JP3022418B2 - Resist material and resist pattern forming method using the same - Google Patents
Resist material and resist pattern forming method using the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の微細加
工工程等において使用されるレジスト材料およびそれを
用いたレジストパターン形成方法、微細加工方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist material used in a fine processing step of a semiconductor device and the like, a resist pattern forming method using the same, and a fine processing method.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体集積回路の製造において、
微細加工を行うにあたっては基板にレジスト材料を塗布
し、これに高エネルギー線、または紫外線を選択的に照
射して潜像を形成し、現像によって所望のパタンを得
て、これをレジストとして加工を行うのが通例であっ
た。レジスト材料としては、高分子、あるいは、高分子
に反応性の材料を加えた組成物が広く用いられてきた。
例えば電子線用のネガティブレジストとして、SAL
(化学増幅型レジスト、シプレー社)やCMS(クロロ
メチルスチレン)の高分子が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the production of semiconductor integrated circuits,
To perform microfabrication, apply a resist material to the substrate, selectively irradiate it with high-energy rays or ultraviolet rays to form a latent image, obtain the desired pattern by development, and process this as a resist. It was customary to do so. As the resist material, a polymer or a composition obtained by adding a reactive material to the polymer has been widely used.
For example, as a negative resist for electron beams, SAL
(Chemically amplified resist, Shipley) and polymers of CMS (chloromethylstyrene) are known.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体装置の
製造等において要求されるサブミクロン領域の微細加工
においては、従来の高分子レジスト材料を用いた加工技
術では十分に要求に応えることは困難であった。例えば
上述の電子線用のネガティブレジストとして、SALや
CMSは、電子線感度については数マイクロC/cm2
程度と高い感度を示すが、10nm程度の超微細パター
ンを形成することは困難であった。However, in the fine processing in the submicron region required in the manufacture of semiconductor devices, etc., it is difficult to sufficiently meet the demand by the conventional processing technology using a polymer resist material. there were. For example, as a negative resist for the above-mentioned electron beam, SAL or CMS has several micro C / cm 2 for electron beam sensitivity.
Although the sensitivity is as high as about 10 nm, it was difficult to form an ultrafine pattern of about 10 nm.
【0004】したがって、従来用いられてきた高分子レ
ジスト同様にプロセスが容易であってかつサブミクロン
オーダーの加工が実現できるレジスト材料が強く望まれ
ていた。Accordingly, there has been a strong demand for a resist material which can be easily processed and can be processed on the order of submicrons, similarly to the conventionally used polymer resist.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題に対し、本発明
者らは、α−メチルスチレンオリゴマーを含有するレジ
スト材料を用いることがきわめて有効であることを見出
した。すなわち、重量平均分子量300以上2000以
下のα−メチルスチレンオリゴマーをバインダ成分とし
て含むことを特徴とする高エネルギー線用のネガ型レジ
スト材料が提供される。In order to solve the above problems, the present inventors have found that it is extremely effective to use a resist material containing an α-methylstyrene oligomer. That is, the weight average molecular weight is 300 or more and 2000 or less.
A negative resist material for high energy radiation is provided, which comprises the following α-methylstyrene oligomer as a binder component.
【0006】また本発明によれば、ネガ型レジスト材料
を被処理基板上に塗布した後、プリベークしてネガ型レ
ジスト膜を形成する工程と、該ネガ型レジスト膜を高エ
ネルギー線に選択的に露光して所望のパターンの潜像を
形成する工程と、前記潜像を現像する工程とを含むネガ
型レジストパターン形成方法において、前記ネガ型レジ
スト材料が重量平均分子量300以上2000以下のα
−メチルスチレンオリゴマーをバインダ成分として含む
ことを特徴とするネガ型レジストパターン形成方法が提
供される。[0006] According to the present invention, after a negative resist material is applied on the substrate to be processed, forming a negative les <br/> resist film is pre-baked, high energy the negative resist film negatives and forming a latent image of a desired pattern selectively exposing to the line, and a step of developing the latent image
In the method of forming a resist pattern, the negative resist material may have an α having a weight average molecular weight of 300 or more and 2000 or less.
-A method for forming a negative resist pattern, comprising a methylstyrene oligomer as a binder component.
