JP3038258B2 - パルス波形のアンダーシュート除去回路 - Google Patents
パルス波形のアンダーシュート除去回路Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- Nonlinear Science (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパルス波形のアンダーシ
ュート除去回路に関し，特に無信号送信時のインピーダ
ンス測定時において，アンダーシュート除去手段の存在
にもかかわらず，ハイインピーダンスを有するものであ
る。
ュート除去回路に関し，特に無信号送信時のインピーダ
ンス測定時において，アンダーシュート除去手段の存在
にもかかわらず，ハイインピーダンスを有するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年データ通信の高速化の要求に伴い，
装置間の通信において高速のディジタルパルス波形の伝
送が行われている。また装置間の配線の簡略化の要求に
伴い，１本のバスにより複数の装置を接続するバス配線
が行われている。
装置間の通信において高速のディジタルパルス波形の伝
送が行われている。また装置間の配線の簡略化の要求に
伴い，１本のバスにより複数の装置を接続するバス配線
が行われている。
【０００３】この１本のバスには上記のように複数通信
装置が接続されるので，その間の信号のインタフェース
として，送信される信号の波形がパルスマスクとして規
定されている。
装置が接続されるので，その間の信号のインタフェース
として，送信される信号の波形がパルスマスクとして規
定されている。
【０００４】また，バスに接続される装置のうち非通信
中のもの，即ち無信号を送信中のものに関しては，その
装置は，そのバスに接続されている他の装置の通信を邪
魔しないように，その送信回路は接続されていないのと
同じ状態，即ち高いインピーダンスを示すように，やは
りそれぞれのバスのインタフェースにて規定されてい
る。
中のもの，即ち無信号を送信中のものに関しては，その
装置は，そのバスに接続されている他の装置の通信を邪
魔しないように，その送信回路は接続されていないのと
同じ状態，即ち高いインピーダンスを示すように，やは
りそれぞれのバスのインタフェースにて規定されてい
る。
【０００５】つまり，バスに接続されている装置の送信
回路というものは，通信中については送信パルス波形の
規格であるパルスマスクと，非通信中では無信号送信時
のインピーダンスの規格の両方を満足する必要がある。
回路というものは，通信中については送信パルス波形の
規格であるパルスマスクと，非通信中では無信号送信時
のインピーダンスの規格の両方を満足する必要がある。
【０００６】従来のトランスを用いた送信回路を，図６
（Ａ）により簡単に説明する。１’はパルス送信回路，
２は負荷，１１はパルストランス駆動回路，１２はパル
ストランスである。
（Ａ）により簡単に説明する。１’はパルス送信回路，
２は負荷，１１はパルストランス駆動回路，１２はパル
ストランスである。
【０００７】負荷２においてＲＬは負荷抵抗である。ま
たパルストランス１２において，Ｎはパルストランスの
巻き数比，ＬＰはパルストランスの１次側インダクタン
ス，ＬＳはパルストランスの２次側インダクタンスであ
る。なおパルス送信回路１’のＡ，Ｂはそれぞれインタ
フェース点である。
たパルストランス１２において，Ｎはパルストランスの
巻き数比，ＬＰはパルストランスの１次側インダクタン
ス，ＬＳはパルストランスの２次側インダクタンスであ
る。なおパルス送信回路１’のＡ，Ｂはそれぞれインタ
フェース点である。
【０００８】この図６（Ａ）の回路のパルス波頂時の等
価回路を図６（Ｂ）に示す。この時パルストランス駆動
回路１１のスイッチＳ１はＯＮである。そしてＩＲはパ
ルス波頂時に負荷抵抗ＲＬ（ＲＬ／Ｎ）を流れる電流，
ＩＬはパルス波頂時に１次側インダクタンスＬＰを流れ
る電流である。
価回路を図６（Ｂ）に示す。この時パルストランス駆動
回路１１のスイッチＳ１はＯＮである。そしてＩＲはパ
ルス波頂時に負荷抵抗ＲＬ（ＲＬ／Ｎ）を流れる電流，
ＩＬはパルス波頂時に１次側インダクタンスＬＰを流れ
る電流である。
【０００９】ここでスイッチＳ１がＯＮしていることは
パルス波送信中であることを示し，またスイッチＳ１が
ＯＦＦしていることはパルス波送信をやめたこと，即ち
無信号送信中であることを示すものである。
パルス波送信中であることを示し，またスイッチＳ１が
ＯＦＦしていることはパルス波送信をやめたこと，即ち
無信号送信中であることを示すものである。
【００１０】この等価回路はパルス波頂時のものである
ので，スイッチＳ１がまずＯＮしている状態を考え，次
にある時間ＴにおいてスイッチＳ１がＯＦＦしたときに
負荷抵抗ＲＬ（等価回路ではＲＬ／Ｎ）に現れるパルス
波形を考えると，そのパルス波形は，図７（Ａ）のよう
に示すことができる。
ので，スイッチＳ１がまずＯＮしている状態を考え，次
にある時間ＴにおいてスイッチＳ１がＯＦＦしたときに
負荷抵抗ＲＬ（等価回路ではＲＬ／Ｎ）に現れるパルス
波形を考えると，そのパルス波形は，図７（Ａ）のよう
に示すことができる。
【００１１】即ち，時間ＴにおいてスイッチＳ１がＯＦ
Ｆした瞬間に，負荷抵抗ＲＬにそれまでとは逆側の電圧
が生じ，トランスによるパルス波形のアンダーシュート
となる。
Ｆした瞬間に，負荷抵抗ＲＬにそれまでとは逆側の電圧
が生じ，トランスによるパルス波形のアンダーシュート
となる。
【００１２】これは以下の理由による。時間Ｔまではパ
ルストランス１２の１次側インダクタンスＬＰに電流Ｉ
Ｌが流れているが，時間ＴにスイッチＳ１がＯＦＦした
瞬間にも１次側インダクタンスＬＰはその特性上，この
電流を流し続けるようとする。
ルストランス１２の１次側インダクタンスＬＰに電流Ｉ
Ｌが流れているが，時間ＴにスイッチＳ１がＯＦＦした
瞬間にも１次側インダクタンスＬＰはその特性上，この
電流を流し続けるようとする。
【００１３】しかしこの時，スイッチＳ１がＯＦＦして
いるので，図６（Ｂ）に示した等価回路は図７（Ｂ）に
示すような閉回路となり，この１次側インダクタンスＬ
Ｐに流れようとする電流ＩＬは，負荷抵抗ＲＬ（ＲＬ／
Ｎ）には，時間Ｔまでとは逆になり，逆方向の電圧が発
生することになる。
いるので，図６（Ｂ）に示した等価回路は図７（Ｂ）に
示すような閉回路となり，この１次側インダクタンスＬ
Ｐに流れようとする電流ＩＬは，負荷抵抗ＲＬ（ＲＬ／
Ｎ）には，時間Ｔまでとは逆になり，逆方向の電圧が発
生することになる。
【００１４】このアンダーシュートの発生を防止するた
め，従来では一般的に図８に示すように，アンダーシュ
ート除去回路をパルストランス１２の１次側に設けて，
コンデンサＣを使用したアンダーシュート除去部１３１
をパルストランス１２の１次側インダクタンスＬＰに並
列接続していた。
め，従来では一般的に図８に示すように，アンダーシュ
ート除去回路をパルストランス１２の１次側に設けて，
コンデンサＣを使用したアンダーシュート除去部１３１
をパルストランス１２の１次側インダクタンスＬＰに並
列接続していた。
【００１５】この回路では，前記時刻Ｔまでは，図８
（Ｂ）に示すように，コンデンサＣに電圧Ｅが印加され
ているので，コンデンサＣはこの図示の極性に充電され
ている。
（Ｂ）に示すように，コンデンサＣに電圧Ｅが印加され
ているので，コンデンサＣはこの図示の極性に充電され
ている。
【００１６】時刻Ｔに於いて，スイッチＳ１がＯＦＦす
れば，その等価回路は図８（Ｃ）に示すようになり，１
次側インダクタンスＬＰによって負荷抵抗ＲＬ（ＲＬ／
Ｎ）に流れようとする電流ＩＬと逆方向の電流ＩＣがコ
ンデンサＣから供給されるので，この結果として，負荷
抵抗ＲＬ（ＲＬ／Ｎ）には電流が流れず，パルス波形の
アンダーシュートは解消される。
れば，その等価回路は図８（Ｃ）に示すようになり，１
次側インダクタンスＬＰによって負荷抵抗ＲＬ（ＲＬ／
Ｎ）に流れようとする電流ＩＬと逆方向の電流ＩＣがコ
ンデンサＣから供給されるので，この結果として，負荷
抵抗ＲＬ（ＲＬ／Ｎ）には電流が流れず，パルス波形の
アンダーシュートは解消される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところが無信号時のパ
ルス送信回路のインピーダンス測定時に，コンデンサＣ
のため，インタフェース点Ａ，Ｂからパルス送信回路１
側をみた等価回路は図９（Ａ）に示すようになる。
ルス送信回路のインピーダンス測定時に，コンデンサＣ
のため，インタフェース点Ａ，Ｂからパルス送信回路１
側をみた等価回路は図９（Ａ）に示すようになる。
【００１８】この測定時に使用されるインピーダンスメ
ータは，図９（Ａ）に３として示すように，シンセサイ
ザー３１とレベルメータ３２を具備している。そしてシ
ンセサイザー３１には発振器ＯＣを有する。
ータは，図９（Ａ）に３として示すように，シンセサイ
ザー３１とレベルメータ３２を具備している。そしてシ
ンセサイザー３１には発振器ＯＣを有する。
【００１９】そしてシンセサイザー３１よりある周波数
の正弦波がある一定のレベルにより出力され，そのとき
の負荷（この場合はパルス送信回路のインタフェース
点）にみえる電圧レベルをレベルメータ３２により測定
し，負荷（この場合はパルス送信回路）のインピーダン
スを算出するものである。勿論，周波数及びレベルは可
変であり，電流レベルを測定してインピーダンスを算出
することもできる。
の正弦波がある一定のレベルにより出力され，そのとき
の負荷（この場合はパルス送信回路のインタフェース
点）にみえる電圧レベルをレベルメータ３２により測定
し，負荷（この場合はパルス送信回路）のインピーダン
スを算出するものである。勿論，周波数及びレベルは可
変であり，電流レベルを測定してインピーダンスを算出
することもできる。
【００２０】このときパルス送信回路のインピーダンス
Ｚは，スイッチＳ１がＯＦＦしているので数１のように
なる。
Ｚは，スイッチＳ１がＯＦＦしているので数１のように
なる。
【数１】 この数式は，周波数が高い領域になると，数２に近似さ
れる。
れる。
【数２】
【００２１】従ってこれより明らかなように，パルス波
形のアンダーシュートを除去するために挿入したコンデ
ンサＣの容量が大きければ大きいほど，又，測定周波数
が高ければ高いほど，このパルス送信回路１のインピー
ダンスは低くなる傾向にある。
形のアンダーシュートを除去するために挿入したコンデ
ンサＣの容量が大きければ大きいほど，又，測定周波数
が高ければ高いほど，このパルス送信回路１のインピー
ダンスは低くなる傾向にある。
【００２２】ここで実際のインタフェースの例をあげ
る。例えばＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０に規定されるバス接
続におけるＮＴ（回線終端装置）送信回路インピーダン
ス特性は図９（Ｂ）にＰとして示す通りのものであり，
これを満足する送信回路はそれ以上のインピーダンス値
を示すことが必要である。
る。例えばＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０に規定されるバス接
続におけるＮＴ（回線終端装置）送信回路インピーダン
ス特性は図９（Ｂ）にＰとして示す通りのものであり，
これを満足する送信回路はそれ以上のインピーダンス値
を示すことが必要である。
【００２３】ところでこの種の装置において使用される
トランスは装置の小型化，或いは低コスト化の要求によ
り，トランス自体が小型に設計されるため，図９（Ｂ）
の（１）線に示すように，送信回路インピーダンス特性
規定Ｐに対して，あまりマージンの無いインピーダンス
特性を示すものである。
トランスは装置の小型化，或いは低コスト化の要求によ
り，トランス自体が小型に設計されるため，図９（Ｂ）
の（１）線に示すように，送信回路インピーダンス特性
規定Ｐに対して，あまりマージンの無いインピーダンス
特性を示すものである。
【００２４】従って，これに更にアンダーシュートを除
去するためにコンデンサＣを付加すれば，高域の周波数
領域において，そのインピーダンス特性は，図９（Ｂ）
に示す（２）線に示すようになり（低域の周波数側は省
略），場合によっては規格を外れてしまうことになる。
去するためにコンデンサＣを付加すれば，高域の周波数
領域において，そのインピーダンス特性は，図９（Ｂ）
に示す（２）線に示すようになり（低域の周波数側は省
略），場合によっては規格を外れてしまうことになる。
【００２５】即ち，送信の時にパルス波形のアンダーシ
ュートを除去してパルスマスクの規格を満たすために用
いたコンデンサＣが大きい時，その特性により今度はイ
ンピーダンスマスクの規格を外れることになる。
