JP3038497B2 - 圧電差圧渦センサー - Google Patents

圧電差圧渦センサー

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JP3038497B2
JP3038497B2 JP03501995A JP50199591A JP3038497B2 JP 3038497 B2 JP3038497 B2 JP 3038497B2 JP 03501995 A JP03501995 A JP 03501995A JP 50199591 A JP50199591 A JP 50199591A JP 3038497 B2 JP3038497 B2 JP 3038497B2
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pressure sensor
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JP03501995A
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リチャード ダブリュー. カリノスキ
ゴードン ダブリュー. チティ
ジェームス エイチ. ヴィグノス
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ザ フォックスボロ カンパニー
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【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、渦流量計用のセンサー、更に詳しくは、圧
電渦センサーに関する。
発明の背景 渦流量計は、通常、柱状体、即ち、シェダを備え、こ
れを流体内に設置することにより、シェダの下流に、反
対向きの渦を交互に発生させる。この現象は、カールマ
ン渦として知られている。渦の振動数及び振幅は、圧力
センサーで検出・測定され、これらの値から平均流速が
求められる。発生した渦の振動数は、平均流速に比例
し、圧力パルスの振幅は、流速の2乗に流体密度を乗じ
たものに比例する。
渦を検出するためのセンサーには、通常、ダイアフラ
ム(絞り)が備えられており、これが、渦の発生に起因
する、圧力の交互変動に応じて、変化する。例えば、米
国特許No.3,948,098(リチャードソンら)に示されるよ
うに、絞りにかかる圧力は、非導電性の液圧充填流体を
介して、センサーの筺体内に封入される圧電ビモルフ装
置に伝達される。しかしながら、上述のような型のセン
サーには、充填流体の温度限界並びに、圧電ビモルフの
ために、極温度下における流体の流速測定に用いること
はできない、という問題があった。
蒸気等、高温の流体を測定するために用いられる流量
計には、充填流体が含まれていない。これらの流量計
は、流体の流路にシェダを置き、反対側から渦が発生す
ると、シェダが振動するように構成されている。振動に
より曲げモーメントが誘導され、このモーメントは、渦
シェダに密封される一対のセンサーにより検出される。
この種の型の粒量計として、例えば、米国特許No.4,43
7,350に開示されるタムラヒトシらによるものがある。
上述のような流量計は、検出されるシェダの振動に基
づいて、流量を測定する構成になっているため、センサ
ーは、感度が高く、微細な振動でも検知してしまう。非
常に高感度であり、また、併せて、シェダの質量が大き
い(大型の流量計では、約500g)ために、これらのセン
サーは、パイプ及びシェダを通して伝達される物理的な
振動の影響をうけやすい。このノイズを除去する目的
で、上記のタムラの特許に開示されるセンサーには、シ
ェダの中立軸に対して電気的に分離されている二つの圧
電検知素子が備えられている。この圧電検知素子によ
り、振動を引っ張り応力と圧縮応力の二つの成分に、対
称的に分けることができる。。即ち、二つの検知素子が
四つの独立検知部として作用する。この場合には、各圧
