JP2980065B2

JP2980065B2 - アライメントマーク位置の補正方法及び電子線露光方法並びに電子線露光装置

Info

Publication number: JP2980065B2
Application number: JP9166390A
Authority: JP
Inventors: 中小野田
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-06-23
Filing date: 1997-06-23
Publication date: 1999-11-22
Anticipated expiration: 2017-06-23
Also published as: JPH1116813A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アライメントマー
ク位置の補正方法及び電子線露光方法並びに電子線露光
装置に関し、特に半導体集積回路などのデバイスパター
ンを半導体に直接描画するアライメントマーク位置の補
正方法及び電子線露光方法並びに電子線露光装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路などのデバイスパターン
を半導体に直接描画する電子ビーム直接描画装置（以
下、「ＥＢ直描装置」と略す）の構成を図１０に示す。
発生させた電子を加速電源３８からの加速電圧によって
加速し、電子銃部３２と、電子ビーム（図示略）のスポ
ットの整形、ブランキング、ビームの照射位置決め、照
射量決め等を行う為の電磁レンズやアパチャ等の各種電
極等からなる電子鏡筒部３３とから構成された本体３１
と、描画対象のウェハｗを載せるウェハ台及びその位置
をコントロールする為のＸＹステージ３５を含む試料室
３４とを有している。

【０００３】以上の電子銃部３２と電子鏡筒部３３と試
料室３４とにはそれぞれ真空ポンプ３９〜４１が取り付
けられており、これら真空ポンプ３９〜４１によって各
室の真空引きが行われる。また、本体３１は防震台３６
上に設置されている。

【０００４】コンピュータ部４２はデータ保存部４３か
らパターンデータを受け取ると、このパターンデータ及
び予め決められた各描画パラメータに従って電子鏡筒部
３３内の電子ビーム及びＸＹステージ３５を制御し、試
料室３４に載置されたウェハｗに対してパターン描画を
行う。

【０００５】このウェハｗに対するパターン描画はＬＳ
Ｉが完成するまで数回から数十回繰り返し行われる為、
それら繰り返し行われる描画パターン同士の重ね合わせ
が非常に重要となってくる。

【０００６】この重ね合わせ精度が悪いと、そのＬＳＩ
は不良品となってしまうので、通常、ＥＢ直描装置では
パターン描画に先だってウェハｗ上に予め形成されてい
るアライメントマークを電子ビームで走査し、その時に
発生した反射電子を反射電子検出器３７で検出しアライ
メントマーク位置（アライメントマーク位置）を特定し
ている。

【０００７】この後に、ＥＢ直描装置ではウェハｗ上に
所定位置へのパターン描画を行っている。

【０００８】以上の様にアライメントマーク１を基準と
する事で、常にパターンがウェハｗ上の所望の位置に描
画される事となり、描画パターン同士が重ね合わせられ
る。

【０００９】ところで、アライメントマークは信号のＳ
／Ｎ比が良くなるように、Ｓｉ基板を予めエッチングし
形成している。その為、ＬＳＩの製造工程が進みシリコ
ン基板上に酸化膜やメタルなどの各種被膜が成膜される
にしたがって、アライメントマーク１上にも成膜され、
電子ビームがアライメントマーク１上に到達しづらくな
ったり、アライメントマーク１上に被着した被膜のウェ
ハ面内膜厚差やマーク側壁部の被着むらによって、アラ
イメントマークの検出精度が低下する。

【００１０】斯かる低下を改善する手法が、特開平８−
１２４８３２号公報に記載されている。

【００１１】この手法は、まず図５に示す、予め成膜さ
れているウェハ上のアライメントマーク１を、アライメ
ントマーク１に到達する程度の加速電圧でマーク検出を
行う。この検出によりアライメントマーク１及び各膜
３，４，５から反射信号６乃至１１を得る。符号２はＳ
ｉ基板である。なお、図５においては視認容易なように
膜４からの反射信号は略されている。

【００１２】次いで、アライメントマーク１には到達し
ないがアライメントマーク１上に形成された各種被膜
３，４，５には到達する程度の加速電圧によってアライ
メントマークの検出を行う。この検出により各膜３，
４，５のみから反射信号６乃至９を得る。

【００１３】次いで、これら検出により得られた２つの
信号の差（反射信号６乃至１１から得られた位置−反射
信号６乃至９から得られた位置）からアライメントマー
ク位置を算出する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術においてＬＳＩパターンを描画する場合、アライメン
トマーク１上に各種被膜３，４，５が被着されていると
アライメントマーク１から反射電子６〜１１を正確に得
る事が困難であるという問題点があった。蓋し、例え
ば、第１層（表層）が成膜された場合のアライメントマ
ーク１の検出と、第ｎ層（深層）が成膜された場合のア
ライメントマーク１の検出とを比較すると、当然、第ｎ
層ではアライメントマーク１上に堆積している膜が厚い
ため（膜３，４，５が形成されているため）、アライメ
ントマーク検出信号（反射電子６〜１１）が弱く検出精
度が低下するからである。

【００１５】例えば図５に示すアライメントマーク１の
断面において、Ｓｉ基板２に形成したアライメントマー
ク１上に酸化膜３、ポリシリコン４、レジスト５が成膜
されている場合におけるアライメントは、アライメント
マーク１を横断（紙面左右方向）するように電子線を走
査する。このとき発生した反射電子６〜１１を反射電子
検出器３７によって検出する。この検出により得た波形
を図１２に示す。また、成膜なし時（Ｓｉ段差マークだ
け）における反射電子１０、１１の検出波形を図１１に
示す。図１２に示す波形では、図１１と異なり、被膜
３，４，５により、波形のピーク（中心）が明瞭に現れ
ない。図１２に示す様に、それぞれの膜種によって成膜
なし時（図１１）と比較しアライメントマーク位置がず
れてしまったり、マーク検出信号（反射信号）が劣化し
てしまう。蓋し、図５に示す様にアライメントマーク１
上の成膜状態によって得られる検出波形が違うためと、
アライメントマーク１上の各種被膜３，４，５によって
アライメントマーク１のみの検出信号が検出波形として
現れない為である。

【００１６】この点について図１１及び１３を用いて具
体的に説明する。図１１においては、エッジ位置ｈ及び
ｉは、検出信号の中心（各山の中心）であり、アライメ
ントマーク１のエッジ１ａ，１ｂ（図５に示す）の位置
を示す。アライメントマーク位置は、エッジ位置ｈ，ｉ
のそれぞれのアライメントマーク位置ｊとして認識され
る。一方、各種被膜３〜５がアライメントマーク１上に
ある場合は、エッジ位置ｈにおいて各種被膜の影響でＲ
の量だけずれる。また、エッジ位置ｆでは、位置ずれは
ない（ｉ＝ｆ）。その為、被膜後のアライメントマーク
位置は、それぞれのエッジ位置中心ｋ，ｆのアライメン
トマーク位置ｌを認識する事となる。これを図１１と比
較すると、Ｘの量だけ位置がずれて認識している事とな
る。

【００１７】即ち、従来技術では補正量を算出するため
の基準となるアライメントマーク位置がずれてしまうの
である。

【００１８】以上の様なエッジ位置ずれは、ＬＳＩの製
造工程においては被膜の種類や被膜装置の違いによって
変化する。その為、描画パターン同士を重ね合わせる事
が非常に困難となってしまい、ＬＳＩの歩留まりが低下
する事となる。

【００１９】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、アライメントマー
クの位置認識を向上させる事ができ、描画パターン同士
の重ね合わせ精度を向上させる事ができるアライメント
マーク位置の補正方法及び電子線露光方法並びに電子線
露光装置を提供する点にある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、ウェハ
上に予め形成されたアライメントマークの位置を認識し
て、前記ウェハに被膜された各種被膜上のレジスト膜に
パターンを描画する際に、アライメントマーク位置を補
正する、アライメントマーク位置の補正方法であって、
前記ウェハで各種被膜被着前に前記アライメントマーク
位置を検出する第１の工程と、前記ウェハの前記アライ
メントマーク位置の検出を行う第２の工程と、前記第１
の工程で検出した前記アライメントマーク位置と、前記
第２の工程で検出した前記アライメントマーク位置との
差から補正値を算出し、該補正値に基づきアライメント
マーク位置を補正することを特徴とする、請求項１記載
のアライメントマーク位置の補正方法に存する。

【００２１】前記補正値、アライメントマークのエッジ
の位置や、アライメントマークのエッジとエッジとの中
央の位置から算出することができる。

【００２２】前記第３の工程を、コンピュータに組み込
まれたソフトウェアにより処理を行わせることもでき
る。

【００２３】また、前記第３の工程による補正データを
ログデータとして保存しておき、同一の被膜状態のウェ
ハに対しては、前記ログデータを読み出し、アライメン
トマーク位置を補正することもできる。

【００２４】前記補正データは被膜の種類及び補正量
等、本発明を実施する上で好適なものにすることができ
る。

【００２５】また、本発明に係る電子線露光方法の要旨
は、請求項１乃至７のいずれかに記載のアライメントマ
ーク位置の補正方法を行った後、所要のパターンを描画
する電子線露光方法に存する。

【００２６】また、本発明に係る電子線露光装置の要旨
は、ウェハ上に予め形成されたアライメントマークの位
置を認識して、前記ウェハに被膜された各種被膜上のレ
ジスト膜にパターンを描画する電子線露光装置であっ
て、前記ウェハで各種被膜被着前に前記アライメントマ
ーク位置を検出する第１の検出手段と、前記ウェハの前
記アライメントマーク検出を行う第２の検出手段と、前
記第１及び第２の検出手段で得た、前記アライメントマ
ーク位置から補正量を算出する算出手段と、前記差信号
を基に前記アライメントマークの位置を認識して、前記
レジスト膜にパターンを描画する手段とを備えたことを
特徴とする電子線露光装置に存する。

【００２７】また、前記補正量を格納する格納手段を備
えることもできる。

【００２８】従来技術では成膜後にアライメントマーク
の検出を行っていたところ、本発明ではアライメントマ
ークの被膜前にアライメントマークの検出を行い、係る
エッジ位置と、アライメントマーク上に被膜後のアライ
メントマーク位置（描画時）との差を求め、描画位置を
補正する。成膜前にアライメントマークの検出を行うの
で、補正量を算出するための基準となるアライメントマ
ークの位置を正確に認識可能である。

【００２９】斯かる補正後のアライメントマーク位置か
ら、描画位置を決定する事により、アライメントマーク
位置認識を向上させ、高いアライメント精度を得ること
を可能とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００３１】（実施の形態１）本発明の実施の形態１を
図面を参照して説明する。

【００３２】図１〜図３は本発明の実施の形態による電
子線露光方法の処理工程を示すフローチャートである。
図１〜図３は、図４に示す電子線露光装置を用いた場合
の実施の形態である。また、図４は、従来のＥＢ直描装
置構成にアライメント補正用の制御部を取り付けた電子
線露光装置Ａを示している。

【００３３】まず、図４に示す電子線露光装置Ａの構成
と制御機能について説明する。

【００３４】発生させた電子を加速電源３８からの加速
電圧によって加速し、電子銃部３２と、電子ビームのス
ポットの整形、ブランキング、ビームの照射位置決め、
照射量決め等を行う為の電磁レンズやアパチャ等の各種
電極等からなる電子鏡筒部３３とから構成された本体３
１と、描画対象のウェハｗを載せるウェハ台及びその位
置をコントロールする為のＸＹステージ３５を含む試料
室３４とを有している。符号３７は、反射電子を検出す
るための反射電子検出器である。

【００３５】以上の電子銃部３２と電子鏡筒部３３と試
料室３４とにはそれぞれ真空ポンプ３９〜４１が取り付
けられており、これら真空ポンプ３９〜４１によって各
室の真空引きが行われる。また、本体３１は防震台３６
上に設置されている。

【００３６】コンピュータ部４２はデータ保存部４３か
らパターンデータを受け取ると、まず描画位置を決定す
る為のアライメントマーク１の位置座標をアライメント
マーク位置補正回路４４へ送る。位置補正回路で補正さ
れた位置座標はコンピュータ部４２へその値を返し、パ
ターンデータ及び予め設定されている描画パラメータと
補正されたアライメントマーク位置に従って電子鏡筒部
３３内の電子ビーム及びＸＹステージ３５を制御し、試
料室３４に載置されたウェハｗに対してパターン描画を
行う。

【００３７】次に、図１〜図３並びに図５〜図８を用い
て実施の形態１に係る、アライメントマーク位置の補正
方法及び電子線露光方法について説明する。図４はアラ
イメントマークの断面図、図５〜図８は検出波形を示し
ている。

【００３８】（ステップＳ１）まず、図１に示すステッ
プＳ１でウェハｗにＳｉ段差のアライメントマーク１
（図５に示す）を形成する。

【００３９】（ステップＳ２）次いで、ステップＳ２で
アライメントマーク検出１の動作を行う。

【００４０】ステップＳ２では、図２に示すステップＳ
２１でステップＳ１でアライメントマーク１が形成され
ただけのウェハｗを電子線露光装置Ａ内にロードされ
る。

【００４１】次いで、ステップＳ２２でウェハｗに形成
されているアライメントマーク１を電子線によって走査
しアライメントマーク位置を検出する（マーク検出
１）。

【００４２】そして、ステップＳ２３でその位置をデー
タ保存部（図４、符号４３）に保管し、ステップＳ２４
でウェハｗをアンロードする。この時のアライメントマ
ーク位置を図６に示す。

【００４３】図６に示す様にエッジ位置ａ，ｂは、アラ
イメントマーク１のエッジ１ａ，１ｂの位置を示す。ア
ライメントマーク位置ｃはエッジ位置ａ，ｂの中央であ
る。また、このアライメントマーク位置ｃがＬＳＩを製
造する各工程における基準の位置となる。

【００４４】（ステップＳ３）次いで、ステップＳ３に
おいて、ＬＳＩを製造する為の各種被膜をウェハｗ上に
被膜する。

【００４５】（ステップＳ４）次いで、ステップＳ４で
電子線露光装置Ａによって、レジスト膜５にパターンを
形成する。

【００４６】この時の動作は、まず、図３に示すステッ
プＳ４１において成膜及びレジスト塗布がなされたウェ
ハｗを電子線露光装置Ａ内にロードする。

【００４７】続いて、ステップＳ４２でウェハｗ上のア
ライメントマーク１を通常のマーク検出動作と同様に検
出する（マーク検出２）。この時のアライメントマーク
位置を図７に示す。検出したアライメントマーク位置
は、従来法の課題で記した時と同様に位置がずれて検出
されている為、アライメントマーク位置は検出ずれ量Ｚ
だけずれたｄの位置がアライメントマーク位置として認
識される。

【００４８】次いで、ステップＳ４３において、その検
出ずれ量を補正する。その為に、ステップＳ４２で検出
したアライメントマーク位置ｄとステップＳ２３でデー
タ保存部に保管されているアライメントマーク位置ｃを
それぞれ読み出し、アライメントマーク位置補正回路
（図４、４４）にそれぞれ送る。ステップＳ４３では、
それぞれのアライメントマークを走査させた時に得られ
ているエッジ位置ａ，ｂ及びａ’、ｂ’の差を求める。
そしてステップＳ４３で図８に示すエッジ位置ａ”、
ｂ”にそれぞれ補正する。アライメントマーク位置ｃ”
は、エッジ位置ａ”及びｂ”の中央となる。

【００４９】そしてステップＳ４４でステップＳ４３で
補正されたアライメントマーク位置を参照して、描画位
置を決定し、露光を行う。

【００５０】描画が終了した（ステップＳ４５）、ウェ
ハｗは電子線露光装置Ａからアンロードする。

【００５１】本実施の形態１に係るアライメントマーク
位置の補正方法及び電子線露光方法並びに電子線露光装
置Ａによれば、成膜前にアライメントマークの検出を行
うので、補正量を算出するための基準となるアライメン
トマークの位置を正確に認識することができる。したが
って、以上の動作をＬＳＩ製造工程のパターンを描画す
る際のマーク検出動作にたいして行う事により、重ね合
わせ精度を飛躍的に向上させることができる。その結
果、描画パターン同士の重ね合わせ精度を向上させ、ひ
いては高品質のＬＳＩが高歩留まりで供給することがで
きる。

【００５２】また、ステップＳ１、２の動作はＬＳＩ製
造工程のアライメントマーク１の形成後のみ行うだけで
良い為、アライメント動作を行う上のＬＳＩ製造工程数
を増やす事もない。

【００５３】また、従来のアライメントマーク１の検出
精度の向上法としては、信号強度を高める為に重金属を
マークに使用したり、アライメントマーク１上の膜を取
り除いたりしたりし、Ｓ／Ｎを大きくとれるようにする
といった工程を要していた。しかし本実施の形態１に係
るアライメントマーク位置の補正方法及び電子線露光方
法並びに電子線露光装置によれば、前記工程が不要とな
る。したがって、製造費用、ひいては製品を低廉化する
ことができる。

【００５４】（実施の形態２）実施の形態１に係るアラ
イメントマーク位置の補正では、補正回路（ハードウェ
ア）によって処理を行っていた。この工程を、図４のコ
ンピュータ４２にソフトウェア（例えばＣ言語等で作成
したプログラムによって制御）として組み込み、処理を
行わせる。

【００５５】実施の形態２の電子線露光方法では、実施
の形態１の効果の他に、ソフトウェアにより補正を行わ
せるので、ハードウェアを他の処理にまわせることがで
きる（並行処理）。その為、実施の形態１に比し、処理
時間を短縮することができる。

【００５６】（実施の形態３）実施の形態１及び２にお
けるアライメントマーク位置の補正において、位置補正
方法の異なる手段について説明する。

【００５７】実施の形態１及び２においてアライメント
マーク位置の補正は、図６のエッジ位置ａ及びｂと、図
７のエッジ位置ｄ及びｅそれぞれに対して、その差から
補正値を出していた。

【００５８】本実施の形態３に係るアライメントマーク
位置では、予め図７におけるアライメントマーク位置
ｃ’とアライメントマーク位置ｆとを比較し、その差か
ら補正値を導き出し、図８のｃ”の値のみ求める。

【００５９】斯かる実施の形態３の電子線露光方法にお
いても実施の形態１の電子線露光方法と同様の効果を得
ることができる。

【００６０】（実施の形態４）本実施の形態４に係る電
子線露光方法では、上述した実施の形態１〜３に係る補
正データ（被膜の種類及び補正量）をログデータとして
残しておき、同様のウェハｗを描画する際には、ログデ
ータを参照してアライメントマーク位置を補正し描画を
行わせる。本実施の形態のフローチャートを図９に示
す。このフローチャートでは、予め過去に描画したウェ
ハｗの被膜状態とその時の補正値をデータ保存部に格納
されているものとする。

【００６１】まず、ステップＳ１でウェハｗを電子線露
光装置Ａ内にロードする。

【００６２】次いでステップＳ２において、ウェハｗ上
の被膜状態（被膜種、膜厚）を入力する。

【００６３】ステップＳ３で入力された被膜状態がデー
タ保存部に格納されている過去の描画履歴に有るか否か
を検索する。ここで過去の描画履歴がある場合には、ス
テップＳ４で、そのデータ（アライメントマーク位置の
補正量）をデータ保存部から読み出す。

【００６４】ステップＳ５で、読み出したデータに基づ
き描画を行う。

【００６５】また、ステップＳ３で描画履歴が無い場合
には、実施の形態１〜３に示すアライメントマーク位置
補正を行ってから、ステップＳ５の描画を行う。

【００６６】描画を終了したウェハｗはステップＳ６で
アンロードする。

【００６７】斯かる電子線露光方法でも、上記実施の形
態１に係る電子線露光方法の効果を得ることができる。

【００６８】さらに、格納されたログデータを読み出し
て補正処理を行うので、アライメントマーク位置の補正
量を新たに算出する場合よりも、速く補正処理を行うこ
とができる。

【００６９】なお、本発明のその他の実施の形態とし
て、それ程精度が厳しくない製品については、予め記憶
されているアライメントマーク位置情報を読み出しなが
ら描画をおこなわせることもできる。斯かる場合には、
マーク検出時間を省略することが出来、スループットを
向上させる事ができる。

【００７０】また、上記構成部材の数、位置、形状等は
上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好
適な数、位置、形状等にすることができる。

【００７１】なお、上図において同一構成部材には同一
符号を付している。

【００７２】

【発明の効果】本発明では、成膜前にアライメントマー
クの検出を行うので、補正量を算出するための基準とな
るアライメントマークの位置を正確に認識でき、アライ
メントマーク位置の認識が向上し、高いアライメント精
度を得ることができる。

【００７３】その結果、アライメントマークの位置認識
を向上させる事ができ、描画パターン同士の重ね合わせ
精度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１〜３に係るフローチャー
トを示す図である。

【図２】本発明の実施の形態１〜３に係るフローチャー
トを示す図である。

【図３】本発明の実施の形態１〜３に係るフローチャー
トを示す図である。

【図４】本発明の実施の形態１〜４に係る電子線露光装
置を示す図である。

【図５】本発明の実施の形態１〜４に係るアライメント
マーク検出波形を示す図である。

【図６】本発明の実施の形態１〜４に係るアライメント
マーク検出波形を示す図である。

【図７】本発明の実施の形態１〜４に係るアライメント
マーク検出波形を示す図である。

【図８】本発明の実施の形態１〜４に係るアライメント
マーク検出波形を示す図である。

【図９】本発明の実施の形態４に係るフローチャートを
示す図である。

【図１０】従来の電子線露光装置を示す図である。

【図１１】従来技術に係る検出波形を示す図である。

【図１２】従来技術に係る検出波形を示す図である。

【符号の説明】

Ａ電子線露光装置ａ、ａ’、ａ”、ｂ、ｂ’ｂ”、ｄ、ｅ、ｈ、ｉ、ｋ
エッジ位置ｃ、ｃ’、ｃ”、ｊ、ｌアライメントマーク位置Ｑ、Ｚ、Ｐ、Ｒ、Ｘずれ量ｗウェハ１アライメントマーク１ａ，１ｂエッジ２Ｓｉ基板３酸化膜４ポリシリコン膜５レジスト膜６〜１１反射電子３１本体３２電子銃部３３電子鏡筒部３４試料室３５ＸＹステージ３６防震台３７反射電子検出器３８加速電源３９〜４１真空ポンプ４２コンピュータ部４３データ保存部４４アライメントマーク位置補正回路

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェハ上に予め形成されたアライメント
マークの位置を認識して、前記ウェハに被膜された各種
被膜上のレジスト膜にパターンを描画する際に、アライ
メントマーク位置を補正する、アライメントマーク位置
の補正方法であって、前記ウェハで各種被膜被着前に前
記アライメントマーク位置を検出する第１の工程と、前
記ウェハの前記アライメントマーク位置の検出を行う第
２の工程と、前記第１の工程で検出した前記アライメン
トマーク位置と、前記第２の工程で検出した前記アライ
メントマーク位置との差から補正値を算出し、該補正値
に基づきアライメントマーク位置を補正することを特徴
とするアライメントマーク位置の補正方法。
【請求項２】アライメントマークのエッジの位置から
前記補正値を算出することを特徴とする、請求項１記載
のアライメントマーク位置の補正方法。
【請求項３】アライメントマークのエッジとエッジと
の中央の位置から前記補正値を算出することを特徴とす
る、請求項１記載のアライメントマーク位置の補正方
法。
【請求項４】前記第３の工程を、コンピュータに組み
込まれたソフトウェアにより処理を行わせることを特徴
とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のアライメン
トマーク位置の補正方法。
【請求項５】前記第３の工程による補正データをログ
データとして保存しておき、同一の被膜状態のウェハに
対しては、前記ログデータを読み出し、アライメントマ
ーク位置を補正することを特徴とする、請求項１乃至４
のいずれかに記載のアライメントマーク位置の補正方
法。
【請求項６】前記補正データは被膜の種類及び補正量
を含むことを特徴とする、請求項５記載のアライメント
マーク位置の補正方法。
【請求項７】ウェハ上に予め形成されたアライメント
マークの位置を認識して、前記ウェハに被膜された各種
被膜上のレジスト膜にパターンを描画する電子線露光方
法であって、請求項１乃至６のいずれかに記載のアライ
メントマーク位置の補正方法を行った後、所要のパター
ンを描画することを特徴とする電子線露光方法。
【請求項８】ウェハ上に予め形成されたアライメント
マークの位置を認識して、前記ウェハに被膜された各種
被膜上のレジスト膜にパターンを描画する電子線露光装
置であって、前記ウェハで各種被膜被着前に前記アライ
メントマーク位置を検出する第１の検出手段と、前記ウ
ェハの前記アライメントマーク検出を行う第２の検出手
段と、前記第１及び第２の検出手段で得た、前記アライ
メントマーク位置から補正量を算出する算出手段と、前
記差信号を基に前記アライメントマークの位置を認識し
て、前記レジスト膜にパターンを描画する手段とを備え
たことを特徴とする電子線露光装置。
【請求項９】前記補正量を格納する格納手段を備えた
ことを特徴とする請求項８記載の電子線露光装置。