JP3048221B2 - ブラックマトリクスの形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、薄膜
ＥＬ表示装置、フィールドエミッタ表示装置等のカラー
フラットディスプレイのカラーフィルタに使用されカラ
ー表示を鮮明にするためのブラックマトリクスの形成方
法に係り、特に、高開口率を実現することができるブラ
ックマトリクスの形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】まず、一般のカラー液晶表示装置を図６
により説明する。

【０００３】図６において、間隔を隔てて１対のガラス
基板１Ａ，１Ｂが配設されている。このうち一方のガラ
ス基板１Ａの外側には、偏光板２Ａが接着されており、
また、このガラス基板１Ａの内側には、多数のカラーフ
ィルタ３Ｇ，３Ｒ，３Ｂが配設されている。さらに、隣
位の１対のカラーフィルタ３，３間には、カラー表示を
鮮明にするため遮光用のブラックマトリクスまたはブラ
ックストライプ４が配置されている。このうちブラック
ストライプは電着方式のカラーフィルタにのみ用いられ
ているので、ここでは符号４を以下ブラックマトリクス
と称する。また、前記各カラーフィルタ３およびブラッ
クマトリクス４の内側には、保護膜５を介して透明電極
６Ａが配設されている。

【０００４】一方、前記他方のガラス基板１Ｂの外側に
は、偏光板２Ｂを介してバックライトとして機能する導
光板７が配設されており、この導光板７の端面の近傍に
は、この導光板７を面発光させる蛍光灯８が配設されて
いる。また、前記ガラス基板１Ｂの内側には、絶縁層９
に被覆されるようにして複数のゲート１０が配設されて
いる。さらに、前記絶縁層９の内側には、前記各ゲート
１０に対向するようにスイッチング素子である水素化非
晶質薄膜トランジスタ１１がそれぞれ保護部材１２に囲
繞されるようにして配設されている。そして、前記各水
素化非晶質薄膜トランジスタ１１に通電するための透明
電極６Ｂが前記絶縁層９の内側に配設されている。ま
た、前記両透明電極６Ａ，６Ｂ間には液晶ＬＣが封入さ
れている。

【０００５】前述したカラー液晶表示装置における前記
ブラックマトリクス４の機能を説明すると、ブラックマ
トリクス４は、緑のカラーフィルタ３ＧがＯＮで、隣位
の赤のカラーフィルタ３Ｒおよび青のカラーフィルタ３
ＢがＯＦＦの場合、面発光する導光板７からのバックラ
イトが、ＯＮ状態にある緑のカラーフィルタ３Ｇのみを
透過し、ＯＦＦ状態にある赤と青のカラーフィルタ３
Ｒ，３Ｂへは到達しないように機能する。

【０００６】そして、ブラックマトリクス４の材料とし
ては、バックライトを遮蔽しうるだけでなくバックライ
トに対して低反射率の材料が要求される。これは、カラ
ーフィルタ３ＧがＯＮで、隣位のカラーフィルタ３Ｒと
カラーフィルタ３ＢがそれぞれＯＦＦの場合に、ブラッ
クマトリクス４のバックライトに対する反射率が高い
と、ブラックマトリクス４において反射されたバックラ
イトが赤と青のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｂに対応するＯ
ＦＦ状態にある水素化非晶質シリコン薄膜トランジスタ
１１に入射し、このシリコン薄膜トランジスタ１１をＯ
Ｎ状態にする可能性があるからである。

【０００７】ところで、低反射率の要求からすれば樹脂
ブラックをブラックマトリクス４に用いたものの反射率
は０．５％であり、金属クロムの５０％、低反射クロム
の３％以下という反射率より格段に優れているが、樹脂
ブラックを用いたブラックマトリクス４はバックライト
の遮光性能を表す指標である光学濃度（ＯＤ）が２．３
であり、金属クロムや低反射クロムの４以上と較べると
光学濃度の低い点が問題であった。このため、現在は金
属クロムの上に酸化クロムを載置した低反射クロムがブ
ラックマトリクス４の主流になりつつある。

【０００８】つぎに、ブラックマトリクス４の形成方法
について説明すると、電着法以外の方法においては、最
初にブラックマトリクス４をガラス基板１上に形成し、
その後、各色のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを形成
する。現在、カラーフィルタ３の形成方法としては、４
つの製造方法が用いられているが、ここでは説明の都合
上、顔料分散法と電着法について簡単に説明を行う。

【０００９】まず、顔料分散法について説明する。

【００１０】図７（ａ）に示すブラックマトリクス４を
形成したガラス基板１に、図７（ｂ）に示すように、赤
のカラーフィルタ３Ｒ用の着色レジスト１３をスピンコ
ートまたはロールコート法によりガラス基板１の全面に
塗布する。ついで、図７（ｃ）に示すように、前記着色
レジスト１３の上にフォトレジスト１４をスピンコート
またはロールコートにより塗布し、さらに、図７
（ｄ），（ｅ）に示すように、フォトマスク１５を介し
て露光ならびに現像を行い、赤のカラーフィルタ３Ｒを
形成する。

【００１１】以下、緑のカラーフィルタ３Ｇと青のカラ
ーフィルタ３Ｂについて前述したと同様の工程を繰り返
し、図７（ｆ）に示すように、３色のカラーフィルタ３
Ｒ，３Ｇ，３Ｂを形成する。

【００１２】つぎに、電着法について説明する。

【００１３】図８（ａ）に示すように、ガラス基板１に
電着用のＩＴＯ薄膜１６をスパッタまたは蒸着法により
形成したうえで、このＩＴＯ薄膜１６上にフォトレジス
ト１４を塗布する。つぎに、図８（ｂ），（ｃ），
（ｄ）に示すように、フォトマスク１５を介して露光、
現像およびエッチングを行い、ＩＴＯ薄膜１６のストラ
イプを形成する。その後、図８（ｅ）に示すように、前
記ＩＴＯ薄膜１６のストライプが形成されたガラス基板
１を赤のカラーフィルタ３Ｒの顔料を分散させた電着液
中に浸漬し、ＩＴＯ薄膜１６に対向電極に対してプラス
電圧を印加する。すると、電着液中の赤の顔料はサブミ
クロンのサイズでマイナス帯電をしており、電気泳動に
よりプラス帯電をしているＩＴＯ薄膜１６の表面に電着
する。続いて緑のカラーフィルタ３Ｇの電着液と、青の
カラーフィルタ３Ｂの電着液とによりそれぞれ緑と青の
カラーフィルタ３Ｇ，３Ｂをそれぞれ電着する。

【００１４】このようにして、図８（ｆ）に示すよう
に、ガラス基板１上に赤、緑、青のカラーフィルタ３
Ｒ，３Ｇ，３Ｂからなるカラーマトリクス１７が形成さ
れた後に、図８（ｇ）に示すように、感光性を有する樹
脂ブラック１８をカラーマトリクス１７上にスピンコー
トまたはロールコートにより塗布したのち、図８（ｈ）
に示すように、ガラス基板１側から紫外線（ＵＶ）によ
る背面露光を行う。すると、カラーマトリクス１７上の
感光性樹脂ブラック１８はカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，
３Ｂを介しているため未露光となり、現像工程において
除去されることになる、この結果、図８（ｉ）に示すよ
うに、隣位のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの間だけ
に樹脂ブラック１８が残存し、ブラックマトリクス４を
形成することになる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、カラーフィ
ルタ３は半導体ＩＣと異なり、外形寸法が非常に大き
く、また要求される寸法精度がＶＧＡ仕様で画素ピッチ
７５μｍ、間隙２５μｍ、ＳＶＧＡ仕様で画素ピッチ７
０μｍ、間隙２０μｍであり、１パネルにおける位置精
度は±２μｍを要求されるため、印刷法を除くとほとん
どのカラーフィルタ製造方法がフォト工程を多用する製
造プロセスを採用している。

