JP3011101U - Electrostatic breakdown test equipment - Google Patents

Electrostatic breakdown test equipment

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JP3011101U
JP3011101U JP1994015093U JP1509394U JP3011101U JP 3011101 U JP3011101 U JP 3011101U JP 1994015093 U JP1994015093 U JP 1994015093U JP 1509394 U JP1509394 U JP 1509394U JP 3011101 U JP3011101 U JP 3011101U
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JP
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under test
device under
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test
charging
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常夫 杉浦
晶宇 景川
重雄 奥秋
克夫 松浦
佐東至 磯福
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子デバイスの静電破壊試験装置に、試験対
象デバイスのピンを超小形CCDカメラとこれに接続し
たCRTモニタ上の拡大画像により観測しながら位置合
わせを行い、コンタクトピンを試験対象デバイスピンに
容易に位置合せできる静電破壊試験装置を提供する。 【構成】 試験対象デバイス21のピンに試験装置側の
充放電ピン13を接触させて、該試験装置側から前記試
験対象デバイスを充電して、その後放電することにより
前記試験対象デバイスの静電破壊耐量を測定する静電破
壊試験装置において、前記試験対象デバイスを撮像可能
な撮像装置25を備え、前記撮像装置の撮像した試験対
象デバイスの拡大画像上のピン位置から、前記試験対象
デバイスのピンと前記試験装置側の充放電ピンの位置合
わせを行う。
(57) [Abstract] [Purpose] Positioning is performed while observing the pins of the device under test with an ultra-compact CCD camera and an enlarged image on the CRT monitor connected to the device in the electrostatic breakdown tester for electronic devices, and making contact. (EN) Provided is an electrostatic breakdown test device capable of easily aligning a pin with a device pin to be tested. [Structure] A charging / discharging pin 13 on the side of a test device is brought into contact with a pin of a device under test 21, the device under test is charged from the side of the device under test, and then discharged to cause electrostatic breakdown of the device under test. In the electrostatic breakdown test apparatus for measuring the withstand voltage, the imaging device 25 capable of imaging the test target device is provided, and from the pin position on the enlarged image of the test target device imaged by the imaging device, the pin of the test target device and the Align the charge and discharge pins on the test equipment side.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、電子デバイス、特に半導体集積回路(IC,LSI)の静電破壊耐 量の試験を行う静電破壊試験装置に係り、より詳細には、デバイス帯電モデル( Charged Device Model)による静電破壊試験装置に関する。 The present invention relates to an electrostatic breakdown test apparatus for testing the electrostatic breakdown withstand capability of electronic devices, particularly semiconductor integrated circuits (IC, LSI), and more specifically, an electrostatic breakdown test apparatus based on a charged device model. Destruction test equipment.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

半導体集積回路等の電子デバイスが静電気放電により破壊または劣化すること は広く知られ、これに関する対策が信頼性向上に対する大きな課題の一つである 。電子デバイスがその外部の帯電物体より静電気放電を受けるモデルは、人体モ デル、機械モデルでシミュレートする方法がすでに確立され、広く使用されてい る。 これに対し、電子デバイス自身が摩擦などにより帯電し、この電荷が電子デバ イスのピンより外部金属に急速に放電する時にも破壊してしまうことが近年知ら れてきた。この静電気放電破壊モデルはデバイス帯電モデル(CDM)と呼ばれ 、近年、盛んに研究され論文等も種々発表されている(例えば、田中政樹 et al 、デバイス帯電モデルESD試験方法の確立、RCJ 第2回 EOS/ESD シンポジウム 1992年11月)。 It is widely known that electronic devices such as semiconductor integrated circuits are destroyed or deteriorated by electrostatic discharge, and countermeasures for this are one of the major issues for improving reliability. The model in which an electronic device receives electrostatic discharge from a charged object outside it has already been established and widely used as a method of simulating with a human body model or mechanical model. On the other hand, it has been known in recent years that the electronic device itself is charged by friction and the like, and even when the charge is rapidly discharged from the pin of the electronic device to an external metal, it is destroyed. This electrostatic discharge breakdown model is called a device charging model (CDM), and has been actively studied in recent years and various papers have been published (for example, Masaki Tanaka et al., Establishment of ESD test method of device charging model, RCJ 2nd. The EOS / ESD Symposium November 1992).

【0003】 このデバイス帯電モデル(CDM)による静電破壊耐量の試験方法については 、その原理が例えば特公平5−668号公報に開示されており、この公報に開示 された試験方法は、いわゆるコンタクト型ダイレクトチャージ(接触型直接充電 )方式の一種である。この方式は、図6に示すように、試験対象のデバイスピン に高電圧電源Ev及び抵抗R1 ,抵抗R2 からなる充電回路を接触させたままで 、SW1 を開放した状態で試験対象デバイスに電荷を充電させ、その後SW1 を 閉じて充電した電荷を放電させるものである。係るコンタクト型ダイレクトチャ ージは、回路構成が単純なので、自動試験装置が実現しやすく、また、電子デバ イスを接地金属の上に置いて、ピンより直接充電するため帯電量が安定なため、 再現性の高いテストが可能である。The principle of the electrostatic breakdown withstand capability test method using this device charging model (CDM) is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 5-668, and the test method disclosed in this publication is a so-called contact method. Type is a type of direct charge (contact type direct charge) method. In this method, as shown in FIG. 6, the device under test is connected to the device under test with the high voltage power supply Ev and the charging circuit consisting of the resistors R 1 and R 2 kept in contact with the device under test while SW 1 is opened. The charge is charged, and then SW 1 is closed to discharge the charged charge. Since the contact type direct charge has a simple circuit configuration, it is easy to realize an automatic test device.Because the electronic device is placed on the grounded metal and charged directly from the pin, the charge amount is stable. Highly reproducible tests are possible.

【0004】 しかしながら、デバイス帯電モデル(CDM)による静電破壊試験で重要なこ とは、SW1を閉じた時の試験対象デバイスの容量C0 からの放電電流を、SW1 を流れる電流でモニタすることである。図6に示す回路では、モニタされる放電 電流には、放電回路系の浮遊容量CA に帯電している電荷の放電による電流も加 算され、デバイスの充電容量C0 のみよりの放電電流の検出は困難である。そこ で本出願人により、デバイス帯電モデルに基づく、放電電流が測定可能であり、 且つ再現性の良好な静電破壊試験装置が、実願平6−387号(実用新案登録第 3003557号)に開示されている。However, what is important in the electrostatic breakdown test by the device charging model (CDM) is to monitor the discharge current from the capacitance C 0 of the device under test when SW 1 is closed by the current flowing through SW 1. That is. In the circuit shown in FIG. 6, the monitored discharge current is also added with the current due to the discharge of the electric charge charged in the stray capacitance C A of the discharge circuit system, and the discharge current of only the charge capacitance C 0 of the device is calculated. Difficult to detect. Therefore, the applicant of the present invention has disclosed an electrostatic breakdown tester capable of measuring a discharge current based on a device charging model and having good reproducibility in Japanese Patent Application No. 6-387 (utility model registration No. 3003557). It is disclosed.

