JP2616732B2 - Reticle inspection method - Google Patents

Reticle inspection method

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JP2616732B2
JP2616732B2 JP32721894A JP32721894A JP2616732B2 JP 2616732 B2 JP2616732 B2 JP 2616732B2 JP 32721894 A JP32721894 A JP 32721894A JP 32721894 A JP32721894 A JP 32721894A JP 2616732 B2 JP2616732 B2 JP 2616732B2
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数のパターンが形成
されたレチクルにレーザ光を照射しその散乱光を受光部
に入光し該レチクルの異物の有無を検査するレチクルの
検査方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reticle inspection method for irradiating a laser beam on a reticle having a plurality of patterns formed thereon, and scattered light of the reticle to a light receiving portion to inspect the reticle for foreign matter.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程の最も重要な工程
の一つとしてリソグラフィ工程がある。この工程では半
導体ウェハに回路素子などのパターンを転写する露光装
置が用いられていた。この露光装置が装備するレチクル
には半導体ウェハに転写すべきパターンが形成されてお
り、このレチクル上のパターンは実際の半導体ウェハの
パターンに対して5〜10倍程度に拡大させ形成されて
いた。また、近年、集積回路の集積化が進むにつれてレ
チクルパターンも微細化し、レチクルに付着する僅かな
異物でさえ半導体装置に欠陥をもたらした。
2. Description of the Related Art A lithography process is one of the most important processes in a semiconductor device manufacturing process. In this step, an exposure apparatus for transferring a pattern such as a circuit element onto a semiconductor wafer has been used. A pattern to be transferred to a semiconductor wafer is formed on a reticle equipped with this exposure apparatus, and the pattern on this reticle is formed to be enlarged about 5 to 10 times as large as the pattern of an actual semiconductor wafer. Further, in recent years, as the integration of integrated circuits has progressed, the reticle pattern has become finer, and even a small foreign matter attached to the reticle has caused a defect in the semiconductor device.

【0003】このため、パターンが形成されたレチクル
は、異物が付着しないようにレチクルのパターン面の上
を間隔を置いて透明な保護膜で覆い保管していた。そし
て、、使用するときに、保管されたレチクルを露光装置
に装填し、クロムを全面に被着した石英板の上にレジス
トを塗布したものに露光しこの石英板にパターンを転写
し、現像エッチングを行なった後、顕微鏡などでパター
ンを観察し前回と比べ異物が付着していないか否かを調
らべ使用の可否を判定してから実際の露光に使用してい
た。
[0003] For this reason, the reticle on which the pattern is formed has been stored by covering the reticle pattern surface with a transparent protective film at intervals so as to prevent foreign matter from adhering. Then, when used, the stored reticle is loaded into an exposure apparatus, and a resist is applied to a quartz plate coated with chromium over the entire surface, and a pattern is transferred to the quartz plate, and development etching is performed. After that, the pattern was observed with a microscope or the like, and it was checked whether or not foreign matter had adhered as compared with the previous time to determine whether or not use was possible.

【0004】しかしながら、この方法は異物の付着の有
無を確実に検査できるものの多大な時間を費やし露光装
置の待ち時間がかるという欠点があった。そこで、より
短時間でレチクルの使用可否を判定する検査方法の一例
として特開平3ー84441号公報に開示されている。
However, although this method can surely inspect the presence or absence of foreign matter, it has a disadvantage that it takes a lot of time and requires a long waiting time for the exposure apparatus. Thus, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-84441 discloses an example of an inspection method for determining whether a reticle can be used in a shorter time.

【0005】このレチクルの検査方法は、まず、致命的
な欠陥のないパターンと原点マークと回転基準マークを
含むレチクルにレーザ光を走査しレチクル面を走査し異
物からの散乱光を受光部に入光し、異物が有る場合その
異物のレチクル上での位置データを求め、それからレチ
クルの原点マークと回転軸マークとのそれぞれを原点お
よびXY軸のいずれかの基準にし異物の位置データをX
Y座標値として変換し一つのメモリに記憶させる。そし
て、レチクルを露光に使用するときに前回と同様にレー
ザ光をレチクル面に走査し再びレチクルの異物検査を実
施しレチクル上の異物の座標を他のメモリに記憶する。
In this reticle inspection method, first, a laser beam is scanned on a reticle including a pattern without a fatal defect, an origin mark, and a rotation reference mark, the reticle surface is scanned, and scattered light from a foreign substance enters a light receiving portion. If there is a foreign substance, the position data of the foreign substance on the reticle is obtained, and then the position data of the foreign substance is set to X using the origin mark and the rotation axis mark of the reticle as reference points for either the origin or the XY axis.
It is converted as a Y coordinate value and stored in one memory. Then, when the reticle is used for exposure, the laser beam is scanned on the reticle surface in the same manner as the previous time, and the reticle is inspected for foreign substances again, and the coordinates of the foreign substances on the reticle are stored in another memory.

【0006】そして、前回の一メモリに記憶された異物
の座標と他のメモリの異物の座標と比較して位置座標が
同一であれば、前回とレチクルのパターンの状態に変化
がないとしてこのレチクルを使用可能と判断していた。
If the coordinates of the foreign matter stored in the previous memory and the coordinates of the foreign matter in the other memory are the same and the position coordinates are the same, it is determined that there is no change in the state of the reticle pattern from the previous time. Was determined to be usable.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
半導体設計ルールの微細化によってレチクル上のパター
ン寸法は微細になるとともに素子数も増加するに至っ
た。そのため、原版であるレチクルを欠陥無しに作成す
ることは困難となり、大多数のレチクルでは欠陥を何ら
かの手段で修正した後それを完成品としている。この欠
陥の修正方法は、遮光部であるクロムが残った黒欠陥と
クロムが欠けている白欠陥の2つに分けられる。一般
に、黒欠陥の場合はレーザ光によりクロムを除去する方
法が用いられ、白欠陥の場合はFIBを用いてカーボン
を堆積させることで欠陥を修正している。その結果、欠
陥修正跡は修正していない部分に比べて表面が荒れてし
まい、上述した従来のレーザの散乱光を利用したレチク
ルの検査方法では、一つの受光部の感度を向上させても
修正跡からの散乱光の光強度が弱く十分なSN比がとれ
ず検出が不安定になる。また、この修正跡からの散乱光
はレーザビーム径や照射方向によっても変化するので、
受光部で再現よく散乱光を捉えることができず修正跡か
異物なのか区別できなくなってしまう問題がある。
However, in recent years,
With the miniaturization of semiconductor design rules, the pattern size on the reticle has become finer and the number of elements has also increased. For this reason, it is difficult to create the original reticle without defects, and most reticles fix defects by some means and then use them as finished products. This defect correction method is divided into two types: a black defect in which chromium, which is a light shielding portion, remains and a white defect in which chromium is missing. Generally, in the case of a black defect, a method of removing chromium by a laser beam is used, and in the case of a white defect, the defect is corrected by depositing carbon using FIB. As a result, the defect repair mark has a rougher surface than the uncorrected portion, and in the above-described reticle inspection method using the scattered light of the laser, the defect is repaired even if the sensitivity of one light receiving unit is improved. Since the light intensity of the scattered light from the trace is weak, a sufficient SN ratio cannot be obtained, and the detection becomes unstable. Also, the scattered light from this correction mark changes depending on the laser beam diameter and irradiation direction,
There is a problem in that the scattered light cannot be captured with good reproducibility by the light receiving unit, and it becomes impossible to distinguish whether it is a correction mark or a foreign matter.

【0008】また、異物をより正確に捉えるためにレチ
クル面の全体を細いレーザビームで走査してもそれだけ
検査時間が長くかかり使用可否の判定が遅れるという欠
点がある。
Further, even if the entire reticle surface is scanned with a thin laser beam in order to more accurately catch the foreign matter, there is a disadvantage that the inspection time is longer and the determination of the use is delayed.

