JP2968101B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特に混
成集積回路に使用されるベースメタルの構造の製造方法
に関する。
成集積回路に使用されるベースメタルの構造の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の装置としては、図２に示
される構成例のものが採用されていた。同図は従来の混
成集積回路の構成を示す側断面図であって、図中、回路
基板１は熱硬化性樹脂の接着剤２によって、ベースメタ
ル３に固定されている。しかし、この種装置をオーブン
に入れて接着剤２を硬化させると、その粘度が一時低下
するため、回路基板１が搭載位置からずれ易くなり、も
しも、ずれたままで接着してしまうと、パワートランジ
スタ５と回路基板１の間に自動ワイヤボンダーでＡｌ，
Ａｕワイヤ６をボンデングすることができなくなる。そ
こで、ベースメタル３に回路基板１の所定辺に対向して
エンボス３ａを設けることによって、接着剤硬化時に生
ずる回路基板１の位置ずれを防止していた。
される構成例のものが採用されていた。同図は従来の混
成集積回路の構成を示す側断面図であって、図中、回路
基板１は熱硬化性樹脂の接着剤２によって、ベースメタ
ル３に固定されている。しかし、この種装置をオーブン
に入れて接着剤２を硬化させると、その粘度が一時低下
するため、回路基板１が搭載位置からずれ易くなり、も
しも、ずれたままで接着してしまうと、パワートランジ
スタ５と回路基板１の間に自動ワイヤボンダーでＡｌ，
Ａｕワイヤ６をボンデングすることができなくなる。そ
こで、ベースメタル３に回路基板１の所定辺に対向して
エンボス３ａを設けることによって、接着剤硬化時に生
ずる回路基板１の位置ずれを防止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のベースメタルでは、エンボス３ａの形成は、ベース
メタル３の打抜加工時に同時に行なわれるために、回路
基板１のサイズ変更に伴って、エンボス３ａの位置も変
更しなければならなくなる。このため、ベースメタル３
の打抜加工用金型を改修又は新調の必要が生じ、結果と
して、金型改修費が必要となる上、金型の改修に時間が
かかるという問題点が残り、小量多品種生産への対応が
困難になるという問題点が発生する。
成のベースメタルでは、エンボス３ａの形成は、ベース
メタル３の打抜加工時に同時に行なわれるために、回路
基板１のサイズ変更に伴って、エンボス３ａの位置も変
更しなければならなくなる。このため、ベースメタル３
の打抜加工用金型を改修又は新調の必要が生じ、結果と
して、金型改修費が必要となる上、金型の改修に時間が
かかるという問題点が残り、小量多品種生産への対応が
困難になるという問題点が発生する。
【０００４】本発明は、このような従来の技術の有して
いた問題点、すなわち、回路基板のベースメタルへの接
着時に生じる位置ずれを防止するためのエンボス構造に
は、回路基板のサイズ変更に伴う位置変更によって、費
用と時間がかかるという問題点を除去するため、エンボ
スは設けないで、回路基板の位置ずれ防止と、回路基板
のサイズ変更時にも容易に対応可能なベースメタルの構
造を提供することを目的とする。
いた問題点、すなわち、回路基板のベースメタルへの接
着時に生じる位置ずれを防止するためのエンボス構造に
は、回路基板のサイズ変更に伴う位置変更によって、費
用と時間がかかるという問題点を除去するため、エンボ
スは設けないで、回路基板の位置ずれ防止と、回路基板
のサイズ変更時にも容易に対応可能なベースメタルの構
造を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成を、実施例に対応する図１を用いて説明
すると、本発明は、ベースメタルを、鉄、銅等で作られ
た金属枠１４をナイロンやポリエステル等の熱可塑性樹
脂で作られた樹脂枠１２とにより構成し、回路基板、パ
ワートランジスタ等をベースメタルに接着してなる半導
体装置において、この樹脂枠１２に回路基板１４より僅
かに大き目の金属板１３を載せ、この金属板１３に超音
波ヘッド１８を当てて、超音波を加え、または、加熱す
ることにより樹脂枠１２に所定の深さの凹部１２ａを形
成し、この金属板１３の上に回路基板１４を接着するこ
とにより、接着剤１５の硬化時に回路基板１４の位置決
めがなされる。
の本発明の構成を、実施例に対応する図１を用いて説明
すると、本発明は、ベースメタルを、鉄、銅等で作られ
た金属枠１４をナイロンやポリエステル等の熱可塑性樹
脂で作られた樹脂枠１２とにより構成し、回路基板、パ
ワートランジスタ等をベースメタルに接着してなる半導
体装置において、この樹脂枠１２に回路基板１４より僅
かに大き目の金属板１３を載せ、この金属板１３に超音
波ヘッド１８を当てて、超音波を加え、または、加熱す
ることにより樹脂枠１２に所定の深さの凹部１２ａを形
成し、この金属板１３の上に回路基板１４を接着するこ
とにより、接着剤１５の硬化時に回路基板１４の位置決
めがなされる。
【０００６】また、前記金属板を取り外して、両面実装
基板を接着することにより、両面実装置基板をベースメ
タルに接着した半導体装置が得られる。
基板を接着することにより、両面実装置基板をベースメ
タルに接着した半導体装置が得られる。
【０００７】さらに、前記樹脂枠１２の凹部１２ａを深
くして、回路基板１４等を接着し、上下両面から金属枠
１１の上下両面から樹脂剤１５を充填すれば、フラット
なベースメタルが得られる。
