JP2998311B2 - Logic circuit - Google Patents

Logic circuit

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JP2998311B2
JP2998311B2 JP18261391A JP18261391A JP2998311B2 JP 2998311 B2 JP2998311 B2 JP 2998311B2 JP 18261391 A JP18261391 A JP 18261391A JP 18261391 A JP18261391 A JP 18261391A JP 2998311 B2 JP2998311 B2 JP 2998311B2
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terminal
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、論理回路の駆動能力向
上回路に利用する。特に、出力の高レベル電位(以下、
「H」と云う。)から低レベル電位(以下、「L」と云
う。)への遷移時間を早めるためのアクティブプルダウ
ン回路付エミッタフォロア回路(以下、APD回路型論
理回路と云う。)に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for a circuit for improving the driving capability of a logic circuit. In particular, the output high-level potential (hereinafter, referred to as
Say "H". ) To an emitter follower circuit with an active pull-down circuit (hereinafter referred to as an APD circuit type logic circuit) for shortening the transition time from a low level potential (hereinafter referred to as “L”).

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来例の論理回路の回路図であ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional logic circuit.

【0003】従来、論理回路は、インバータ回路が図3
に示すような回路であり、以下に示すような動作となっ
ていた。
Conventionally, a logic circuit has an inverter circuit as shown in FIG.
And the operation as described below.

【0004】図3において、トランジスタQ1 のベース
の入力端子1にトランジスタQ2 のベースに接続されて
いる基準電位端子2(通常は−1.1Vが多く用いられ
ている)より「L」(たとえば、約−1.4V)が入力
されるとトランジスタQ1 は遮断状態(以下、「オフ」
と云う。)となり、そのコレクタ電位は接地電位まで上
昇し、出力端子5にはその電位よりトランジスタQ3
順方向ベースエミッタ間電圧(以下、VBEQ3と云う。)
だけ下がった電位、すなわち「H」(約−0.8V)が
生じる。ここで、入力電圧を「L」から「H」へ反転さ
せるとトランジスタQ1 が導通状態(以下、「オン」と
云う。)となり、トランジスタQ2は「オフ」となる。
このためにトランジスタQ1 のコレクタ電位は接地電位
から抵抗R1 と定電流I1 とによる電位降下を差引いた
電位(約−0.6V)となり、出力端子5にはさらにV
BEQ3だけ下がった電位すなわち「L」が生じる。
[0004] In FIG. 3, (usually is often used -1.1 V) reference potential terminal 2 to the base of the input terminal 1 of the transistor Q 1 is connected to the base of the transistor Q 2 from the "L" ( For example, about -1.4 V) when the input transistor Q 1 is cut-off state (hereinafter, "off"
I say. ), And its collector potential rises to the ground potential, the output terminal 5 forward base-emitter voltage of the transistor Q 3 from the potential (hereinafter, referred to as V BEQ3.)
That is, a potential which is lowered by the amount of “H” (about −0.8 V). Here, when the input voltage is inverted from “L” to “H”, the transistor Q 1 is turned on (hereinafter, referred to as “on”), and the transistor Q 2 is turned “off”.
The collector potential of the transistor Q 1 to the minus potential drop due to the ground potential and a resistor R 1 constant current I 1 and the potential (approximately -0.6 V), and the further V to the output terminal 5
A potential lower by BEQ3, that is, "L" is generated.

【0005】以上の説明により入力端子1が「L」のと
きには出力端子5には「H」が、また入力端子1が
「H」のときには出力端子5には「L」が生じるインバ
ータ回路になっている。
As described above, the inverter circuit generates "H" at the output terminal 5 when the input terminal 1 is "L" and generates "L" at the output terminal 5 when the input terminal 1 is "H". ing.

【0006】また、APD回路(アクティブプルタウン
回路)のトランジスタQ4 、アクティブトランジスタQ
5 、容量C1 および抵抗R3 は以下の動作を行う。入力
端子1の電位を「L」から「H」へ遷移させるとトラン
ジスタQ1 のコレクタ電位は「H」から「L」へ遷移
し、出力端子5は「H」から「L」へ遷移する。
Also, the transistor Q 4 and the active transistor Q of the APD circuit (active pull town circuit)
5, capacitor C 1 and resistor R 3 performs the following operation. The collector potential of by transitioning the transistor Q 1 of the input terminal 1 potential to "H" from "L" transitions from "H" to "L", the output terminal 5 changes from "H" to "L".

【0007】このときにトランジスタQ2 のコレクタ電
位は「L」から「H」へ遷移するために容量C1 を通し
てアクティブトランジスタQ5 のベースには過渡的に充
電電流が流れ、アクティブトランジスタQ5 を「オン」
させる。これにより出力端子5の負荷容量C2 の放電を
速くする。すなわち、出力の「H」から「L」への遷移
時間(以下、tPHL と云う。)を速くする回路である。
[0007] At this time the transient charging current flows collector potential of the transistor Q 2 is the base of the active transistor Q 5 through capacitance C 1 to transition from the "L" to "H", an active transistor Q 5 "on"
Let it. Thereby increasing the discharge of the load capacitance C 2 of the output terminal 5. That is, the circuit speeds up the transition time of the output from “H” to “L” (hereinafter referred to as t PHL ).

【0008】なお、トランジスタQ4 のベースに接続す
る基準電位端子3(通常は−1.6V程度が多く用いら
れている。)および抵抗R3 は定常状態時におけるアク
ティブトランジスタQ5 のベース電流、すなわちエミッ
タ電流を設定するものであり、このアクティブトランジ
スタQ5 のベース電流が大であると負荷容量の放電能力
が高くなる。
The reference potential terminal 3 connected to the base of the transistor Q 4 (usually, about -1.6 V is often used) and the resistor R 3 are the base current of the active transistor Q 5 in a steady state, that is for setting the emitter current, the discharge capacity of the load capacitance base current of the active transistor Q 5 is greater increases.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来例の論理回路では、出力の負荷容量が小さくなるとア
クティブトランジスタQ5 のコレクタ吸込能力(以下、
シンク能力と云う。)が大であるために出力の「H」か
ら「L」への遷移時のアンダシュートが大きくなり、そ
の結果次段の論理回路を誤動作させたり、出力の「L」
から「H」への遷移時間(以下、tPLH と云う。)が大
きくなる欠点があった。また、このシンク能力が大きい
ために負荷容量がすべて放電した後も接地電位によりエ
ミッタフォロアトランジスタQ3 を通し無駄な電流がア
クティブトランジスタQ5 に流れ消費電流が大となる欠
点があった。
[SUMMARY OF THE INVENTION However, in the logic circuit of the conventional example, when the load capacitance of the output is reduced active transistor Q 5 of the collector suction capacity (hereinafter,
It is called sink ability. ) Is large, the undershoot at the time of the transition of the output from “H” to “L” becomes large. As a result, the logic circuit of the next stage malfunctions or the output “L” becomes low.
However, there is a disadvantage that the transition time from "H" to "H" (hereinafter, referred to as tPLH ) becomes long. Moreover, unnecessary current through the emitter follower transistor Q 3 has a drawback that flows current consumption in the active transistor Q 5 becomes larger by even the ground potential after the load capacitor has discharged all for this sink capacity is large.

【0010】本発明は上記の欠点を解決するもので、出
力の高レベル電位から低レベル電位への遷移時のアンダ
シュートを抑えて次段の論理回路の誤動作を防止し、か
つ出力の低レベル電位から高レベル電位への遷移時間の
増大を防止できる論理回路を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned drawbacks, and suppresses an undershoot at the time of transition from a high-level potential to a low-level potential of an output to prevent a malfunction of a next-stage logic circuit, and to reduce a low level of an output. It is an object to provide a logic circuit which can prevent an increase in transition time from a potential to a high-level potential.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、入力する電位
の立上がりに出力端子に電流を出力するエミッタフォロ
ア回路を備え、上記エミッタフォロア回路は上記出力端
子に接続された負荷容量および上記入力する電位が立下
がったときにこの負荷容量の放電を行うアクティブプル
ダウン回路とを含む論理回路において、上記エミッタフ
ォロア回路は、上記出力端子の電位の立下がりを検出す
る検出手段と、この検出手段の検出結果に基づき上記ア
クティブプルダウン回路の放電を制御する制御手段とを
含むことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided an emitter follower circuit for outputting a current to an output terminal when the input potential rises, the emitter follower circuit including a load capacitor connected to the output terminal and the input. In a logic circuit including an active pull-down circuit that discharges the load capacitance when the potential falls, the emitter follower circuit includes a detecting unit that detects a fall of the potential of the output terminal, and a detecting unit that detects the falling of the potential of the output terminal. Control means for controlling the discharge of the active pull-down circuit based on the result.

【0012】また、本発明は、上記エミッタフォロア回
路はベースが上記入力する電位に接続されコレクタが接
地端子に接続されエミッタが上記出力端子に接続された
エミッタフォロアトランジスタを含み、上記出力端子は
負荷容量を介して電源端子に接続され、上記アクティブ
プルダウン回路は、コレクタが上記接地端子に接続され
ベースが規定の電位に接続されエミッタが上記入力する
電位の立上がりに立下がる電位に結合容量を介して接続
されたトランジスタと、ベースがこのトランジスタのエ
ミッタに接続されコレクタが上記出力端子に接続されエ
ミッタが上記電源端子に接続されたアクティブトランジ
スタとを含むことができる。
Further, according to the present invention, the emitter follower circuit includes an emitter follower transistor having a base connected to the input potential, a collector connected to a ground terminal, and an emitter connected to the output terminal, and the output terminal is connected to a load. The active pull-down circuit is connected to a power supply terminal via a capacitor, the collector is connected to the ground terminal, the base is connected to a predetermined potential, and the emitter is connected to a potential falling at the rise of the input potential via a coupling capacitor. It may include a connected transistor and an active transistor having a base connected to the emitter of the transistor, a collector connected to the output terminal, and an emitter connected to the power supply terminal.

【0013】さらに、本発明は、上記検出手段は、ソー
スが上記接地端子に接続されゲートが上記出力端子に接
続されたpチャネルMOSトランジスタと、ソースが上
記電源端子に接続されゲートが上記出力端子に接続され
ゲートが上記pチャネルMOSトランジスタのゲートに
接続された第一のnチャネルMOSトランジスタとを含
み、上記制御手段はソースが上記電源端子に接続されゲ
ートが上記pチャネルMOSトランジスタのドレインに
接続されドレインが上記アクティブトランジスタのベー
スに接続された第二のnチャネルMOSトランジスタを
含むことができる。
Further, according to the present invention, the detecting means includes a p-channel MOS transistor having a source connected to the ground terminal and a gate connected to the output terminal, and a source connected to the power supply terminal and a gate connected to the output terminal. And a first n-channel MOS transistor having a gate connected to the gate of the p-channel MOS transistor, the control means including a source connected to the power supply terminal and a gate connected to the drain of the p-channel MOS transistor. And a second n-channel MOS transistor having a drain connected to the base of the active transistor.

【0014】[0014]

【作用】エミッタフォロア回路は、検出手段で出力端子
の電位の立下がりを検出し、制御手段でこの検出手段の
検出結果に基づきアクティブフォロア回路の放電を制御
する。
The emitter follower circuit detects the fall of the potential of the output terminal by the detection means, and controls the discharge of the active follower circuit based on the detection result of the detection means by the control means.

【0015】以上により出力の高レベル電位から低レベ
ル電位への遷移時のアンダシュートを抑えて次段の論理
回路の誤動作を防止し、かつ出力の低レベル電位から高
レベル電位への遷移時間の増大を防止できる。
As described above, undershoot at the time of transition of the output from the high-level potential to the low-level potential is suppressed to prevent a malfunction of the next-stage logic circuit, and the transition time of the output from the low-level potential to the high-level potential is reduced. An increase can be prevented.

【0016】[0016]

【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図1は本発明一実施例論理回路の回路図である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a logic circuit according to one embodiment of the present invention.

【0017】図1において、論理回路は、インバータ回
路を備え、このインバータ回路は、入力端子1と、基準
電位端子2と、トランジスタQ1 、Q2 と、抵抗R1
2 とを含み、トランジスタQ1 のコレクタに接続され
入力する電位の立上がりに出力端子5に電流を出力する
エミッタフォロア回路を備え、上記エミッタフォロア回
路は出力端子5に接続された負荷容量C2 および上記入
力する電位が立下がったときにこの負荷容量C2 の放電
を行うアクティブプルダウン回路とを含む。
In FIG. 1, the logic circuit includes an inverter circuit, which has an input terminal 1, a reference potential terminal 2, transistors Q 1 and Q 2 , a resistor R 1 ,
And a R 2, transistors to Q 1 is connected to a collector provided with an emitter follower circuit for outputting a current to the output terminal 5 to the rise of the potential of the input, the emitter follower circuit is the load capacitance C 2 connected to the output terminal 5 and the potential of the input contains an active pull-down circuit which performs discharging of the load capacitance C 2 when the fall of.

【0018】ここで本発明の特徴とするところは、上記
エミッタフォロア回路は、出力端子5の電位の立下がり
を検出する検出手段と、この検出手段の検出結果に基づ
き上記アクティブプルダウン回路の放電を制御する制御
手段とを含むことにある。
Here, it is a feature of the present invention that the emitter follower circuit includes a detecting means for detecting a fall of the potential of the output terminal 5 and a discharge of the active pull-down circuit based on a detection result of the detecting means. And control means for controlling.

【0019】また、上記エミッタフォロア回路はベース
がトランジスタQ1のコレクタに接続されコレクタが接
地端子4に接続されエミッタが出力端子5に接続された
エミッタフォロアトランジスタQ3 を含み、出力端子5
は負荷容量C2 を介して電源端子6に接続され、上記ア
クティブプルダウン回路は、コレクタが接地端子4に接
続されベースが規定の電位の基準電位端子3に接続され
エミッタがトランジスタQ2 のコレクタに結合容量C1
を介して接続されたトランジスタQ4 と、ベースがトラ
ンジスタQ4 のエミッタに接続されコレクタが出力端子
5に接続されエミッタが電源端子6に接続されたアクテ
ィブトランジスタQ5 とを含む。
The emitter follower circuit includes an emitter follower transistor Q 3 having a base connected to the collector of the transistor Q 1, a collector connected to the ground terminal 4, and an emitter connected to the output terminal 5.
Is connected to a power supply terminal 6 via a load capacitor C 2 , the active pull-down circuit has a collector connected to the ground terminal 4, a base connected to the reference potential terminal 3 having a specified potential, and an emitter connected to the collector of the transistor Q 2 . Coupling capacity C 1
A transistor Q 4 which is connected via a base and an active transistor Q 5 of the emitter collector connected to the emitter of the transistor Q 4 is connected to the output terminal 5 is connected to the power supply terminal 6.

【0020】さらに、上記検出手段は、ソースが接地端
子4に接続されゲートが出力端子5に接続されたpチャ
ネルMOSトランジスタP1 と、ソースが電源端子6に
接続されゲートが出力端子5に接続されゲートがpチャ
ネルMOSトランジスタP1 のゲートに接続された第一
のnチャネルMOSトランジスタとしてnチャネルMO
SトランジスタN2 とを含み、上記制御手段はソースが
電源端子6に接続されゲートがpチャネルMOSトラン
ジスタP1 のドレインに接続されドレインがアクティブ
トランジスタQ5 のベースに接続された第二のnチャネ
ルMOSトランジスタとしてnチャネルMOSトランジ
スタN1 を含む。
Further, the detecting means includes a p-channel MOS transistor P 1 having a source connected to the ground terminal 4 and a gate connected to the output terminal 5, and a source connected to the power supply terminal 6 and a gate connected to the output terminal 5. n-channel MO as the first n-channel MOS transistor having a gate connected to the gate of the p-channel MOS transistor P 1 is
S and a transistor N 2, a second n-channel and the control means for drain connected to the drain of the source gate connected to the power supply terminal 6 is p-channel MOS transistor P 1 is connected to the base of the active transistor Q 5 as MOS transistor and an n channel MOS transistor n 1.

【0021】このような構成の論理回路の動作について
説明する。
The operation of the logic circuit having such a configuration will be described.

【0022】図1において、従来の回路と異なるところ
は、アクティブトランジスタQ5 のベースエミッタ間電
位を決める抵抗R3 の代わりにnチャネルMOSトラン
ジスタN1 を接続した回路が用いられ、また、出力レベ
ル検出回路はpチャネルMOSトランジスタP1 および
nチャネルMOSトランジスタN2 からなり、両MOS
トランジスタのゲートが出力端子5に接続され、pチャ
ネルMOSトランジスタP1 のソースが接地端子4に接
続され、nチャネルMOSトランジスタN2のソースが
電源端子6に接続され、両MOSトランジスタのドレイ
ンがアクティブプルダウン回路の制御回路のnチャネル
MOSトランジスタN1 のゲートに接続されている。
[0022] In FIG. 1, and it is different from the conventional circuit, the circuit connecting the n-channel MOS transistor N 1 in place of the resistor R 3 to determine the base-emitter potential of the active transistor Q 5 is used, also, the output level detection circuit comprises p-channel MOS transistors P 1 and n-channel MOS transistor n 2, both MOS
The gate of the transistor is connected to the output terminal 5, the source of the p-channel MOS transistor P 1 is connected to the ground terminal 4, the source of the n-channel MOS transistor N 2 is connected to the power supply terminal 6, the drain of the MOS transistor is active It is connected to the gate of n-channel MOS transistors n 1 of the control circuit of the pull-down circuit.

【0023】いま、入力端子1を「L」に設定するとト
ランジスタQ1 が「オフ」するために出力は「H」とな
り、出力レベル検出回路のpチャネルMOSトランジス
タP1 およびnチャネルMOSトランジスタN1 で構成
されるインバータ回路の出力は「L」になっており、n
チャネルMOSトランジスタN2 は「オフ」状態でアク
ティブトランジスタQ5 のベース電流は従来のAPD回
路と同程度となっている。
[0023] Now, the output "H" for setting the input terminal 1 to the "L" transistor Q 1 is to "off", p-channel output level detection circuit MOS transistors P 1 and n-channel MOS transistor N 1 The output of the inverter circuit composed of
Channel MOS transistor N 2 has a base current comparable to the conventional APD circuit of an active transistor Q 5 in the "off" state.

【0024】いま、入力端子1を「L」から「H」に設
定するとトランジスタQ2 は「L」から「H」になり、
容量C1 を通してアクティブトランジスタQ5 のベース
に過渡的な充電電流が流れアクティブトランジスタQ5
を「オン」させる。このために、アクティブトランジス
タQ5 のコレクタ電流により負荷容量C2 が放電され、
出力端子5が「H」から「L」になる。pチャネルMO
SトランジスタP1およびnチャネルMOSトランジス
タN2 で構成される出力レベル検出回路のインバータ出
力は「H」となりnチャネルMOSトランジスタN1
「オン」になる。したがって、nチャネルMOSトラン
ジスタN2 により不必要なアクティブトランジスタQ5
のベース駆動過渡電流が引抜かれる。なお、入力端子1
を「H」から「L」にした場合も従来の回路と同様な動
作をする。
[0024] Now, the transistor Q 2 If you set the input terminal 1 from "L" to "H" is made from "L" to "H",
Active transistor Q 5 transient charging current flows to the base of the active transistor Q 5 through capacitance C 1
Is turned on. For this, the load capacitance C 2 is discharged by the collector current of the active transistor Q 5,
The output terminal 5 changes from “H” to “L”. p-channel MO
Inverter output power level detection circuit constituted by S transistors P 1 and n-channel MOS transistor N 2 is "H" n-channel MOS transistor N 1 is "on". Therefore, unnecessary active transistor Q 5 is provided by n-channel MOS transistor N 2.
The base drive transient current is extracted. The input terminal 1
Is changed from “H” to “L”, the same operation as the conventional circuit is performed.

【0025】図2は本発明他の実施例論理回路の回路図
である。図1の実施例と異なる点は出力の「H」から
「L」の遷移時間tPHL を速めるアクティブトランジス
タQ5 にアクティブトランジスタQ6 を追加し、コレク
タ共通のダーリントン接続することにより電流増幅率を
大きくし負荷に対する駆動能力を大きくしたAPD回路
に本発明を適用した例である。従来この種の回路では負
荷駆動能力が大きい(シンク能力が大)ために出力負荷
容量が小さい場合に、出力が「H」から「L」への遷移
時のアンダシュートが図1に示す回路より大きい問題が
あったが本発明はこれを解決した。次にこの回路の動作
を説明する。図2に示す容量C1 を通してアクティブト
ランジスタQ5 のベースに過渡的な充電電流が流れアク
ティブトランジスタQ2 を「オン」させるまでは従来の
APD回路付論理回路と同様である。アクティブトラン
ジスタQ5 が「オン」するとアクティブトランジスタQ
5 のコレクタ電流によりまず負荷容量C2 が放電すると
ともにそのエミッタ電流によりアクティブトランジスタ
6 のベースを駆動し、アクティブトランジスタQ6
コレクタ電流により負荷容量C2 を放電する。出力端子
が「L」になった後の出力レベル検出回路の動作は図1
に示す回路と同様であり、nチャネルMOSトランジス
タN2 、N3 により不必要なアクティブトランジスタQ
5、Q6 のベース駆動過渡電流が引抜かれる。たとえ
ば、カレントソース電流ICS=0.2mA、R1 =R2
=4kΩ、C1 =50pFの回路定数においては負荷容
量Cが1pFのときに出力の「H」から「L」への遷移
時間は約550ps、C2 =2pFきときに800ps
となり、アンダシュートは10mV以内でほとんどみら
れなくなる。
FIG. 2 is a circuit diagram of a logic circuit according to another embodiment of the present invention. Example differs from Figure 1 by adding the active transistor Q 6 in the active transistor Q 5 to increase the transition time t PHL "L" from "H" of the output, the current amplification factor by a common collector of the Darlington connection This is an example in which the present invention is applied to an APD circuit in which the driving capability with respect to the load is increased. Conventionally, in this type of circuit, when the output load capacity is small because the load driving capability is large (the sink capability is large), the undershoot at the time of the output transitioning from "H" to "L" is smaller than that of the circuit shown in FIG. Although there was a major problem, the present invention has solved this problem. Next, the operation of this circuit will be described. Active transistor Q 2 flows transient charging current to the base of the active transistor Q 5 through capacitance C 1 of FIG. 2 to be "on" is the same as the logic circuit with the conventional APD circuit. Active transistor Q 5 is "on" Then the active transistor Q
First with load capacitance C 2 is discharged by 5 of the collector current to drive the base of active transistor Q 6 by its emitter current, to discharge the load capacitance C 2 by the collector current of the active transistor Q 6. The operation of the output level detection circuit after the output terminal goes to "L" is shown in FIG.
And an unnecessary active transistor Q by n-channel MOS transistors N 2 and N 3.
5, base drive transient current of Q 6 is withdrawn. For example, the current source current I CS = 0.2 mA, R 1 = R 2
= 4 kΩ, C 1 = 50 pF, the transition time from “H” to “L” of the output is about 550 ps when the load capacitance C is 1 pF, and 800 ps when C 2 = 2 pF.
, And undershoot hardly occurs within 10 mV.

【0026】なお、本実施例ではAPD回路を含むEC
L回路(エミッタ結合型論理回路)のインバータ回路に
ついて説明したが、NOR回路(否定論理和回路)にし
ても同様な効果が得られ、また、OR回路(論理和回
路)に対してもAPD回路の容量C1 を出力と逆相の信
号に接続することにより同様な効果が得られる。
In this embodiment, the EC including the APD circuit is used.
Although the inverter circuit of the L circuit (emitter-coupled logic circuit) has been described, a similar effect can be obtained by a NOR circuit (a NOR circuit), and an APD circuit is also provided for an OR circuit (logical OR circuit). same effect by connecting a capacitor C 1 to the signal output and the negative phase is obtained.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、出力の
高レベル電位から低レベル電位への遷移時のアンダシュ
ートを抑えて次段の論理回路の誤動作を防止し、かつ出
力の低レベル電位から高レベル電位への遷移時間の増大
を防止できる優れた効果がある。
As described above, the present invention suppresses the undershoot at the time of transition from the high-level potential of the output to the low-level potential, prevents the malfunction of the logic circuit of the next stage, and reduces the low level of the output. There is an excellent effect that the transition time from the potential to the high level potential can be prevented from increasing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明一実施例論理回路の回路図。FIG. 1 is a circuit diagram of a logic circuit according to one embodiment of the present invention.

【図2】本発明他の実施例論理回路の回路図。FIG. 2 is a circuit diagram of a logic circuit according to another embodiment of the present invention.

【図3】従来例の論理回路の回路図。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional logic circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力端子 2、3 基準電位端子 4 接地端子 5 出力端子 6 電源端子 C1 結合容量 C2 負荷容量 N1 、N2 、N3 nチャネルMOSトランジスタ P1 pチャネルMOSトランジスタ Q1 、Q2 、Q4 トランジスタ(NPN型) Q3 エミッタフォロアトランジスタ(NPN型) Q5 、Q6 アクティブトランジスタ(NPN型) R1 、R2 、R3 抵抗1 input terminal 2, 3 reference potential terminal 4 ground terminal 5 output terminal 6 power supply terminal C 1 coupling capacitance C 2 load capacitance N 1 , N 2 , N 3 n-channel MOS transistor P 1 p-channel MOS transistor Q 1 , Q 2 , Q 4 transistor (NPN type) Q 3 emitter follower transistor (NPN type) Q 5, Q 6 active transistor (NPN type) R 1, R 2, R 3 resistors

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 入力する電位の立上がりに出力端子に電
流を出力するエミッタフォロア回路を備え、 上記エミッタフォロア回路は上記出力端子に接続された
負荷容量および上記入力する電位が立下がったときにこ
の負荷容量の放電を行うアクティブプルダウン回路とを
含む論理回路において、 上記エミッタフォロア回路は、上記出力端子の電位の立
下がりを検出する検出手段と、この検出手段の検出結果
に基づき上記アクティブプルダウン回路の放電を制御す
る制御手段とを含むことを特徴とする論理回路。
1. An emitter follower circuit for outputting a current to an output terminal when the input potential rises, wherein the emitter follower circuit detects a load capacitance connected to the output terminal and the input follower when the input potential falls. In a logic circuit including an active pull-down circuit for discharging a load capacitance, the emitter follower circuit includes a detection unit that detects a fall of the potential of the output terminal, and an active pull-down circuit based on a detection result of the detection unit. And a control means for controlling discharge.
【請求項2】 上記エミッタフォロア回路はベースが上
記入力する電位に接続されコレクタが接地端子に接続さ
れエミッタが上記出力端子に接続されたエミッタフォロ
アトランジスタを含み、上記出力端子は負荷容量を介し
て電源端子に接続され、上記アクティブプルダウン回路
は、コレクタが上記接地端子に接続されベースが規定の
電位に接続されエミッタが上記入力する電位の立上がり
に立下がる電位に結合容量を介して接続されたトランジ
スタと、ベースがこのトランジスタのエミッタに接続さ
れコレクタが上記出力端子に接続されエミッタが上記電
源端子に接続されたアクティブトランジスタとを含む請
求項1記載の論理回路。
2. The emitter follower circuit includes an emitter follower transistor having a base connected to the input potential, a collector connected to a ground terminal, and an emitter connected to the output terminal, and the output terminal connected via a load capacitor. The active pull-down circuit is connected to a power supply terminal, the collector is connected to the ground terminal, the base is connected to a predetermined potential, and the emitter is connected via a coupling capacitor to a potential falling at the rise of the input potential. 2. The logic circuit according to claim 1, further comprising: an active transistor having a base connected to the emitter of the transistor, a collector connected to the output terminal, and an emitter connected to the power supply terminal.
【請求項3】 上記検出手段は、ソースが上記接地端子
に接続されゲートが上記出力端子に接続されたpチャネ
ルMOSトランジスタと、ソースが上記電源端子に接続
されゲートが上記出力端子に接続されゲートが上記pチ
ャネルMOSトランジスタのゲートに接続された第一の
nチャネルMOSトランジスタとを含み、上記制御手段
はソースが上記電源端子に接続されゲートが上記pチャ
ネルMOSトランジスタのドレインに接続されドレイン
が上記アクティブトランジスタのベースに接続された第
二のnチャネルMOSトランジスタを含む請求項1記載
の論理回路。
3. The detecting means includes a p-channel MOS transistor having a source connected to the ground terminal and a gate connected to the output terminal, and a gate having a source connected to the power supply terminal and a gate connected to the output terminal. Includes a first n-channel MOS transistor connected to the gate of the p-channel MOS transistor, and the control means includes a source connected to the power supply terminal, a gate connected to the drain of the p-channel MOS transistor, and a drain connected to the 2. The logic circuit according to claim 1, further comprising a second n-channel MOS transistor connected to a base of the active transistor.
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