JP3047852B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JP3047852B2
JP3047852B2 JP9086394A JP8639497A JP3047852B2 JP 3047852 B2 JP3047852 B2 JP 3047852B2 JP 9086394 A JP9086394 A JP 9086394A JP 8639497 A JP8639497 A JP 8639497A JP 3047852 B2 JP3047852 B2 JP 3047852B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formed
layer
sic substrate
low
high
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9086394A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10284507A (en
Inventor
順道 太田
宏幸 正戸
康仁 熊渕
Original Assignee
松下電器産業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 松下電器産業株式会社 filed Critical 松下電器産業株式会社
Priority to JP9086394A priority Critical patent/JP3047852B2/en
Priority claimed from CN 98101070 external-priority patent/CN1131548C/en
Publication of JPH10284507A publication Critical patent/JPH10284507A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3047852B2 publication Critical patent/JP3047852B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical

Links

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は高周波デバイス、特に高出力特性と低雑音特性が要求される情報通信用送受信アンプの構造に関するものである。 The present invention relates to relates to a structure of a high frequency device, information communication transceiver amplifier, especially a high output characteristics and low noise characteristics are required.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、小型化・高性能化された携帯電話の普及が急速に進んでいる。 In recent years, the spread of miniaturization and high performance cell phone is rapidly progressing. この進歩に大きく貢献した技術として、高性能な電池の開発と、高性能な電界効果型トランジスタ、特に砒化ガリウム(GaAs)MES As greatly contributed to technology this progress, development of high-performance battery, high-performance field-effect transistor, particularly gallium arsenide (GaAs) MES
FETの開発がある。 There is a development of the FET. デバイスとしてのGaAsMES GaAsMES as a device
FETは、低電圧動作・高利得・高効率・低雑音・低歪み等の高周波特性に関して優れた性能を発揮し、携帯端末の送受信アンプとして活躍している。 FET is excellent performance with respect to high-frequency characteristics such as low voltage operation, high gain, high efficiency, low noise and low distortion are active as receiving amplifier of the portable terminal. 最近では技術の進歩とともに、従来のハイブリッド構成に対して、1チップ上に低雑音受信アンプ部と高出力送信アンプ部との全てを形成する一体型MMIC(Microwave With the advancement of technology in recent years, the conventional hybrid configuration, 1 integrated MMIC to form all of the low-noise receiver amplifier portion and high output transmission amplifier section on a chip (Microwave
Monolithic IC)も開発されている。 Monolithic IC) has also been developed. この構造を有する従来の送受信アンプの構成を、以下図面を参照しながら説明する。 The configuration of a conventional transmitting and receiving amplifier having the structure will be described with reference to the drawings.

【0003】図3は、従来の送受信アンプ一体型MMI [0003] FIG. 3 is a conventional transmission and reception amplifier integrated MMI
Cを示す構成図である。 Is a block diagram showing the C. 図3において、30はGaAs 3, 30 designates a GaAs
基板であり、基板30には、高出力アンプ部35および低雑音アンプ部36とが形成されている。 A substrate, the substrate 30, and the high output amplifier unit 35 and the low noise amplifier unit 36 ​​are formed. 高出力アンプ部35は大きなゲート幅を有するGaAsMESFET High power amplifier 35 GaAsMESFET having a large gate width
で構成され、低雑音アンプ部36は、小さなゲート幅を有するGaAsMESFETで構成されている(例えば、K.FUJIMOTOら、「A high per In the configuration, a low noise amplifier unit 36 ​​is constituted by GaAsMESFET having a small gate width (e.g., K.FUJIMOTO et al., "A high per
formance GaAs MMIC transc formance GaAs MMIC transc
eiver for personal handy eiver for personal handy
phone system(PHS)」、25th E phone system (PHS) ", 25th E
uropean Microwave Confere uropean Microwave Confere
nce、Proceedings、vol. nce, Proceedings, vol. 2、pp. 2, pp.
926−930、1995など)。 Such as 926-930,1995).

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のような構成では、GaAs基板30の低い熱伝導率(約0.5W/cmK)の影響で、高出力アンプ部のさらなる高出力化を図ると、基板温度が上昇し、GaAsの高い電子移動度(約6000cm・cm/Vs)を活かした低雑音アンプ部の雑音特性が劣化するという問題が生じるため、数Wから数百Wといった高出力タイプの一体型MMICは、GaAsでは実現不可能であった。 In the [0005] However, as the above-described configuration, the influence of low thermal conductivity of the GaAs substrate 30 (about 0.5 W / cmK), the achieving further higher output of the high output amplifier unit, substrate temperature increases, a problem that noise characteristics of the low-noise amplifier unit which utilizes GaAs high electron mobility (approximately 6000cm · cm / Vs) is degraded occurs, several W several hundred W such high output type integrated MMIC was not feasible in GaAs.

【0005】本発明は上記問題点に鑑み、受信アンプ部の低雑音特性の温度劣化を最小限に抑えつつ、送信アンプ部の飛躍的な高出力化を可能にする半導体装置を提供するものである。 [0005] The present invention has been made in view of the above problems, while minimizing the temperature deterioration of the low noise characteristic of the receiving amplifier unit, it is provided a semiconductor device which enables dramatic higher output of the transmission amplifier section is there.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するために本発明では、SiC基板と、前記SiC基板上に形成されたAlInGaNまたはInGaNまたはAlG Means for Solving the Problems] In the present invention in order to solve the above problems, and the SiC substrate, AlInGaN formed on the SiC substrate or InGaN or AlG
aNまたはGaNからなるエピタキシャル膜と、前記S an epitaxial film made of aN or GaN, the S
iC基板に形成されたパワーアンプ部と、前記エピタキシャル膜に形成された低雑音アンプ部とを有する半導体装置とする。 A power amplifier portion which is formed on iC substrate, a semiconductor device having a low noise amplifier portion formed in the epitaxial layer.

【0007】また、SiC基板と、前記SiC基板上に形成され、かつSiCに格子整合する、AlInGaN Further, a SiC substrate, is formed on the SiC substrate, and is lattice-matched to SiC, AlInGaN
またはInGaNまたはAlGaNまたはGaNからなる第一のエピタキシャル膜と、前記第一のエピタキシャル膜上に形成されたAlInGaNまたはInGaNま Or a first epitaxial layer made of InGaN or AlGaN, or GaN, the first AlInGaN or InGaN formed on the epitaxial film or
たはAlGaNまたはGaNからなる第二のエピタキシャル膜と、前記SiC基板上に形成され、かつ上記第一のエピタキシャル膜をFETのショットキ−層とするパワーアンプ部と、前記第二のエピタキシャル膜上に形成された低雑音アンプ部とを有する半導体装置とする。 Others a second epitaxial film made of AlGaN or GaN, is formed on the SiC substrate, and the first epitaxial film FET Schottky - and the power amplifier unit to the layer, on the second epitaxial layer It formed a semiconductor device having a low noise amplifier unit.

【0008】本発明は上記の構成により、SiC上にアンプ部を形成し、エピタキシャル膜(たとえばGaN系半導体材料)上に低雑音アンプ部を形成するので、Si The present invention According to the above-described configuration, the amplifier unit is formed on SiC, because it forms a low-noise amplifier section on the epitaxial layer (e.g. GaN-based semiconductor material), Si
Cの高い熱伝導率(約4.9W/cmK)と、GaN系材料の高い電子移動度(約1000cm・cm/Vs) C high thermal conductivity (about 4.9 W / cmK) and a high GaN-based material electron mobility (approximately 1000cm · cm / Vs)
を同時に活かせるため、高出力送受信一体型MMICが可能である。 For Ikaseru simultaneously, we are capable of high output transceiver integrated MMIC.

【0009】また、高出力用材料としてのSiCは、G [0009] In addition, as SiC of a high output for the material, G
aAsよりも約10倍も絶縁破壊電界が大きいため、デバイスの耐圧向上・動作電圧向上を可能にし、上記熱伝導率の効果とともにGaAsの数十倍の高出力化が可能である。 For even breakdown electric field of about 10 times is larger than the GaAs, enabling improvement in breakdown voltage and operation voltage increase of the device, it is possible to high output several tens of times of GaAs with the effect of the thermal conductivity.

