JP3024616B2 - Variable resistor for high voltage - Google Patents

Variable resistor for high voltage

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JP3024616B2
JP3024616B2 JP9313197A JP31319797A JP3024616B2 JP 3024616 B2 JP3024616 B2 JP 3024616B2 JP 9313197 A JP9313197 A JP 9313197A JP 31319797 A JP31319797 A JP 31319797A JP 3024616 B2 JP3024616 B2 JP 3024616B2
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従通 長岡
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、TV受像機やCR
Tディスプレイなどの陰板線管にフォーカス電圧を供給
するのに用いられる高電圧用可変抵抗器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a TV receiver and a CR
The present invention relates to a high-voltage variable resistor used to supply a focus voltage to a cathode ray tube such as a T display.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、この種の高電圧用可変抵抗器
として、図4に等価回路図を示すものがある。この高電
圧用可変抵抗器は、高電圧入力端子50とアース端子5
1との間に互いに並列に設けられた複数の可変抵抗部5
2と、高電圧入力端子50に印加された高電圧を分圧し
てフォーカス電圧を出力する出力端子53とからなって
おり、このような高電圧用可変抵抗器は、図示はしない
が、前記可変抵抗部52を構成する抵抗パターンを形成
した絶縁基板と、抵抗パターンから分圧電圧を取り出す
可動摺動子とを絶縁ケースに収納して構成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows an equivalent circuit diagram of a conventional high-voltage variable resistor. This high-voltage variable resistor includes a high-voltage input terminal 50 and a ground terminal 5.
1 and a plurality of variable resistance portions 5 provided in parallel with each other.
2 and an output terminal 53 that divides the high voltage applied to the high voltage input terminal 50 and outputs a focus voltage. Such a high voltage variable resistor is not shown in FIG. An insulating substrate on which a resistance pattern constituting the resistance portion 52 is formed and a movable slider for extracting a divided voltage from the resistance pattern are housed in an insulating case.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の高電圧用可変抵抗器においては、DF(ダイナミ
ックフォーカス)調整用の信号入力端子54が設けられ
ている。この信号入力端子54は容量素子55を介して
出力端子53側に接続されているが、このような接続構
成では、DFの機能が必ずしも十分とはいえず、そのた
めに、DF調整精度の向上が望まれていた。
By the way, in such a conventional high-voltage variable resistor, a signal input terminal 54 for DF (dynamic focus) adjustment is provided. The signal input terminal 54 is connected to the output terminal 53 side via the capacitance element 55. However, in such a connection configuration, the function of the DF is not always sufficient, and therefore, the DF adjustment accuracy is improved. Was desired.

【0004】したがって、本発明においは、DF調整精
度を向上させることを目的としている。
Accordingly, an object of the present invention is to improve the DF adjustment accuracy.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明においては、入力電圧を分圧し、その
分圧電圧を外部に取り出す取り出しラインを有する抵抗
パターンを備えた絶縁基板と、前記取り出しラインに接
続されたクランプ回路部と、このクランプ回路部の両端
部に一端がそれぞれ接続された第1および第2の容量素
子と、これらを収納する一面が開放された形状の絶縁ケ
ースとを有し、前記絶縁基板は、絶縁ケースの基板収納
部に収納され、前記クランプ回路部と、第1および第2
の容量素子とは絶縁ケースの基板収納部に隣接して形成
されたクランプ回路部収納部と容量素子収納部とにそれ
ぞれ収納されており、以上のものから高電圧用抵抗器を
構成した。
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided an insulating substrate having a resistance pattern having an extraction line for dividing an input voltage and extracting the divided voltage to the outside. A clamp circuit portion connected to the take-out line, first and second capacitors each having one end connected to both ends of the clamp circuit portion, and an insulating case in which one surface for accommodating these is opened. Wherein the insulating substrate is accommodated in a substrate accommodating portion of an insulating case, and wherein the clamp circuit portion includes first and second clamp circuits.
Are housed in a clamp circuit housing and a capacitor housing formed adjacent to the substrate housing of the insulating case, respectively, and constitute a high-voltage resistor from the above.

【0006】上記構成によれば、第1と第2の容量素子
の他端にDF調整用信号が入力されることになる。クラ
ンプ回路部を介して出力される分圧電圧(フォーカス電
圧)は、その基準レベルが調整されるので、DF調整精
度を向上させることができる。
According to the above configuration, the DF adjustment signal is input to the other ends of the first and second capacitors. Since the reference level of the divided voltage (focus voltage) output via the clamp circuit unit is adjusted, the DF adjustment accuracy can be improved.

【0007】また、クランプ回路部と第1および第2の
容量素子とは、基板収納部に隣接して形成されたクラン
プ回路部収納部と容量素子収納部とに収納されるので、
高電圧可変抵抗器がコンパクトに構成されるようにな
る。
The clamp circuit and the first and second capacitors are housed in the clamp circuit housing and the capacitor housing formed adjacent to the substrate housing.
The high voltage variable resistor becomes compact.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の一実施の
形態の高電圧用可変抵抗器の平面図、図2は絶縁基板の
平面図である。この高電圧用可変抵抗器1は、絶縁基板
2とこの絶縁基板2を収納する絶縁ケース3とを備えて
いる。絶縁ケース3は、一面が開放された箱型形状をし
ており、その内部には基板収納部4と部品収納部5とが
形成されている。基板収納部4は絶縁基板2と同等の大
きさを備えており、絶縁ケース3の一方の長辺側端縁3
a側に設けられている。部品収納部5は基板収納部4に
隣接するとともに、絶縁ケース3の他方の長辺側端縁3
b側に設けられている。つまり、基板収納部4と部品収
納部5とは絶縁ケース3の長手方向に沿って並列配置さ
れている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a high-voltage variable resistor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of an insulating substrate. The high-voltage variable resistor 1 includes an insulating substrate 2 and an insulating case 3 that houses the insulating substrate 2. The insulating case 3 has a box-like shape with one surface opened, and has a board storage part 4 and a component storage part 5 formed therein. The substrate housing portion 4 has a size equivalent to that of the insulating substrate 2 and is provided on one long side edge 3 of the insulating case 3.
It is provided on the a side. The component storage part 5 is adjacent to the substrate storage part 4 and the other long side edge 3 of the insulating case 3.
It is provided on the b side. That is, the board storage part 4 and the component storage part 5 are arranged in parallel along the longitudinal direction of the insulating case 3.

【0009】部品収納部5は、後述するクランプ回路部
を収納する平坦面状に形成されたクランプ回路部収納部
5aと、後述する容量素子を収納する凹み状に形成され
た容量素子収納部5b,5cとからなっている。
The component storage section 5 includes a clamp circuit section storage section 5a formed into a flat surface for storing a clamp circuit section described later, and a concave-shaped capacitance element storage section 5b formed to store a capacitance element described later. , 5c.

【0010】絶縁基板2はセラミック基板からなってお
り、その表面には、図2に示すように、抵抗パターン6
が形成されている。抵抗パターン6は、絶縁基板2の長
手方向両端それぞに配設された高電圧入力電極部7とア
ース電極部8との間に配設されており、その中途部には
可変抵抗部9A、9Bが互いに並列接続された状態で形
成されている。また、絶縁基板2上は、可変抵抗部9
A、9Bから分圧しした電圧(フォーカス電圧)を取り
出す第1、第2の取り出しライン10,11が形成され
ている。この取り出しライン10,11はこの実施の形
態では抵抗パターンで構成されている。この取り出しラ
イン10,11の先端には第1および第2の取り出し電
極部12,13がそれぞれ形成されている。
The insulating substrate 2 is made of a ceramic substrate, and has a resistance pattern 6 on its surface as shown in FIG.
Are formed. The resistance pattern 6 is provided between the high-voltage input electrode section 7 and the ground electrode section 8 provided at both ends in the longitudinal direction of the insulating substrate 2, and a variable resistance section 9 A is provided in the middle thereof. 9B are formed in parallel connection with each other. In addition, on the insulating substrate 2, the variable resistance section 9 is provided.
First and second extraction lines 10 and 11 for extracting the divided voltage (focus voltage) from A and 9B are formed. The take-out lines 10 and 11 are formed of a resistance pattern in this embodiment. First and second extraction electrode portions 12 and 13 are formed at the tips of the extraction lines 10 and 11, respectively.

【0011】一方、絶縁基板2の裏面には、高電圧入力
端子14、アース端子15、および第1の出力端子16
が立設されている。これら端子14〜16はそれぞれ基
板表面側の高電圧入力電極部7、アース電極部8、およ
び第1の取り出し電極部12と、絶縁基板2に形成され
た貫通孔を介して接続されている。また、絶縁基板2の
裏面上には、第1の取り出し電極部12とアース電極部
8とに接続された容量素子C1が配設されている。さら
に、絶縁基板2の裏面にはDF調整用の第1の信号入力
端子18が立設されている。この第1の信号入力端子1
8は絶縁基板2の表面に形成された取り付け電極部19
に貫通孔を介して接続されている。
On the other hand, a high-voltage input terminal 14, a ground terminal 15, and a first output terminal 16
Is erected. These terminals 14 to 16 are connected to the high-voltage input electrode portion 7, the ground electrode portion 8, and the first extraction electrode portion 12 on the substrate surface side, respectively, via through holes formed in the insulating substrate 2. Further, on the back surface of the insulating substrate 2, a capacitor C1 connected to the first extraction electrode section 12 and the ground electrode section 8 is provided. Further, a first signal input terminal 18 for DF adjustment is provided upright on the back surface of the insulating substrate 2. This first signal input terminal 1
Reference numeral 8 denotes a mounting electrode portion 19 formed on the surface of the insulating substrate 2.
Through a through hole.

