JP3014035B2 - Substrate for optical coupling device, optical coupling device, and manufacturing method thereof - Google Patents

Substrate for optical coupling device, optical coupling device, and manufacturing method thereof

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JP3014035B2
JP3014035B2 JP7344358A JP34435895A JP3014035B2 JP 3014035 B2 JP3014035 B2 JP 3014035B2 JP 7344358 A JP7344358 A JP 7344358A JP 34435895 A JP34435895 A JP 34435895A JP 3014035 B2 JP3014035 B2 JP 3014035B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信において必
要とされる光導波路やLD・PD等の光部品と光ファイ
バとの高精度無調整結合用の実装用ガイド溝を有する基
板、該基板を用いた光結合装置およびそれらの製造方法
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate having a mounting guide groove for high-precision non-adjustment coupling between an optical component such as an optical waveguide or an LD / PD and an optical fiber required for optical communication, and the substrate. And a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】光導波路やLD・PD等の光部品と光フ
ァイバの光軸無調整接続方式としては、水酸化カリウム
(KOH)などのアルカリ液を用いた異方性エッチング
によってSi基板にV溝を形成して、そのV溝によって
光ファイバを支持するSiのV溝光ファイバ用ガイドに
よる方法がある。
2. Description of the Related Art As an optical axis non-adjustable connection method between an optical component such as an optical waveguide or an LD / PD and an optical fiber, an anisotropic etching using an alkali solution such as potassium hydroxide (KOH) is performed on a Si substrate. There is a method in which a groove is formed and an optical fiber is supported by the V-groove by using a V-groove optical fiber guide of Si.

【0003】光ファイバ支持用のV溝をSi基板に形成
する際に、Si基板の<110>方向がV溝形成マスク
の縁方向に対して角度ずれを持っていると、形成される
V溝の幅が拡がる。この結果、V溝で支えられる光ファ
イバが下方に余分に沈み込むため、光ファイバと光導波
路などの光部品との光軸に位置ずれが生じる。これに対
して、マスクパターンを分割、あるいはマスクパターン
に凹凸を設けることにより、角度ずれを補償する方法が
特開平7−35948号公報により提案されている。す
なわち、図9(a)に示すように、マスクパターンをV
溝形成マスク8aと細分化したり、図9(b)に示すよ
うに、V溝形成マスク8aの境界線に凹凸をつけること
によって光ファイバ支持用の(111)面6aを不連続
にして、前記のV溝幅の拡がりによる光軸ずれを少なく
抑える方法である。
When a V-groove for supporting an optical fiber is formed on a Si substrate, if the <110> direction of the Si substrate is angularly displaced from the edge direction of the V-groove forming mask, the V-groove to be formed is formed. Expands its width. As a result, the optical fiber supported by the V-groove sinks excessively downward, so that the optical axis of the optical fiber and the optical component such as the optical waveguide are displaced. In contrast, more mask pattern division, or the provision of the uneven mask pattern, a method of compensating for angular displacement has been proposed by Japanese Patent Laid-Open No. 7-35948. That is, as shown in FIG.
The (111) face 6a for supporting the optical fiber is made discontinuous by subdividing it from the groove forming mask 8a or by making the boundary of the V groove forming mask 8a uneven as shown in FIG. In this method, the optical axis shift due to the widening of the V groove width is reduced.

【0004】図9には、V溝の底に(100)面6cが
現れている状態が示されている。また、マスクの下には
光ファイバ支持用の(111)面6a以外の(111)
面6dも現れている。この方法でV溝が形成された基板
上に光ファイバ2を装着した状態を図10に示す。同図
において、32は、光ファイバ2と光結合される、L
D、光導波路などの光部品である。図10に示されるよ
うに、光ファイバ2は、V溝形成マスクの縁方向がSi
基板の<110>方向に対して角度ずれがある場合に
は、細分化されたV溝ブロック31の角の集合(細分化
V溝列)によって支持され、また角度ずれがない場合
(111)面6aによって支えられる。
FIG. 9 shows a state where the (100) plane 6c appears at the bottom of the V-groove. Under the mask, (111) other than the (111) surface 6a for supporting the optical fiber is used.
The surface 6d also appears. FIG. 10 shows a state where the optical fiber 2 is mounted on the substrate on which the V-groove is formed by this method. In the figure, reference numeral 32 denotes L which is optically coupled to the optical fiber 2.
D, an optical component such as an optical waveguide. As shown in FIG. 10, the optical fiber 2 has a V-groove forming mask whose edge direction is Si.
When there is an angle shift with respect to the <110> direction of the substrate, the substrate is supported by a set of corners of the subdivided V-groove block 31 (subdivided V-groove row). 6a.

【0005】図11は、従来の光ファイバのガイド用溝
への実装方法を示す断面図である。従来、同図に示され
るように、ガイド用のV溝6に熱硬化樹脂や紫外線硬化
樹脂などの接着剤を介して光ファイバ2を装着し、光フ
ァイバの上から荷重用ブロック(スペーサ)30などに
よって荷重をかけつつ、接着剤を硬化させて光ファイバ
をV溝に固定をしていた。
FIG. 11 is a sectional view showing a conventional method for mounting an optical fiber in a guide groove. Conventionally, as shown in the figure, an optical fiber 2 is mounted in a guide V-groove 6 via an adhesive such as a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin, and a load block (spacer) 30 is placed on the optical fiber. The optical fiber is fixed in the V-groove by curing the adhesive while applying a load by, for example, such a method.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図9に示した従来のV
溝形成方法では、以下に述べるような問題がある。一般
に、Siの異方性エッチングにおいては、エッチング深
さに比例して、図12に示すように、四角形パターンの
角が異方性エッチング用マスク8の下の(nn1)面2
1などのエッチングによって面取りされていくコーナー
アンダーカット(以下、コーナーカットという)と呼ば
れる現象がある。V溝マスクの角度ずれがない場合は光
ファイバは(111)面によって支えられるが、エッチ
ングの進行とともにコーナーカット量が大きくなると、
光ファイバを支持する(111)面の光ファイバに接す
る部分が(nn1)面による侵食の結果消滅してしまう
ため、光ファイバを安定に支えることができなくなる。
The conventional V shown in FIG.
The groove forming method has the following problems. In general, in the anisotropic etching of Si, as shown in FIG. 12, the corners of the square pattern are formed in the (nn1) plane 2 under the anisotropic etching mask 8 in proportion to the etching depth.
There is a phenomenon called corner undercut (hereinafter, corner cut) that is chamfered by etching such as 1. When there is no angular deviation of the V-groove mask, the optical fiber is supported by the (111) plane.
Since the portion of the (111) plane supporting the optical fiber which is in contact with the optical fiber disappears as a result of the erosion by the (nn1) plane, the optical fiber cannot be stably supported.

