JP2975570B2 - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置Info
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- electrode
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示に影響しない
スペーサを有するアクティブマトリクス表示装置に関す
る。
スペーサを有するアクティブマトリクス表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶等の表示媒体を用いた小
型の表示装置では、表示装置を構成する２つの基板間の
液晶層の層厚を一定に保つため、２つの基板間の周縁部
に挟まれるシール剤に、ガラスファイバー等のスペーサ
が混入される。スペーサをシール剤に混入した場合に
は、表示画面にスペーサの影響はない。しかし、３イン
チ以上の大画面を有する表示装置では、液晶層の層厚が
一定にはならないので、表示部分の液晶層中にもスペー
サが混入されている。
型の表示装置では、表示装置を構成する２つの基板間の
液晶層の層厚を一定に保つため、２つの基板間の周縁部
に挟まれるシール剤に、ガラスファイバー等のスペーサ
が混入される。スペーサをシール剤に混入した場合に
は、表示画面にスペーサの影響はない。しかし、３イン
チ以上の大画面を有する表示装置では、液晶層の層厚が
一定にはならないので、表示部分の液晶層中にもスペー
サが混入されている。
【０００３】液晶層中にスペーサが混入された従来の代
表的なアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の断面
模式図を図６に、この表示装置を構成するアクティブマ
トリクス基板の平面図を図８に示す。この表示装置は、
ツイスティッドネマティック（ＴＮ）型である。この表
示装置では、図８に示すように、ゲートバス配線５とソ
ースバス配線６とによって形成された矩形の各領域に、
絵素電極３が形成されている。図６に示すように、各絵
素電極３は絶縁性基板１上に形成され、絵素電極３には
スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下では
「ＴＦＴ」と称する）２が接続されている。基板１に対
向する対向基板１０上には対向電極１３が形成され、絵
素電極３と対向電極１３との間の液晶層８に電圧が印加
される。基板１と基板１０との間には、液晶層８の層厚
を一定にするためのスペーサ１７が挟まれている。
表的なアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の断面
模式図を図６に、この表示装置を構成するアクティブマ
トリクス基板の平面図を図８に示す。この表示装置は、
ツイスティッドネマティック（ＴＮ）型である。この表
示装置では、図８に示すように、ゲートバス配線５とソ
ースバス配線６とによって形成された矩形の各領域に、
絵素電極３が形成されている。図６に示すように、各絵
素電極３は絶縁性基板１上に形成され、絵素電極３には
スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下では
「ＴＦＴ」と称する）２が接続されている。基板１に対
向する対向基板１０上には対向電極１３が形成され、絵
素電極３と対向電極１３との間の液晶層８に電圧が印加
される。基板１と基板１０との間には、液晶層８の層厚
を一定にするためのスペーサ１７が挟まれている。
【０００４】また、表示装置の開口率を高めた、図７の
断面模式図に示すアクティブマトリクス表示装置が知ら
れている。図７の表示装置では、絵素電極３はＴＦＴ２
を覆う絶縁膜４上に設けられ、絵素電極３とＴＦＴ２と
は絶縁膜４に設けられたコンタクトホールを介して電気
的に接続されている。図７の表示装置に於いても、スペ
ーサ１７によって、基板１及び１０の間の液晶層８の層
厚が一定に保たれている。
断面模式図に示すアクティブマトリクス表示装置が知ら
れている。図７の表示装置では、絵素電極３はＴＦＴ２
を覆う絶縁膜４上に設けられ、絵素電極３とＴＦＴ２と
は絶縁膜４に設けられたコンタクトホールを介して電気
的に接続されている。図７の表示装置に於いても、スペ
ーサ１７によって、基板１及び１０の間の液晶層８の層
厚が一定に保たれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の図６及び図７の
表示装置には、通常、白色又は透明のものが用いられて
いる。白色又は透明のスペーサを用いると、黒色を表示
