JP2978619B2 - Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus - Google Patents

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

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JP2978619B2 JP304092A JP304092A JP2978619B2 JP 2978619 B2 JP2978619 B2 JP 2978619B2 JP 304092 A JP304092 A JP 304092A JP 304092 A JP304092 A JP 304092A JP 2978619 B2 JP2978619 B2 JP 2978619B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
及び製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
And a manufacturing apparatus .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程では、
半導体ウエハやLCD基板等の基板上に塗布装置によっ
てフォトレジスト膜を形成し、ベーキング工程等を経た
後、露光装置によってフォトレジスト膜の露光を行い、
所定の回路パターンを転写することが行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacturing process of a semiconductor device,
A photoresist film is formed on a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate by a coating device, and after a baking process or the like, the photoresist film is exposed by an exposure device.
The transfer of a predetermined circuit pattern is performed.

【0003】上述した塗布装置としては、例えば、図7
に示すように、半導体ウエハ1の裏面を真空チャック等
で吸着保持し、この半導体ウエハ1を高速回転可能に構
成された基板保持台2を備え、この基板保持台2上に吸
着保持された半導体ウエハ1表面にレジスト供給ノズル
3からフォトレジスト液を供給し、この後半導体ウエハ
1を回転させることにより、遠心力で拡散させ、全面に
均一に塗布するいわゆるスピンコーティング装置が知ら
れている。なお、回転によるフォトレジスト液の飛散を
防止するため、半導体ウエハ1の周囲を囲む如く、カッ
プ4が設けられている。このような塗布装置は、例えば
特開昭61-294819 号公報、特開昭62-45378号公報等に開
示されている。
As the above-mentioned coating apparatus, for example, FIG.
As shown in FIG. 1, a semiconductor wafer 1 is provided with a substrate holding table 2 which is suction-held by a vacuum chuck or the like, and which is capable of rotating the semiconductor wafer 1 at a high speed. A so-called spin coating apparatus is known, in which a photoresist liquid is supplied to the surface of a wafer 1 from a resist supply nozzle 3, and thereafter, the semiconductor wafer 1 is rotated to diffuse by a centrifugal force and uniformly coat the entire surface. In order to prevent the photoresist solution from scattering due to rotation, a cup 4 is provided so as to surround the periphery of the semiconductor wafer 1. Such a coating apparatus is disclosed in, for example, JP-A-61-294819 and JP-A-62-45378.

【0004】ところで、このような塗布装置では、半導
体ウエハ1を高速回転させることから、半導体ウエハ1
が基板保持台2上でスリップを起こし、これらの接触部
において塵埃が発生することが知られている。このた
め、例えば図8に示すように、塗布装置の基板保持台2
の半導体ウエハ1との接触部2aを、車輪のスポーク状
に細く形成し、半導体ウエハ1との接触面積を減らして
塵埃発生量を低減させることが行われている。
In such a coating apparatus, the semiconductor wafer 1 is rotated at a high speed.
Is known to cause a slip on the substrate holding table 2 and generate dust at these contact portions. For this reason, for example, as shown in FIG.
The contact portion 2a with the semiconductor wafer 1 is formed to be thin like a spoke of a wheel, and the contact area with the semiconductor wafer 1 is reduced to reduce the amount of dust generation.

【0005】また、上述した露光装置としては、リティ
クルに形成されたパターンを光学系によって縮小し、例
えば真空チャック等により基板保持機構上に保持された
半導体ウエハに露光するいわゆるステッパーが知られて
いる。このような露光装置では、前工程で回路パターン
を形成された半導体ウエハ上に、さらに他の回路パター
ンを転写して層状に回路パターンを形成することが行わ
れることから、非常に高い位置決め精度を要求される。
Further, as the above-described exposure apparatus, a so-called stepper is known which reduces a pattern formed on a icle by an optical system and exposes a semiconductor wafer held on a substrate holding mechanism by, for example, a vacuum chuck. . In such an exposure apparatus, since another circuit pattern is transferred onto a semiconductor wafer on which a circuit pattern has been formed in a previous process to form a circuit pattern in a layer, extremely high positioning accuracy is achieved. Required.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の半導体装置の製造工程においては、塗布装置における
塗布工程において、半導体ウエハの裏面に塵埃が発生す
る。このため、露光工程において、図9に示すように、
露光装置の基板保持機構10の半導体ウエハ1との接触
部11と、半導体ウエハ1の裏面との間に塵埃12が介
在した状態で露光工程が実施されることになり、半導体
ウエハ1の水平度および高さの精度等が悪化して回路パ
ターンの転写精度が悪化するという問題がある。
As described above, in the conventional semiconductor device manufacturing process, dust is generated on the back surface of the semiconductor wafer in the coating process in the coating device. Therefore, in the exposure step, as shown in FIG.
The exposure process is performed in a state where dust 12 is interposed between the contact portion 11 of the substrate holding mechanism 10 of the exposure apparatus that contacts the semiconductor wafer 1 and the back surface of the semiconductor wafer 1, and the level of the semiconductor wafer 1 is maintained. In addition, there is a problem that the transfer accuracy of the circuit pattern is deteriorated due to deterioration of height accuracy and the like.

【0007】このような問題は、例えば4 M、8 M等の
比較的集積度の低いメモリデバイス等の製造ではあまり
問題とならないが、例えば64M等の高集積化されたメモ
リデバイス等の製造では、大きな問題となる。
Such a problem is not so serious in the manufacture of relatively low-integration memory devices such as 4M and 8M. However, in the manufacture of highly integrated memory devices such as 64M, etc. , A big problem.

【0008】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、回路パターン転写における精度の向上を
図ることができ、半導体デバイスの高集積化に対応する
ことのできる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供
しようとするものである。
The present invention has been made in view of such conventional circumstances, and can improve the accuracy of circuit pattern transfer, and can manufacture a semiconductor device capable of coping with high integration of semiconductor devices. And a manufacturing apparatus .

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の半導
体装置の製造方法は、塗布装置の基板保持台上に吸着保
持した基板表面にフォトレジスト液を供給し、この後前
記基板を回転させて遠心力で前記フォトレジスト液を前
記基板表面に拡散させてフォトレジスト膜を形成する工
程と、前記基板を露光装置の基板保持機構によって保持
し、前記フォトレジスト膜を露光して所定パターンの転
写を行う工程とを具備した半導体装置の製造方法におい
て、前記塗布装置の基板保持台の前記基板との接触部
を、基板の周縁部を保持する如く環状に形成するととも
に、前記露光装置の基板保持機構の前記基板との接触部
を、同心円状に複数形成し、 前記塗布装置の基板保持台
の前記基板との接触部と、前記露光装置の基板保持機構
の前記基板との接触部とが、互いに異なる位置で、前記
基板と接触するように配置することを特徴とする。ま
た、請求項2の半導体装置の製造方法は、請求項1記載
の半導体装置の製造方法において、前記露光装置の基板
保持機構の同心円状の前記基板との接触部の間には、真
空吸着用の環状の溝が形成され、この環状の溝に対応す
る位置に、前記塗布装置の基板保持台の前記基板との接
触部が設けられていることを特徴とする。また、請求項
3の半導体装置の製造装置は、塗布装置の基板保持台上
に吸着保持した基板表面にフォトレジスト液を供給し、
この後前記基板を回転させて遠心力で前記フォトレジス
ト液を前記基板表面に拡散させてフォトレジスト膜を形
成する工程と、前記基板を露光装置の基板保持機構によ
って保持し、前記フォトレジスト膜を露光して所定パタ
ーンの転写を行う工程とを少なくとも実行する半導体装
置の製造装置において、前記塗布装置の基板保持台の前
記基板との接触部を、基板の周縁部を保持する如く環状
に形成するとともに、前記露光装置の基板保持機構の前
記基板との接触部を、同心円状に複数形成し、 前記塗布
装置の基板保持台の前記基板との接触部と、前記露光装
置の基板保持機構の前記基板との接触部とが、互いに異
なる位置で、前記基板と接触するように配置したことを
特徴とする。また、請求項4の半導体装置の製造装置
は、請求項3記載の半導体装置の製造装置において、
記露光装置の基板保持機構の同心円状の前記基板との接
触部の間には、真空吸着用の環状の溝が形成され、この
環状の溝に対応する位置に、前記塗布装置の基板保持台
の前記基板との接触部が設けられていることを特徴とす
る。
That is, in a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a photoresist solution is supplied to a surface of a substrate which is sucked and held on a substrate holding table of a coating apparatus, and then the substrate is rotated. Forming a photoresist film by diffusing the photoresist solution onto the substrate surface by centrifugal force, holding the substrate by a substrate holding mechanism of an exposure apparatus, exposing the photoresist film to transfer a predetermined pattern; And a contacting portion of the substrate holding table of the coating device with the substrate.
Is formed in an annular shape so as to hold the peripheral portion of the substrate.
A plurality of concentric contact portions with the substrate of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus, and a substrate holding table of the coating apparatus;
A contact portion with the substrate, and a substrate holding mechanism of the exposure apparatus
And a contact portion with the substrate is arranged at a position different from each other so as to contact the substrate. In addition, the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2 is a method according to claim 1.
In the method for manufacturing a semiconductor device, the substrate of the exposure apparatus
Between the concentric contact portion of the holding mechanism and the substrate, a true
An annular groove for empty suction is formed, and corresponds to this annular groove.
At a position where the substrate holding table of the coating apparatus is in contact with the substrate.
A touch portion is provided . Further, the semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 3 supplies the photoresist liquid to the surface of the substrate that is sucked and held on the substrate holding table of the coating apparatus,
Thereafter, a step of rotating the substrate and diffusing the photoresist liquid to the surface of the substrate by centrifugal force to form a photoresist film, and holding the substrate by a substrate holding mechanism of an exposure apparatus, and removing the photoresist film And a step of exposing and transferring a predetermined pattern in the semiconductor device manufacturing apparatus, wherein the contact portion of the substrate holding table of the coating device with the substrate is formed in an annular shape so as to hold a peripheral portion of the substrate.
To thereby form the contact portions between the substrate of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus, a plurality of concentrically formed, the coating
A contact portion of the substrate holding table of the apparatus with the substrate;
The contact portion of the substrate holding mechanism with the substrate is arranged at different positions so as to contact the substrate. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, before
The contact of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus with the concentric substrate
An annular groove for vacuum suction is formed between the touching parts.
At a position corresponding to the annular groove, the substrate holding table of the coating apparatus
Wherein the contact portion with the substrate is provided .

【0010】[0010]

【作用】上記構成の本発明の半導体装置の製造方法及び
製造装置では、塗布装置の基板保持台の基板との接触部
と、露光装置の基板保持機構の基板との接触部を、互い
に異なる位置で、前記基板と接触する。
The method of manufacturing the semiconductor device according to the present invention having the above-mentioned structure and
In the manufacturing apparatus , a contact part of the substrate holding table of the coating apparatus with the substrate and a contact part of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus with the substrate contact the substrate at different positions.

【0011】したがって、塗布装置の基板保持台との接
触によって基板裏面に発生(付着)した塵埃が、露光装
置の基板保持機構の基板との接触部と、基板との間に介
在する可能性を大幅に低減することができ、回路パター
ン転写における精度の向上を図ることができる。これに
より、半導体デバイスの高集積化に対応することが可能
となる。
Therefore, there is a possibility that dust generated (adhered) on the back surface of the substrate due to the contact with the substrate holding table of the coating apparatus may be interposed between the substrate contact portion of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus and the substrate. It is possible to greatly reduce the accuracy and improve the accuracy in circuit pattern transfer. This makes it possible to cope with high integration of semiconductor devices.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の詳細を一実施例について図面
を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described below with reference to an embodiment with reference to the drawings.

【0013】図1および図2は、本実施例に用いる塗布
装置の概略構成を示すもので、半導体ウエハ1を吸着保
持する基板保持台20の上面には、ほぼ円板状に形成さ
れた半導体ウエハ1の周縁部近傍を保持する如く、環状
に突出する接触部21が設けられている。この接触部2
1および基板保持台20内には、真空チャック用の排気
流路22が形成されており、接触部21上に半導体ウエ
ハ1を載置した状態で、真空チャックにより半導体ウエ
ハ1を吸着保持するよう構成されている。また、基板保
持台20の下面中心部には、シャフト23が設けられて
おり、このシャフト23は、図示しない回転駆動機構に
接続されている。そして、基板保持台20とともに半導
体ウエハ1を高速回転させることができるよう構成され
ている。
FIGS. 1 and 2 show a schematic configuration of a coating apparatus used in the present embodiment. A substantially disc-shaped semiconductor is formed on an upper surface of a substrate holding table 20 for holding the semiconductor wafer 1 by suction. An annularly protruding contact portion 21 is provided so as to hold the vicinity of the peripheral portion of the wafer 1. This contact part 2
An exhaust channel 22 for a vacuum chuck is formed in the substrate holder 1 and the substrate holding table 20. The semiconductor wafer 1 is suction-held by the vacuum chuck while the semiconductor wafer 1 is placed on the contact portion 21. It is configured. A shaft 23 is provided at the center of the lower surface of the substrate holding table 20, and the shaft 23 is connected to a rotation drive mechanism (not shown). Then, the semiconductor wafer 1 is configured to be able to rotate at high speed together with the substrate holding table 20.

【0014】なお、この基板保持台20の接触部21
は、後述するように半導体ウエハ1の所定部位を保持す
るよう構成されている。また、図2に点線で示すよう
に、半導体ウエハ1には通常オリエンテーションフラッ
ト1aが形成されているので、接触部21は、半導体ウ
エハ1よりやや小径に設定されている。このようにすれ
ば、オリエンテーションフラットの位置合せをすること
なく、半導体ウエハ1を基板保持台20上に載置するこ
とができる。
The contact portion 21 of the substrate holder 20
Are configured to hold a predetermined portion of the semiconductor wafer 1 as described later. Further, as shown by a dotted line in FIG. 2, since the orientation flat 1 a is normally formed on the semiconductor wafer 1, the contact portion 21 is set to have a slightly smaller diameter than the semiconductor wafer 1. By doing so, the semiconductor wafer 1 can be placed on the substrate holding table 20 without performing alignment of the orientation flat.

【0015】上記基板保持台20の上方には、図示しな
いフォトレジスト液ボトルからフォトレジスト液を供給
するためのレジスト供給ノズル24が設けられている。
また、基板保持台20の周囲には、フォトレジスト液の
飛散を防止するため、半導体ウエハ1の周囲を囲む如く
カップ25が設けられている。
A resist supply nozzle 24 for supplying a photoresist solution from a photoresist solution bottle (not shown) is provided above the substrate holding table 20.
A cup 25 is provided around the substrate holder 20 so as to surround the periphery of the semiconductor wafer 1 in order to prevent the photoresist solution from scattering.

【0016】また、図3および図4は、本実施例に用い
る露光装置の概略構成を示すもので、半導体ウエハ1を
吸着保持する基板保持機構30の上面には、同心円状に
接触部31が形成されており、これらの接触部31間に
形成された溝32内を図示しない排気流路を介して真空
排気することにより、接触部31上に半導体ウエハ1を
吸着保持するよう構成されている。また、この基板保持
機構30は図示しない駆動機構により、移動可能に構成
されている。さらに、基板保持機構30の上部には、縮
小光学系および位置決め用光学系等からなる光学系33
が設けられており、半導体ウエハ1を撮像して位置決め
を行うとともに、図示しないレティクルを介してビーム
状の光34を、半導体ウエハ1に向けて照射し、露光を
実施することができるよう構成されている。
FIGS. 3 and 4 show a schematic configuration of an exposure apparatus used in the present embodiment. A contact portion 31 is formed concentrically on an upper surface of a substrate holding mechanism 30 for holding the semiconductor wafer 1 by suction. The semiconductor wafer 1 is sucked and held on the contact portion 31 by evacuating the inside of the groove 32 formed between the contact portions 31 through an exhaust passage (not shown). . The substrate holding mechanism 30 is configured to be movable by a driving mechanism (not shown). Further, an optical system 33 including a reduction optical system, a positioning optical system, and the like is provided above the substrate holding mechanism 30.
Is provided so that the semiconductor wafer 1 can be imaged and positioned, and at the same time, the semiconductor wafer 1 can be irradiated with beam-shaped light 34 via a reticle (not shown) to perform exposure. ing.

【0017】図5は、上述した塗布装置の基板保持台2
0の接触部21と、露光装置の基板保持機構30の接触
部31との位置関係を示すもので、基板保持台20の接
触部21は、基板保持機構30の溝32内に位置するよ
うになっている。すなわち、接触部21と接触部31と
は、半導体ウエハ1裏面の異なる位置で半導体ウエハ1
と接触するよう設定されている。
FIG. 5 shows the substrate holding table 2 of the above-mentioned coating apparatus.
0 indicates a positional relationship between the contact portion 21 of the exposure apparatus and the contact portion 31 of the substrate holding mechanism 30 of the exposure apparatus. The contact portion 21 of the substrate holding table 20 is located in the groove 32 of the substrate holding mechanism 30. Has become. That is, the contact portion 21 and the contact portion 31 are located at different positions on the back surface of the semiconductor wafer 1.
It is set to contact with.

【0018】なお、上述した塗布装置は、例えば図6に
示すようなレジスト塗布現像処理装置40に配置され
る。レジスト塗布現像処理装置40は、処理部41およ
びロ―ダ―部42から構成されている。処理部41は、
被処理体例えば半導体ウエハ1にフォトリソグラフィ―
のための一連の処理を施す各処理ユニット43a〜43
fと、半導体ウエハ1をに搬送するための搬送ユニット
44を組み合せて構成されている。塗布装置は、これら
の処理ユニット43a〜43fの一つ、例えば処理ユニ
ット43aとして配置される。なお、他の処理ユニット
43b〜43fは、例えば現像処理ユニット、ポストベ
―ク処理ユニット、ポストエクスポ―ジャ―ベ―クユニ
ット、冷却温調処理ユニット等である。そして、ロ―ダ
―部42に設けたウエハカセット45から搬送機構46
によって半導体ウエハ1を取り出し、受け渡し機構47
を介して搬送ユニット44に受け渡し、処理ユニット4
3a〜43fに搬送して、順次処理を施すよう構成され
ている。
The above-described coating apparatus is arranged in a resist coating and developing apparatus 40 as shown in FIG. 6, for example. The resist coating and developing processing apparatus 40 includes a processing section 41 and a loading section 42. The processing unit 41
Photolithography on the object to be processed, for example, the semiconductor wafer 1
Processing units 43a to 43 for performing a series of processes for
and a transfer unit 44 for transferring the semiconductor wafer 1 to the semiconductor wafer 1. The coating device is arranged as one of the processing units 43a to 43f, for example, the processing unit 43a. The other processing units 43b to 43f are, for example, a development processing unit, a post bake processing unit, a post exposure bake unit, a cooling temperature control processing unit, and the like. Then, the transfer mechanism 46 is moved from the wafer cassette 45 provided in the loader section 42.
The semiconductor wafer 1 is taken out by the
Is transferred to the transport unit 44 via the
3a to 43f, and are sequentially processed.

【0019】そして、塗布装置の基板保持台20上に半
導体ウエハ1を載置し、真空チャックにより半導体ウエ
ハ1を吸着保持する。そして、レジスト供給ノズル24
から半導体ウエハ1にフォトレジスト液を供給し、この
後半導体ウエハ1を高速回転させることにより、フォト
レジスト液を遠心力で拡散させ、均一な膜厚のフォトレ
ジスト膜を形成する。
Then, the semiconductor wafer 1 is placed on the substrate holding table 20 of the coating apparatus, and the semiconductor wafer 1 is suction-held by a vacuum chuck. Then, the resist supply nozzle 24
Then, the photoresist liquid is supplied to the semiconductor wafer 1 and then the semiconductor wafer 1 is rotated at a high speed, whereby the photoresist liquid is diffused by centrifugal force to form a photoresist film having a uniform film thickness.

【0020】この後、半導体ウエハ1を搬送して例えば
べーキング処理等を施し、しかる後、半導体ウエハ1を
露光装置の基板保持機構30上に載置する。そして、真
空チャックにより半導体ウエハ1を吸着保持し、光学系
33によって位置決めを行い、図示しないレティクルを
介して光34を半導体ウエハ1に向けて照射して露光を
実施する。なお、このような露光は、基板保持機構30
を移動させ、半導体ウエハ1の位置を変えて所定回数行
う。
Thereafter, the semiconductor wafer 1 is transferred and subjected to, for example, a baking process, and thereafter, the semiconductor wafer 1 is placed on the substrate holding mechanism 30 of the exposure apparatus. Then, the semiconductor wafer 1 is sucked and held by the vacuum chuck, positioned by the optical system 33, and irradiated with light 34 toward the semiconductor wafer 1 via a reticle (not shown) to perform exposure. Note that such exposure is performed by the substrate holding mechanism 30.
Is moved to change the position of the semiconductor wafer 1 a predetermined number of times.

【0021】この時、塗布装置の基板保持台20の接触
部21との接触により、半導体ウエハ1の裏面の接触部
位には塵埃が発生するが、図5に示したように、基板保
持台20の接触部21は、基板保持機構30の溝32内
に相当する位置に配置されている。したがって、ここに
塵埃50が付着しても、この塵埃50が基板保持機構3
0の接触部31と半導体ウエハ1との間に挟まれた状態
となることがない。なお、通常塵埃は、半導体ウエハ1
の発生部位に強固に付着して移動することはない。
At this time, dust is generated at the contact portion on the back surface of the semiconductor wafer 1 due to the contact with the contact portion 21 of the substrate holder 20 of the coating apparatus, but as shown in FIG. The contact portion 21 is disposed at a position corresponding to the inside of the groove 32 of the substrate holding mechanism 30. Therefore, even if the dust 50 adheres to the substrate holding mechanism 3
0 is not sandwiched between the contact portion 31 and the semiconductor wafer 1. Note that the normal dust is
It does not adhere firmly to the site of occurrence and move.

【0022】このため、半導体ウエハ1の水平度および
高さの精度等が悪化することがなく、回路パターンの転
写精度が悪化することもない。したがって、高精度で回
路パターン転写を行うことができ、例えば、64M等の半
導体デバイスの高集積化にも対応することが可能とな
る。
Accordingly, the accuracy of the horizontality and the height of the semiconductor wafer 1 does not deteriorate, and the transfer accuracy of the circuit pattern does not deteriorate. Therefore, circuit pattern transfer can be performed with high accuracy, and it is possible to cope with high integration of a semiconductor device such as 64M.

【0023】なお、上記実施例では、塗布装置の基板保
持台20の接触部21を、半導体ウエハ1の周縁部を保
持する如く環状に形成したが、このようにすれば、少な
い接触面積で十分な吸着保持力を得ることができる。結
果として接触部21と半導体ウエハ1との接触面積を低
減することができ、塵埃の発生量を低減することができ
るが、露光装置の接触部31と同様に環状に形成しても
よく、さらに、これらをそれぞれスポーク上にする等ど
のような形状にしてもよい。
In the above embodiment, the contact portion 21 of the substrate holder 20 of the coating apparatus is formed in an annular shape so as to hold the peripheral portion of the semiconductor wafer 1. However, in this case, a small contact area is sufficient. A high suction holding power can be obtained. As a result, the contact area between the contact portion 21 and the semiconductor wafer 1 can be reduced, and the amount of dust generated can be reduced. However, the contact portion 21 may be formed in an annular shape like the contact portion 31 of the exposure apparatus. These may be formed on the spokes in any shape.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
回路パターン転写における精度の向上を図ることがで
き、半導体デバイスの高集積化に対応することのできる
半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することがで
きる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device, which can improve the accuracy in transferring a circuit pattern and can cope with high integration of a semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例に用いる塗布装置の構成を示
す図。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a coating apparatus used in one embodiment of the present invention.

【図2】図1の塗布装置の基板保持台の上面を示す図。FIG. 2 is a diagram illustrating an upper surface of a substrate holding table of the coating apparatus of FIG. 1;

【図3】本発明の一実施例に用いる露光装置の構成を示
す図。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an exposure apparatus used in one embodiment of the present invention.

【図4】図3の露光装置の基板保持機構の上面を示す
図。
FIG. 4 is a diagram illustrating an upper surface of a substrate holding mechanism of the exposure apparatus in FIG. 3;

【図5】塗布装置の接触部と露光装置の接触部との位置
関係を示す図。
FIG. 5 is a diagram illustrating a positional relationship between a contact portion of a coating device and a contact portion of an exposure device.

【図6】レジスト塗布現像処理装置の構成を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a resist coating and developing processing apparatus.

【図7】従来の塗布装置の構成を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a conventional coating apparatus.

【図8】図7の塗布装置の基板保持台の上面を示す図。FIG. 8 is a diagram showing an upper surface of a substrate holder of the coating apparatus of FIG. 7;

【図9】従来の問題点を説明するための図。FIG. 9 is a diagram for explaining a conventional problem.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウエハ 20 基板保持台 21 接触部 22 排気流路 23 シャフト 24 レジスト供給ノズル 25 カップ 30 基板保持機構 31 接触部 32 溝 33 光学系 34 光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 20 Substrate holder 21 Contact part 22 Exhaust flow path 23 Shaft 24 Resist supply nozzle 25 Cup 30 Substrate holding mechanism 31 Contact part 32 Groove 33 Optical system 34 Light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝 多摩川工場内 (56)参考文献 特開 平2−191317(JP,A) 特開 平3−16207(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Katsuya Okumura 1, Komukai Toshiba-cho, Sachi-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Tamagawa Plant, Toshiba Corporation (56) References JP-A-2-191317 (JP, A) Hei 3-16207 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/027

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 塗布装置の基板保持台上に吸着保持した
基板表面にフォトレジスト液を供給し、この後前記基板
を回転させて遠心力で前記フォトレジスト液を前記基板
表面に拡散させてフォトレジスト膜を形成する工程と、 前記基板を露光装置の基板保持機構によって保持し、前
記フォトレジスト膜を露光して所定パターンの転写を行
う工程とを具備した半導体装置の製造方法において、 前記塗布装置の基板保持台の前記基板との接触部を、基
板の周縁部を保持する如く環状に形成するとともに、
記露光装置の基板保持機構の前記基板との接触部を、
心円状に複数形成し、 前記塗布装置の基板保持台の前記基板との接触部と、前
記露光装置の基板保持機構の前記基板との接触部とが、
互いに異なる位置で、前記基板と接触するように配置す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A photoresist solution is supplied to a substrate surface sucked and held on a substrate holding table of a coating apparatus, and thereafter, the substrate is rotated and the photoresist solution is diffused to the substrate surface by centrifugal force. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a resist film; and holding the substrate by a substrate holding mechanism of an exposure apparatus, exposing the photoresist film and transferring a predetermined pattern. the contact portion between the substrate holder of the substrate, group
A plate is formed in an annular shape so as to hold a peripheral portion of the plate, and a contact portion of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus with the substrate is the same.
Forming a plurality of concentric circles , a contact portion of the substrate holding table of the coating device with the substrate,
A contact portion with the substrate of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is arranged at different positions so as to be in contact with the substrate.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記露光装置の基板保持機構の同心円状の前記基板との
接触部の間には、真空吸着用の環状の溝が形成され、こ
の環状の溝に対応する位置に、前記塗布装置の基板保持
台の前記基板との接触部が設けられていることを特徴と
する 半導体装置の製造方法。
2. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein
In the above, the substrate holding mechanism of the exposure apparatus may be in contact with the concentric substrate.
An annular groove for vacuum suction is formed between the contact parts.
Holding the substrate of the coating apparatus at a position corresponding to the annular groove of
A contact portion with the substrate of the table is provided.
The method of manufacturing a semiconductor device to be.
【請求項3】 塗布装置の基板保持台上に吸着保持した
基板表面にフォトレジスト液を供給し、この後前記基板
を回転させて遠心力で前記フォトレジスト液を前記基板
表面に拡散させてフォトレジスト膜を形成する工程と、 前記基板を露光装置の基板保持機構によって保持し、前
記フォトレジスト膜を露光して所定パターンの転写を行
う工程とを少なくとも実行する半導体装置の製造装置に
おいて、 前記塗布装置の基板保持台の前記基板との接触部を、基
板の周縁部を保持する如く環状に形成するとともに、
記露光装置の基板保持機構の前記基板との接触部を、
心円状に複数形成し、 前記塗布装置の基板保持台の前記基板との接触部と、前
記露光装置の基板保持機構の前記基板との接触部とが、
互いに異なる位置で、前記基板と接触するように配置し
たことを特徴とする半導体装置の製造装置。
3. A photoresist solution is supplied to a surface of a substrate that is adsorbed and held on a substrate holding table of a coating apparatus. Thereafter, the substrate is rotated to diffuse the photoresist solution onto the surface of the substrate by centrifugal force, thereby forming a photoresist. A semiconductor device manufacturing apparatus that performs at least a step of forming a resist film, and a step of transferring the predetermined pattern by exposing the photoresist film by holding the substrate by a substrate holding mechanism of an exposure apparatus; the contact portion between the substrate holder of the substrate of the device, group
A plate is formed in an annular shape so as to hold a peripheral portion of the plate, and a contact portion of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus with the substrate is the same.
Forming a plurality of concentric circles , a contact portion of the substrate holding table of the coating device with the substrate,
A contact portion with the substrate of the substrate holding mechanism of the exposure apparatus,
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is arranged so as to be in contact with the substrate at different positions.
【請求項4】 請求項3記載の半導体装置の製造装置に
おいて、 前記露光装置の基板保持機構の同心円状の前記基板との
接触部の間には、真空吸着用の環状の溝が形成され、こ
の環状の溝に対応する位置に、前記塗布装置の基板保持
台の前記基板との接触部が設けられていることを特徴と
する半導体装置の製造装置。
4. An apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein
In the above, the substrate holding mechanism of the exposure apparatus may be in contact with the concentric substrate.
An annular groove for vacuum suction is formed between the contact parts.
Holding the substrate of the coating apparatus at a position corresponding to the annular groove of
An apparatus for manufacturing a semiconductor device , wherein a contact portion with a substrate is provided .
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