【0010】さらに、GaN系材料は、現在単結晶基板が存在しないためにサファイア基板上などに形成されているが、本発明のSiC基板上に形成することも可能であるため、良好な結晶性が得られる。 Furthermore, GaN-based material has been formed such as the current on the sapphire substrate to the single crystal substrate is not present, since it is also possible to form the SiC substrate of the present invention, good crystallinity It is obtained. 加えて、GaN系材料も、SiCと同様にワイドギャップ半導体であるため、使用可能温度が高くかつリーク電流などの温度に対する増加量も小さいため、かなり高い温度域においても低雑音特性を維持できる。 In addition, GaN-based materials also because it is similarly wide gap semiconductor and SiC, since the amount of increase with respect to temperature, such as high and the leakage current usable temperature is also small, can maintain a low noise characteristic at fairly high temperature range.

【0011】 [0011]

【発明の実施の形態】以下本発明の一実施例の電界効果型トランジスタについて、図面を参照しながら説明する。 For field effect transistor of one embodiment of the DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter the present invention will be described with reference to the drawings.

【0012】(実施の形態1) 図1は、本発明の第1の構成による送受信一体MMIC [0012] Figure 1 (Embodiment 1), the first transceiver integrated MMIC by the configuration of the present invention
を示す構成図である。 Which is a block diagram showing. 図1において、10はSiC基板である。 1, 10 is a SiC substrate. SiC基板10上に、 AlInGaN等のGa On the SiC substrate 10, Ga such as AlInGaN
N系の混晶材料を用いてエピタキシャル膜11が形成されている。 Epitaxial film 11 is formed by using the N-based mixed crystal material. 具体的には、SiC基板10上に、n型Ga Specifically, on the SiC substrate 10, n-type Ga
N層11bからなるチャネル層、およびアンドープAl A channel layer made of N layer 11b, and the undoped Al
0.2Ga0.8N層11aからなるショットキー層が形成されている。 Schottky layer made of 0.2Ga0.8N layer 11a is formed. GaN層11aの上には、ゲート電極16 On the GaN layer 11a, the gate electrode 16
s、ソース電極16g、ドレイン電極16dを有するM M with s, the source electrode 16g, the drain electrode 16d
ESFETが形成され、このFETが低雑音用のアンプ部16となっており、ゲート幅は小さい。 ESFET is formed, the FET has become an amplifier 16 for low noise, the gate width is small.

【0013】15は高出力アンプ部で、SiC基板10 [0013] 15 is a high-output amplifier section, SiC substrate 10
内に、n+ソース層、n+ドレイン層、nチャネル層が形成され、大きなゲート幅を有するSiCMESFET Within, n + source layer, n + drain layer, n-channel layer is formed, SiC MESFET having a large gate width
で構成されている。 In is configured. ソース層、ドレイン層、チャネル層は、シリコンのイオン注入により形成している。 Source layer, the drain layer, the channel layer is formed by ion implantation of silicon.

【0014】このように、高出力用のMESFETをS [0014] In this way, the MESFET for high-output S
iC基板に形成することにより、SiCの高い熱伝導率を利用できるので、高出力が可能なアンプ部を形成できる。 By forming the iC substrate, it is possible to utilize the high thermal conductivity of SiC, it can form an amplifier unit capable of high output. またAlInGaNであらわされるGaN系半導体にFETを形成できるため、この材料のもつ高い電子移動度(約1000cm・cm/Vs)を活かせるので、 Since capable of forming a FET in the GaN-based semiconductor represented by AlInGaN, since Ikaseru high electron mobility with of this material (about 1000cm · cm / Vs),
雑音特性のよい低雑音アンプ部を形成できる。 The good noise characteristic low-noise amplifier section can be formed.