【0009】従って、本発明の目的は、異物と修正跡と
を識別しレチクルの異物の有無を検査しレチクルの使用
可否の判定を短時間にできるレチクルの検査方法を提供
することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a reticle inspection method capable of discriminating between a foreign matter and a correction mark, inspecting the presence or absence of the foreign matter in the reticle, and determining whether the reticle can be used in a short time.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、アライ
メントマークとこのアライメントマークを基準にし複数
のパターンが形成されたレチクルにレーザ光を照射し散
乱光を受光部に入光し該レチクルに異物の有無を判定す
るレチクルの検査方法にいて、パターンの欠陥部を修正
跡の位置座標と前記アライメントマークの位置座標との
相対位置座標をレチクル欠陥位置座標としてあらかじめ
求めておき、まず、レチクルのアライメントを行いレー
ザの該レチクルへの照射する原点と走査移動量の校正を
行い、しかる後レチクル全領域にわたって比較的の大き
なくスポット径のレーザビームで走査し前記受光部に散
乱光を入光させ異物として検知し、この異物の位置座標
をメモリに記憶し、あらかじめ求めておいた前記レチク
ル欠陥部の位置座標と検出された前記異物の位置座標を
比較し、これら該位置座標が一致している場合には、前
記レーザビームのスポット径を小さくしたレーザビーム
で前記レチクルを走査し異物を検出し該異物の位置座標
と前記レチクル欠陥座標とが一致する場合には異物は無
いと判定するレチクルの検査方法である。
A feature of the present invention is that an alignment mark and a reticle on which a plurality of patterns are formed based on the alignment mark are irradiated with a laser beam, and scattered light enters a light receiving portion and is applied to the reticle. In a reticle inspection method for determining the presence or absence of foreign matter, a relative position coordinate between a position coordinate of a correction mark and a position coordinate of the alignment mark is determined in advance as a reticle defect position coordinate for a defective portion of a pattern. Calibrate the origin and scanning movement amount of the laser to irradiate the reticle with the alignment, and then scan over the entire area of the reticle with a laser beam with a relatively large spot diameter to allow the scattered light to enter the light receiving unit. The position coordinates of the reticle defect portion determined in advance are stored in a memory, and the position coordinates of the reticle defect portion are determined in advance. And the position coordinates of the detected foreign matter are compared. If the position coordinates match, the reticle is scanned with the laser beam having a smaller spot diameter of the laser beam to detect the foreign matter and detect the foreign matter. This is a reticle inspection method that determines that there is no foreign substance when the position coordinates match the reticle defect coordinates.

【0011】[0011]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0012】図1(a)および(b)は本発明のレチク
ル検査方法の一実施例を説明するためのフローチャート
および検査装置の概略図である。このレチクルの検査方
法は、まず、詳細は後述するが、レチクル10のパター
ン9の欠陥部9aを修正するときに欠陥部9aの位置座
標とアライメントマーク10aの位置座標との相対位置
座標をレチクル欠陥位置座標としてあらかじめ求め図1
(b)の記憶部に記憶させる。また、修正していない場
合は記憶しなくとも良い。次に、図1(a)のステップ
Aで、詳細は後述するがステージ8上のレチクル10の
アライメントをとる。そして、図1(a)のステップB
で、詳細は後述するが、ディテクタ7を利用してレーザ
の原点とレーザの走査移動量(走査幅)を設定し準備を
完了する。次に、図1(a)のステップCで、レーザビ
ームのスポットを、例えば、0.1〜5mm程度にして
レチクル10上を走査しながらステージ8を紙面に垂直
方向にレーザスポット径と略同じ寸法でステップ送りを
行ない、レチクル10の全領域を走査し二つのフォトマ
ル5に散乱光が入光するか否かで異物があるかどうかを
調べる。このとき、ステージ8の移動する位置とレーザ
のスキャンするときのレーザスポット位置は逐次記録さ
れ、フォトマル5に散乱光が入光すると、遂次記録され
た位置座標からレーザスポット位置座標が求められその
座標値が記憶部に記憶される。
FIGS. 1A and 1B are a flow chart and a schematic diagram of an inspection apparatus for explaining an embodiment of a reticle inspection method according to the present invention. The method of inspecting the reticle will be described later in detail, but when correcting the defective portion 9a of the pattern 9 of the reticle 10, the relative position coordinates between the position coordinates of the defective portion 9a and the position coordinates of the alignment mark 10a are determined. Fig. 1
(B) is stored in the storage unit. Further, when the correction has not been made, it is not necessary to store it. Next, in step A of FIG. 1A, the reticle 10 on the stage 8 is aligned, as will be described in detail later. Then, step B in FIG.
As will be described in detail later, the origin of the laser and the scanning movement amount (scanning width) of the laser are set using the detector 7, and the preparation is completed. Next, in step C of FIG. 1A, the laser beam spot is set to, for example, about 0.1 to 5 mm, and the stage 8 is moved in the direction perpendicular to the paper surface while scanning the reticle 10 so as to have the same diameter as the laser spot diameter. A step feed is performed according to the size, and the entire area of the reticle 10 is scanned to check whether or not foreign matter is present by checking whether or not scattered light enters the two photomultipliers 5. At this time, the moving position of the stage 8 and the laser spot position at the time of laser scanning are sequentially recorded, and when scattered light enters the photomultiplier 5, the laser spot position coordinates are obtained from the sequentially recorded position coordinates. The coordinate values are stored in the storage unit.

【0013】次に、ステップDで、パターンの修正なし
のレチクル10で異物が発見されなかった場合は、異物
なしのステップEに進み使用可とする。また、ステップ
Dで異物ありと判定したら、ステップFで、記憶部にあ
らかじめ記憶してあるのレチクル欠陥修正跡の位置座標
と検出された異物の位置座標と一致しているかどうかを
比較判定部で比較し、一致していない場合には、ステッ
プGで、異物ありとなり使用できない。
Next, in step D, if no foreign matter is found on the reticle 10 without pattern correction, the process proceeds to step E without foreign matter and is made usable. If it is determined in step D that there is a foreign substance, in step F, the comparison determination section determines whether the position coordinates of the reticle defect correction mark stored in advance in the storage section match the position coordinates of the detected foreign substance. If they do not match, in step G, there is a foreign substance, and it cannot be used.

【0014】ステップFで一致しYESと判定したら、
後述する方法でレーザのスポットを1〜10μm程度に
絞り込みスポット径に応じて細かくステージ8をステッ
プ送りしレチクル10の面上をレーザ光を走査し異物の
有無を検査する。次に、ステップIで、もう一度レチク
ル欠陥修正跡の位置座標と検出された異物の位置座標と
比較し一致した場合には、この異物はレチクル欠陥修正
跡であると判断し、異物としてカウントしない。また、
NOであれば、異物ありとして露光装置に使用できな
い。
If the result of the determination in step F is YES,
A laser spot is narrowed down to about 1 to 10 μm by a method described later, and the stage 8 is finely stepped in accordance with the spot diameter, and the surface of the reticle 10 is scanned with a laser beam to check for the presence of foreign matter. Next, in Step I, if the position coordinates of the reticle defect correction mark are again compared with the position coordinates of the detected foreign matter, if the foreign matter is determined to be a reticle defect correction mark, the foreign matter is not counted as a foreign matter. Also,
If NO, the foreign matter cannot be used in the exposure apparatus.

【0015】ここで、最初に、パターンの修正跡である
レチクル欠陥修正跡の位置座標を得る方法について説明
する。図2は欠陥検査装置の概略を示す図、図3は欠陥
部の位置座標を求める方法を説明するフローチャートで
ある。このレチクルの位置修正跡の座標はレチクル欠陥
修正時にレチクル欠陥部の位置座標として測定する。
First, a method for obtaining the position coordinates of a reticle defect correction mark, which is a pattern correction mark, will be described. FIG. 2 is a view schematically showing a defect inspection apparatus, and FIG. 3 is a flowchart for explaining a method for obtaining position coordinates of a defective portion. The coordinates of the reticle position correction mark are measured as the position coordinates of the reticle defect portion at the time of reticle defect correction.

【0016】このレチクルの欠陥部の位置座標測定は、
まず、ステップAとBで、ステージ17を移動させなが
らレチクル10の回路パターン領域をCCDカメラ11
を用いて画像をコンピュータに取り込む。次に、ステッ
プCで、データベース上のレチクル設計データとCCV
カメラ11で得られたデータとを比較するか、あるいは
同一の複数の回路パターンが1枚のレチクル上に配置さ
れている場合には他の回路パターン内の同一場所の画像
を比較して、異なっていればレチクル欠陥の可能性があ
るためデータベースの設計データと異なっている場所を
抽出し、その部分を顕微鏡で観察し異物でなくレチクル
の欠陥部であると判断し、そのときのステージ17の位
置からレチクルの欠陥部の位置座標を計算して、ディス
ク装置の磁器ディスクにその位置座標と欠陥の種類(ク
ロムが残っているのか欠けているのか)を記憶する。次
に、磁器ディスクに記憶された場所の欠陥部をレーザー
リペア装置やFIB装置により修正し、欠陥部の位置座
標は図1(b)の記憶部に記憶させる。
The measurement of the position coordinates of the defective portion of the reticle is as follows.
First, in steps A and B, the circuit pattern area of the reticle 10 is
The image is taken into the computer using. Next, in step C, the reticle design data on the database and the CCV
By comparing the data obtained by the camera 11 or, when the same plurality of circuit patterns are arranged on one reticle, by comparing the images at the same place in other circuit patterns, If there is, there is a possibility of a reticle defect, so a location different from the design data in the database is extracted, and the portion is observed with a microscope, and it is determined that the defect is not a foreign substance but a reticle defect. The position coordinates of the defective portion of the reticle are calculated from the position, and the position coordinates and the type of the defect (whether chromium remains or is missing) are stored in the porcelain disk of the disk device. Next, the defective portion at the location stored in the porcelain disk is corrected by a laser repair device or a FIB device, and the position coordinates of the defective portion are stored in the storage unit in FIG.

【0017】次に、レーザスポット径を変える場合を説
明する。図1(b)のレーザ発振器1には、He−Ne
レーザ、Arレーザ、He−Cdレーザなどを必要な異
物検知感度に応じて使い分ける。大ざっぱには、感度が
0.8μm以上であればHe−Neレーザでよく、0.
5〜0.8μmではArレーザがよく、0.5μm以下
ではHeーCdレーザが必要になる。また、ミラー2で
反射されるレーザ光の経路にズームレンズ3を挿入する
ことでレーザーのスポットサイズを切り替え、その先の
スキャンミラー4でレチクル10の全面へビームをスキ
ャンする。
Next, a case where the laser spot diameter is changed will be described. The laser oscillator 1 shown in FIG.
A laser, an Ar laser, a He-Cd laser, or the like is properly used depending on the required foreign substance detection sensitivity. Roughly, if the sensitivity is 0.8 μm or more, a He—Ne laser may be used.
When the thickness is 5 to 0.8 μm, an Ar laser is preferable. When the thickness is 0.5 μm or less, a He—Cd laser is required. The spot size of the laser is switched by inserting the zoom lens 3 into the path of the laser light reflected by the mirror 2, and the beam is scanned over the entire surface of the reticle 10 by the scan mirror 4.

【0018】図4は図1のステージの上面を示した図、
図5は図1のディテクタを拡大して示す図である。次
に、レーザースキャンの原点とスキャン量の校正方法に
ついて説明する。図4に示したようにレチクル10の四
方にディテクタ7を配置し、ビームをディテクタ7の位
置までスキャンさせて、ディテクタ7にレーザーが入射
したときのスキャンミラー4の位置を予め記憶させてあ
げるスキャンミラー4の位置と比較しスキャンミラー4
の回転角度を調整することで、スキャンミラー4の原点
位置と移動量を校正する。なお、ディテクタ7の構成
は、図5に示したように、フォトマル13とピンホール
12からなっている。
FIG. 4 is a diagram showing the upper surface of the stage of FIG. 1,
FIG. 5 is an enlarged view of the detector of FIG. Next, a method of calibrating the origin and the amount of laser scanning will be described. As shown in FIG. 4, the detectors 7 are arranged on all sides of the reticle 10, the beam is scanned to the position of the detector 7, and the position of the scan mirror 4 when the laser is incident on the detector 7 is stored in advance. Scan mirror 4 compared to the position of mirror 4
By adjusting the rotation angle of the scan mirror 4, the origin position and the movement amount of the scan mirror 4 are calibrated. The configuration of the detector 7 includes a photomultiplier 13 and a pinhole 12, as shown in FIG.

【0019】図6はレチクルのアライメントをとるため
の光学系を示す図、図7はレチクルのアライメントをと
るときの基準マークの位置を示す図、図8(a)および
(b)は取り込まれた基準マークの画像および画像信号
波形を示す図である。次に、レチクル6のアライメント
方法について説明する。
FIG. 6 is a view showing an optical system for aligning the reticle, FIG. 7 is a view showing the position of a reference mark when aligning the reticle, and FIGS. 8 (a) and 8 (b) are taken in. FIG. 3 is a diagram illustrating an image of a reference mark and an image signal waveform. Next, an alignment method of the reticle 6 will be described.

【0020】アライメントをとる光学系は、図6に示す
ように、金属顕微鏡の光学系に似たものであり、レチク
ル10と指標14と観察面が光学的に共役となってい
る。レチクルのアライメントにおいても計測誤差を低減
するため基準点に対するアライメント光学系の変動を補
正する必要がある。その方法は、図7に示すように、ア
ライメント光学系の真下のレチクルステージ内に基準マ
ーク16を設置する。基準マークの構造を図8に示す。
基準マーク16はレチクル面より下にくるため、顕微鏡
の焦点位置を補正するための焦点補正レンズ15を設置
する。基準マーク16はレチクル10上のステッパーで
用いる図1(b)のアライメントマーク10aと同じも
のを用いてかまわない。
The optical system for alignment is similar to the optical system of a metal microscope, as shown in FIG. 6, and the reticle 10, the index 14, and the observation surface are optically conjugate. In the alignment of the reticle, it is necessary to correct the fluctuation of the alignment optical system with respect to the reference point in order to reduce the measurement error. In this method, as shown in FIG. 7, a reference mark 16 is set in a reticle stage immediately below an alignment optical system. FIG. 8 shows the structure of the fiducial mark.
Since the reference mark 16 is located below the reticle surface, a focus correction lens 15 for correcting the focus position of the microscope is provided. The reference mark 16 may be the same as the alignment mark 10a in FIG. 1B used for the stepper on the reticle 10.

【0021】次に、レチクル10の位置の誤差の計測方
法について説明する。図6のレチクルアライメント光学
系によって得られる画像の例を図8に示す。図8(a)
は基準マークが複数の短冊でできている場合で、光学系
内の指標14は裏面から照明されており影を観察するこ
とになるので暗くなり基準マークからの反射光は明るく
なることから両者を区別できる。そしてCCDカメラ1
1によって得られた画像を計測位置で信号強度を取り出
した波形は図8(a)となる。この信号からレチクル上
のマークと指標14との位置関係を求め、レチクル10
の位置ずれを補正する。図8(b)はアライメントマー
クが十字となっている場合の例である。この場合も先ほ
どの場合と同様に計測位置での信号強度は図8(b)の
ようになり、マークと指標14の位置を求めることがで
きる。その結果から、レチクルの位置ずれが計算され
る。
Next, a method of measuring a position error of the reticle 10 will be described. FIG. 8 shows an example of an image obtained by the reticle alignment optical system in FIG. FIG. 8 (a)
Is a case where the reference mark is made up of a plurality of strips. Since the index 14 in the optical system is illuminated from the back side and a shadow is observed, the reflected light from the reference mark becomes dark, and both of them are brightened. Can be distinguished. And CCD camera 1
FIG. 8A shows a waveform obtained by extracting the signal intensity at the measurement position from the image obtained in step 1. From this signal, the positional relationship between the mark on the reticle and the index 14 is obtained, and the reticle 10
Is corrected. FIG. 8B shows an example in which the alignment mark is a cross. In this case as well, the signal intensity at the measurement position is as shown in FIG. 8B as in the case described above, and the positions of the mark and the index 14 can be obtained. From the result, the reticle displacement is calculated.