ュートを除去してパルスマスクの規格を満たすために用
いたコンデンサＣが大きい時，その特性により今度はイ
ンピーダンスマスクの規格を外れることになる。
【００２６】そのため従来では，コンデンサの容量を，
これらの規格を満たすように測定し調整しながら決める
ことが必要であり，そのため製造、試験時の工数が増え
る等の問題があった。
これらの規格を満たすように測定し調整しながら決める
ことが必要であり，そのため製造、試験時の工数が増え
る等の問題があった。
【００２７】従って本発明は，パルストランスによるパ
ルス波形のアンダーシュートを除去可能にするととも
に，このアンダーシュート除去手段による高域の周波数
領域におけるインピーダンス低下をさけることが出来る
ようにしたパルス波形のアンダーシュート除去回路の提
供を目的とするものである。
ルス波形のアンダーシュートを除去可能にするととも
に，このアンダーシュート除去手段による高域の周波数
領域におけるインピーダンス低下をさけることが出来る
ようにしたパルス波形のアンダーシュート除去回路の提
供を目的とするものである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め，本発明では図１（Ａ）に示すように，アンダーシュ
ート除去回路１３において，アンダーシュート除去部１
３１に電圧制御スイッチング部１３２を接続する。
め，本発明では図１（Ａ）に示すように，アンダーシュ
ート除去回路１３において，アンダーシュート除去部１
３１に電圧制御スイッチング部１３２を接続する。
【００２９】この電圧制御スイッチング部１３２は，パ
ルス波送信時には導通状態（ＯＮ）になるが，無信号送
信時のインピーダンス測定時には非導通状態（ＯＦＦ）
になるものであって，後記のように，例えば，バリスタ
のような電圧クランプ素子，電圧応動スイッチンク素子
により構成される。
ルス波送信時には導通状態（ＯＮ）になるが，無信号送
信時のインピーダンス測定時には非導通状態（ＯＦＦ）
になるものであって，後記のように，例えば，バリスタ
のような電圧クランプ素子，電圧応動スイッチンク素子
により構成される。
【００３０】
【作用】従ってパルス波送信時には電圧制御スイッチン
グ部１３２は，図１（Ａ）に示すように，導通状態にな
り，アンダーシュート除去部１３１のコンデンサが接続
されるので，パルス波形のアンダーシュートは除去され
て，パルスマスク測定によるも正常なものとなる。
グ部１３２は，図１（Ａ）に示すように，導通状態にな
り，アンダーシュート除去部１３１のコンデンサが接続
されるので，パルス波形のアンダーシュートは除去され
て，パルスマスク測定によるも正常なものとなる。
【００３１】しかし，パルス送信回路が無信号送信時の
インピーダンス測定時には，図１（Ｂ）に示すように，
電圧制御スイッチング部１３２は非導通状態（ＯＦＦ）
になるので，今度はアンダーシュート除去部１３１のコ
ンデンサが接続されていないのと等価になり，高域の周
波数領域におけるアンダーシュートは除去用のコンデン
サＣによるインピーダンスの低下はなくなる。尚図２
（Ａ）は，図１（Ａ）に示すパルス波送信時の等価回路
であり，図２（Ｂ）は，図１（Ｂ）に示すインピーダン
ス測定時の等価回路である。
インピーダンス測定時には，図１（Ｂ）に示すように，
電圧制御スイッチング部１３２は非導通状態（ＯＦＦ）
になるので，今度はアンダーシュート除去部１３１のコ
ンデンサが接続されていないのと等価になり，高域の周
波数領域におけるアンダーシュートは除去用のコンデン
サＣによるインピーダンスの低下はなくなる。尚図２
（Ａ）は，図１（Ａ）に示すパルス波送信時の等価回路
であり，図２（Ｂ）は，図１（Ｂ）に示すインピーダン
ス測定時の等価回路である。
【００３２】
【実施例】本発明の１実施例を図３について説明する。
図３（Ａ）は本発明の１実施例構成図，同（Ｂ）はその
等価回路である。この実施例では電圧制御スイッチング
部１３２としてバリスタを使用している。
図３（Ａ）は本発明の１実施例構成図，同（Ｂ）はその
等価回路である。この実施例では電圧制御スイッチング
部１３２としてバリスタを使用している。
【００３３】バリスタは電圧クランプ素子であり，その
クランプ電圧ｅはパルストランス駆動回路１１内の電圧
源Ｅの電圧より低い電圧のものを選択する。この時の等