した場合にはスペーサの部分が白色となったり、その近
傍の液晶分子の配向の乱れにより、コントラスト比が大
きく低下するという問題点がある。このように白色又は
透明のスペーサを用いることは、表示品位に悪影響を与
えるので非常に大きな問題となっている。
表示装置には、通常、白色又は透明のものが用いられて
いる。白色又は透明のスペーサを用いると、黒色を表示
した場合にはスペーサの部分が白色となったり、その近
傍の液晶分子の配向の乱れにより、コントラスト比が大
きく低下するという問題点がある。このように白色又は
透明のスペーサを用いることは、表示品位に悪影響を与
えるので非常に大きな問題となっている。
【０００６】このような問題点を解決するため、黒色の
スペーサを用いることが検討されている。しかし、黒色
のスペーサは硬度が十分に高くないので、液晶層の層厚
を高い精度で長期に亘って均一に保つことができないと
いう問題点がある。しかも、スペーサを用いることによ
る液晶分子の配向の乱れによる問題点は、依然として解
決されない。
スペーサを用いることが検討されている。しかし、黒色
のスペーサは硬度が十分に高くないので、液晶層の層厚
を高い精度で長期に亘って均一に保つことができないと
いう問題点がある。しかも、スペーサを用いることによ
る液晶分子の配向の乱れによる問題点は、依然として解
決されない。
【０００７】この点を解決したものとして、米国特許第
４，９０４，０５６号に記載されている表示装置を挙げ
ることができる。この表示装置ではソースバス配線及び
ゲートバス配線上に形成された遮光層が、スペーサとし
ても機能している。しかし、この表示装置では、高分子
材料からなるスペーサが用いられているため、スペーサ
の剥がれ、変形等が起こり易い。そのため、表示装置の
信頼性が低下するという問題点がある。
４，９０４，０５６号に記載されている表示装置を挙げ
ることができる。この表示装置ではソースバス配線及び
ゲートバス配線上に形成された遮光層が、スペーサとし
ても機能している。しかし、この表示装置では、高分子
材料からなるスペーサが用いられているため、スペーサ
の剥がれ、変形等が起こり易い。そのため、表示装置の
信頼性が低下するという問題点がある。
【０００８】本発明の目的は、表示に悪影響を与えない
スペーサを有し、しかも高い信頼性を有するアクティブ
マトリクス表示装置を提供することである。
スペーサを有し、しかも高い信頼性を有するアクティブ
マトリクス表示装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載のアクティブマトリクス
表示装置は、一対の絶縁性基板と、該基板の何れか一方
に縦横に配線されたバス配線と、該バス配線を覆う絶縁
膜と、該絶縁膜上に配された絵素電極と、該一対の基板
間に封入された表示媒体と、該一対の基板間の距離を一
定に保つためのスペーサと、を有するアクティブマトリ
クス表示装置において、前記絵素電極間に電着用電極が
形成され、前記スペーサが該電着用電極上に電着法によ
って形成されていることを特徴としている。
ために、本発明の請求項１記載のアクティブマトリクス
表示装置は、一対の絶縁性基板と、該基板の何れか一方
に縦横に配線されたバス配線と、該バス配線を覆う絶縁
膜と、該絶縁膜上に配された絵素電極と、該一対の基板
間に封入された表示媒体と、該一対の基板間の距離を一
定に保つためのスペーサと、を有するアクティブマトリ
クス表示装置において、前記絵素電極間に電着用電極が
形成され、前記スペーサが該電着用電極上に電着法によ
って形成されていることを特徴としている。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】本発明のアクティブマトリクス表示装置に
よれば、バス配線と絵素電極とが絶縁膜を介して形成さ
れるアクティブマトリクス表示装置において、絵素電極
間に電着用電極が形成され、スペーサが電着用電極上に
電着法によって形成されていることにより、表示に寄与
しない絵素電極間の電着用電極上にスペーサが形成され
ているので、スペーサが存在することによる画像品位の
低下は生じない。また、スペーサは電着法によって形成
されるので、電着用電極上に高いパターン精度で形成さ
れ、しかも高い密着性を有している。従って、スペーサ
の剥がれは生じない。また、電着法によれば均一な層厚
を有するスペーサが形成されるので、表示媒体の層厚の
均一性を±０．１μｍ以内の範囲まで高めることができ
る。
よれば、バス配線と絵素電極とが絶縁膜を介して形成さ
れるアクティブマトリクス表示装置において、絵素電極
間に電着用電極が形成され、スペーサが電着用電極上に
電着法によって形成されていることにより、表示に寄与
しない絵素電極間の電着用電極上にスペーサが形成され
ているので、スペーサが存在することによる画像品位の
低下は生じない。また、スペーサは電着法によって形成
されるので、電着用電極上に高いパターン精度で形成さ
れ、しかも高い密着性を有している。従って、スペーサ
の剥がれは生じない。また、電着法によれば均一な層厚
を有するスペーサが形成されるので、表示媒体の層厚の
均一性を±０．１μｍ以内の範囲まで高めることができ
る。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。
に説明する。
【００１８】（参考例１） 図１に本発明のアクティブマトリクス表示装置の参考例
１の断面図を示す。図２に図１の表示装置を構成するア
クティブマトリクス基板の平面図を示す。参考例１は図
６の表示装置と同様の構成を有しているが、スペーサ１
８がバス配線上に形成されている点で図６の表示装置と
は異なる。参考例１は、透過型ＴＮモードのアクティブ
マトリクス表示装置であり、一対のガラス基板１及び１
０と、該基板１及び１０間に封入された表示媒体として
の液晶層８とを有する。基板１上にはゲートバス配線５
と、これにゲート絶縁膜９を挟んで交差するソースバス
配線６とが形成されている。ゲートバス配線５からはゲ
ート電極７が分岐し、該ゲート電極７上にはＴＦＴ２が
形成されている。ゲートバス配線５及びゲート電極７は
Ｔａからなり、ゲート絶縁膜９はＳｉＮXからなる。ま
た、ソースバス配線６はＴｉからなる。
１の断面図を示す。図２に図１の表示装置を構成するア
クティブマトリクス基板の平面図を示す。参考例１は図
６の表示装置と同様の構成を有しているが、スペーサ１
８がバス配線上に形成されている点で図６の表示装置と
は異なる。参考例１は、透過型ＴＮモードのアクティブ
マトリクス表示装置であり、一対のガラス基板１及び１
０と、該基板１及び１０間に封入された表示媒体として
の液晶層８とを有する。基板１上にはゲートバス配線５
と、これにゲート絶縁膜９を挟んで交差するソースバス
配線６とが形成されている。ゲートバス配線５からはゲ
ート電極７が分岐し、該ゲート電極７上にはＴＦＴ２が
形成されている。ゲートバス配線５及びゲート電極７は
Ｔａからなり、ゲート絶縁膜９はＳｉＮXからなる。ま
た、ソースバス配線６はＴｉからなる。
【００１９】ＴＦＴ２は公知の方法によって作製され
る。ゲート電極７上にはゲート絶縁膜９を挟んでアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなるチャネル層２１が
形成されている。チャネル層２１上のゲート電極７の上
方にはエッチングストッパ２２が形成され、チャネル層
２１の両側部上にはコンタクト層２５を挟んでソース電
極２３及びドレイン電極２４が形成されている。ソース
電極２３はソースバス配線６から分岐してＴＦＴ２上に
延びている。コンタクト層２５はｎ+型アモルファスシ
リコンからなる。ソース電極２３及びドレイン電極２４
はソースバス配線６と同時に形成され、従ってこれらも
Ｔｉからなる。
る。ゲート電極７上にはゲート絶縁膜９を挟んでアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなるチャネル層２１が
形成されている。チャネル層２１上のゲート電極７の上
方にはエッチングストッパ２２が形成され、チャネル層
２１の両側部上にはコンタクト層２５を挟んでソース電
極２３及びドレイン電極２４が形成されている。ソース
電極２３はソースバス配線６から分岐してＴＦＴ２上に
延びている。コンタクト層２５はｎ+型アモルファスシ
リコンからなる。ソース電極２３及びドレイン電極２４
はソースバス配線６と同時に形成され、従ってこれらも
Ｔｉからなる。
【００２０】ソースバス配線６及びソース電極２３上に
は、電着法によって形成されたスペーサ１８が形成され
ている。スペーサ１８は有機高分子からなる。
は、電着法によって形成されたスペーサ１８が形成され
ている。スペーサ１８は有機高分子からなる。
【００２１】スペーサ１８は全てのソースバス配線６及
び全てのソース電極２３に形成する必要はなく、表示装
置の大きさ、液晶の注入条件などを考慮して、液晶層８
の層厚を一定にし得るできるだけ少ない数のスペーサ１
８を形成すればよい。
び全てのソース電極２３に形成する必要はなく、表示装
置の大きさ、液晶の注入条件などを考慮して、液晶層８
の層厚を一定にし得るできるだけ少ない数のスペーサ１
８を形成すればよい。
【００２２】この表示装置のセル構成、即ち、２つの配
向膜２７のラビング処理方向及び各偏光板の偏光軸を図