【0022】このように準備が完了した時点で、上述し
たように、レーザのスポットを0.1〜5mm程度にし
てレチクル10上を走査し、レチクル10上に異物があ
るかどうかを調べる。異物が発見された場合は、データ
ベースから記憶部に移されたレチクル欠陥修正跡の位置
座標と一致しているかどうかを比較し、一致している場
合にはレーザのスポットを1〜10μm程度に絞り込み
細かく再び走査し異物の座標を精密に計測する。ここ
で、もう一度レチクル欠陥修正跡の座標と比較し、欠陥
修正跡の座標と一致した場合には、この異物はレチクル
欠陥修正跡であると判断し、異物としてカウントしな
い。
When the preparation is completed in this way, as described above, the laser spot is set to about 0.1 to 5 mm and the reticle 10 is scanned to check whether there is any foreign matter on the reticle 10 or not. If a foreign substance is found, it is compared with the position coordinates of the reticle defect correction mark moved from the database to the storage unit, and if so, the laser spot is narrowed down to about 1 to 10 μm. Scan again finely and precisely measure the coordinates of the foreign matter. Here, the coordinates are compared again with the coordinates of the reticle defect correction mark, and if the coordinates match the coordinates of the defect correction mark, the foreign matter is determined to be a reticle defect correction mark and is not counted as a foreign matter.

【0023】このように、レーザビームのスポット径を
比較的に大きくし、レチクル面を粗いピッチで走査すれ
ば、修正のあるないかかわらず1回のレーザ走査で済み
極めて短時間で使用の可否を判定できる。また、1回目
のレーザビームの走査で検出できなかった微細な異物で
も2回目の微小スポット径のレーザビームの走査によっ
て確実に検出し使用可否の判定ができる。
As described above, if the spot diameter of the laser beam is made relatively large and the reticle surface is scanned at a coarse pitch, one laser scan can be performed with or without correction, and it is possible to determine whether the laser can be used in a very short time. Can be determined. Further, even a fine foreign substance that cannot be detected by the first laser beam scanning can be reliably detected by the second scanning of the laser beam having a small spot diameter to determine whether or not use is possible.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、レチクル
のパターン欠陥部の位置座標を予じめ記憶し、パターン
欠陥部からの散乱光が受光部に入光し得る程度のスポッ
ト径をもつレーザビームをレチクル面に走査し、欠陥部
以外のレチクルの位置座標から受光部へ入光する散乱光
があるか否かで異物の存在をおおまかに検査し、受光部
へ入光する散乱光が欠陥部から以外にない場合に、さら
に、細いスポットのレーザビームを走査し、欠陥部以外
からの散乱光が受光部へ入光するか否かで異物の有無を
精密に検査することによって、パターンの欠陥部を修正
の有無にかかわらずレチクルの異物の有無を確実に検査
できるという効果がある。
As described above, according to the present invention, the position coordinates of the pattern defect portion of the reticle are stored in advance, and the spot diameter is such that the scattered light from the pattern defect portion can enter the light receiving portion. The laser beam is scanned on the reticle surface, and the presence of foreign matter is roughly inspected based on whether or not there is scattered light entering the light receiving unit from the position coordinates of the reticle other than the defective portion. When there is no defect other than the defect, the laser beam of a narrow spot is further scanned, and the presence or absence of foreign matter is precisely inspected based on whether or not scattered light from other than the defect enters the light receiving unit. This has the effect that the presence or absence of foreign matter in the reticle can be reliably inspected regardless of whether or not the defective portion is repaired.

【0025】また、パターン欠陥部をもつもたないかか
わらずレチクルによっては、最初のおおまかの検査で異
物の有無を検査ができるのでより早く使用可否の判定が
できるという効果がある。
Further, depending on the reticle having no pattern defect portion, the presence or absence of a foreign substance can be inspected in the first rough inspection, so that it is possible to determine the usability of the reticle more quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のレチクル検査方法の一実施例を説明す
るためのフローチャートおよび検査装置の概略図であ
る。
FIG. 1 is a flow chart for explaining an embodiment of a reticle inspection method according to the present invention and a schematic view of an inspection apparatus.

【図2】欠陥検査装置の概略を示す図である。FIG. 2 is a view schematically showing a defect inspection apparatus.

【図3】欠陥部の位置座標を求める方法を説明するフロ
ーチャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a method for obtaining position coordinates of a defective portion.

【図4】図1のステージの上面を示した図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an upper surface of the stage in FIG. 1;

【図5】図1のディテクタを拡大して示す図である。FIG. 5 is an enlarged view of the detector of FIG. 1;

【図6】レチクルのアライメントをとるための光学系を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an optical system for aligning a reticle.

【図7】レチクルのアライメントをとるときの基準マー
クの位置を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing the position of a reference mark when aligning a reticle.

【図8】取り込まれた基準マークの画像および画像信号
波形を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a captured image of a reference mark and an image signal waveform.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ発振器 2 ミラー 3 ズームレンズ 4 スキャンミラー 5,13 フォトマル 7 ディテクタ 8,17 ステージ 9 パターン 9a 欠陥部 10 レチクル 10a アライメントマーク 11 CCDカメラ 12 ピンホール 14 指標 15 焦点補正レンズ 16 基準マーク REFERENCE SIGNS LIST 1 laser oscillator 2 mirror 3 zoom lens 4 scan mirror 5, 13 photomultiplier 7 detector 8, 17 stage 9 pattern 9 a defect 10 reticle 10 a alignment mark 11 CCD camera 12 pinhole 14 index 15 focus correction lens 16 reference mark

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 アライメントマークとこのアライメント
マークを基準にし複数のパターンが形成されたレチクル
にレーザ光を照射し散乱光を受光部に入光し該レチクル
に異物の有無を判定するレチクルの検査方法にいて、パ
ターンの欠陥部を修正跡の位置座標と前記アライメント
マークの位置座標との相対位置座標をレチクル欠陥位置
座標としてあらかじめ求めておき、まず、レチクルのア
ライメントを行いレーザの該レチクルへの照射する原点
と走査移動量の校正を行い、しかる後レチクル全領域に
わたって比較的の大きなくスポット径のレーザビームで
走査し前記受光部に散乱光を入光させ異物として検知
し、この異物の位置座標をメモリに記憶し、あらかじめ
求めておいた前記レチクル欠陥部の位置座標と検出され
た前記異物の位置座標を比較し、これら該位置座標が一
致している場合には、前記レーザビームのスポット径を
小さくしたレーザビームで前記レチクルを走査し異物を
検出し該異物の位置座標と前記レチクル欠陥座標とが一
致する場合には異物は無いと判定することを特徴とする
レチクルの検査方法。
1. A reticle inspection method for irradiating a laser beam to an alignment mark and a reticle on which a plurality of patterns are formed based on the alignment mark, and entering scattered light into a light receiving portion to determine the presence or absence of foreign matter on the reticle. The relative position coordinates between the position coordinates of the correction mark and the position coordinates of the alignment mark for the defective portion of the pattern are obtained in advance as reticle defect position coordinates. First, the reticle is aligned and the laser is irradiated onto the reticle. After that, the origin and the scanning movement amount are calibrated, and then the whole area of the reticle is scanned with a laser beam having a relatively large spot diameter, and scattered light is incident on the light-receiving portion to be detected as a foreign substance, and the position coordinates of the foreign substance are detected. Is stored in the memory, and the position coordinates of the reticle defect portion obtained in advance and the position coordinates of the detected foreign matter are stored. When these position coordinates match, the reticle is scanned with a laser beam having a smaller spot diameter of the laser beam to detect foreign matter, and the position coordinates of the foreign matter and the reticle defect coordinates are calculated. A reticle inspection method characterized by determining that there is no foreign substance when they match.
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