JP3033862B2 - Switching element malfunction prevention circuit - Google Patents

Switching element malfunction prevention circuit

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JP3033862B2 JP25300391A JP25300391A JP3033862B2 JP 3033862 B2 JP3033862 B2 JP 3033862B2 JP 25300391 A JP25300391 A JP 25300391A JP 25300391 A JP25300391 A JP 25300391A JP 3033862 B2 JP3033862 B2 JP 3033862B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング素子の誤
動作防止回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching element malfunction prevention circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えばスイッチング素子である電
界効果トランジスタ(FET)のドレイン・ゲート間が
ショート・モードで故障したときそのFETを駆動制御
するための駆動信号発生素子が壊れることを防ぐため、
ダイオードをFETのゲートから駆動信号発生素子へ電
流が流れることを阻止する方向に接続したり、或いはス
イッチング素子がバイポーラトランジスタの場合は、同
様にダイオードをトランジスタのベースから駆動信号発
生素子へ電流が流れることを阻止する方向に接続したり
する技術について本出願人はさきに出願した(実願平3
−59519号)。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, when a failure occurs between a drain and a gate of a field effect transistor (FET) which is a switching element in a short mode, a drive signal generating element for driving and controlling the FET is prevented from being broken.
If a diode is connected in a direction that prevents current from flowing from the gate of the FET to the drive signal generating element, or if the switching element is a bipolar transistor, a current flows from the base of the transistor to the drive signal generating element. The applicant of the present invention has applied for a technique of connecting in a direction that prevents the
-59519).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、FET
であればそのゲートから駆動信号発生素子へ電流が流れ
ることを阻止する方向にダイオードが接続されているの
で、正常にFETがオフしている時FETのドレインに
電圧が掛かると短い時間ではあるが、FETのドレイン
・ゲート間にある浮遊容量を介してゲート・ソースへと
電流が流れ、一瞬オンする誤動作の問題があった。又、
バイポーラトランジスタも同様に、トランジスタがオフ
している時、トランジスタのコレクタに電圧がかかる
と、トランジスタのコレクタ・ベース間の浮遊容量を介
してベース・エミッタへと電流が流れ、一瞬オンする誤
動作の問題があった。
However, FETs
Then, since the diode is connected in the direction to prevent the current from flowing from the gate to the drive signal generating element, it is a short time if a voltage is applied to the drain of the FET when the FET is normally off. In addition, a current flows from the gate to the source via the floating capacitance between the drain and the gate of the FET, and there is a problem of a malfunction in which the FET is turned on for a moment. or,
Similarly, when a voltage is applied to the collector of a transistor when the transistor is off, a current flows to the base and emitter via the stray capacitance between the collector and the base of the transistor, causing a problem that the transistor turns on momentarily. was there.

【0004】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、スイッチング素子からそのオン
オフ駆動信号発生素子への電気の流れを阻止してそのオ
ンオフ駆動信号発生素子の破損を防止すると同時に、そ
のスイッチング素子がオフ状態であるときにそのスイッ
チング素子に外部電圧が印加されてもそのスイッチング
素子が誤動作によりオンすることのないようにすること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and prevents the flow of electricity from a switching element to an on / off drive signal generation element to prevent damage to the on / off drive signal generation element. At the same time, an object of the present invention is to prevent the switching element from being turned on due to a malfunction even when an external voltage is applied to the switching element when the switching element is in an off state.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のスイッチング素子の誤動作防止回路は、スイ
ッチング素子と、前記スイッチング素子をオンオフ駆動
させる信号を発生する駆動信号発生素子と、前記スイッ
チング素子と駆動信号発生素子との間に該スイッチング
素子から駆動信号発生素子への電力の流れを阻止する向
きに設けられる整流素子と、前記スイッチング素子と駆
動信号発生素子との間に前記整流素子と並列に設けられ
る蓄電素子とからなることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a malfunction preventing circuit for a switching element according to the present invention comprises a switching element, a drive signal generating element for generating a signal for driving the switching element on and off, and a switching element. A rectifying element provided between the element and the drive signal generating element in a direction to prevent a flow of power from the switching element to the drive signal generating element; and the rectifying element between the switching element and the drive signal generating element. And a storage element provided in parallel.

【0006】[0006]

【作用】上記の構成を有する本発明のスイッチング素子
誤動作防止回路によれば、駆動信号発生素子からのオン
オフ信号によりスイッチング素子は駆動されるが、もし
そのスイッチング素子が故障してこのスイッチング素子
に高電圧が印加されても整流素子によって駆動信号発生
素子への電気の流れは阻止される一方、スイッチング素
子がオフ状態にあるときにこのスイッチング素子に高電
圧が印加されてもそこに残留する浮遊容量電荷は蓄電素
子へ流れ、スイッチング素子が不用意にオンすることは
ない。
According to the switching element malfunction prevention circuit of the present invention having the above configuration, the switching element is driven by the on / off signal from the drive signal generating element. However, if the switching element fails, the switching element becomes high. Even if a voltage is applied, the flow of electricity to the drive signal generating element is prevented by the rectifying element, while the stray capacitance that remains when a high voltage is applied to the switching element when the switching element is off. The charge flows to the storage element, and the switching element does not turn on carelessly.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図面を
参照して説明する。図1は、本発明の一実施例にかかる
圧電素子駆動回路の回路図である。この圧電素子駆動回
路においては、直流電源E、トランジスタTR1 および
コイルLが圧電素子Cp に直列に接続され、これらによ
り圧電素子Cp の充電回路を構成する。一方、前記圧電
素子Cp 、コイルLおよび電界効果トランジスタFET
が直列に接続され、これらにより圧電素子Cp の放電回
路を構成する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a piezoelectric element drive circuit according to one embodiment of the present invention. In this piezoelectric element driving circuit, a DC power supply E, a transistor TR1, and a coil L are connected in series to a piezoelectric element CP, and these constitute a charging circuit for the piezoelectric element CP. On the other hand, the piezoelectric element CP, the coil L and the field effect transistor FET
Are connected in series, and these constitute a discharge circuit of the piezoelectric element Cp.

【0008】前記トランジスタTR1 のベース側にはそ
れをオンオフさせるトランジスタTR3 から抵抗R1 を
介して接続され、該トランジスタTR3 のベース側は更
にそれをオンオフ駆動させるトランジスタ駆動制御回路
60に接続される。また前記電界効果トランジスタFE
Tのゲート側はダイオードD1 を介して前記駆動制御回
路60に接続される。該ダイオードD1 は前記FETの
ゲートから駆動制御回路60への電気の流れを阻止する
方向に接続されるものである。さらに前記FETのゲー
トと駆動制御回路60との間には前記ダイオードD1 と
並列にコンデンサC1 が接続されている。
The base of the transistor TR1 is connected via a resistor R1 from a transistor TR3 for turning it on and off, and the base of the transistor TR3 is further connected to a transistor drive control circuit 60 for driving it on and off. The field effect transistor FE
The gate side of T is connected to the drive control circuit 60 via a diode D1. The diode D1 is connected in such a direction as to block the flow of electricity from the gate of the FET to the drive control circuit 60. Further, a capacitor C1 is connected between the gate of the FET and the drive control circuit 60 in parallel with the diode D1.

【0009】尚、前記コイルLの両端には、ダイオード
D3 とD4 が直流電源Eの正極から電流が流れるのを阻
止する方向に接続され、ダイオードD5 とD6 が直流電
源Eの陰極へ電流が流れるのを阻止する方向に接続され
ている。
At both ends of the coil L, diodes D3 and D4 are connected in a direction to prevent a current from flowing from the positive electrode of the DC power supply E, and diodes D5 and D6 flow a current to the cathode of the DC power supply E. Connected in a direction that prevents

【0010】次にこの圧電素子駆動回路の作動について
図2を参照しつつ説明する。いま時刻T1 において、ト
ランジスタ駆動制御回路60からの入力信号によりトラ
ンジスタTR3 に駆動開始電圧V1 が印加されてトラン
ジスタTR1 がオンされたとする。そうすると直流電源
EからトランジスタTR1 、コイルLを介して圧電素子
Cp へ電流が流れ圧電素子Cp が充電される。一方時刻
T2 において電圧V1 が低レベルになるとトランジスタ
TR1 はオフに切換えられて圧電素子Cp への充電が終
了する。
Next, the operation of the piezoelectric element driving circuit will be described with reference to FIG. At time T1, it is assumed that the drive start voltage V1 is applied to the transistor TR3 by the input signal from the transistor drive control circuit 60, and the transistor TR1 is turned on. Then, a current flows from the DC power supply E to the piezoelectric element CP through the transistor TR1 and the coil L, and the piezoelectric element CP is charged. On the other hand, when the voltage V1 goes low at time T2, the transistor TR1 is turned off and the charging of the piezoelectric element Cp ends.