【００１６】そして、今後要求されるマザーガラスの大
型化と画素の高精細化を考慮に入れると印刷法では対応
できないとみなされている。

【００１７】また、従来法によるカラーフィルタの形成
において、カラーフィルタ３とブラックマトリクス４の
間には膜厚の相違による段差があり、表示用のＩＴＯ薄
膜１６の成膜において、段差の箇所にステップカバレー
ジの問題を生じるおそれがあった。そのため、従来は、
透明樹脂を全面に塗布して段差を埋め、必要な場合には
さらに研磨をする必要があり、工程が複雑であった。

【００１８】本発明は、このような点に鑑み、フォト工
程をまったく使用しないか、あるいは少ししか使用せ
ず、簡単にして安価にブラックマトリクスを製造でき、
しかも、高光学濃度ならびに低反射率のブラックマトリ
クスの得られるブラックマトリクスの形成方法を提供す
ることを目的としている。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため、請求項１に記載の本発明の特徴は、透明基板上に
この透明基板の可視光領域の透過率が８５％以上を維持
するように酸化亜鉛膜を形成し、この酸化亜鉛膜上に塩
化パラジウムによる触媒作用を利用して無電解銅メッキ
を施す点にある。そして、このような構成を採用したこ
とにより、高光学濃度ならびに低反射率のブラックマト
リクスを得ることができる。

【００２０】また、請求項２に記載の本発明の特徴は、
無電解銅メッキの表面に酸化銅の薄膜を形成する点にあ
る。そして、このような構成を採用したことにより、カ
ラーフィルタ側から見ても安定的な低反射率のブラック
マトリクスとすることができる。

【００２１】さらに、請求項３に記載の本発明の特徴
は、ＳＴＮ液晶表示器用のブラックマトリクスの形成方
法において、駆動ＩＣをそのはんだバンプにより前記酸
化亜鉛上の銅に接続する点にある。そして、このような
構成を採用したことにより、金製のバンプのような高価
なバンプを設けることなく、しかも異方性導電フィルム
を用いることなく駆動ＩＣのガラス基板への直接のボン
ディングが可能となる。

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るブラックマト
リクスの形成方法の実施の形態を図面を参照して説明す
る。

【００２７】図１は、カラーフィルタを染色法、顔料分
散法、印刷法等を用いてそれぞれ形成する場合の本発明
のブラックマトリクスの形成方法の第１の実施の形態を
示すものである。

【００２８】まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板１にスパッタ等により酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜２０を成
膜する。この酸化亜鉛膜２０は透明な酸化膜であり、２
０００〜３０００オングストロームの酸化亜鉛膜２０で
あれば基板ガラスの可視光領域の透過率は８５％以上で
ある。この酸化亜鉛膜２０に、図１（ｂ）に示すよう
に、フォトレジスト１４を用いてフォト工程により画素
部２１とドライバのような駆動回路部２２のパターンを
形成する（図１（ｃ））。

【００２９】ついで、図１（ｄ）に示すように、フォト
工程により形成された前記画素部２１に染色法、顔料分
散法、印刷法等により赤、緑、青のカラーフィルタから
なるカラーマトリクス１７を前記酸化亜鉛膜２０上に形
成する。このカラーマトリクス１７の膜厚は１〜２μｍ
程度とされている。

【００３０】その後、このカラーマトリクス１７の形成
されたガラス基板１を触媒作用のある塩化パラジウム
（ＰｄＣｌ₂ ）溶液に１〜２分程度浸漬し、露出してい
る外周面にＰｄイオンを吸着させたうえで、無電解銅メ
ッキ液に浸漬し、図１（ｅ）に示すように、カラーマト
リクス１７の膜厚に相当するだけ銅メッキ２３を析出さ
せる。なお、前記塩化パラジウム溶液は、一例としてＰ
ｄＣｌ₂ ：０．２ｇ，ＨＣｌ：０．５ｍｌ，Ｈ₂Ｏ ：５
００ｍｌという配合とされている。

【００３１】そして、前記無電解銅メッキの際、銅メッ
キ２３は酸化亜鉛膜２０が露出している部位にのみ選択
的に析出し、カラーマトリクス１７の形成されている部
位には析出することがない。これは、カラーマトリクス
１７がマスクの役割を果たすためである。したがって、
フォト工程を全く必要とすることなくブラックマトリク
ス４を自動的に形成することができる。

