JP3051430B2 - Microwave integrated circuit - Google Patents

Microwave integrated circuit

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JP3051430B2 JP2206334A JP20633490A JP3051430B2 JP 3051430 B2 JP3051430 B2 JP 3051430B2 JP 2206334 A JP2206334 A JP 2206334A JP 20633490 A JP20633490 A JP 20633490A JP 3051430 B2 JP3051430 B2 JP 3051430B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、コプレナ型およびユニプレナ型のマイクロ
波集積回路(MIC)に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to coplanar and uniplanar microwave integrated circuits (MICs).

なお、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)にも
本発明の適用は可能である。
The present invention can be applied to a monolithic microwave integrated circuit (MMIC).

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のマイクロ波集積回路は、マイクロストリップ線
路を用いた構成が主流となっている。
Conventional microwave integrated circuits mainly use a configuration using a microstrip line.

一方、コプレナ線路を用いた構成のマイクロ波集積回
路(文献、M.Riaziat et al,“Coplanar waveguides fo
r MMICs",Microwave Journal,pp.125−131,June 198
7)、あるいはさらに高集積化を目指すユニプレナ型の
マイクロ波集積回路(文献、M.Muraguchi et al,“Unip
lanar MMICs and their applications",IEEE Trans.Mic
rowave Theory Tech.,vol.MMT−36,pp.1896−1901,Dec.
1988)も提案されている。
On the other hand, microwave integrated circuits using coplanar waveguides (M. Riaziat et al, “Coplanar waveguides fo
r MMICs ", Microwave Journal, pp. 125-131, June 198
7) Alternatively, uniplanar microwave integrated circuits aiming at higher integration (literature, M. Muraguchi et al, “Unip
lanar MMICs and their applications ", IEEE Trans.Mic
rowave Theory Tech., vol.MMT-36, pp. 1896-1901, Dec.
1988) has also been proposed.

これらのコプレナ型やユニプレナ型のマイクロ波集積
回路は、回路基板表面に高周波グランド(接地導体)を
備えているために、接地をとるバイアホールが不要とな
り、また回路面積が小さく、集積度を高くすることが容
易である特徴を有している。したがって、このようなマ
イクロ波集積回路は、マイクロ波無線装置その他の小型
軽量化および低廉化に有望な集積回路になっている。
These coplanar and uniplanar microwave integrated circuits have a high-frequency ground (ground conductor) on the surface of the circuit board, eliminating the need for via holes for grounding, and have a small circuit area and high integration. It has features that are easy to do. Therefore, such a microwave integrated circuit has become a promising integrated circuit for reducing the size, weight, and cost of microwave radio devices and other devices.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

第3図は、回路基板表面に高周波グランドを有する従
来のマイクロ波集積回路の構成例を示す。
FIG. 3 shows a configuration example of a conventional microwave integrated circuit having a high-frequency ground on a circuit board surface.

図に示すように、符号31、32は、それぞれ回路基板33
上に形成される回路素子34の入力端子および出力端子で
ある。このような回路素子34をパッケージ、シャーシそ
の他の導体基板に実装する場合には、表面グランド35の
他に床グランド36が形成される。なお、回路素子34は、
トランジスタその他の能動素子、抵抗、容量、インダク
タその他のインピーダンス整合素子、さらにバイアス回
路素子が集積されたものであり、表面グランド35に2次
元的に囲まれた状態で搭載される。
As shown in the drawing, reference numerals 31 and 32 are circuit boards 33, respectively.
The input terminal and the output terminal of the circuit element 34 formed thereon. When such a circuit element 34 is mounted on a package, chassis or other conductive substrate, a floor ground 36 is formed in addition to the surface ground 35. The circuit element 34 is
A transistor and other active elements, a resistor, a capacitor, an inductor and other impedance matching elements, and a bias circuit element are integrated. The bias circuit element is mounted in a state surrounded by the surface ground 35 two-dimensionally.

入出力端子31、32は、回路素子34に導通する中心導体
と、表面グランド35の一部を構成する両脇のグランド導
体からなるコプレナ線路構造になっている。なお、入出
力端子31、32には、両脇のグランド導体を接続するため
に導体ブリッジ37、38が設けられる。
Each of the input / output terminals 31 and 32 has a coplanar line structure including a center conductor electrically connected to the circuit element 34 and ground conductors on both sides constituting a part of the surface ground 35. The input / output terminals 31 and 32 are provided with conductor bridges 37 and 38 for connecting the ground conductors on both sides.

このような構成において、他の回路から入力されるマ
イクロ波信号は、入力端子31のコプレナ線路を伝搬して
回路素子34に供給され、回路素子34で所定の信号処理
(増幅、周波数変換)を行ったのちに、出力端子32のコ
プレナ線路を伝搬して別の回路へ出力される。
In such a configuration, a microwave signal input from another circuit propagates through the coplanar line of the input terminal 31 and is supplied to the circuit element 34, and the circuit element 34 performs predetermined signal processing (amplification and frequency conversion). After that, the signal propagates through the coplanar line of the output terminal 32 and is output to another circuit.

ところで、このような構造では、表面グランド35と床
グランド36は、マイクロストリップ線路の構造を呈して
いる。したがって、回路基板33が取りつけられている床
グランド36の電位と、回路基板33の表面グランド35の電
位との間に高周波的に差があると、表面グランド35がマ
イクロストリップモードの共振現象を起こすことが知ら
れている。なお、表面グランド35の寸法は、マイクロ波
集積回路の場合で数cm、モノリシックマイクロ波集積回
路の場合で数mmとなり、回路基板33の誘電率が10程度で
あるので、数GHzの周波数で表面グランド35に定在波が
発生する。すなわち、表面グランド35が半波長(または
その整数倍)の共振器になってしまう。
By the way, in such a structure, the surface ground 35 and the floor ground 36 have a microstrip line structure. Therefore, if there is a high frequency difference between the potential of the floor ground 36 to which the circuit board 33 is attached and the potential of the surface ground 35 of the circuit board 33, the surface ground 35 causes a microstrip mode resonance phenomenon. It is known. The dimensions of the surface ground 35 are several cm in the case of a microwave integrated circuit, several mm in the case of a monolithic microwave integrated circuit, and since the dielectric constant of the circuit board 33 is about 10, the surface ground 35 has a frequency of several GHz. A standing wave is generated on the ground 35. That is, the surface ground 35 becomes a resonator having a half wavelength (or an integral multiple thereof).

しかし、この共振現象は、排除することが困難となっ
ている。たとえば、第4図に示すように、金ワイヤ41あ
るいは金リボンを用いて、表面グランド35と床グランド
36とを短絡する方法が試みられているが、その短絡接続
は回路基板33の淵でしかできない。したがって、回路基
板33の中央付近でマイクロストリップモードの電界が発
生し、基板寸法が半波長程度となるような周波数に対し
ては、共振現象の発生は避けられなかった。
However, it is difficult to eliminate this resonance phenomenon. For example, as shown in FIG. 4, a gold wire 41 or a gold ribbon is used to form a surface ground 35 and a floor ground.
Although a method of short-circuiting with 36 has been attempted, the short-circuit connection can be made only at the edge of the circuit board 33. Therefore, a microstrip mode electric field is generated near the center of the circuit board 33, and the occurrence of a resonance phenomenon is inevitable for frequencies at which the board dimensions are about half a wavelength.

このような共振現象は、マイクロ波集積回路として周
波数特性に著しい劣化をもたらす。たとえば、マイクロ
波集積回路を増幅器として用いた場合には、利得の周波
数特性にピークやディップが現れ、さらに不要発振が起
こったりすることがあった。
Such a resonance phenomenon causes remarkable deterioration in the frequency characteristics of the microwave integrated circuit. For example, when a microwave integrated circuit is used as an amplifier, a peak or a dip appears in the frequency characteristic of the gain, and unnecessary oscillation may occur.

このように、共振周波数付近では、入力端子31または
出力端子32からみたインピーダンスの周波数特性が急峻
となり、広帯域に平坦な周波数特性を得るには、この定
在波による共振を抑制しなければならない。
As described above, near the resonance frequency, the frequency characteristic of the impedance viewed from the input terminal 31 or the output terminal 32 becomes steep, and in order to obtain a flat frequency characteristic over a wide band, the resonance due to this standing wave must be suppressed.

このような問題点に対して、従来は使用帯域内にこの
共振が入らないように、金ワイヤその他の接続箇所を回
路ごとに調整することが行われている。しかし、このよ
うな調整は、マイクロ波集積回路を狭い帯域で使用する
場合には対処可能であるが、広帯域で使用できるマイク
ロ波集積回路を実現することは困難であった。
In order to solve such a problem, conventionally, gold wires and other connection points are adjusted for each circuit so that the resonance does not enter the used band. However, such adjustment can be dealt with when the microwave integrated circuit is used in a narrow band, but it has been difficult to realize a microwave integrated circuit that can be used in a wide band.

本発明は、集積度の高いコプレナ型あるいはユニプレ
ナ型の特長を保持し、さらに広帯域で良好な周波数特性
を得ることができるマイクロ波集積回路を提供すること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a microwave integrated circuit which retains the features of a coplanar type or a uniplanar type with a high degree of integration, and can obtain good frequency characteristics over a wide band.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

請求項1に記載の発明は、所定の厚さを有する回路基
板上に回路素子が集積形成され、該回路基板の表面に表
面グランドを有し、該回路基板が実装される基板に床グ
ランドを有し、該回路素子の入出力端でコプレナ線路構
造あるいはユニプレナ線路構造をとるマイクロ波集積回
路において、前記表面グランドと前記床グランドとの間
に、高周波用のQダンプ回路を挿入接続して構成する。
According to the first aspect of the present invention, a circuit element is integrally formed on a circuit board having a predetermined thickness, a surface ground is provided on a surface of the circuit board, and a floor ground is provided on a board on which the circuit board is mounted. A microwave integrated circuit having a coplanar line structure or a uniplanar line structure at input and output ends of the circuit element, wherein a high frequency Q dump circuit is inserted and connected between the surface ground and the floor ground. I do.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のマイクロ
波集積回路において、Qダンプ回路が回路素子と同一回
路基板上に集積して構成する。
According to a second aspect of the present invention, in the microwave integrated circuit according to the first aspect, the Q dump circuit is integrated with a circuit element on the same circuit board.

〔作 用〕(Operation)

本発明において、表面グランドと床グランドとを接続
するQダンプ回路は、マイクロストリップモードの電界
に対して、減衰回路あるいは吸収回路として動作する。
In the present invention, the Q dump circuit that connects the surface ground and the floor ground operates as an attenuation circuit or an absorption circuit against an electric field in the microstrip mode.

したがって、表面グランドと床グランドの間隙を伝搬
してきたマイクロストリップモードのマイクロ波は、こ
のQダンプ回路で終端されるので、表面グランドでの反
射が抑えられ、定在波を抑制して共振現象を抑圧するこ
とができる。
Therefore, since the microwave in the microstrip mode that has propagated through the gap between the surface ground and the floor ground is terminated by this Q dump circuit, reflection at the surface ground is suppressed, and the standing wave is suppressed to suppress the resonance phenomenon. Can be suppressed.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面に基づいて本発明の実施例について詳細に
説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、請求項1に記載の発明の一実施例構成を示
す。
FIG. 1 shows the configuration of an embodiment according to the first aspect of the present invention.

なお、第3図に示す従来と同様の構成については、同
一符号を付して説明に代える。
Note that the same components as those in the related art shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.

第1図において、本実施例では、Qダンプ回路とし
て、表面グランド35から床グランド36に抵抗器11を接続
する。なお、この抵抗器11の抵抗値は、マイクロストリ
ップモードの特性インピーダンス(通常は数十オーム程
度)に近い値に設定される。このような抵抗器11は、表
面グランドと床グランドの間隙を伝搬してきたマイクロ
ストリップモードのマイクロ波を終端し、表面グランド
35での反射を抑える。すなわち、この抵抗器11はモード
選択性のQダンプ回路として動作し、共振現象を抑圧す
ることができる。
In FIG. 1, in this embodiment, a resistor 11 is connected from a surface ground 35 to a floor ground 36 as a Q dump circuit. Note that the resistance value of the resistor 11 is set to a value close to the characteristic impedance of the microstrip mode (normally, about several tens of ohms). Such a resistor 11 terminates the microwave in the microstrip mode that has propagated in the gap between the surface ground and the floor ground, and
We suppress reflection in 35. That is, the resistor 11 operates as a mode-selective Q dump circuit, and can suppress the resonance phenomenon.

なお、抵抗器11の抵抗値としては、マイクロストリッ
プモードの特性インピーダンスに近い値の場合が効果も
大きいが、必ずしもそれに限定されるものではない。
The resistance value of the resistor 11 has a large effect when the resistance value is close to the characteristic impedance in the microstrip mode, but is not necessarily limited thereto.

第2図は、請求項2に記載の発明の一実施例構成を示
す。
FIG. 2 shows an embodiment of the invention according to claim 2.

なお、第3図に示す従来と同様の構成については、同
一符号を付して説明に代える。
Note that the same components as those in the related art shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.

第2図において、本実施例では、Qダンプ回路とし
て、表面グランド35と床グランド36とを接続する抵抗器
21を回路基板33上に集積化して形成する。また、回路基
板33とほぼ等しい厚さを有し、床グランド36上に接続さ
れる導体柱23を抵抗器21と近接する位置に配置し、一端
が表面グランド35に接続される抵抗器21の他端を短い複
数本の金ワイヤ25で接続する。
In FIG. 2, in this embodiment, a resistor for connecting a surface ground 35 and a floor ground 36 is used as a Q dump circuit.
21 is integrated and formed on a circuit board 33. Further, the conductor pillar 23 having a thickness substantially equal to that of the circuit board 33 and being connected to the floor ground 36 is arranged at a position close to the resistor 21, and one end of the resistor 21 having one end connected to the surface ground 35. The other end is connected by a plurality of short gold wires 25.

このような構造では、Qダンプ回路に寄生するインダ
クタンスが第1図に示す例よりも小さいので、より高い
周波数帯において広帯域特性を実現することが容易であ
る。
In such a structure, since the parasitic inductance of the Q dump circuit is smaller than that of the example shown in FIG. 1, it is easy to realize a wide band characteristic in a higher frequency band.

なお、以上示した実施例では、抵抗器11、21を表面グ
ランド35の角部に接続したが、角部に限らず定在波の電
圧が高くなる場所であれば、十分な効果を得ることがで
きる。さらに、複数の抵抗器を複数箇所に備えてもよ
い。
In the above-described embodiment, the resistors 11 and 21 are connected to the corners of the surface ground 35.However, a sufficient effect can be obtained if the standing wave voltage is high, not limited to the corners. Can be. Further, a plurality of resistors may be provided at a plurality of locations.

また、Qダンプ回路として抵抗器のみではなく、表面
グランド35と床グランド36との間を直流的に導通させた
い場合には、抵抗器とインダンクを並列接続する構成が
有効であり、表面グランド35と床グランド36との間を直
流的に絶縁させたい場合には、抵抗器とキャパシタを直
列接続する構成が有効である。さらに、これらの回路を
組み合わせて用いてもよい。
When it is desired to make a direct current conduction between the surface ground 35 and the floor ground 36 in addition to the resistor as the Q dump circuit, a configuration in which a resistor and an indunk are connected in parallel is effective. When it is desired to insulate DC from the floor ground 36 in a DC manner, a configuration in which a resistor and a capacitor are connected in series is effective. Further, these circuits may be used in combination.

また、Qダンプ回路に用いる抵抗器は、リード線タイ
プあるいはチップ形状のいずれでもよい。
The resistor used in the Q dump circuit may be either a lead wire type or a chip type.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

上述したように、本発明は、コプレナ型あるいはユニ
プレナ型のマイクロ波集積回路をパッケージその他に実
装する場合に、高集積度に伴う超小型の特徴を損なうこ
となく、広帯域で良好な周波数特性を有するマイクロ波
機器を実現することができる。
As described above, the present invention has a good frequency characteristic in a wide band when a coplanar or uniplanar type microwave integrated circuit is mounted on a package or the like, without impairing the ultra-compact features associated with high integration. A microwave device can be realized.

したがって、マイクロ波汎用測定器あるいはレーダ装
置その他の広い周波数帯域特性を必要とする機器の小型
軽量化および低廉化に寄与することができる。
Therefore, it is possible to contribute to a reduction in size, weight, and cost of a general-purpose microwave measuring device, a radar device, and other devices requiring a wide frequency band characteristic.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は請求項1に記載の発明の一実施例構成を示す
図。 第2図は請求項2に記載の発明の一実施例構成を示す
図。 第3図は回路基板表面に高周波グランドを有する従来の
マイクロ波集積回路の構成例を示す図。 第4図は従来のマイクロ波集積回路で共振現象を排除す
るための構成例を示す図。 11、21……抵抗器、23……導体柱、25……金ワイヤ、31
……入力端子、32……出力端子、33……回路基板、34…
…回路素子、35……表面グランド、36……床グランド、
37、38……導体ブリッジ、41……金ワイヤ。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the invention described in claim 1. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the invention described in claim 2. FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a conventional microwave integrated circuit having a high-frequency ground on the surface of a circuit board. FIG. 4 is a diagram showing a configuration example for eliminating a resonance phenomenon in a conventional microwave integrated circuit. 11, 21 ... resistor, 23 ... conductor pillar, 25 ... gold wire, 31
…… Input terminal, 32 …… Output terminal, 33 …… Circuit board, 34…
… Circuit element, 35… Ground surface, 36… Ground floor,
37, 38: Conductor bridge, 41: Gold wire.

フロントページの続き (72)発明者 村口 正弘 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−209309(JP,A) 実開 昭61−104605(JP,U) 実開 昭64−51303(JP,U) 実開 昭62−84204(JP,U) Muragucgchi et a l.“Uniplanar MMIC’ s and Their Applic ations”,IEEE Trans actions on Microwa ve Theory and Tech niques,Vol 36,pp.1896 −1901,Dec.1988 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/162 H01P 1/22 - 1/24 H01P 3/08 H01P 5/02 - 5/08 H01L 27/04 Continuation of front page (72) Inventor Masahiro Muraguchi 1-6-1, Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (56) References Japanese Unexamined Patent Publication No. Sho 63-209309 (JP, A) (JP, U) Japanese Utility Model Showa 64-51303 (JP, U) Japanese Utility Model Showa 62-84204 (JP, U) Muragucgchi et al. "Uniplanar MMIC's and Their Applications," IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech nikques, Vol 36, pp. 1896-1901, Dec. 1988 (58) Surveyed fields (Int.Cl. 7 , DB name) H01P 1/162 H01P 1/22-1/24 H01P 3/08 H01P 5/02-5/08 H01L 27/04

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】所定の厚さを有する回路基板上に回路素子
が集積形成され、該回路基板の表面に表面グランドを有
し、該回路基板が実装される基板に床グランドを有し、
該回路素子の入出力端でコプレナ線路構造あるいはユニ
プレナ線路構造をとるマイクロ波集積回路において、 前記表面グランドと前記床グランドとの間に、高周波用
のQダンプ回路を挿入接続したことを特徴とするマイク
ロ波集積回路。
A circuit element is integrated on a circuit board having a predetermined thickness, a surface ground is provided on a surface of the circuit board, and a floor ground is provided on a board on which the circuit board is mounted.
In a microwave integrated circuit having a coplanar line structure or a uniplanar line structure at input and output ends of the circuit element, a high frequency Q dump circuit is inserted and connected between the surface ground and the floor ground. Microwave integrated circuit.
【請求項2】請求項1に記載のマイクロ波集積回路にお
いて、 Qダンプ回路が回路素子と同一回路基板上に集積された
ことを特徴とするマイクロ波集積回路。
2. The microwave integrated circuit according to claim 1, wherein the Q dump circuit is integrated on the same circuit board as the circuit elements.
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Muragucgchi et al."Uniplanar MMIC’s and Their Applications",IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,Vol 36,pp.1896−1901,Dec.1988

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