JP3004931B2 - Method for manufacturing semiconductor connection board and bare chip mounting board - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor connection board and bare chip mounting board

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JP3004931B2
JP3004931B2 JP2137297A JP2137297A JP3004931B2 JP 3004931 B2 JP3004931 B2 JP 3004931B2 JP 2137297 A JP2137297 A JP 2137297A JP 2137297 A JP2137297 A JP 2137297A JP 3004931 B2 JP3004931 B2 JP 3004931B2
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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はベアチップ等の半導
体チップをプリント基板に搭載するための半導体接続基
板の製造方法及びベアチップ搭載ボードに関し、特に高
配線密度のチップを配線密度の低いプリント基板に搭載
するためのその半導体接続基板の製造方法及び高密度実
装のベアチップ搭載ボードに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor connection board for mounting a semiconductor chip such as a bare chip on a printed circuit board and a bare chip mounting board, and more particularly to mounting a chip having a high wiring density on a printed circuit board having a low wiring density. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor connection substrate for performing the method and a bare chip mounting board for high-density mounting.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウエハー上に形成された後ダイ
シングされた状態のLSIなどの半導体チップを電気的
に機能させるためには、チップの電極をプリント配線板
の配線に電気的に接続しなければならない。そこで、一
般的にはチップをリードフレームに接続するとともに封
止し、チップが封止された筐体(以下、チップパッケー
ジと呼ぶ)をプリント配線板に接続している。
2. Description of the Related Art In order to electrically function a semiconductor chip such as an LSI which has been formed on a silicon wafer and then diced, electrodes of the chip must be electrically connected to wiring of a printed wiring board. No. Therefore, in general, a chip is connected to a lead frame and sealed, and a housing in which the chip is sealed (hereinafter, referred to as a chip package) is connected to a printed wiring board.

【0003】このチップパッケージに要求される機能は
チップの保護、チップ−プリント配線板間の電気的接続
の確立、熱放散である。ここで電気的接続を確立するに
はチップレベルの微小配線を、プリント配線板に接続可
能な広い配線にしなければならない。つまり、電極のピ
ンのピッチを拡大し、配線密度の変換を行う必要があ
る。
The functions required for the chip package are protection of the chip, establishment of an electrical connection between the chip and the printed wiring board, and heat dissipation. Here, in order to establish the electrical connection, the minute wiring at the chip level must be a wide wiring connectable to a printed wiring board. That is, it is necessary to increase the pitch of the electrode pins and convert the wiring density.

【0004】ピンピッチを拡大する手段としては、ワイ
ヤーボンディングによりチップのボンディングパッドと
リードフレーム側の配線とを接続し、各配線を間隔の広
いピンに接続することによりピンピッチを拡大するとい
う技術が広く使用されている。ところが、近年はチップ
の高性能化にともなうI/O(Input/Output)の増加か
ら、ボンディングパッド及びリードフレームのピン数が
増加している。そのため、多量のボンディングパッドに
対して1つ1つワイヤーをボンディングしていたので
は、パッド数に比例してボンディング時間が長くなって
しまう。
As a means for expanding the pin pitch, a technique is widely used in which a bonding pad of a chip is connected to a wiring on a lead frame side by wire bonding, and the pin pitch is expanded by connecting each wiring to a pin having a large interval. Have been. However, in recent years, the number of bonding pads and the number of pins of a lead frame have been increasing due to an increase in I / O (Input / Output) accompanying higher performance of chips. Therefore, if wires are bonded one by one to a large number of bonding pads, the bonding time becomes longer in proportion to the number of pads.

【0005】また、チップの多ピン化に伴いピンピッチ
も狭くせざるを得ない。そのため、リードフレームを短
絡させずにプリント配線板に接続することが次第に難し
くなってきている。以上のような理由から、ワイヤーボ
ンディングに変わる方法が必要とされている。
[0005] Further, as the number of pins of a chip increases, the pin pitch must be narrowed. Therefore, it is becoming increasingly difficult to connect the lead frame to the printed wiring board without short-circuiting. For these reasons, there is a need for a method that replaces wire bonding.

【0006】そこで、最近ではチップ側のパッドにバン
プを設け、そのバンプによって半導体接続用基板に実装
するフリップチップ接続方式が提案されている。この方
式によれば、各バンプの配線を同時に接続できるため、
パッド数が増えることによる作業時間の増加は小さくな
る。また、ワイヤーボンディング方式にくらべ単位面積
当たりの接続端子を多くとることができ、かつボンディ
ングパッドを任意の位置に配置できるため、多ピン化に
よりピンピッチが狭くなるという問題を緩和することが
できる。さらに、単位面積当たりの接続端子を多くとれ
ることは、パッケージの小型化、高密度化にもつなが
る。
Therefore, recently, a flip-chip connection method has been proposed in which a bump is provided on a pad on the chip side and the bump is mounted on a semiconductor connection substrate. According to this method, the wiring of each bump can be connected simultaneously,
The increase in working time due to the increase in the number of pads is reduced. Further, compared to the wire bonding method, more connection terminals per unit area can be obtained, and the bonding pads can be arranged at arbitrary positions. Therefore, the problem that the pin pitch is narrowed by increasing the number of pins can be reduced. Further, obtaining more connection terminals per unit area leads to a reduction in the size and density of the package.

【0007】また、パッケージの形状により多ピン化に
対応する技術として、BGA(ボールグリッドアレイ)
等のように接続端子をアレイ状(格子状)に設けるもの
も実用化されつつある。接続端子をアレイ状にすること
により、限られたスペースを効率良く使用することがで
き、パッケージの小型化がさらに進められる。
[0007] As a technology corresponding to the increase in the number of pins depending on the shape of the package, BGA (ball grid array) has been proposed.
Also, those in which connection terminals are provided in an array (lattice-like) such as described above are being put to practical use. By forming the connection terminals in an array, a limited space can be used efficiently, and the size of the package can be further reduced.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プの小型化、高性能化の技術の進歩が著しいなかで、B
GAのように端子をアレイ状に並べて接続するパッケー
ジ方法が多ピン化への対応として開発されている。しか
し、機器のさらなる軽薄短小化が求められるなかで、端
子電極をアレイ状に並べるパッケージを実現するために
はこれまで以上に微細な配線をもつパッケージング基板
材料が必要となる。
By the way, as the technology for miniaturizing and improving the performance of semiconductor chips is remarkable, B
A package method of connecting terminals by arranging them in an array like a GA has been developed to cope with the increase in the number of pins. However, as devices are required to be further reduced in weight and size, a packaging substrate material having finer wiring is required to realize a package in which terminal electrodes are arranged in an array.

【0009】また、現状高密度配線されるチップのパッ
ケージング基板材料としてはセラミックが一般的である
が、平坦性が低いことや階層配線の必要性から大型とな
り安価でなくなる等の課題がある。
Further, ceramics are generally used as a packaging substrate material for chips to be wired at a high density at present. However, there are problems such as low flatness and necessity of hierarchical wiring, resulting in large size and inexpensiveness.

【0010】一方、プリント配線板の配線を高密度化す
ることにより、高配線密度のチップをプリント配線板に
接続することも可能であるが、現実においては、1つの
プリント配線板に実装される電子部品全てが高配線密度
を有するとは考えづらい。即ち、比較的ピンピッチの広
い表面実装部品とピンピッチの狭い部品との混載が広く
行われると考えられる。例えば、比較的低い配線密度の
プリント配線板に1〜2ヶの高性能(高配線密度)チッ
プを接続したいとのニーズが生ずると考えられる。従っ
て、ピンピッチの最も狭い部品に合わせたプリント配線
板を使用することは、製造コストの面で実用的ではな
い。つまり、コストを抑えるには、プリント配線板を高
密度にすることなく、高配線密度のチップを実装できな
ければならない。
On the other hand, it is possible to connect a high-wiring-density chip to the printed wiring board by increasing the wiring density of the printed wiring board, but in reality, it is mounted on one printed wiring board. It is difficult to assume that all electronic components have a high wiring density. That is, it is considered that mixed mounting of a surface mount component having a relatively large pin pitch and a component having a relatively small pin pitch is performed widely. For example, it is considered that there is a need to connect one or two high performance (high wiring density) chips to a printed wiring board having a relatively low wiring density. Therefore, it is not practical to use a printed wiring board that matches a component having the narrowest pin pitch in terms of manufacturing costs. That is, in order to suppress the cost, it is necessary to mount a chip with a high wiring density without increasing the density of the printed wiring board.

【0011】なお、高配線密度のチップが実装可能な半
導体接続基板が提供された場合には、その半導体接続基
板を利用したベアチップ搭載ボードが作れる。このベア
チップ搭載ボードは、複数のベアチップを搭載してマル
チチップモジュール(MCM)とすることができるが、
各ベアチップは電極端子の数が多いため、それらを接続
するための配線の数も多くなる。この配線を基板表面に
配置すると、配線の占有する面積が広くなってしまい、
ベアチップ搭載ボードの十分な小型化が図れなくなる虞
がある。しかも、ベアチップ搭載ボードの機能を高性能
化するには、半導体チップやその他の電子部品の間の配
線の距離が短いほどよい。すなわち、搭載されるチップ
や電子部品の配線を効率よく行う必要がある。
When a semiconductor connection board on which a chip having a high wiring density can be mounted is provided, a bare chip mounting board using the semiconductor connection board can be manufactured. This bare chip mounting board can be a multi-chip module (MCM) by mounting a plurality of bare chips,
Since each bare chip has a large number of electrode terminals, the number of wirings for connecting them is also large. When this wiring is arranged on the surface of the board, the area occupied by the wiring becomes large,
There is a possibility that the bare chip mounting board cannot be sufficiently reduced in size. In addition, in order to improve the function of the bare chip mounting board, it is better that the wiring distance between the semiconductor chip and other electronic components is shorter. That is, it is necessary to efficiently carry out wiring of chips and electronic components to be mounted.

【0012】以上のように、ベアチップ等のパッケージ
技術として、チップの多ピン化へ対応し、かつ高配線密
度のプリント配線板へも、低配線密度のプリント配線板
へも接合可能な基板を安価に製造する方法が求められて
いるとともに、複数のベアチップを搭載したボードの配
線を効率よく行うことも求められている。
As described above, as a package technology for a bare chip or the like, a substrate that can be connected to a high-density printed wiring board and that can be bonded to a low-wiring-density printed wiring board is inexpensive as a package technology for a chip. There is also a demand for a method of manufacturing such a board, and efficient wiring of a board on which a plurality of bare chips are mounted.

【0013】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、半導体チップをパッケージングする際に、比
較的少ない材料で、かつ短い工程でピンピッチを拡大で
きる半導体接続基板の製造方法を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above points.
And than, a semiconductor chip at the time of packaging, and aims to provide a relatively little material, and a semiconductor connecting substrate manufacturing method capable of expanding the pin pitch in a short step
I do.