【0007】また本発明によれば、被処理基板上にネガ
型レジスト材料を塗布し、ネガ型レジスト膜を形成する
工程と、該ネガ型レジスト膜を高エネルギー線に選択的
に露光して所望のパターンの潜像を形成する工程と、前
記潜像を現像した後、ドライエッチングにより微細構造
体を形成する工程とを含む微細加工方法において、前記
ネガ型レジスト材料が重量平均分子量300以上200
0以下のα−メチルスチレンオリゴマーをバインダ成分
として含むことを特徴とする微細加工方法が提供され
る。Further, according to the present invention, a negative electrode is formed on a substrate to be processed.
Type resist material is applied, selectively forming a negative resist film, the negative resist film to a high energy radiation
Forming a latent image of a desired pattern by exposing
Forming a microstructure by dry etching after developing the latent image ,
The negative resist material has a weight average molecular weight of 300 or more and 200
There is provided a microfabrication method characterized by containing an α-methylstyrene oligomer of 0 or less as a binder component.
【0008】従来のレジスト材料が微細加工性に一定の
限界を有している原因の一つは、パタン形成に用いられ
る高分子の大きさ自体が解像度、詳しくはパタンを形成
したときのラフネスの問題を生じさせることにある。こ
の問題については、例えば吉村らによりアプライド・フ
ィジックス・レターズ63巻p734(1993)に指
摘されている。これに対し、本発明のレジスト材料はオ
リゴマーを用いているため、このような問題が無く、優
れた微細加工性を実現することができる。One of the reasons that the conventional resist material has a certain limit in the fine workability is that the size of the polymer used for forming the pattern itself is the resolution, more specifically, the roughness when forming the pattern. Is to cause problems. This problem is pointed out by Yoshimura et al. In Applied Physics Letters 63, p734 (1993). On the other hand, since the resist material of the present invention uses an oligomer, there is no such a problem, and excellent fine workability can be realized.
【0009】有機材料をレジストとして実用に供するた
めには種々の条件を満たす必要がある。具体的には、溶
剤へ溶解度、膜形成能、非晶性もしくは非常に結晶し難
い性質、耐熱性、感度、エッチング耐性などであるが、
本発明に係るα−メチルスチレンオリゴマーを含有する
レジスト材料は、これらの条件を満たしており、10n
m程度の超微細パターンを形成することが可能である。
なお、α−メチルスチレンオリゴマーを含有するレジス
トの感度を他の有機レジストと比較すると、大面積を露
光しようとした場合には若干劣るものの本発明の目的と
する超微細パターンを形成する場合には同等以上とな
る。例えば、電子線描画において、大面積を露光しよう
とした場合のSALの露光感度は30μC/cm2であ
る。この値はα−メチルスチレンの15mC/cm2に
比べると500倍高感度である。ところが、このSAL
レジストを用いて、1点照射で直径nm程度のドットを
形成しようとすると、その感度は、1ドットあたり(点
照射)、30fC/dot必要となる。同様に、α−メ
チルスチレンでは1ドットあたり約100fC/dot
値度と、SALの点照射感度と大差なくなる。逆に、S
ALのような高感度レジストでは、形成できるドットパ
ターンの最小径が限界であるのに対して、α−メチルス
チレンオリゴマーでは、直径10nm程度の微小ドット
が容易に形成できる。Various conditions must be satisfied in order to put an organic material into practical use as a resist. Specifically, solubility in a solvent, film forming ability, amorphous or very hardly crystallizable properties, heat resistance, sensitivity, etching resistance, etc.
The resist material containing the α-methylstyrene oligomer according to the present invention satisfies these conditions and
It is possible to form an ultrafine pattern of about m.