価回路は図３（Ｂ）により示される。
クランプ電圧ｅはパルストランス駆動回路１１内の電圧
源Ｅの電圧より低い電圧のものを選択する。この時の等
価回路は図３（Ｂ）により示される。
【００３４】この場合，電圧制御スイッチング部１３２
の電圧源ｅは導通状態（ＯＮ）とみなせるので，前記の
ように，アンダーシュートは除去用のコンデンサＣによ
り正常に除去される。
の電圧源ｅは導通状態（ＯＮ）とみなせるので，前記の
ように，アンダーシュートは除去用のコンデンサＣによ
り正常に除去される。
【００３５】ただしここでコンデンサＣにチャージされ
る電荷Ｑについて考えると，電圧クランプ素子が無い場
合では Ｑ＝Ｃ・Ｅ であるのに対し，クランプ電圧ｅのバリスタを使用する
と，この分だけコンデンサＣに印加される電圧が低下し
てチャージされる電荷が減少する。このため，その分だ
けコンデンサＣのキャパシタンスを大きくする必要があ
る。
る電荷Ｑについて考えると，電圧クランプ素子が無い場
合では Ｑ＝Ｃ・Ｅ であるのに対し，クランプ電圧ｅのバリスタを使用する
と，この分だけコンデンサＣに印加される電圧が低下し
てチャージされる電荷が減少する。このため，その分だ
けコンデンサＣのキャパシタンスを大きくする必要があ
る。
【００３６】次に図４にもとずき，パルス送信回路１の
インピーダンス測定時について説明する。ＣＣＩＴＴ
Ｉ．４３０の例では，パルス送信回路１のインピーダン
ス測定時に負荷，即ち図４（Ａ）に示すインタフェース
点Ａ，Ｂに１００ｍｖの電圧をかけてインピーダンスを
測定することになっている。
インピーダンス測定時について説明する。ＣＣＩＴＴ
Ｉ．４３０の例では，パルス送信回路１のインピーダン
ス測定時に負荷，即ち図４（Ａ）に示すインタフェース
点Ａ，Ｂに１００ｍｖの電圧をかけてインピーダンスを
測定することになっている。
【００３７】ここで１００ｍｖの測定電圧によりインピ
ーダンス測定すると，パルストランス１２の１次側（Ｌ
Ｐ側）には，そのＮ倍の１００ｍ×Ｎ（ｖ）の電圧が出
力される。このとき電圧制御スイッチング部１３２のバ
リスタを非導通状態にするため，このバリスタのクラン
プ電圧ｅを，ｅ＞１００ｍ×Ｎ（ｖ）のものを選択する
必要がある。
ーダンス測定すると，パルストランス１２の１次側（Ｌ
Ｐ側）には，そのＮ倍の１００ｍ×Ｎ（ｖ）の電圧が出
力される。このとき電圧制御スイッチング部１３２のバ
リスタを非導通状態にするため，このバリスタのクラン
プ電圧ｅを，ｅ＞１００ｍ×Ｎ（ｖ）のものを選択する
必要がある。
【００３８】バリスタはそのクランプ電圧ｅ以下の電圧
に対しては，非導通状態と見なせるので，この時の等価
回路は図４（Ｂ）に示すものとなる。これより明らかな
ように，アンダーシュート除去部１３１のコンデンサＣ
は，インピーダンスメータ３側から全く見えなくなり，
従って，従来のアンダーシュート除去部１３１のコンデ
ンサＣによるパルス送信回路１の高域周波数領域におけ
るインピーダンス低下を効果的に解決することができ
る。
に対しては，非導通状態と見なせるので，この時の等価
回路は図４（Ｂ）に示すものとなる。これより明らかな
ように，アンダーシュート除去部１３１のコンデンサＣ
は，インピーダンスメータ３側から全く見えなくなり，
従って，従来のアンダーシュート除去部１３１のコンデ
ンサＣによるパルス送信回路１の高域周波数領域におけ
るインピーダンス低下を効果的に解決することができ
る。
【００３９】なお上記説明は，ＣＣＩＴＴ Ｉ．４３０
のインタフェース規格について説明したが，本発明はこ
れに限定されるものではなく，同様のインタフェース規
格を持つ他のインタフェースについても適用出来ること
は明らかである。
のインタフェース規格について説明したが，本発明はこ
れに限定されるものではなく，同様のインタフェース規
格を持つ他のインタフェースについても適用出来ること
は明らかである。
【００４０】ところで前記説明は，簡略化した回路につ
いて説明したが，実際に使用される回路では，図５
（Ａ）に示すように，パルス振幅調整回路（１４）が設
けられ，このパルス振幅調整回路（１４）はパルス振幅
調整用の抵抗Ｒ１，Ｒ２を有している。更にアンダーシ
ュート除去部１３１にも抵抗Ｒを有している。
いて説明したが，実際に使用される回路では，図５