【0014】また、本発明のの目的は、極めて短い距
離でチップ間の配線が行われたベアチップ搭載ボードを
提供することである。
It is another object of the present invention to provide a bare chip mounting board in which wiring between chips is performed at a very short distance.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、複数の半導体チップを基板に接続するた
めの半導体接続基板の製造方法において、フォトリソグ
ラフィにより、感光性ガラス基板の所定の位置に前記感
光性ガラス基板を貫通する複数の孔をあけ、前記感光性
ガラス基板の一方の面に導体膜を形成し、メッキによ
り、前記孔の内部を埋め、さらに前記感光性ガラス基板
の面上に盛り上がるまで導体を成長させる ことによりバ
ンプを形成し、前記導体膜をフォトリソグラフィで現
像、及びエッチングをすることにより、前記孔の間隔と
異なる間隔で配置された複数の接続端子と、前記バンプ
を形成する導体とを電気的に接続する配線を形成する、
ことを特徴とする半導体接続基板の製造方法が提供され
る。
According to the present invention, in order to solve the above problems, a plurality of semiconductor chips are connected to a substrate.
Photolithography in a method of manufacturing a semiconductor connection substrate for
The luffy allows the aforementioned feeling to be in a predetermined position on the photosensitive glass substrate.
Drilling a plurality of holes through the light-sensitive glass substrate,
A conductive film is formed on one side of the glass substrate and
Filling the inside of the hole, and further comprising the photosensitive glass substrate.
By growing the conductor until it rises
The conductor film by photolithography.
By image and etching, the distance between the holes and
A plurality of connection terminals arranged at different intervals and the bumps;
Forming wiring that electrically connects the conductors that form
A method for manufacturing a semiconductor connection substrate is provided.

【0016】また、半導体チップをプリント基板に接続
するための半導体接続基板の製造方法において、フォト
リソグラフィにより、感光性ガラス基板の外周に一列と
なる位置に、前記感光性ガラス基板を貫通する複数の孔
をあけ、スパッタリングにより、前記感光性ガラス基板
の一方の配線面と前記孔の内壁とに導体膜を形成し、メ
ッキにより前記導体膜を成長させ、前記導体膜をフォト
リソグラフィで現像及びエッチングをすることにより、
前記半導体チップの配線密度に応じた間隔で前記感光性
ガラス基板の一方の面上に配置された複数の高密度端子
と、前記孔の内壁とを電気的に接続する配線を形成
前記孔の位置に沿って前記感光性ガラス基板を切断す
る、ことを特徴とする半導体接続基板の製造方法が
供される。
Further, in a method of manufacturing a semiconductor connection substrate for connecting a semiconductor chip to a printed circuit board , a line is formed on an outer periphery of a photosensitive glass substrate by photolithography.
In a certain position, a plurality of holes are formed through the photosensitive glass substrate, and a conductive film is formed on one of the wiring surfaces of the photosensitive glass substrate and the inner wall of the hole by sputtering, and the conductive film is formed by plating. By growing and conducting and etching the conductor film by photolithography,
Wherein forming a plurality of high density terminals arranged on one surface of the photosensitive glass substrate at intervals corresponding to the wiring density of the semiconductor chip, a wiring for electrically connecting the inner wall of the hole,
Cutting the photosensitive glass substrate along the position of the hole
That, a method of manufacturing a semiconductor connecting substrate, characterized in that it is provided.

【0017】このような半導体接続基板の製造方法によ
り、半導体チップ等の高配線密度の半導体チップと低配
線密度のプリント配線板とを接続できる安価な半導体接
続基板が製造できる。
According to such a method for manufacturing a semiconductor connection substrate, an inexpensive semiconductor connection substrate capable of connecting a semiconductor chip having a high wiring density such as a semiconductor chip and a printed wiring board having a low wiring density can be manufactured.

【0018】また、基板上に各種半導体部品が設けられ
たベアチップ搭載ボードにおいて、所定の位置に複数の
孔が設けられた、感光性ガラスからなる基板と、前記孔
に埋められた導電性物質と、前記基板の両面において、
前記導電性物質の上に接続端子を形成する配線と、所定
の電極が前記接続端子に接続されることにより、前記基
板の両面に搭載された複数のベアチップと、を有するこ
とを特徴とするベアチップ搭載ボードが提供される。
Further, in a bare chip mounting board in which various semiconductor components are provided on a substrate, a substrate made of photosensitive glass having a plurality of holes provided at predetermined positions, and a conductive material filled in the holes. , On both sides of the substrate,
A bare chip comprising: a wiring forming a connection terminal on the conductive material; and a plurality of bare chips mounted on both surfaces of the substrate by connecting a predetermined electrode to the connection terminal. A mounting board is provided.

【0019】このようなベアチップ搭載ボードによれ
ば、搭載された複数のベアチップの所定の電極同士が、
基板の孔に設けられた導電性物質を介して電気的に接続
される。その結果、チップ同士の配線が3次元的に行わ
れるとともに、極めて短い距離で結線される。
According to such a bare chip mounting board, predetermined electrodes of a plurality of mounted bare chips are connected to each other.
They are electrically connected via a conductive material provided in a hole in the substrate. As a result, the wiring between the chips is performed three-dimensionally, and the chips are connected at an extremely short distance.

【0020】さらに、基板上に各種半導体部品が設けら
れたベアチップ搭載ボードにおいて、所定の位置に複数
の基板側端子が設けられたプリント基板と、前記プリン
ト基板上に固定された感光性ガラスからなる基板と、前
記基板の端面に設けられ、前記プリント基板の前記基板
側端子に電気的に接続された複数の端面接続端子と、前
記基板の一方の面の前記半導体チップの電極に応じた位
置に配置された複数の高密度端子と、前記高密度端子と
前記端面接続端子とを電気的に接続する配線と、所定の
電極が前記高密度端子に接続されることにより、前記基
板に搭載されたベアチップと、を有することを特徴とす
るベアチップ搭載ボードが、提供される。
Further, various semiconductor parts are provided on the substrate.
On a bare chip mounting board
A printed circuit board provided with a substrate side terminal of
A substrate made of photosensitive glass fixed on a substrate,
The substrate of the printed circuit board provided on an end surface of the substrate
A plurality of end connection terminals electrically connected to the side terminals;
A position corresponding to the electrode of the semiconductor chip on one surface of the substrate;
A plurality of high-density terminals arranged in
A wire for electrically connecting the end face connection terminal;
By connecting an electrode to the high-density terminal,
And a bare chip mounted on a plate.
A bare chip mounting board is provided.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は半導体接続基板を示す図で
ある。この半導体接続基板10は、ベアチップ20を図
中上側に接続し、図中下側にプリント配線板30を接続
するためのものである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor connection substrate. The semiconductor connection board 10 is for connecting the bare chip 20 to the upper side in the figure and for connecting the printed wiring board 30 to the lower side in the figure.

【0022】半導体接続基板10は、土台となる基板と
して化学切削性を有する感光性ガラス基板11を用いて
いる。感光性ガラス基板11には、ベアチップ20のバ
ンプ21〜24と同じ数の孔11a〜11dがあけられ
ている。この孔11a〜11dは、感光性ガラス基板1
1を貫通している。各孔11a〜11dの位置は、接続
すべきプリント配線板30の電極31〜34の位置と対
応しており、十分に広い間隔をおいて設けられている。
As the semiconductor connection substrate 10, a photosensitive glass substrate 11 having chemical cutting properties is used as a base substrate. The photosensitive glass substrate 11 has the same number of holes 11 a to 11 d as the bumps 21 to 24 of the bare chip 20. The holes 11a to 11d are formed in the photosensitive glass substrate 1
1 through. The positions of the holes 11a to 11d correspond to the positions of the electrodes 31 to 34 of the printed wiring board 30 to be connected, and are provided at sufficiently wide intervals.

【0023】感光性ガラス基板11の上面には、配線パ
ターンにエッチングされた配線13a〜13dが接着剤
12により接着されている。配線13a〜13dは、そ
れぞれベアチップ20のバンプ21〜24と1対1に対
応している。そして、配線13a〜13dは、ベアチッ
プ20を接続する際にバンプ21〜24が接続されるべ
き位置と孔11a〜11dとの間を電気的に接続してい
る。
On the upper surface of the photosensitive glass substrate 11, wirings 13a to 13d etched into a wiring pattern are adhered by an adhesive 12. The wirings 13a to 13d correspond one-to-one with the bumps 21 to 24 of the bare chip 20, respectively. The wirings 13a to 13d electrically connect the positions where the bumps 21 to 24 are to be connected and the holes 11a to 11d when the bare chip 20 is connected.

【0024】各孔11a〜11d内部は、メッキにより
設けられた導体によって埋められており、さらにその先
にバンプ14a〜14dが形成されている。このような
半導体接続基板10であれば、図中の上側の面の配線1
3a〜13dには、ベアチップ20のバンプ21〜24
を接続し、図中の下側の面のバンプ14a〜14dに
は、プリント配線板30の電極31〜34を接続するこ
とができる。これにより、高密度配線のベアチップ20
のバンプ21〜24と、間隔の広いプリント配線板30
側の電極と31〜34を電気的に接続することができ
る。
The inside of each of the holes 11a to 11d is filled with a conductor provided by plating, and bumps 14a to 14d are formed further ahead. With such a semiconductor connection substrate 10, the wiring 1 on the upper surface in FIG.
3a to 13d include bumps 21 to 24 of bare chip 20.
And the electrodes 31 to 34 of the printed wiring board 30 can be connected to the bumps 14a to 14d on the lower surface in the figure. Thereby, the bare chip 20 of high density wiring
Bumps 21 to 24 and the printed wiring board 30 having a large space
Side electrode and 31 to 34 can be electrically connected.

【0025】次に、図1に示した半導体接続基板10の
製造方法について説明する。図2は半導体接続基板10
の製造工程を示す図である。なお、以下の説明におい
て、バンプを設ける面を「表面」とし、配線を設ける面
を「裏面」とする。 〔S1〕感光性ガラス基板11の裏面にビアホール用マ
スク41を設け、その上から感光性ガラス基板11を露
光する。
Next, a method of manufacturing the semiconductor connection substrate 10 shown in FIG. 1 will be described. FIG. 2 shows a semiconductor connection substrate 10.
It is a figure which shows the manufacturing process of. In the following description, the surface on which the bump is provided is referred to as “front surface”, and the surface on which the wiring is provided is referred to as “back surface”. [S1] A via hole mask 41 is provided on the back surface of the photosensitive glass substrate 11, and the photosensitive glass substrate 11 is exposed from above.

【0026】感光性ガラス基板11には、Li2 O−
Al2 O3 −SiO2 (Au,Ce)系化学切削性
感光性ガラスを用いる。また、感光性ガラス基板11の
双方の面は、十分な平滑性を有している。そして、露光
処理にはHg−Xeランプを使用し、そのランプによる
光を20秒間照射する。次いで、現像処理を行う。 〔S2〕ステップS1による処理の結果、感光性ガラス
基板11にビアホール11a〜11dが形成される。こ
のビアホール11a〜11dは、感光性ガラス基板11
を貫通する孔であり、接続すべきベアチップの電極の数
と同じ数だけ設けられている。また、ビアホール11a
〜11dの位置は、プリント配線板側の電極と合致させ
るべき位置である。従って、プリント配線板の配線密度
と同程度の間隔で設けられている。 〔S3〕ビアホール11a〜11dが形成された感光性
ガラス基板11の裏面に、接着剤12を塗布し導体膜1
3を貼りつける。 〔S4〕メッキによりビアホール11a〜11d内に導
体を成長させるとともにバンプ14a〜14dを形成す
る。
The photosensitive glass substrate 11 includes Li 2 O—
Al2O3-SiO2 (Au, Ce) -based chemically cut photosensitive glass is used. Further, both surfaces of the photosensitive glass substrate 11 have sufficient smoothness. Then, a Hg-Xe lamp is used for the exposure process, and light from the lamp is irradiated for 20 seconds. Next, a development process is performed. [S2] As a result of the processing in step S1, via holes 11a to 11d are formed in the photosensitive glass substrate 11. The via holes 11a to 11d are formed in the photosensitive glass substrate 11
And the same number as the number of bare chip electrodes to be connected. Also, via hole 11a
Positions 11 to 11d are positions to be matched with the electrodes on the printed wiring board side. Therefore, they are provided at the same interval as the wiring density of the printed wiring board. [S3] An adhesive 12 is applied to the back surface of the photosensitive glass substrate 11 on which the via holes 11a to 11d are formed, and the conductive film 1
Paste 3 [S4] The conductors are grown in the via holes 11a to 11d by plating, and the bumps 14a to 14d are formed.

【0027】メッキを行う際には、ビアホール11a〜
11dの内壁に接着剤の層を形成し、接着剤の層の上か
らメッキ処理を施すことにより、メッキされる金属の付
着性を向上させることができる。そして、この際のメッ
キ処理を感光性ガラス基板11の表面よりも突出するよ
うに、メッキを十分成長させる。これにより、導体でビ
アホール11a〜11dが閉塞されるとともに、その先
にはバンプ14a〜14dが形成される。 〔S5〕導体膜13の上にフォトレジスト42を塗布
し、配線パターン用マスク43で露光する。 〔S6〕フォトレジスト42を現像し、露光された部分
を除去する。さらに、エッチングすることにより、フォ
トレジスト42a〜42eに被覆されていない部分の導
体膜13を除去する。 〔S7〕ステップS6の現像、エッチングの処理により
導体膜13がパターニングされ、配線13a〜13eが
形成される。そして、必要に応じて配線13a〜13e
の表面をメッキし保護層(Ni/Au)を形成する。こ
れらの配線13a〜13eは、ベアチップのバンプと接
続するための電極と、プリント配線板に接続するための
バンプ14a〜14dとを1対1で接続している。
When plating, the via holes 11a to 11a
By forming an adhesive layer on the inner wall of 11d and performing plating on the adhesive layer, the adhesion of the metal to be plated can be improved. Then, the plating is sufficiently grown so that the plating process at this time protrudes from the surface of the photosensitive glass substrate 11. Thereby, the via holes 11a to 11d are closed by the conductor, and the bumps 14a to 14d are formed ahead of the via holes 11a to 11d. [S5] A photoresist 42 is applied on the conductor film 13 and exposed with a wiring pattern mask 43. [S6] The photoresist 42 is developed to remove the exposed portions. Further, the portion of the conductor film 13 not covered with the photoresists 42a to 42e is removed by etching. [S7] The conductor film 13 is patterned by the development and etching processes in step S6, and wirings 13a to 13e are formed. Then, if necessary, the wirings 13a to 13e
Is plated to form a protective layer (Ni / Au). These wirings 13a to 13e connect the electrodes for connecting to the bumps of the bare chip and the bumps 14a to 14d for connecting to the printed wiring board on a one-to-one basis.

【0028】以上のようにして製造された半導体接続基
板10を用いて、ベアチップをプリント配線板に接続す
る。図3は半導体接続基板10を用いてベアチップを搭
載したプリント配線板の第1の例を示す図である。ベア
チップ20の電極用のパッドの上には、バンプ21〜2
4が設けられている。バンプ21〜24は、それぞれ半
導体接続基板10の配線13a〜13dに接続されてい
る。一方、プリント配線板30の上面には、ベアチップ
の電極と電気的に接続するための電極31〜34が設け
られており、この電極31〜34と半導体接続基板10
のバンプ14a〜14dとが接続されている。これによ
り、ベアチップ20のバンプ21〜24とプリント配線
板30の電極31〜34とが電気的に接続される。
The bare chip is connected to the printed wiring board using the semiconductor connection substrate 10 manufactured as described above. FIG. 3 is a diagram showing a first example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using the semiconductor connection substrate 10. The bumps 21 to 2 are formed on the electrode pads of the bare chip 20.
4 are provided. The bumps 21 to 24 are connected to the wirings 13a to 13d of the semiconductor connection substrate 10, respectively. On the other hand, on the upper surface of the printed wiring board 30, electrodes 31 to 34 for electrically connecting to the electrodes of the bare chip are provided.
Are connected to the bumps 14a to 14d. Thereby, the bumps 21 to 24 of the bare chip 20 and the electrodes 31 to 34 of the printed wiring board 30 are electrically connected.

【0029】図4は半導体接続基板を用いてベアチップ
を搭載したプリント配線板の第2の例を示す図である。
これは、ベアチップの電極用のパッドにバンプが形成さ
れていない場合の例である。
FIG. 4 is a view showing a second example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate.
This is an example in which no bump is formed on the electrode pad of the bare chip.

【0030】この例に示す半導体接続基板50におい
て、感光性ガラス基板51のビアホール51a〜51d
は、ベアチップ20aのパッドと合致すべき位置に設け
られている。そして、そのビアホール51a〜51d内
を導体物質で埋めた上にバンプが形成されている。一
方、接着剤52により貼りつけられた配線53a〜53
dは、ビアホール51a〜51dの位置とプリント配線
板30aの電極31a,32a,33a,34aに合致
すべき位置とを接続している。
In the semiconductor connection substrate 50 shown in this example, via holes 51 a to 51 d of a photosensitive glass substrate 51 are provided.
Are provided at positions that should match the pads of the bare chip 20a. The via holes 51a to 51d are filled with a conductive material, and bumps are formed. On the other hand, wirings 53a to 53 pasted by the adhesive 52
“d” connects the positions of the via holes 51a to 51d and the positions that should match the electrodes 31a, 32a, 33a, and 34a of the printed wiring board 30a.

【0031】そして、半導体接続基板50のバンプ54
a〜54dとベアチップ20aの電極用のパッドとが接
続され、逆側の配線53a〜53dとプリント配線板3
0aの電極31a,32a,33a,34aとが接続さ
れている。このようにして、電極用のパッドにバンプが
設けられていないベアチップ20aを、プリント配線板
30aに実装できる。
Then, the bump 54 of the semiconductor connection substrate 50
a to 54d and the pads for the electrodes of the bare chip 20a are connected, and the wirings 53a to 53d on the opposite side and the printed wiring board 3
0a are connected to the electrodes 31a, 32a, 33a, and 34a. In this manner, the bare chip 20a having no bump provided on the electrode pad can be mounted on the printed wiring board 30a.

【0032】図5は半導体接続基板を用いてベアチップ
を搭載したプリント配線板の第3の例を示す図である。
これは、プリント配線板にベアチップを複数接続し、マ
ルチチップモジュールとする場合の例である。
FIG. 5 is a view showing a third example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate.
This is an example in which a plurality of bare chips are connected to a printed wiring board to form a multi-chip module.

【0033】この例に示す半導体接続基板60の感光性
ガラス基板61には、2つのベアチップ20b,20c
の電極数に対応したビアホール61a〜61fが設けら
れており、ビアホール61a〜61f内を埋めた導体の
先端にバンプ64a〜64fが形成されている。ビアホ
ール61a〜61fの位置はプリント配線板30bの電
極31b,32b,33b,34b,35b,36bと
合致すべき位置である。感光性ガラス基板61に接着剤
62により貼りつけられた配線63a〜63fは、ベア
チップ20b用の配線63a〜63cと、ベアチップ2
0c用の配線63d〜63fとに分かれている。ベアチ
ップ20b用の配線63a〜63cは、ベアチップ20
bのバンプ21b,22b,23bが合致すべき位置と
ビアホール61a〜61cの位置とを接続している。一
方、ベアチップ20c用の配線63d〜63fは、ベア
チップ20cのバンプ21c,22c,23cが合致す
べき位置とビアホール61d〜61fの位置とを接続し
ている。
The photosensitive glass substrate 61 of the semiconductor connection substrate 60 shown in this example has two bare chips 20b and 20c.
Via holes 61a to 61f corresponding to the number of electrodes are provided, and bumps 64a to 64f are formed at the ends of conductors filling the via holes 61a to 61f. The positions of the via holes 61a to 61f are positions that should match the electrodes 31b, 32b, 33b, 34b, 35b, 36b of the printed wiring board 30b. The wirings 63a to 63f attached to the photosensitive glass substrate 61 by the adhesive 62 are the wirings 63a to 63c for the bare chip 20b and the bare chip 2
It is divided into wirings 63d to 63f for Oc. The wirings 63a to 63c for the bare chip 20b are
The positions where the bumps 21b, 22b, and 23b of b should match and the positions of the via holes 61a to 61c are connected. On the other hand, the wirings 63d to 63f for the bare chip 20c connect the positions where the bumps 21c, 22c, and 23c of the bare chip 20c should coincide with the positions of the via holes 61d to 61f.

【0034】このような半導体接続基板60の配線63
a〜63cにはベアチップ20bのバンプ21b,22
b,23bが接続され、配線63d〜63fには、ベア
チップ20cのバンプ21c,22c,23cが接続さ
れている。そして、半導体接続基板60に設けられたバ
ンプ64a〜64fは、プリント配線板30bの電極3
1b,32b,33b,34b,35b,36bに接続
されている。これにより、複数のベアチップ20b,2
0cがプリント配線板30bに搭載される。
The wiring 63 of such a semiconductor connection substrate 60
The bumps 21b and 22 of the bare chip 20b are provided on a to 63c.
b, 23b are connected, and the bumps 21c, 22c, 23c of the bare chip 20c are connected to the wirings 63d to 63f. The bumps 64a to 64f provided on the semiconductor connection substrate 60 are connected to the electrodes 3 of the printed wiring board 30b.
1b, 32b, 33b, 34b, 35b, 36b. Thereby, the plurality of bare chips 20b, 2
0c is mounted on the printed wiring board 30b.

【0035】図6は半導体接続基板を用いてベアチップ
を搭載したプリント配線板の第4の例を示す図である。
これは、バンプの無い複数のベアチップ20d,20e
をプリント配線板30cに搭載し、マルチチップモジュ
ールとする場合の例である。
FIG. 6 is a diagram showing a fourth example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate.
This is because a plurality of bare chips 20d, 20e without bumps
Is mounted on the printed wiring board 30c to form a multi-chip module.

【0036】この例に示す半導体接続基板70の感光性
ガラス基板71には、2つのベアチップ20d,20e
の電極数に対応したビアホール71a〜71fが設けら
れており、ビアホール71a〜71f内を埋めた導体の
先端にバンプ74a〜74fが形成されている。ビアホ
ール71a〜71fの位置はベアチップ20d,20e
の電極用のパッドの位置と合致すべき位置である。感光
性ガラス基板71に接着剤72により貼りつけられた配
線73a〜73fは、プリント配線板30cの電極31
c,32c,33c,34c,35c,36cと合致す
べき位置とビアホール71a〜71fの位置とを接続し
ている。
The photosensitive glass substrate 71 of the semiconductor connection substrate 70 shown in this example has two bare chips 20d and 20e.
Via holes 71a to 71f corresponding to the number of electrodes are provided, and bumps 74a to 74f are formed at the tips of conductors filling the via holes 71a to 71f. The positions of the via holes 71a to 71f are bare chips 20d and 20e.
This is the position that should match the position of the electrode pad. The wirings 73a to 73f attached to the photosensitive glass substrate 71 by the adhesive 72 are the electrodes 31 of the printed wiring board 30c.
The positions to be matched with c, 32c, 33c, 34c, 35c, and 36c are connected to the positions of the via holes 71a to 71f.

【0037】このような半導体接続基板70の配線73
a〜73fは、プリント配線板30cの電極31c、3
2c、33c、34c、35c、36cに接続されてい
る。また、半導体接続基板70に設けられたバンプ74
a〜74cはベアチップ20dの電極用パッドに接続さ
れ、バンプ74d〜74fはベアチップ20eの電極用
パッドに接続されている。これにより、パッドにバンプ
が設けられていない複数のベアチップ20d,20eが
プリント配線板30cに搭載される。
The wiring 73 of such a semiconductor connection substrate 70
a to 73f are the electrodes 31c, 3 of the printed wiring board 30c.
2c, 33c, 34c, 35c, 36c. Also, the bumps 74 provided on the semiconductor connection substrate 70
a to 74c are connected to the electrode pads of the bare chip 20d, and the bumps 74d to 74f are connected to the electrode pads of the bare chip 20e. As a result, a plurality of bare chips 20d and 20e having no bumps on the pads are mounted on the printed wiring board 30c.

【0038】以上のように、本発明の半導体接続基板を
用いてベアチップをプリント配線板に接続することによ
り、次のような効果が得られる。第1の効果は、チップ
の電極数が増加しても半導体チップの接続に要する時間
が長くなることがなく、しかも半導体接続基板に使用さ
れる材料の種類が少なく、さらに感光性ガラス等の安価
な材料を使用して、半導体チップ等の高配線密度の半導
体チップと低配線密度のプリント配線板との接続が可能
になることである。
As described above, the following effects can be obtained by connecting a bare chip to a printed wiring board using the semiconductor connection board of the present invention. The first effect is that, even if the number of electrodes on the chip increases, the time required for connection of the semiconductor chip does not become long, the types of materials used for the semiconductor connection substrate are small, and inexpensive materials such as photosensitive glass are used. It is possible to connect a semiconductor chip having a high wiring density, such as a semiconductor chip, to a printed wiring board having a low wiring density by using a simple material.

【0039】第2の効果は、半導体接続基板とベアチッ
プとを接続する場合にワイヤボンディングを行っていな
いため、ベアチップの電極用のバッドを小さくすること
ができることである。その結果、チップ面積を小さくす
ることが可能となる。
The second effect is that since the wire bonding is not performed when connecting the semiconductor connection substrate and the bare chip, the pad for the electrode of the bare chip can be reduced. As a result, the chip area can be reduced.

【0040】第3の効果は、パッドの配置を任意の場所
にできることである。その結果、チップの回路を設計す
る際の制約事項が緩和され、設計の自由度が増す。第4
の効果は、ベアチップの電極用のバッドを小さくし、そ
のパッドを任意の位置に配置することにより、単位面積
あたりの接続端子数を増やすことができることである。
A third effect is that the pads can be arranged at any position. As a result, restrictions in designing the circuit of the chip are relaxed, and the degree of freedom in design is increased. 4th
The effect of (1) is that the number of connection terminals per unit area can be increased by reducing the size of the electrode pad of the bare chip and arranging the pad at an arbitrary position.

【0041】第5の効果は、バンプ付きのチップでも、
バンプ無しのチップでも接続可能なことである。第6の
効果は、本発明の半導体接続基板の配線ピッチは、プリ
ント配線板の配線ピッチにあわせて自由に決定できるこ
とである。つまり、現状のプリント配線板の配線ピッチ
は300〜500ミクロンピッチ程度であるため、この
ようなプリント配線板に接続する際には、同様の配線ピ
ッチに配線を拡大することもできる。一方、高密度のプ
リント配線板であれば、それに合わせた微細な配線ピッ
チにすることもできる。
The fifth effect is that even with a chip having bumps,
It is possible to connect even chips without bumps. A sixth effect is that the wiring pitch of the semiconductor connection board of the present invention can be freely determined according to the wiring pitch of the printed wiring board. That is, since the current wiring pitch of the printed wiring board is about 300 to 500 μm, when connecting to such a printed wiring board, the wiring can be expanded to the same wiring pitch. On the other hand, if a high-density printed wiring board is used, a fine wiring pitch corresponding to it can be used.

【0042】第7の効果は、基板の材料が有機樹脂のフ
ィルムでないため適度な強度を有しているとともに、光
の透過率が高いため光硬化性の接着剤が使用可能なこと
である。
The seventh effect is that the material of the substrate is not an organic resin film, so that the substrate has an appropriate strength. In addition, since the light transmittance is high, a photocurable adhesive can be used.

【0043】これらの効果は、以下に説明する他の半導
体接続基板においても同様である。ところで、図2に示
した方法では、感光性ガラス基板にビアホールを設けた
後、導体膜を貼りつけているが、導体膜が形成ずみの感
光性ガラス基板を用いて半導体接続基板を製造すること
もできる。以下に、その製造方法について説明する。
These effects are the same in other semiconductor connection substrates described below. By the way, in the method shown in FIG. 2, a conductive film is attached after providing a via hole in a photosensitive glass substrate. However, a semiconductor connection substrate is manufactured using a photosensitive glass substrate on which a conductive film is not formed. Can also. Hereinafter, the manufacturing method will be described.

【0044】図7は導体膜が形成ずみの感光性ガラス基
板を用いた場合の半導体接続基板の製造工程を示す図で
ある。 〔S11〕表面が十分な平滑性を有しており、裏面に導
体膜82が形成された感光性ガラス基板81の表面にビ
アホール用マスク44を設け、その上から感光性ガラス
基板81を露光し、次いで現像処理を行う。 〔S12〕ステップS11による処理の結果、感光性ガ
ラス基板81にビアホール81a〜81cが形成され
る。このビアホール81a〜81cは、感光性ガラス基
板81を貫通する孔であり、接続すべきベアチップの電
極の数と同じ数だけ設けられる。また、ビアホール81
a〜81cの位置は、プリント配線板側の電極と合致さ
せるべき位置である。なお、ビアホール81a〜81c
の裏面側は、導体膜82で覆われたままである。 〔S13〕メッキによりビアホール81a〜81c内に
導体を成長させるとともにバンプ83a〜83cを形成
する。 〔S14〕裏面にフォトレジスト45を塗布し、配線パ
ターン用マスク46で露光する。次いで、フォトレジス
ト45を現像し、さらにエッチングすることにより、フ
ォトレジスト45に被覆されていない部分の導体膜を除
去する。 〔S15〕ステップS14の現像、エッチングの処理に
より導体膜82がパターニングされ、配線82a〜82
cが形成される。必要に応じて配線82a〜82cの表
面をメッキし保護層(Ni/Au)を形成する。
FIG. 7 is a view showing a manufacturing process of a semiconductor connection substrate when a photosensitive glass substrate on which a conductor film has been formed is used. [S11] A mask 44 for a via hole is provided on the surface of a photosensitive glass substrate 81 having a sufficiently smooth surface and a conductive film 82 formed on the back surface, and the photosensitive glass substrate 81 is exposed from above. Then, development processing is performed. [S12] As a result of the processing in step S11, via holes 81a to 81c are formed in the photosensitive glass substrate 81. The via holes 81a to 81c are holes penetrating the photosensitive glass substrate 81, and are provided in the same number as the number of bare chip electrodes to be connected. Also, via hole 81
The positions a to 81c are positions to be matched with the electrodes on the printed wiring board side. The via holes 81a to 81c
Is kept covered with the conductor film 82. [S13] A conductor is grown in the via holes 81a to 81c by plating, and bumps 83a to 83c are formed. [S14] A photo resist 45 is applied to the back surface, and is exposed with a wiring pattern mask 46. Next, by developing and further etching the photoresist 45, a portion of the conductor film not covered with the photoresist 45 is removed. [S15] The conductor film 82 is patterned by the development and etching processes in step S14, and the wirings 82a to 82 are formed.
c is formed. If necessary, the surfaces of the wirings 82a to 82c are plated to form a protective layer (Ni / Au).

【0045】このようにして、導体膜が形成ずみの感光
性ガラス基板から本発明の半導体接続基板を作成するこ
とができる。この方法によれば、図2に示した方法より
も工程を少なくすることができる。なお、この半導体接
続基板を用いてベアチップをプリント配線板に搭載した
際の形態は、図3〜図6に示したものと同様である。
Thus, the semiconductor connection substrate of the present invention can be manufactured from the photosensitive glass substrate on which the conductor film has been formed. According to this method, the number of steps can be reduced as compared with the method shown in FIG. The form when the bare chip is mounted on the printed wiring board using this semiconductor connection board is the same as that shown in FIGS.

【0046】ここまで説明してきた半導体接続基板で
は、プリント配線板と接続するための端子は一方の面上
に設けられているが、基板の端面に接続端子を設けるこ
ともできる。以下にその例を示す。
In the semiconductor connection board described above, terminals for connecting to the printed wiring board are provided on one surface, but connection terminals may be provided on an end face of the board. An example is shown below.

【0047】図8はプリント配線板との接続端子を基板
端面に設けた半導体接続基板の製造工程を示す図であ
る。 〔S21〕十分に薄い(1mm以下)化学切削性感光性
ガラスの感光性ガラス基板91に対し、フォトリソグラ
フィを用いて、外周部に一列のビアホールを形成する。
具体的には、感光性ガラス基板91の上面にビアホール
用マスク47を設け、その上から感光性ガラス基板91
を露光し、次いで現像処理を行う。 〔S22〕ステップS21による処理の結果、感光性ガ
ラス基板91にビアホール91a,91bが形成され
る。このビアホール91a,91bは、感光性ガラス基
板91を貫通する孔であり、接続すべきベアチップの電
極の数と同じ数だけ、外周に沿って一列に設けられてい
る。 〔S23〕ビアホール91a,91bが形成された感光
性ガラス基板91の裏面に、スパッタリングにより導体
膜92を形成する。この導体膜92は、感光性ガラス基
板91の裏面とビアホール91a,91bの内壁とに形
成される。 〔S24〕メッキにより導体膜92を成長させる。これ
により、スパッタリングで形成された導体膜92の上に
新たな導体膜93が形成され、十分な膜厚が得られる。 〔S25〕形成された導体膜92,93を、リソグラフ
ィにより現像、エッチングする。これにより、配線93
a〜93eが形成される。配線93a〜93eの表面に
はメッキを施し、保護層(Ni/Au)を形成する。 〔S26〕外周に整列して設けられているビアホール9
1a,91bに沿って、感光性ガラス基板91を切断す
る。これにより、ビアホール91a,91bが形成され
ていた部分が接続端子94a,94bとなる。
FIG. 8 is a view showing a process of manufacturing a semiconductor connection substrate in which connection terminals for connecting to a printed wiring board are provided on the end face of the substrate. [S21] A row of via holes is formed in the outer peripheral portion of the photosensitive glass substrate 91 made of a sufficiently thin (1 mm or less) chemically-cuttable photosensitive glass using photolithography.
Specifically, a via hole mask 47 is provided on the upper surface of the photosensitive glass substrate 91, and the photosensitive glass substrate 91
And then a development process is performed. [S22] As a result of the process in step S21, via holes 91a and 91b are formed in the photosensitive glass substrate 91. The via holes 91a and 91b are holes penetrating the photosensitive glass substrate 91, and are provided in a line along the outer periphery by the same number as the number of bare chip electrodes to be connected. [S23] A conductive film 92 is formed by sputtering on the back surface of the photosensitive glass substrate 91 where the via holes 91a and 91b are formed. This conductive film 92 is formed on the back surface of the photosensitive glass substrate 91 and the inner walls of the via holes 91a and 91b. [S24] The conductor film 92 is grown by plating. Thus, a new conductor film 93 is formed on the conductor film 92 formed by sputtering, and a sufficient film thickness can be obtained. [S25] The formed conductor films 92 and 93 are developed and etched by lithography. Thereby, the wiring 93
a to 93e are formed. The surfaces of the wires 93a to 93e are plated to form a protective layer (Ni / Au). [S26] Via holes 9 aligned on the outer periphery
The photosensitive glass substrate 91 is cut along 1a and 91b. As a result, portions where the via holes 91a and 91b are formed become connection terminals 94a and 94b.

【0048】図9は接続端子を基板端面に有する半導体
接続基板を示す図である。 (A)は上面図である。この半導体接続基板90は、側
面に沿って接続端子94が設けられている。各接続端子
94は、配線93によってベアチップ搭載領域95のベ
アチップ用の接続端子と1対1で接続されている。
FIG. 9 is a view showing a semiconductor connection substrate having connection terminals on an end face of the substrate. (A) is a top view. The semiconductor connection board 90 is provided with connection terminals 94 along the side surface. Each connection terminal 94 is connected to the bare chip connection terminal in the bare chip mounting area 95 one-to-one by a wiring 93.

【0049】(B)は(A)のX−X線断面図である。
感光性ガラス基板91の側面には接続端子94c,94
dが設けられており、上面には配線93fが設けられて
いる。
(B) is a sectional view taken along line XX of (A).
The connection terminals 94 c and 94 are provided on the side surface of the photosensitive glass substrate 91.
d is provided, and a wiring 93f is provided on the upper surface.

【0050】図10は基板端面に設けられた接続端子の
拡大図である。接続端子94は、感光性ガラス基板91
の側面に設けられており、もとはビアホールの内壁を形
成する面であったため、表面は円柱の内面の形状となっ
ている。そして、配線93によりベアチップ用の接続端
子と電気的に接続されている。
FIG. 10 is an enlarged view of the connection terminal provided on the end face of the substrate. The connection terminal 94 is a photosensitive glass substrate 91
The inner surface of the via hole is originally formed on the inner surface of the via hole, so that the surface has the shape of the inner surface of a cylinder. The wiring 93 is electrically connected to a bare chip connection terminal.

【0051】図11は端面に接続端子を有する半導体接
続基板を用いてベアチップを搭載したプリント配線板の
第1の例を示す図である。プリント配線板30dには、
半導体接続基板90が配置された位置の周囲に接続端子
31d,32dが設けられている。
FIG. 11 is a diagram showing a first example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate having connection terminals on an end face. On the printed wiring board 30d,
Connection terminals 31d and 32d are provided around the position where the semiconductor connection substrate 90 is arranged.

【0052】半導体接続基板90の上面にはベアチップ
20fが接続されている。一方、感光性ガラス基板91
の端面に設けられた接続端子94e,94fは、はんだ
のような導電性接着材料48a,48bによりプリント
配線板30d側の接続端子31d,32dに接続されて
いる。また、接続端子94e,94fは、感光性ガラス
基板91の上面に設けられた配線93g,93jによ
り、ベアチップ20fのバンプ21f,24fとそれぞ
れ接続されている。なお、ベアチップ20fのバンプ2
2f,23fは配線93h,93iに接続されており、
この配線93h,93iは、感光性ガラス基板91の端
面の図示されていない接続端子を介して、プリント配線
板30d側の図示されていない接続端子に接続されてい
る。
The bare chip 20f is connected to the upper surface of the semiconductor connection substrate 90. On the other hand, the photosensitive glass substrate 91
Are connected to the connection terminals 31d and 32d of the printed wiring board 30d by conductive adhesive materials 48a and 48b such as solder. The connection terminals 94e and 94f are connected to the bumps 21f and 24f of the bare chip 20f by wires 93g and 93j provided on the upper surface of the photosensitive glass substrate 91, respectively. In addition, bump 2 of bare chip 20f
2f and 23f are connected to wirings 93h and 93i,
The wirings 93h and 93i are connected to connection terminals (not shown) on the printed wiring board 30d via connection terminals (not shown) on the end surface of the photosensitive glass substrate 91.

【0053】図12は端面に接続端子を有する半導体接
続基板を用いてベアチップを搭載したプリント配線板の
第2の例を示す図である。これは、半導体接続基板に複
数のベアチップを搭載した場合の例である。プリント配
線板30eは、半導体接続基板101が配置された位置
の周囲に接続端子31e,32eが設けられている。
FIG. 12 is a view showing a second example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate having connection terminals on the end surface. This is an example where a plurality of bare chips are mounted on a semiconductor connection substrate. The printed wiring board 30e is provided with connection terminals 31e and 32e around a position where the semiconductor connection substrate 101 is arranged.

【0054】半導体接続基板100の上面には2つのベ
アチップ20g,20hが接続されている。感光性ガラ
ス基板101の端面に設けられた接続端子104a,1
04bは、はんだのような導電性接着材料48c,48
dによりプリント配線板30e側の接続端子31e,3
2eに接続されている。また、接続端子104a,10
4bは、感光性ガラス基板101の上面に設けられた配
線103a,103fにより、各ベアチップ20g,2
0hのバンプ21g,23hに接続されている。なお、
ベアチップ20g,21hのバンプ22g,23g,2
1h,22hは配線103b〜103eに接続されてお
り、この配線103b〜103eは、感光性ガラス基板
101の端面の図示されていない接続端子を介して、プ
リント配線板30e側の図示されていない接続端子に接
続されている。
Two bare chips 20g and 20h are connected to the upper surface of the semiconductor connection substrate 100. Connection terminals 104a, 1 provided on the end face of the photosensitive glass substrate 101
04b is a conductive adhesive material 48c, 48 such as solder.
d, the connection terminals 31e, 3 on the printed wiring board 30e side.
2e. Also, the connection terminals 104a, 104
4b, the bare chips 20g, 2g are provided by wires 103a, 103f provided on the upper surface of the photosensitive glass substrate 101.
0h are connected to the bumps 21g and 23h. In addition,
Bumps 22g, 23g, 2 of bare chips 20g, 21h
1h and 22h are connected to wirings 103b to 103e, and the wirings 103b to 103e are connected to the printed wiring board 30e (not shown) via connection terminals (not shown) on the end surface of the photosensitive glass substrate 101. Connected to terminal.

【0055】このようにして、接続端子を基板端面に設
けた半導体接続基板を用いて、ベアチップをプリント配
線板に搭載することができる。接続端子を基板端面に設
けると、半導体接続基板を小型化することができるとと
もに、はんだの様な従来から確立された技術を用いて容
易にプリント配線板上に実装することができる。
In this way, a bare chip can be mounted on a printed wiring board by using a semiconductor connection board having connection terminals provided on the end face of the board. When the connection terminals are provided on the end face of the board, the semiconductor connection board can be miniaturized, and can be easily mounted on a printed wiring board using a conventionally established technique such as soldering.

【0056】ここで、接続端子を基板端面に設けた半導
体接続基板をプリント配線板に実装する場合には、接続
端子の位置とプリント配線板側の端子の位置とを正確に
一致させる(アライメントする)必要がある。そこで、
基板の材料に透明な感光性ガラスを使用することによ
り、アライメントを行い易くすることができる。
Here, when a semiconductor connection board having connection terminals provided on an end face of the board is mounted on a printed wiring board, the positions of the connection terminals and the positions of the terminals on the printed wiring board side are accurately matched (alignment is performed). )There is a need. Therefore,
By using a transparent photosensitive glass as the material of the substrate, alignment can be easily performed.

【0057】図13は透明な感光性ガラスを用いた半導
体接続基板とプリント配線板とを接続する際の位置確認
方向を示す図である。半導体接続基板200は、透明な
感光性ガラスが用いられており、上面にベアチップ20
nが接続されている。この半導体接続基板200をプリ
ント配線板300に搭載する際には、半導体接続基板2
00の上方(図中、矢印で示す方向)から半導体接続基
板200の位置を視認する。
FIG. 13 is a view showing a position confirmation direction when a semiconductor connection substrate using transparent photosensitive glass and a printed wiring board are connected. The semiconductor connection substrate 200 is made of transparent photosensitive glass, and has a bare chip 20 on its upper surface.
n are connected. When mounting the semiconductor connection substrate 200 on the printed wiring board 300, the semiconductor connection substrate 2
The position of the semiconductor connection substrate 200 is visually recognized from above (in the direction indicated by the arrow in the figure).

【0058】図14はアライメント時に視認される光景
を示す図である。(A)は半導体接続基板200を目的
の位置に接近させる前の状態を示す図である。半導体接
続基板200の端面には接続端子211〜214が設け
られており、各接続端子211〜214は配線221〜
224によってベアチップの端子と電気的に接続されて
いる。プリント配線板側には、ベアチップと接続するた
めの配線301〜304が設けられている。そして、こ
の例では、接続端子211〜214をそれぞれ配線30
1〜304に接続するものとする。
FIG. 14 is a diagram showing a scene visually recognized at the time of alignment. (A) is a diagram showing a state before the semiconductor connection substrate 200 approaches a target position. Connection terminals 211 to 214 are provided on the end surface of the semiconductor connection substrate 200, and the connection terminals 211 to 214
224 are electrically connected to the terminals of the bare chip. Wirings 301 to 304 for connecting to a bare chip are provided on the printed wiring board side. In this example, the connection terminals 211 to 214 are connected to the wiring 30 respectively.
1 to 304.

【0059】(B)は半導体接続基板200を目的の位
置に接近させた状態を示す図である。半導体接続基板2
00は透明な感光性ガラス基板で作られているため、配
線221〜224が設けられている領域以外は、下のプ
リント配線板を透かし見ることができる。従って、プリ
ント配線板上に形成された配線301〜304も十分視
認することができ、容易にアライメントすることができ
る。
FIG. 7B is a view showing a state in which the semiconductor connection substrate 200 is brought close to a target position. Semiconductor connection board 2
Since 00 is made of a transparent photosensitive glass substrate, the printed wiring board below can be seen through except for the area where the wirings 221 to 224 are provided. Therefore, the wirings 301 to 304 formed on the printed wiring board can be sufficiently visually recognized, and alignment can be easily performed.

【0060】一方、さらに正確なアライメントを必要と
する場合や、コンピュータを用いた画像解析によってア
ライメントを行う場合には、位置合わせのマーク(以
下、アライメントマークと呼ぶ)を用意しておくことが
便利である。
On the other hand, when more accurate alignment is required or when alignment is performed by image analysis using a computer, it is convenient to prepare alignment marks (hereinafter referred to as alignment marks). It is.

【0061】図15はアライメントマークを設けた場合
のアライメント状況を示す図である。(A)は半導体接
続基板400を目的の位置に接近させる前の状態を示す
図である。半導体接続基板400の端面には接続端子4
11〜414が設けられており、各接続端子411〜4
14は配線421〜424によってベアチップの端子と
電気的に接続されている。さらに、半導体接続基板40
0の角には、位置合わせ用の十字型のマーク401が設
けられている。プリント配線板側には、ベアチップと接
続するための配線511〜514が設けられている。さ
らに、プリント配線板側にも位置合わせ用の正方形を4
つ並べた形のマーク501が設けられている。そして、
この例では、接続端子411〜414をそれぞれ配線5
11〜514に接続するものとする。
FIG. 15 is a diagram showing an alignment situation when an alignment mark is provided. (A) is a diagram showing a state before the semiconductor connection substrate 400 approaches a target position. The connection terminal 4 is provided on the end face of the semiconductor connection substrate 400.
11 to 414 are provided, and each connection terminal 411 to 4
14 is electrically connected to terminals of the bare chip by wirings 421 to 424. Further, the semiconductor connection substrate 40
A cross-shaped mark 401 for alignment is provided at the corner of 0. Wirings 511 to 514 for connecting to a bare chip are provided on the printed wiring board side. Furthermore, four squares for positioning are also provided on the printed wiring board side.
Marks 501 are provided in a row. And
In this example, the connection terminals 411 to 414 are
11 to 514.

【0062】(B)は半導体接続基板400を目的の位
置に接近させた状態を示す図である。アライメントをす
る際には、半導体接続基板400側のマーク401の十
字の形状が、プリント配線板側のマーク501の正方形
の間に一致するように調整する。半導体接続基板400
が透明であるため、プリント配線板上に半導体接続基板
400を重ねた状態でも双方のマークを401,501
を視認するこができる。従って、半導体接続基板400
を正確な位置に配置できる。
(B) is a diagram showing a state in which the semiconductor connection substrate 400 is brought close to a target position. At the time of alignment, the cross shape of the mark 401 on the semiconductor connection substrate 400 is adjusted so as to match between the squares of the mark 501 on the printed wiring board. Semiconductor connection board 400
Are transparent, so that both marks 401 and 501 can be marked even when the semiconductor connection substrate 400 is overlaid on the printed wiring board.
Can be visually recognized. Therefore, the semiconductor connection substrate 400
Can be placed in accurate positions.

【0063】ところで、最近の多くのチップパッケージ
では、ピングリッド形態が取られている。そこで、プリ
ント配線板と接続するための半導体接続基板側の接続端
子をピングリッド形態にする場合について次に説明す
る。
Incidentally, in many recent chip packages, a pin grid form is adopted. Therefore, a case in which the connection terminal on the semiconductor connection board side for connecting to the printed wiring board is in a pin grid form will be described below.

【0064】図16はプリント配線板との接続端子をピ
ングリッド形態にする半導体接続基板の製造工程を示す
図である。 〔S31〕十分に薄い(1mm以下)化学切削性感光性
ガラスの感光性ガラス基板111に対し、フォトリソグ
ラフィを用いて、外周部に一列のビアホールを形成す
る。具体的には、感光性ガラス基板111の上面にビア
ホール用マスク49を設け、その上から感光性ガラス基
板111を露光する。次いで、現像処理を行う。 〔S32〕ステップS31による処理の結果、感光性ガ
ラス基板111にビアホール111a,111bが形成
される。このビアホール111a,111bは、感光性
ガラス基板111を貫通する孔であり、接続すべきベア
チップの電極の数と同じ数だけ、外周に沿って一列に設
けられている。 〔S33〕ビアホール111a,111bが形成された
感光性ガラス基板111の裏面(図中上面)に、スパッ
タリングにより導体膜112を形成する。この導体膜1
12は、感光性ガラス基板111の裏面とビアホール1
11a,111bの内壁とに形成される。 〔S34〕メッキにより導体膜112を成長させる。こ
れにより、スパッタリングで形成された導体膜112の
上に新たな導体膜113が形成され、十分な膜厚が得ら
れる。 〔S35〕形成された導体膜112,113を、リソグ
ラフィにより現像、エッチングする。これにより、配線
113a〜113eが形成される。この配線113a〜
113eは、ベアチップの電極に接続すべき接続端子と
外周部のビアホール内壁の導体膜とを1対1に接続して
いる。従って、各ビアホール111a,111bに導電
性のピンを貫通させることにより、プリント配線板との
接続端子を有する半導体接続基板を得ることができる。
FIG. 16 is a view showing a process of manufacturing a semiconductor connection board in which connection terminals to a printed wiring board are formed in a pin grid form. [S31] A row of via holes is formed in the outer peripheral portion of the photosensitive glass substrate 111 of a sufficiently thin (1 mm or less) chemically cut photosensitive glass by photolithography. Specifically, a mask 49 for via holes is provided on the upper surface of the photosensitive glass substrate 111, and the photosensitive glass substrate 111 is exposed from above. Next, a development process is performed. [S32] As a result of the processing in step S31, via holes 111a and 111b are formed in the photosensitive glass substrate 111. The via holes 111a and 111b are holes penetrating the photosensitive glass substrate 111, and are provided in a row along the outer periphery by the same number as the number of bare chip electrodes to be connected. [S33] A conductive film 112 is formed by sputtering on the back surface (upper surface in the drawing) of the photosensitive glass substrate 111 in which the via holes 111a and 111b are formed. This conductor film 1
12 is the back surface of the photosensitive glass substrate 111 and the via hole 1
It is formed on the inner walls of 11a and 111b. [S34] The conductive film 112 is grown by plating. Thereby, a new conductor film 113 is formed on the conductor film 112 formed by sputtering, and a sufficient film thickness can be obtained. [S35] The formed conductor films 112 and 113 are developed and etched by lithography. Thus, the wirings 113a to 113e are formed. This wiring 113a ~
Reference numeral 113e connects the connection terminal to be connected to the bare chip electrode and the conductor film on the inner wall of the via hole on the outer periphery in a one-to-one relationship. Therefore, by penetrating the conductive pins through the respective via holes 111a and 111b, it is possible to obtain a semiconductor connection substrate having connection terminals with the printed wiring board.

【0065】ここで、この半導体接続基板にベアチップ
を接続しピンを貫通させる形態としては、導電性のピン
を貫通させる方向や、ベアチップの接続方向によって複
数の形態が考えられる。
Here, as a form in which a bare chip is connected to the semiconductor connection substrate and a pin is penetrated, a plurality of forms can be considered depending on a direction in which a conductive pin is penetrated and a connecting direction of the bare chip.

【0066】図17はピン突出側と反対側にベアチップ
を接続する場合の例を示す図である。 〔S41〕半導体接続基板110の配線113a〜11
3eが形成された面と逆の面に、絶縁性接着材料115
を用いて、基板補強材114を接着する。この基板補強
材114には、ビアホール111a,111bと重なる
位置に孔114a,114bをあけ、ビアホール111
a,111bの位置で貫通する孔を確保する。 〔S42〕ビアホール111a,111bに対して、半
導体接続基板110の配線113a〜113eが設けら
れた面から配線用ピン116,117を挿入する。 〔S43〕配線113a〜113eが設けられた面にベ
アチップ20iを接続すし、そのベアチップ20iと配
線用ピン116,117とを絶縁性接着剤118で固定
する。これにより、ピングリッド形態の接続端子を有す
るチップパッケージとなる。
FIG. 17 is a diagram showing an example in which a bare chip is connected to the side opposite to the pin protruding side. [S41] Wirings 113a to 113 of the semiconductor connection substrate 110
On the surface opposite to the surface on which 3e is formed, an insulating adhesive material 115 is provided.
The substrate reinforcing material 114 is adhered by using. Holes 114a and 114b are formed in the substrate reinforcing member 114 at positions overlapping the via holes 111a and 111b.
A through hole is secured at the positions of a and 111b. [S42] The wiring pins 116 and 117 are inserted into the via holes 111a and 111b from the surface of the semiconductor connection substrate 110 where the wirings 113a to 113e are provided. [S43] The bare chip 20i is connected to the surface provided with the wirings 113a to 113e, and the bare chip 20i and the wiring pins 116 and 117 are fixed with the insulating adhesive 118. As a result, a chip package having pin grid type connection terminals is obtained.

【0067】また、図17のステップS43の工程にお
いて、ベアチップ20i上部に蓋を設けてもよい。図1
8は蓋によりベアチップを封止した場合の例を示す図で
ある。この例は、図17のステップS41、ステップS
42の工程の後に、ベアチップ20iを接続し、その上
に蓋119を被せ、絶縁性接着剤118aで固定してい
る。
In the step S43 of FIG. 17, a lid may be provided above the bare chip 20i. FIG.
FIG. 8 is a diagram showing an example of a case where a bare chip is sealed with a lid. This example corresponds to steps S41 and S41 in FIG.
After the step 42, the bare chip 20i is connected, a lid 119 is put on it, and it is fixed with an insulating adhesive 118a.

【0068】次に、上記の例とは逆の方向から配線用ピ
ンを挿入する場合について説明する。図19はピン突出
側と同じ面にベアチップを接続する場合の例を示す図で
ある。 〔S51〕半導体接続基板110の配線113a〜11
3eが形成された面と逆の面に、絶縁性接着剤122を
用いて、基板補強材121を接着する。この基板補強材
121には、ビアホール111a,111bと重なる位
置に孔121a,121bをあけ、ビアホール111
a,111bの位置で貫通する孔を確保する。 〔S52〕ビアホール111a,111bに対して、基
板補強材121が設けられた方向から配線用ピン12
3,124を挿入する。 〔S53〕基板補強材121の上に、ピンを押さえるた
めの蓋126を絶縁性接着剤125によって接着する。 〔S54〕配線113a〜113eが設けられた面にベ
アチップ20jを接続する。これにより、配線用ピンの
突起方向と同じ方向にベアチップが装着される。
Next, a case where a wiring pin is inserted from the opposite direction to the above example will be described. FIG. 19 is a diagram illustrating an example in which a bare chip is connected to the same surface as the pin protruding side. [S51] Wirings 113a to 113 of the semiconductor connection substrate 110
The substrate reinforcing material 121 is bonded to the surface opposite to the surface on which 3e is formed, using the insulating adhesive 122. Holes 121a and 121b are formed in the substrate reinforcing member 121 at positions overlapping with the via holes 111a and 111b.
A through hole is secured at the positions of a and 111b. [S52] The wiring pins 12 are formed in the via holes 111a and 111b from the direction in which the substrate reinforcing material 121 is provided.
Insert 3,124. [S53] A lid 126 for holding down the pins is adhered to the substrate reinforcing member 121 with the insulating adhesive 125. [S54] The bare chip 20j is connected to the surface on which the wirings 113a to 113e are provided. Thus, the bare chip is mounted in the same direction as the projecting direction of the wiring pin.

【0069】このように、配線用ピンは半導体接続用基
板のどちらの面から挿入してもよい。そこで、2つの半
導体接続用基板を重ね合わせることにより、双方の面に
ベアチップを接続し、マルチチップ構成とすることも可
能である。
As described above, the wiring pins may be inserted from any surface of the semiconductor connection substrate. Therefore, by superposing two semiconductor connection substrates, bare chips can be connected to both surfaces to form a multi-chip configuration.

【0070】図20は半導体接続用基板を重ね合わせて
マルチチップ構成とした場合の例を示す図である。この
例では、2つの半導体接続用基板130,140が使用
されている。これらの半導体接続基板130,140
は、それぞれ感光性ガラス131,141の上に導体膜
132,142が成膜され、その上にさらに導体膜13
3,143が形成されている。これらの導体膜はリソグ
ラフィによって現像、エッチングされることにより、配
線を形成している。
FIG. 20 is a diagram showing an example in which a semiconductor connecting substrate is superposed to form a multi-chip structure. In this example, two semiconductor connection substrates 130 and 140 are used. These semiconductor connection substrates 130 and 140
Are formed with conductive films 132 and 142 on photosensitive glasses 131 and 141, respectively, and further formed with conductive films 13
3,143 are formed. These conductor films are developed and etched by lithography to form wiring.

【0071】2つの半導体接続用基板130,140
は、双方の配線が設けられた面の逆側の面同士が、絶縁
基板151を挟んで接着されている。それぞれの配線に
は、ベアチップ20k,20mが接続されている。
Two semiconductor connection substrates 130 and 140
The surfaces opposite to the surfaces on which both wirings are provided are bonded together with the insulating substrate 151 interposed therebetween. Bare chips 20k and 20m are connected to each wiring.

【0072】そして、半導体接続用基板130の方向か
ら配線用ピン152,153が挿入されている。この配
線用ピン152,153とベアチップ20kとの周囲
は、絶縁性接着剤154で固められている。同様にベア
チップ20lの周囲も絶縁性接着剤155で固められて
いる。
The wiring pins 152 and 153 are inserted from the direction of the semiconductor connection substrate 130. The periphery of the wiring pins 152 and 153 and the bare chip 20k is fixed with an insulating adhesive 154. Similarly, the periphery of the bare chip 201 is also fixed with the insulating adhesive 155.

【0073】このように、2枚の半導体接続用基板を貼
り合わせることにより、マルチチップ構成のチップパッ
ケージのサイズを小さくすることができる。なお、図2
0の例では、配線用ピン152,153が設けられた位
置でのみ両面の配線が接続されているが、それ以外の位
置にも配線用の孔を設ければ、両面のチップの電極同士
を最短距離で接続することができる。そのような構成に
すれば、各種チップが非常に高密度に実装されたベアチ
ップ搭載ボードが得られる。このベアチップ搭載ボード
の例を、以下に示す。
As described above, by bonding two semiconductor connection substrates, the size of a chip package having a multi-chip configuration can be reduced. Note that FIG.
In the example of No. 0, the wiring on both surfaces is connected only at the position where the wiring pins 152 and 153 are provided, but if the wiring holes are provided at other positions, the electrodes of the chips on both surfaces are connected. Can be connected with the shortest distance. With such a configuration, it is possible to obtain a bare chip mounting board on which various chips are mounted at a very high density. An example of this bare chip mounting board is shown below.

【0074】図21は、高密度実装のベアチップ搭載ボ
ードを示す図である。(A)は上面図であり、(B)は
(A)のY−Y断面図である。このベアチップ搭載ボー
ド160では、感光性ガラス基板161の両面に、リソ
グラフィにより配線162a,162bが形成されてい
る。また、感光性ガラス基板161には、両面の配線1
62a,162bを電気的に接続するための多数の孔
(ビアホール)161aがあけられている。この孔16
1aは、主に両面の電極端子の位置を直線的に結ぶ位置
に設けられている。孔161aの内部は、導電性物質で
埋められている。この導電性物質と両面の配線162
a,162bとが接続されることにより、両面の配線配
線162a,162bが互いに電気的に接続される。
FIG. 21 is a diagram showing a bare chip mounting board for high-density mounting. (A) is a top view, and (B) is a YY sectional view of (A). In the bare chip mounting board 160, wirings 162a and 162b are formed on both surfaces of the photosensitive glass substrate 161 by lithography. The photosensitive glass substrate 161 has wirings 1 on both sides.
Numerous holes (via holes) 161a for electrically connecting 62a and 162b are formed. This hole 16
1a is provided mainly at a position that linearly connects the positions of the electrode terminals on both surfaces. The inside of the hole 161a is filled with a conductive material. This conductive material and the wiring 162 on both sides
a and 162b, the wiring 162a and 162b on both surfaces are electrically connected to each other.

【0075】そして、感光性ガラス基板161の両面
に、CPUチップ163、メモリチップ164等のベア
チップと、チップコンデンサ165等の電子部品とが搭
載されている。CPUチップ163や一部のメモリチッ
プ164a,164bは表面に搭載されており、他のメ
モリチップ164c〜164fとチップコンデンサ16
5a〜165dは裏面に搭載されている。これらのベア
チップと電子部品との所定の電極は、感光性ガラス基板
161の孔の上の電極端子に接続されている。
On both surfaces of the photosensitive glass substrate 161, a bare chip such as a CPU chip 163 and a memory chip 164 and electronic components such as a chip capacitor 165 are mounted. The CPU chip 163 and some of the memory chips 164a and 164b are mounted on the surface, and the other memory chips 164c to 164f and the chip capacitor 16 are mounted.
5a to 165d are mounted on the back surface. The predetermined electrodes of the bare chip and the electronic component are connected to the electrode terminals above the holes of the photosensitive glass substrate 161.

【0076】これにより、表面に搭載されたチップの電
極と裏面に搭載されたチップの電極とを最短距離で接続
することができる。感光性ガラス基板161の厚さは、
0.7〜1.0mm程度であるため、配線の長さも同程
度である。しかも、チップ間配線が1つの平面上に限ら
れるという制限枠を取り去り、平面方向の配線と垂直方
向の配線とを組み合わせることができる。そのため、ベ
アチップ搭載ボードの小型化をさらに進めることができ
るとともに、配線抵抗が少なくなり高周波の動作クロッ
クにも対応することができる。
Thus, the electrodes of the chip mounted on the front surface and the electrodes of the chip mounted on the back surface can be connected with the shortest distance. The thickness of the photosensitive glass substrate 161 is
Since it is about 0.7 to 1.0 mm, the length of the wiring is also about the same. In addition, it is possible to remove the restriction frame that the wiring between chips is limited on one plane, and combine the wiring in the plane direction and the wiring in the vertical direction. Therefore, the size of the bare chip mounting board can be further reduced, and the wiring resistance can be reduced, so that a high-frequency operation clock can be supported.

【0077】また、図のように両面実装をすることによ
り、ベアチップの電源用の端子とグランド用の端子との
間に設けるべきコンデンサを、そのチップの裏側に接続
することができる。そのため、配線パターンを設計する
際に、コンデンサを搭載すべき場所を容易に確保でき
る。このコンデンサは、半導体チップに入出力される信
号の波形を整える働きをしているため、必要なコンデン
サを確実に搭載していれば、マルチチップモジュール全
体としての動作の安定性が向上する。しかも、コンデン
サ自身は非常に小型であるため、コンデンサを多数搭載
してもベアチップ搭載ボードが大型化することはない。
By mounting on both sides as shown in the figure, a capacitor to be provided between the power supply terminal and the ground terminal of the bare chip can be connected to the back side of the chip. Therefore, when designing a wiring pattern, a place where a capacitor should be mounted can be easily secured. Since this capacitor functions to adjust the waveform of a signal input to and output from the semiconductor chip, if the necessary capacitor is securely mounted, the operation stability of the entire multi-chip module is improved. In addition, since the capacitor itself is very small, even if a large number of capacitors are mounted, the size of the bare chip mounting board does not increase.

【0078】なお、図21のようなベアチップ搭載ボー
ドは、それ単体で1つのコンピュータシステムを構成で
きるが、このベアチップ搭載ボードをプリント配線板に
実装する必要がある場合には、図20に示したような配
線用のピンを設けておけばよい。
The bare chip mounting board as shown in FIG. 21 can constitute one computer system by itself. However, when it is necessary to mount this bare chip mounting board on a printed wiring board, it is shown in FIG. Such wiring pins may be provided.

【0079】[0079]

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体接続
基板の製造方法では、感光性ガラスを基板として半導体
接続基板を製造するため安価な材料で製造できるととも
に、チップの電極数増加に対しても極端に製造コストを
アップせずに半導体接続基板を製造することが可能であ
る。
As described above, according to the method for manufacturing a semiconductor connection substrate of the present invention, a semiconductor connection substrate can be manufactured using photosensitive glass as a substrate. However, it is possible to manufacture the semiconductor connection substrate without increasing the manufacturing cost extremely.

【0080】また、本発明のベアチップ搭載ボードで
は、感光性ガラスからなる基板の両面にベアチップを搭
載し、基板に設けられた孔を介して配線を行うようにし
たため、複数のベアチップ同士の配線が3次元的に行わ
れるとともに、基板の両面に搭載されたチップ同士が極
めて短い距離で結線される。従って、ベアチップ搭載ボ
ードの小型化が図れると同時に、配線抵抗の低下により
高周波の動作が可能となる。
In the bare chip mounting board of the present invention, the bare chips are mounted on both sides of the substrate made of photosensitive glass, and wiring is performed through holes provided in the substrate. It is performed three-dimensionally, and the chips mounted on both sides of the substrate are connected at an extremely short distance. Accordingly, the size of the bare chip mounting board can be reduced, and at the same time, high-frequency operation can be performed due to a decrease in wiring resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は半導体接続基板を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor connection substrate.

【図2】半導体接続基板の製造工程を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of a semiconductor connection substrate.

【図3】半導体接続基板を用いてベアチップを搭載した
プリント配線板の第1の例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a first example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate.

【図4】半導体接続基板を用いてベアチップを搭載した
プリント配線板の第2の例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a second example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate.

【図5】半導体接続基板を用いてベアチップを搭載した
プリント配線板の第3の例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a third example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate.

【図6】半導体接続基板を用いてベアチップを搭載した
プリント配線板の第4の例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a fourth example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate.

【図7】導体膜が形成ずみの感光性ガラス基板を用いた
場合の半導体接続基板の製造工程を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of a semiconductor connection substrate when a photosensitive glass substrate on which a conductor film has been formed is used.

【図8】プリント配線板との接続端子を基板端面に設け
た半導体接続基板の製造工程を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor connection substrate in which connection terminals for connecting to a printed wiring board are provided on an end face of the substrate.

【図9】接続端子を基板端面に有する半導体接続基板の
具体例を示す図である。(A)は上面図であり、(B)
は(A)のX−X線断面図である。
FIG. 9 is a view showing a specific example of a semiconductor connection substrate having connection terminals on an end face of the substrate. (A) is a top view and (B)
FIG. 3 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【図10】基板端面に設けられた接続端子の拡大図であ
る。
FIG. 10 is an enlarged view of a connection terminal provided on an end face of a substrate.

【図11】端面に接続端子を有する半導体接続基板を用
いてベアチップを搭載したプリント配線板の第1の例を
示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a first example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate having connection terminals on an end surface.

【図12】端面に接続端子を有する半導体接続基板を用
いてベアチップを搭載したプリント配線板の第2の例を
示す図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a second example of a printed wiring board on which a bare chip is mounted using a semiconductor connection substrate having connection terminals on an end surface.

【図13】透明な感光性ガラスを用いた半導体接続基板
とプリント配線板とを接続する際の位置確認方向を示す
図である。
FIG. 13 is a diagram showing a position confirmation direction when a semiconductor connection substrate using a transparent photosensitive glass is connected to a printed wiring board.

【図14】アライメント時に視認される光景を示す図で
ある。(A)は半導体接続基板を目的の位置に接近させ
る前の状態を示す図であり、(B)は半導体接続基板を
目的の位置に接近させた状態を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing a scene visually recognized at the time of alignment. (A) is a figure which shows the state before approaching a semiconductor connection board to a target position, (B) is a figure which shows the state which brought the semiconductor connection board close to the target position.

【図15】アライメントマークを設けた場合のアライメ
ント状況を示す図である。(A)は半導体接続基板を目
的の位置に接近させる前の状態を示す図であり、(B)
は半導体接続基板を目的の位置に接近させた状態を示す
図である。
FIG. 15 is a diagram showing an alignment situation when an alignment mark is provided. (A) is a figure which shows the state before approaching a semiconductor connection board to a target position, (B)
FIG. 4 is a diagram showing a state where the semiconductor connection substrate is brought close to a target position.

【図16】プリント配線板との接続端子をピングリッド
形態にする半導体接続基板の製造工程を示す図である。
FIG. 16 is a diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor connection substrate in which a connection terminal to a printed wiring board is in a pin grid form.

【図17】ピン突出側と反対側にベアチップを接続する
場合の例を示す図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating an example of a case where a bare chip is connected to a side opposite to a pin protruding side;

【図18】蓋によりベアチップを封止した場合の例を示
す図である。
FIG. 18 is a diagram showing an example of a case where a bare chip is sealed with a lid.

【図19】ピン突出側と同じ面にベアチップを接続する
場合の例を示す図である。
FIG. 19 is a diagram illustrating an example of a case where a bare chip is connected to the same surface as the pin protruding side.

【図20】半導体接続用基板を重ね合わせてマルチチッ
プ構成とした場合の例を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing an example of a case where a semiconductor connection substrate is overlaid to form a multi-chip configuration.

【図21】高密度実装を可能にしたベアチップ搭載ボー
ドを示す図である。(A)は上面図であり、(B)は
(A)のY−Y断面図である。
FIG. 21 is a diagram showing a bare chip mounting board that enables high-density mounting. (A) is a top view, and (B) is a YY sectional view of (A).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体接続基板 11 感光性ガラス基板 12 接着剤 13a〜13d 配線 14a〜14d バンプ 20 ベアチップ 21〜24 バンプ 30 プリント配線板 31〜34 電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor connection board 11 Photosensitive glass substrate 12 Adhesive 13a-13d Wiring 14a-14d Bump 20 Bare chip 21-24 Bump 30 Printed wiring board 31-34 Electrode

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の半導体チップを基板に接続するた
めの半導体接続基板の製造方法において、 フォトリソグラフィにより、感光性ガラス基板の所定の
位置に前記感光性ガラス基板を貫通する複数の孔をあ
け、 前記感光性ガラス基板の一方の面に導体膜を形成し、 メッキにより、前記孔の内部を埋め、さらに前記感光性
ガラス基板の面上に盛り上がるまで導体を成長させるこ
とによりバンプを形成し、 前記導体膜をフォトリソグラフィで現像、及びエッチン
グをすることにより、前記孔の間隔と異なる間隔で配置
された複数の接続端子と、前記バンプを形成する導体と
を電気的に接続する配線を形成する、 ことを特徴とする半導体接続基板の製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor connection substrate for connecting a plurality of semiconductor chips to a substrate, wherein a plurality of holes penetrating the photosensitive glass substrate are formed at predetermined positions of the photosensitive glass substrate by photolithography. Forming a conductor film on one surface of the photosensitive glass substrate, filling the inside of the hole by plating, and growing a conductor until it rises on the surface of the photosensitive glass substrate to form a bump; By developing and etching the conductive film by photolithography, a plurality of connection terminals arranged at intervals different from the intervals of the holes and wirings for electrically connecting the conductors forming the bumps are formed. A method for manufacturing a semiconductor connection substrate, characterized by comprising:
【請求項2】 半導体チップをプリント基板に接続する
ための半導体接続基板の製造方法において、 フォトリソグラフィにより、感光性ガラス基板の外周に
一列となる位置に、前記感光性ガラス基板を貫通する複
数の孔をあけ、 スパッタリングにより、前記感光性ガラス基板の一方の
配線面と前記孔の内壁とに導体膜を形成し、 メッキにより前記導体膜を成長させ、 前記導体膜をフォトリソグラフィで現像及びエッチング
をすることにより、前記半導体チップの配線密度に応じ
た間隔で前記感光性ガラス基板の一方の面上に配置され
た複数の高密度端子と、前記孔の内壁とを電気的に接続
する配線を形成前記孔の位置に沿って前記感光性ガラス基板を切断す
る、 ことを特徴とする半導体接続基板の製造方法。
2. A manufacturing method of a semiconductor connecting substrate for connecting a semiconductor chip to a printed circuit board, by photolithography, on the outer periphery of the photosensitive glass substrate
A plurality of holes penetrating the photosensitive glass substrate are formed in a row , a conductive film is formed on one of the wiring surfaces of the photosensitive glass substrate and the inner wall of the hole by sputtering, and the conductor A plurality of high-density terminals arranged on one surface of the photosensitive glass substrate at intervals according to the wiring density of the semiconductor chip by growing a film and developing and etching the conductive film by photolithography. If, forming a wiring for electrically connecting the inner wall of the hole, to cut the photosensitive glass substrate along the position of the hole
A method of manufacturing a semiconductor connection substrate.
【請求項3】 基板上に各種半導体部品が設けられたベ
アチップ搭載ボードにおいて、 所定の位置に複数の孔が設けられた、感光性ガラスから
なる基板と、 前記孔に埋められた導電性物質と、 前記基板の両面において、前記導電性物質の上に接続端
子を形成する配線と、 所定の電極が前記接続端子に接続されることにより、前
記基板の両面に搭載された複数のベアチップと、 を有することを特徴とするベアチップ搭載ボード。
3. A bare chip mounting board in which various semiconductor components are provided on a substrate, wherein a substrate made of photosensitive glass having a plurality of holes provided at predetermined positions, and a conductive material filled in the holes. A wiring forming a connection terminal on the conductive material on both surfaces of the substrate; and a plurality of bare chips mounted on both surfaces of the substrate by connecting a predetermined electrode to the connection terminal. A bare chip mounting board characterized by having:
【請求項4】 基板上に各種半導体部品が設けられたベ
アチップ搭載ボードにおいて、 所定の位置に複数の基板側端子が設けられたプリント基
板と、 前記プリント基板上に固定された感光性ガラスからなる
基板と、 前記基板の端面に設けられ、前記プリント基板の前記基
板側端子に電気的に接続された複数の端面接続端子と、 前記基板の一方の面の前記半導体チップの電極に応じた
位置に配置された複数の高密度端子と、 前記高密度端子と前記端面接続端子とを電気的に接続す
る配線と、 所定の電極が前記高密度端子に接続されることにより、
前記基板に搭載されたベアチップと、 を有することを特徴とするベアチップ搭載ボード。
4. A bare chip mounting board on which various semiconductor components are provided on a board, comprising: a printed board provided with a plurality of board-side terminals at predetermined positions; and a photosensitive glass fixed on the printed board. A board, a plurality of end face connection terminals provided on an end face of the board, and electrically connected to the board-side terminals of the printed board; and a position corresponding to an electrode of the semiconductor chip on one face of the board. A plurality of high-density terminals arranged, wiring for electrically connecting the high-density terminal and the end face connection terminal, and a predetermined electrode connected to the high-density terminal,
A bare chip mounted board, comprising: a bare chip mounted on the substrate.
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