くして、回路基板１４等を接着し、上下両面から金属枠
１１の上下両面から樹脂剤１５を充填すれば、フラット
なベースメタルが得られる。
【０００８】
【作用】上記構成の本発明によれば、まず、樹脂枠１２
に設けた凹部１７の底部に埋設された金属板１３に、熱
硬化性接着剤を塗布し、この上に回路基板１４を押圧す
れば、接着剤は凹部側壁１７ａと回路基板１４間の接着
剤も硬化して、回路基板１４は位置決めされ、自動ワイ
ヤボンデングも容易に可能になる。また、金属板１３は
樹脂枠１２の下方透孔１２ａから突き上げれば、容易に
ベースメタル内から取り外すことができ、この金属板１
３を取り除いた凹部１７に両面実装基板を接着すれば、
両面実装基板を装着したベースメタルが得られる。
に設けた凹部１７の底部に埋設された金属板１３に、熱
硬化性接着剤を塗布し、この上に回路基板１４を押圧す
れば、接着剤は凹部側壁１７ａと回路基板１４間の接着
剤も硬化して、回路基板１４は位置決めされ、自動ワイ
ヤボンデングも容易に可能になる。また、金属板１３は
樹脂枠１２の下方透孔１２ａから突き上げれば、容易に
ベースメタル内から取り外すことができ、この金属板１
３を取り除いた凹部１７に両面実装基板を接着すれば、
両面実装基板を装着したベースメタルが得られる。
【０００９】さらに、樹脂枠１２の深くした凹部１７底
面に、回路基板１４等を接着剤１５で接着し、金属枠１
１上下両面とそれぞれ同一平面まで樹脂を充填すれば、
容易にフラットなベースメタルが得られる。
面に、回路基板１４等を接着剤１５で接着し、金属枠１
１上下両面とそれぞれ同一平面まで樹脂を充填すれば、
容易にフラットなベースメタルが得られる。
【００１０】したがって、前記問題点をすべて除去する
ことができる。
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１（Ａ）は本発明の一実施例を示す側断
面図、図１（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ工程図である。図
１において、１１は鉄，銅，アルミニウム及びこれらの
合金等で作られた金属枠、１２はナイロン，ポリエステ
ル又はポリフェニルサルファイド等の熱可塑性樹脂で作
られた樹脂枠で、金属枠１１に内接している。１３は回
路基板１４よりも僅かに大きい金属板で、１５は熱硬化
性接着剤、１６はボンデングワイヤである。これらの金
属板１３，回路基板１４が搭載されている凹部１７は次
の工程により形成される。図１（Ｂ）に示す如く、金属
板１３を樹脂枠１２に載置し、この金属板１３の上面に
超音波ヘッド１８を当てる。この超音波ヘッド１８を介
して、金属板１３に超音波を加えると、図１（Ｃ）に示
すような凹部１７が樹脂枠１２に形成され、凹部１７の
体積分が溶融して、中央孔１２ａ内に溶融樹脂１２ｂを
形成する。ここで、金属板１３に加えられる超音波出力
は樹脂の種類と形成する凹部１７の深さによって決定さ
れる。
面図、図１（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ工程図である。図
１において、１１は鉄，銅，アルミニウム及びこれらの
合金等で作られた金属枠、１２はナイロン，ポリエステ
ル又はポリフェニルサルファイド等の熱可塑性樹脂で作
られた樹脂枠で、金属枠１１に内接している。１３は回
路基板１４よりも僅かに大きい金属板で、１５は熱硬化
性接着剤、１６はボンデングワイヤである。これらの金
属板１３，回路基板１４が搭載されている凹部１７は次
の工程により形成される。図１（Ｂ）に示す如く、金属
板１３を樹脂枠１２に載置し、この金属板１３の上面に
超音波ヘッド１８を当てる。この超音波ヘッド１８を介
して、金属板１３に超音波を加えると、図１（Ｃ）に示
すような凹部１７が樹脂枠１２に形成され、凹部１７の
体積分が溶融して、中央孔１２ａ内に溶融樹脂１２ｂを
形成する。ここで、金属板１３に加えられる超音波出力
は樹脂の種類と形成する凹部１７の深さによって決定さ
れる。
【００１３】以上のように構成されているから、樹脂枠
１２の凹部１７の底部に埋込まれた金属板１３上に熱硬
化性接着剤１５を塗布し、回路基板１４を押下すれば、
接着剤１５は両側の隙間ｇまで広がり、接着剤１５が硬
化すれば、回路基板１４はベースメタルの金属枠１１に
対して位置決めされ、位置ずれのおそれはなくなる。し
たがって、Ａｌ又はＡｕのワイヤの自動ボンデングも容
易に行なわれ、高信頼性のベースメタル構造が得られ
る。
１２の凹部１７の底部に埋込まれた金属板１３上に熱硬
化性接着剤１５を塗布し、回路基板１４を押下すれば、
接着剤１５は両側の隙間ｇまで広がり、接着剤１５が硬
化すれば、回路基板１４はベースメタルの金属枠１１に
対して位置決めされ、位置ずれのおそれはなくなる。し
たがって、Ａｌ又はＡｕのワイヤの自動ボンデングも容
易に行なわれ、高信頼性のベースメタル構造が得られ
る。
【００１４】また、回路基板サイズの変更に対しては、
金属板１３のサイズを変更すれば足り、さらに、回路基
板１４の強度が十分であれば、金属板１３は超音波加工
後取り外して再利用が可能である。
金属板１３のサイズを変更すれば足り、さらに、回路基
板１４の強度が十分であれば、金属板１３は超音波加工
後取り外して再利用が可能である。
【００１５】なお、金属板１３に超音波を加えると同時
に、超音波ヘッド１８を介して加熱してもよく、加熱の
みによっても樹脂枠１２に凹部１７を形成することは可
能である。
に、超音波ヘッド１８を介して加熱してもよく、加熱の
みによっても樹脂枠１２に凹部１７を形成することは可