（Ａ）に示すように，パルス振幅調整回路（１４）が設
けられ，このパルス振幅調整回路（１４）はパルス振幅
調整用の抵抗Ｒ１，Ｒ２を有している。更にアンダーシ
ュート除去部１３１にも抵抗Ｒを有している。
【００４１】上記実施例では電圧制御スイッチング部１
３２にバリスタを使用した例について説明したが，本発
明はこれのみに限定されるものではなく他の素子を使用
することが出来る。例えば，ツェナーダイオードや，整
流用ダイオードを使用することができる。
３２にバリスタを使用した例について説明したが，本発
明はこれのみに限定されるものではなく他の素子を使用
することが出来る。例えば，ツェナーダイオードや，整
流用ダイオードを使用することができる。
【００４２】ツェナーダイオードを使用した例を図５
（Ｂ）に示す。図５（Ｂ）に於いて，ＺＤ１，ＺＤ２は
それぞれクランプ電圧ｅのツェナーダイオードであり，
これらを直列接続して使用する。
（Ｂ）に示す。図５（Ｂ）に於いて，ＺＤ１，ＺＤ２は
それぞれクランプ電圧ｅのツェナーダイオードであり，
これらを直列接続して使用する。
【００４３】また整流用ダイオードを使用した例を図５
（Ｃ）に示す。図５（Ｃ）に於いて，Ｄ１，Ｄ２はそれ
ぞれ閾値電圧ｅの整流用ダイオードであり，これらを並
列接続して使用する。これにより図５（Ｄ）に示すごと
き整流特性を得ることが出来る。
（Ｃ）に示す。図５（Ｃ）に於いて，Ｄ１，Ｄ２はそれ
ぞれ閾値電圧ｅの整流用ダイオードであり，これらを並
列接続して使用する。これにより図５（Ｄ）に示すごと
き整流特性を得ることが出来る。
【００４４】例えばパルストランスの巻き数比が２程度
の比較的小さい場合では， １００ｍ×２＜ｅ＜Ｅ の不等式を成立させるために， ｅ＞２００ｍＶ 程度でよいため，ごく一般的な整流用ダイオードの電圧
降下を利用することが出来る。
の比較的小さい場合では， １００ｍ×２＜ｅ＜Ｅ の不等式を成立させるために， ｅ＞２００ｍＶ 程度でよいため，ごく一般的な整流用ダイオードの電圧
降下を利用することが出来る。
【００４５】
【発明の効果】このように本発明によれば，バス接続さ
れるパルス送信回路のパルスマスクとインピーダンスの
規格にたいして，インピーダンスの規格に影響されず，
送信パルス波形をパルスマスク規格に合うように調整す
ることができ，装置開発段階での送信トランスの設計の
容易化，小型化，コスト削減，装置生産段階での歩留り
向上，製造容易，調整不要などをはかることができ，係
わる通信装置の性能向上に寄与するところが非常に大き
いものとなる。
れるパルス送信回路のパルスマスクとインピーダンスの
規格にたいして，インピーダンスの規格に影響されず，
送信パルス波形をパルスマスク規格に合うように調整す
ることができ，装置開発段階での送信トランスの設計の
容易化，小型化，コスト削減，装置生産段階での歩留り
向上，製造容易，調整不要などをはかることができ，係
わる通信装置の性能向上に寄与するところが非常に大き
いものとなる。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】本発明の等価回路である。
【図３】本発明の１実施例である。
【図４】本発明のインピーダンス測定時の説明図であ
る。
る。
【図５】（Ａ）は本発明の第２実施例構成図，（Ｂ）は
本発明の電圧制御スイッチング素子の第２例，（Ｃ）は
本発明の電圧制御スイッチング素子の第３例，（Ｄ）は
整流素子を使用したときの電圧降下特性である。
本発明の電圧制御スイッチング素子の第２例，（Ｃ）は
本発明の電圧制御スイッチング素子の第３例，（Ｄ）は
整流素子を使用したときの電圧降下特性である。
【図６】従来例説明図である。
【図７】パルス波形のアンダーシュート発生説明図であ
る。
る。
【図８】従来のアンダーシュート除去回路説明図であ
る。
る。
【図９】（Ａ）は従来のインピーダンス測定説明図，
（Ｂ）はインピーダンスマスク規定説明図である。
（Ｂ）はインピーダンスマスク規定説明図である。
１ パルス送信回路 ２ 負荷 ３ インピーダンスメータ １１ パルストランス駆動回路 １２ パルストランス １３ アンダーシュート除去回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 昭彦 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−22106（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−219337（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04L 25/00 H03K 5/00
Claims (7)
- 【請求項１】 無信号送信時にハイインピーダンスを示
すパルストランス駆動回路（１１）と，パルストランス
（１２）を具備するパルス送信回路（１）に於いて， アンダーシュート除去手段（１３１）と， このアンダーシュート除去手段（１３１）に接続された
電圧制御スイッチング手段（１３２）を設け， パルストランス（１２）により負荷（２）に生じるパル
ス波形のアンダーシュートを除去するように構成したこ
とを特徴とするパルス波形のアンダーシュート除去回
路。 - 【請求項２】 無信号送信時に前記電圧制御スイッチン
グ手段（１３２）をハイインピーダンスにすることを特
徴とする請求項１に記載されたパルス波形のアンダーシ
ュート除去回路。 - 【請求項３】 バス接続に用いられ，無信号送信時に高
いインピーダンスを要求されるパルス送信回路（１）に
於いて， 無信号送信時に外部からインピーダンスを測定する信号
を与えたとき，前記電圧制御スイッチング手段は，その
測定信号に対し高いインピーダンスを示すことを可能と
する請求項１に記載されたパルス波形のアンダーシュー
ト除去回路。 - 【請求項４】 前記アンダーシュート除去手段（１３
１）としてコンデンサを使用したことを特徴とする請求
項１に記載されたパルス波形のアンダーシュート除去回
路。 - 【請求項５】 前記電圧制御スイッチング手段（１３
２）としてバリスタを使用したことを特徴とする請求項
１に記載されたパルス波形のアンダーシュート除去回
路。 - 【請求項６】 前記電圧制御スイッチング手段（１３
２）としてツェナーダイオードを使用したことを特徴と
する請求項１に記載されたパルス波形のアンダーシュー
ト除去回路。 - 【請求項７】 前記電圧制御スイッチング手段（１３
２）としてダイオードを使用したことを特徴とする請求
項１に記載されたパルス波形のアンダーシュート除去回
路。
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|---|---|---|---|
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| US07/910,507 US5331213A (en) | 1991-07-11 | 1992-07-08 | Pulse transmission circuit with undershoot eliminating circuitry |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3197122A JP3038258B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | パルス波形のアンダーシュート除去回路 |
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| JP3038258B2 true JP3038258B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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- 1991-07-11 JP JP3197122A patent/JP3038258B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1992-07-08 US US07/910,507 patent/US5331213A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0522352A (ja) | 1993-01-29 |
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