の２乗に反比例するの
で、1/16に低減されることになる。
ラインB11 ，B12 ，B13 ，B21 ，B22 ，B23 ，B31 ，B3
2 ，B33 ，…間で、放電する場合電気的に最も近い経路
は、図１に示すように、ａ→ｂ→ｃ→ｄとなり、センタ
ーラインC11 ，C12 ，C21 ，C22 ，C31 ，C32 ，…に隣
り合う画素電極５間を通過する経路であることが判明す
る。すなわち、上記の構成にすると最短距離はバスライ
ンと画素電極間から画素電極間に移ることになる。した
がって、同一量の電荷が帯電した場合、バスラインと画
素電極の距離が５μｍ、画素電極間距離が２０μｍであ
るため、放電の電界強度は距離の２乗に反比例するの
で、1/16に低減されることになる。
【００３２】実際、従来構成のセルと上記構成のセルと
で、帯電破壊の割合を実験的に評価した結果、従来構成
では発生率として約４０％であったものが、上記構成で
は発生率として約７％と大幅に低減させることが判明し
た。計算上は２．５％まで低減されるはずであるが、実
際と異なるのは、アレイ工程やセル工程のプロセスの変
動具合、あるいは帯電量の変動が影響しているものと思
われる。
で、帯電破壊の割合を実験的に評価した結果、従来構成
では発生率として約４０％であったものが、上記構成で
は発生率として約７％と大幅に低減させることが判明し
た。計算上は２．５％まで低減されるはずであるが、実
際と異なるのは、アレイ工程やセル工程のプロセスの変
動具合、あるいは帯電量の変動が影響しているものと思
われる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子によれば、バスラ
インは、それぞれ第１の方向とほぼ直交する第２の方向
に第１のバスライン領域および第２のバスライン領域に
分割され、第１のバスライン領域および第２のバスライ
ン領域間に第３のバスライン領域が配置されるため、電
界強度が小さくなるので帯電破壊の発生比率を大幅に低
減できる。
インは、それぞれ第１の方向とほぼ直交する第２の方向
に第１のバスライン領域および第２のバスライン領域に
分割され、第１のバスライン領域および第２のバスライ
ン領域間に第３のバスライン領域が配置されるため、電
界強度が小さくなるので帯電破壊の発生比率を大幅に低
減できる。
【図１】本発明の液晶表示素子の一実施例を示す部分平
面図である。
面図である。
【図２】従来例の液晶表示素子の一実施例を示す部分平
面図である。
面図である。
【符号の説明】２ 非線形素子としてのＭＩＭダイオード ５ 画素電極 B1，B2，B3，… バスラインB11 ，B21 ，B31 ，… 第１のバスライン領域のバス
ライン B12 ，B22 ，B32 ，… 第２のバスライン領域のバス
ライン B13 ，B23 ，B33 ，… 第３のバスライン領域のバス
ライン
ライン B12 ，B22 ，B32 ，… 第２のバスライン領域のバス
ライン B13 ，B23 ，B33 ，… 第３のバスライン領域のバス
ライン
Claims (3)
- 【請求項１】 それぞれ第１の方向に沿って配置される
複数本のバスラインと、スイッチング用の非線形素子
と、前記バスラインに前記非線形素子を介して電気的に
接続される画素電極とを備えた液晶表示装置において、 前記バスラインは、それぞれ前記第１の方向とほぼ直交
する第２の方向に第１のバスライン領域および第２のバ
スライン領域に分割され、前記第１のバスライン領域お
よび第２のバスライン領域間に第３のバスライン領域が
配置される ことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 第３のバスライン領域は、第２の方向に
対して千鳥状に配置される ことを特徴とする請求項１記
載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 第３のバスライン領域は、第１の方向に
隣接する画素電極間に対応する領域に配置される ことを
特徴とする請求項１または２記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32433591A JP3053279B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32433591A JP3053279B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158076A JPH05158076A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3053279B2 true JP3053279B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=18164635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32433591A Expired - Fee Related JP3053279B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3053279B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP32433591A patent/JP3053279B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05158076A (ja) | 1993-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |