JP3017839B2 - Defect inspection method and inspection device - Google Patents

Defect inspection method and inspection device

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JP3017839B2 JP3137863A JP13786391A JP3017839B2 JP 3017839 B2 JP3017839 B2 JP 3017839B2 JP 3137863 A JP3137863 A JP 3137863A JP 13786391 A JP13786391 A JP 13786391A JP 3017839 B2 JP3017839 B2 JP 3017839B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスク等に形成
されたパターンと設計パターンとを比較して欠陥の有無
を判定する欠陥検査技術に係わり、特にアライメントマ
ークを基に被検査パターンのパターン種別を認識するよ
うにした欠陥検査方法及び検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect inspection technique for judging the presence or absence of a defect by comparing a pattern formed on a photomask or the like with a design pattern, and more particularly to a pattern of a pattern to be inspected based on an alignment mark. The present invention relates to a defect inspection method and an inspection apparatus that recognize a type.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、フォトマスク等に形成されたパタ
ーンを検査するには、マスク上で光ビームを走査し、マ
スクからの反射光或いは透過光を検出して被検査パター
ンデータを得る。そして、この被検査パターンデータと
設計パターンデータとを比較照合することにより、欠陥
の有無を判定していた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to inspect a pattern formed on a photomask or the like, a light beam is scanned on the mask, and reflected light or transmitted light from the mask is detected to obtain pattern data to be inspected. The presence / absence of a defect is determined by comparing the pattern data to be inspected with the design pattern data.

【0003】ここで、マスクパターンの種類は多種に渡
るものであり、被検査パターンに対応する設計パターン
を予め選択しなければならない。この選択は、オペレー
タが被検査マスクに対応する設計パターンをファイルの
中から選び出すことにより行っている。
Here, there are many types of mask patterns, and a design pattern corresponding to a pattern to be inspected must be selected in advance. This selection is made by the operator selecting a design pattern corresponding to the inspection target mask from the file.

【0004】しかしながら、この種の方法にあっては次
のような問題があった。即ち、これから検査するマスク
に対応した比較用設計パターンをマスクファイルの中か
ら選び出し、被検査マスクの装置へのロードと共に対応
した設計パターンのデータファイル上のナンバーやネー
ム等を入力する必要があり、オペレータの手間がかか
る。さらに、オペレータが設計パターンと被検査マスク
との対応を間違えて入力すると疑似欠陥多発となり、実
質的検査ができない。
However, this type of method has the following problems. That is, it is necessary to select a comparative design pattern corresponding to the mask to be inspected from the mask file, load the inspection target mask into the apparatus, and input the number, name, etc. in the data file of the corresponding design pattern, It takes operator time and effort. Further, if the operator inputs the correspondence between the design pattern and the mask to be inspected by mistake, pseudo defects occur frequently, and a substantial inspection cannot be performed.

【0005】また、10枚等の連続検査を実行する場
合、オペレータの操作ミスにより、入力した設計データ
に対し被検査マスクを1枚ずつずれてセットしてしまう
と、連続検査した10枚全てが疑似欠陥多発となり、大
きな時間のロスとなる。
When a continuous inspection of ten or the like is performed, if the mask to be inspected is shifted one by one with respect to the input design data due to an operation error of the operator, all of the ten consecutively inspected inspections are performed. Pseudo defects occur frequently, resulting in a large loss of time.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のパ
ターン欠陥検査においては、被検査マスクに対応した比
較用設計パターンをオペレータが選択する必要があり、
これに伴い操作の煩雑化及び疑似欠陥の発生等を招いて
いた。
As described above, in the conventional pattern defect inspection, it is necessary for an operator to select a comparison design pattern corresponding to a mask to be inspected.
As a result, the operation becomes complicated and pseudo defects are generated.

【0007】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、被検査マスク等の検査
すべき試料に対応する設計パターンを自動的に選択する
ことができ、操作の容易化及び疑似欠陥発生の防止をは
かり得る欠陥検査方法及び検査装置を提供することにあ
る。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has as its object to automatically select a design pattern corresponding to a sample to be inspected, such as a mask to be inspected, and to operate it. It is an object of the present invention to provide a defect inspection method and an inspection device capable of facilitating the inspection and preventing occurrence of a pseudo defect.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、検査す
べきマスク等の試料をセットすれば、従来から実施して
いるオートアライメントの工程で自動的に検査に使用す
る比較用の設計パターンを選び出し、検査パターンと設
計パターンとの比較照合を行うことにある。
The gist of the present invention is to provide a comparative design pattern which is automatically used for inspection in a conventional auto alignment process by setting a sample such as a mask to be inspected. And comparing and comparing the inspection pattern with the design pattern.

【0009】即ち本発明は、試料上に形成された複数個
のアライメントマークの位置を測定し、該測定された位
置情報から試料上に形成されたパターンの位置を認識
し、該認識された位置情報を基準に被検査パターンと設
計パターンとを比較して、被検査パターンの欠陥の有無
を判定する欠陥検査方法において、複数個のアライメン
トマークの一部又は全てにパターンの種別を表わす形状
の差を設けておき、欠陥検査の際に各アライメントマー
クの形状を測定してパターンの種別を認識し、該認識さ
れたパターン種別に相当する設計パターンを選択し、該
選択された設計パターンと被検査パターンとを比較する
ことを特徴としている。
That is, according to the present invention, the positions of a plurality of alignment marks formed on a sample are measured, the position of a pattern formed on the sample is recognized from the measured position information, and the recognized position is determined. In a defect inspection method for comparing a pattern to be inspected with a design pattern based on information to determine whether or not there is a defect in the pattern to be inspected, a difference in shape representing a pattern type is partially or entirely included in a plurality of alignment marks. Is provided, the shape of each alignment mark is measured at the time of defect inspection, the pattern type is recognized, a design pattern corresponding to the recognized pattern type is selected, and the selected design pattern and the inspection target are inspected. It is characterized by comparing with a pattern.

【0010】また本発明は、上記方法を実施するための
欠陥検査装置において、試料上に形成された複数個のア
ライメントマークの位置及び形状を測定する手段と、測
定されたマーク形状から検査すべきパターンに相当する
設計パターンを選択する手段と、測定されたマーク位置
を基準に試料上のパターンに光ビームを走査して被検査
パターンを検出する手段と、該検出された被検査パター
ンと選択された設計パターンとを比較して欠陥の有無を
判定する手段とを具備したことを特徴としている。ま
た、本発明の望ましい実施態様としては、次の (1)〜
(3) があげられる。 (1) アライメントマークで表現するパターン種別を表わ
す形状として、マークのX,Y方向の寸法の大小を利用
する。 (2) アライメントマークで表現する情報は、パターン種
別と共に被検査マスクの検査データのマスクファイル情
報である。 (3) アライメントマークで表現する情報は、パターン種
別と共に被検査マスクの検査レベル情報である。
According to another aspect of the present invention, there is provided a defect inspection apparatus for performing the above method, wherein a means for measuring positions and shapes of a plurality of alignment marks formed on a sample and an inspection are to be performed based on the measured mark shapes. Means for selecting a design pattern corresponding to the pattern, means for scanning the pattern on the sample with a light beam on the basis of the measured mark position to detect the pattern to be inspected, and selecting the detected pattern to be inspected. Means for comparing the design pattern with the determined design pattern to determine the presence or absence of a defect. Further, as the preferred embodiment of the present invention, the following (1) ~
(3) (1) The size of the mark in the X and Y directions is used as the shape representing the pattern type represented by the alignment mark. (2) The information expressed by the alignment mark is the mask file information of the inspection data of the inspection target mask together with the pattern type. (3) The information expressed by the alignment mark is the inspection level information of the inspection target mask together with the pattern type.

【0011】[0011]

【作用】従来から実施しているオートアライメント工程
でのアライメントマークの中心位置の確認に加えて、ア
ライメントマークの寸法(X,Y方向寸法)を認識させ
ると共に、例えばアライメントマーク寸法の中心位置は
変えることなく、大きさを数μmレベルのオーダで変え
る。また、アライメントマークは一般には正方形である
が、X,Yそれぞれの方向に対して長方形とすることに
より、必要な数の種類を設ける。
In addition to confirming the center position of the alignment mark in the conventional automatic alignment process, the size of the alignment mark (dimensions in the X and Y directions) is recognized, and for example, the center position of the alignment mark size is changed. Without changing the size on the order of several μm. Although the alignment mark is generally a square, a required number of types are provided by making the alignment mark a rectangle in each of the X and Y directions.

【0012】また、アライメントマークの数は4個でパ
ターン位置の認識,伸縮補正を実施しているが、必要に
応じ個数を増加させて、そのX,Y寸法によって使用す
べき設計データのナンバー,ネーム等の情報又は検査レ
ベル(検出すべき欠陥サイズ)の情報等を表わすように
する。
Although the number of alignment marks is four and pattern position recognition and expansion / contraction correction are performed, the number is increased as necessary, and the number of design data to be used according to the X and Y dimensions is increased. Information such as a name or information of an inspection level (defect size to be detected) is displayed.

【0013】アライメント中に得られた前記アライメン
トマークの寸法で表わされた情報から、これから検査す
べきマスクの設計データを示すネーム,検査レベル等を
認識し、自動的に選定された設計データと比較しながら
欠陥検査を実行する。
From the information represented by the dimensions of the alignment mark obtained during the alignment, the name indicating the design data of the mask to be inspected, the inspection level, etc. are recognized, and the automatically selected design data and Perform defect inspection while comparing.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1は、本発明の一実施例に係わるマスク
欠陥検査装置を示す概略構成図である。図中11〜16
は検査パターンを得るための光学系で、11は照明ラン
プ、12は照明レンズ、13は被検査マスク、14は試
料ステージ、15は対物レンズ、16はCCD等の撮像
素子である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a mask defect inspection apparatus according to one embodiment of the present invention. In the figure, 11 to 16
Is an optical system for obtaining an inspection pattern, 11 is an illumination lamp, 12 is an illumination lens, 13 is a mask to be inspected, 14 is a sample stage, 15 is an objective lens, and 16 is an image sensor such as a CCD.

【0016】図中20〜26は欠陥の有無を判定するた
めの回路系で、20は各種制御を行うCPU、21はア
ライメント情報からマークのX,Y方向の寸法を認識す
るXY寸法認識部、22はマークのX,Y方向の寸法か
らマスクの種別を認識するマスク名認識部、23はアラ
イメント情報からマークの位置を認識するマーク位置認
識部、24はマーク位置からマスクの位置を認識するマ
スク位置認識部、25は被検査パターンと設計パターン
とを比較するパターン比較部、26は複数種別の設計パ
ターンデータを作成し格納しておくための基準データ作
成部である。
In the figure, reference numerals 20 to 26 denote circuit systems for determining the presence / absence of a defect, 20 denotes a CPU for performing various controls, 21 denotes an XY dimension recognition unit for recognizing the X and Y dimensions of the mark from alignment information. Reference numeral 22 denotes a mask name recognizing unit for recognizing the type of the mask from the X and Y dimensions of the mark, 23 a mark position recognizing unit for recognizing the position of the mark from the alignment information, and 24 a mask for recognizing the position of the mask from the mark position. A position recognition unit, 25 is a pattern comparison unit that compares the pattern to be inspected with the design pattern, and 26 is a reference data creation unit for creating and storing a plurality of types of design pattern data.

【0017】図2に、被検査マスク13の概略構成を示
す。長さLmm角のマスク13上の四隅にkピッチでアラ
イメントマーク1〜4が配置されている。そして、マス
ク13の中央部には、検査パターン5が配置されてい
る。
FIG. 2 shows a schematic configuration of the mask 13 to be inspected. Alignment marks 1 to 4 are arranged at four pitches at four corners on a mask 13 having a length of L mm square. The inspection pattern 5 is arranged at the center of the mask 13.

【0018】4個のアライメントマーク1〜4は、中心
座標は同じで、図3(a)〜(d)に示すアライメント
マーク形状例のように、それぞれX,Y寸法が数μmの
オーダで変化したものとなっている。
The center coordinates of the four alignment marks 1 to 4 are the same, and the X and Y dimensions change on the order of several μm, respectively, as in the alignment mark shapes shown in FIGS. 3 (a) to 3 (d). It has become.

【0019】ここで、各アライメントマーク1〜4は、
共にX,Y寸法それぞれの大きさで“マスク名”の2桁
分の情報を示しており、4個のアライメントマークで8
桁分の情報を示せるようになっている。
Here, each of the alignment marks 1 to 4 is
In both cases, the information of two digits of “mask name” is shown in each of the X and Y dimensions.
Digit information can be shown.

【0020】また、アライメントマーク1〜4の中心座
標は、全ての検査マスクでサイズが同じ時は同一になっ
ており、アライメントを行う時は、被検査マスクの情報
としてはサイズだけ分かればよく、アライメント完了後
マークのX,Y寸法測定結果から、“マスク名”を認識
し、設計データを読出し検査し、そのデータと検査装置
で認識した撮像データと比較して検査を実行していく。
次に、上記装置を用いたパターン欠陥検査方法について
説明する。
The center coordinates of the alignment marks 1 to 4 are the same when the size is the same for all the inspection masks, and when alignment is performed, only the size needs to be known as the information of the inspection target mask. After the alignment is completed, the "mask name" is recognized from the measurement result of the X and Y dimensions of the mark, the design data is read and inspected, and the inspection is performed by comparing the data with the image data recognized by the inspection apparatus.
Next, a pattern defect inspection method using the above apparatus will be described.

【0021】照明ランプ11の光を照明レンズ12で集
光し、被検査マスク13に照射すると共に、ステージ1
4を一方向に移動させる。そして、マスク13の透過光
を対物レンズ15を介して撮像素子16上に結像させ
る。ここで、マーク上に光を照射すればアライメント情
報が得られ、パターン上に光を照射すればパターン情報
が得られる。
The light of the illumination lamp 11 is condensed by the illumination lens 12 and irradiates the mask 13 to be inspected.
4 is moved in one direction. Then, the transmitted light of the mask 13 is focused on the image sensor 16 via the objective lens 15. Here, alignment information can be obtained by irradiating light on the mark, and pattern information can be obtained by irradiating light on the pattern.

【0022】そこでまず、マーク上に光を照射してアラ
イメント情報を得て、このアライメント情報からXY寸
法認識部21によりマークのX,Y寸法を求める。さら
に、マークのX,Y寸法からマスク名認識部22にてX
Yθステージ14上の被検査マスク13の種別を識別す
る。
First, the mark is irradiated with light to obtain alignment information, and the X and Y dimensions of the mark are determined by the XY dimension recognition unit 21 from the alignment information. Further, the mask name recognizing unit 22 calculates X
The type of the inspection target mask 13 on the Yθ stage 14 is identified.

【0023】また、基準データ作成部26にてMT等か
ら入力されてある設計パターンデータ群を検査に使用す
るデータに変換し、基準データ群を得ておく。そして、
基準データ群の中から上記認識された被検査マスク13
の種別に該当する設計パターンを呼び出し、パターン比
較部25に供給する。
The reference data creation unit 26 converts the design pattern data group input from the MT or the like into data used for inspection to obtain a reference data group. And
Inspection mask 13 recognized from the reference data group
Are called and supplied to the pattern comparing unit 25.

【0024】一方、パターン上に光を照射することによ
り、撮像素子16の出力から被検査パターン情報を得、
この被検査パターンと前記呼び出した設計パターンとを
比較回路部25にて比較する。そして、一致しない部分
を欠陥として判定する。ここで、パターン情報を得る前
に、予めアライメント情報からマーク位置認識部23に
よりマーク位置を認識し、さらにマスク位置認識部24
によりマスク位置を認識しておく。そして、この位置を
基準に、被検査パターンと設計パターンとの比較を行
う。
On the other hand, by irradiating the pattern with light, pattern information to be inspected is obtained from the output of the image pickup device 16,
The test pattern and the called design pattern are compared by the comparison circuit unit 25. Then, a part that does not match is determined as a defect. Here, before obtaining the pattern information, the mark position is recognized in advance by the mark position recognition unit 23 from the alignment information.
Is used to recognize the mask position. Then, based on this position, the pattern to be inspected is compared with the design pattern.

【0025】このように本実施例では、アライメントマ
ーク1〜4のX,Y寸法から検査すべきマスクの種別を
認識することができ、該認識したマスクに対応する設計
パターンを選択することができる。従って、オペレータ
が設計パターンを選択する操作を省略することができ、
且つ誤った設計パターンを選択する等の不都合を未然に
防止することができる。このため、欠陥検査の省力化を
はかることができ、さらにオペレータミスによる疑似欠
陥発生をなくして効率良い欠陥検査を行うことが可能と
なる。
As described above, in this embodiment, the type of the mask to be inspected can be recognized from the X and Y dimensions of the alignment marks 1 to 4, and the design pattern corresponding to the recognized mask can be selected. . Therefore, the operation of selecting the design pattern by the operator can be omitted,
In addition, inconveniences such as selecting an incorrect design pattern can be prevented. For this reason, it is possible to save labor in the defect inspection, and it is possible to perform the defect inspection efficiently without generating a pseudo defect due to an operator error.

【0026】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。アライメントマークで表現するパター
ン情報は、X,Y寸法の大小に限るものではなく、マー
ク形状の違いを利用することができる。また、マーク形
状により表現するのはマスク名に限るものではなく、被
検査マスクの検査レベル、さらにはマスク名と検査レベ
ルの双方を表現するものであってもよい。また、実施例
ではマスクに形成されたパターンの欠陥検査について説
明したが、マスクに限らずウェハその他の試料上に形成
されたパターンの欠陥検査に適用することが可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
The present invention is not limited to the embodiment described above. The pattern information expressed by the alignment mark is not limited to the size of the X and Y dimensions, but may use the difference in the mark shape. In addition, the expression using the mark shape is not limited to the mask name, but may be an expression indicating the inspection level of the inspection target mask, or both the mask name and the inspection level. In the embodiment, the defect inspection of the pattern formed on the mask has been described. However, the present invention is not limited to the mask and can be applied to the defect inspection of the pattern formed on a wafer or other samples. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、検
査すべきマスク等の試料をセットすれば、従来から実施
しているオートアライメントの工程で自動的に検査に使
用する比較用の設計パターンを選び出し、検査パターン
と設計パターンとの比較照合を行うことができる。従っ
て、被検査マスク等の検査すべき試料に対応する設計パ
ターンを自動的に選択することができ、操作の容易化及
び疑似欠陥発生の防止をはかり得る欠陥検査方法及び検
査装置を実現することが可能となる。
As described above in detail, according to the present invention, when a sample such as a mask to be inspected is set, a comparative sample which is automatically used for inspection in an auto alignment process which has been conventionally performed. It is possible to select a design pattern and compare and check the inspection pattern with the design pattern. Therefore, it is possible to automatically select a design pattern corresponding to a sample to be inspected such as a mask to be inspected, and to realize a defect inspection method and an inspection apparatus capable of facilitating operation and preventing occurrence of a pseudo defect. It becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例に係わるパターン欠陥検査装
置を示す概略構成図、
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a pattern defect inspection apparatus according to one embodiment of the present invention;

【図2】実施例に用いたマスク上のマーク及びパターン
配置を示す平面図、
FIG. 2 is a plan view showing marks and pattern arrangement on a mask used in the embodiment.

