JP3011626B2 - 半導体装置及び液晶表示装置 - Google Patents
半導体装置及び液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、更
に詳しく言えば、当該液晶表示装置の駆動回路を有する
ＬＳＩが、液晶表示装置のガラス基板上に直接搭載され
てなるＣＯＧ（Chip On Glass）型の液晶表示装置の改
善に関する。
に詳しく言えば、当該液晶表示装置の駆動回路を有する
ＬＳＩが、液晶表示装置のガラス基板上に直接搭載され
てなるＣＯＧ（Chip On Glass）型の液晶表示装置の改
善に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下で、従来例に係る半導体装置及び液
晶表示装置について図面を参照しながら説明する。な
お、図７は図６のチップ周辺の状況を説明する拡大図で
ある。最初に、従来例に係る半導体装置であるフェイス
ダウン型ＣＯＧ（Chip On Glass）用のＬＳＩについて
説明する。このＬＳＩは、図５に示すように、シリコン
基板（１１）上に、駆動回路を構成する所定の回路素子
を有する活性領域（ＡＡ）が形成されている。
晶表示装置について図面を参照しながら説明する。な
お、図７は図６のチップ周辺の状況を説明する拡大図で
ある。最初に、従来例に係る半導体装置であるフェイス
ダウン型ＣＯＧ（Chip On Glass）用のＬＳＩについて
説明する。このＬＳＩは、図５に示すように、シリコン
基板（１１）上に、駆動回路を構成する所定の回路素子
を有する活性領域（ＡＡ）が形成されている。
【０００３】また、シリコン基板（１１）上の一部領域
に引出電極となるアルミ電極（１２Ａ，１２Ｂ）が形成
され、アルミ電極（１２Ａ，１２Ｂ）上に、密着性を良
くするためのバッファメタル（１３Ａ，１３Ｂ）を介し
て金バンプ（１４Ａ，１４Ｂ）が形成されており、アル
ミ電極（１２Ａ，１２Ｂ），バッファメタル（１３Ａ，
１３Ｂ）及び金バンプ（１４Ａ，１４Ｂ）の形成領域以
外の領域に、酸化膜などからなるパッシベーション膜
（１５）が選択形成されて成る。
に引出電極となるアルミ電極（１２Ａ，１２Ｂ）が形成
され、アルミ電極（１２Ａ，１２Ｂ）上に、密着性を良
くするためのバッファメタル（１３Ａ，１３Ｂ）を介し
て金バンプ（１４Ａ，１４Ｂ）が形成されており、アル
ミ電極（１２Ａ，１２Ｂ），バッファメタル（１３Ａ，
１３Ｂ）及び金バンプ（１４Ａ，１４Ｂ）の形成領域以
外の領域に、酸化膜などからなるパッシベーション膜
（１５）が選択形成されて成る。
【０００４】次に、図５に示すようなＬＳＩを搭載した
液晶表示装置であるフェイスダウン型ＣＯＧについて説
明する。これは、図５に示すＬＳＩを、液晶表示装置を
構成する透明基板上に直接搭載することを特徴とする液
晶表示装置である。この液晶表示装置は、図６に示すよ
うに、透明電極（１７Ａ，１７Ｂ）や不図示の配向膜が
上面に形成された第１の透明基板（１７）上に、透明電
極（１８Ａ）や不図示の配向膜が表面に形成された第２
の透明基板（１８）が対向して形成され、両者がシール
材（２０）で固着され、その間に液晶層（ＬＣ）が封入
され、背面にバックライト（１９）が形成されて成る液
晶表示パネルに、図５に示すようなチップが搭載されて
成る。
液晶表示装置であるフェイスダウン型ＣＯＧについて説
明する。これは、図５に示すＬＳＩを、液晶表示装置を
構成する透明基板上に直接搭載することを特徴とする液
晶表示装置である。この液晶表示装置は、図６に示すよ
うに、透明電極（１７Ａ，１７Ｂ）や不図示の配向膜が
上面に形成された第１の透明基板（１７）上に、透明電
極（１８Ａ）や不図示の配向膜が表面に形成された第２
の透明基板（１８）が対向して形成され、両者がシール
材（２０）で固着され、その間に液晶層（ＬＣ）が封入
され、背面にバックライト（１９）が形成されて成る液
晶表示パネルに、図５に示すようなチップが搭載されて
成る。
【０００５】この液晶表示パネルには外部の駆動回路と
のコンタクトをとるための透明電極（１７Ａ，１７Ｂ）
が第１の透明基板（１７）上に形成されており、これら
を被覆するように異方性導電膜（ＣＦ）が選択形成され
ている。チップはこの異方性導電膜（ＣＦ）上に形成さ
れている。以下でその詳細について図６、図７を参照し
ながら説明する。
のコンタクトをとるための透明電極（１７Ａ，１７Ｂ）
が第１の透明基板（１７）上に形成されており、これら
を被覆するように異方性導電膜（ＣＦ）が選択形成され
ている。チップはこの異方性導電膜（ＣＦ）上に形成さ
れている。以下でその詳細について図６、図７を参照し
ながら説明する。
【０００６】すなわち、図７に示すように異方性導電膜
（ＣＦ）上に、図５に示す半導体装置（以下でこれをチ
ップと称する）が、金バンプ（１４Ａ，１４Ｂ）側を下
にして、これらがそれぞれ透明電極（１７Ａ，１７Ｂ）
とコンタクトをとるように位置合せされ、図７に示すよ
うに異方性導電膜（ＣＦ）上に載置され、１８０℃程度
の熱と１パッド当たり数十ｇの圧力によってチップが異
方性導電膜（ＣＦ）を介して透明電極に熱圧着されてい
る。
（ＣＦ）上に、図５に示す半導体装置（以下でこれをチ
ップと称する）が、金バンプ（１４Ａ，１４Ｂ）側を下
にして、これらがそれぞれ透明電極（１７Ａ，１７Ｂ）
とコンタクトをとるように位置合せされ、図７に示すよ
うに異方性導電膜（ＣＦ）上に載置され、１８０℃程度
の熱と１パッド当たり数十ｇの圧力によってチップが異
方性導電膜（ＣＦ）を介して透明電極に熱圧着されてい
る。
【０００７】すると、図７に示すように金バンプ（１４
Ａ，１４Ｂ）の下部の異方性導電膜（ＣＦ）内の樹脂は
選択的に導電性を有し、この領域の樹脂を介して金バン
プ（１４Ａ，１４Ｂ）と透明電極（１７Ａ，１７Ｂ）と
はコンタクトがとれ、かつチップが第１の透明基板（１
７）上に固着されるわけである。当該装置によれば、第
１の透明基板（１７）上に一体化して形成されたチップ
の駆動回路が、所定の電界を透明電極（１７Ａ，１８
Ａ）間に印加して、液晶層（ＬＣ）の液晶分子を駆動
し、背面に形成されたバックライト（１９）からの光を
透過／遮断することによって、所定の表示をしていた。
Ａ，１４Ｂ）の下部の異方性導電膜（ＣＦ）内の樹脂は
選択的に導電性を有し、この領域の樹脂を介して金バン
プ（１４Ａ，１４Ｂ）と透明電極（１７Ａ，１７Ｂ）と
はコンタクトがとれ、かつチップが第１の透明基板（１
７）上に固着されるわけである。当該装置によれば、第
１の透明基板（１７）上に一体化して形成されたチップ
の駆動回路が、所定の電界を透明電極（１７Ａ，１８
Ａ）間に印加して、液晶層（ＬＣ）の液晶分子を駆動
し、背面に形成されたバックライト（１９）からの光を
透過／遮断することによって、所定の表示をしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の液晶表示装置によれば、バックライト（１９）が点
灯して光（Ｌ）が発せられると、この光（Ｌ）が第１の
透明基板（１７）の面内で反射し、その一部は図８に示
すように異方性導電膜（ＣＦ）を介してチップの活性領
域（ＡＡ）にまで達してしまう。
来の液晶表示装置によれば、バックライト（１９）が点
灯して光（Ｌ）が発せられると、この光（Ｌ）が第１の
透明基板（１７）の面内で反射し、その一部は図８に示
すように異方性導電膜（ＣＦ）を介してチップの活性領
域（ＡＡ）にまで達してしまう。
【０００９】活性領域（ＡＡ）上にはパッシベーション
膜（１５）が形成されているものの、これには遮光の処
置が施されていないため、活性領域（ＡＡ）に光（Ｌ）
が照射されてしまい、この光（Ｌ）が原因で活性領域
（ＡＡ）の回路素子が誤動作してしまうという問題が発
生していた。
膜（１５）が形成されているものの、これには遮光の処
置が施されていないため、活性領域（ＡＡ）に光（Ｌ）
が照射されてしまい、この光（Ｌ）が原因で活性領域
（ＡＡ）の回路素子が誤動作してしまうという問題が発
生していた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点
に鑑み成されたもので、図１に示すように回路素子が形
成された領域である活性領域を表面に有する半導体基板
と、前記半導体基板上に形成され、外部とのコンタクト
をとるためのバンプ電極と、前記バンプ電極の形成領域
以外の領域の前記半導体基板表面に形成された平坦化膜
と、少なくとも前記活性領域上の前記平坦化膜上に選択
形成された遮光膜とを有することにより、かりに光が半
導体装置に照射されても直接活性領域には達せず、光が
当たることによる誤動作を極力抑止することが可能にな
る半導体装置及び液晶表示装置の提供を目的とする。
に鑑み成されたもので、図１に示すように回路素子が形
成された領域である活性領域を表面に有する半導体基板
と、前記半導体基板上に形成され、外部とのコンタクト
をとるためのバンプ電極と、前記バンプ電極の形成領域
以外の領域の前記半導体基板表面に形成された平坦化膜
と、少なくとも前記活性領域上の前記平坦化膜上に選択
形成された遮光膜とを有することにより、かりに光が半
導体装置に照射されても直接活性領域には達せず、光が
当たることによる誤動作を極力抑止することが可能にな
る半導体装置及び液晶表示装置の提供を目的とする。
【００１１】
【作 用】本発明に係る半導体装置によれば、活性領域
を表面に有する半導体基板と、半導体基板上に形成さ
れ、少なくとも活性領域上の平坦化膜上に選択形成され
た遮光膜とを有する。このため、仮に当該半導体装置に
光が直接当たっても、活性領域が形成された領域上には
遮光膜が形成されているので、光は遮光膜によって遮断
され、その下層の半導体基板表面の活性領域に達するこ
とを抑止することが可能になる。
を表面に有する半導体基板と、半導体基板上に形成さ
れ、少なくとも活性領域上の平坦化膜上に選択形成され
た遮光膜とを有する。このため、仮に当該半導体装置に
光が直接当たっても、活性領域が形成された領域上には
遮光膜が形成されているので、光は遮光膜によって遮断
され、その下層の半導体基板表面の活性領域に達するこ
とを抑止することが可能になる。
【００１２】これにより、従来のように、活性領域に直
接光が当たることによって生じていた、当該半導体装置
のラッチアップなどの誤動作を極力抑止することが可能
になる。なお、本発明に係る半導体装置において、遮光
性膜は、顔料分散型の着色レジストからなるので、遮光
膜を半導体装置上に形成する際に、このレジストをウェ
ハー上に塗布した後にフォトリソグラフィ法にてパター
ニングすることで容易に形成することができる。
接光が当たることによって生じていた、当該半導体装置
のラッチアップなどの誤動作を極力抑止することが可能
になる。なお、本発明に係る半導体装置において、遮光
性膜は、顔料分散型の着色レジストからなるので、遮光
膜を半導体装置上に形成する際に、このレジストをウェ
ハー上に塗布した後にフォトリソグラフィ法にてパター
ニングすることで容易に形成することができる。
【００１３】また、本発明に係る液晶表示装置によれ
ば、２枚の透明基板の間に液晶層が封入されてなる液晶
表示装置の透明基板に、上述の本発明に係る半導体装置
が直接搭載されてなる。このため、液晶表示装置の透明
基板を介して、例えば液晶表示装置に搭載されているバ
ックライトなどの比較的強い光が半導体装置に照射され
ても、この光は、当該半導体装置の活性領域にまでは達
しないので、ここに直接光が照射されることによって生
じていた当該半導体装置の誤動作、ひいては液晶表示装
置の誤動作を極力抑止することが可能になる。
ば、２枚の透明基板の間に液晶層が封入されてなる液晶
表示装置の透明基板に、上述の本発明に係る半導体装置
が直接搭載されてなる。このため、液晶表示装置の透明
基板を介して、例えば液晶表示装置に搭載されているバ
ックライトなどの比較的強い光が半導体装置に照射され
ても、この光は、当該半導体装置の活性領域にまでは達
しないので、ここに直接光が照射されることによって生
じていた当該半導体装置の誤動作、ひいては液晶表示装
置の誤動作を極力抑止することが可能になる。
【００１４】
【実施例】以下で、本発明の実施例に係る半導体装置及
び液晶表示装置について図面を参照しながら説明する。
なお、図３は図２のチップ周辺の状況を説明する拡大図
である。最初に、本発明の実施例に係る半導体装置であ
るフェイスダウンＣＯＧ用のＬＳＩについて説明する。
このＬＳＩは、図１に示すように、半導体基板の一例で
あってシリコン基板（１）上にトランジスタなど、駆動
回路を構成する所定の回路素子を有する活性領域（Ａ
Ａ）が形成されている。
び液晶表示装置について図面を参照しながら説明する。
なお、図３は図２のチップ周辺の状況を説明する拡大図
である。最初に、本発明の実施例に係る半導体装置であ
るフェイスダウンＣＯＧ用のＬＳＩについて説明する。
このＬＳＩは、図１に示すように、半導体基板の一例で
あってシリコン基板（１）上にトランジスタなど、駆動