【００３２】前記画素部２１に析出した銅メッキ２３
は、背部のガラス基板１側から見ると、後述する表面プ
ラズモンポラリトン：ＳＰＰ(surface plasmon polarit
on) の発現のため黒色に見えるが、カラーマトリクス１
７の形成された側から見ると、金属光沢を有する銅その
ものの色に見えてしまう。すなわち、この状態において
は、バックライトに対する反射率が高く、実用性に欠け
ることになる。そこで、図１（ｆ）に示すように、駆動
回路部２２をフォトレジスト１４によりマスクし、ガラ
ス基板１の全体を銅を酸化させる溶液、例えば過酸化水
素水や硝酸等に浸漬し、銅メッキ２３の表面を反射率の
低い酸化銅（ＣｕＯ）の薄膜２４に変換する（図１
（ｇ））。この湿式の酸化に代わり酸素プラズマ中で加
熱することにより銅メッキ２３の表面を酸化銅薄膜２４
に変換してもよい。

【００３３】ついで、図１（ｈ）に示すように、駆動回
路部２２をマスクしていたフォトレジスト１４を除去
し、画素部２１に表示用のＩＴＯ薄膜１６を形成し、酸
化亜鉛膜２０上に銅メッキ２３を施してなる駆動回路部
２２と電気的に接続する。最後に銅メッキ２３の露出さ
れている駆動回路部２２にドライバＩＣ２５を実装す
る。

【００３４】前述した本発明の第１の実施の形態によれ
ば、ブラックマトリクス４の形成をフォト工程なしで簡
単かつ安価に行うことができる。

【００３５】また、金属や自由電子濃度の高い半導体中
には自由電子の疎密波であるプラズモンが存在し、この
プラズモンは電子の集団振動であるので、必然的に電磁
場の振動を伴ったポラリトン（粒子の振動と電磁場の振
動の結合したもの）の仲間に入る。そして、金属や半導
体の表面においてはプラズモンポラリトンと称する振動
モードが存在するために、位相速度が同じとなる光を吸
収できることが知られている。一般に平滑な表面を有す
る金属においては両者の位相速度が異なるため光の吸収
は起こらないが、表面にランダムな凹凸が存在する場合
には、入射光の位相速度に変化が起こり、光を吸収する
ことが可能となる。前記ブラックマトリクス４における
銅メッキ２３と酸化亜鉛膜２０の界面を電子顕微鏡で観
察したところ、サブミクロンオーダーの微細な凹凸が形
成されていることが確認できた。したがって、本実施の
形態により形成されるブラックマトリクス４は、表面の
凹凸が可視光領域の光で表面プラズモンポラリトンを励
起することを可能とし、結果として銅メッキ２３と酸化
亜鉛膜２０の界面が光学濃度（ＯＤ）で５というような
素晴らしい可視光吸収能力を発揮することになり、高開
口率を実現することができる。

【００３６】さらに、従来の方法において問題となって
いたカラーマトリクス１７とブラックマトリクス４との
段差の問題も、本実施の形態においては、カラーマトリ
クス１７の膜厚に相当する分だけ無電解銅メッキを行え
ばよいため、カラーマトリクス１７とブラックマトリク
ス４との間に段差の生じない平滑なブラックマトリクス
４を形成することができる。

【００３７】ところで、一般に、アクティブマトリクス
液晶表示器には、ガラス基板１として無アルカリガラス
基板やシリカガラス基板が用いられ、ＳＴＮ(Super Twi
stedNematic)液晶表示器には、ガラス基板をＳｉＯ₂ に
より被覆したものが用いられているが、本発明の本実施
の形態によるブラックマトリクスの形成を行えば、酸化
亜鉛膜２０がアルカリの溶出を抑制するためにソーダガ
ラス基板をＳｉＯ₂により被覆する工程を省くことがで
き、さらなるコストダウンをはかることが可能となる。