In addition, when comparing the sensitivity of the resist containing the α-methylstyrene oligomer with other organic resists, it is slightly inferior when trying to expose a large area, but when forming an ultrafine pattern for the purpose of the present invention, Equivalent or higher. For example, in electron beam writing, the exposure sensitivity of SAL when attempting to expose a large area is 30 μC / cm 2 . This value is 500 times more sensitive than 15 mC / cm 2 of α-methylstyrene. However, this SAL
When a dot having a diameter of about nm is formed by one-point irradiation using a resist, the sensitivity is required to be 30 fC / dot per dot (point irradiation). Similarly, for α-methylstyrene, about 100 fC / dot per dot
There is no significant difference between the value degree and the SAL point irradiation sensitivity. Conversely, S
In the case of a high-sensitivity resist such as AL, the minimum diameter of a dot pattern that can be formed is a limit, whereas in the case of an α-methylstyrene oligomer, minute dots having a diameter of about 10 nm can be easily formed.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明のレジスト材料はα−メチ
ルスチレンオリゴマーをバインダ成分として含む。その
分子量は、好ましくは300以上20000以下であ
り、さらに好ましくは500以上2000以下である。
このような範囲とすることにより微細加工性に優れると
ともに作業性の良好なレジスト材料が提供される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The resist composition of the present invention contains an α-methylstyrene oligomer as a binder component. Its molecular weight is preferably 300 or more and 20000 or less, and more preferably 500 or more and 2000 or less.
By setting the content in such a range, a resist material having excellent fine workability and good workability is provided.
【0011】本発明のレジスト材料は、α−メチルスチ
レンオリゴマー以外に、通常レジスト材料として用いら
れる他の樹脂を含んでいても良い。この場合のα−メチ
ルスチレンオリゴマー含有量は、他の樹脂の種類やパタ
ーン形成条件、微細加工条件等により適宜調整される
が、例えばバインダー全体に対して10重量%以上用い
ることで良好な微細加工性が達成される。The resist material of the present invention may contain, in addition to the α-methylstyrene oligomer, other resins usually used as a resist material. In this case, the content of the α-methylstyrene oligomer is appropriately adjusted depending on the type of other resin, pattern forming conditions, fine processing conditions, and the like. Sex is achieved.
【0012】本発明のレジスト材料には、α−メチルス
チレンオリゴマーの他、フェノールレジン、カリックス
アレーン、クロロメチルスチレン等を適宜添加すること
ができる。In addition to the α-methylstyrene oligomer, phenolic resin, calixarene, chloromethylstyrene and the like can be appropriately added to the resist composition of the present invention.
【0013】α−メチルスチレンオリゴマーは、溶剤に
より希釈されスピンコート法等により塗布される。溶剤
としては、例えば、キシレン、モノクロルベンゼン、ト
ルエン等が用いられる。The α-methylstyrene oligomer is diluted with a solvent and applied by spin coating or the like. As the solvent, for example, xylene, monochlorobenzene, toluene or the like is used.
【0014】α−メチルスチレンオリゴマーの濃度は特
に制限が無いが、通常1%以上20%以下の範囲で適宜
調整される。また、塗布後、溶剤を乾燥させたときの膜
厚は、好ましくは20nm以上1000nm以下、さら
に好ましくは30nm以上100nm以下とする。The concentration of the α-methylstyrene oligomer is not particularly limited, but is usually adjusted appropriately in the range of 1% to 20%. Further, the film thickness when the solvent is dried after coating is preferably 20 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 30 nm or more and 100 nm or less.
【0015】本発明のレジストパターン形成方法におけ
る高エネルギー線とは、レジスト材料に照射することに
よりパタン描画を行うものであり、電子線、X線、イオ
ンビーム等を用いることができる。The high energy beam in the method of forming a resist pattern according to the present invention is used to draw a pattern by irradiating a resist material, and an electron beam, X-ray, ion beam or the like can be used.
【0016】[0016]
【実施例】以下、実施例により本発明についてさらに詳
細に説明する。まずα−メチルスチレンを原料とし、ア
ニオン重合法によりα−メチルスチレンオリゴマーを合
成した。冷却器、三方コックを備えた100mlナス型
2口フラスコを窒素置換した後、ナトリウム(0.43
g、18.7mmol)、ナフタレート(2.47g、
19.3mmol)、およびTHF(25ml)を加え
常温で3時間反応させ、触媒を調整した。この反応液
を、62℃にし、α−メチルスチレン(1.9g、1
6.1mmol)を入れ30分間撹拌した。反応液を0
℃で5分間冷却し、−78℃で30分冷却した後、この
温度でα−メチルスチレン(1.61g、13.6mm
ol)を添加した。12時間−78℃で反応させた後、
メタノールを少しずつ滴下し、反応をクエンチした。溶
媒を減圧下で蒸留した後、n−ヘキサンを加え再び溶解
させ、この際に沈殿したソディウムメトキサイドを濾過
により除去し、溶媒を留去した後THF(10ml)に
ポリマーを溶解しメタノール(30ml)に再沈殿し
た。沈殿物を濾過により回収し、40℃で減圧乾燥しポ
リマー1.2gを得た。このようにして得られたα−メ
チルスチレンオリゴマーはGPC測定による分子量測定
の結果、重量平均分子量Mwが652、数平均分子量M
nが598の低分子であり、分散Mw/Mnが1.09
であった。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. First, α-methylstyrene oligomer was synthesized from α-methylstyrene as a raw material by anionic polymerization. After replacing a 100 ml eggplant-shaped two-necked flask equipped with a condenser and a three-way cock with nitrogen, sodium (0.43
g, 18.7 mmol), naphthalate (2.47 g,
19.3 mmol) and THF (25 ml) were added and reacted at room temperature for 3 hours to prepare a catalyst. The reaction solution was brought to 62 ° C., and α-methylstyrene (1.9 g, 1
6.1 mmol) and stirred for 30 minutes. Reaction solution is 0
After cooling at −78 ° C. for 5 minutes and at −78 ° C. for 30 minutes, α-methylstyrene (1.61 g, 13.6 mm
ol) was added. After reacting at −78 ° C. for 12 hours,
The reaction was quenched by the dropwise addition of methanol. After distilling off the solvent under reduced pressure, n-hexane was added and redissolved. Sodium methoxide precipitated at this time was removed by filtration. After distilling off the solvent, the polymer was dissolved in THF (10 ml). ). The precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure at 40 ° C. to obtain 1.2 g of a polymer. As a result of molecular weight measurement by GPC measurement, the thus obtained α-methylstyrene oligomer had a weight average molecular weight Mw of 652 and a number average molecular weight M
n is a low molecular weight of 598, and the dispersion Mw / Mn is 1.09.
Met.
【0017】上記のようにして合成したα−メチルスチ
レンオリゴマーをクロルベンゼンに1.5重量%溶解
し、0.2μmのフィルターで濾過してレジスト溶液を
調整した。清浄なシリコン基板上にコーターを用い、4
000rpmで回転塗布し、厚さ35nmの均一な塗膜
を得た。電子ビーム露光装置(日立 S5000)を用
い、25kVの電子線を用いて種々の露光量でパタン描
画を行った。この基板をキシレンに30秒浸漬して現像
を行い、乾燥してレジストパターンを得た。このパタン
の膜厚を測定し、露光量の関数として感度を求めた(図
2)。図から明らかなように、25kVの電子線に対し
てα−メチルスチレンオリゴマーの面感度は15mC/
cm2である。このα−メチルスチレンオリゴマーを用
いて、図3に示すように、直径15nmのドットアレー
や、図4に示すような線幅12nmのラインパターンが
容易に得られる。The α-methylstyrene oligomer synthesized as described above was dissolved in chlorobenzene at 1.5% by weight and filtered through a 0.2 μm filter to prepare a resist solution. Using a coater on a clean silicon substrate, 4
Spin coating was performed at 000 rpm to obtain a uniform coating film having a thickness of 35 nm. Using an electron beam exposure apparatus (Hitachi S5000), pattern drawing was performed at various exposure doses using an electron beam of 25 kV. The substrate was immersed in xylene for 30 seconds for development and dried to obtain a resist pattern. The film thickness of this pattern was measured and the sensitivity was determined as a function of the exposure (FIG. 2). As is apparent from the figure, the surface sensitivity of the α-methylstyrene oligomer is 15 mC / 25 kV electron beam.
cm 2 . Using this α-methylstyrene oligomer, a dot array having a diameter of 15 nm as shown in FIG. 3 and a line pattern having a line width of 12 nm as shown in FIG. 4 can be easily obtained.