【0005】 また、デバイス帯電モデル(CDM)による静電破壊試験装置には、上記以外 にも充電側と放電側を分離した、充電と放電は、機械的に試験装置側のコンタク トピンをデバイスピンに対して動かして接触させる直接方式や、高圧電極板の上 に試験対象のデバイスを載置して誘導帯電させる方式などがある。In addition to the above, an electrostatic breakdown test device using a device charging model (CDM) has a charging side and a discharging side separated. For charging and discharging, the contact pin on the testing device side is mechanically used as a device pin. There are a direct method of moving and contacting with respect to, and a method of placing the device to be tested on a high voltage electrode plate and inductively charging it.

【0006】 これらの方式に共通して重要な点は、試験対象のデバイスに対して充放電を行 う、試験装置側のコンタクトピンが、試験対象のデバイスのピンに正しく接触し ていることを検出して確認することである。両者が接触していない状態で試験装 置側から充電を開始しても、試験対象のデバイスは充電されないので、放電時の ストレスはなく、充電電圧を上昇させても破壊せず、静電破壊に非常に強いと言 う誤った結果を得てしまう。An important point common to these methods is that the contact pin on the side of the test apparatus that charges and discharges the device under test is in proper contact with the pin of the device under test. It is to detect and confirm. Even if charging is started from the test equipment side while the two are not in contact, the device under test is not charged, so there is no stress during discharge, no damage even when the charging voltage is increased, and electrostatic breakdown occurs. You get the wrong result, which is very strong.

【0007】 従来、実用新案登録第3003557号で開示された静電破壊試験装置では、 コンタクトピンの上下移動時の下方移動範囲をセンスすることにより、機械的に 該コンタクトピンとデバイスピンとの接触を検出していた。しかしながらこの方 式では、デュアルインライン型集積回路のように、試験対象デバイスのピンが上 方に向くものに対しては、うまく対応できるが、フラットパッケージに代表され るピンが水平に向いているようなデバイス形状の場合には、正しく検出すること が困難な場合がある。Conventionally, in the electrostatic breakdown test device disclosed in Utility Model Registration No. 3003557, the contact between the contact pin and the device pin is mechanically detected by sensing the downward movement range of the contact pin when moving vertically. Was. However, this method can cope well with the device under test in which the pins of the device under test face upward, such as a dual in-line type integrated circuit, but the pins typified by the flat package are oriented horizontally. In the case of a device shape, it may be difficult to detect it correctly.

【0008】 この困難を解決するために、本出願人により、コンタクトピンと試験対象デバ イスピンの接触を、接触前後の容量の微小変化をセンスすることにより電気的に 検出できるデバイス帯電モデルによる静電破壊試験装置が実願平6−5356号 (実用新案登録第3003306号)に開示されている。In order to solve this difficulty, the applicant of the present invention electrostatically breaks down the contact between the contact pin and the device under test by a device charging model that can be electrically detected by sensing a minute change in the capacitance before and after the contact. A test device is disclosed in Japanese Patent Application No. 6-5356 (utility model registration No. 3003306).

【0009】[0009]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

半導体集積回路の技術進歩は非常に速く、集積度の上昇とピンの微細化は止ま るところを知らない。その結果各々の試験対象デバイスが持つ固有静電容量が数 10pFを越えるものも多くなってきている。このような大容量の集積回路から のデバイス帯電モデルによる放電電流は、瞬間的に50アンペア以上にもなる。 このような大電流を流すためには試験対象デバイスから放電される電荷を一時的 に吸収する擬似大地金属体を大きな板(一般的には円板)状にして、試験対象デ バイスを載置している下部接地金属体と上述の擬似大地金属板とにより試験対象 デバイスを上下より至近間隔で挟む構造としなければならないことが近年判って きた。また、試験対象デバイスのピンと接触して充放電を行う充放電ピンの長さ も極めて短くしなければならない。更に試験対象デバイスのピンの形状、相互間 隔も微細化が進んでいる。従って、該充放電ピンと該試験対象デバイスピンの間 の位置合わせを、目視または拡大鏡にて相互位置を直接確認しながら行う従来の 方法は困難になってきた。 The technological progress of semiconductor integrated circuits is extremely rapid, and the increase in the degree of integration and the miniaturization of pins are unavoidable. As a result, in many cases, the intrinsic capacitance of each device under test exceeds several tens pF. The discharge current from such a large-capacity integrated circuit according to the device charging model instantaneously exceeds 50 amperes. In order to pass such a large current, a pseudo-ground metal body that temporarily absorbs the electric charge discharged from the device under test is formed into a large plate (generally a disk), and the device under test is mounted. In recent years, it has become clear that the device under test must be sandwiched between the lower grounded metal body and the above-described pseudo ground metal plate at close intervals from above and below. In addition, the length of the charging / discharging pin that contacts the pins of the device under test for charging / discharging must also be extremely short. In addition, the pin shape of the device under test and the distance between them are becoming finer. Therefore, it has become difficult to perform the conventional method of aligning the charge / discharge pin and the device pin to be tested with eyes or directly confirming the mutual position with a magnifying glass.

【0010】 本考案は、上記事情に鑑みて為されたものであり、電子デバイスの静電破壊試 験装置に、試験対象デバイスのピンを拡大画像により観測しながら位置合わせを 行い、コンタクトピンを試験対象デバイスピンに容易に位置合わせできる静電破 壊試験装置を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances. In the electrostatic breakdown test apparatus for an electronic device, the pin of the device under test is aligned while observing the pin with a magnified image, and the contact pin is attached. It is an object of the present invention to provide an electrostatic breakdown test device that can be easily aligned with a device under test.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案の静電破壊試験装置は、接地金属板上に置かれた試験対象デバイスのピ ンに試験装置側の充放電ピンを接触させて、該試験装置側から前記試験対象デバ イスを充電して、その後放電することにより前記試験対象デバイスの静電破壊耐 量を測定する静電破壊試験装置において、前記充放電ピンは擬似接地金属板上に 絶縁物を介して該板に対して垂直方向に延在するように搭載され、該擬似接地金 属板には開口を備え、該開口を介して前記試験対象デバイスを撮像可能な撮像装 置を備え、該撮像装置の光軸は、前記充放電ピンと平行であり、且つ一定の水平 方向距離に保たれ、前記撮像装置の撮像した試験対象デバイスの拡大画像上のピ ン位置から、前記充放電ピンの位置を算定して前記試験対象デバイスのピンへの 位置合わせを行うことを特徴とする。 In the electrostatic breakdown test apparatus of the present invention, the pin of the device under test placed on the grounded metal plate is brought into contact with the charging / discharging pin of the device under test to charge the device under test from the side of the device under test. Then, in the electrostatic breakdown tester that measures the electrostatic breakdown resistance of the device under test by discharging, the charging / discharging pin is placed on the pseudo-ground metal plate in a direction perpendicular to the plate through an insulator. The pseudo ground metal plate is provided with an opening, and an imaging device capable of imaging the device under test through the opening is provided. The position of the charging / discharging pin is calculated from the pin position on the enlarged image of the device under test captured by the imaging device that is parallel to the discharge pin and kept at a constant horizontal distance, and the position of the device under test is calculated. Align with pin It is characterized in.