回路を構成する所定の回路素子を有する活性領域（Ａ
Ａ）が形成されている。
【００１５】また、シリコン基板（１）上の一部領域に
引出電極となるアルミ電極（２Ａ，２Ｂ）が形成され、
アルミ電極（２Ａ，２Ｂ）上に、密着性を良くするため
のバッファメタル（３Ａ，３Ｂ）を介して金バンプ（４
Ａ，４Ｂ）が形成されており、アルミ電極（２Ａ，２
Ｂ），バッファメタル（３Ａ，３Ｂ）及び金バンプ（４
Ａ，４Ｂ）の形成領域以外の領域に、酸化膜などからな
るパッシベーション膜（５）が選択形成され、さらにパ
ッシベーション膜（５）上に、顔料分散型の黒色レジス
トからなる遮光膜（６）が形成されて成る。
引出電極となるアルミ電極（２Ａ，２Ｂ）が形成され、
アルミ電極（２Ａ，２Ｂ）上に、密着性を良くするため
のバッファメタル（３Ａ，３Ｂ）を介して金バンプ（４
Ａ，４Ｂ）が形成されており、アルミ電極（２Ａ，２
Ｂ），バッファメタル（３Ａ，３Ｂ）及び金バンプ（４
Ａ，４Ｂ）の形成領域以外の領域に、酸化膜などからな
るパッシベーション膜（５）が選択形成され、さらにパ
ッシベーション膜（５）上に、顔料分散型の黒色レジス
トからなる遮光膜（６）が形成されて成る。
【００１６】次に、図２に示すようなフェイスダウンＣ
ＯＧ型の液晶表示装置について説明する。これは、図１
に示す半導体装置（以下でこれをチップと称する）を、
液晶表示装置を構成する透明基板上に直接搭載すること
を特徴とする液晶表示装置である。この液晶表示装置
は、図２に示すように、透明電極（７Ａ，７Ｂ）や不図
示の配向膜が上面に形成され、ガラスからなる第１の透
明基板（７）上に、透明電極（８Ａ）や不図示の配向膜
が表面に形成され、ガラスからなる第２の透明基板
（８）が対向して形成され、両者がシール材（１０）で
固着され、その間に液晶層（ＬＣ）が封入され、背面に
バックライト（９）が形成されて成る液晶表示パネル
に、図１に示すようなチップが搭載されて成る。
ＯＧ型の液晶表示装置について説明する。これは、図１
に示す半導体装置（以下でこれをチップと称する）を、
液晶表示装置を構成する透明基板上に直接搭載すること
を特徴とする液晶表示装置である。この液晶表示装置
は、図２に示すように、透明電極（７Ａ，７Ｂ）や不図
示の配向膜が上面に形成され、ガラスからなる第１の透
明基板（７）上に、透明電極（８Ａ）や不図示の配向膜
が表面に形成され、ガラスからなる第２の透明基板
（８）が対向して形成され、両者がシール材（１０）で
固着され、その間に液晶層（ＬＣ）が封入され、背面に
バックライト（９）が形成されて成る液晶表示パネル
に、図１に示すようなチップが搭載されて成る。
【００１７】この液晶表示パネルには外部の駆動回路と
のコンタクトをとるための透明電極（７Ａ，７Ｂ）が第
１の透明基板（７）上に形成されており、これらを被覆
するように異方性導電膜（ＣＦ）が選択形成されてい
る。チップはこの異方性導電膜（ＣＦ）上に形成されて
いる。以下でその詳細について図２、図３を参照しなが
ら説明する。
のコンタクトをとるための透明電極（７Ａ，７Ｂ）が第
１の透明基板（７）上に形成されており、これらを被覆
するように異方性導電膜（ＣＦ）が選択形成されてい
る。チップはこの異方性導電膜（ＣＦ）上に形成されて
いる。以下でその詳細について図２、図３を参照しなが
ら説明する。
【００１８】すなわち、図３に示すように、異方性導電
膜（ＣＦ）上に図１に示すＬＳＩが、金バンプ（４Ａ，
４Ｂ）側を下にして、これらがそれぞれ透明電極（７
Ａ，７Ｂ）とコンタクトをとるように位置合せされ、図
３に示すように異方性導電膜（ＣＦ）上に載置され、１
８０℃程度の熱と数十ｇの圧力により、チップが異方性
導電膜（ＣＦ）に熱圧着されている。
膜（ＣＦ）上に図１に示すＬＳＩが、金バンプ（４Ａ，
４Ｂ）側を下にして、これらがそれぞれ透明電極（７
Ａ，７Ｂ）とコンタクトをとるように位置合せされ、図
３に示すように異方性導電膜（ＣＦ）上に載置され、１
８０℃程度の熱と数十ｇの圧力により、チップが異方性
導電膜（ＣＦ）に熱圧着されている。
【００１９】すると、図３に示すように金バンプ（４
Ａ，４Ｂ）の下部の異方性導電膜（ＣＦ）内の樹脂が選
択的に導電性を有し、この領域の樹脂を介して金バンプ
（４Ａ，４Ｂ）と透明電極（７Ａ，７Ｂ）とのコンタク
トがとれ、かつチップが第１の透明基板（７）上に固着
されるわけである。当該装置によれば、第１の透明基板
（７）上に一体化して形成されたチップの駆動回路が、
所定の電界を透明電極（７Ａ，８Ａ）間に印加して、液
晶層（ＬＣ）の液晶分子を駆動し、背面に形成されたバ
ックライト（９）からの光を透過／遮断することによっ
て、所定の表示をする。
Ａ，４Ｂ）の下部の異方性導電膜（ＣＦ）内の樹脂が選
択的に導電性を有し、この領域の樹脂を介して金バンプ
（４Ａ，４Ｂ）と透明電極（７Ａ，７Ｂ）とのコンタク
トがとれ、かつチップが第１の透明基板（７）上に固着
されるわけである。当該装置によれば、第１の透明基板
（７）上に一体化して形成されたチップの駆動回路が、
所定の電界を透明電極（７Ａ，８Ａ）間に印加して、液
晶層（ＬＣ）の液晶分子を駆動し、背面に形成されたバ
ックライト（９）からの光を透過／遮断することによっ
て、所定の表示をする。
【００２０】このとき、バックライト（９）が点灯して
光（Ｌ）が発せられると、この光（Ｌ）が第１の透明基
板（７）の面内で反射し、その一部は図４に示すように
異方性導電膜（ＣＦ）を介してチップの表面にまで達す
ることは避けられない。しかしながら、本実施例に係る
チップの表面には、活性領域（ＡＡ）上に形成されたパ
ッシベーション膜（５）の上に、遮光膜（６）が形成さ
れている。
光（Ｌ）が発せられると、この光（Ｌ）が第１の透明基
板（７）の面内で反射し、その一部は図４に示すように
異方性導電膜（ＣＦ）を介してチップの表面にまで達す
ることは避けられない。しかしながら、本実施例に係る
チップの表面には、活性領域（ＡＡ）上に形成されたパ
ッシベーション膜（５）の上に、遮光膜（６）が形成さ
れている。
【００２１】このため、仮に当該チップにバックライト
（９）からの光（Ｌ）が直接当たっても、活光（Ｌ）は
遮光膜（６）によって遮断され、シリコン基板（１）表
面の活性領域（ＡＡ）にまでは達しない。これにより、
従来活性領域（ＡＡ）に直接光（Ｌ）が照射されること
によって生じていた、チップのラッチアップなどの誤動
作を極力抑止することが可能になり、当該液晶表示装置
の誤動作を極力抑止することが可能となる。
（９）からの光（Ｌ）が直接当たっても、活光（Ｌ）は
遮光膜（６）によって遮断され、シリコン基板（１）表
面の活性領域（ＡＡ）にまでは達しない。これにより、
従来活性領域（ＡＡ）に直接光（Ｌ）が照射されること
によって生じていた、チップのラッチアップなどの誤動
作を極力抑止することが可能になり、当該液晶表示装置
の誤動作を極力抑止することが可能となる。
【００２２】なお、図１に示すような本実施例に係る半
導体装置では、遮光膜（６）として、顔料分散型の黒色
レジストを用いているが、本発明はこれに限らず、遮光
性を有する絶縁性の膜であれば、どのような遮光膜であ
っても、同様の効果を奏する。本実施例では、遮光膜
（６）を半導体装置上に形成する際に、黒色レジストを
パッシベーション膜（５）上に塗布した後に、フォトリ
ソグラフィ法にてパターニングすることで容易に選択形
成することができるために、これを用いている訳であ
る。
導体装置では、遮光膜（６）として、顔料分散型の黒色
レジストを用いているが、本発明はこれに限らず、遮光
性を有する絶縁性の膜であれば、どのような遮光膜であ
っても、同様の効果を奏する。本実施例では、遮光膜
（６）を半導体装置上に形成する際に、黒色レジストを
パッシベーション膜（５）上に塗布した後に、フォトリ
ソグラフィ法にてパターニングすることで容易に選択形
成することができるために、これを用いている訳であ
る。
【００２３】また、本実施例に係る液晶表示装置では、
半導体装置とのコンタクトをとるために異方性導電膜
（ＣＦ）を用いて、半導体装置の金バンプ（４Ａ，４
Ｂ）と熱圧着することによってコンタクトをとっている
が、本発明はこれに限らず、例えばはんだバンプを半導
体装置に搭載させ、直接透明基板側の電極に圧着するよ
うな方式をとっても、当該液晶表示装置がフェイスダウ
ン型のＣＯＧでありさえすれば、本実施例と同様の効果
を奏する。
半導体装置とのコンタクトをとるために異方性導電膜
（ＣＦ）を用いて、半導体装置の金バンプ（４Ａ，４
Ｂ）と熱圧着することによってコンタクトをとっている
が、本発明はこれに限らず、例えばはんだバンプを半導
体装置に搭載させ、直接透明基板側の電極に圧着するよ
うな方式をとっても、当該液晶表示装置がフェイスダウ
ン型のＣＯＧでありさえすれば、本実施例と同様の効果
を奏する。
【００２４】さらに、本実施例では透明基板にガラス基
板を用いているフェイスダウン型のＣＯＧについて説明
しているが、本発明はこれに限らず、例えば透明基板に
樹脂からなるフィルムを用いて、その上に直接チップを
搭載する型の液晶表示装置であるＣＯＦ（Chip On Fil
m）などに適用しても、同様の効果を奏する。
板を用いているフェイスダウン型のＣＯＧについて説明
しているが、本発明はこれに限らず、例えば透明基板に
樹脂からなるフィルムを用いて、その上に直接チップを
搭載する型の液晶表示装置であるＣＯＦ（Chip On Fil
m）などに適用しても、同様の効果を奏する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置によれば、活性領域を表面に有する半導体基板と、
半導体基板上に形成され、少なくとも活性領域上の平坦
化膜上に選択形成された遮光膜とを有するので、当該半
導体装置に光が直接当たっても、活性領域が形成された
領域には遮光膜が形成されているので、光は遮光膜によ
って遮断され、その下層の半導体基板表面の活性領域に
達することを抑止することができ、活性領域に直接光が
当たることによって生じていた当該半導体装置のラッチ
アップなどの誤動作を極力抑止することが可能になる。
装置によれば、活性領域を表面に有する半導体基板と、
半導体基板上に形成され、少なくとも活性領域上の平坦
化膜上に選択形成された遮光膜とを有するので、当該半
導体装置に光が直接当たっても、活性領域が形成された
領域には遮光膜が形成されているので、光は遮光膜によ
って遮断され、その下層の半導体基板表面の活性領域に
達することを抑止することができ、活性領域に直接光が
当たることによって生じていた当該半導体装置のラッチ
アップなどの誤動作を極力抑止することが可能になる。
【００２６】また、本発明に係る液晶表示装置によれ
ば、２枚の透明基板の間に液晶層が封入されてなる液晶
表示装置の透明基板に、上述の本発明に係る半導体装置
が直接搭載されてなるので、液晶表示装置の透明基板を
介して、例えば液晶表示装置に搭載されているバックラ
イトなどの比較的強い光が半導体装置に照射されても、
これは当該半導体装置の活性領域にまでは達しないの
で、ここに直接光が照射されることによって生じていた
当該半導体装置の誤動作、ひいては液晶表示装置の誤動
作を極力抑止することが可能になる。
ば、２枚の透明基板の間に液晶層が封入されてなる液晶
表示装置の透明基板に、上述の本発明に係る半導体装置
が直接搭載されてなるので、液晶表示装置の透明基板を
介して、例えば液晶表示装置に搭載されているバックラ
イトなどの比較的強い光が半導体装置に照射されても、
これは当該半導体装置の活性領域にまでは達しないの
で、ここに直接光が照射されることによって生じていた
当該半導体装置の誤動作、ひいては液晶表示装置の誤動
作を極力抑止することが可能になる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置を説明する断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施例に係る液晶表示装置を説明する
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る液晶表示装置を説明する
部分拡大図である。
部分拡大図である。
【図４】本発明の実施例に係る液晶表示装置の動作を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図５】従来例に係る半導体装置を説明する断面図であ
る。
る。
【図６】従来例に係る液晶表示装置を説明する断面図で
ある。
ある。
【図７】従来例に係る液晶表示装置を説明する部分拡大
図である。
図である。
【図８】従来例に係る液晶表示装置の問題点を説明する
図である。
図である。
（１） シリコン基板（半導体基板） （２Ａ，２Ｂ） アルミ電極 （３Ａ，３Ｂ） バッファメタル （４Ａ，４Ｂ） 金バンプ（バンプ電極） （５） パッシベーション膜（平坦化膜） （６） 遮光膜 （７） 第１の透明基板 （７Ａ，７Ｂ） 透明電極 （８） 第２の透明基板 （８Ａ） 透明電極 （９） バックライト （１０） シール材 （ＡＡ） 活性領域 （ＣＦ） 異方性導電膜 （ＬＣ） 液晶層
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1345 G02F 1/1335 500
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に形成された第１の電極とフ
ェイスダウン方式で電気的に接続される半導体装置であ
り、 前記半導体装置に設けられた第２の電極を露出するパシ
ベーション膜と、前記半導体装置の活性領域に対応する
パシベーション膜上に設けられ、且つ遮光膜として機能
する絶縁性の黒色レジストとを有することを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 第１の透明基板と前記第２の透明基板
が、間にシール材を介して固着され、中に液晶層が封入
された液晶パネルと、前記第２の透明基板から突出した
前記第１の透明基板上に形成された第１の電極と、前記
第１の電極とフェイスダウン方式で電気的に接続される
半導体装置とを有する液晶表示装置に於いて、 前記半導体装置は、前記半導体装置内に設けられた第２
の電極を露出しするパシベーション膜と、前記半導体装
置の活性領域に対応するパシベーション膜上に設けら
れ、且つ遮光膜として機能する絶縁性の黒色レジストと
を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記黒色レジストは、顔料分散型の黒色
レジストである請求項２に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6290033A JP3011626B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 半導体装置及び液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6290033A JP3011626B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 半導体装置及び液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08146453A JPH08146453A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3011626B2 true JP3011626B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=17750922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6290033A Expired - Lifetime JP3011626B2 (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 半導体装置及び液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3011626B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100472355B1 (ko) * | 1997-11-01 | 2005-08-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 글래스콘넥터및그제조방법 |
| JP3663293B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2005-06-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
-
1994
- 1994-11-24 JP JP6290033A patent/JP3011626B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08146453A (ja) | 1996-06-07 |
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