【００３８】また、ＳＴＮ液晶表示器においては、一般
に、駆動ＩＣがカラーフィルタ側ガラス基板１と、もう
一方のガラス基板との双方に搭載される。従来は、ＩＴ
Ｏ薄膜１６へのはんだづけができなかったためＡＣＦ(A
nisotropic Conductive Film) 異方性導電材料を用いて
金からなるバンプを有する駆動ＩＣを接続していたが、
本実施の形態によれば、ブラックマトリクス４が銅メッ
キ２３により形成されているので、はんだバンプを有す
る駆動ＩＣを簡単に搭載することができる。

【００３９】図２ないし図４は、電着法によるカラーフ
ィルタ製造方法に本発明を適用した場合の実施の形態を
示すものである。

【００４０】図２は電着法によるカラーフィルタの平面
図である。この図において、格子状に配設されたブラッ
クマトリクス４に囲繞されるように各色のカラーフィル
タ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが各色ごとに整列配置されている。
そして、本実施の形態は、従来のブラックマトリクス４
より画質の鮮明なブラックマトリクス４を形成するもの
である。

【００４１】図３は図２のIII-III 線に沿う断面図、図
４は図２のIV-IV 線に沿う断面図である。

【００４２】まず、図３について説明する。最初に、図
３（ａ）に示すように、ガラス基板１に電着用の複数の
ＩＴＯ薄膜１６をストライプ状に形成する。つぎに、図
３（ｂ）に示すように、これらのガラス基板１および各
ＩＴＯ薄膜１６上にスパッタ等により酸化亜鉛膜２０を
２０００〜３０００オングストロームの膜厚となるよう
に成膜する。さらに、図３（ｃ）に示すように、カラー
フィルタ３の画素部２１以外の部位をフォトレジスト１
４によりマスクし、エッチングにより画素部２１におけ
る酸化亜鉛膜２０を除去する。すると、図３（ｄ）に示
すように、画素部２１におけるＩＴＯ薄膜１６と、それ
以外の部位における酸化亜鉛膜２０の膜厚とはほぼ等し
くなる。

【００４３】つぎに、図３（ｅ）に示すように、各ＩＴ
Ｏ薄膜１６上に電着法により赤、緑、青のカラーフィル
タ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからなるカラーマトリクス１７を形
成する。そして、カラーマトリクス１７の形成後、ガラ
ス基板１を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ₂ ）溶液に浸漬
し、Ｐｄイオンを酸化亜鉛膜２０に吸着させ、続いて無
電解銅メッキを行って銅メッキからなるブラックマトリ
クス４を形成する（図３（ｆ））。このとき、前述した
図１の実施の形態と同様、カラーマトリクス１７はマス
クの役割を果たすので、このカラーマトリクス１７上に
は銅メッキは析出しない。なお、前記酸化亜鉛膜２０上
の銅メッキ２３は、前記カラーマトリクス１７の膜厚と
ほぼ等しくされている。

【００４４】ところで、前記ブラックマトリクス４の表
面は金属光沢を有する銅であるため、バックライトの反
射率を低減する目的で、例えば過酸化水素水や硝酸に浸
漬し、銅メッキ２３の表面を酸化銅薄膜２４に変換する
（図３（ｇ））。

【００４５】つぎに、図４は、前述したように図２のIV
-IV 線に沿う断面図であるが、この部位は、電着用ＩＴ
Ｏ薄膜１６がストライプ状に配設されている部位と、Ｉ
ＴＯ薄膜１６が除去された間隙とが交互に配設されるも
のである。そこで、この箇所には図中横方向にブラック
マトリクス４を形成するために、前記図３（ｂ）と同時
に形成されたガラス基板１および各ＩＴＯ薄膜１６上の
酸化亜鉛膜２０（図４（ａ））を、図４（ｂ）に示すよ
うに、フォトレジスト１４によりマスクし、前記図３
（ｃ）における画素部２１の酸化亜鉛膜２０を除去する
際にエッチングされないようにする。ついで、画素部２
１の酸化亜鉛膜２０のエッチング後にフォトレジスト１
４を除去し,前記図３（ｆ）の工程の際に、図４（ｃ）
に示すように、酸化亜鉛膜２０上に無電解銅メッキ２３
を施し、ついで、図４（ｄ）に示すように、ブラックマ
トリクス４の表面の銅メッキ２３を酸化して、バックラ
イトに対して低反射率を有する酸化銅薄膜２４を形成す
る。

【００４６】前述した本発明の第２の実施の形態によれ
ば、ブラックマトリクス４の形成をフォト工程なしで簡
単かつ安価に行うことができる。

【００４７】また、この電着法において、アルミニウム
をドープした導電性酸化亜鉛膜２０を使用すれば、電着
用ＩＴＯ薄膜１６の役割と、ブラックマトリクス４の形
成におけるベースの役割という２つの役割を果たすこと
ができる。

【００４８】図５は、本発明の第３の実施の形態を示す
ものであり、前述した第２の実施の形態においては、電
着用ＩＴＯ薄膜のストライプをカラーフィルタの電着用
に用いたが、この図５の実施の形態においては、ＩＴＯ
薄膜をフォトエッチングせず、ＩＴＯ薄膜を全面べたで
用いるパターンレス法を用い、さらに、ＩＴＯ薄膜の代
わりにＡｌ₂Ｏ₃を２重量％含有する酸化亜鉛ターゲット
を用いて作成したアルミニウムをドープした酸化亜鉛膜
を用いた例を説明する。アルミニウムをドープしていな
いノンドープの酸化亜鉛膜に較べてアルミニウムをドー
プした酸化亜鉛膜は、電気抵抗率が絶縁物から３×１０
^-4Ω・ｃｍ以下の透明導電材料となる。

【００４９】まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基
板１に、スパッタによりアルミニウムをドープした酸化
亜鉛膜（アルミニウムドープ酸化亜鉛膜）２６を２００
０〜３０００オングストロームの膜厚となるように成膜
する。このアルミニウムドープ酸化亜鉛膜２６の全面上
に赤のカラーフィルタ３Ｒを電着法により積層し、さら
に、このカラーフィルタ３Ｒ上にフォトレジスト１４を
塗布する。

【００５０】つぎに、図５（ｂ）に示すように、フォト
マスク１４を介してカラーフィルタ３Ｒのパターンを露
光し、カラーフィルタ３Ｒ以外の部位のアルミニウムド
ープ酸化亜鉛膜２６上に電着しているカラーフィルタ３
Ｒの材料を現像により除去する（図５（ｃ））。なお、
カラーフィルタ３Ｒ上のフォトレジスト１４はそのまま
残置しておく。これらの図５（ａ）〜（ｃ）の工程を繰
り返して同様にして緑のカラーフィルタ３Ｇと青のカラ
ーフィルタ３Ｂをそれぞれアルミニウムドープ酸化亜鉛
膜２６上に形成する。この状態が図５（ｄ）に示されて
いる。

【００５１】このようにして３色のカラーフィルタ３
Ｒ，３Ｇ，３Ｂがアルミニウムドープ酸化亜鉛膜２６上
に形成された後に、カラーフィルタ３の形成されたガラ
ス基板１を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ₂ ）溶液に浸漬
し、Ｐｄイオンをアルミニウムドープ酸化亜鉛膜２６に
吸着させる。その後、このガラス基板１を無電解銅メッ
キ液に浸漬し、カラーフィルタ３が電着しておらずアル
ミニウムドープ酸化亜鉛膜２６が露出している部位に銅
メッキ２３を施し、図５（ｅ）に示すように、ブラック
マトリクス４を形成する。このブラックマトリクス４の
膜厚は前記各カラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの膜厚に
ほぼ等しくされている。

【００５２】ついで、このガラス基板１を過酸化水素水
または硝酸溶液等に浸漬し、図５（ｆ）に示すように、
銅メッキ２３の表面を軽く酸化し、黒色の酸化銅薄膜２
４を形成する。最後に、図５（ｇ）に示すように、各カ
ラーフィルタ３上のフォトレジスト１４を除去し、ブラ
ックマトリクス４により区画されたカラーマトリクス１
７が完成する。