【0012】このように構成された絶縁基板2が、その
表面側を絶縁ケース3の内面側にし、かつ絶縁ケース3
との間に可動接触子17を収納して基板収納部4に嵌め
入れられている。可動接触子17は図示していない回転
軸のフランジ部に取り付けられており、絶縁ケース3の
外側に突出する回転軸を操作することによって可変抵抗
部9A,9Bとの接点を変動させるものであって、各可
変抵抗部9A,9Bと各取り出しライン10,11との
間に介在している。
[0012] The insulating substrate 2 having the above-described configuration is arranged such that the front surface side is the inner surface side of the insulating case 3 and the insulating case 3
The movable contact 17 is housed between the two and is fitted into the substrate housing part 4. The movable contact 17 is attached to a flange portion of a rotating shaft (not shown), and the contact with the variable resistance portions 9A and 9B is changed by operating the rotating shaft protruding outside the insulating case 3. Thus, it is interposed between each of the variable resistance sections 9A and 9B and each of the extraction lines 10 and 11.

【0013】部品収納部5は、上記のようにクランプ回
路部収納部5aと一対の容量素子収納部5b,5cとを
備えている。クランプ収納部5aは高電圧入力電極部7
側に設けられている。一対の容量素子収納部5b,5c
はクランプ回路部収納部5aに続いて第1の信号入力端
子18に向けて設けられている。そして、クランプ回路
部収納部5aにはクランプ回路部23を構成する抵抗2
4とダイオード25とが互いに並列接続されて収納され
ている。また、第1の信号入力端子18側の容量素子収
納部5cには第1の容量素子26が収納され、中央の容
量素子収納部5bには第2の容量素子27が収納されて
いる。さらには、この部品収納部5には、DF調整用の
第2の信号入力端子28と第2の出力端子29とが立設
されている。
The component storage section 5 includes the clamp circuit section storage section 5a and the pair of capacitive element storage sections 5b and 5c as described above. The high voltage input electrode section 7
It is provided on the side. A pair of capacitive element storage sections 5b and 5c
Is provided to the first signal input terminal 18 following the clamp circuit storage 5a. Then, the resistor 2 constituting the clamp circuit section 23 is provided in the clamp circuit section storage section 5a.
4 and the diode 25 are housed in parallel with each other. In addition, the first capacitance element 26 is accommodated in the capacitance element accommodation section 5c on the first signal input terminal 18 side, and the second capacitance element 27 is accommodated in the central capacitance element accommodation section 5b. Further, a second signal input terminal 28 and a second output terminal 29 for DF adjustment are erected on the component storage unit 5.

【0014】クランプ回路部23および容量素子26,
27と絶縁基板2との接続は次のようになっている。す
なわち、第1の容量素子26の一方のリード端子は第1
の信号入力端子18に、また他方のリード端子は第2の
出力端子29にそれぞれ接続されている。第2の容量素
子27の一方のリード端子は第2の信号入力端子28
に、また他方のリード端子は絶縁基板2に形成された挿
通孔30を介して絶縁基板2の表面側に導出されて第2
の取り出し電極部13に接続されている。さらには、抵
抗24およびダイオード25の一方のリード端子は第2
の出力端子29に、また、他方のリード端子は挿通孔2
8を介して絶縁基板2の表面側に導出されて、第2の取
り出し電極部13に接続されている。
The clamp circuit 23 and the capacitor 26,
The connection between 27 and the insulating substrate 2 is as follows. That is, one lead terminal of the first capacitive element 26 is
And the other lead terminal is connected to a second output terminal 29, respectively. One lead terminal of the second capacitor 27 is connected to a second signal input terminal 28.
The other lead terminal is led out to the front surface side of the insulating substrate 2 through the insertion hole 30 formed in the insulating substrate 2 and
Are connected to the extraction electrode section 13. Further, one lead terminal of the resistor 24 and the diode 25 is connected to the second
Output terminal 29, and the other lead terminal
It is led out to the front side of the insulating substrate 2 through 8 and connected to the second extraction electrode section 13.

【0015】この高電圧用可変抵抗器1の回路構成は図
3の等価回路図のようになる。つまり、各可変抵抗部9
A,9Bによって分圧された分圧電圧のうちの第2の出
力端子29から出力される分圧電圧は、クランプ回路部
23を介して出力される。第1,第2の信号入力端子1
8,28には、DF調整用の信号が入力されるようにな
っている。
The circuit configuration of the high-voltage variable resistor 1 is as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. That is, each variable resistance section 9
Of the divided voltages divided by A and 9B, the divided voltage output from the second output terminal 29 is output via the clamp circuit unit 23. First and second signal input terminals 1
Signals for DF adjustment are input to 8 and 28.

【0016】なお、上記実施の形態では、複数の分圧電
圧(フォーカス電圧)を取り出すようにしているが、1
個のみでもよい。
In the above embodiment, a plurality of divided voltages (focus voltages) are taken out.
It may be only one.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、クランプ
回路部を設けているので、DF調整精度が高められるこ
とになる。
As described above, according to the present invention, since the clamp circuit is provided, the DF adjustment accuracy can be improved.

【0018】また、クランプ回路部と容量素子とは、絶
縁ケースの基板収納部に隣接して形成されたクランプ回
路部収納部と容量素子収納部とに収納されるので、これ
らは効率よく絶縁ケース内に収納でき、全体構造をコン
パクトなものとすることができる。
Further, since the clamp circuit portion and the capacitor are stored in the clamp circuit portion storage portion and the capacitor element storage portion formed adjacent to the substrate storage portion of the insulating case, they are efficiently insulated. And the entire structure can be made compact.

【0019】さらには、絶縁基板に隣接して設けた収納
部にクランプ回路部と容量素子とを収納しているので、
クランプ回路部および容量素子と絶縁基板の抵抗パター
ン等との間の接続用端子の引き回しを容易に行うことが
できるという効果もある。
Further, since the clamp circuit portion and the capacitor are housed in the housing portion provided adjacent to the insulating substrate,
There is also an effect that the connection terminals between the clamp circuit portion and the capacitor and the resistance pattern of the insulating substrate can be easily drawn.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る高電圧用可変抵抗
器の構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a high-voltage variable resistor according to one embodiment of the present invention.

【図2】実施の形態の高電圧用可変抵抗器の絶縁基板の
平面図である。
FIG. 2 is a plan view of an insulating substrate of the high-voltage variable resistor according to the embodiment;

【図3】実施の形態の高電圧用可変抵抗器の等価回路図
である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the high-voltage variable resistor according to the embodiment;

【図4】従来例の高電圧用可変抵抗器の等価回路図であ
る。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a conventional high-voltage variable resistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 絶縁基板 3 絶縁ケース 5 部品収納部 5a クランプ回路部収納部 5b,5c 容量素子収納部 6 抵抗パターン 23 クランプ回路部 24 抵抗 25 ダイオード 26,27 容量素子 2 Insulating substrate 3 Insulating case 5 Parts storage 5a Clamp circuit storage 5b, 5c Capacitor storage 6 Resistance pattern 23 Clamp circuit 24 Resistance 25 Diode 26, 27 Capacitor

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 入力電圧を分圧し、その分圧電圧を外部
に取り出す取り出しラインを有する抵抗パターンを備え
た絶縁基板と、前記取り出しラインに接続されたクラン
プ回路部と、このクランプ回路部の両端部に一端がそれ
ぞれ接続された第1および第2の容量素子と、これらを
収納する一面が開放された形状の絶縁ケースとを有し、 前記絶縁基板は、絶縁ケースの基板収納部に収納され、
前記クランプ回路部と、第1および第2の容量素子とは
絶縁ケースの基板収納部に隣接して形成されたクランプ
回路部収納部と容量素子収納部とにそれぞれ収納されて
いることを特徴とする高電圧用可変抵抗器。
1. A divide the input voltage divided, an insulating substrate having a resistance pattern to have a withdrawal line for taking out the divided voltage to the outside, a clamp circuit connected to the withdrawal line, the clamp circuit A first and a second capacitance element, one end of which is connected to both ends, and an insulating case having an open shape for accommodating the first and second capacitance elements, wherein the insulating substrate is housed in a substrate housing part of the insulating case. And
The clamp circuit portion and the first and second capacitors are respectively housed in a clamp circuit portion housing portion and a capacitor device housing portion formed adjacent to the substrate housing portion of the insulating case. Variable resistor for high voltage.
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