【0007】また、細分化したV溝列によって光ファイ
バを実装する場合であって、V溝形成マスクがSi<1
10>方向に対して角度ずれを持つ時には、マスクパタ
ーンの大きさが極端に大きくなければ、光ファイバは図
10に示す態様にて実装されるため、軸ずれ量は主とし
てコーナーカット量に依存し、コーナーカット量ととも
に大きくなる。
In the case where an optical fiber is mounted by subdivided V-groove rows, the V-groove forming mask is made of Si <1.
When there is an angle shift with respect to the 10> direction, if the size of the mask pattern is not extremely large, since the optical fiber is mounted in the mode shown in FIG. 10, the axis shift amount mainly depends on the corner cut amount. Increases with the amount of corner cut.

【0008】上記コーナーカット量を少なくするための
手段として、例えば、図13に示すように、エッチン
グ用マスク8の角にコーナーカット補償パターン部19
を設けたり、コーナーカットの進行速度そのものを遅
くするために、例えば異方性エッチングのエッチャント
であるKOHにイソプロピルアルコール(IPA)等の
アルコールを添加する方法がある。
As a means for reducing the above-mentioned corner cut amount, for example, as shown in FIG.
For example, there is a method in which an alcohol such as isopropyl alcohol (IPA) is added to KOH, which is an etchant for anisotropic etching, in order to reduce the speed of the corner cutting itself.

【0009】しかし、のコーナーカット補償パターン
の方法のみでコーナーカットを補償しようとする場合に
は、補償パターンが非常に大きくなってしまう(例えば
IPA添加の場合の5倍強程度(それぞれKOH20w
t%、80°Cのエッチャントを用いる場合))ため、
V溝幅の値などによる制約から細分化V溝形成マスクの
設計自由度が低くなるという問題がある。
However, when the corner cut is to be compensated only by the method of the corner cut compensation pattern, the compensation pattern becomes very large (for example, about 5 times more than the case of adding IPA (each of KOH 20w).
t%, when using an etchant at 80 ° C))
There is a problem that the degree of freedom in designing a subdivided V-groove forming mask is reduced due to restrictions due to the value of the V-groove width and the like.

【0010】よって、のアルコール添加の方法を組み
合わせる必要が出てくるが、IPA等のアルコールを添
加すると、エッチングで現れる(100)面にマイクロ
ピラミッド(微細な突起)が発生し易くなる。このマイ
クロピラミッドが残っていると光ファイバをV溝に安定
に着座させることができないため、光ファイバと光導波
路の光軸を設計通りに調芯することができなくなるとい
う問題がある。
Therefore, it is necessary to combine the above alcohol addition methods. However, when an alcohol such as IPA is added, micro-pyramids (fine projections) are likely to be generated on the (100) plane appearing by etching. If the micro-pyramid remains, the optical fiber cannot be stably seated in the V-groove, so that the optical axis of the optical fiber and the optical waveguide cannot be aligned as designed.

【0011】さらに、光ファイバを装着するためのV溝
を形成していく時、細分化V溝ブロックの上部でコーナ
ーカット補償パターン部の下部のSiがちょうど消滅し
た段階(本来のマスク8のコーナー部Aにまでエッチン
グが進行したとき)でも、ブロックのコーナー下部には
コーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存Si
20が残される〔図13(a)、(b)〕。この補償パ
ターン部マスクの痕跡の残存Siが大きい場合、光ファ
イバを装着する際の障害になる。よって、これを消すた
めにさらにオーバーエッチングを行う必要がある。この
結果、コーナーカット量を完全に補償することができな
く、光軸ずれの要因となる。
Further, when forming a V-groove for mounting an optical fiber, a stage where Si under the corner cut compensation pattern portion just above the subdivided V-groove block has disappeared (the corner of the original mask 8). Even when the etching has progressed to the portion A), traces of the mark of the corner cut compensation pattern portion mask remain on the lower portion of the corner of the block.
20 are left [FIGS. 13 (a) and 13 (b)]. If the residual Si in the trace of the compensation pattern portion mask is large, it becomes an obstacle when mounting the optical fiber. Therefore, it is necessary to further perform over-etching to eliminate this. As a result, the corner cut amount cannot be completely compensated, which causes an optical axis shift.

【0012】また、従来の光ファイバ実装方法では次の
ような問題がある。接着剤の樹脂を硬化させる間、上か
らスペーサーなどによって荷重をかけて光ファイバをV
溝に押しつける必要があるために、スペーサーの形状の
精度が悪いと、光ファイバや基板とスペーサーの間に
「ガタ」が生じるため、 ・荷重の方向や大きさによっては光ファイバがずれやす
い、 ・同時に複数の光ファイバに均等に荷重をかけにくい、
など、信頼性に問題がある。
Further, the conventional optical fiber mounting method has the following problem. While the adhesive resin is being cured, a load is applied from above by a spacer or the like to
If the accuracy of the shape of the spacer is poor because it is necessary to press it into the groove, "play" will occur between the spacer and the optical fiber or substrate.The optical fiber is likely to shift depending on the direction and magnitude of the load. It is difficult to evenly load multiple optical fibers at the same time,
There is a problem with reliability.

【0013】さらに、紫外線硬化樹脂を用いて光ファイ
バをV溝に固定する場合、光ファイバに紫外線光が散乱
・吸収される分、光ファイバとV溝の接着面に対する紫
外線の照射量が減るために、樹脂の硬化に要する時間が
余計にかかる。そのため、樹脂硬化中に光ファイバと光
導波路の光軸にずれが生じる可能性が高くなる。
Further, when the optical fiber is fixed to the V-groove by using an ultraviolet curing resin, the amount of the ultraviolet light applied to the bonding surface between the optical fiber and the V-groove is reduced by the amount of the ultraviolet light scattered and absorbed by the optical fiber. In addition, it takes extra time to cure the resin. Therefore, there is a high possibility that the optical axes of the optical fiber and the optical waveguide are shifted during the curing of the resin.

【0014】本願発明は、以上の従来例の問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、第1に、マイク
ロピラミッドや補償マスクに起因する残存Siなどが発
生することのないようにして、光ファイバのガイドV溝
への装着が妨害されることのないようにすることであ
り、第2に、ガイドV溝への光ファイバの装着を容易に
かつ高い精度で行いうるようにすることである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional example, and has as its first object to prevent generation of residual Si or the like due to a micropyramid or a compensation mask. Second, the mounting of the optical fiber into the guide V-groove is not hindered. Second, the mounting of the optical fiber into the guide V-groove is performed easily and with high accuracy. It is to be.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による光結合装置用基板は、光部品と光学的
に結合される光ファイバが装着されるV溝が形成された
ものであって、このV溝の少なくとも光ファイバが着座
する部分の底部分は全て除去されて基板裏面に通じる貫
通穴が設けられていることを特徴としている。
A substrate for an optical coupling device according to the present invention for achieving the above object has a V-groove formed with an optical fiber to be optically coupled to an optical component. At least the optical fiber in this V-groove is seated
This is characterized in that the bottom portion of the portion to be removed is entirely removed to provide a through hole communicating with the back surface of the substrate.

【0016】また、上記の目的を達成するための本発明
による光結合装置用基板の製造方法は、基板の表面上に
V溝形成用マスクを設け、該マスクを介して所定の深さ
まで異方性のエッチングを行って少なくとも光ファイバ
と接触する部分がV字形状となるように加工する工程を
有しており、前記エッチング工程の前または後もしくは
同時に、エッチングの結果形成されるべきまたは形成さ
れた溝の少なくとも光ファイバが着座する部分の底部分
全て除去して貫通穴が形成されるようにする工程が付
加されていることを特徴としている。
Further, in a method of manufacturing a substrate for an optical coupling device according to the present invention for achieving the above object, a mask for forming a V-groove is provided on a surface of the substrate, and anisotropically formed to a predetermined depth through the mask. A step of performing an etching process so that at least a portion in contact with the optical fiber has a V-shape, before, after or simultaneously with the etching step, to be formed or formed as a result of the etching. The method is characterized in that a step of removing at least the entire bottom portion of the portion of the groove in which the optical fiber is seated to form a through hole is added.

【0017】また、上記の目的を達成するための本発明
による光結合装置は、光ファイバが装着されるV溝が形
成された光結合装置用基板と、該光結合装置用基板のV
溝に装着された光ファイバと、該光ファイバと光学的に
結合された光部品とを有するものであって、前記光結合
装置用基板には前記V溝に沿って前記V溝の少なくとも
光ファイバが着座する部分の底部分を全て除去した貫通
穴が設けられていることを特徴としている。
According to another aspect of the present invention, there is provided an optical coupling device comprising: a substrate for an optical coupling device having a V-groove for mounting an optical fiber;
An optical fiber mounted in the groove and an optical component optically coupled to the optical fiber, wherein the optical coupling device substrate has at least the V-groove along the V-groove.
It is characterized in that a through hole is provided in which the entire bottom portion of the portion where the optical fiber is seated is removed.

【0018】また、上記の目的を達成するための本発明
による光結合装置の製造方法は、少なくとも光ファイバ
が着座する部分ではその全区間に渡って貫通穴が設けら
れたV溝が形成され、表面に光部品が固着された光結合
装置用基板に光ファイバを接着する工程を有するもので
あって、前記貫通穴を介して真空吸着を行いながらある
いは接着剤を硬化するための紫外線を照射しながら光フ
ァイバを接着することを特徴としている。
Further, a method of manufacturing an optical coupling device according to the present invention for achieving the above object is to provide at least an optical fiber
Is provided with through holes throughout its entire section .
Is formed V groove is in the optical coupling device substrate optical component is adhered to the surface be one having a step of bonding the optical fiber, the or adhesive while vacuum suction through the through-hole The optical fiber is bonded while irradiating ultraviolet rays for curing.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図1(a)、(b)は、本発明の
実施の形態を説明するための斜視図および断面図であ
る。本発明による光結合装置用基板を作製するには、図
1(a)に示すように、(100)面を主面とするSi
基板1の表面に、溝形成方向が<110>方向となるよ
うに、異方性エッチング用マスク8を形成する。マスク
8は、ストライプ形状のマスクとすることができるが、
図9(a)に示す細分化されたマスクや図9(b)に示
す凹凸のあるパターンとすることができる。図9
(a)、(b)に示すパターンのマスクを用いる場合、
さらに図13に示すようなコーナーカット補償パターン
部を付加することができる。
1 (a) and 1 (b) are a perspective view and a sectional view for explaining an embodiment of the present invention. In order to manufacture a substrate for an optical coupling device according to the present invention, as shown in FIG.
The mask 8 for anisotropic etching is formed on the surface of the substrate 1 so that the groove forming direction is the <110> direction. The mask 8 can be a stripe-shaped mask,
The mask may be a subdivided mask shown in FIG. 9A or a pattern having irregularities shown in FIG. 9B. FIG.
When a mask having the pattern shown in (a) and (b) is used,
Further, a corner cut compensation pattern portion as shown in FIG. 13 can be added.

【0020】エッチングマスクの材料としては、単層も
しくは多層金属膜または合金膜、熱酸化SiO2 膜、C
VDSiO2 膜、CVDSi34 膜等を用いることが
できる。マスクを形成した後、KOHを用いてSi基板
1をエッチングする。エッチャントとしてIPAを添加
したものを用いることができる。V溝6が、光ファイバ
を(111)面で保持できる深さに形成された段階で、
エッチングを中止する。この状態ではV溝6の断面形状
は台形状であって未だは完全なV字状とはなっていな
い。ここで、基板表面側からのエッチング深さを浅く限
定しているのは、深いエッチングをすることによって、
((111)面方向の)サイドエッチングによるV溝幅
拡大や、V溝の細分化をした場合のコーナーカット量が
大きくなるのを避けるためである。
Materials for the etching mask include a single-layer or multilayer metal film or alloy film, a thermally oxidized SiO 2 film,
A VDSiO 2 film, a CVDSi 3 N 4 film, or the like can be used. After forming the mask, the Si substrate 1 is etched using KOH. An etchant to which IPA is added can be used. At the stage where the V-groove 6 is formed to a depth capable of holding the optical fiber on the (111) plane,
Stop etching. In this state, the cross-sectional shape of the V-groove 6 is trapezoidal and has not yet been completely V-shaped. Here, the reason for limiting the etching depth from the substrate surface side to shallow is that by performing deep etching,
This is to avoid an increase in the width of the V-groove due to side etching (in the (111) plane direction) and an increase in the amount of corner cut when the V-groove is subdivided.

【0021】台形形状のV溝を形成した状態では、V溝
6の底面にはマイクロピラミッド18が形成されていた
り、またマスクにコーナカット補償パターン部が付加さ
れたパターンのマスクを用いた場合には、補償パターン
の痕跡を示す残存Si(図示なし)が形成される可能性
があり、光ファイバの装着が妨害される可能性がある。
そこで、本発明においては、V溝(台形状溝)の底部を
除去して、マイクロピラミッドや残存Siを除去する。
When a trapezoidal V-shaped groove is formed, a micro-pyramid 18 is formed on the bottom surface of the V-shaped groove 6 or when a mask having a corner cut compensation pattern portion added to the mask is used. In this case, there is a possibility that residual Si (not shown) indicating a trace of the compensation pattern may be formed, which may hinder the mounting of the optical fiber.
Therefore, in the present invention, the micro pyramid and the remaining Si are removed by removing the bottom of the V-groove (trapezoidal groove).

【0022】V溝の底部の除去方法としては、以下の手
段を用いることができる。 図1(a)に示す状態に加工した後、ダイシングソ
ーなどの機械的手段を用いて図1(b)に示すように貫
通穴3を形成する。図1(b)において、16が貫通穴
によるSiの除去部分である。 基板表面からのエッチングに先だって基板裏面から
エッチング後のV溝の底部が到達する深さの穴を予め開
けておく。 基板裏面にもエッチングマスクを形成し、基板裏面
側からもエッチングを行う。
The following means can be used for removing the bottom of the V-groove. After processing to the state shown in FIG. 1A, a through hole 3 is formed using a mechanical means such as a dicing saw as shown in FIG. 1B. In FIG. 1B, reference numeral 16 denotes a portion from which Si is removed by a through hole. Prior to etching from the front surface of the substrate, a hole having a depth to reach the bottom of the etched V-groove from the back surface of the substrate is formed in advance. An etching mask is also formed on the back surface of the substrate, and etching is performed from the back surface side of the substrate.

【0023】図2は、基板裏面側からもエッチングを行
った場合の断面図である。図2に示す例では、基板表面
にはコーナーカット補償パターン部19を有する異方性
エッチング用マスク8形成し、また基板裏面側に異方性
エッチング用マスク9を形成してエッチングを行い、表
側V溝6と裏側V溝7とを形成しこれにより貫通穴を形
成している。表側V溝6のみを形成する場合には、V溝
6の底部には(100)面6cが現れまた底部のコーナ
ー部にはマスクの痕跡の残存Si20が形成されるが、
これらは裏面側からのエッチングにより除去される。
FIG. 2 is a sectional view in the case where etching is also performed from the back side of the substrate. In the example shown in FIG. 2, an anisotropic etching mask 8 having a corner cut compensation pattern portion 19 is formed on the front surface of the substrate, and an anisotropic etching mask 9 is formed on the rear surface of the substrate to perform etching. A V-groove 6 and a back-side V-groove 7 are formed, thereby forming a through hole. When only the front-side V-groove 6 is formed, the (100) plane 6c appears at the bottom of the V-groove 6 and the remaining Si20 as a trace of the mask is formed at the corner of the bottom.
These are removed by etching from the back side.

【0024】貫通穴によって裏面側に通じるV溝6の形
成が終了した後、図1(b)に示すように、V溝6を光
ファイバ2を搭載し接着剤(図示なし)を用いて接着す
る。この場合、マイクロピラミッド18や補償パターン
部マスクに起因する残存Siなどは最早存在していない
ので、光ファイバを安定して着座させることができる。
この接着工程において、貫通穴3を通して基板1の裏面
1b方向から吸気することができる。これによって、光
ファイバ2は表側V溝6の(111)面に押しつけら
れ、吸着される。この状態は、光ファイバを単にV溝に
載せただけの状態よりも安定であるので、この状態でV
溝に接着固定することによってより高精度に光ファイバ
を実装することが可能になる。
After the formation of the V-groove 6 communicating with the back surface through the through hole is completed, as shown in FIG. 1B, the V-groove 6 is mounted with the optical fiber 2 and bonded using an adhesive (not shown). I do. In this case, since the remaining Si and the like due to the micro-pyramid 18 and the compensation pattern portion mask no longer exist, the optical fiber can be stably seated.
In this bonding step, air can be suctioned from the direction of the back surface 1b of the substrate 1 through the through holes 3. As a result, the optical fiber 2 is pressed against the (111) surface of the front V-groove 6 and is sucked. This state is more stable than the state where the optical fiber is simply placed in the V-groove.
By bonding the optical fiber to the groove, the optical fiber can be mounted with higher precision.

【0025】図3、図4は、光ファイバの他の実装方法
を示す断面図である。図3に示すように、光ファイバ固
着用の接着剤に紫外線硬化樹脂10を用い、基板裏面側
から貫通穴3を通して紫外線11を照射して光ファイバ
の固着を行うことができる。この方法によれば、基板裏
面から照射される紫外線は光ファイバに散乱または吸収
されることがないため、裏面からの紫外線照射によりあ
るいは表面からの照射を併用することによって紫外線硬
化樹脂をより短時間で硬化させることができ、作業性を
向上させることができる外、接着工程中における光ファ
イバの位置ずれの起こる可能性を低くすることができ
る。
FIGS. 3 and 4 are sectional views showing another mounting method of the optical fiber. As shown in FIG. 3, an ultraviolet curing resin 10 is used as an adhesive for fixing the optical fiber, and the optical fiber can be fixed by irradiating ultraviolet rays 11 from the back side of the substrate through the through hole 3. According to this method, the ultraviolet light irradiated from the back surface of the substrate is not scattered or absorbed by the optical fiber. In addition to improving the workability, the possibility of optical fiber misalignment during the bonding process can be reduced.

【0026】また、図4に示すように、偏波保存光ファ
イバ12を表側V溝6に実装する場合において、基板の
貫通穴3を通して基板裏面方向からコヒーレントあるい
はインコヒーレントな照明光13を照射する。その結果
得られる偏波保存ファイバ12の透過光14の強度分布
像15を基板表面1a側において観察すると、この透過
像は偏波保存ファイバ12の光軸回りの回転変位によっ
て変化する。このため、例えば基板面に対して垂直ある
いは平行方向などの所望の偏波方向に対する透過光強度
分布を予め観察して知っておくことによって、以降の偏
波保存光ファイバ実装においては、偏波保存ファイバ導
波光パワーの測定によるモニタリングをすることなく、
透過光強度分布観察によって簡便に偏波方向を合わせる
ことができる。この方法による偏波保存光ファイバの偏
波方向の調整では、表裏を反転して基板の基板表面1a
方向から照明光を入射して裏面1b方向から観察すると
いう構成でも可能である。
As shown in FIG. 4, when the polarization-maintaining optical fiber 12 is mounted in the front V-groove 6, the coherent or incoherent illumination light 13 is irradiated from the back side of the substrate through the through hole 3 of the substrate. . When the intensity distribution image 15 of the transmitted light 14 of the polarization maintaining fiber 12 obtained as a result is observed on the substrate surface 1a side, the transmitted image changes due to the rotational displacement of the polarization maintaining fiber 12 around the optical axis. For this reason, by observing and knowing in advance the transmitted light intensity distribution in a desired polarization direction such as a direction perpendicular or parallel to the substrate surface, the polarization preserving Without monitoring by measuring fiber waveguide optical power,
The polarization direction can be easily adjusted by observing the transmitted light intensity distribution. In the adjustment of the polarization direction of the polarization-maintaining optical fiber by this method, the substrate surface 1a is turned upside down.
It is also possible to adopt a configuration in which illumination light is incident from the direction and observation is performed from the back surface 1b direction.