【0018】レジスト感光用の高エネルギー線としてX
線、イオンビームなども用いることもできる。例えば波
長1nmのSR(シンクロトロン放射)光を用いた場合
も、電子線の場合と同様な微細パターンを得る事ができ
た。また、イオンビームとして、Ga1+のイオンを用い
た100KeVのFIB(Focused IonBe
am)装置を用いた場合も、α−メチルスチレンオリゴ
マー微細パターンを得ることができた。X as a high energy beam for resist exposure
Lines, ion beams and the like can also be used. For example, even when SR (synchrotron radiation) light having a wavelength of 1 nm was used, a fine pattern similar to the case of an electron beam could be obtained. A 100 KeV FIB (Focused IonBe) using Ga 1+ ions as an ion beam.
am) Even when the apparatus was used, a fine pattern of α-methylstyrene oligomer could be obtained.
【0019】このようにして得られたα−メチルスチレ
ンオリゴマーのネガパターンはドライエッチングに対し
て十分なエッチング耐性をもち、基板のSiやGaA
s、さらにはアルミニウムやGeの金属に対しても十分
なエッチング耐性を有する。例えば、CF4プラズマを
用いた場合、Geに対するα−メチルスチレンオリゴ
マーのエッチング選択性γGeは(γ=Geのエッチン
グ量/α−メチルスチレンオリゴマーのエッチング量)
約4程度が得られ、Siに対してはγSi=は1が得られ
た。実際にα−メチルスチレンオリゴマーを用いて、G
eの量子細線として線幅7nm程度の極微細線を形成す
ることができた。The thus obtained negative pattern of the α-methylstyrene oligomer has a sufficient etching resistance to dry etching, and the Si or GaAs
s, and also has a sufficient etching resistance to aluminum or Ge metal. For example, when CF 4 plasma is used, α-methylstyrene oligo to Ge
Is the etching selectivity γGe of the polymer (γ = the etching amount of Ge / the etching amount of α-methylstyrene oligomer)
About 4 was obtained, and γSi = 1 was obtained for Si. Actually, using an α-methylstyrene oligomer, G
An extremely fine line having a line width of about 7 nm could be formed as the quantum thin line of e.
【0020】[0020]
【発明の効果】本発明によれば、nmオーダーの高分解
能を有する電子線ネガティブレジストが得られ、サブミ
クロン領域の微細加工が可能となる。これにより、次世
代超高集積Si−LSIや各種センサーへの応用が可能
となる。According to the present invention, an electron beam negative resist having a high resolution on the order of nm can be obtained, and fine processing in a submicron region becomes possible. This enables application to next-generation ultra-high integration Si-LSI and various sensors.
【図1】α−メチルスチレンオリゴマーの化学構造式を
示す図である。FIG. 1 is a view showing a chemical structural formula of an α-methylstyrene oligomer.
【図2】α−メチルスチレンオリゴマーの電子線露光感
度を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing electron beam exposure sensitivity of α-methylstyrene oligomer.
【図3】α−メチルスチレンオリゴマーによって得られ
た、ドットパターンの例を示す図面代用写真である。FIG. 3 is a drawing-substitute photograph showing an example of a dot pattern obtained by using an α-methylstyrene oligomer.
【図4】α−メチルスチレンオリゴマーによって得られ
た、ラインパターンの例を示す図面代用写真である。FIG. 4 is a photograph as a drawing substitute showing an example of a line pattern obtained by using an α-methylstyrene oligomer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 眞子 祥子 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−200968(JP,A) 特開 昭53−99292(JP,A) 特開 昭62−57444(JP,A) 特開 昭54−41719(JP,A) 特開 昭63−137227(JP,A) 特開 昭58−122531(JP,A) 特開 平1−163738(JP,A) 特開 昭62−191850(JP,A) 特開 昭60−257445(JP,A) 特開 平4−281455(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/038 C09D 4/00 C09D 125/16 H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Shoko Mako 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo Within NEC Corporation (56) References JP-A-3-200968 (JP, A) JP-A Sho53 JP-A-92-57444 (JP, A) JP-A-54-41719 (JP, A) JP-A-63-137227 (JP, A) JP-A-58-122531 (JP, A) JP-A-1-163738 (JP, A) JP-A-62-191850 (JP, A) JP-A-60-257445 (JP, A) JP-A-4-281455 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) G03F 7/038 C09D 4/00 C09D 125/16 H01L 21/027
Claims (17)
のα−メチルスチレンオリゴマーをバインダ成分として
含むことを特徴とする高エネルギー線用のネガ型レジス
ト材料。1. A weight average molecular weight of 300 or more and 2000 or less.