【００５３】本実施の形態の方法によれば、前述した第
２の実施の形態に較べると、フォト工程が増えるマイナ
ス面はあるが、第２の実施の形態には必要とされた電着
用のＩＴＯ薄膜１６を必要としない完全平滑なカラーマ
トリクスを形成することができる。

【００５４】なお、本発明は、前述した実施の形態に限
定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能
である。

【００５５】例えば、実施の形態においては基板として
ガラスを使用したが、本発明は、ガラス以外にもポリエ
ステルフィルムのような透明有機フィルムを基板として
使用することが可能である。ポリエステルフィルムに関
しては本発明の適用実験を行い、ガラスと同様の効果が
得られることはすでに確認済みである。ただし、有機フ
ィルムの場合は、ガラスと比較して耐熱性の問題がある
ため、酸化亜鉛の成膜としてスパッタのような基板に熱
影響の生じないものを利用することになる。

【００５６】また、本発明は、無電解銅メッキのみに限
定されるものではなく、他の無電解金属メッキも適用可
能である。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、簡
単にして安価にブラックマトリクスを製造でき、しか
も、高光学濃度ならびに低反射率のブラックマトリクス
を形成することができる。

【００５８】

【００５９】さらに、無電解銅メッキの表面に酸化銅の
薄膜を形成することにより、カラーフィルタ側から見て
も安定的な低反射率のブラックマトリクスとすることが
できる。

【００６０】

【００６１】

【００６２】

【００６３】さらにまた、ＳＴＮ液晶表示器用のブラッ
クマトリクスの形成方法において、駆動ＩＣをそのはん
だバンプにより前記銅に接続することにより、直接駆動
ＩＣのガラス基板へのボンディングが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施の形態
を順を追って示す示す説明図

【図２】 本発明の第２の実施の形態におけるブラック
マトリクスの形成状態を示す平面図

【図３】 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第１の実施の形態
を図２のIII-III 線において順を追って示す説明図

【図４】 （ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施の形態
を図２のIV-IV 線において順を追って示す説明図

【図５】 （ａ）〜（ｇ）は本発明の第３の実施の形態
を順を追って示す示す説明図

【図６】 一般のカラー液晶表示装置を示す縦断面図

【図７】 （ａ）〜（ｆ）は従来の顔料分散法によるブ
ラックマトリクスの形成方法を順を追って示す説明図

【図８】 （ａ）〜（ｉ）は従来の電着法によるブラッ
クマトリクスの形成方法を順を追って示す説明図

【符号の説明】

１，１Ａ，１Ｂ ガラス基板 ３，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ カラーフィルタ ４ ブラックマトリクス １４ フォトレジスト １５ フォトマスク １６ ＩＴＯ薄膜 １７ カラーマトリクス ２０ 酸化亜鉛膜 ２１ 画素部 ２２ 駆動回路部 ２３ 銅メッキ ２４ 酸化銅薄膜 ２６ アルミニウムドープ酸化亜鉛膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 和仁 神奈川県横浜市栄区飯島町2073番地２ニ ューシティ本郷台Ｄ棟213号 (56)参考文献 特開 平４−202672（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−331660（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−180443（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−307184（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−20932（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−282703（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上にこの透明基板の可視光領域
   の透過率が８５％以上を維持するように酸化亜鉛膜を形
   成し、この酸化亜鉛膜上に塩化パラジウムによる触媒作
   用を利用して無電解銅メッキを施すことを特徴とするブ
   ラックマトリクスの形成方法。
2. 【請求項２】 前記無電解銅メッキの表面に酸化銅の薄
   膜を形成することを特徴とする請求項１に記載のブラッ
   クマトリクスの形成方法。
3. 【請求項３】 ＳＴＮ液晶表示器用のブラックマトリク
   スの形成方法において、駆動ＩＣをそのはんだバンプに
   より前記銅に接続することを特徴とする請求項１または
   請求項２に記載のブラックマトリクスの形成方法。