JP2987794B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2987794B2 JP2987794B2 JP5033970A JP3397093A JP2987794B2 JP 2987794 B2 JP2987794 B2 JP 2987794B2 JP 5033970 A JP5033970 A JP 5033970A JP 3397093 A JP3397093 A JP 3397093A JP 2987794 B2 JP2987794 B2 JP 2987794B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜を一方の電極とし
た液晶表示装置に関する。
た液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９に、周辺駆動回路にＣＭＯＳインバ
ータ、画素電極のスイッチング素子にＰＭＯＳトランジ
スタを用いた従来の液晶表示装置の一例を示す。本図は
トランジスタ等半導体装置を組込んだ側の基板のみの断
面図である。図中６１は支持基板、６２は下地絶縁層、
６３は素子分離酸化膜、６４はＮＭＯＳトランジスタの
ソース領域、６５はＮＭＯＳトランジスタのドレイン領
域、６６はＰＭＯＳトランジスタのドレイン領域、６７
はＰＭＯＳトランジスタのソース領域、６８はゲート酸
化膜、６９はゲート電極、７０はＮＭＯＳトランジスタ
のチャネル領域、７１はＰＭＯＳトランジスタのチャネ
ル領域、７２はＮ型電界緩和領域、７３はＰ型電界緩和
領域、７４はＡｌ（配線）電極、７５はＮＭＯＳトラン
ジスタ、７６、７７はＰＭＯＳトランジスタ、７８は保
持容量部、７９がＣＭＯＳインバータ、８０、８１は層
間絶縁膜、８２は共通電極、８３は画素電極である。
ータ、画素電極のスイッチング素子にＰＭＯＳトランジ
スタを用いた従来の液晶表示装置の一例を示す。本図は
トランジスタ等半導体装置を組込んだ側の基板のみの断
面図である。図中６１は支持基板、６２は下地絶縁層、
６３は素子分離酸化膜、６４はＮＭＯＳトランジスタの
ソース領域、６５はＮＭＯＳトランジスタのドレイン領
域、６６はＰＭＯＳトランジスタのドレイン領域、６７
はＰＭＯＳトランジスタのソース領域、６８はゲート酸
化膜、６９はゲート電極、７０はＮＭＯＳトランジスタ
のチャネル領域、７１はＰＭＯＳトランジスタのチャネ
ル領域、７２はＮ型電界緩和領域、７３はＰ型電界緩和
領域、７４はＡｌ（配線）電極、７５はＮＭＯＳトラン
ジスタ、７６、７７はＰＭＯＳトランジスタ、７８は保
持容量部、７９がＣＭＯＳインバータ、８０、８１は層
間絶縁膜、８２は共通電極、８３は画素電極である。
【０００３】上記のように構成した基板と、共通電極を
設けたもう一方の基板とをスペーサを介して対向配置
し、液晶を封入してパネルとする。
設けたもう一方の基板とをスペーサを介して対向配置
し、液晶を封入してパネルとする。
【０００４】液晶表示装置は、反射型、透明型何れも光
が画像表示部を通過し得ることが必須条件である。従っ
て、従来は一枚の石英板が用いられている。
が画像表示部を通過し得ることが必須条件である。従っ
て、従来は一枚の石英板が用いられている。
【０００５】一方、トランジスタの活性層としてはＳｉ
が一般的にも良く知られているが、活性層として最も望
ましい単結晶Ｓｉはその製造が極めて困難であり、石英
上に形成することが事実上できなかった。そのため、画
像表示部を構成している個々の画素部にトランジスタを
形成する場合、及び周辺の駆動回路と共に集積化する場
合には石英上でも形成可能な多結晶Ｓｉが用いられてき
た。
が一般的にも良く知られているが、活性層として最も望
ましい単結晶Ｓｉはその製造が極めて困難であり、石英
上に形成することが事実上できなかった。そのため、画
像表示部を構成している個々の画素部にトランジスタを
形成する場合、及び周辺の駆動回路と共に集積化する場
合には石英上でも形成可能な多結晶Ｓｉが用いられてき
た。
【０００６】しかしながら、より高品質な画像要求に応
じて、画面をより高精細化し、高速駆動するためには多
結晶Ｓｉでは限界があり、単結晶Ｓｉを用いた半導体装
置を有する液晶表示装置の構成が望まれていた。
じて、画面をより高精細化し、高速駆動するためには多
結晶Ｓｉでは限界があり、単結晶Ｓｉを用いた半導体装
置を有する液晶表示装置の構成が望まれていた。
【０００７】そこで、本発明者等は、半導体基板上に絶
縁層を介して単結晶Ｓｉ薄膜を形成した後、上記基板の
画像表示部に対応する部分をくり抜き除去して画像表示
部の透明化を図り、高速動作を実現した液晶表示装置
を、まだ公知ではないが開発中である。
縁層を介して単結晶Ｓｉ薄膜を形成した後、上記基板の
画像表示部に対応する部分をくり抜き除去して画像表示
部の透明化を図り、高速動作を実現した液晶表示装置
を、まだ公知ではないが開発中である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図８に示すよ
うに、シリコンＳＯＩ基板６上のくり抜き面部１０の上
側のメンブレン（Ｍｅｍｂｒａｎｅ）部７ａ、つまり投
光性になった領域表面の電子デバイスが組み込まれてい
る薄層（単結晶Ｓｉ層、又は単結晶Ｓｉ層と絶縁層）７
の中間領域は、その厚さが〜μｍ以下（〜３μｍ厚）で
あり、その強度が比較的低くなる。このため、透明電極
１、遮光層２、共通電極３により液晶シール領域４、４
間に封入されている液晶５の自重により、図示する如く
メンブレン部７が撓み、液晶ギャップ厚が変化するとい
う問題がある。これは上下色ムラ、リタデーション差
（色抜け）を生じ、画質が劣化する原因となるので極力
避けなければならない。
うに、シリコンＳＯＩ基板６上のくり抜き面部１０の上
側のメンブレン（Ｍｅｍｂｒａｎｅ）部７ａ、つまり投
光性になった領域表面の電子デバイスが組み込まれてい
る薄層（単結晶Ｓｉ層、又は単結晶Ｓｉ層と絶縁層）７
の中間領域は、その厚さが〜μｍ以下（〜３μｍ厚）で
あり、その強度が比較的低くなる。このため、透明電極
１、遮光層２、共通電極３により液晶シール領域４、４
間に封入されている液晶５の自重により、図示する如く
メンブレン部７が撓み、液晶ギャップ厚が変化するとい
う問題がある。これは上下色ムラ、リタデーション差
（色抜け）を生じ、画質が劣化する原因となるので極力
避けなければならない。
【０００９】本発明は、このような欠点を除去し、液晶
ギャップ厚が変化しない液晶表示装置を提供することに
ある。
ギャップ厚が変化しない液晶表示装置を提供することに
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、半導体基板を用いて薄膜を形成し、前記
薄膜に一方の電極を配置し、対向する基板電極との間に
液晶層を挟持する液晶表示装置において、前記薄膜裏面
と前記半導体基板を保持する透明基板との空隙に、液晶
ギャップ厚の変化を防止する光透過性物質を封入した構
成のものである（請求項１）。
め、本発明は、半導体基板を用いて薄膜を形成し、前記
薄膜に一方の電極を配置し、対向する基板電極との間に
液晶層を挟持する液晶表示装置において、前記薄膜裏面
と前記半導体基板を保持する透明基板との空隙に、液晶
ギャップ厚の変化を防止する光透過性物質を封入した構
成のものである（請求項１）。
【００１１】この光透過性物質としては、樹脂や液晶又
は液晶と同じ比重の透光性液体が使用できる他、窒素、
ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスを主成分とする
不活性気体も利用できる（請求項２〜４）。
は液晶と同じ比重の透光性液体が使用できる他、窒素、
ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスを主成分とする
不活性気体も利用できる（請求項２〜４）。
【００１２】前記半導体基板は主成分が単結晶シリコン
であることが好ましい（請求項５）。前記薄膜は、前記
半導体基板を異方性エッチングにより部分的に除去して
形成することができ（請求項６）、この薄膜に、前記電
極だけでなく、液晶を駆動するための受動素子あるいは
能動素子をも配置し得る（請求項７）。
であることが好ましい（請求項５）。前記薄膜は、前記
半導体基板を異方性エッチングにより部分的に除去して
形成することができ（請求項６）、この薄膜に、前記電
極だけでなく、液晶を駆動するための受動素子あるいは
能動素子をも配置し得る（請求項７）。
【００１３】前記透明基板はプラスチック又はガラスで
あってよく（請求項８）、透明基板として光学素子を組
み込むこともできる（請求項９）。
あってよく（請求項８）、透明基板として光学素子を組
み込むこともできる（請求項９）。
【００１４】
【作用】請求項１〜９において、薄膜裏面と前記半導体
基板を保持する透明基板との空隙に封入した光透過性物
質は、液晶ギャップ厚の変化を防止する。即ち、液晶の
内部圧力と同等の圧力を反対側から薄膜に作用させるた
め、液晶の自重による薄膜のメンブラン部の撓みが阻止
され、液晶のセルギャップ量の場所による差が生じな
い。また、薄膜に働く熱応力がないため、薄膜上の駆動
素子が受ける熱ストレスがなく、従って特性の変動も極
小であり、そのために液晶の表示品質が変化することは
ない。
基板を保持する透明基板との空隙に封入した光透過性物
質は、液晶ギャップ厚の変化を防止する。即ち、液晶の
内部圧力と同等の圧力を反対側から薄膜に作用させるた
め、液晶の自重による薄膜のメンブラン部の撓みが阻止
され、液晶のセルギャップ量の場所による差が生じな
い。また、薄膜に働く熱応力がないため、薄膜上の駆動
素子が受ける熱ストレスがなく、従って特性の変動も極
小であり、そのために液晶の表示品質が変化することは
ない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明
する。
する。
【００１６】図１において、１は透明基板、２は画素ご
とに対応したカラーフィルタ層と画素間を遮光する遮光
層、３は液晶に電圧を印加するための共通電極、４は液
晶シール領域、５は液晶であり、シール領域４は液晶５
の層厚も規定する。６は画素領域がくり抜かれ透光性と
なったシリコンＳＯＩ基板、７は画素ごとに液晶に電圧
を印加する電極やトランジスタや駆動回路が設けられた
薄膜であり、くり抜き部１０の上側に存する部分はメン
ブレン部７ａである。
とに対応したカラーフィルタ層と画素間を遮光する遮光
層、３は液晶に電圧を印加するための共通電極、４は液
晶シール領域、５は液晶であり、シール領域４は液晶５
の層厚も規定する。６は画素領域がくり抜かれ透光性と
なったシリコンＳＯＩ基板、７は画素ごとに液晶に電圧
を印加する電極やトランジスタや駆動回路が設けられた
薄膜であり、くり抜き部１０の上側に存する部分はメン
ブレン部７ａである。
【００１７】かかる構成のみでは、液晶５の自重により
メンブレン部７ａが撓み、液晶ギャップ厚が変化するの
で、本実施例ではくり抜き部１０に、光透過性物質とし
て、液晶と同じ比重の透光性液体８を充填し、透明基板
９でくり抜き部１０を覆って液体８を封止する。この透
光性液体８により液晶層の内部圧力と同等もしくはそれ
以上の圧力を反対側から作用させることにより、メンブ
レン部７ａを左右から押す力が各部分ごとに等しくな
り、また液晶５がメンブレン部７ａを押す力が各部分ご
とに釣り合うので、メンブレン層７が撓まなくなる。本
液晶表示装置は、密封構造であるために、アルカリ等の
汚染物質が入らず、信頼性が向上する。尚、透明基板９
には、ガラス板等の水分を透過しない無機材料を使用し
て、耐温性を向上させることが有利である。
メンブレン部７ａが撓み、液晶ギャップ厚が変化するの
で、本実施例ではくり抜き部１０に、光透過性物質とし
て、液晶と同じ比重の透光性液体８を充填し、透明基板
９でくり抜き部１０を覆って液体８を封止する。この透
光性液体８により液晶層の内部圧力と同等もしくはそれ
以上の圧力を反対側から作用させることにより、メンブ
レン部７ａを左右から押す力が各部分ごとに等しくな
り、また液晶５がメンブレン部７ａを押す力が各部分ご
とに釣り合うので、メンブレン層７が撓まなくなる。本
液晶表示装置は、密封構造であるために、アルカリ等の
汚染物質が入らず、信頼性が向上する。尚、透明基板９
には、ガラス板等の水分を透過しない無機材料を使用し
て、耐温性を向上させることが有利である。
【００１８】図２は、くり抜き部１０内に、液晶セル内
の液晶５と同一の液晶１１を同体積だけ充填し、メンブ
レン７を左右から押す力の均衡を図った例である。液晶
１１を封止する透明基板９は、くり抜き部１０内に一部
が入込む形で取り付けられることになる。この実施例の
場合、温度変化、気圧変化等の環境変化が生じても、各
部分ごとにメンブレン部７ａを左右から押す力が全く等
しくできるので、メンブレン部７ａは撓まない。
の液晶５と同一の液晶１１を同体積だけ充填し、メンブ
レン７を左右から押す力の均衡を図った例である。液晶
１１を封止する透明基板９は、くり抜き部１０内に一部
が入込む形で取り付けられることになる。この実施例の
場合、温度変化、気圧変化等の環境変化が生じても、各
部分ごとにメンブレン部７ａを左右から押す力が全く等
しくできるので、メンブレン部７ａは撓まない。
【００１９】図３は、くり抜き部１０に充填した同一自
重の液体８を循環流動させる実施例である。液晶５がメ
ンブレン部７ａを押す力が各部ごとに釣り合っており、
かつ循環流動させることでパネル部で発生する熱を吸収
し、一定温度に保つ。このため、輝度が高く昇温が激し
いプロジェクションＴＶの如くの用途に適している。上
記実施例では、光透過性物質として、液晶と同じ比重の
透光性液体８及び同一の液晶１１を設ける例を示した
が、他の物質を用いることもできる。
重の液体８を循環流動させる実施例である。液晶５がメ
ンブレン部７ａを押す力が各部ごとに釣り合っており、
かつ循環流動させることでパネル部で発生する熱を吸収
し、一定温度に保つ。このため、輝度が高く昇温が激し
いプロジェクションＴＶの如くの用途に適している。上
記実施例では、光透過性物質として、液晶と同じ比重の
透光性液体８及び同一の液晶１１を設ける例を示した
が、他の物質を用いることもできる。
【００２０】図４は、光透過性物質として、ポッティン
グ樹脂３６をくり抜き部２３に充填した実施例である。
グ樹脂３６をくり抜き部２３に充填した実施例である。
【００２１】この図４の製造方法を説明するに、半導体
基板であるＳＯＩ基板の単結晶シリコンを主成分とする
基板２１上に薄膜２２を形成する。薄膜２２は前記ＳＯ
Ｉ基板２１の絶縁層、並びに活性層と、後工程によって
形成された堆積層からなっており、この薄膜２２中に液
晶を駆動するための駆動素子２４及び電極２５を形成す
る。次いで、対向電極２９を有するガラス基板２８をシ
ール材７によって接着し、その後、公知の方法によって
液晶２６を前記両基板のギャップ間に注入，封止する。
基板であるＳＯＩ基板の単結晶シリコンを主成分とする
基板２１上に薄膜２２を形成する。薄膜２２は前記ＳＯ
Ｉ基板２１の絶縁層、並びに活性層と、後工程によって
形成された堆積層からなっており、この薄膜２２中に液
晶を駆動するための駆動素子２４及び電極２５を形成す
る。次いで、対向電極２９を有するガラス基板２８をシ
ール材７によって接着し、その後、公知の方法によって
液晶２６を前記両基板のギャップ間に注入，封止する。
【００２２】液晶を表示する部分Ａは、透明化を行う必
要があることから、前記ＳＯＩ基板の単結晶シリコン部
分をアルカリ性エッチング液により薄膜部分２２が露出
するまで異方的にエッチング、除去し、くり抜き部２３
とする。その後に透明なポッティング樹脂３６をくり抜
き部２３に充填し補強する。ポッティング樹脂３６に
は、例えば信越化学工業（株）製のＫＪＲ−９０１０等
のゲル型シリコーン樹脂を用いる。
要があることから、前記ＳＯＩ基板の単結晶シリコン部
分をアルカリ性エッチング液により薄膜部分２２が露出
するまで異方的にエッチング、除去し、くり抜き部２３
とする。その後に透明なポッティング樹脂３６をくり抜
き部２３に充填し補強する。ポッティング樹脂３６に
は、例えば信越化学工業（株）製のＫＪＲ−９０１０等
のゲル型シリコーン樹脂を用いる。
【００２３】その後、硬化させた後、水分を含まない半
導体グレードのドライエアー又は乾燥窒素中でガラス板
３０を接着する。用いる接着剤は、実使用温度で硬化可
能なＵＶ硬化型樹脂（エポキシ系、不飽和ポリエステル
系、アクリレート系、チオール、エン系等）、あるいは
二液混合型の瞬間接着剤である。
導体グレードのドライエアー又は乾燥窒素中でガラス板
３０を接着する。用いる接着剤は、実使用温度で硬化可
能なＵＶ硬化型樹脂（エポキシ系、不飽和ポリエステル
系、アクリレート系、チオール、エン系等）、あるいは
二液混合型の瞬間接着剤である。
【００２４】これによって、図４に示すように樹脂で充
填した液晶セルが得られる。樹脂の表面を平坦化するこ
とによって、光学的な散乱を防止し、視認性を向上し得
る。また、屈折率が薄膜と近い樹脂及び透明基板を使用
することによって、界面散乱を低下させ、透過率を向上
せしめ、明るい液晶表示装置を提供することが可能であ
る。
填した液晶セルが得られる。樹脂の表面を平坦化するこ
とによって、光学的な散乱を防止し、視認性を向上し得
る。また、屈折率が薄膜と近い樹脂及び透明基板を使用
することによって、界面散乱を低下させ、透過率を向上
せしめ、明るい液晶表示装置を提供することが可能であ
る。
【００２５】更に他の実施例として、図５に示すよう
に、前記パッケージの部材に、光学素子、例えばレンズ
３１等を組み込んでもよい。これによって、液晶セルに
用いられる照明系あるいは視野側の光学系を簡略化する
ことが可能となり、系を小型化，低コスト化することが
可能となる。
に、前記パッケージの部材に、光学素子、例えばレンズ
３１等を組み込んでもよい。これによって、液晶セルに
用いられる照明系あるいは視野側の光学系を簡略化する
ことが可能となり、系を小型化，低コスト化することが
可能となる。
【００２６】また、図６に示すように、ポッティング樹
脂３６以外の光透過性物質３２として、窒素、ヘリウ
ム、ネオン、アルゴ等の希ガスを主成分とする不活性気
体又は液晶を、図４の場合と同様にして充填しても良
く、これによって同様にメンブレン部７ａの撓みをなく
し、液晶ギャップ厚の変化を阻止することができる。ま
た、図７に示す如く、そのような不活性気体又は液晶か
ら成る光透過性物質３２を凸レンズ３３付のガラス板に
より封止してもよい。これらの場合に、封止部材は何も
ガラス板に限ることはなく、プラスチック板等、光を透
過するものでありさえすれば良い。
脂３６以外の光透過性物質３２として、窒素、ヘリウ
ム、ネオン、アルゴ等の希ガスを主成分とする不活性気
体又は液晶を、図４の場合と同様にして充填しても良
く、これによって同様にメンブレン部７ａの撓みをなく
し、液晶ギャップ厚の変化を阻止することができる。ま
た、図７に示す如く、そのような不活性気体又は液晶か
ら成る光透過性物質３２を凸レンズ３３付のガラス板に
より封止してもよい。これらの場合に、封止部材は何も
ガラス板に限ることはなく、プラスチック板等、光を透
過するものでありさえすれば良い。
【００２７】上記した実施例の構成によれば、次のよう
な作用効果が得られる。
な作用効果が得られる。
【００２８】（１）薄膜７、２２に及ぼす熱応力がな
い。また液晶５、２６の内部圧力と同等もしくはそれ以
上の圧力で常に薄膜に圧力が加わっているために、薄膜
７、２２を撓ませることがなく、それ故液晶５、２６の
セルギャップ量の場所による差が生じない。
い。また液晶５、２６の内部圧力と同等もしくはそれ以
上の圧力で常に薄膜に圧力が加わっているために、薄膜
７、２２を撓ませることがなく、それ故液晶５、２６の
セルギャップ量の場所による差が生じない。
【００２９】（２）薄膜７、２２に働く熱応力がないた
め、薄膜上の駆動素子２４が受ける熱ストレスがなく、
従って特性の変動も極小であり、そのために液晶の表示
品質が変化することはない。
め、薄膜上の駆動素子２４が受ける熱ストレスがなく、
従って特性の変動も極小であり、そのために液晶の表示
品質が変化することはない。
【００３０】（３）光透過性物質である液晶や不活性気
体は、半導体グレードであるため、可動イオン混入によ
る駆動素子２４の特性変動ということも生じない。同様
に透明基板３１で光透過性物質の裏面を保持しており、
水分の混入の恐れはない。
体は、半導体グレードであるため、可動イオン混入によ
る駆動素子２４の特性変動ということも生じない。同様
に透明基板３１で光透過性物質の裏面を保持しており、
水分の混入の恐れはない。
【００３１】（４）光学的な特性は、光透過性物質と透
明基板３１を用いており、非常に優れている。
明基板３１を用いており、非常に優れている。
【００３２】（５）透明基板にレンズ３１、３３を用い
ることにより、液晶セルに用いられる照明系あるいは視
野側の光学系を簡略化することが可能となり、液晶表示
装置を用いたシステムの小型化、低コスト化が可能とな
る。
ることにより、液晶セルに用いられる照明系あるいは視
野側の光学系を簡略化することが可能となり、液晶表示
装置を用いたシステムの小型化、低コスト化が可能とな
る。
【００３３】本発明によって薄膜を一方の電極に用いた
液晶表自装置の信頼性は、大幅に向上する。また上述の
理由によって表示品質の低下は生ぜず、しかも製造歩留
の低下も防止できることから、製品の価格も低減するこ
とができる。又、他の光学素子も組み込みが可能である
ことから、システム全体の小型化、低コスト化も可能で
ある。
液晶表自装置の信頼性は、大幅に向上する。また上述の
理由によって表示品質の低下は生ぜず、しかも製造歩留
の低下も防止できることから、製品の価格も低減するこ
とができる。又、他の光学素子も組み込みが可能である
ことから、システム全体の小型化、低コスト化も可能で
ある。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、液
晶の自重により、メンブレン部が撓んで液晶ギャップが
変化することが防止される。また、薄膜に働く熱応力が
ないため、薄膜上の駆動素子が受ける熱ストレスがな
く、従って特性の変動も極小であり、そのために液晶の
表示品質が変化することはない。
晶の自重により、メンブレン部が撓んで液晶ギャップが
変化することが防止される。また、薄膜に働く熱応力が
ないため、薄膜上の駆動素子が受ける熱ストレスがな
く、従って特性の変動も極小であり、そのために液晶の
表示品質が変化することはない。
【図１】本発明の一実施例に係る液晶表示装置の構成図
である。
である。
【図２】本発明の他の実施例の構成図である。
【図３】本発明の他の実施例の構成図である。
【図４】本発明の他の実施例の構成図である。
【図５】本発明の他の実施例の構成図である。
【図６】本発明の他の実施例の構成図である。
【図７】本発明の他の実施例の構成図である。
【図８】先願に係る液晶表示装置の説明に供する図であ
る。
る。
【図９】従来の液晶表示装置の部分断面図である。
１ 透明基板 ２ 遮光層 ３ 共通電極 ４ 液晶シール領域 ５ 液晶 ６ シリコンＳＯＩ基板 ７ 薄膜 ７ａ メンブレン部 ８ 液晶と同じ比重の透光性液体（光透過性物質） ９ 透明基板 １０ くり抜き部 １１ 液晶（光透過性物質） ２１ 基板 ２２ 薄膜 ２３ くり抜き部 ２４ 駆動素子 ２５ 電極 ３１ レンズ ３２ 光透過性物質 ３３ 凸レンズ ３６ ポッティング樹脂（光透過性物質）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1333 500 G02F 1/1333
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板を用いて薄膜を形成し、前記
薄膜に一方の電極を配置し、対向する基板電極との間に
液晶層を挟持する液晶表示装置において、前記薄膜裏面
と前記半導体基板を保持する透明基板との空隙に、液晶
ギャップ厚の変化を防止する光透過性物質を封入したこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記光透過性物質が樹脂であることを特
徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記光透過性物質が液晶又は液晶と同じ
比重の透光性液体であることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記光透過性物質が、窒素、ヘリウム、
ネオン、アルゴン等の希ガスを主成分とする不活性気体
であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記半導体基板は主成分が単結晶シリコ
ンであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】 前記薄膜は、前記半導体基板を異方性エ
ッチングにより部分的に除去して形成したものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記薄膜に、前記電極だけでなく、前記
液晶を駆動するための受動素子あるいは能動素子をも配
置したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記透明基板がプラスチック又はガラス
であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記透明基板として光学素子が組み込ま
れたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033970A JP2987794B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 液晶表示装置 |
| US08/189,169 US5691794A (en) | 1993-02-01 | 1994-01-31 | Liquid crystal display device |
| EP94101398A EP0609809B8 (en) | 1993-02-01 | 1994-01-31 | Liquid crystal display device |
| DE69427882T DE69427882T2 (de) | 1993-02-01 | 1994-01-31 | Flüssigkristallanzeige |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033970A JP2987794B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06230357A JPH06230357A (ja) | 1994-08-19 |
| JP2987794B2 true JP2987794B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=12401350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| CN102707485A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置、彩膜基板及其制作方法 |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP5033970A patent/JP2987794B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06230357A (ja) | 1994-08-19 |
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