A negative resist material for high energy rays , characterized by containing the α-methylstyrene oligomer of (1) as a binder component.
0以下であることを特徴とする請求項1記載の高エネル2. High energy according to claim 1, wherein the energy is 0 or less.
ギー線用のネガ型レジスト材料。Negative resist material for gauze wires.
を特徴とする請求項1又は2記載のネガ型レジスト材The negative resist material according to claim 1, wherein:
料。Fees.
特徴とする請求項1又は2記載のネガ型レジスト材料。The negative resist material according to claim 1 or 2,
ることを特徴とする請求項1又は2記載のネガ型レジスThe negative resist according to claim 1 or 2, wherein
ト材料。Material.
布した後、プリベークしてネガ型レジスト膜を形成する
工程と、該ネガ型レジスト膜を高エネルギー線に選択的
に露光して所望のパターンの潜像を形成する工程と、前
記潜像を現像する工程とを含むネガ型レジストパターン
形成方法において、前記ネガ型レジスト材料が重量平均
分子量300以上2000以下のα−メチルスチレンオ
リゴマーをバインダ成分として含むことを特徴とするネ
ガ型レジストパターン形成方法。6. After the negative resist material is applied on the substrate to be processed, forming a negative resist film is pre-baked, desired the negative resist film selectively exposed to the high energy beam forming a latent image of the pattern, the negative resist pattern forming method comprising the step of developing the latent image, the negative resist material is the weight average
Ne to a molecular weight of 300 to 2,000 of α- methyl styrene oligomer comprising as a binder component
A method of forming a resist pattern.
0以下であることを特徴とする請求項6記載のネガ型レ7. The negative type laser according to claim 6, wherein the value is 0 or less.
ジストパターン形成方法。Gist pattern forming method.
以上100nm以下であることを特徴とする請求項6又7. The semiconductor device according to claim 6, wherein
は7記載のネガ型レジストパターン形成方法。Is a method for forming a negative resist pattern according to item 7.
を特徴とする請求項6乃至8いずれかに記載のネガ型レ
ジストパターン形成方法。9. The negative resist pattern forming method according to claim 6, wherein said high energy beam is an electron beam.
を特徴とする請求項6乃至8いずれかに記載のネガ型レ
ジストパターン形成方法。10. The negative resist pattern forming method according to claim 6, wherein said high energy rays are X-rays.
あることを特徴とする請求項6乃至8いずれかに記載の
ネガ型レジストパターン形成方法。Wherein said high energy beam according to any one of claims 6 to 8, characterized in that an ion beam
Negative resist pattern forming method.
塗布し、ネガ型レジスト膜を形成する工程と、該ネガ型
レジスト膜を高エネルギー線に選択的に露光して所望の
パターンの潜像を形成する工程と、前記潜像を現像した
後、ドライエッチングにより微細構造体を形成する工程
とを含む微細加工方法において、前記ネガ型レジスト材
料が重量平均分子量300以上2000以下のα−メチ
ルスチレンオリゴマーをバインダ成分として含むことを
特徴とする微細加工方法。12. A coated negative resist composition on a substrate to be processed, forming a negative resist film, the negative
The resist film is selectively exposed to high energy rays to
Forming a latent image of the pattern, and developing the latent image
After, the fine processing method comprising the steps of forming a fine structure by dry etching, finely the negative resist material is characterized in that it comprises a weight-average molecular weight of 300 to 2,000 of α- methyl styrene oligomer as a binder component Processing method.
00以下であることを特徴とする請求項12記載の微細13. The fine particle according to claim 12, wherein the particle diameter is not more than 00.
加工方法。Processing method.
m以上100nm以下であることを特徴とする請求項12. The structure according to claim 1, wherein the thickness is not less than m and not more than 100 nm.
2又は13記載の微細加工方法。14. The microfabrication method according to 2 or 13.
とを特徴とする請求項12乃至14いずれかに記載の微15. The fine structure according to claim 12, wherein
細加工方法。Fine processing method.
を特徴とする請求項12乃至14いずれかに記載の微細The fine particle according to any one of claims 12 to 14, wherein
加工方法。Processing method.
あることを特徴とする請求項12乃至14いずれかに記The method according to any one of claims 12 to 14, wherein
載の微細加工方法。Micro-processing method.
Priority Applications (1)
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