電素子から送られる信号を比較し、振動及び信号の通常
モードのノイズ成分を相殺するために、複雑な回路構成
が必要とされる。
発明の概要 本発明は、上記問題点を解決し、物理的な振動並びに
通常モードの圧力振動を感知しない、圧電渦センサーを
提供することを目的とする。
本発明は、更に、充填流体あるいは振動シェダを必要
とせず、渦圧力変動を圧電検知器に伝達することのでき
る、圧電渦センサーを提供することを目的とする。
更に、本発明は、取り替え可能な圧電渦センサーを提
供することを目的とする。
本発明は、簡単な電気的回路構成で、圧電検知器にか
けられる圧力変動に起因する信号を検出する、ことを特
徴とする。
また、本発明は、簡単な機械的構成で、極温度下にお
いて、微細な圧力変動を検出する、ことを特徴とする。
渦圧力変動を検知素子に伝達する、低質量の圧電渦セ
ンサーは、センサーの筺体の側面とスプール様アクチュ
エータのフランジとの間に圧電クリスタルをはさむこと
により、製造される。交互に発生する渦に応じて、アク
チュエータが往復動すると、異なった圧縮力がクリスタ
ルに作用し、クリスタルから、渦の通過を示す信号が出
力される。
本発明の圧電渦センサーは、溝により相互連結される
第一及び第二のキャビティを含むセンサー筺体と;セン
サー筺体の溝に摺動可能に設置される軸及び軸の両端近
傍に接続されるフランジ部材を含み、各フランジ部材が
交互に発生する渦の圧力変動に応じて往復動するように
設置された、スプール様アクチュエータと;各フランジ
部材と筺体との間に設置され、物理的な力に応じて信号
を出力する圧電検知手段と;検知手段と相互接続し、出
力された信号を検出する信号検出手段と、を備えること
を特徴とする。
望ましくは、検出手段に、検知手段から出力される信
号を検出するチャージアンプを備える。あるいは、各検
知手段と相互連絡し、出力された信号を検出するための
チャージアンプと、各アンプの出力信号を合わせて、通
常モードのノイズを減少させるための、積算回路とを備
える構成にしてもよい。また、圧電検知手段は、ニオブ
酸リチウム圧電クリスタルである。本発明の圧電渦セン
サーは、更に、各フランジ部材をセンサー筺体に接続さ
せ、キャビティを密封する絞り手段と、各キャビティに
設置され、各フランジ部材にかかる力を検知手段に伝達
するバイアス手段を備える、ことを特徴とする。バイア
ス手段は、更に、圧電検知手段に対して絶縁ディスクを
均一にバイアスさせる皿座金等のスプリング手段を備え
る。
図面の簡単な説明 本発明の上述及びその他の目的、特徴、並びに利点
は、発明の好適な実施例の詳細な説明及び図面から、明
確になるであろう。図面中、同一の参照符号は、同一の
部品を表す。図面は、本発明の原理を示すことにその重
点が置かれたものであり、正確な縮尺でない場合も有り
得る。
図1は、流体の流路中に設置され、交互に反対向きの
渦を発生させる、渦シェダと、本発明の原理に従い構成
され、交互に発生する渦を検出する、交換可能な圧電渦
センサーとを備える、圧電渦検知計の断面図である。
図2は、図1の圧電渦センサーの拡大断面図である。
図3は、図2のセンサー筺体の斜視図である。
図4は、図2の圧電センサーにおいて、渦シェダによ
りセンサーに伝達される圧力変動に対応する電荷の変動
を検出するために用いられる、回路構成を示す概略図で
ある。
図5は、圧電センサーの電荷変動を検出するために用
いられる、別の回路を示す概略図である。
図6は、圧電センサーの電荷変動を検出するために用
いられる、更に別の回路を示す概略図である。
発明の詳細な説明 本発明の低質量圧電渦センサーは、流体の流路に設置
され、交互に反対向きの渦を発生させるシェダを備える
流量計本体に、着脱可能に取り付けられる。前記センサ
ーは、交互に発生する渦に曝されたときに、センサー筺
体に対して往復動する、スプール様のアクチュエータを
備える。更に、センサー筺体の両側とアクチュエータの
フランジとの間に設置される、圧電クリスタル並びにバ
イアス機構を備える。圧力が掛けられ、アクチュエータ
がセンサー筺体の片側に移動すると、一方のクリスタル
にかかる応力が増加し、他方のクリスタルにかかる圧力
は減少する。各クリスタルは、この応力に基づいて信号
を出力する。チャージアンプが前記信号を検出し、出力
電圧を発生する。前記出力電圧に基づいて、発生した渦
の振動数が求められる。本実施例は、高温渦流量計に関
して説明されているが、低温を含む何れの温度にも当然
のことながら適用可能である。
図1に示されるように、渦流量計10は、流量計本体1
2、圧電センサー14、及びシェダ16を備える。圧電渦セ
ンサー14は、流量計本体12の円筒形開口部18内に、渦シ
ェダ16に対向して、伸張する。センサー14は、流量計本
体12にボルト締めされたキャップ21によりその位置に固
定される。即ち、センサー14が損傷を受けた場合、簡単
に、これを取り替えることができる。センサー14は、開
口部18により規定される流体キャビティ20を二つの部分
に分ける。適当な高温部材で形成されるガスケット22に
より、流体キャビティ20の壁面及びシェダ16の間がシー
ルされる。
シェダ16に対して垂直(両側矢印24に示されるよう
に)に、且つ、流体の流れ方向に沿って、流量計本体12
(例えば、パイプ)の端から端まで検出できるように、
センサーの方向を決める。これにより、センサー14は、
渦26a及び28aに起因する交互圧力信号26b及び28bを検出
する。実線矢印26a及び26b並びに点線矢印28a及び28bに
よって示されるように、圧力信号は、流体キャビティ20
の各半分に交互に伝達され、その位相は、互いに、180
度ずれている。高温材料からなる第二ガスケット30が、
センサー14と流量計本体12との間に取り付けられ、流体
の外部への漏れを防いでいる。
センサー14の詳細を図2及び図3に示す。センサー14
は、センサー筺体32、並びに、矢印36で示されるよう
に、交互に発生する渦に応じて前後に移動可能な、スプ
ール様アクチュエータ34を備える。センサー筺体32及び
アクチュエータ34は、何れも、高温・低腐食性材料、例
えば、ステンレス鋼等から成る。低質量を有するように
設計された、センサー14の検出部は、センサー筺体32内
に収容される。検出部を低質量に設計する理由に関して
は、後に後述する。
本実施例において、センサー筺体32は、溝42を有する
中心部材40をはさんで、その両側に、直径約1.3センチ
メートルの円筒形の穴38を備える(図3参照)。即ち、
それぞれ約2ミリメートルの深さを有する二つのキャビ
ティ44及び46が形成される。軸52、及び、軸52の両端に
接続されるフランジ54及び56を備えるアクチュエータ34
は、穴38内に、ダイアフラム48及び50により固定される
(図2参照)。軸52が溝42内で摺動可能であり、これに
より、フランジ54及び56がキャビティ44及び46内で前後
に移動可能なように、軸52の大きさを設定する。フラン
ジ54及び56は、直径約11ミリメートル、厚さ2ミリメー
トルである。約75マイクロメートルの厚さを有するダイ
アフラム48及び50は、充分な可撓性を有し、アクチュエ
ータ34を、渦圧に応じて前後に移動させる。ダイアフラ
ムは、流量形本体12内の流体が漏れないように、各々の
キャビティ44及び46を密封する。
圧電検出素子62、64、並びに、バイアス機構58、60
が、それぞれ、フランジ54、56と中心部材40との間に、
設けられている。検出素子62、64は、Zカットされた、
ニオブ酸リチウム圧電クリスタルで構成される、ことが
望ましい。ニオブ酸リチウム圧電クリスタル(キュリー
温度は、2102F)は、800Fのような高温で連続的に作動
させても、圧電的に活性な状態を保つ、という利点を有
している。本実施例においては、二つのクリスタルの極
性は同じ方向である。即ち、一つのクリスタルの+面と
別のクリスタルの−面が、電気的及び機械的な基部であ
る中心部材40に、接している。このように構成された場
合、二つのクリスタルは、同じ極性信号を出力し、矢印
74、76で示されるように、アクチュエータ34を前後に動
かす。詳細に関しては、下記に記載する。
バイアス機構58、60は、高温用のバネ合金からなる皿
座金66、68、並びに、セラミック製の絶縁ディスク70、
72を備える。バイアス機構58、60は、検出素子62、64に
均一に圧縮力をかけ、検出機構の全ての部分が互いに密
に接するように、構成される。が、バイアス手段は前記
構成に限定されるわけではなく、例えば、皿座金の代わ
りに、コイルバネを用いることもできる。
クリスタル62、64は、その一つの面が、センサー機構
の電気的並びに機械的な基部として作用する中心部材40
と電気的に接触するような配置で、センサー筺体32内に
収容される。検出回路78は、フォイルディスク84、86に
連結されるリード線80、82を介して、クリスタルに接続
される。フォイルディスク84、86は、バイアス手段66、
68によりクリスタルに接触するように、絶縁体70、72、
並びに、検出クリスタル62、64の間に配置される。フォ
イルディスク84、86は、直径約11ミリメートル、厚さ50
マイクロメートルである。
検出回路78は、極温から守るために、センサー本体14
から離れたところに置かれる。また、電気リード線80、
82は、二穴セラミック管88により支持される。セラミッ
ク管88は、センサー筺体32に液密的に溶着されるステン
レス鋼製の外管90内に収容される。リード線80、82は、
外管に液密的に溶着される(図示しない)セラミック−
金属電気供給源に、ハンダ付けあるいは溶着されてい
る。以上の構成により、センサー内を真空にした後、乾
燥気体を充填し、センサーの劣化を防ぐことができる。
流量計を作動させている間、シェダ16により発生した
渦が、センサー14の両側に、交互に、差圧をかける。こ
の結果、アクチュエータ34が前後に動き(矢印36で示さ
れるように)、皿座金の一つを更にわずかに圧縮する一
方、もう一つの皿座金にかかる力をわずかに緩和する。
即ち、一つのクリスタルにかかる応力が増加する一方、
もう一つのクリスタルにかかる応力が減少する。このよ
うな交互の応力変動により、各クリスタルの面に交互に
電荷が生じ、これを検出回路78で検出する。
本発明のセンサー構造は、ポンプのインペラ回転によ
り生じるようなライン圧力変動に感応しない。このよう
な圧力変動は、通常モードのノイズと呼ばれ、パイプを
音速で通過し、センサーの両側に同時に到達する。ま
た、この圧力変動が、渦分離により、特に低い流速で生
じる、交互の差圧信号よりも大きい場合がある。センサ
ーが通常モードの圧力変動に影響を受けると、測定結果
に誤差を生じる可能性がある。二つのダイアフラム48及
び50が影響を与える領域がほとんど同じであり、また、
スプール様アクチュエータ34を介して互いに連絡してい
ることにより、センサー14の両側に同時に到達する圧力
変動は、クリスタル62、64に実質的には力をかけない。
即ち、等しい大きさの力が反対向きにかかるため、実際
には何の動きも生じない。この結果、いかなる差動応力
もクリスタルに伝達されず、何れのクリスタルも電荷を
発生させない。
通常モード信号は、両方のスプールフランジ54、56を
非常にわずかに、且つ同時に湾曲させ、両方のクリスタ
ルにかかる応力を同時に増加あるいは減少させる。両方
のクリスタルにかかる応力が位相変化する(渦26、28に
より生じる応力の位相が180度変化する)ために、結果
として生じる信号は電子的に相殺されている。
上記のように構成されたセンサーは、機械的な振動に
も感応しない。センサーは非常に小さな活性質量(約2
グラム)しか有していないため、横パイプ振動(センサ
ーの移動方向に平行な振動)は、重要な因子とはならな
い。例えば、「1g」の振動により2グラムの横力が生じ
るが、これは、対象となる流れ領域における渦分離によ
り生じる力よりも小さい。センサーは、流れ方向に沿っ
た振動及び垂直な方向の振動の何れにも感応しない。こ
れは、非常に小さなセンサー質量に加えて、この振動
が、クリスタルにせん断応力を生じさせ、厚さ方向に分
極化したクリスタルがせん断応力に感応しないためであ
る。
脈動から生じる圧力等、通常モードの圧力信号がセン
サーにかかる際に、両方のクリスタルから信号が出力さ
れる場合がある。このような信号は、センサーの機械的
特性が理想値よりも小さい場合にのみ出力される。前記
機械的な応答には、以下の二通りが考えられる。第一
に、センサーの非対称性のために、クリスタルが不均一
に圧縮あるいは緩和される場合である。例えば、ダイア
フラムの一方が他方よりも可撓性に富み、あるいは、大
きな表面積を有し、圧力変動に対する感度がより高い場
合がこれにあたる。この型の対称変動により、流体の流
動にともなって渦場に生じる力と同様の差圧を生じる。
この信号を、流れ信号と区別することはできないため、
センサーの製造時に特に対称性に留意する必要がある。
第二に、アクチュエータ34の剛性欠如のために、二つ
のクリスタルにかかる圧縮力が同時に増加あるいは減少
する場合である。即ち、各フランジ54、56が湾曲し、あ
るいは軸が圧縮される場合がこれにあたる。二つのクリ
スタルは、反対の極性を有する小さな信号を出力するた
め、この型の応答を、電子的に、渦の分離により生じた
信号と区別し、除去することが可能である。この信号を
除去するための好ましい回路構成に関しては、後に詳述
する。
渦を検出するための回路78の構成例を図4に示す。こ
の回路78は、クリスタルと電気的に同等な回路92、並び
に、電荷アンプ93を備える。ここで、中心部材40に接す
る二つのクリスタルの極性が上述したごとく反対になる
ように、二つの圧電クリスタルを載置する。従って、二
つのクリスタルが同時に圧縮あるいは緩和された場合
に、(クリスタルが同一のものであり、機械的な要素が
対称であれば)、電極80及び82により検出される、二つ
のクリスタルに生じた電荷は符号が反対で、その大きさ
は等しい。
回路92は、各々のクリスタルについて、クリスタル・
コンデンサー94a、94b、並びに、電圧源98a、98bに直列
に接続されるクリスタル抵抗96a、96bを備える。また、
電荷アンプ93は、負の端子104及び正の端子106を有する
操作アンプ102を備える。負の端子104が、クリスタル抵
抗96a、96b及びコンデンサー94a、94b間の節105に相互
連絡する一方、正の端子106は、クリスタルコンデンサ
ー94a、94b及び抵抗96a、96b間の節107に相互連絡し、
アースされる。二つのダイオード108、110は、端子10
4、106間に接続され、アンプ102の入力端子に到達する
信号の大きさを制限する。電荷アンプ93は、また、フィ
ードバック・コンデンサー114及びフィードバック抵抗
器116を含む、フィードバック・ループを備える。
操作アンプは、通常、ゼロオフセット電圧と称され
る、小さな入力直流電位を有しており、これにより、操
作アンプ102は、一定の電流をフィードバック・コンデ
ンサー114に流す。一定の電流がフィードバック・コン
デンサー114内を流れると、コンデンサー114をはさむ電
圧は、時間形かと共に直線的に増加する。そのまま進む
と、最終的には、この電圧により、操作アンプの出力が
飽和状態になるが、フィードバック・コンデンサー114
と平行に置かれたフィードバック抵抗器116が、これを
打ち消す方向に作用する。この抵抗器は、一定の電流を
別の流路に流し、この結果、フィードバック・ループに
わたる電圧は、時間に独立な小さな定数となる。抵抗器
109及びコンデンサー112は、節105と負の端子104の間
に、直列に接続され、高周波数及び低周波数における回
路のゲインを制御する。
ニオブ酸リチウムクリスタルの静電容量は非常に小さ
く、前記クリスタルからの電気的な応答を検出するため
には、電荷アンプが必要である。PZT5A圧電クリスタル
の室温における誘電定数が約1、800であるのに対し、
ニオブ酸リチウムクリスタルの誘電定数は約30と非常に
小さい。更に、ニオブ酸リチウムクリスタルの抵抗値
は、温度の上昇と共に、急激に下降する。即ち、電圧ア
ンプは、この場合、実用的であるとはいえない。非常に
高い周波数及び低温においては、クリスタル電圧は、す
べて、アンプをはさんで生じるが、低周波数、及び/あ
るいは高温においては、クリスタル電圧の大部分は、電
圧アンプへの入力部ではなく、コンデンサーをはさんで
生じる。
電荷アンプ93は、操作アンプ102の負の端子104をアー
スに近い電圧に維持する。即ち、クリスタル抵抗器96a
及び96bの両側に電圧差はほとんど生じない。応力によ
りクリスタルをはさんで生じる電荷は、フィードバック
・コンデンサー114から伝達される電荷により相殺さ
れ、負の端子104における電位をアース値に近づける。
交互に発生する渦により生じた差圧により、アクチュ
エータが、センサー筺体の一方の側に移動し、一方のク
リスタルにかかる応力を増加させる一方、他方のクリス
タルにかかる応力が減少すると、節105において、正あ
るいは負の正味電荷が生じる。電荷アンプ93は、この正
味電荷を検知し、大きさが等しく符号が反対の電荷をク
リスタルに与え、これを相殺する。この結果、操作アン
プ102は、クリスタルをはさむ正味電荷に比例する出力
電圧(Vout)を発生する。この電圧信号の周波数を測定
し、渦の周波数を求める。
理論的には、機械的及び電気的な要素が対称であれ
ば、通常モードの圧力信号により二つのクリスタルから
出力される信号を、節105において、簡単な減算あるい
は相殺によって、完全に除去することができる。非対称
形のセンサーの場合でも、節105における正味の通常モ
ード信号を大きく減少させることができる。
アクチュエータの剛性が充分高くなく、更に、センサ
ーの機械的及び電気的な要素が非対称な場合には、通常
モードの圧力信号の存在下における、二つのクリスタル
からの電気的応答の大きさが等しくならず、上述のよう
に充分な相殺・除去を行うことができない可能性があ
る。この問題は、図5に示すように、各々のクリスタル
に一つずつ電荷アンプを備える、即ち、二つの電荷アン
プ120、122を備えることにより、解決される。電荷アン
プ120、122は、図4に示す電荷アンプ93と同様のもので
あり、クリスタルも上述のような方法で、(即ち、中心
部材40に対して二つのクリスタルの極性が反対になるよ
うに)配置される。上記のような非対称性に起因する通
常モードのノイズは、加算回路124の可変抵抗器126を用
いて、アンプ出力の相関値を調整し、節108における相
殺に先立って、電荷アンプ120及び122の出力電圧を等し
くすることにより除去される。加算回路124は、アンプ1
32を備える周知の回路である。
上記の例(図5)において、図6に示すように、中心
部材40と接する二つのクリスタルが通常の極性を有する
ように、センサーを組み立ててもよい。図6の回路は、
信号を加算する前に、クリスタルの一方から出力される
信号を逆にするインバーター130を備える。
以上本発明を、その好適な実施例に従い詳述したが、
本発明は、何ら前記実施例に限定されるものではなく、
特許請求の範囲記載の発明の要旨から逸脱することな
く、様々な変形、修正が可能である。例えば、タンタル
酸塩クリスタル、石英クリスタル等の圧電クリスタル、
あるいは、圧電セラミックスを、検知素子として用いて
もよい。このようなクリスタルを用いた場合には、電圧
アンプ回路を利用し、クリスタルから出力する信号を検
出するように構成することが望ましい。更に、一つの圧
電素子でセンサーを往復動させるように構成してもよ
い。但しこの場合には、センサーが非対称となり、二つ
の素子を用いる上述の実施例に比べ、通常モードのノイ
ズ除去率が低い。
フロントページの続き (72)発明者 ヴィグノス ジェームス エイチ. アメリカ合衆国 02194 マサチューセ ッツ州 ニーダムハイツ,マニングスト リート 129 (56)参考文献 特公 昭63−32127(JP,B2) 特公 昭58−4763(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01F 1/32

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】流路に置かれたシェダにより発生する交互
    の圧力変動を検出することにより、流路を流れる流体の
    流速を測定するための、渦分離流量計用の差圧センサー
    であり、 前記流体に浸漬可能なセンサー筐体であって、この筐体
    に形成され且つ溝により相互連結される第一及び第二の
    キャビティを含むセンサー筐体と、 溝内に摺動可能に配置される軸及び軸の両端近傍に接続
    される二つのフランジ部材を含み、各フランジ部材が、
    フランジ部材にかけられる力に応じて前記センサー筐体
    に対して往復動するように配置された、スプール様アク
    チュエータと、 フランジ部材とセンサー筐体との間の第一のキャビティ
    に配置され、前記アクチュエータのフランジ部材により
    機械的にかけられた力に応じて信号を出力する圧電検知
    手段と、 前記検知手段と相互接続し、前記検知手段から出力され
    た信号を検出する信号検出手段と、 を備える、ことを特徴とする差圧センサー。
  2. 【請求項2】更に、フランジ部材とセンサー筐体との間
    の第二キャビティに、第二圧電検知手段を備える、こと
    を特徴とする請求項1記載のセンサー。
  3. 【請求項3】更に、各フランジ部材を前記センサー筐体
    に相互接続させ、前記キャビティを密封するダイアフラ
    ム手段を備える、ことを特徴とする請求項1乃至2の何
    れかに記載の差圧センサー。
  4. 【請求項4】更に、前記フランジ部材と前記検知手段と
    の間に配置され、各フランジ部材にかけられる力を前記
    検知手段に伝達するバイアス手段を備える、ことを特徴
    とする請求項1乃至3の何れかに記載の差圧センサー。
  5. 【請求項5】前記バイアス手段が、前記圧電検知手段に
    対してディスクを均一にバイアスするためのバネ手段を
    備える、ことを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記
    載の差圧センサー。
  6. 【請求項6】前記バネ手段が、皿座金である、ことを特
    徴とする請求項5に記載の差圧センサー。
  7. 【請求項7】前記圧電検知手段が、ニオブ酸リチウム圧
    電クリスタルである、ことを特徴とする 請求項1乃至6の何れかに記載の差圧センサー。
  8. 【請求項8】前記検出手段が、前記圧電検知手段により
    出力された信号を検出するための電荷アンプを備える、
    ことを特徴とする請求項1乃至7の何れかに記載の差圧
    センサー。
  9. 【請求項9】前記検出手段が、前記検知手段により出力
    された信号を結合させ、通常モードのノイズを相殺させ
    るための手段を備える、ことを特徴とする請求項1乃至
    8の何れかに記載の差圧センサー。
  10. 【請求項10】前記検出手段が、 前記圧電検知手段の各々と相互連結し、各圧電検知手段
    により出力された信号を検出する電荷アンプと、 各アンプの出力信号を結合させ、通常モードのノイズを
    減少させるための加算回路とを備える、ことを特徴とす
    る請求項1乃至9の何れかに記載の差圧センサー。
  11. 【請求項11】前記センサー筐体が非腐蝕性材料から形
    成され、更に前期スプール部材も随意に非腐蝕性材料か
    ら形成される、ことを特徴とする先行する請求項1乃至
    10の何れかに記載のセンサー。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107727164A (zh) * 2017-11-10 2018-02-23 浙江理工大学 起旋器叶片磨损下的自调节式旋进旋涡流量计
CN107727164B (zh) * 2017-11-10 2023-09-01 浙江理工大学 起旋器叶片磨损下的自调节式旋进旋涡流量计

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