【0027】[0027]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。図5、図6は、この発明の光結合装
置を光ファイバ用V溝と石英ガラス系の光導波路を同一
Si基板上に形成することによって構成する場合におい
て、V溝底面部に設ける基板の貫通穴をSi基板の両面
からの異方性エッチングによって形成する方法を用いる
場合の工程を、工程順に示したものである。まず、図5
(a)に示すように、Si基板1上に、表面1aと裏面
1bにそれぞれ異方性エッチング用マスク8、9を設け
る。裏側の異方性エッチング用マスク9の形成位置に関
しては、図5(a)のように、表面V溝に対応する基板
を挟んで反対側の部分にのみ設ければよい。すなわち、
裏面からのエッチングによってつくられる表面と反対向
きの裏側V溝7が表側V溝6とつながることによって貫
通穴ができて、光ファイバが置かれるべき部分の(10
0)面が除去され、かつV溝底部に残存するコーナーカ
ット補償パターンの痕跡の残存Siが、オーバーエッチ
ングによる深いエッチングをすることなく除去できるよ
うな位置に設ける。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIGS. 5 and 6 show a case where the optical coupling device of the present invention is formed by forming a V-groove for an optical fiber and an optical waveguide of silica glass on the same Si substrate. The steps in the case of using a method of forming holes by anisotropic etching from both sides of a Si substrate are shown in the order of steps. First, FIG.
As shown in (a), masks 8 and 9 for anisotropic etching are provided on a front surface 1a and a back surface 1b on a Si substrate 1, respectively. Regarding the formation position of the mask 9 for anisotropic etching on the back side, as shown in FIG. 5A, it is sufficient to provide the mask 9 only on the opposite side of the substrate corresponding to the surface V groove. That is,
The back side V-groove 7 opposite to the front side formed by etching from the back side is connected to the front side V-groove 6 to form a through-hole, and (10) of the portion where the optical fiber is to be placed
0) The surface is removed and provided at a position where traces of the corner cut compensation pattern remaining at the bottom of the V-groove can be removed without performing deep etching by over-etching.

【0028】このマスクは異方性エッチングにKOHな
どのアルカリ溶液をエッチャントとして用いる場合、例
えばKOHに対してエッチングされにくいタングステン
シリサイド(WSi)やAuなどを用いればよい。石英
ガラス系の光導波路を同一基板上に設けるのでない場合
には、単なる光ファイバガイド用のV溝形成のための異
方性エッチングのマスクとしてならば、Siの熱酸化膜
を用いることも可能である。なお、表側と裏側の異方性
エッチング用マスク8、9の形成する手段としては、マ
スク形成材料層を形成した後に、例えばフォトレジスト
を塗布してから両面マスクアライナなどを用いて露光し
パターン形成を行えばよい。
When an alkaline solution such as KOH is used as an etchant for anisotropic etching, for example, tungsten silicide (WSi) or Au which is hardly etched by KOH may be used for this mask. Unless a quartz glass optical waveguide is provided on the same substrate, a thermal oxide film of Si can be used as a mask for anisotropic etching to form a V-groove for optical fiber guide. It is. As a means for forming the masks 8 and 9 for anisotropic etching on the front side and the back side, after forming a mask forming material layer, for example, a photoresist is applied and then exposed using a double-sided mask aligner or the like to form a pattern. Should be performed.

【0029】石英ガラス系光導波路をSi基板上に形成
する場合には、次に、図5(b)に示すように、異方性
エッチング用マスク8、9を形成後の基板の表面1a
に、クラッド4とコア5からなる石英ガラス系の光導波
路を形成する。この光導波路は次のようにして形成する
ことができる。例えばAP−CVD法や火炎堆積法によ
って石英ガラス系材料からなる下層クラッド4bと光導
波路コア材料層を堆積し、コア材料層をフォトリソグラ
フィ法および反応性イオンエッチング(RIE)によっ
てパターンニングして光導波路コア5を形成した後、下
層クラッドと同様の方法で上層クラッド4aを堆積す
る。次に、光導波路形成用マスク40を上層クラッド4
aの上に形成する。このマスク40は、図5(c)、図
5(c′)に示すように、光ファイバガイド用のV溝を
形成する位置を避けて、光導波路上層クラッドのうち残
したい部分の上部に形成すればよい。
When the silica glass optical waveguide is formed on the Si substrate, as shown in FIG. 5B, the surface 1a of the substrate after the formation of the masks 8 and 9 for anisotropic etching.
Next, a silica glass optical waveguide composed of the clad 4 and the core 5 is formed. This optical waveguide can be formed as follows. For example, a lower cladding 4b made of a silica glass material and an optical waveguide core material layer are deposited by an AP-CVD method or a flame deposition method, and the core material layer is patterned by photolithography and reactive ion etching (RIE) to form a light guide. After forming the waveguide core 5, the upper clad 4a is deposited in the same manner as the lower clad. Next, the optical waveguide forming mask 40 is
Formed on a. As shown in FIGS. 5C and 5C ', this mask 40 is formed above the portion of the upper cladding of the optical waveguide that is to be left, avoiding the position where the V groove for optical fiber guide is formed. do it.

【0030】次に、図6(d)に示すように、裏側の異
方性エッチング用マスク9を用いて基板の裏面から適当
な深さにエッチングをする。この時、Si基板の表面1
aでは、Siが露出していないので、まだエッチングを
受けない。また、この時の裏面からの具体的なエッチン
グ深さの設定は、基板の厚さがT(μm)でかつ後工程
での両面エッチングの結果の表面からのエッチング深さ
がd(μm)である場合には、 T−2d(μm)程度 にすればよい。
Next, as shown in FIG. 6D, the substrate is etched to an appropriate depth from the back surface of the substrate by using the anisotropic etching mask 9 on the back side. At this time, the surface 1 of the Si substrate
In a, since Si is not exposed, it is not etched yet. Further, at this time, the specific etching depth from the back surface is set such that the thickness of the substrate is T (μm) and the etching depth from the front surface as a result of the double-sided etching in the later step is d (μm). In some cases, it may be about T-2d (μm).

【0031】その後、前記の光導波路端面形成用マスク
40を用いて、光導波路クラッド4と光導波路コア5か
らなる導波路層のエッチングを行い、図6(e)に示す
ように、光導波路部42に光導波路を形成する。光導波
路部42の端面には終端端面42aが形成される。な
お、石英ガラス系の導波路層の場合、上記のエッチング
は例えばバッファード弗酸を用いたウエットエッチング
や例えばCF系ガスを用いた反応性イオンエッチングに
よって行えばよい。この結果、基板の表面のV溝形成部
41ではSiが露出する。
Thereafter, the waveguide layer including the optical waveguide clad 4 and the optical waveguide core 5 is etched using the mask 40 for forming the optical waveguide end face, and as shown in FIG. An optical waveguide is formed at 42. A terminal end face 42 a is formed on the end face of the optical waveguide section 42. In the case of a silica glass-based waveguide layer, the above etching may be performed by, for example, wet etching using buffered hydrofluoric acid or reactive ion etching using, for example, a CF-based gas. As a result, Si is exposed in the V-groove forming portion 41 on the surface of the substrate.

【0032】更に、基板の両面から異方性エッチングを
行うことによって、図6(f)に示すように、表側V溝
6の下底部に貫通穴3が設けられる。この結果、V溝下
底部のうち光ファイバが横たわるべき部分17に(10
0)面が残っていない構造が実現される。したがって、
(100)面にマイクロピラミッドが形成されることが
あってもこれが残存することはなくなる。また、V溝を
細分化して形成した場合においても、V溝底部に残存す
べきコーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存
Si20は除去される(図2参照)。
Further, by performing anisotropic etching from both sides of the substrate, as shown in FIG. 6F, a through hole 3 is provided in the lower bottom portion of the front V-groove 6. As a result, the portion (10) where the optical fiber should lie
0) A structure with no remaining surface is realized. Therefore,
Even if a micro pyramid is formed on the (100) plane, it does not remain. Further, even when the V-groove is formed by being subdivided, the trace Si20 remaining on the corner cut compensation pattern portion mask which should remain at the bottom of the V-groove is removed (see FIG. 2).

【0033】以上のようにSi基板のエッチングを2段
階で行うようにすれば、例えば基板厚さが500μmで
光ファイバ装着用の表側V溝の必要なエッチング深さが
60μmであるような場合、表面からと裏面からのエッ
チング深さを異ならせることができ、肝心の表側V溝6
のエッチングを必要以上に深くしてコーナーカットを大
きくしてしまうことは回避できる。
If the etching of the Si substrate is performed in two stages as described above, for example, when the substrate thickness is 500 μm and the required etching depth of the front side V-groove for mounting the optical fiber is 60 μm, The etching depth from the front surface and the back surface can be made different, and the important
It can be avoided that the corner cut is increased by making the etching more deeply than necessary.

【0034】なお、上記の方法では、マイクロピラミッ
ドの発生する可能性のある(100)面が光ファイバの
横たわるべき部分において、かつV溝底部に残存するコ
ーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残存Si
が、オーバーエッチングをすることなく除去することが
できればよいのであるから、裏面からの異方性エッチン
グを行う位置について高い精度は必要ではない。
In the above method, the (100) plane where the micro-pyramid is likely to be generated is located at the portion where the optical fiber should lie down and at the bottom of the V-groove the trace of the corner cut compensation pattern portion mask remaining Si
However, since it is only necessary to be able to remove without over-etching, high precision is not required for the position where anisotropic etching is performed from the back surface.

【0035】このようにして形成された光結合装置用基
板の斜視図を図7(a)に示す。次に、先に説明した方
法のうちの何れかの方法を用いて図7(b)に示すよう
にV溝に光ファイバを実装することになるが、貫通穴付
のV溝が形成された段階では、図7(a)に示されるよ
うに、、異方性エッチングによって現れるSi(11
1)面のうち、光導波路部の終端端面42aが縁となっ
ている(111)面6bが存在しているために、光ファ
イバ端を光導波路部の終端端面42aに完全に突き当て
ることができない。そこで、V溝に光ファイバを装着す
る前に、図8に示すように、V溝形成部41と光導波路
部42との間に、表側V溝よりも深い切削溝51をダイ
シングソー等で設ける。これにより、新たな光導波路部
の終端端面42bが形成される。
FIG. 7A is a perspective view of the optical coupling device substrate thus formed. Next, as shown in FIG. 7B, the optical fiber is mounted on the V-groove by using any of the methods described above, and the V-groove with the through hole is formed. At the stage, as shown in FIG. 7A, Si (11) appearing by anisotropic etching
Since the (111) surface 6b having the edge at the terminal end surface 42a of the optical waveguide portion among the 1) surfaces is present, the end of the optical fiber can be completely abutted against the terminal end surface 42a of the optical waveguide portion. Can not. Therefore, before mounting the optical fiber in the V-groove, as shown in FIG. 8, a cutting groove 51 deeper than the front V-groove is provided between the V-groove forming portion 41 and the optical waveguide portion 42 with a dicing saw or the like. . As a result, a new terminal end face 42b of the optical waveguide is formed.

【0036】なお、Si基板上に形成する光導波路は石
英系ガラス光導波路に限ることなく、例えば、フッ素化
ポリイミド等の光導波路でもよいことは明らかである。
さらに、光ファイバと結合させる光部品は、光導波路以
外のレーザダイオードやフォトダイオード等であっても
よい。また、基板材料としては、異方性エッチングによ
ってV溝を形成することができればよいので、Siに代
えGaAsやInPを用いることができる。
It is apparent that the optical waveguide formed on the Si substrate is not limited to the silica glass optical waveguide, but may be an optical waveguide made of, for example, fluorinated polyimide.
Further, the optical component to be coupled to the optical fiber may be a laser diode or a photodiode other than the optical waveguide. Further, as the substrate material, GaAs or InP can be used instead of Si, as long as the V-groove can be formed by anisotropic etching.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明による光結
合装置用基板は、光ファイバの装着されるV溝の底部に
残るべき(100)面を除去したものであるので、マイ
クロピラミッドは原理的に発生することがなく、また、
V溝底部に残存すべきコーナーカット補償パターン部マ
スクの痕跡の残存Siはオーバーエッチングによる深い
エッチングをすることなく除去することができる。よっ
て、本発明によれば、マイクロピラミッドやコーナーカ
ット補償パターン部マスクの痕跡の残存Siに邪魔され
ることなく、光ファイバを高精度にかつ安定に支持する
ことができるので、光導波路などの光部品と光ファイバ
の無調整結合方式の光結合装置において、量産性および
信頼性を兼ね備えた高効率の結合が可能となる。
As described above, the substrate for an optical coupling device according to the present invention has the (100) plane which is to be left at the bottom of the V-groove in which the optical fiber is mounted. Does not occur,
The trace Si remaining on the corner cut compensation pattern portion mask which should remain at the bottom of the V-groove can be removed without performing deep etching by over-etching. Therefore, according to the present invention, the optical fiber can be supported with high precision and stability without being disturbed by the residual Si of the trace of the micro pyramid or the corner cut compensation pattern portion mask. In an optical coupling device of a non-adjustable coupling type of a component and an optical fiber, high-efficiency coupling having both mass productivity and reliability is possible.

【0038】また、本発明によれば、V溝に光ファイバ
を実装する際に基板の裏面から吸気することができるの
で、光ファイバに基板表面(V溝の上側)からスペーサ
ー等で荷重をかける必要がなくなり、簡易にかつ高精度
に実装することがが可能になる。さらに、基板表面の光
ファイバの上方からだけでなく、上記の貫通穴を通して
基板裏面からも紫外線硬化樹脂に紫外線を照射すること
ができるので、より短時間で光ファイバをV溝に固定で
きる。そのため、作業性が向上する外光導波路と光ファ
イバの光軸ずれが生じる確率が小さくなる。
Further, according to the present invention, when mounting the optical fiber in the V-groove, the air can be sucked from the back surface of the substrate, so that a load is applied to the optical fiber from the surface of the substrate (upper side of the V-groove) by a spacer or the like. This eliminates the necessity and allows for simple and highly accurate mounting. Further, since the ultraviolet curable resin can be irradiated with ultraviolet rays not only from above the optical fiber on the substrate surface but also from the rear surface of the substrate through the through hole, the optical fiber can be fixed to the V-groove in a shorter time. For this reason, the probability of occurrence of optical axis shift between the external optical waveguide and the optical fiber, which improves workability, is reduced.

【0039】また、偏波保存ファイバの偏波方向を調整
実装する際に下方または上方からのコヒーレントあるい
はインコヒーレントな照明光を照射しその偏波保存光フ
ァイバ透過像を顕微鏡等で観察することによって偏波方
向を合わせることができるので、従来の偏波保存ファイ
バの導波光パワーをモニタリングする方法に比較して、
偏波保存ファイバの角度調整を簡便に行うことが可能に
なる。すなわち、本発明によれば、高精度光ファイバ無
調整実装方式の光結合装置において、光ファイバの実装
に要する時間を短縮し、信頼性および作業性を向上させ
ることができる。
When the polarization direction of the polarization maintaining fiber is adjusted and mounted, coherent or incoherent illumination light is irradiated from below or from above and the transmission image of the polarization maintaining fiber is observed by a microscope or the like. Since the polarization direction can be matched, compared to the conventional method of monitoring the guided light power of the polarization maintaining fiber,
The angle adjustment of the polarization maintaining fiber can be easily performed. That is, according to the present invention, in the optical coupling device of the high-precision optical fiber non-adjustment mounting method, the time required for mounting the optical fiber can be reduced, and the reliability and workability can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態を説明するための斜視図
と断面図。
FIG. 1 is a perspective view and a cross-sectional view illustrating an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施の形態を説明するための断面
図。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施の形態を説明するための断面
図。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施の形態を説明するための断面
図。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の一実施例の製造方法を説明するため
の工程順断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing method according to an embodiment of the present invention in the order of steps.

【図6】 本発明の一実施例の製造方法を説明するため
の、工程順の断面図と斜視図。
FIG. 6 is a sectional view and a perspective view in the order of steps for explaining the manufacturing method according to the embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の一実施例の斜視図と断面図。FIG. 7 is a perspective view and a sectional view of one embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の一実施例の製造方法を説明するため
の断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing method according to one embodiment of the present invention.

【図9】 従来例を説明するための平面図。FIG. 9 is a plan view for explaining a conventional example.

【図10】 従来例を説明するための平面図。FIG. 10 is a plan view for explaining a conventional example.

【図11】 従来例を説明するための断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a conventional example.

【図12】 従来例の問題点を説明するための斜視図。FIG. 12 is a perspective view for explaining a problem of the conventional example.

【図13】 従来例の問題点を説明するための斜視図と
断面図。
FIG. 13 is a perspective view and a cross-sectional view for explaining a problem of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 Si基板 1a Si基板表面 1b Si基板裏面 2 光ファイバ 3 貫通穴 4 光導波路クラッド 4a 上層クラッド 4b 下層クラッド 5 光導波路コア 6 表側V溝 6a、6b、6d (111)面 6c (100)面 7 裏側V溝 8、9 異方性エッチング用マスク 8a V溝形成マスク 10 紫外線硬化樹脂 11 紫外線 12 偏波保存光ファイバ 13 照明光 14 透過光 15 強度分布像 16 貫通穴によるSi除去部分 17 光ファイバが横たわるべき部分 18 マイクロピラミッド 19 コーナーカット補償パターン部 20 コーナーカット補償パターン部マスクの痕跡の残
存Si 21 (nn1)面 30 荷重用ブロック(スペーサー) 31 細分化V溝ブロック 32 LD・光導波路等の光部品 40 導波路形成用マスク 41 V溝形成部 42 光導波路部 42a 光導波路部の終端端面 42b (切削溝形成後の)光導波路部の終端端面 51 切削溝
Reference Signs List 1 Si substrate 1a Si substrate front surface 1b Si substrate back surface 2 Optical fiber 3 Through hole 4 Optical waveguide cladding 4a Upper layer cladding 4b Lower layer cladding 5 Optical waveguide core 6 Front side V groove 6a, 6b, 6d (111) plane 6c (100) plane 7 Back V-groove 8, 9 Anisotropic etching mask 8a V-groove forming mask 10 UV curable resin 11 UV 12 Polarization preserving optical fiber 13 Illumination light 14 Transmitted light 15 Intensity distribution image 16 Si removal portion by through hole 17 Optical fiber Part to be laid down 18 Micro pyramid 19 Corner cut compensation pattern portion 20 Corner cut compensation pattern portion Remaining trace of mask 21 (nn1) surface 30 Load block (spacer) 31 Subdivided V-groove block 32 Light from LD, optical waveguide, etc. Component 40 Waveguide forming mask 41 V-groove forming part 42 Optical waveguide part 42a Terminal end face of optical waveguide part 42b Terminal end face of optical waveguide part (after cutting groove formation) 51 Cutting groove

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−164706(JP,A) 特開 昭59−38709(JP,A) 特開 平2−287504(JP,A) 実開 平5−2106(JP,U) 実開 昭57−9916(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-3-164706 (JP, A) JP-A-59-38709 (JP, A) JP-A-2-287504 (JP, A) 2106 (JP, U) Japanese Utility Model Showa 57-9916 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02B 6/30

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 光部品と光学的に結合される光ファイバ
が装着されるV溝が形成された光結合装置用基板であっ
て、少なくとも光ファイバが着座する部分の前記V溝の
底部分は全て除去されて基板裏面に通じる貫通穴がV溝
に沿って設けられていることを特徴とする光結合装置用
基板。
1. A substrate for an optical coupling device in which a V-groove for mounting an optical fiber to be optically coupled to an optical component is formed, wherein at least a bottom portion of the V-groove at a portion where the optical fiber is seated is provided. A substrate for an optical coupling device, wherein a through hole which is entirely removed and communicates with a back surface of the substrate is provided along a V-groove.
【請求項2】 基板の表面上にV溝形成用マスクを設
け、該マスクを介して所定の深さまで異方性のエッチン
グを行って少なくとも光ファイバと接触する部分がV字
形状となるように加工する工程を有する光結合装置用基
板の製造方法であって、前記エッチング工程の前または
後に、エッチングの結果形成されるべきまたは形成され
た溝の少なくとも光ファイバが着座する部分の底部分を
全て除去して貫通穴が形成されるようにする工程が付加
されていることを特徴とする光結合装置用基板の製造方
法。
2. A V-groove forming mask is provided on a surface of a substrate, and anisotropic etching is performed to a predetermined depth through the mask so that at least a portion in contact with the optical fiber has a V-shape. A method of manufacturing a substrate for an optical coupling device having a processing step, wherein before or after the etching step, at least a bottom portion of a portion of the groove to be formed or formed as a result of the etching, in which the optical fiber is seated, is formed.
A method for manufacturing a substrate for an optical coupling device, further comprising a step of removing all of the substrate to form a through hole.
【請求項3】 基板の表面上および裏面上にV溝形成用
マスクを設け、各マスクを介して基板の表裏面から所定
の深さまで異方性のエッチングを行って、少なくとも表
面側に形成される溝の光ファイバと接触する部分がV字
形状となるように加工するとともに、表面側から形成さ
れる溝と裏面側から形成される溝とが連結されてV溝の
少なくとも光ファイバが着座する部分では全区間に渡っ
貫通穴が形成されるようにすることを特徴とする光結
合装置用基板の製造方法。
3. A V-groove forming mask is provided on the front and back surfaces of the substrate, and anisotropic etching is performed from the front and back surfaces of the substrate to a predetermined depth through each mask to form at least the front surface. And the groove formed from the front side and the groove formed from the back side are connected to form a V-shaped groove.
At least in the area where the optical fiber is seated,
A method for manufacturing a substrate for an optical coupling device, characterized in that a through hole is formed in the substrate.
【請求項4】 基板裏面側から所定の深さまでエッチン
グを行い、その後、基板表・裏面から同時にエッチング
を行うことを特徴とする請求項3記載の光結合装置用基
板の製造方法。
4. The method for manufacturing a substrate for an optical coupling device according to claim 3, wherein etching is performed to a predetermined depth from the back surface of the substrate, and thereafter, etching is performed simultaneously from the front and back surfaces of the substrate.
【請求項5】 基板表面からのエッチング量は、形成さ
れる溝の断面が台形形状となる量であり、かつ、該台形
形状の水平部分は基板表面からのエッチング以外の手段
で除去されることを特徴とする請求項2または3記載の
光結合装置用基板の製造方法。
5. The amount of etching from the substrate surface is such that the cross section of the groove to be formed has a trapezoidal shape, and the horizontal portion of the trapezoidal shape is removed by means other than etching from the substrate surface. 4. The method for manufacturing a substrate for an optical coupling device according to claim 2, wherein
【請求項6】 光ファイバが装着されるV溝が形成され
た光結合装置用基板と、該光結合装置用基板のV溝に装
着された光ファイバと、該光ファイバと光学的に結合さ
れた光部品とを有する光結合装置において、前記光結合
装置用基板には前記V溝に沿って前記V溝の少なくとも
光ファイバが着座する部分の底部分を全て除去した貫通
穴が設けられていることを特徴とする光結合装置。
6. An optical coupling device substrate formed with a V-groove for mounting an optical fiber, an optical fiber mounted in the V-groove of the optical coupling device substrate, and optically coupled to the optical fiber. In the optical coupling device having the optical component, the substrate for the optical coupling device has at least the V-groove along the V-groove.
Optical coupling device, wherein a through hole which the optical fiber to remove any bottom portion of the part to be seated is provided.
【請求項7】 少なくとも光ファイバが着座する部分で
はその全区間に渡って貫通穴が設けられたV溝が形成さ
れ、表面に光部品が固着された光結合装置用基板に光フ
ァイバを接着する工程を有する光結合装置の製造方法で
あって、前記貫通穴を介して真空吸着を行いながら光フ
ァイバを接着することを特徴とする光結合装置の製造方
法。
7. At least a portion where an optical fiber is seated.
Is a method for manufacturing an optical coupling device, comprising a step of bonding an optical fiber to a substrate for an optical coupling device having a V-groove provided with a through hole over the entire section and having an optical component fixed to a surface thereof. And bonding an optical fiber while performing vacuum suction through the through hole.
【請求項8】 少なくとも光ファイバが着座する部分で
はその全区間に渡って貫通穴が設けられたV溝が形成さ
れ、表面に光部品が固着された光結合装置用基板に光フ
ァイバを接着する工程を有する光結合装置の製造方法で
あって、紫外線硬化型の接着剤を用い少なくとも基板裏
面から前記貫通穴を介して紫外線を照射して前記接着剤
を硬化させることを特徴とする光結合装置の製造方法。
8. At least a portion where an optical fiber is seated.
Is a method for manufacturing an optical coupling device, comprising a step of bonding an optical fiber to a substrate for an optical coupling device having a V-groove provided with a through hole over the entire section and having an optical component fixed to a surface thereof. A method of manufacturing an optical coupling device, comprising: irradiating ultraviolet rays from at least the back surface of the substrate through the through holes using an ultraviolet-curable adhesive to cure the adhesive.
【請求項9】 少なくとも光ファイバが着座する部分で
はその全区間に渡って貫通穴が設けられたV溝が形成さ
れ、表面に光部品が固着された光結合装置用基板に偏波
保存光ファイバを接着する工程を有する光結合装置の製
造方法であって、基板裏面から前記貫通穴を通して光を
照射しその透過光強度分布を観察して、あるいは、基板
表面から光を照射し貫通穴を通してその透過光強度分布
を観察して、偏波保存光ファイバの偏波方向を調整する
ことを特徴とする光結合装置の製造方法。
9. At least a portion where an optical fiber is seated.
Is a method for manufacturing an optical coupling device, comprising the step of bonding a polarization maintaining optical fiber to an optical coupling device substrate having a V-groove provided with a through hole over the entire section and having an optical component fixed to the surface. And irradiating light from the back surface of the substrate through the through-hole and observing the transmitted light intensity distribution, or irradiating light from the substrate surface and observing the transmitted light intensity distribution through the through-hole and preserving the polarization. A method for manufacturing an optical coupling device, comprising adjusting a polarization direction of an optical fiber.
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