【図3】マスク上のアライメントマークの一例を示す模
式図。
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of an alignment mark on a mask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜4…アライメントマーク、 5…パターン、 11…照明ランプ、 12…照明レンズ、 13…マスク、 14…試料ステージ、 15…対物レンズ、 16…撮像素子、 20…CPU、 21…XY寸法認識部、 22…マスク名認識部、 23…マーク位置認識部、 24…マスク位置認識部、 25…パターン比較部、 26…基準データ作成部。 1-4 alignment mark, 5 pattern, 11 illumination lamp, 12 illumination lens, 13 mask, 14 sample stage, 15 objective lens, 16 imaging element, 20 CPU, 21 XY dimension recognition unit Reference numeral 22: mask name recognition unit 23: mark position recognition unit 24: mask position recognition unit 25: pattern comparison unit 26: reference data creation unit

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】試料上に形成された複数個のアライメント
マークの位置を測定し、該測定された位置情報から試料
上に形成されたパターンの位置を認識し、該認識された
位置情報を基準に被検査パターンと設計パターンとを比
較して、被検査パターンの欠陥の有無を判定する欠陥検
査方法において、 前記複数個のアライメントマークの一部又は全てにパタ
ーンの種別を表わす形状の差を設けておき、欠陥検査の
際に各アライメントマークの形状を測定してパターンの
種別を認識し、該認識されたパターン種別に相当する設
計パターンを選択し、該選択された設計パターンと被検
査パターンとを比較することを特徴とする欠陥検査方
法。
1. A method for measuring positions of a plurality of alignment marks formed on a sample, recognizing a position of a pattern formed on the sample from the measured position information, and using the recognized position information as a reference. In a defect inspection method for comparing a pattern to be inspected with a design pattern to determine whether or not there is a defect in the pattern to be inspected, a difference in shape representing a pattern type is provided in a part or all of the plurality of alignment marks. In the meantime, at the time of defect inspection, the shape of each alignment mark is measured to recognize the type of the pattern, a design pattern corresponding to the recognized pattern type is selected, and the selected design pattern and the pattern to be inspected are compared with each other. A defect inspection method characterized by comparing
【請求項2】試料上に形成された複数個のアライメント
マークの位置及び形状を測定する手段と、前記測定され
たマーク形状から検査すべきパターンに相当する設計パ
ターンを選択する手段と、前記測定されたマーク位置を
基準に試料上のパターンに光ビームを走査して被検査パ
ターンを検出する手段と、該検出された被検査パターン
と前記選択された設計パターンとを比較して欠陥の有無
を判定する手段とを具備してなることを特徴とする欠陥
検査装置。
A means for measuring positions and shapes of a plurality of alignment marks formed on the sample; a means for selecting a design pattern corresponding to a pattern to be inspected from the measured mark shapes; Means for scanning the pattern on the sample with a light beam on the basis of the detected mark position to detect the pattern to be inspected, and comparing the detected pattern to be inspected with the selected design pattern to determine whether there is a defect. A defect inspection apparatus comprising: a determination unit.
【請求項3】前記アライメントマークで表現するパター
ン種別を表す形状の差として、該マークのX,Y方向の
寸法の大小を利用したことを特徴とする請求項1記載の
欠陥検査方法。
3. A pattern represented by the alignment mark.
The difference between the shapes of the marks in the X and Y directions
2. The method according to claim 1, wherein the size is used.
Defect inspection method.
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