【0011】次に時刻T3 においてトランジスタFET
に駆動開始電圧V2 が印加されてFETがオンされる
と、圧電素子Cp に蓄積された電荷がコイルL、FET
を介して流出し圧電素子Cp の放電が行われる。そして
時刻T4 において電圧V2 が低レベルになるとFETは
オフに切換えられて圧電素子Cp の放電が終了するとと
もに、コイルLに蓄積された電力が電源に帰還する。こ
のような状態において、従来は、図3に示すように、T
R1 がオンした瞬間、電流がFETのドレイン・ゲート
間の浮遊容量を介してFETのソースへ流れ、短時間で
はあるがFETがオン状態になり、そのために直流電源
EよりTR1 を通してFETへと貫通電流が流れてしま
う。本発明では、FETとトランジスタ駆動制御回路6
0との間にコンデンサC1 を設けているのでFETのド
レイン・ゲート間の浮遊容量を通ってきた電流は、V2
が低レベルにあることにより駆動制御回路60へと流れ
FETがその電流によってONすることはなく、貫通電
流は流れない。この浮遊容量を通る電流は、わずかであ
るので制御回路を破壊することはない。
Next, at time T3, the transistor FET
When the driving start voltage V2 is applied to the FET and the FET is turned on, the electric charge accumulated in the piezoelectric element Cp is transferred to the coil L and the FET.
And discharge of the piezoelectric element Cp is performed. When the voltage V2 becomes low at time T4, the FET is turned off, the discharge of the piezoelectric element Cp ends, and the power stored in the coil L returns to the power supply. In such a state, conventionally, as shown in FIG.
At the moment when R1 is turned on, a current flows to the source of the FET via the stray capacitance between the drain and the gate of the FET, and the FET is turned on for a short time. Electric current flows. In the present invention, the FET and the transistor drive control circuit 6
Since the capacitor C1 is provided between the FET and the FET, the current flowing through the stray capacitance between the drain and the gate of the FET is V2
Is at a low level, the current flows to the drive control circuit 60, the FET is not turned on by the current, and no through current flows. The current through this stray capacitance is so small that it does not destroy the control circuit.

【0012】図4は本発明の他の実施例を示す。この実
施例では前述の図1に示したFETに代えてバイポーラ
トランジスタTR4 を用いている。実質的にはFETで
あれ、TR4 であれ、その作用効果は変わらない。
FIG. 4 shows another embodiment of the present invention. In this embodiment, a bipolar transistor TR4 is used in place of the FET shown in FIG. Practically, the operation and effect of the FET and the TR4 remain unchanged.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したことから明かなように、本
発明によれば、スイッチング素子とそのオンオフ駆動信
号発生素子との間に整流素子を設けてスイッチング素子
からその駆動信号発生素子への電気の流れを阻止する一
方、そのスイッチング素子のオフ状態で高電圧が印加さ
れてもそこに残留する電荷が前記整流素子と並列に設け
られる蓄電素子に流れるようにしたのでスイッチング素
子が不用意にオンされるような誤動作は回避され、安定
したスイッチング回路が構成されるものである。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a rectifying element is provided between a switching element and its on / off driving signal generating element, and electric power is supplied from the switching element to the driving signal generating element. While the switching element is turned off, even if a high voltage is applied in the off state of the switching element, the charge remaining there is caused to flow to the storage element provided in parallel with the rectifying element, so that the switching element is inadvertently turned on. Such a malfunction is avoided, and a stable switching circuit is formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の具体的な一実施例にかかる圧電素子駆
動回路の回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a piezoelectric element driving circuit according to a specific embodiment of the present invention.

【図2】その圧電素子駆動回路の動作を説明するための
電圧、電流波形図である。
FIG. 2 is a voltage and current waveform diagram for explaining the operation of the piezoelectric element drive circuit.

【図3】従来の圧電素子駆動回路の電圧、電流波形図で
ある。
FIG. 3 is a voltage and current waveform diagram of a conventional piezoelectric element drive circuit.

【図4】本発明の他の実施例の圧電素子駆動回路図であ
る。
FIG. 4 is a piezoelectric element drive circuit diagram according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

FET 電界効果トランジスタ 60 駆動制御回路(駆動信号発生素子を含む) D1 整流素子 C1 蓄電素子 TR4 バイポーラトランジスタ FET Field-effect transistor 60 Drive control circuit (including drive signal generation element) D1 Rectifier element C1 Storage element TR4 Bipolar transistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−270418(JP,A) 特開 平2−106166(JP,A) 特開 平3−18118(JP,A) 特開 平5−57918(JP,A) 特開 昭62−295512(JP,A) 特開 平3−78313(JP,A) 実開 平5−5458(JP,U) 実開 昭62−193332(JP,U) 特公 昭54−44586(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 17/00 - 17/693 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-2-270418 (JP, A) JP-A-2-106166 (JP, A) JP-A-3-18118 (JP, A) JP-A-5-118 57918 (JP, A) JP-A-62-295512 (JP, A) JP-A-3-78313 (JP, A) JP-A-5-5458 (JP, U) JP-A-62-193332 (JP, U) JP-B-54-44586 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H03K 17/00-17/693

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 スイッチング素子と、 前記スイッチング素子をオンオフ駆動させる信号を発生
する駆動信号発生素子と、 前記スイッチング素子と駆動信号発生素子との間に該ス
イッチング素子から駆動信号発生素子への電力の流れを
阻止する向きに設けられる整流素子と、 前記スイッチング素子と駆動信号発生素子との間に前記
整流素子と並列に設けられる蓄電素子とからなることを
特徴とするスイッチング素子の誤動作防止回路。
A switching element; a driving signal generating element for generating a signal for driving the switching element on and off; and a power supply from the switching element to the driving signal generating element between the switching element and the driving signal generating element. A malfunction preventing circuit for a switching element, comprising: a rectifying element provided to block a flow; and a power storage element provided in parallel with the rectifying element between the switching element and a drive signal generating element.
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