【0015】なお、高出力アンプ部15のSiCMES [0015] It should be noted, SiCMES of the high-output amplifier section 15
FETの替わりに、さらに動作電圧を高くできるSiC SiC can be increased in place of the FET, the further operating voltage
MOSFETを用いることも可能である。 It is also possible to use MOSFET. また、上記低雑音アンプ部のGaN系MESFETの替わりに、さらに電子移動度を高くできるAlGaN/InGaNのヘテロ構造FETを用いることも可能である。 Further, instead of GaN-based MESFET of the low noise amplifier unit, it is also possible to further use a heterostructure FET of AlGaN / InGaN that can increase the electron mobility. このときは、In0.2Ga0.8N層をチャネル層とし、Al0.2G At this time, a channel layer In0.2Ga0.8N layer, Al0.2G
a0.8N層をバリア層とした構造となり、図4のようになる。 Becomes the structure a0.8N layer and the barrier layer, is shown in FIG.

【0016】図4は、低雑音アンプ部46のヘテロ接合FETを含む構造断面図である。 [0016] Figure 4 is a structural cross-sectional view including a heterojunction FET of the low noise amplifier unit 46. 高出力アンプ部15 High-output amplifier section 15
は、図1の構成と同じである。 Is the same as that of FIG. SiC基板10上に、アンドープAl0.2Ga0.8N層41、アンドープI On the SiC substrate 10, an undoped Al0.2Ga0.8N layer 41, an undoped I
n0.1Ga0.9N層42、アンドープAl0.2G n0.1Ga0.9N layer 42, an undoped Al0.2G
a0.8N層43が形成され、ダブルヘテロ構造となっている。 a0.8N layer 43 is formed, it has a double heterostructure. AlGaN43上には、シリコンデルタドープ層を含む、アンドープGaN層44からなるショットキー層が形成され、この層の上に、ゲート電極46g、ソース電極46s、ドレイン電極46dが形成されている。 On AlGaN43 comprises silicon delta-doped layer, is the Schottky layer is formed of undoped GaN layer 44, on top of this layer, the gate electrode 46 g, the source electrode 46s, the drain electrode 46d are formed.

【0017】この構造により、井戸層に電子を閉じ込めることができるので、さらに、移動度を高めたヘテロF [0017] With this structure, it is possible to confine electrons in the well layer, further, hetero F with enhanced mobility
ETとすることができ、雑音特性も向上する。 Can be with ET, also improved noise characteristics.

【0018】(実施の形態2) 図2は、本発明の第2の構成による送受信一体MMIC [0018] (Embodiment 2) Figure 2, transceiver integrated MMIC according to a second configuration of the present invention
を示す構成図である。 Which is a block diagram showing. 図2において、20はSiC基板である。 2, 20 is a SiC substrate. 基板20上にはアンドープAl0.2Ga0.8N層からなる第一エピタキシャル膜21が成長されている。 On the substrate 20 first epitaxial layer 21 made of undoped Al0.2Ga0.8N layer is grown.
AlGaN層21は、SiC基板には、格子整合しないが、SiC基板20上に格子整合するように組成を選択した、 AlInGaN等のGaN系の混晶材料を用いて形成してもよい。 AlGaN layer 21, the SiC substrate is not lattice-matched, and selecting the composition such that lattice matching on the SiC substrate 20 may be formed using a GaN-based mixed crystal materials such as AlInGaN.

【0019】22は第二エピタキシャル膜で、エピタキシャル膜21上に、 AlInGaN等のGaN系の混晶材料を用いて形成されている。 [0019] 22 in the second epitaxial layer, on the epitaxial film 21 is formed using a GaN-based mixed crystal materials such as AlInGaN. 具体的には、基板20上に、アンドープGaN層22b、n型Al0.2Ga0.8N Specifically, on the substrate 20, an undoped GaN layer 22b, n-type Al0.2Ga0.8N
層22aが形成されている。 Layer 22a is formed.

【0020】第2のエピタキシャル膜22には、低雑音アンプ部26が形成されている。 [0020] The second epitaxial layer 22, a low noise amplifier unit 26 are formed. 低雑音アンプ26は、 Low-noise amplifier 26,
n型AlGaN層22aをチャネル層としたMESFE MESFE the n-type AlGaN layer 22a and the channel layer
Tであり、小さなゲート幅を有している。 A T, has a smaller gate width.

【0021】一方、高出力アンプ部25にはヘテロ接合FETが形成されており、SiC基板20およびAlG Meanwhile, the high-output amplifier section 25 is formed with a heterojunction FET, SiC substrate 20 and AlG
aN層21からなる第一エピタキシャル膜21内に形成されている。 It is formed on the first epitaxial layer 21 made of aN layer 21. AlGaN21とSiC基板20との界面をキャリアが走行する。 The interface between AlGaN21 and SiC substrate 20 is the carrier travels.

【0022】高出力アンプ部25では、SiCよりもさらに大きなバンドギャップが実現できるAlInGaN [0022] AlInGaN in the high-output amplifier section 25, a large band gap further than SiC can be achieved
材料を用いているので、絶縁破壊電圧が改善されている。 Because of the use of materials, the dielectric breakdown voltage is improved. またGaN系/SiCヘテロ構造により電子移動度も改善されており、実施形態1に比べて、利得や効率といった高周波パワーデバイス特性が向上している。 Also been improved electron mobility by GaN-based / SiC heterostructure, as compared with the embodiment 1, the high frequency power device characteristics such as the gain and efficiency is improved.

【0023】さらに実施形態1と同様に、低雑音アンプ部のGaN系MESFETの替わりに、さらに電子移動度を高くできるAlGaN/InGaN等のヘテロ構造FETを用いることも可能である。 [0023] Similar to the further embodiment 1, instead of the GaN-based MESFET of the low-noise amplifier unit, it is also possible to further use a heterostructure FET of AlGaN / InGaN or the like which can enhance the electron mobility.

【0024】 [0024]

【発明の効果】以上のように本発明による半導体装置は、GaAsの約10倍の高い熱伝導率と絶縁破壊電圧を有するSiC基板に高出力アンプ部を形成することによって、数十倍の高出力化を実現し、同時にSiC上にエピタキシャル成長可能なGaN系材料の高い電子移動度を活かした低雑音アンプ部を一体形成することによって、従来不可能であった超高出力型の送受信一体MMI The semiconductor device according to the present invention as described above, according to the present invention, by forming a high-output amplifier section to SiC substrate having a breakdown voltage of about 10 times higher thermal conductivity of GaAs, several tens of times higher It achieves output, at the same time by integrally forming a low noise amplifier unit which utilizes a high electron mobility can be epitaxially grown GaN material on SiC, transceiver integrated MMI ultra high-output has been conventionally impossible
Cを実現している。 It is realized C. 特に低雑音アンプ部をワイドギャップ半導体であるGaN系材料での実現により、高い使用環境温度においても低雑音特性が発揮されるので、今後さらに需要が拡大するマルチメディア社会の通信用デバイスのニーズを担うことができる。 In particular the realization of a low noise amplifier unit in GaN-based material is a wide-gap semiconductor, the low noise characteristic is exhibited even at high ambient temperature, the needs of the communication device of the multimedia society to expand further demand in the future it can play.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の送受信一体MMICの構成断面図 Configuration sectional view of a transceiver integrated MMIC of the present invention; FIG

【図2】本発明の送受信一体MMICの構成断面図 Configuration sectional view of a transceiver integrated MMIC of the present invention; FIG

【図3】従来のMMICの構成断面図 [Figure 3] configuration sectional view of a conventional MMIC

【図4】本発明の送受信一体MMICの構成断面図 Configuration sectional view of a transceiver integrated MMIC of the present invention; FIG

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10,20 SiC基板 11 エピタキシャル膜 15,25,35 高出力アンプ部 16,26,36 低雑音アンプ部 21 第一エピタキシャル膜 22 第二エピタキシャル膜 30 GaAs基板 10, 20 SiC substrate 11 the epitaxial layer 15, 25, 35 high-power amplifier unit 16, 26, 36 low-noise amplifier unit 21 first epitaxial layer 22 second epitaxial layer 30 GaAs substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−246471(JP,A) 特開 平8−264439(JP,A) 特開 昭64−86547(JP,A) 特開 平9−306840(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 21/337 - 21/338 H01L 27/095 H01L 27/097 H01L 29/775 - 29/778 H01L 29/80 - 21/812 H01L 21/20 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 23/12 301 H01L 27/04 ────────────────────────────────────────────────── ─── continued (56) references of the front page Patent flat 9-246471 (JP, a) JP flat 8-264439 (JP, a) JP Akira 64-86547 (JP, a) JP flat 9- 306840 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H01L 21/337 - 21/338 H01L 27/095 H01L 27/097 H01L 29/775 - 29/778 H01L 29/80 - 21/812 H01L 21/20 H01L 21/203 H01L 21/205 H01L 23/12 301 H01L 27/04

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 SiC基板と、 前記SiC基板上に形成されたAlInGaNまたはI 1. A SiC substrate and, AlInGaN or I formed the SiC substrate
    nGaNまたはAlGaNまたはGaNからなるエピタキシャル膜と、 前記SiC基板に形成されたパワーアンプ部と、 前記エピタキシャル膜に形成された低雑音アンプ部とを有し、 前記パワーアンプ部と、前記低雑音アンプ部とが同一基板上に形成されている半導体装置。 It has an epitaxial film made of nGaN or AlGaN or GaN, and the SiC substrate formed power amplifier part, and a low noise amplifier portion formed in the epitaxial layer, and the power amplifier part, the low-noise amplifier section preparative the semiconductor device are formed on the same substrate.
  2. 【請求項2】 前記エピタキシャル膜に、AlGaN障壁層とInGaN井戸層を含む低雑音アンプ部とする請求項1に記載の半導体装置。 To wherein said epitaxial film, a semiconductor device according to claim 1, the low noise amplifier unit comprising an AlGaN barrier layer and the InGaN well layer.
  3. 【請求項3】 SiC基板と、 前記SiC基板上に形成され、かつSiCに格子整合するAlInGaN、またはInGaNまたはAlGaN 3. A SiC substrate, is formed on the SiC substrate, and is lattice-matched to SiC AlInGaN or InGaN or AlGaN,
    またはGaNからなる第一のエピタキシャル膜と、 前記第一のエピタキシャル膜上に形成されたAlInG Or a first epitaxial film composed of GaN, the first AlInG formed on the epitaxial layer
    aN、またはInGaNまたはAlGaNまたはGaN aN or InGaN or AlGaN or GaN,
    からなる第二のエピタキシャル膜と、 前記SiC基板上に形成され、かつ上記第一のエピタキシャル膜をFETのショットキ−層とするパワーアンプ部と、 前記第二のエピタキシャル膜上に形成された低雑音アンプ部とを有し、 前記パワーアンプ部と、前記低雑音アンプ部とが同一基板上に形成されている半導体装置。 A second epitaxial layer made of, said formed on a SiC substrate, and the first epitaxial film FET Schottky - and the power amplifier unit a layer, the second low-noise formed on the epitaxial layer and a amplifier section, a semiconductor device and the power amplifier part, and the said low-noise amplifier section are formed on the same substrate.
JP9086394A 1997-04-04 1997-04-04 Semiconductor device Expired - Fee Related JP3047852B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9086394A JP3047852B2 (en) 1997-04-04 1997-04-04 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9086394A JP3047852B2 (en) 1997-04-04 1997-04-04 Semiconductor device
CN 98101070 CN1131548C (en) 1997-04-04 1998-04-01 Semiconductor device
US09/000,544 US6110813A (en) 1997-04-04 1998-04-03 Method for forming an ohmic electrode
US09/400,192 US6274889B1 (en) 1997-04-04 1999-09-21 Method for forming ohmic electrode, and semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10284507A JPH10284507A (en) 1998-10-23
JP3047852B2 true JP3047852B2 (en) 2000-06-05

Family

ID=13885668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9086394A Expired - Fee Related JP3047852B2 (en) 1997-04-04 1997-04-04 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3047852B2 (en)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60043122D1 (en) * 1999-03-17 2009-11-19 Mitsubishi Chem Corp Semiconductor base their production and Halbleiterkristallhersetllungsmethode
JP4937498B2 (en) * 2000-06-27 2012-05-23 パナソニック株式会社 Semiconductor device
US7919791B2 (en) * 2002-03-25 2011-04-05 Cree, Inc. Doped group III-V nitride materials, and microelectronic devices and device precursor structures comprising same
US7898047B2 (en) * 2003-03-03 2011-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices
US7112860B2 (en) 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
WO2006050403A2 (en) * 2004-10-28 2006-05-11 Nitronex Corporation Gallium nitride/silicon based monolithic microwave integrated circuit
US9153645B2 (en) 2005-05-17 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US8324660B2 (en) 2005-05-17 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
WO2007112066A2 (en) 2006-03-24 2007-10-04 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication
US8173551B2 (en) 2006-09-07 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Defect reduction using aspect ratio trapping
WO2008039534A2 (en) 2006-09-27 2008-04-03 Amberwave Systems Corporation Quantum tunneling devices and circuits with lattice- mismatched semiconductor structures
WO2008124154A2 (en) 2007-04-09 2008-10-16 Amberwave Systems Corporation Photovoltaics on silicon
US7825328B2 (en) 2007-04-09 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
US8329541B2 (en) 2007-06-15 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InP-based transistor fabrication
WO2009035746A2 (en) 2007-09-07 2009-03-19 Amberwave Systems Corporation Multi-junction solar cells
US8183667B2 (en) 2008-06-03 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Epitaxial growth of crystalline material
US8274097B2 (en) 2008-07-01 2012-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of edge effects from aspect ratio trapping
US8981427B2 (en) 2008-07-15 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing of small composite semiconductor materials
CN102160145B (en) 2008-09-19 2013-08-21 台湾积体电路制造股份有限公司 Formation of devices by epitaxial layer overgrowth
US20100072515A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Amberwave Systems Corporation Fabrication and structures of crystalline material
US8253211B2 (en) 2008-09-24 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities
JP5338433B2 (en) * 2008-09-30 2013-11-13 富士電機株式会社 Gallium nitride semiconductor device and manufacturing method thereof
US8304805B2 (en) 2009-01-09 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films
US8237151B2 (en) 2009-01-09 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Diode-based devices and methods for making the same
WO2010114956A1 (en) 2009-04-02 2010-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same
JP5736716B2 (en) 2010-10-15 2015-06-17 富士通株式会社 Electronic device, manufacturing method thereof, and transmitting / receiving device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10284507A (en) 1998-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ando et al. 10-W/mm AlGaN-GaN HFET with a field modulating plate
EP1638147B1 (en) III-V nitride semiconductor device and method for fabricating the same
US6797994B1 (en) Double recessed transistor
US6140169A (en) Method for manufacturing field effect transistor
Mishra et al. GaN-based RF power devices and amplifiers
Wu et al. Very-high power density AlGaN/GaN HEMTs
Moon et al. Gate-recessed AlGaN-GaN HEMTs for high-performance millimeter-wave applications
US7910464B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device having a III-V nitride semiconductor
US7161194B2 (en) High power density and/or linearity transistors
US6274889B1 (en) Method for forming ohmic electrode, and semiconductor device
Liechti Microwave field-effect transistors-1976
CA2611066C (en) Switch mode power amplifier using fet with field plate extension
US7956383B2 (en) Field effect transistor
US7105868B2 (en) High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP5292716B2 (en) Compound semiconductor device
Chumbes et al. AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si (111) substrates
Kunihiro et al. Experimental evaluation of impact ionization coefficients in GaN
JP5758796B2 (en) Transistor having p-type buried layer under source region and method for manufacturing the same
US8076698B2 (en) Transistor and method for operating the same
JP5004403B2 (en) High electron mobility transistor (HEMT)
Sullivan et al. High-power 10-GHz operation of AlGaN HFET's on insulating SiC
US8101972B2 (en) Nitride semiconductor device and method for fabricating the same
US7816707B2 (en) Field-effect transistor with nitride semiconductor and method for fabricating the same
CN1222047C (en) Pseudo-isomorphous high electronic mobility transistor power device and its production method
US6429467B1 (en) Heterojunction field effect transistor

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080324

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090324

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees