JP2991892B2 - 非線形光学シリカガラスおよびその製造方法 - Google Patents
非線形光学シリカガラスおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学シリカガラ
ス、特に波長変換用非線形光学シリカガラスおよびその
製造方法に関する。
ス、特に波長変換用非線形光学シリカガラスおよびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光エレクトロニクス技術の拡大と
共に、光制御機能を有する非線形光学材料が注目を集
め、各種の非線形光学材料が提案されている。例えばＫ
ＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4），ＫＤＰ（ＫＨ2ＰＯ4）等の無
機単結晶非線形光学材料（ニュ−セラミックス（１９９
１）Ｎｏ．４、４５〜４８頁）、ＰＯＭ（３−メチル−
４−ニトロピリジンＮ−オキシド）等のニトロアニリン
誘導体に代表される有機非線形光学材料（前出ニュ−セ
ラミックス、４９〜５２頁）、あるいは各種半導体ド−
プガラスの無機非線形光学ガラス材料等がある（前出ニ
ュ−セラミックス、５３〜５９頁）。これら非線形光学
材料は高速光スイッチ、光双安定デバイス、光高調波発
生素子等の光デバイスとしての用途が考えられるが、特
に高調波発生材料はレ−ザ−光の波長変換素子として有
用でその発展には著しいものがある。
共に、光制御機能を有する非線形光学材料が注目を集
め、各種の非線形光学材料が提案されている。例えばＫ
ＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4），ＫＤＰ（ＫＨ2ＰＯ4）等の無
機単結晶非線形光学材料（ニュ−セラミックス（１９９
１）Ｎｏ．４、４５〜４８頁）、ＰＯＭ（３−メチル−
４−ニトロピリジンＮ−オキシド）等のニトロアニリン
誘導体に代表される有機非線形光学材料（前出ニュ−セ
ラミックス、４９〜５２頁）、あるいは各種半導体ド−
プガラスの無機非線形光学ガラス材料等がある（前出ニ
ュ−セラミックス、５３〜５９頁）。これら非線形光学
材料は高速光スイッチ、光双安定デバイス、光高調波発
生素子等の光デバイスとしての用途が考えられるが、特
に高調波発生材料はレ−ザ−光の波長変換素子として有
用でその発展には著しいものがある。
【０００３】レ−ザ−光には紫外線リソグラフィ、レ−
ザ−医療、加工等に使用される高出力レ−ザ−、あるい
は光エレクトロニクス等に使用される低出力レ−ザ−が
ある。前記高出力レ−ザ−はサファイヤレ−ザ−やアレ
キサンドライトレ−ザ−の波長可変固体レ−ザ−が次々
に開発されつつあるが、やはりＹＡＧレ−ザ−やＡｒガ
スレ−ザ−を短波長化させる必要性は大きい。また、低
出力レ−ザ−は光デスクなどの高密度化、カラ−プリン
タ−の３原色化などのため該レ−ザ−光をグリ−ン、ブ
ル−または紫外光に変換する波長変換用非線形光学材料
の重要性は益々高くなってきている。
ザ−医療、加工等に使用される高出力レ−ザ−、あるい
は光エレクトロニクス等に使用される低出力レ−ザ−が
ある。前記高出力レ−ザ−はサファイヤレ−ザ−やアレ
キサンドライトレ−ザ−の波長可変固体レ−ザ−が次々
に開発されつつあるが、やはりＹＡＧレ−ザ−やＡｒガ
スレ−ザ−を短波長化させる必要性は大きい。また、低
出力レ−ザ−は光デスクなどの高密度化、カラ−プリン
タ−の３原色化などのため該レ−ザ−光をグリ−ン、ブ
ル−または紫外光に変換する波長変換用非線形光学材料
の重要性は益々高くなってきている。
【０００４】上記に提案された非線形光学材料のうち無
機単結晶非線形光学材料は、確かに高出力レ−ザ−に対
してダメ−ジが入りにくく耐レ−ザ−損傷性に優れてい
るが、構造欠陥の少ない良質の大型単結晶を得難く、し
かも高価であるという欠点を有している。また、有機非
線形光学材料は、第２高調波発生（以下ＳＨＧという）
や第３高調波発生（以下ＴＨＧという）の波長変換効率
は大きく、かつ低コストではあるが、レ−ザ−照射で材
料の変質が起り易く、耐レ−ザ−損傷性に難点がある。
さらに、半導体ド−プガラスの無機非線形光学ガラス材
料は低コストで、大型の均質な材料が得られるが、ＳＨ
ＧやＴＨＧの波長変換効率が小さく、また変換した波長
域での光吸収が大きく、素子長を大きくできないという
欠点がある。このように従来公知の非線形光学材料では
満足の行く波長変換素子用の非線形光学材料が得られ
ず、より高性能の非線形光学材料の出現が待たれてい
た。
機単結晶非線形光学材料は、確かに高出力レ−ザ−に対
してダメ−ジが入りにくく耐レ−ザ−損傷性に優れてい
るが、構造欠陥の少ない良質の大型単結晶を得難く、し
かも高価であるという欠点を有している。また、有機非
線形光学材料は、第２高調波発生（以下ＳＨＧという）
や第３高調波発生（以下ＴＨＧという）の波長変換効率
は大きく、かつ低コストではあるが、レ−ザ−照射で材
料の変質が起り易く、耐レ−ザ−損傷性に難点がある。
さらに、半導体ド−プガラスの無機非線形光学ガラス材
料は低コストで、大型の均質な材料が得られるが、ＳＨ
ＧやＴＨＧの波長変換効率が小さく、また変換した波長
域での光吸収が大きく、素子長を大きくできないという
欠点がある。このように従来公知の非線形光学材料では
満足の行く波長変換素子用の非線形光学材料が得られ
ず、より高性能の非線形光学材料の出現が待たれてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状を踏ま
え、本発明者は、非線形光学材料、特に波長変換用非線
形光学ガラス材料について鋭意研究を重ねた結果、２次
の非線形光学定数（χ(2)）が大きく、耐レ−ザ−損傷
性が高く、光学的に良好な材料が特定の高純度シリカガ
ラスに遷移金属元素と同時にＯＨ基を含有させ、それを
熱ポ−リング処理することにより得られることを発見
し、本発明を完成したものである。
え、本発明者は、非線形光学材料、特に波長変換用非線
形光学ガラス材料について鋭意研究を重ねた結果、２次
の非線形光学定数（χ(2)）が大きく、耐レ−ザ−損傷
性が高く、光学的に良好な材料が特定の高純度シリカガ
ラスに遷移金属元素と同時にＯＨ基を含有させ、それを
熱ポ−リング処理することにより得られることを発見
し、本発明を完成したものである。
【０００６】本発明は、非線形光学効果、特にＳＨＧの
発生効率が大きい非線形光学シリカガラスを提供するこ
とを目的とする。
発生効率が大きい非線形光学シリカガラスを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】また、本発明は、入力レ−ザ−や波長変換
された出力レ−ザ−によるダメ−ジが少ない耐レ−ザ−
損傷性の高い波長変換用非線形光学シリカガラスを目的
とする。
された出力レ−ザ−によるダメ−ジが少ない耐レ−ザ−
損傷性の高い波長変換用非線形光学シリカガラスを目的
とする。
【０００８】さらに、本発明は、大型で、機械加工が容
易な波長変換用非線形光学ガラス材料を安価に提供する
ことを目的とする。
易な波長変換用非線形光学ガラス材料を安価に提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、遷移金属元素の少なくとも１種類以上を１０〜１
０００ｗｔ．ｐｐｍ含有し、かつＯＨ基濃度が１０ｗ
ｔ．ｐｐｍ以上であるシリカガラスを熱ポーリング処理
してなるレーザ用非線形光学ガラスおよびその製造方法
に係る。
明は、遷移金属元素の少なくとも１種類以上を１０〜１
０００ｗｔ．ｐｐｍ含有し、かつＯＨ基濃度が１０ｗ
ｔ．ｐｐｍ以上であるシリカガラスを熱ポーリング処理
してなるレーザ用非線形光学ガラスおよびその製造方法
に係る。
【００１０】上記非線形光学シリカガラスは、シリカガ
ラスというガラス構造の安定な、光学的に均質なガラス
を基体としていることから、耐レ−ザ−損傷性が高く、
機械加工が容易である。その上、シリカ原料粉に遷移金
属元素を混合しガラス化した後熱ポ−リング処理をする
ことで簡便に製造でき、生産コストを低くできる上に、
大型化が容易である。
ラスというガラス構造の安定な、光学的に均質なガラス
を基体としていることから、耐レ−ザ−損傷性が高く、
機械加工が容易である。その上、シリカ原料粉に遷移金
属元素を混合しガラス化した後熱ポ−リング処理をする
ことで簡便に製造でき、生産コストを低くできる上に、
大型化が容易である。
【００１１】上記非線形光学シリカガラスのガラス原料
としては、高純度化された水晶粉、四塩化けい素などの
珪素化合物を火炎加水分解法で製造した合成シリカガラ
ス粉またはゾルゲル法のクリストバライト粉が用いられ
る。これら原料の使用時にはＯＨ基濃度を１０ｗｔ．ｐ
ｐｍ以上、好ましくは１００ｗｔ．ｐｐｍ以上に調整す
る必要がある。
としては、高純度化された水晶粉、四塩化けい素などの
珪素化合物を火炎加水分解法で製造した合成シリカガラ
ス粉またはゾルゲル法のクリストバライト粉が用いられ
る。これら原料の使用時にはＯＨ基濃度を１０ｗｔ．ｐ
ｐｍ以上、好ましくは１００ｗｔ．ｐｐｍ以上に調整す
る必要がある。
【００１２】また、上記ガラス原料に添加される遷移金
属元素は原子番号２１〜２９（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ）、３９〜４７（Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ）また
は５７〜７１（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、
Ｅｕ，Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ）から１種以上が選ばれるが、好ましくは遷移金属元
素がＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｎｄ、特に好まし
くはＴｉ、Ｚｒがよい。これら遷移金属元素は酸化物、
ヨウ化物、塩化物、硝酸塩または炭酸塩としてガラス原
料に混合される。前記元素の非線形光学シリカガラス中
の含有量は１０〜１０００ｗｔ．ｐｐｍがよく、この範
囲以下では熱ポ−リング処理をしてもＳＨＧの発生強度
が弱く、変換素子として適さない。また前記範囲以上で
は使用波長域での透過率低下が大きく、またシリカガラ
スとしての耐レ−ザ−損傷性に劣る。
属元素は原子番号２１〜２９（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ）、３９〜４７（Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ）また
は５７〜７１（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、
Ｅｕ，Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ）から１種以上が選ばれるが、好ましくは遷移金属元
素がＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｎｄ、特に好まし
くはＴｉ、Ｚｒがよい。これら遷移金属元素は酸化物、
ヨウ化物、塩化物、硝酸塩または炭酸塩としてガラス原
料に混合される。前記元素の非線形光学シリカガラス中
の含有量は１０〜１０００ｗｔ．ｐｐｍがよく、この範
囲以下では熱ポ−リング処理をしてもＳＨＧの発生強度
が弱く、変換素子として適さない。また前記範囲以上で
は使用波長域での透過率低下が大きく、またシリカガラ
スとしての耐レ−ザ−損傷性に劣る。
【００１３】さらに、熱ポ−リング処理は、光学シリカ
ガラスを処理温度２００〜５００℃、バイアス電圧１〜
１０ｋＶ／ｍｍ（ガラス厚）、処理時間１０〜６０分の
条件で行なう。この処理により中心対称性を有する等方
的シリカガラスの双極子が再配列し分極が起り非線形光
学効果が発生する。前記処理温度が２００℃以下、また
はバイアス電圧が１ｋＶ／ｍｍ（ガラス厚さ）以下では
熱ポ−リング効果がなく、また処理温度が５００℃以
上、または電圧が１０ｋＶ／ｍｍ（ガラス厚さ）以上で
は熱ポ−リング効果が低下する。特に、高電圧をかけす
ぎると石英ガラスが絶縁破壊され、ガラスにダメ−ジが
入る。
ガラスを処理温度２００〜５００℃、バイアス電圧１〜
１０ｋＶ／ｍｍ（ガラス厚）、処理時間１０〜６０分の
条件で行なう。この処理により中心対称性を有する等方
的シリカガラスの双極子が再配列し分極が起り非線形光
学効果が発生する。前記処理温度が２００℃以下、また
はバイアス電圧が１ｋＶ／ｍｍ（ガラス厚さ）以下では
熱ポ−リング効果がなく、また処理温度が５００℃以
上、または電圧が１０ｋＶ／ｍｍ（ガラス厚さ）以上で
は熱ポ−リング効果が低下する。特に、高電圧をかけす
ぎると石英ガラスが絶縁破壊され、ガラスにダメ−ジが
入る。
【００１４】本発明の非線形光学シリカガラスは次のよ
うに製造される。すなわち、高純度のシリカ粉と遷移金
属元素とを均一に混合し、その混合物を大気中または真
空中（１０Ｔｏｒｒ以下）、５００〜１０００℃で１〜
１００時間加熱乾燥して、水分量、ＯＨ基量を所期の範
囲内に調整し、それを真空電気溶融法、ゾ−ンメルテン
グ法または酸水素炎ベルヌイ法で１８００〜２３００℃
に加熱し透明ガラス化し、次いで大気中、１０００〜１
２００℃で１０〜１００時間歪み除去のためのアニ−リ
ング処理した後、熱ポ−リング処理をする。
うに製造される。すなわち、高純度のシリカ粉と遷移金
属元素とを均一に混合し、その混合物を大気中または真
空中（１０Ｔｏｒｒ以下）、５００〜１０００℃で１〜
１００時間加熱乾燥して、水分量、ＯＨ基量を所期の範
囲内に調整し、それを真空電気溶融法、ゾ−ンメルテン
グ法または酸水素炎ベルヌイ法で１８００〜２３００℃
に加熱し透明ガラス化し、次いで大気中、１０００〜１
２００℃で１０〜１００時間歪み除去のためのアニ−リ
ング処理した後、熱ポ−リング処理をする。
【００１５】以下に実施例をあげて本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるもので
はない。
【００１６】
【実施例】純度９９．９９９％の高純度の水晶粉を粒径
５０〜２００μｍに調整し、これに純度９９．９９９％
粒径１〜１０μｍの酸化チタンをＶ形混合器で均一に混
合したのち、大気中、７００℃で５０時間乾燥し、水分
を調整した。次いで前記混合物を酸水素炎ベルヌイ法に
よって溶融させ透明ガラス化した。このガラスを大気中
１１００℃で１０時間アニ−リング処理しガラスの歪み
を除去した。得られたシリカガラス塊を５０×５０ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍの薄片状ガラス体に成形し、両面鏡面仕
上げしてガラスサンプルを形成した。このガラスサンプ
ルを表に示す熱ポ−リング条件で処理した。得られた非
線形光学シリカガラスをメ−カフリンジ法（Ｐ．Ｄ．Ｍ
ａｋｅｒ、ｅｔ．ａｌ（１９６２）Ｐｈｙｓｉｃａｌ
Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ．、Ｖｏｌ．８、Ｎｏ．
１、ｐｐ．２１〜２２、Ｊ．Ｊｅｒｐｈａｇｎｏｎ、
Ｓ．Ｋ．Ｋｕｒｔｚ（１９７０）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｏｌ．４１、Ｎ
ｏ．４、ｐｐ．１６６７〜１６８１）でＳＨＧによる２
次非線形光学定数（χ(2)ｐｍ／Ｖ）測定を行ないその
結果を表１に示す。
５０〜２００μｍに調整し、これに純度９９．９９９％
粒径１〜１０μｍの酸化チタンをＶ形混合器で均一に混
合したのち、大気中、７００℃で５０時間乾燥し、水分
を調整した。次いで前記混合物を酸水素炎ベルヌイ法に
よって溶融させ透明ガラス化した。このガラスを大気中
１１００℃で１０時間アニ−リング処理しガラスの歪み
を除去した。得られたシリカガラス塊を５０×５０ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍの薄片状ガラス体に成形し、両面鏡面仕
上げしてガラスサンプルを形成した。このガラスサンプ
ルを表に示す熱ポ−リング条件で処理した。得られた非
線形光学シリカガラスをメ−カフリンジ法（Ｐ．Ｄ．Ｍ
ａｋｅｒ、ｅｔ．ａｌ（１９６２）Ｐｈｙｓｉｃａｌ
Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ．、Ｖｏｌ．８、Ｎｏ．
１、ｐｐ．２１〜２２、Ｊ．Ｊｅｒｐｈａｇｎｏｎ、
Ｓ．Ｋ．Ｋｕｒｔｚ（１９７０）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｏｌ．４１、Ｎ
ｏ．４、ｐｐ．１６６７〜１６８１）でＳＨＧによる２
次非線形光学定数（χ(2)ｐｍ／Ｖ）測定を行ないその
結果を表１に示す。
【００１７】なお、入力レ−ザ−はＮｄ−ＹＡＧレ−ザ
−、１．０６μｍであり、出力光はＳＨＧによる５３０
ｎｍ光を検出した。
−、１．０６μｍであり、出力光はＳＨＧによる５３０
ｎｍ光を検出した。
【００１８】比較例１のシリカガラスは信越石英（株）
製の商品名Ｈｅｒａｌｕｘのシリカガラスであり、比較
例５のシリカガラスは同じく信越石英（株）製の商品名
Ｈｅｒａｌｕｘ−Ｅのシリカガラスである。
製の商品名Ｈｅｒａｌｕｘのシリカガラスであり、比較
例５のシリカガラスは同じく信越石英（株）製の商品名
Ｈｅｒａｌｕｘ−Ｅのシリカガラスである。
【００２０】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】本発明の非線形光学シリカガラスは、２
次の非線形光学定数（χ(2)）が大きく、ＳＨＧの発生
強度が高い上に、マトリックスがシリカガラスであるこ
とから耐レ−ザ−損傷性が高く、かつ光学的均質性に優
れており波長変換素子材料、特にレ−ザ−波長変換素子
材料として有効である。その上、製造方法が簡単で、機
械加工性にも優れているところから、大型の波長変換素
子を安価に製造することができる。
次の非線形光学定数（χ(2)）が大きく、ＳＨＧの発生
強度が高い上に、マトリックスがシリカガラスであるこ
とから耐レ−ザ−損傷性が高く、かつ光学的均質性に優
れており波長変換素子材料、特にレ−ザ−波長変換素子
材料として有効である。その上、製造方法が簡単で、機
械加工性にも優れているところから、大型の波長変換素
子を安価に製造することができる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−97922（ＪＰ，Ａ) Ｒ．Ａ．Ｍｙｅｒｓ ｅｔ ａｌ．, Ｌａｒｇｅ ｓｅｃｏｎｄ−ｏｒｄｅｒ ｎｏｎｌｉｎｅａｒｒｉｔｙ ｉｎ ｐｏｌｅｄ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃ ａ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ, （ＵＳ），Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅ ｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ，1991，Ｖ ｏｌ．16，Ｎｏ．22，ｐ．1732−1734 Ｈｉｒｏｙｕｋｉ ＮＡＳＵ ｅｔ ａｌ．，Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｔ ｈｅ ＯＨ Ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｎ Ｓ ｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎ ｅｒａｔｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｅｌｅｃｔ ｒｉｃａｌｌｙ Ｐｏｌａｒｉｓｅｄ ＳｉＯ２ Ｇｌａｓｓｅｓ，Ｊｐｎ. Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，15 Ｍａｒ ｃｈ 1993，Ｖｏｌ．32，Ｐａｒｔ２, Ｎｏ．３Ｂ，ｐ．Ｌ406−Ｌ407 Ｄ．Ｍ．Ｋｒｏｌ ｅｔ ａｌ．，Ｐ ｈｏｔｏｉｎｄｕｃｅｄ ｓｅｃｏｎｄ −ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉ ｏｎ ｉｎ ｒａｒｅ−ｅａｒｔｈ−ｄ ｏｐｅｄ ａｌｕｍｉｎｏｓｉｌｉｃａ ｔｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉｂｅｒｓ, Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，（Ｕ Ｓ），Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ，1991，Ｖｏ ｌ．16，Ｎｏ．21，ｐ．1650−1652 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C03C 4/00 - 4/20 C03C 3/06 G02F 1/35 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】遷移金属元素の少なくとも１種類以上を１
０〜１０００ｗｔ．ｐｐｍ含有し、かつＯＨ基濃度が１
０ｗｔ．ｐｐｍ以上であるシリカガラスを熱ポーリング
処理してなるレーザ用非線形光学ガラス。 - 【請求項２】高純度シリカ粉体に遷移金属元素の少なく
とも１種類以上を混合したのち透明ガラス化しＯＨ基濃
度が１０ｗｔ．ｐｐｍ以上含有するシリカガラスとし、
次いでアニーリング処理、温度２００〜５００℃、電圧
１〜１０ｋＶ／ｍｍの熱ポーリング処理をすることを特
徴とするレーザ用非線形光学ガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148340A JP2991892B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 非線形光学シリカガラスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148340A JP2991892B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 非線形光学シリカガラスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340444A JPH06340444A (ja) | 1994-12-13 |
| JP2991892B2 true JP2991892B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=15450586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5148340A Expired - Fee Related JP2991892B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 非線形光学シリカガラスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2991892B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3852213B2 (ja) | 1998-07-30 | 2006-11-29 | トヨタ自動車株式会社 | 非線形光学シリカ材料及び非線形光学素子 |
| CA2281265C (en) | 1998-09-22 | 2003-12-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a nonlinear optical thin film |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP5148340A patent/JP2991892B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｄ．Ｍ．Ｋｒｏｌ ｅｔ ａｌ．，Ｐｈｏｔｏｉｎｄｕｃｅｄ ｓｅｃｏｎｄ−ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｉｎ ｒａｒｅ−ｅａｒｔｈ−ｄｏｐｅｄ ａｌｕｍｉｎｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉｂｅｒｓ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，（ＵＳ），Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ，１９９１，Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２１，ｐ．１６５０−１６５２ |
| Ｈｉｒｏｙｕｋｉ ＮＡＳＵ ｅｔ ａｌ．，Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ＯＨ Ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｎ Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｏｌａｒｉｓｅｄ ＳｉＯ２ Ｇｌａｓｓｅｓ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，１５ Ｍａｒｃｈ １９９３，Ｖｏｌ．３２，Ｐａｒｔ２，Ｎｏ．３Ｂ，ｐ．Ｌ４０６−Ｌ４０７ |
| Ｒ．Ａ．Ｍｙｅｒｓ ｅｔ ａｌ．，Ｌａｒｇｅ ｓｅｃｏｎｄ−ｏｒｄｅｒ ｎｏｎｌｉｎｅａｒｒｉｔｙ ｉｎ ｐｏｌｅｄ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ，Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，（ＵＳ），Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ，１９９１，Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２２，ｐ．１７３２−１７３４ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06340444A (ja) | 1994-12-13 |
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