【0012】 前記擬似接地金属板の開口の周囲に照明装置を備え、前記試験対象デバイスを 照明しながら前記撮像装置により撮像することを特徴とする。An illumination device is provided around the opening of the pseudo-grounded metal plate, and an image is taken by the imaging device while illuminating the device under test.

【0013】 又、前記撮像装置の光軸と前記充放電ピンの軸との水平方向の距離は、中心点 を有する円板状の2枚の平行平板電極を備えたコンデンサを用い、該コンデンサ の上部電極に対して水平方向に移動する前記充放電ピンからみた容量の変化を検 出する手段を用いて算定したことを特徴とする。The horizontal distance between the optical axis of the image pickup device and the axis of the charging / discharging pin is a capacitor provided with two disc-shaped parallel plate electrodes having a center point. It is characterized in that it is calculated by using a means for detecting a change in capacity as seen from the charge / discharge pin that moves in the horizontal direction with respect to the upper electrode.

【0014】[0014]

【作用】[Action]

試験対象デバイスの上部より接近する擬似大地金属板が大きくなると、試験装 置側のコンタクトピンと試験対象デバイスのピンとの間の機械的な接触を目視に より確認しながら位置合わせを行うことは事実上不可能となる。本考案により、 撮像装置により撮像された試験対象デバイスピンの拡大画像をCRTモニタに表 示することができ、試験対象デバイスピンの位置確認、コンタクトピンと試験対 象デバイスピンの位置合わせを極めて効率良く実施することが可能となり、更に 、基本となる試験対象デバイスのピンの相互位置関係のデータも、手軽に作成で きる。 When the pseudo-ground metal plate that is closer to the device under test becomes larger, it is practical to perform alignment while visually checking the mechanical contact between the test device side contact pin and the device under test. It will be impossible. According to the present invention, it is possible to display an enlarged image of the test target device pin imaged by the imaging device on the CRT monitor, and it is possible to check the position of the test target device pin and align the contact pin and the test target device pin very efficiently. It becomes possible to carry out the test, and the data of the mutual positional relationship of the pins of the device under test, which is the basis, can also be created easily.

【0015】 試験対象デバイスを照明しながら撮像することにより、試験対象デバイスが搭 載された接地金属板とその上部に位置する擬似接地金属板間の狭く、暗い空間内 でも、良好に試験対象デバイスピン位置を計測することが可能となる。By imaging the device under test while illuminating it, the device under test can be satisfactorily used even in a narrow and dark space between the ground metal plate on which the device under test is mounted and the pseudo-ground metal plate located above it. It is possible to measure the pin position.

【0016】 コンデンサの円板電極の中心点をCRTモニタ画面の十字交点に合わせ、その 座標位置を特定して、次にコンデンサの円板状の上部平行平板電極に沿ってコン タクトピンを移動させることにより、容量の変化から、コンタクトピン直下に位 置するコンデンサの円板電極の中心点座標位置を特定することができる。両者の 座標位置から、撮像装置の光軸(画面の十字交点)とコンタクトピン軸間の距離 (座標差)を測定できる。The center point of the disk electrode of the capacitor is aligned with the cross point of the CRT monitor screen, the coordinate position is specified, and then the contact pin is moved along the disk-shaped upper parallel plate electrode of the capacitor. Thus, the center point coordinate position of the disk electrode of the capacitor located immediately below the contact pin can be specified from the change in capacitance. From the coordinate position of both, the distance (coordinate difference) between the optical axis of the image pickup device (cross intersection of the screen) and the contact pin axis can be measured.

【0017】[0017]

【実施例】【Example】

以下、図1乃至図5を参照しながら本考案の一実施例の静電破壊試験装置につ いて説明する。 An electrostatic breakdown test apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 5.

【0018】 図1は、本実施例の静電破壊試験装置のプローブ部分およびこれに対する試験 対象デバイスの載置状態を図示したものである。プローブ部20には、放電電荷 を吸収する擬似接地金属体11、これに電気的に接続された擬似接地金属板15 を備えている。擬似接地金属板15には、試験対象デバイスのピンに接触して充 放電するコンタクトピン13が絶縁体17を介して固定されている。プリント基 板10は、擬似接地金属体11及び擬似接地金属板15に固定され、該プリント 基板10には、スイッチK2 ,K3 、放電スイッチK1 の駆動装置14、容量変 化検出回路のヘッド部分16等が搭載されている。放電スイッチK1 は擬似接地 金属体11の内部に、該擬似接地金属体11とコンタクトピン13との間に取り 付けられている。FIG. 1 illustrates a probe portion of an electrostatic breakdown test apparatus of this embodiment and a mounting state of a device under test for the probe portion. The probe unit 20 is provided with a pseudo ground metal body 11 that absorbs discharge charges, and a pseudo ground metal plate 15 that is electrically connected to the pseudo ground metal body 11. On the pseudo ground metal plate 15, contact pins 13 that contact and charge / discharge the pins of the device under test are fixed via an insulator 17. The printed board 10 is fixed to the pseudo ground metal body 11 and the pseudo ground metal plate 15, and the printed board 10 includes switches K 2 and K 3 , a drive device 14 for the discharge switch K 1 , and a capacitance change detection circuit. The head portion 16 and the like are mounted. The discharge switch K 1 is mounted inside the pseudo ground metal body 11 and between the pseudo ground metal body 11 and the contact pin 13.