５（ａ）及び（ｂ）に示す。図５（ａ）はノーマリホワ
イトモードの場合であり、図５（ｂ）はノーマリブラッ
クモードの場合である。図５中、実線ｏは上側偏光板の
偏光軸方向を示し、矢印ｍは上側基板上の配向膜のラビ
ング処理方向を示す。同様に、破線ｐは下側偏光板の偏
光軸方向を示し、矢印ｎは下側基板上の配向膜のラビン
グ処理方向を示す。図５に示すように、液晶層８内の液
晶分子の捩れ角は９０度である。
向膜２７のラビング処理方向及び各偏光板の偏光軸を図
５（ａ）及び（ｂ）に示す。図５（ａ）はノーマリホワ
イトモードの場合であり、図５（ｂ）はノーマリブラッ
クモードの場合である。図５中、実線ｏは上側偏光板の
偏光軸方向を示し、矢印ｍは上側基板上の配向膜のラビ
ング処理方向を示す。同様に、破線ｐは下側偏光板の偏
光軸方向を示し、矢印ｎは下側基板上の配向膜のラビン
グ処理方向を示す。図５に示すように、液晶層８内の液
晶分子の捩れ角は９０度である。
【００２３】参考例１のアクティブマトリクス表示装置
の表示特性を表１に示す。比較のために、図６に示す従
来の表示装置の表示特性を比較例１に示す。
の表示特性を表１に示す。比較のために、図６に示す従
来の表示装置の表示特性を比較例１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１及び以下に掲げる表に於て、表示輝度
とは、最大コントラスト比が得られるように表示装置を
駆動し、白表示を行った場合に於ける光のパネル透過率
である。
とは、最大コントラスト比が得られるように表示装置を
駆動し、白表示を行った場合に於ける光のパネル透過率
である。
【００２６】表１に示すように、参考例１ではスペーサ
１８の存在が表示に影響しないため、高いコントラスト
比が得られ、カラー表示装置に適用した場合には、色純
度が高くなり、画像品位の向上が見られる。また、各ス
ペーサ１８の層厚も一定であるため、表示装置全体に亘
って均一な層厚を有する液晶層８が得られている。
１８の存在が表示に影響しないため、高いコントラスト
比が得られ、カラー表示装置に適用した場合には、色純
度が高くなり、画像品位の向上が見られる。また、各ス
ペーサ１８の層厚も一定であるため、表示装置全体に亘
って均一な層厚を有する液晶層８が得られている。
【００２７】コントラスト比の改善効果は、ノーマリホ
ワイトモードの場合よりノーマリブラックモードの方が
大きいことが分かる。また、異なる液晶材料を用いた場
合にも、また、異なるセル構成を用いた場合にも、同様
の効果が得られることが確認されている。
ワイトモードの場合よりノーマリブラックモードの方が
大きいことが分かる。また、異なる液晶材料を用いた場
合にも、また、異なるセル構成を用いた場合にも、同様
の効果が得られることが確認されている。
【００２８】参考例１ではスペーサ１８をソースバス配
線６及びソース電極２３上に形成したが、ゲートバス配
線５上に形成することもできる。ゲートバス配線５はソ
ースバス配線６よりも低抵抗材料で形成されるため、低
電圧での電着が可能となり、より均一な層厚を有するス
ペーサ１８を形成することができる。
線６及びソース電極２３上に形成したが、ゲートバス配
線５上に形成することもできる。ゲートバス配線５はソ
ースバス配線６よりも低抵抗材料で形成されるため、低
電圧での電着が可能となり、より均一な層厚を有するス
ペーサ１８を形成することができる。
【００２９】（参考例２）参考例２ のアクティブマトリクス表示装置は、図７の表
示装置と同様の構成を有しているが、スペーサ１８がバ
ス配線上に形成されている点で図７の表示装置とは異な
る。参考例２では表示装置の開口率を高めるため、絵素
電極３はＴＦＴ２を覆う絶縁膜４上に設けられ、絵素電
極３とＴＦＴ２とは絶縁膜４に設けられたコンタクトホ
ール２６を介して電気的に接続されている。参考例２に
於いても、スペーサ１８はソースバス配線６及びソース
電極２３上に、電着法によって形成されている。参考例
２のセル構成は、図５と同様である。参考例２でもスペ
ーサ１８は、液晶層８が表示装置全体に行き渡るよう
に、液晶層８の層厚を一定にし得るできるだけ少ない数
だけ形成するのが望ましい。
示装置と同様の構成を有しているが、スペーサ１８がバ
ス配線上に形成されている点で図７の表示装置とは異な
る。参考例２では表示装置の開口率を高めるため、絵素
電極３はＴＦＴ２を覆う絶縁膜４上に設けられ、絵素電
極３とＴＦＴ２とは絶縁膜４に設けられたコンタクトホ
ール２６を介して電気的に接続されている。参考例２に
於いても、スペーサ１８はソースバス配線６及びソース
電極２３上に、電着法によって形成されている。参考例
２のセル構成は、図５と同様である。参考例２でもスペ
ーサ１８は、液晶層８が表示装置全体に行き渡るよう
に、液晶層８の層厚を一定にし得るできるだけ少ない数
だけ形成するのが望ましい。
【００３０】参考例２のアクティブマトリクス表示装置
の表示特性を表２に示す。比較のために、図７に示す従
来の表示装置の表示特性を比較例２に示す。
の表示特性を表２に示す。比較のために、図７に示す従
来の表示装置の表示特性を比較例２に示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】参考例２でもスペーサ１８の存在が表示に
影響しないため、高いコントラスト比が得られ、カラー
表示装置に適用した場合には、色純度が高くなり、画像
品位の向上が見られる。また、各スペーサ１８の層厚も
一定であるため、表示装置全体に亘って均一な層厚を有
する液晶層８が得られている。
影響しないため、高いコントラスト比が得られ、カラー
表示装置に適用した場合には、色純度が高くなり、画像
品位の向上が見られる。また、各スペーサ１８の層厚も
一定であるため、表示装置全体に亘って均一な層厚を有
する液晶層８が得られている。
【００３３】更に、絶縁膜４によってスペーサ１８の側
部を支えるような構成となるため、スペーサ１８を補強
することができ、液晶層８の層厚の均一性を一層高める
ことができるとともに、長期に亘って液晶層８の層厚を
均一に保つことができる。
部を支えるような構成となるため、スペーサ１８を補強
することができ、液晶層８の層厚の均一性を一層高める
ことができるとともに、長期に亘って液晶層８の層厚を
均一に保つことができる。
【００３４】また、参考例２に於いても、コントラスト
比の改善効果は、ノーマリホワイトモードの場合よりノ
ーマリブラックモードの方が大きいことが分かる。ま
た、異なる液晶材料を用いた場合にも、また、異なるセ
ル構成を用いた場合にも、同様の効果が得られることが
確認されている。
比の改善効果は、ノーマリホワイトモードの場合よりノ
ーマリブラックモードの方が大きいことが分かる。ま
た、異なる液晶材料を用いた場合にも、また、異なるセ
ル構成を用いた場合にも、同様の効果が得られることが
確認されている。
【００３５】参考例２ではスペーサ１８をソースバス配
線６及びソース電極２３上に形成したが、ゲートバス配
線５上に形成することもできる。ゲートバス配線５はソ
ースバス配線６よりも低抵抗材料で形成されるため、低
電圧での電着が可能となり、より均一な層厚を有するス
ペーサ１８を形成することができる。
線６及びソース電極２３上に形成したが、ゲートバス配
線５上に形成することもできる。ゲートバス配線５はソ
ースバス配線６よりも低抵抗材料で形成されるため、低
電圧での電着が可能となり、より均一な層厚を有するス
ペーサ１８を形成することができる。
【００３６】（実施の形態） 図４に本発明のアクティブマトリクス表示装置の実施の
形態の断面図を示す。本実施の形態では、絵素電極３が
形成されていない部分に電着用電極１９が形成され、こ
の電着用電極１９上にスペーサ１８が電着法によって形
成されている。電着用電極１９及びスペーサ１８以外の
部分の構成は、図３と同様である。
形態の断面図を示す。本実施の形態では、絵素電極３が
形成されていない部分に電着用電極１９が形成され、こ
の電着用電極１９上にスペーサ１８が電着法によって形
成されている。電着用電極１９及びスペーサ１８以外の
部分の構成は、図３と同様である。
【００３７】本実施の形態ではスペーサ１８の数及び長
さは、液晶層８が表示装置全体に行き渡るように考慮し
て決められている。また、スペーサ１８はゲートバス配
線に平行に設けることもでき、ソースバス配線に平行に
設けることもできる。本実施の形態のセル構成は、図５
と同様である。
さは、液晶層８が表示装置全体に行き渡るように考慮し
て決められている。また、スペーサ１８はゲートバス配
線に平行に設けることもでき、ソースバス配線に平行に
設けることもできる。本実施の形態のセル構成は、図５
と同様である。
【００３８】本実施の形態のアクティブマトリクス表示
装置の表示特性を表３に示す。比較のために、図７に示
す従来の表示装置の表示特性を比較例２に示す。
装置の表示特性を表３に示す。比較のために、図７に示
す従来の表示装置の表示特性を比較例２に示す。
【００３９】
【表３】
【００４０】本実施の形態でもスペーサ１８の存在が表
示に影響しないため、高いコントラスト比が得られ、カ
ラー表示装置に適用した場合には、色純度が高くなり、
画像品位の向上が見られる。また、各スペーサ１８の層
厚も一定であるため、表示装置全体に亘って均一な層厚
を有する液晶層８が得られている。
示に影響しないため、高いコントラスト比が得られ、カ
ラー表示装置に適用した場合には、色純度が高くなり、
画像品位の向上が見られる。また、各スペーサ１８の層
厚も一定であるため、表示装置全体に亘って均一な層厚
を有する液晶層８が得られている。
【００４１】また、本実施の形態に於いても、コントラ
スト比の改善効果は、ノーマリホワイトモードの場合よ
りノーマリブラックモードの方が大きいことが分かる。
また、異なる液晶材料を用いた場合にも、また、異なる
セル構成を用いた場合にも、同様の効果が得られること
が確認されている。
スト比の改善効果は、ノーマリホワイトモードの場合よ
りノーマリブラックモードの方が大きいことが分かる。
また、異なる液晶材料を用いた場合にも、また、異なる
セル構成を用いた場合にも、同様の効果が得られること
が確認されている。
【００４２】上述の実施の形態では、ゲート電極が下
に、ソース電極及びドレイン電極が上に形成されている
ＴＦＴを用いた表示装置について説明したが、ゲート電
極が上に、ソース電極及びドレイン電極が下に形成され
ているＴＦＴを用いた表示装置にも適用できる。
に、ソース電極及びドレイン電極が上に形成されている
ＴＦＴを用いた表示装置について説明したが、ゲート電
極が上に、ソース電極及びドレイン電極が下に形成され
ているＴＦＴを用いた表示装置にも適用できる。
【００４３】上記実施の形態に於いては透過型表示装置
について説明したが、反射型の表示装置の場合にも同様
の効果が得られることが確認されている。また、電着法
によるスペーサの層厚を１〜１０μｍまで変化させた場
合について同様の検討を行ったが、表３に示すものと同
様の効果が得られることが確認されている。
について説明したが、反射型の表示装置の場合にも同様
の効果が得られることが確認されている。また、電着法
によるスペーサの層厚を１〜１０μｍまで変化させた場
合について同様の検討を行ったが、表３に示すものと同
様の効果が得られることが確認されている。
【００４４】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス表示装置
によれば、バス配線と絵素電極とが絶縁膜を介して形成
されるアクティブマトリクス表示装置において、絵素電
極間に電着用電極が形成され、スペーサが電着用電極上
に電着法によって形成されていることにより、表示に寄
与しない部分にスペーサを有しているので、スペーサに
よるコントラスト比の低下や液晶分子の配向の乱れが生
じない。また、各スペーサの層厚が一定となるので、表
示装置全体に亘って液晶層の層厚が一定となる。従っ
て、高い画像品位を有するアクティブマトリクス表示装
置が得られる。
によれば、バス配線と絵素電極とが絶縁膜を介して形成
されるアクティブマトリクス表示装置において、絵素電
極間に電着用電極が形成され、スペーサが電着用電極上
に電着法によって形成されていることにより、表示に寄
与しない部分にスペーサを有しているので、スペーサに
よるコントラスト比の低下や液晶分子の配向の乱れが生
じない。また、各スペーサの層厚が一定となるので、表
示装置全体に亘って液晶層の層厚が一定となる。従っ
て、高い画像品位を有するアクティブマトリクス表示装
置が得られる。
【００４５】
【００４６】
【図１】本発明のアクティブマトリクス表示装置の参考
例１の断面図である。
例１の断面図である。
【図２】図１の表示装置を構成するアクティブマトリク
ス基板の平面図である。
ス基板の平面図である。
【図３】本発明のアクティブマトリクス表示装置の参考
例２の断面図である。
例２の断面図である。
【図４】本発明のアクティブマトリクス表示装置の実施
の形態の断面図である。
の形態の断面図である。
【図５】（ａ）はノーマリホワイトモードに於ける図
１、図３及び図４に示すアクティブマトリクス表示装置
のセル構成を示す図であり、（ｂ）はノーマリブラック
モードに於ける図１、図３及び図４に示すアクティブマ
トリクス表示装置のセル構成を示す図である。
１、図３及び図４に示すアクティブマトリクス表示装置
のセル構成を示す図であり、（ｂ）はノーマリブラック
モードに於ける図１、図３及び図４に示すアクティブマ
トリクス表示装置のセル構成を示す図である。
【図６】従来のスペーサを有するアクティブマトリクス
表示装置の断面図である。
表示装置の断面図である。
【図７】従来のスペーサを有するアクティブマトリクス
表示装置の断面図である。
表示装置の断面図である。
【図８】図６及び図７の表示装置を構成するアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
マトリクス基板の平面図である。
１、１０ 絶縁性基板 ２ ＴＦＴ ３ 絵素電極 ４ 絶縁膜 ５ ゲートバス配線 ６ ソースバス配線 ７ ゲート電極 ８ 液晶層 ９ ゲート絶縁膜 １８ スペーサ １９ 電着用電極 ２６ コンタクトホール ２７ 配向膜
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/13 101 G02F 1/1339 G02F 1/1343 G02F 1/136
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の絶縁性基板と、該基板の何れか一
方に縦横に配線されたバス配線と、該バス配線を覆う絶
縁膜と、該絶縁膜上に配された絵素電極と、該一対の基
板間に封入された表示媒体と、該一対の基板間の距離を
一定に保つためのスペーサと、を有するアクティブマト
リクス表示装置において、 前記絵素電極間に電着用電極が形成され、前記スペーサ
が該電着用電極上に電着法によって形成されていること
を特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11788297A JP2975570B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | アクティブマトリクス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11788297A JP2975570B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | アクティブマトリクス表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3026536A Division JP2675199B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10077999A Division JP3158111B2 (ja) | 1991-02-20 | 1999-04-08 | アクティブマトリクス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048643A JPH1048643A (ja) | 1998-02-20 |
| JP2975570B2 true JP2975570B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=14722579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11788297A Expired - Lifetime JP2975570B2 (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | アクティブマトリクス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975570B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6208401B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-03-27 | Industrial Technology Research Institute | Liquid crystal panel and method for producing the same |
| KR100431361B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-05-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 무전해 도금법을 이용한 액정표시장치 |
| KR101620527B1 (ko) | 2009-10-23 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| WO2020021653A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
-
1997
- 1997-05-08 JP JP11788297A patent/JP2975570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1048643A (ja) | 1998-02-20 |
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