JP3046018B1 - 高周波合成装置型プラズマ処理装置 - Google Patents
高周波合成装置型プラズマ処理装置Info
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- JP3046018B1 JP3046018B1 JP11064612A JP6461299A JP3046018B1 JP 3046018 B1 JP3046018 B1 JP 3046018B1 JP 11064612 A JP11064612 A JP 11064612A JP 6461299 A JP6461299 A JP 6461299A JP 3046018 B1 JP3046018 B1 JP 3046018B1
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- Japan
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- high frequency
- uhf
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Abstract
【要約】
【課題】ウェーファー面上のプラズマの電子密度および
その分布を均一にし、ターゲットバイアスの制御を行う
ために３周波（ＵＨＦ、ＨＦ、ＭＦ）の高周波電力を用
い、各周波数の干渉が発生し難いプラズマ処理装置。 【解決手段】ＵＨＦ帯周波数Ｆ１と、ＨＦ帯周波数Ｆ２
の高周波電力を同時に一方の電極に加え、他方の電極に
ＭＦ帯周波数Ｆ３の高周波電力を加えるプラズマ処理装
置において、各周波数の電力の３つの入力端子、２つの
出力端子、および各周波数に対応する分波器を設ける。
その分布を均一にし、ターゲットバイアスの制御を行う
ために３周波（ＵＨＦ、ＨＦ、ＭＦ）の高周波電力を用
い、各周波数の干渉が発生し難いプラズマ処理装置。 【解決手段】ＵＨＦ帯周波数Ｆ１と、ＨＦ帯周波数Ｆ２
の高周波電力を同時に一方の電極に加え、他方の電極に
ＭＦ帯周波数Ｆ３の高周波電力を加えるプラズマ処理装
置において、各周波数の電力の３つの入力端子、２つの
出力端子、および各周波数に対応する分波器を設ける。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は半導体製造装置のＣ
ＶＤ、プラズマアッシャー、エッチング等に用いる高周
波合成装置型プラズマ処理装置に関する。
ＶＤ、プラズマアッシャー、エッチング等に用いる高周
波合成装置型プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーファーのＣＶＤ、プラズマ
アッシャー、エッチング等において、高周波プラズマが
現在一般的に使用されている。よく知られているよう
に、プラズマとはイオン、電子、中性粒子を含む電離し
た気体で全体として中性であるものをいう。
アッシャー、エッチング等において、高周波プラズマが
現在一般的に使用されている。よく知られているよう
に、プラズマとはイオン、電子、中性粒子を含む電離し
た気体で全体として中性であるものをいう。
【０００３】最近半導体ウェーファーの大型化や大面積
化の要求が高まっており、これに対応するプラズマ発生
装置が求められている。大面積のウェーファーの表面処
理においては、ウェーファー 面上のプラズマの電子密
度が均一であることが望ましく、そのためにはウェーフ
ァー面上の電磁界強度の分布を均一にすることが必要で
ある。
化の要求が高まっており、これに対応するプラズマ発生
装置が求められている。大面積のウェーファーの表面処
理においては、ウェーファー 面上のプラズマの電子密
度が均一であることが望ましく、そのためにはウェーフ
ァー面上の電磁界強度の分布を均一にすることが必要で
ある。
【０００４】従来のプラズマ発生装置では、ウェーファ
ー 面上のプラズマの電子密度およびその分布の均一
化、ターゲットに与えるＤＣバイアス値等の問題を克服
する努力がなされている。その手段の一つとして、一方
の電極に周波数Ｆ１（ＵＨＦ帯）および周波数Ｆ２（Ｈ
Ｆ帯）の高周波電力を加え、他方の電極に周波数Ｆ３
（ＭＦ帯）の高周波電力を加えるプラズマ処理装置が考
えられている。しかしながら、このプラズマ処理装置に
おいては、各周波数の干渉が発生し、各々の制御がきわ
めて難しくなり実現不可能となる。
ー 面上のプラズマの電子密度およびその分布の均一
化、ターゲットに与えるＤＣバイアス値等の問題を克服
する努力がなされている。その手段の一つとして、一方
の電極に周波数Ｆ１（ＵＨＦ帯）および周波数Ｆ２（Ｈ
Ｆ帯）の高周波電力を加え、他方の電極に周波数Ｆ３
（ＭＦ帯）の高周波電力を加えるプラズマ処理装置が考
えられている。しかしながら、このプラズマ処理装置に
おいては、各周波数の干渉が発生し、各々の制御がきわ
めて難しくなり実現不可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
解決するために提案されたもので、ウェーファー 面上
のプラズマの電子密度およびその分布を均一にし、ター
ゲットバイアスの制御を行うために３周波（ＵＨＦ、Ｈ
Ｆ、ＭＦ）の高周波電力を用い、かつ各周波数の干渉が
発生し難い高周波合成装置型プラズマ処理装置を提供す
ることを目的とする。
解決するために提案されたもので、ウェーファー 面上
のプラズマの電子密度およびその分布を均一にし、ター
ゲットバイアスの制御を行うために３周波（ＵＨＦ、Ｈ
Ｆ、ＭＦ）の高周波電力を用い、かつ各周波数の干渉が
発生し難い高周波合成装置型プラズマ処理装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、ＵＨＦ帯周波数Ｆ１の高周波電力とＨＦ
帯周波数Ｆ２の高周波電力とを同時に一方の電極に加
え、他方の電極にＭＦ帯周波数Ｆ３の高周波電力を加え
るプラズマ処理装置において、前記他方の電極とＦ３の
電源との間に、Ｆ３の電力を通過させ、前記Ｆ１および
Ｆ２の電力を遮断するローパスフィルターを有し、前記
一方の電極とＦ１の電源との間の伝送回路にＦ１の電力
を通過させ、前記Ｆ２およびＦ３の電力を遮断するフィ
ルタを有し、さらに前記一方の電極とＦ２の電源との間
の伝送回路にＦ２の電力を通過させ、Ｆ１およびＦ３の
電力を遮断するフィルタを有する分波器を備え、各周波
数の高周波電力の干渉が発生し難くなるようにしたこと
を特徴とする高周波合成装置型プラズマ処理装置であ
る。
めの本発明は、ＵＨＦ帯周波数Ｆ１の高周波電力とＨＦ
帯周波数Ｆ２の高周波電力とを同時に一方の電極に加
え、他方の電極にＭＦ帯周波数Ｆ３の高周波電力を加え
るプラズマ処理装置において、前記他方の電極とＦ３の
電源との間に、Ｆ３の電力を通過させ、前記Ｆ１および
Ｆ２の電力を遮断するローパスフィルターを有し、前記
一方の電極とＦ１の電源との間の伝送回路にＦ１の電力
を通過させ、前記Ｆ２およびＦ３の電力を遮断するフィ
ルタを有し、さらに前記一方の電極とＦ２の電源との間
の伝送回路にＦ２の電力を通過させ、Ｆ１およびＦ３の
電力を遮断するフィルタを有する分波器を備え、各周波
数の高周波電力の干渉が発生し難くなるようにしたこと
を特徴とする高周波合成装置型プラズマ処理装置であ
る。
【０００７】本発明の特徴とする前記分波器に用いるフ
ィルタは、バンドパスフィルタでもよいが、周波数帯に
よりさまざまな形式のものが考えられる。以下本発明に
用いる分波器の一例を挙げれば、 １、ＵＨＦ帯周波数Ｆ1の高周波電力、ＨＦ帯周波数Ｆ
２の高周波電力およびＭＦ帯周波数Ｆ３の３周波の高周
波電力のそれぞれの入力端子と、 ２、上記Ｆ１とＦ２の合成電力をプラズマチャンバーに
加える合成電力出力端子および上記Ｆ３電力をプラズマ
チャンバーに加える出力端子とを備え、 ３、Ｆ１入力端子と該合成電力出力端子間を同軸線路で
構成し、内導体に直列に入れたＵＨＦチョーク構造の共
振器と、 ４、Ｆ１入力端子側に設けたλ／４短絡線路と、 ５、Ｆ２入力端子側の近くにＭＦを短絡するように設け
たＭＦ用直列共振回路と、 ６、Ｆ２入力端子と合成電力出力端子との間にＵＨＦ帯
Ｆ１電力を阻止する如く動作するλ／４チョークと、 ７、さらに、ＭＦ帯周波数Ｆ３電力の出力端子側にＦ
１、Ｆ２信号を阻止し、ＭＦ帯周波数Ｆ３信号を通過さ
せるロ−パスフィルタを設けた合成器とを有する。
ィルタは、バンドパスフィルタでもよいが、周波数帯に
よりさまざまな形式のものが考えられる。以下本発明に
用いる分波器の一例を挙げれば、 １、ＵＨＦ帯周波数Ｆ1の高周波電力、ＨＦ帯周波数Ｆ
２の高周波電力およびＭＦ帯周波数Ｆ３の３周波の高周
波電力のそれぞれの入力端子と、 ２、上記Ｆ１とＦ２の合成電力をプラズマチャンバーに
加える合成電力出力端子および上記Ｆ３電力をプラズマ
チャンバーに加える出力端子とを備え、 ３、Ｆ１入力端子と該合成電力出力端子間を同軸線路で
構成し、内導体に直列に入れたＵＨＦチョーク構造の共
振器と、 ４、Ｆ１入力端子側に設けたλ／４短絡線路と、 ５、Ｆ２入力端子側の近くにＭＦを短絡するように設け
たＭＦ用直列共振回路と、 ６、Ｆ２入力端子と合成電力出力端子との間にＵＨＦ帯
Ｆ１電力を阻止する如く動作するλ／４チョークと、 ７、さらに、ＭＦ帯周波数Ｆ３電力の出力端子側にＦ
１、Ｆ２信号を阻止し、ＭＦ帯周波数Ｆ３信号を通過さ
せるロ−パスフィルタを設けた合成器とを有する。
【０００８】本発明による上記高周波合成装置型プラズ
マ処理装置においてはさらに、Ｆ１入力端子にＵＨＦ用
同軸オートマッチング装置を設け、Ｆ２入力端子にＨＦ
用ＬＣオートマッチング装置を設け、Ｆ３入力端子にＭ
Ｆ用ＬＣオートマッチング装置を設けることができる。
マ処理装置においてはさらに、Ｆ１入力端子にＵＨＦ用
同軸オートマッチング装置を設け、Ｆ２入力端子にＨＦ
用ＬＣオートマッチング装置を設け、Ｆ３入力端子にＭ
Ｆ用ＬＣオートマッチング装置を設けることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明に係るプラズマ処理装
置について、図を参照して具体的に説明する。図１は本
発明によるプラズマ処理装置の動作原理を説明するため
の回路構成図である。図１において、１は本発明に用い
る分波器である。２はプラズマチャンバーで、電極３お
よび４を備える。プラズマチャンバ２は電力の入力端子
５および６を有し、５はＵＨＦ帯周波数Ｆ１とＨＦ帯周
波数Ｆ２の合成電力の入力端子、６はＭＦ帯周波数Ｆ３
の電力の入力端子である。
置について、図を参照して具体的に説明する。図１は本
発明によるプラズマ処理装置の動作原理を説明するため
の回路構成図である。図１において、１は本発明に用い
る分波器である。２はプラズマチャンバーで、電極３お
よび４を備える。プラズマチャンバ２は電力の入力端子
５および６を有し、５はＵＨＦ帯周波数Ｆ１とＨＦ帯周
波数Ｆ２の合成電力の入力端子、６はＭＦ帯周波数Ｆ３
の電力の入力端子である。
【００１０】分波器１は、ＵＨＦ帯周波数Ｆ１電力の入
力端子１２、ＨＦ帯周波数Ｆ２電力の入力端子１３およ
びＭＦ帯周波数Ｆ３電力の入力端子１４を、またＦ１と
Ｆ２との合成電力の出力端子７およびＦ３電力の出力端
子１６を備える。
力端子１２、ＨＦ帯周波数Ｆ２電力の入力端子１３およ
びＭＦ帯周波数Ｆ３電力の入力端子１４を、またＦ１と
Ｆ２との合成電力の出力端子７およびＦ３電力の出力端
子１６を備える。
【００１１】さらに分波器１は、上記３つの電力の周波
数の干渉を発生し難くするように、ＵＨＦチョーク８、
短絡用λ／４チョーク９、ＵＨＦλ／４短絡線路１０お
よびＭＦ直列共振回路１１を有し、 ＭＦ帯周波数Ｆ３
の電力は端子１４からＭＦ用ローパスフィルタ１５を経
て、出力端子１６からプラズマチャンバ２の端子６に入
力される。
数の干渉を発生し難くするように、ＵＨＦチョーク８、
短絡用λ／４チョーク９、ＵＨＦλ／４短絡線路１０お
よびＭＦ直列共振回路１１を有し、 ＭＦ帯周波数Ｆ３
の電力は端子１４からＭＦ用ローパスフィルタ１５を経
て、出力端子１６からプラズマチャンバ２の端子６に入
力される。
【００１２】図１により上記分波器の各フィルタの動作
原理を説明する。８はＵＨＦチョーク（共振器）で、Ｕ
ＨＦ波に対し低い直列インピーダンスとなり、端子１２
に入力されるＵＨＦ波を通過させるが、ＵＨＦλ／４短
絡線路（内導体）１０の先端は外導体に接続（即ち接
地）されているので、ＨＦ波、ＭＦ波に対してＵＨＦチ
ョーク８が高インピーダンス、ＵＨＦλ／４短絡線路１
０が低インピーダンスとなり、ＨＦ波、ＭＦ波はＵＨＦ
入力端子１２へは通過できない。一方上記のように、Ｕ
ＨＦ入力端子１２に入力したＵＨＦ波は、ＵＨＦλ／４
短絡線路１０およびＵＨＦチョーク８を通過するが、短
絡用λ／４チョーク９によりＨＦ入力端子１３には出力
されない。
原理を説明する。８はＵＨＦチョーク（共振器）で、Ｕ
ＨＦ波に対し低い直列インピーダンスとなり、端子１２
に入力されるＵＨＦ波を通過させるが、ＵＨＦλ／４短
絡線路（内導体）１０の先端は外導体に接続（即ち接
地）されているので、ＨＦ波、ＭＦ波に対してＵＨＦチ
ョーク８が高インピーダンス、ＵＨＦλ／４短絡線路１
０が低インピーダンスとなり、ＨＦ波、ＭＦ波はＵＨＦ
入力端子１２へは通過できない。一方上記のように、Ｕ
ＨＦ入力端子１２に入力したＵＨＦ波は、ＵＨＦλ／４
短絡線路１０およびＵＨＦチョーク８を通過するが、短
絡用λ／４チョーク９によりＨＦ入力端子１３には出力
されない。
【００１３】１１はＭＦ直列共振回路であり、この回路
（内導体）の先端は接地されているのでＭＦ波は遮断さ
れるが端子１３に入力されるＨＦ波は通過させる。９は
短絡用ＵＨＦλ／４チョークであり、ＵＨＦ波に対し内
導体を低インピーダンスにして遮断するが、ＨＦ波、Ｍ
Ｆ波は通過させる。
（内導体）の先端は接地されているのでＭＦ波は遮断さ
れるが端子１３に入力されるＨＦ波は通過させる。９は
短絡用ＵＨＦλ／４チョークであり、ＵＨＦ波に対し内
導体を低インピーダンスにして遮断するが、ＨＦ波、Ｍ
Ｆ波は通過させる。
【００１４】ＨＦ入力端子１３に入力したＨＦ波は、Ｍ
Ｆ直列共振回路１１、λ／４チョーク９を通過するが、
ＵＨＦチョーク８によりＵＨＦ入力端子１２に出力され
ない。また、ＭＦ入力端子１４から入力したＭＦ波は、
ＵＨＦチョーク８によりＵＨＦ入力端子１２に出力され
ず、短絡用λ／４チョーク９を通過し、ＭＦ直列共振回
路１１によりＨＦ入力端子１３にも出力されない。ま
た、ＵＨＦ波およびＨＦ波は１５のローパスフィルタに
よりＭＦ入力端子１４に出力されない。
Ｆ直列共振回路１１、λ／４チョーク９を通過するが、
ＵＨＦチョーク８によりＵＨＦ入力端子１２に出力され
ない。また、ＭＦ入力端子１４から入力したＭＦ波は、
ＵＨＦチョーク８によりＵＨＦ入力端子１２に出力され
ず、短絡用λ／４チョーク９を通過し、ＭＦ直列共振回
路１１によりＨＦ入力端子１３にも出力されない。ま
た、ＵＨＦ波およびＨＦ波は１５のローパスフィルタに
よりＭＦ入力端子１４に出力されない。
【００１５】上記の動作により、ＵＨＦ、ＨＦ、ＭＦの
入力端子はお互いに影響なく電力を印加できることにな
る。各周波数の入力に対しては、上記リアクタンスを含
んでおりオートマッチング装置で整合させることができ
るので問題ない。
入力端子はお互いに影響なく電力を印加できることにな
る。各周波数の入力に対しては、上記リアクタンスを含
んでおりオートマッチング装置で整合させることができ
るので問題ない。
【００１６】
【実施例】図２は本発明の実施の１例を示す回路図であ
る。図２において、２１は本発明による分波器、２２は
プラズマチャンバである。分波器２１は、４５０ＭＨｚ
の電力の入力端子３２と１３．５６ＭＨｚの電力の入力
端子３３およびこの２つの電力の合成電力の出力端子２
７と、さらに８００ＫＨｚの電力の入力端子３４を備
え、この電力はＭＦローパスフィルタ３５を介して出力
端子３６からプラズマチャンバ２２に供給される。
る。図２において、２１は本発明による分波器、２２は
プラズマチャンバである。分波器２１は、４５０ＭＨｚ
の電力の入力端子３２と１３．５６ＭＨｚの電力の入力
端子３３およびこの２つの電力の合成電力の出力端子２
７と、さらに８００ＫＨｚの電力の入力端子３４を備
え、この電力はＭＦローパスフィルタ３５を介して出力
端子３６からプラズマチャンバ２２に供給される。
【００１７】分波器２１はまた、４５０ＭＨｚ用１／４
波長のショートスタブ３０、４５０ＭＨｚ用のチョーク
（通過）２８、４５０ＭＨｚ用のチョーク（短絡）２
９、８００ＫＨｚ用の直列共振回路３１を有する。プラ
ズマチャンバ２２は図１と同様電極２３、２４を備え、
端子２５には分波器の出力端子２７から４５０ＭＨｚと
１３．５６ＭＨｚの２つの電力の合成電力が、また、端
子２６には出力端子３６から８００ＫＨｚの電力が入力
される。
波長のショートスタブ３０、４５０ＭＨｚ用のチョーク
（通過）２８、４５０ＭＨｚ用のチョーク（短絡）２
９、８００ＫＨｚ用の直列共振回路３１を有する。プラ
ズマチャンバ２２は図１と同様電極２３、２４を備え、
端子２５には分波器の出力端子２７から４５０ＭＨｚと
１３．５６ＭＨｚの２つの電力の合成電力が、また、端
子２６には出力端子３６から８００ＫＨｚの電力が入力
される。
【００１８】上記構成の分波器２１を使用することによ
り、４５０ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚおよび８００ＫＨ
ｚの３周波数の高周波電力は前記の動作原理に基づき、
相互に干渉することなくプラズマチャンバに印加され、
希望通りのプラズマ処理を実施することができた。
り、４５０ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚおよび８００ＫＨ
ｚの３周波数の高周波電力は前記の動作原理に基づき、
相互に干渉することなくプラズマチャンバに印加され、
希望通りのプラズマ処理を実施することができた。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係る高周波合成装置型プラズマ
処理装置は上記の構成であるから、ターゲットバイアス
の制御を行うために３周波（ＵＨＦ、ＨＦ、ＭＦ）の高
周波電力を用い、かつ独特の分波器を使用することによ
り各周波数の高周波の干渉を発生し難くすることができ
るので、大面積のウェーファーにおいても、ウェーファ
ー 面上のプラズマの電子密度およびその分布を均一に
することができる。
処理装置は上記の構成であるから、ターゲットバイアス
の制御を行うために３周波（ＵＨＦ、ＨＦ、ＭＦ）の高
周波電力を用い、かつ独特の分波器を使用することによ
り各周波数の高周波の干渉を発生し難くすることができ
るので、大面積のウェーファーにおいても、ウェーファ
ー 面上のプラズマの電子密度およびその分布を均一に
することができる。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の動作原理を説
明するための回路構成図。
明するための回路構成図。
【図２】本発明の１実施例を示す回路図。
１、21 本発明に用いる分波器 ２、22 プラズマチャンバ ３、４、23、24 電極 ５、６、25、26 チャンバの入力端子 ７ ＵＨＦおよびＨＦ合成電力出力端子 ８ ＵＨＦチョーク ９ λ／４チョーク 10 ＵＨＦλ／４短絡線路 11 ＭＦ直列共振回路 12 ＵＨＦ入力端子 13 ＨＦ入力端子 14 ＭＦ入力端子 15 ＭＦ用ローパスフィルタ 16 ＭＦ電力出力端子 27 450ＭＨzと13.56ＭＨzの電力の合成電力の出力
端子 28 450ＭＨz用チョーク 29 450ＭＨz用λ／４チョーク 30 450ＭＨz用λ／４ショートスタブ 31 800ＫＨz直列共振回路 32 450ＭＨz入力端子 33 13.56ＭＨzの入力端子 34 800 KＨz入力端子 35 800 KＨz用ローパスフィルタ 36 800 KＨz出力端子
端子 28 450ＭＨz用チョーク 29 450ＭＨz用λ／４チョーク 30 450ＭＨz用λ／４ショートスタブ 31 800ＫＨz直列共振回路 32 450ＭＨz入力端子 33 13.56ＭＨzの入力端子 34 800 KＨz入力端子 35 800 KＨz用ローパスフィルタ 36 800 KＨz出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 ＵＨＦ帯周波数Ｆ１の高周波電力とＨＦ
帯周波数Ｆ２の高周波電力とを同時に一方の電極に加
え、他方の電極にＭＦ帯周波数Ｆ３の高周波電力を加え
るプラズマ処理装置において、上記他方の電極とＦ３の
電源との間に、Ｆ３の電力を通過させ、前記Ｆ１および
Ｆ２の電力を遮断するローパスフィルターを有し、前記
一方の電極とＦ１の電源との間の伝送回路にＦ１の電力
を通過させ、前記Ｆ２およびＦ３の電力を遮断するフィ
ルタを有し、さらに前記一方の電極とＦ２の電源との間
の伝送回路にＦ２の電力を通過させ、Ｆ１およびＦ３の
電力を遮断するフィルタを有する分波器を備え、各周波
数の高周波電力の干渉が発生し難くなるようにしたこと
を特徴とする高周波合成装置型プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 分波器が、ＵＨＦ帯周波数Ｆ１の高周波
電力、ＨＦ帯周波数Ｆ２の高周波電力およびＭＦ帯周波
数Ｆ３の３周波の高周波電力のそれぞれの入力端子と、
上記Ｆ１とＦ２の合成電力をプラズマチャンバーに加え
る合成電力出力端子および上記Ｆ３電力をプラズマチャ
ンバーに加える出力端子とを備え、Ｆ１入力端子と該合
成電力出力端子間を同軸線路で構成し、内導体に直列に
入れたＵＨＦチョーク構造の共振器と、Ｆ１入力端子側
に設けたλ／４短絡線路と、Ｆ２入力端子側の近くにＭ
Ｆを短絡するように設けたＭＦ用直列共振回路と、Ｆ２
入力端子と合成電力出力端子との間にＵＨＦ帯Ｆ１電力
を阻止する如く動作するλ／４チョークと、さらに、Ｍ
Ｆ帯周波数Ｆ３電力の出力端子側にＦ１、Ｆ２信号を阻
止し、ＭＦ帯周波数Ｆ３信号を通過させるロ−パスフィ
ルタを設けた合成器とを有する請求項１記載の高周波合
成装置型プラズマ処理装置。 - 【請求項３】 Ｆ１入力端子にＵＨＦ用同軸オートマッ
チング装置、Ｆ２入力端子にＨＦ用ＬＣオートマッチン
グ装置、Ｆ３入力端子にＭＦ用ＬＣオートマッチング装
置をそれぞれ設けた請求項１記載の高周波合成装置型プ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064612A JP3046018B1 (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 高周波合成装置型プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064612A JP3046018B1 (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 高周波合成装置型プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3046018B1 true JP3046018B1 (ja) | 2000-05-29 |
| JP2000260597A JP2000260597A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13263273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11064612A Expired - Lifetime JP3046018B1 (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | 高周波合成装置型プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3046018B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4529786B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-08-25 | 株式会社日立製作所 | 信号処理回路、及びこれを用いた非接触ｉｃカード並びにタグ |
| CN100362619C (zh) * | 2005-08-05 | 2008-01-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 真空反应室的射频匹配耦合网络及其配置方法 |
-
1999
- 1999-03-11 JP JP11064612A patent/JP3046018B1/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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