【0019】 コンタクトピン13は、絶縁物17を介してアルミ等の擬似接地金属板15に 固定されており、試験対象デバイス21の各ピンに接触して充放電を行う。即ち 、充電時にはスイッチK2 が閉じて試験対象デバイスのピンは高電圧電源EV へ 高周波信号を分離する分離抵抗R1 を介して接続され、放電時には駆動装置14 の電磁石が通電してスイッチK1 が閉じて試験対象デバイスに帯電した電荷を擬 似接地金属体11に放電する。擬似接地金属板15は、例えばアルミ板で構成さ れ、スイッチK1 が閉じて試験対象デバイスの電荷を変位電流により放電するも ので、擬似接地金属体11の放電能力を増大させる作用を有する。The contact pins 13 are fixed to a pseudo-ground metal plate 15 such as aluminum via an insulator 17, and contact with each pin of the device under test 21 to perform charging / discharging. That is, the switch K 2 is closed during charging, and the pin of the device under test is connected to the high-voltage power source E V through the isolation resistor R 1 that isolates a high-frequency signal. When 1 is closed, the electric charge charged in the device under test is discharged to the pseudo ground metal body 11. The pseudo ground metal plate 15 is made of, for example, an aluminum plate, and when the switch K 1 is closed to discharge the electric charge of the device under test by the displacement current, it has an action of increasing the discharge capacity of the pseudo ground metal body 11.

【0020】 スイッチK1 は試験対象デバイスに充電された電荷を擬似接地金属体、擬似接 地金属板を経由して、接地金属体に放電させるための放電スイッチであり、本実 施例では水銀スイッチである。この放電スイッチは、1ns以下で50アンペア以 上の電流を流さなければならないため、リード長、駆動磁石との静電電磁結合を 極力少なくする必要があるため、電磁石とスイッチを分離する構造となっており 、図の背面よりスイッチに対して直交するように磁石の両極が接近して配置され ている。The switch K 1 is a discharge switch for discharging the electric charge charged in the device under test to the grounded metal body through the pseudo-grounded metal body and the pseudo-grounded metal plate. In this embodiment, mercury is used. It is a switch. Since this discharge switch must pass a current of 50 amps or more in 1 ns or less, it is necessary to minimize the lead length and electrostatic / electromagnetic coupling with the driving magnet. Therefore, the structure is to separate the electromagnet and the switch. The two poles of the magnet are arranged close to each other from the back of the figure so as to be orthogonal to the switch.

【0021】 抵抗R1 は放電回路と充電回路を高周波的に分離するための抵抗である。 スイッチK2 は充電時に高電圧電源を供給するためのリードリレー、スイッチ K3 は容量の変化を検出する回路を接続するためのリードリレーである。容量変 化検出回路のヘッド部分16については後述する。 絶縁物17はコンタクトピン13を擬似接地金属板15より絶縁して取り付け るために使用している。The resistor R 1 is a resistor for separating the discharging circuit and the charging circuit at high frequencies. The switch K 2 is a reed relay for supplying a high voltage power source at the time of charging, and the switch K 3 is a reed relay for connecting a circuit for detecting a change in capacity. The head portion 16 of the capacitance change detection circuit will be described later. The insulator 17 is used to insulate and attach the contact pin 13 from the pseudo ground metal plate 15.

【0022】 プローブ部20は、図示しないアーム部に固定されている。つまリプローブ部 は図示されていない水平、上下方向に自由に移動するアーム部に対して、自由に 上下移動できるようにスライド機構を介して取り付けられている。撮像装置25 であるCCDカメラヘッド22、接写アダプタ23、レンズ24を固定したCC Dカメラヘッド固定装置は同様に図示しないアーム部に直接固定されている。そ の結果プローブ部20とCCDカメラ25はアーム部を介して、位置制御機構( 図示されていない)により、水平方向(X,Y方向)に一体で移動する。プロー ブ部20の上下移動のみを自由にした理由は、コンタクトピンが試験対象デバイ スピンに接触した場合にピンに加える圧力をプローブ部20の自重程度に抑える ことにより、該試験対象デバイスピンの変形や損傷を最小限に止めるためである 。The probe unit 20 is fixed to an arm unit (not shown). The nail probe portion is attached to an arm portion (not shown) that freely moves in the horizontal and vertical directions through a slide mechanism so that it can freely move in the vertical direction. The CCD camera head 22, the close-up adapter 23, and the CCD camera head fixing device that fixes the lens 24, which is the image pickup device 25, are similarly directly fixed to an arm portion (not shown). As a result, the probe unit 20 and the CCD camera 25 are integrally moved in the horizontal direction (X, Y directions) by the position control mechanism (not shown) via the arm unit. The reason why only the vertical movement of the probe part 20 is allowed is that when the contact pin comes into contact with the device pin under test, the pressure applied to the pin is suppressed to about the weight of the probe part 20 so that the device pin under test is deformed. Or to minimize damage.

【0023】 CCDカメラヘッド22の光軸に付いている接写アダプタ23とレンズ24は 、実用的な焦点距離と拡大倍率を得るために使用している。CCDカメラヘッド はケーブル26によりCRTモニタ(図示しない)に撮像信号を伝送し、撮像さ れた映像を拡大表示する。CRTモニタの画像中心部には十字のマークが表示さ れ、CCDカメラの光軸が十字マークの交点と一致するように調整されている。 擬似接地金属板15には、CCDカメラで接地金属板28上に載置した試験
対 象デバイスのピンを観測するための円孔18と、その周囲に照光用の発光ダイオ ードを配置している。この光により擬似接地金属板と接地金属体の間隔が狭くな った時の外来光の不足を補っている。尚、照明装置としては、白熱電球等を用い ても良い。
The close-up adapter 23 and the lens 24 attached to the optical axis of the CCD camera head 22 are used to obtain a practical focal length and a magnifying power. The CCD camera head transmits an image pickup signal to a CRT monitor (not shown) through the cable 26 and enlarges and displays the imaged image. A cross mark is displayed at the center of the image on the CRT monitor, and the optical axis of the CCD camera is adjusted so as to coincide with the intersection of the cross marks. The pseudo-ground metal plate 15 is provided with a circular hole 18 for observing the pins of the test target device mounted on the ground metal plate 28 with a CCD camera, and a light emitting diode for illumination around the hole 18. There is. This light compensates for the lack of extraneous light when the space between the pseudo-ground metal plate and the ground metal body becomes narrow. An incandescent lamp or the like may be used as the lighting device.

【0024】 図1の構造で、位置制御機構により、水平位置(X,Y軸)および垂直位置( Z軸)を合わせて、試験対象デバイスの基準ピン(例えばピン1)に焦点を合わ せると、そのCRTモニタ上の画像は例えば図2となる。更に水平位置を微調節 して、充放電ピン(コンタクトピン)を接触させるべき試験対象デバイスピン上 の位置をCRTモニタ上の十字の交点に正確に合わせ、その時に位置制御機構が 示している座標値(Xm ,Ym )をコンピュータに登録しておく。 コンピュータがCCDカメラ光軸の中心点(上記十字の交点)と、該コンタク トピンの間の座標差(Xo ,Yo )を予め記憶してあれば、該基準ピンにコンタ クトピンを接触させるためのX,Y座標値は(Xm +Xo ,Ym +Yo )で直ち に計算できる。従って、位置制御機構により、コンタクトピン位置を座標(Xm +Xo ,Ym +Yo )に移動させ、プローブ部を鉛直方向に下げることにより、 コンタクトピンを正確に基準ピンに接触させることができる。In the structure of FIG. 1, when the horizontal position (X, Y axis) and the vertical position (Z axis) are adjusted by the position control mechanism to focus on the reference pin (for example, pin 1) of the device under test. The image on the CRT monitor is, for example, as shown in FIG. Further, by finely adjusting the horizontal position, the position on the pin of the device under test to which the charge / discharge pin (contact pin) should be brought into contact is accurately adjusted to the cross point of the cross on the CRT monitor. The values (X m , Y m ) are registered in the computer. If the computer stores in advance the coordinate difference (X o , Y o ) between the center point of the optical axis of the CCD camera (the intersection of the above crosses) and the contact pin, the contact pin is brought into contact with the reference pin. The X and Y coordinate values of can be calculated immediately by (X m + X o , Y m + Y o ). Therefore, the contact pin can be accurately brought into contact with the reference pin by moving the contact pin position to the coordinates (X m + X o , Y m + Y o ) by the position control mechanism and lowering the probe part in the vertical direction. .

【0025】 次にCCDカメラの光軸の中心点と、コンタクトピン軸の間の水平方向距離( 座標差)を求める方法について説明する。但し、この座標差は一度CCDカメラ ヘッドを固定すれば、これを取り外さない限り変わることはないので、頻繁に繰 り返す必要はない。 図1の試験対象デバイスの代わりに、図3で示すプリント基板30を、コンタ クトピンの可動領域のほぼ中央に載置する。この時の載置する位置は、厳密に可 動領域の中心である必要はないが、再現性のある位置に載置できる事が望ましい 。そのために専用の治具を準備している。プリント基板30は、その両面に直径 10mm程度の円板状の金メッキした銅箔面31を備え、その中心には直径0.1 mm程度の穴又はマーク32を付してあり、平行平板コンデンサ33を構成する。Next, a method for obtaining the horizontal distance (coordinate difference) between the center point of the optical axis of the CCD camera and the contact pin axis will be described. However, this coordinate difference does not change once the CCD camera head is fixed until it is removed, so there is no need to repeat it frequently. Instead of the device under test of FIG. 1, the printed circuit board 30 shown in FIG. 3 is placed at approximately the center of the movable area of the contact pin. The mounting position at this time does not have to be exactly the center of the movable area, but it is desirable that it can be mounted at a reproducible position. For that purpose, a dedicated jig is prepared. The printed circuit board 30 has a disk-shaped gold-plated copper foil surface 31 with a diameter of about 10 mm on both sides, and a hole or mark 32 with a diameter of about 0.1 mm is attached to the center thereof. Make up.

【0026】 図3で示したプリント基板30は、右上部に十文字パターン(銅箔で形成して も、シルク印刷で形成してもどちらでも良い)を含んでいる。平行平板コンデン サ33は、下記に詳述するように、CCDカメラの光軸と、コンタクトピン軸の 間の座標差を求める際に使用する。右上部の十文字は、CCDカメラ25を試験 装置側の可動アームに固定する際に、その回転角度を調節するためのパターンで ある。CCDカメラの断面は円形のため、固定時の回転角によってCRTモニタ 画面上の上下左右と試験対象デバイスを載置する台上の前後左右の関係を正しく 調節して固定しておかないと、位置関係がずれてくる。CCDカメラは試験対象 デバイスを真上より観測するので、試験対象デバイスの左右方向がCRTモニタ 画面上で左右方向に、そして試験対象デバイスの手前側がCRTモニタ画面上で 下、試験対象デバイスの奥側が同じく上になり、しかもXY方向に十文字が平行 になるようにCRTモニタ画面上の十文字と正確に重ね合うように、CCDカメ ラの回転角度を決めて固定した後に、以下の操作によりCCDカメラの中心点と コンタクトピンの間の座標差を求める以下の手順を実行する。The printed circuit board 30 shown in FIG. 3 includes a cross pattern (which may be formed of copper foil or silk printing) in the upper right portion. The parallel plate capacitor 33 is used when determining the coordinate difference between the optical axis of the CCD camera and the contact pin axis, as described in detail below. The cross-shaped character on the upper right is a pattern for adjusting the rotation angle when the CCD camera 25 is fixed to the movable arm on the test apparatus side. Since the CCD camera has a circular cross section, it is necessary to properly adjust and fix the relationship between the vertical and horizontal directions on the CRT monitor screen and the front, back, left and right on the table on which the device under test is mounted, depending on the rotation angle when the position is fixed. The relationship is shifting. Since the CCD camera observes the device under test from directly above, the left and right direction of the device under test is left and right on the CRT monitor screen, the front side of the device under test is down on the CRT monitor screen, and the back side of the device under test is The CCD camera's rotation angle is fixed and fixed so that it is exactly on top of the CRT monitor screen so that the ten characters are parallel to each other in the X and Y directions. Perform the following steps to find the coordinate difference between a point and a contact pin.

【0027】 最初に図3で示した平行平板コンデンサ33の中心マーク32にCCDカメラ の光軸を合わせ、これをCRTモニタの十字マークの交点の位置に調節する。こ の時の位置制御機構が示すX,Y座標値(Xom,Yom)をコンピュータに登録し ておく。First, the optical axis of the CCD camera is aligned with the center mark 32 of the parallel plate capacitor 33 shown in FIG. 3, and this is adjusted to the position of the intersection of the cross marks of the CRT monitor. The X and Y coordinate values (X om , Y om ) indicated by the position control mechanism at this time are registered in the computer.

【0028】 その後試験装置側をスイッチK3 を閉じて容量変化検出モード(スイッチK2 は開いておく)とし、図3で示した平行平板コンデンサ33の上を、X方向(左 から右へ,Y座標は固定)、コンタクトピン13を基板30表面上に順次接触さ せながら走査する。コンタクトピン13が金メッキ部分31に接触するまではプ リント基板に接触する前後の容量変化は極めて小さいが、金メッキ部分に接触す ると、前後の容量変化は約2pFとなり、容量変化検出モードでは、この変化を 検出できる。更にコンタクトピン13を右方向へ移動して行くと、金メッキ部分 31が終了する。この境界点のX座標をそれぞれX1 ,X2 とする。ここではコ ンタクトピンが実際に平行平板コンデンサに接触しているので、これらX1,X2 はコンタクトピンの実座標である。 次に、X座標を固定してY方向へ(奥より手前へ)コンタクトピン13を移動 させ、同様に金メッキ部分31の境界点の座標を求め、Y1 ,Y2 とする。After that, the test apparatus side is switched to the switch K.3 Closed and the capacitance change detection mode (switch K2 Is left open), and the parallel plate capacitor 33 shown in FIG. 3 is scanned in the X direction (from left to right, the Y coordinate is fixed) while sequentially contacting the contact pins 13 on the surface of the substrate 30. . The capacitance change before and after contacting the printed board is extremely small until the contact pin 13 contacts the gold-plated portion 31, but when the contact pin 13 contacts the gold-plated portion, the capacitance change before and after becomes about 2 pF, and in the capacitance change detection mode, This change can be detected. When the contact pin 13 is further moved to the right, the gold-plated portion 31 ends. X coordinate of this boundary point1, X2And Since the contact pin actually contacts the parallel plate capacitor here, these X1, X2  Is the actual coordinates of the contact pin. Next, with the X coordinate fixed, the contact pin 13 is moved in the Y direction (toward the back), and similarly, the coordinates of the boundary point of the gold-plated portion 31 are obtained.1, Y2And

【0029】 上記測定より平行平板コンデンサの中心点の座標(Xc,YC)は次式で計算で きる。 Xc =(X1 +X2)/2 Yc =(Y1 +Y2)/2 上記よりコンタクトピン軸とCCDカメラの光軸の中心点との座標値の差XO , YO は下式で計算できる。 XO =Xom−XcO =Yom−Yc この値をコンピュータに登録しておくことにより、CCDカメラ25でCRT モニタ画面上で拡大画像により試験対象デバイスのピンの位置合わせを行った後 に、位置制御機構でアーム位置(図示しない)をこの座標差だけ水平方向に移動 させる。そして、上下方向にプローブ部を移動させることにより、コンタクトピ ン13を試験対象デバイスピンに正確に接触させることができる。From the above measurement, the coordinates (X c , Y C ) of the center point of the parallel plate capacitor can be calculated by the following equation. X c = (X 1 + X 2 ) / 2 Y c = (Y 1 + Y 2 ) / 2 From the above, the difference X O and Y O in the coordinate value between the contact pin axis and the center point of the optical axis of the CCD camera is Can be calculated by By X O = X om -X c Y O = Y om -Y c registering this value to the computer, performing a positioning pin of the device under test by the enlarged image in a CRT monitor screen by the CCD camera 25 Then, the position control mechanism horizontally moves the arm position (not shown) by this coordinate difference. Then, by moving the probe unit in the vertical direction, the contact pin 13 can be brought into accurate contact with the device pin to be tested.

【0030】 なお、平行平板コンデンサの境界位置を計測するために行う上記走査のステッ プは、位置制御機構の持つ最高分解能(最小送りステップ)で行うべきである。 なぜならば、該分解能がXO ,YO の計算値に期待される誤差を決定するからで ある。ちなみに本出願人の製造する静電破壊試験装置では、最小送りステップは 10μmである。実用的には、10μmの一定ステップでX1 ,X2 ,Y1 ,Y 2 を探すと非常に長時間を要するので、ステップを少しずつせばめて、最後に1 0μmで動かして境界を決定するいわゆる逐次比較方式を採用している。The above scanning step for measuring the boundary position of the parallel plate capacitor should be performed with the highest resolution (minimum feed step) of the position control mechanism. Because the resolution is XO, YOThis is because it determines the expected error in the calculated value of. By the way, in the electrostatic breakdown test apparatus manufactured by the applicant, the minimum feeding step is 10 μm. Practically, X can be performed in a constant step of 10 μm.1 , X2 , Y1 , Y 2 Since it takes a very long time to search for, a so-called successive approximation method is adopted in which steps are stepped little by little and the boundary is finally moved by moving 10 μm.

【0031】 以上、円形の平行平板電極を有する平行平板コンデンサを使用してコンタクト ピン軸とCCDカメラの光軸との座標値の差を算出する一実施例に関して説明し たが、該座標値の差を算出するには、円形の平行平板電極を有する平行平板コン デンサに限定する必要はなく、上部電極面の形状があらかじめ判っており、その 境界とCCDカメラで撮像する位置マークとの相互位置が決まっているものであ れば何でも使用できる。例えば、正方形、長方形、長円形などでも良く、中心点 マークも1個に限らず、X方向、Y方向に各1個ずつあっても良い。更に、電極 面の境界との位置関係が決まっていれば中心点でなくても良い。 また、接地金属体上に載置して使用することを考えれば下面電極はなくても良 い。As described above, one example of calculating the difference in coordinate value between the contact pin axis and the optical axis of the CCD camera using the parallel plate capacitor having the circular parallel plate electrodes has been described. To calculate the difference, it is not necessary to limit to a parallel plate capacitor having circular parallel plate electrodes, the shape of the upper electrode surface is known in advance, and the mutual position of the boundary and the position mark imaged by the CCD camera Anything can be used as long as it is decided. For example, it may be a square, a rectangle, an oval, or the like, and the number of center point marks is not limited to one, and there may be one in the X direction and one in the Y direction. Further, if the positional relationship with the boundary of the electrode surface is determined, it may not be the center point. Further, considering that it is used by placing it on the grounded metal body, the lower surface electrode may be omitted.

【0032】 次に、コンタクトピンと平行平板コンデンサまたは試験対象デバイスピンの接 触を微小容量の変化をセンスすることにより検出する方法を説明する。このよう な機能を持った静電破壊試験装置は、本出願人により実願平6−5356号(実 用新案登録第3003306号)にて開示されているが、本考案の実施例では検 出回路に改造が加えられている。Next, a method of detecting the contact between the contact pin and the parallel plate capacitor or the device pin to be tested by sensing a change in minute capacitance will be described. An electrostatic breakdown tester having such a function is disclosed by the applicant in Japanese Patent Application No. 6-5356 (utility model registration No. 3003306), but it is detected in the embodiment of the present invention. The circuit has been modified.

【0033】 図5にその回路図を示す。図5の波線部で囲まれた部分は、図1のプローブ部 29のプリント基板10上の、容量変化検出回路のヘッド部分16に実装されて いる。このヘッド部分16は、C1 ,C2 ,C3 ,C4 の4個のコンデンサで構 成されるブリッジ回路と、D1 ,D2 ,D3 ,D4 の4個のダイオードで構成さ れるブリッジ形整流回路を組み合わせたものである。図1のスイッチK3 と抵抗 R1 を介してコンタクトピンへ接続された回路の浮遊容量を含む容量CX が零で あれば、C1 〜C4 で形成されるブリッジは平衡状態となり、AB間は同電位と なる。実際には、容量CX は零ではなく、コンタクトピンの先端が図3で示す平 行平板コンデンサの電極(金メッキ部分)または試験対象デバイスピンに接触す ると、その前後で変化する容量となる。この容量変化がAB間の信号振幅の変化 となって検出される。ダイオードD1 〜D4 の無い通常のブリッジ(C1 〜C4 のみ)であれば、この変化は交流信号の振幅変化となって現れるが、本考案では この交流信号の振幅変化をブリッジ整流しているので交流成分の重畳した直流電 位差として得られる。ローパスフィルタはその中の交流成分を除去する目的で使 用している。更にA,B間の電位差を差動増幅器により、検出してアナログ・デ ジタル(AD)変換器で数値に変換し、コンピュータで読み取らせている。コン ピュータはAD変換器より読み取った数値の変化分を知る事によりコンタクトピ ンの先端が平行平板コンデンサ(図3)の電極部31に接触したか、または、電 極の無い部分(金メッキ以外の部分)に接触したかを認識できる。または、実試 験時に、コンタクトピンが試験対象デバイスのピンに接触したかどうかを識別す ることができる。正弦波発振器は、出力周波数50kHz、出力振幅2V程度の ものを使用しているが、ローパスフィルタの帯域を適切に設定すれば周波数の値 は大きな問題ではない。出力振幅に関してはダイオードD1 〜D4 の順方向電圧 降下の温度変動が大きく影響を与えない程度以上の振幅とすることが望ましい。 抵抗R1 ,R2 は、ブリッジの動作にローパスフィルタ側への配線が影響を与 えないようにするための分離用抵抗である。FIG. 5 shows a circuit diagram thereof. The portion surrounded by the wavy line portion in FIG. 5 is mounted on the head portion 16 of the capacitance change detection circuit on the printed circuit board 10 of the probe portion 29 in FIG. The head portion 16 is composed of a bridge circuit composed of four capacitors C 1 , C 2 , C 3 and C 4 and four diodes D 1 , D 2 , D 3 and D 4. It is a combination of bridge type rectifier circuits. If the capacitance C X including the stray capacitance of the circuit connected to the contact pin via the switch K 3 and the resistor R 1 in FIG. 1 is zero, the bridge formed by C 1 to C 4 is in a balanced state and AB The potentials are the same. Actually, the capacitance C X is not zero, and when the tip of the contact pin comes into contact with the electrode (gold-plated portion) of the flat plate capacitor shown in FIG. 3 or the device pin to be tested, the capacitance changes before and after that. . This capacitance change is detected as a change in signal amplitude between AB. With a normal bridge without diodes D 1 to D 4 (only C 1 to C 4 ), this change appears as a change in the amplitude of the AC signal, but in the present invention, the change in the amplitude of the AC signal is bridge rectified. Therefore, it is obtained as a DC potential difference with an AC component superimposed. The low pass filter is used to remove the AC component in it. Further, the potential difference between A and B is detected by a differential amplifier, converted into a numerical value by an analog digital (AD) converter, and read by a computer. The computer knows the amount of change in the value read from the AD converter, and either the tip of the contact pin contacts the electrode part 31 of the parallel plate capacitor (Fig. 3), or there is no electrode (other than gold plating). Part) can be recognized. Alternatively, during the actual test, it is possible to identify whether the contact pin contacts the pin of the device under test. The sine wave oscillator used has an output frequency of 50 kHz and an output amplitude of about 2 V. However, if the band of the low pass filter is set appropriately, the frequency value is not a big problem. With respect to the output amplitude, it is desirable to set the amplitude to such an extent that the temperature fluctuation of the forward voltage drop of the diodes D 1 to D 4 does not have a great influence. The resistors R 1 and R 2 are isolation resistors for preventing the wiring of the low pass filter from affecting the operation of the bridge.

【0034】 本実施例の静電破壊試験装置では、試験対象デバイスピンに対してコンタクト ピンを降下させた後に、上述した容量検出回路を用いて接触の確認を行う。そし て、確認後に試験対象デバイスを充電して、次に放電して放電耐量の測定を行う 。そして、確認後に試験対象デバイスを充電して、次に放電して放電耐量の測定 を行う。このように静電容量の変化により接触の有無を確認する機能を備えるこ とから、極めて信頼度の高い静電破壊試験装置を提供できる。In the electrostatic breakdown test apparatus of this embodiment, after the contact pin is lowered with respect to the device pin to be tested, the contact is confirmed using the capacitance detection circuit described above. Then, after confirmation, the device under test is charged and then discharged to measure the discharge withstand voltage. After confirmation, the device under test is charged, then discharged and the discharge withstand capability is measured. As described above, since the device has the function of confirming the presence or absence of contact based on the change in capacitance, it is possible to provide an electrostatic breakdown test device with extremely high reliability.

【0035】 尚、本実施例は位置制御機構により、プローブ部及びCCDカメラを搭載した アーム側を移動させる例について説明したが、試験対象デバイスを搭載した接地 金属体側を移動させるようにしても勿論よい。又、擬似接地金属板の外側にCC Dカメラを配置して、擬似接地金属板の開口を介することなく直接試験対象デバ イスを撮像するようにしてもよい。このように本発明の趣旨を逸脱することなく 、種々の変形実施例が可能である。In the present embodiment, an example in which the position control mechanism moves the arm side on which the probe unit and the CCD camera are mounted has been described, but it goes without saying that the ground metal body side on which the device to be tested is mounted may be moved. Good. Alternatively, a CCD camera may be arranged outside the pseudo-ground metal plate to directly image the device under test without going through the opening of the pseudo-ground metal plate. As described above, various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0036】[0036]

【考案の効果】[Effect of device]

以上に説明したように、本考案によれば静電破壊試験装置において試験装置側 のコンタクトピンと、試験対象デバイスピンの位置合わせ作業が簡素化でき、放 電電流の大きいデバイスに対処するために疑似接地金属板をデバイスの上部に近 接して設置して、目視が困難な場合にも確実に位置合わせ作業が可能となる。更 に、実テスト時にコンタクトピンと試験対象デバイスピンの接触が、静電容量の 変化を求めることにより電気的に確実に検出される。 As described above, according to the present invention, it is possible to simplify the work of aligning the contact pin on the test device side with the device pin to be tested in the electrostatic breakdown test device, and in order to deal with a device with a large discharge current, a pseudo test is performed. The ground metal plate can be placed close to the top of the device to ensure reliable alignment even when it is difficult to see it. Furthermore, the contact between the contact pin and the device pin under test during the actual test can be reliably detected electrically by determining the change in capacitance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の静電破壊試験装置のプロー
ブ部周辺の説明図。
FIG. 1 is an explanatory diagram around a probe unit of an electrostatic breakdown test apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】撮像装置による撮像画像の一例を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of an image captured by the image capturing apparatus.

【図3】平行平板コンデンサの(A)上面図、(B)側
断面図。
FIG. 3A is a top view of a parallel plate capacitor, and FIG.

【図4】撮像装置の光軸と充放電ピンの軸との座標差を
算定する説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram for calculating a coordinate difference between an optical axis of the image pickup device and an axis of a charge / discharge pin.

【図5】容量変化検出回路の回路図。FIG. 5 is a circuit diagram of a capacitance change detection circuit.

【図6】デバイス帯電モデルによる静電破壊耐量の測定
の原理を示す回路図。
FIG. 6 is a circuit diagram showing the principle of electrostatic breakdown withstand measurement by a device charging model.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 擬似接地金属体 13 コンタクトピン 15 擬似接地金属板 20 プローブ部 21 試験対象デバイス 25 撮像装置(CCDカメラ) 27 照明装置 11 Pseudo Ground Metal Body 13 Contact Pins 15 Pseudo Ground Metal Plate 20 Probe Part 21 Device Under Test 25 Imaging Device (CCD Camera) 27 Illumination Device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G01R 31/28 (72)考案者 松浦 克夫 東京都国立市谷保6442番地第一日衛ビル 東京電子交易株式会社内 (72)考案者 磯福 佐東至 東京都国立市谷保6442番地第一日衛ビル 東京電子交易株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical display location G01R 31/28 (72) Creator Katsuo Matsuura 6442 Taniho, Ichiho, Tokyo Metropolitan Government Daiichi Sanei Building Within Trading Co., Ltd. (72) Inventor Isofuku Satoshi Toru Satoshi Tokyo National City City, Ippei 6442, Daiichi Niseki Building Tokyo Electronic Trading Co., Ltd.

Claims (4)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 試験対象デバイスのピンに試験装置側の
充放電ピンを接触させて、該試験装置側から前記試験対
象デバイスを充電して、その後放電することにより前記
試験対象デバイスの静電破壊耐量を測定する静電破壊試
験装置において、前記試験対象デバイスを撮像可能な撮
像装置を備え、前記撮像装置の撮像した拡大画面を利用
して該撮像装置の光軸と前記充放電ピンの間の距離を算
出する手段を備え、前記撮像装置の撮像した試験対象デ
バイスの拡大画像上のピン位置から、前記試験対象デバ
イスのピンと前記試験装置側の充放電ピンの位置合わせ
を行うことを特徴とする静電破壊試験装置。
1. An electrostatic breakdown of the device under test by charging and discharging the device under test from the device under test by contacting a pin of the device under test with a charge / discharge pin of the device under test. In an electrostatic breakdown test apparatus for measuring withstand voltage, an image pickup apparatus capable of picking up an image of the device under test is provided, and an enlarged screen imaged by the image pickup apparatus is used to connect an optical axis between the image pickup apparatus and the charge / discharge pin. A means for calculating a distance is provided, and the pin of the device under test and the charge / discharge pin on the side of the test device are aligned from the pin position on the enlarged image of the device under test captured by the imaging device. Electrostatic breakdown test equipment.
【請求項2】 試験対象デバイスのピンに試験装置側の
充放電ピンを接触させて、該試験装置側から前記試験対
象デバイスを充電して、その後放電することにより前記
試験対象デバイスの静電破壊耐量を測定する静電破壊試
験装置において、前記試験対象デバイスを撮像可能な撮
像装置を備え、該撮像装置の光軸は、前記充放電ピンと
平行であり、且つ一定の水平方向距離に保たれ、前記撮
像装置の撮像した試験対象デバイスの拡大画像上のピン
位置から、前記充放電ピンの位置を算定して前記試験対
象デバイスとの位置合わせを行う装置であって、前記撮
像装置の光軸と前記充放電ピンの軸との水平方向の距離
は、金属パターンを表面に備え、接地金属板上に固定さ
れた絶縁基体を用い、該絶縁基体上を移動する充放電ピ
ンの移動に伴う充放電ピンから見た容量の変化を検出す
る手段を用いて算定することを特徴とする静電破壊試験
装置。
2. An electrostatic breakdown of the device under test by charging a pin of the device under test with a charge / discharge pin of the device under test, charging the device under test from the side of the device under test, and then discharging the device. In an electrostatic breakdown test apparatus for measuring withstand voltage, an image pickup apparatus capable of picking up an image of the device under test is provided, the optical axis of the image pickup apparatus is parallel to the charge / discharge pins, and is kept at a constant horizontal distance, A device for calculating the position of the charging / discharging pin from the pin position on the enlarged image of the device under test captured by the imaging device to perform alignment with the device under test, and an optical axis of the imaging device. The horizontal distance from the axis of the charging / discharging pin is an insulating substrate provided with a metal pattern on the surface and fixed on a ground metal plate, and charging / discharging along with the movement of the charging / discharging pin moving on the insulating substrate. An electrostatic breakdown test device characterized by being calculated using a means for detecting a change in capacitance as seen from an electric pin.
【請求項3】 接地金属板上に固定された試験対象デバ
イスを該設置金属板との間にはさむ形で構成する擬似接
地金属板に、これを経由して試験対象デバイスを撮像す
るための開口部を備え、更にその周囲に照明装置を備
え、前記試験対象デバイスを照明しながら前記撮像装置
により撮像することを特徴とする請求項1又は2記載の
静電破壊試験装置。
3. A pseudo-ground metal plate which is formed by sandwiching a device under test fixed on a grounded metal plate between the device and the installation metal plate, and an opening for taking an image of the device under test via the pseudo-grounded metal plate. The electrostatic breakdown test apparatus according to claim 1 or 2, further comprising: a section, further comprising an illuminating device around the section, and imaging with the imaging device while illuminating the device under test.
【請求項4】 接地金属板上に固定された試験対象デバ
イスのピンに試験装置側の充放電ピンを位置合わせする
ための撮像手段と、位置合わせ後の両ピン間の接触を容
量変化の検出により確認する手段と、前記充放電ピンを
介して試験対象デバイスを充電する手段と、試験対象デ
バイスに帯電した電荷を放電させる手段とを備えたこと
を特徴とする静電破壊試験装置。
4. An image pickup means for aligning a charge / discharge pin on the test apparatus side with a pin of a device under test fixed on a grounded metal plate and a contact between the pins after alignment is detected as a capacitance change. And a means for charging the device under test through the charging / discharging pin, and a device for discharging the electric charge charged in the device under test.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116609604A (en) * 2023-05-31 2023-08-18 武汉云岭光电股份有限公司 Electrostatic discharge testing system and method
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