能である。
【００１６】また、上記構造において、樹脂枠１２に凹
部１７を形成後、金属板１３を下部透孔１２ａから突き
上げるなどして、取り除いた後、凹部１７に両面実装基
板（図示せず）を接着し、ベースメタルへの搭載が可能
である。
部１７を形成後、金属板１３を下部透孔１２ａから突き
上げるなどして、取り除いた後、凹部１７に両面実装基
板（図示せず）を接着し、ベースメタルへの搭載が可能
である。
【００１７】さらに、凹部１７の深さを十分に取れば、
回路基板１４を接着後、金属枠１１（又は樹脂枠１２）
の上面及び下面まで、樹脂を充填すれば、フラットなベ
ースメタルを形成すれことが可能になる。
回路基板１４を接着後、金属枠１１（又は樹脂枠１２）
の上面及び下面まで、樹脂を充填すれば、フラットなベ
ースメタルを形成すれことが可能になる。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、次に記載するような効果を奏する。
れば、次に記載するような効果を奏する。
【００１９】ベースメタルは、金属枠と、これに内接す
る樹脂枠とで構成されているので、回路基板より僅かに
大きい金属板によって樹脂枠に形成された凹部の内底部
に回路基板を接着すれば、容易にかつ確実に位置ずれの
防止が可能になり、自動ボンデングへの信頼性が向上す
る。
る樹脂枠とで構成されているので、回路基板より僅かに
大きい金属板によって樹脂枠に形成された凹部の内底部
に回路基板を接着すれば、容易にかつ確実に位置ずれの
防止が可能になり、自動ボンデングへの信頼性が向上す
る。
【００２０】また、回路基板サイズの変更があっても、
金属板のサイズを変更せしめることによって簡単に対応
でき、安価になる。
金属板のサイズを変更せしめることによって簡単に対応
でき、安価になる。
【００２１】さらに、回路基板に強度があるときは、樹
脂枠に凹部を形成後に、金属板を取り外してもよく、再
利用も可能で、回路基板又は面実装基板を凹部に直接接
着した半導体装置を提供することができる。
脂枠に凹部を形成後に、金属板を取り外してもよく、再
利用も可能で、回路基板又は面実装基板を凹部に直接接
着した半導体装置を提供することができる。
【図１】本発明の実施例を示すもので、（Ａ）は半導体
装置の側断面図、（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ工程図。
装置の側断面図、（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ工程図。
【図２】従来例を示す混成積分回路の側断面図。
１１ 金属枠 １２ 樹脂枠 １３ 金属部 １４ 回路基板 １５ 接着剤 １６ ボンデング １７ 凹部 １８ 超音波ヘッド
Claims (4)
- 【請求項１】 金属枠とこれに内接する樹脂枠とからな
るベースメタルを準備し、該樹脂枠の上に回路基板より
も僅かに大きい金属板を載置し、該金属板に超音波を加
えて所定の凹部を形成し、該凹部に該回路基板を接着す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 金属枠とこれに内接する樹脂枠とからな
るベースメタルを準備し、該樹脂枠の上に回路基板より
も僅かに大きい金属板を載置し、該金属板を加熱して所
定の凹部を形成し、該凹部に該回路基板を接着すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記樹脂枠の前記凹部を形成した後、前
記金属板を取り除き、前記回路基板を接着することを特
徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記樹脂枠の前記凹部を十分深く形成
し、前記回路基板を接着した後、前記金属枠の上下両面
まで樹脂を充填することを特徴とする請求項１、２又は
３記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28139291A JP2968101B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28139291A JP2968101B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121588A JPH05121588A (ja) | 1993-05-18 |
| JP2968101B2 true JP2968101B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=17638508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28139291A Expired - Fee Related JP2968101B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2968101B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP28139291A patent/JP2968101B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121588A (ja) | 1993-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990727 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |