JP2967946B2 - カメラのフィルム給送制御装置 - Google Patents
カメラのフィルム給送制御装置Info
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- JP2967946B2 JP2967946B2 JP8094591A JP8094591A JP2967946B2 JP 2967946 B2 JP2967946 B2 JP 2967946B2 JP 8094591 A JP8094591 A JP 8094591A JP 8094591 A JP8094591 A JP 8094591A JP 2967946 B2 JP2967946 B2 JP 2967946B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、カメラにおけるフィ
ルム給送制御装置に関するもので、詳しくは、フィルム
の移動検出に光学素子を用いるフィルム給送制御装置に
関するものである。
ルム給送制御装置に関するもので、詳しくは、フィルム
の移動検出に光学素子を用いるフィルム給送制御装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】撮影が１回終わる毎にカメラに装填した
フィルムを１駒ずつ給送する方法は従来種々知られてい
るが、その１つにフィルムのパーフォレーションの数を
光学的に検出してフィルムの送り量を制御する方式があ
る。
フィルムを１駒ずつ給送する方法は従来種々知られてい
るが、その１つにフィルムのパーフォレーションの数を
光学的に検出してフィルムの送り量を制御する方式があ
る。
【０００３】この方式は、フィルムの給送路にホトイン
タラプタを設けておき、パーフォレーションが通過する
位置に光を当て、その光の反射または通過を光学的に検
知し、その出力信号を予め定めた閾値と比較し、その結
果に基いてモータを停止させてフィルム１駒分の給送量
を制御しようとするものである。
タラプタを設けておき、パーフォレーションが通過する
位置に光を当て、その光の反射または通過を光学的に検
知し、その出力信号を予め定めた閾値と比較し、その結
果に基いてモータを停止させてフィルム１駒分の給送量
を制御しようとするものである。
【０００４】しかし、反射型ホトインタラプタを用いた
場合には、フィルムの反射率差、回路供給電圧変化、温
度変化によるホトインタラプタの素子の特性変化、ホト
インタラプタ自体の特性バラツキによりホトインタラプ
タの出力が変化してしまうために閾値の設定が困難であ
ったり、ときには、その設定自体が不可能になる場合が
あった。
場合には、フィルムの反射率差、回路供給電圧変化、温
度変化によるホトインタラプタの素子の特性変化、ホト
インタラプタ自体の特性バラツキによりホトインタラプ
タの出力が変化してしまうために閾値の設定が困難であ
ったり、ときには、その設定自体が不可能になる場合が
あった。
【０００５】そこで、特開平２−７７０５６号公報記載
の方法では、ホトインタラプタの出力信号をＡ／Ｄ変換
した後、その最大値と最小値から平均値を出し、この平
均値を閾値と定め、その閾値とホトインタラプタの出力
信号を比較することによりパーフォレーションの有無を
判断し、その結果に基いてフィルムの給送量を制御する
ことにより、前記問題点を解決しようとしている。
の方法では、ホトインタラプタの出力信号をＡ／Ｄ変換
した後、その最大値と最小値から平均値を出し、この平
均値を閾値と定め、その閾値とホトインタラプタの出力
信号を比較することによりパーフォレーションの有無を
判断し、その結果に基いてフィルムの給送量を制御する
ことにより、前記問題点を解決しようとしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した種
々の変動要素が単発的に現象する場合は兎も角、変動要
素が復合的に現象する場合（実際上はこの場合の方が多
い）、出力信号の変化の幅が大きくなるため、それに対
応するためにはＡ／Ｄ変換する電圧範囲を非常に大きく
取らなければならないし、また、個々の変動要素に対応
するためには分解能も高くしなければならない。その結
果、フィルム給送制御装置ひいてはそれを組込むカメラ
が高価になってしまうという問題があった。
々の変動要素が単発的に現象する場合は兎も角、変動要
素が復合的に現象する場合（実際上はこの場合の方が多
い）、出力信号の変化の幅が大きくなるため、それに対
応するためにはＡ／Ｄ変換する電圧範囲を非常に大きく
取らなければならないし、また、個々の変動要素に対応
するためには分解能も高くしなければならない。その結
果、フィルム給送制御装置ひいてはそれを組込むカメラ
が高価になってしまうという問題があった。
【０００７】この発明は、かかる問題点に鑑みなされた
もので、ホトインタラプタの出力信号を種々の変動要素
に対して容易に補正でき、正確なフィルム給送制御が可
能なフィルム給送装置を提供することを目的としてい
る。
もので、ホトインタラプタの出力信号を種々の変動要素
に対して容易に補正でき、正確なフィルム給送制御が可
能なフィルム給送装置を提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のフィルム
給送制御装置は、フィルム給送時のパーフォレーション
通過部に設置されるホトインタラプタによってパーフォ
レーションの有無を光学的に検出し、それに応じた信号
を出力し、この出力信号を予め定めた閾値と比較し、そ
の結果に基いてフィルムの給送を制御するように構成さ
れたカメラのフィルム給送制御装置において、フォトイ
ンタラプタの出力電流によって生成される電圧をホール
ドし、このホールド電圧によりフォトインタラプタの光
電流を制御するフィードバック回路を備えたものであ
る。
給送制御装置は、フィルム給送時のパーフォレーション
通過部に設置されるホトインタラプタによってパーフォ
レーションの有無を光学的に検出し、それに応じた信号
を出力し、この出力信号を予め定めた閾値と比較し、そ
の結果に基いてフィルムの給送を制御するように構成さ
れたカメラのフィルム給送制御装置において、フォトイ
ンタラプタの出力電流によって生成される電圧をホール
ドし、このホールド電圧によりフォトインタラプタの光
電流を制御するフィードバック回路を備えたものであ
る。
【０００９】また、請求項２記載のフィルム給送制御装
置は、請求項１記載のフィードバック回路を、充電時間
よりも放電時間を長くした時定数回路を含んで構成した
ものである。
置は、請求項１記載のフィードバック回路を、充電時間
よりも放電時間を長くした時定数回路を含んで構成した
ものである。
【００１０】また、請求項３記載のフィルム給送制御装
置は、請求項１記載のフィードバック回路を、温度補償
を行なうダイオードとトランジスタを含んで構成したも
のである。
置は、請求項１記載のフィードバック回路を、温度補償
を行なうダイオードとトランジスタを含んで構成したも
のである。
【００１１】
【作用】ホトインタラプタの出力電流の変化量に対応し
て、フィードバック回路によってホトインタラプタの光
電流が制御されるので、ホトインタラプタの出力電流が
種々の変動要素に対し補正され、結果的に出力電圧が一
定に保たれる。
て、フィードバック回路によってホトインタラプタの光
電流が制御されるので、ホトインタラプタの出力電流が
種々の変動要素に対し補正され、結果的に出力電圧が一
定に保たれる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係るフィルム給送制御装置の
実施例を図面に基づいて説明する。
実施例を図面に基づいて説明する。
【００１３】図１において符号１は、フィルムのパーフ
ォレーションの有無を光学的に検知する反射型のホトイ
ンタラプタを指示している。このホトインタラプタ１
は、発光ダイオードからなる発光素子１Ｌと、ホトトラ
ンジスタからなる受光素子１Ｑとで構成されている。そ
して、このホトインタラプタ１は、カメラ本体のフィル
ムのパーフォレーションの通過位置に設置されている。
受光素子１Ｑのコレクタは電源の（＋）極Ｖｃｃに接続
され、エミッタは可変抵抗ＶＲを介し電源の（−）極Ｇ
ＮＤに接続されるとともに信号出力端子Ｖｏｕｔにも接
続されている。また、可変抵抗ＶＲの可変端子はダイオ
ードＤのアノードに接続され、ダイオードＤのカソード
はＭＯＳＦＥＴＱ2のゲートに接続されている。また、
ダイオードＤのカソードはコンデンサＣを介してＧＮＤ
に、同じく抵抗Ｒ1を介してＧＮＤに接続されている。
ォレーションの有無を光学的に検知する反射型のホトイ
ンタラプタを指示している。このホトインタラプタ１
は、発光ダイオードからなる発光素子１Ｌと、ホトトラ
ンジスタからなる受光素子１Ｑとで構成されている。そ
して、このホトインタラプタ１は、カメラ本体のフィル
ムのパーフォレーションの通過位置に設置されている。
受光素子１Ｑのコレクタは電源の（＋）極Ｖｃｃに接続
され、エミッタは可変抵抗ＶＲを介し電源の（−）極Ｇ
ＮＤに接続されるとともに信号出力端子Ｖｏｕｔにも接
続されている。また、可変抵抗ＶＲの可変端子はダイオ
ードＤのアノードに接続され、ダイオードＤのカソード
はＭＯＳＦＥＴＱ2のゲートに接続されている。また、
ダイオードＤのカソードはコンデンサＣを介してＧＮＤ
に、同じく抵抗Ｒ1を介してＧＮＤに接続されている。
【００１４】一方、ＭＯＳＦＥＴＱ2のソースはＧＮＤ
に接続され、ドレインは抵抗Ｒ2を介してＶｃｃに接続
されるとともに、トランジスタＱ1のベースに接続され
ている。また、トランジスタＱ1のエミッタはＧＮＤに
接続され、コレクタは抵抗ＲＬを介してホトインタラプ
タ１の発光素子１Ｌのカソードに接続されている。ま
た、発光素子１ＬのアノードはＶｃｃに接続されてい
る。
に接続され、ドレインは抵抗Ｒ2を介してＶｃｃに接続
されるとともに、トランジスタＱ1のベースに接続され
ている。また、トランジスタＱ1のエミッタはＧＮＤに
接続され、コレクタは抵抗ＲＬを介してホトインタラプ
タ１の発光素子１Ｌのカソードに接続されている。ま
た、発光素子１ＬのアノードはＶｃｃに接続されてい
る。
【００１５】以下、フィルム給送制御装置の動作を説明
する。
する。
【００１６】図示しないフィルム給送用モータにより給
送が開始されると、発光素子１Ｌから出た光は、フィル
ムに設けられたパーフォレーション部に当てられる。そ
して、パーフォレーション部のフィルム面がホトインタ
ラプタ１対応位置にきたとき、フィルム面で光は反射さ
れ受光素子１Ｑに入射する。一方、パーフォレーション
部の穴がホトインタラプタ１対応位置にきたときには、
前記穴を通じてホトインタラプタ１対峙部分に設けられ
た反射防止材に光は当たる。したがって、当該光は受光
素子１Ｑには入射されない。このような状態がパーフォ
レーションの移動により交互に繰り返され、受光素子１
Ｑには図２に示す波形のコレクタ電流（出力電流）Ｉｃ
が流れることになる。
送が開始されると、発光素子１Ｌから出た光は、フィル
ムに設けられたパーフォレーション部に当てられる。そ
して、パーフォレーション部のフィルム面がホトインタ
ラプタ１対応位置にきたとき、フィルム面で光は反射さ
れ受光素子１Ｑに入射する。一方、パーフォレーション
部の穴がホトインタラプタ１対応位置にきたときには、
前記穴を通じてホトインタラプタ１対峙部分に設けられ
た反射防止材に光は当たる。したがって、当該光は受光
素子１Ｑには入射されない。このような状態がパーフォ
レーションの移動により交互に繰り返され、受光素子１
Ｑには図２に示す波形のコレクタ電流（出力電流）Ｉｃ
が流れることになる。
【００１７】パーフォレーションの移動によりパーフォ
レーションフィルム面からの反射光が増加すると受光素
子１Ｑのコレクタ電流Ｉｃが増加する。これによりＶｏ
ｕｔも上昇していく。この電圧はダイオードＤを介して
ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲートに加えられる。したがって、
ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲート電圧が上昇する。そして、ゲ
ート電圧がＭＯＳＦＥＴＱ2の動作電圧よりも高くなる
と、ＭＯＳＦＥＴＱ2はＯＮする。すると、ＭＯＳＦＥ
ＴＱ2のドレインはトランジスタＱ1のベースに接続され
ているため、トランジスタＱ1のベース電圧が下がりト
ランジスタＱ1はＯＦＦ方向に働く。その結果、発光素
子１Ｌに流れるＬＥＤ電流（光電流）が減少し発光量が
小さくなり、コレクタ電流Ｉｃも小さくなる。これによ
り出力Ｖｏｕｔの上昇が押さえられる。
レーションフィルム面からの反射光が増加すると受光素
子１Ｑのコレクタ電流Ｉｃが増加する。これによりＶｏ
ｕｔも上昇していく。この電圧はダイオードＤを介して
ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲートに加えられる。したがって、
ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲート電圧が上昇する。そして、ゲ
ート電圧がＭＯＳＦＥＴＱ2の動作電圧よりも高くなる
と、ＭＯＳＦＥＴＱ2はＯＮする。すると、ＭＯＳＦＥ
ＴＱ2のドレインはトランジスタＱ1のベースに接続され
ているため、トランジスタＱ1のベース電圧が下がりト
ランジスタＱ1はＯＦＦ方向に働く。その結果、発光素
子１Ｌに流れるＬＥＤ電流（光電流）が減少し発光量が
小さくなり、コレクタ電流Ｉｃも小さくなる。これによ
り出力Ｖｏｕｔの上昇が押さえられる。
【００１８】一方、パーフォレーションが移動し、パー
フォレーション部の穴がホトインタラプタ１対応位置に
くると、反射光量が減少し受光素子１Ｑのコレクタ電流
Ｉｃが小さくなるので、ＶＲ両端の電圧降下が小さくな
り、Ｖｏｕｔが下がる。この時、ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲ
ートにはコンデンサＣの充電電圧が印加されているの
で、ダイオードＤおよび可変抵抗ＶＲを介してのコンデ
ンサＣの電荷の放電は行なわれず、コンデンサＣの電荷
は抵抗Ｒ1を介して放電されることになる。ここで、抵
抗Ｒ1を介する放電時定数をダイオードＤを介してコン
デンサＣが充電される時定数より大きくすることによっ
て、発光素子１ＬのＬＥＤ電流を、図２に示すように、
パーフォレーションのフィルム面がきたときには急激に
減少させ、穴部がきたときには徐々に増加させることが
できる。したがって、発光素子１ＬのＬＥＤ電流は急激
には増加しないため、受光素子１Ｑのコレクタ電流Ｉｃ
は確実に減少しＶｏｕｔも小さくなる。
フォレーション部の穴がホトインタラプタ１対応位置に
くると、反射光量が減少し受光素子１Ｑのコレクタ電流
Ｉｃが小さくなるので、ＶＲ両端の電圧降下が小さくな
り、Ｖｏｕｔが下がる。この時、ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲ
ートにはコンデンサＣの充電電圧が印加されているの
で、ダイオードＤおよび可変抵抗ＶＲを介してのコンデ
ンサＣの電荷の放電は行なわれず、コンデンサＣの電荷
は抵抗Ｒ1を介して放電されることになる。ここで、抵
抗Ｒ1を介する放電時定数をダイオードＤを介してコン
デンサＣが充電される時定数より大きくすることによっ
て、発光素子１ＬのＬＥＤ電流を、図２に示すように、
パーフォレーションのフィルム面がきたときには急激に
減少させ、穴部がきたときには徐々に増加させることが
できる。したがって、発光素子１ＬのＬＥＤ電流は急激
には増加しないため、受光素子１Ｑのコレクタ電流Ｉｃ
は確実に減少しＶｏｕｔも小さくなる。
【００１９】次に、上述した回路動作において各変動要
素に対する自己補正の働きを以下に述べる。
素に対する自己補正の働きを以下に述べる。
【００２０】出力電圧ＶｏｕｔはＶｏｕｔ＝Ｉｃ×ＶＲ
で示される。ここで、Ｉｃは受光素子１Ｑのコレクタ電
流である。したがって、可変抵抗ＶＲを調整することに
よりＭＯＳＦＥＴＱ2がＯＮするＶｏｕｔを任意に設定
できることになる。このことを前提に温度による素子特
性の補正を以下に述べる。
で示される。ここで、Ｉｃは受光素子１Ｑのコレクタ電
流である。したがって、可変抵抗ＶＲを調整することに
よりＭＯＳＦＥＴＱ2がＯＮするＶｏｕｔを任意に設定
できることになる。このことを前提に温度による素子特
性の補正を以下に述べる。
【００２１】Ａ．温度による素子特性の補正 まず、ＭＯＳＦＥＴＱ2の温度変化について考えれば、
一般にＭＯＳＦＥＴの特性としてゲート・ソース間電圧
がある電圧のときに温度が変わってもドレイン電流が殆
ど変化をしない点が存在する。したがって、この時のド
レイン電流によりトランジスタＱ1がＯＦＦするように
抵抗Ｒ2および可変抵抗ＶＲを設定すればＭＯＳＦＥＴ
Ｑ2の温度変化は考えなくて済むことになる。
一般にＭＯＳＦＥＴの特性としてゲート・ソース間電圧
がある電圧のときに温度が変わってもドレイン電流が殆
ど変化をしない点が存在する。したがって、この時のド
レイン電流によりトランジスタＱ1がＯＦＦするように
抵抗Ｒ2および可変抵抗ＶＲを設定すればＭＯＳＦＥＴ
Ｑ2の温度変化は考えなくて済むことになる。
【００２２】また、トランジスタＱ1のベース・エミッ
タ間のダイオード接続の温度変化について考えれば、低
温になるとベース・エミッタ電圧ＶＢＥが大きくなり、
高温になるとベース・エミッタ電圧ＶＢＥは小さくな
る。この変化はダイオードＤの順方向電圧の温度変化と
等しいので温度変化を受けない。
タ間のダイオード接続の温度変化について考えれば、低
温になるとベース・エミッタ電圧ＶＢＥが大きくなり、
高温になるとベース・エミッタ電圧ＶＢＥは小さくな
る。この変化はダイオードＤの順方向電圧の温度変化と
等しいので温度変化を受けない。
【００２３】即ち、低温になりベース・エミッタ電圧Ｖ
ＢＥが高くなり、ＬＥＤ電流ＩＬが小さくなる方向にい
ったとき、ダイオードＤの電位降下も大きくなり、ＭＯ
ＳＦＥＴＱ2のゲート電圧が下がる。これにより、ドレ
イン・ソース間の抵抗は大きくなるので、トランジスタ
Ｑ1のベース電流が増加し、結果的にＬＥＤ電流ＩＬは
増加方向に働き変化を受けない。高温時にはこの逆にな
る。
ＢＥが高くなり、ＬＥＤ電流ＩＬが小さくなる方向にい
ったとき、ダイオードＤの電位降下も大きくなり、ＭＯ
ＳＦＥＴＱ2のゲート電圧が下がる。これにより、ドレ
イン・ソース間の抵抗は大きくなるので、トランジスタ
Ｑ1のベース電流が増加し、結果的にＬＥＤ電流ＩＬは
増加方向に働き変化を受けない。高温時にはこの逆にな
る。
【００２４】以上のようにこの実施例のフィルム給送制
御装置のフィードバック回路ではダイオードＤ、ＭＯＳ
ＦＥＴ（トランジスタ）Ｑ2およびトランジスタＱ1によ
り温度補償がされているので、それらの温度による素子
特性の補正は不要となり、フォトインタラプタ１の温度
特性の補正だけを考慮すれば済むことになる。
御装置のフィードバック回路ではダイオードＤ、ＭＯＳ
ＦＥＴ（トランジスタ）Ｑ2およびトランジスタＱ1によ
り温度補償がされているので、それらの温度による素子
特性の補正は不要となり、フォトインタラプタ１の温度
特性の補正だけを考慮すれば済むことになる。
【００２５】このフォトインタラプタ１の温度変化につ
いて考えれば、フォトインタラプタ１は温度変化を受
け、低温になるとコレクタ電流Ｉｃは減少し、高温にな
るとコレクタ電流Ｉｃは増加する。しかし、ＭＯＳＦＥ
ＴＱ2がＯＮするＶｏｕｔは温度変化を受けないので、
コレクタ電流Ｉｃが減少（増加）した分、ＬＥＤ電流Ｉ
Ｌを増加（減少）させるので、結果的に出力Ｖｏｕｔは
フォトインタラプタ１の温度変化の影響を受けない。
いて考えれば、フォトインタラプタ１は温度変化を受
け、低温になるとコレクタ電流Ｉｃは減少し、高温にな
るとコレクタ電流Ｉｃは増加する。しかし、ＭＯＳＦＥ
ＴＱ2がＯＮするＶｏｕｔは温度変化を受けないので、
コレクタ電流Ｉｃが減少（増加）した分、ＬＥＤ電流Ｉ
Ｌを増加（減少）させるので、結果的に出力Ｖｏｕｔは
フォトインタラプタ１の温度変化の影響を受けない。
【００２６】Ｂ．フィルムの反射率変化の補正 フィルムの反射率が低くなるとコレクタ電流Ｉｃが減少
し、ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲート電圧が上がらないのでＬ
ＥＤ電流ＩＬは増加し、ＭＯＳＦＥＴＱ2がＯＮするＶ
ｏｕｔでＬＥＤ電流ＩＬはカットされることになる。
し、ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲート電圧が上がらないのでＬ
ＥＤ電流ＩＬは増加し、ＭＯＳＦＥＴＱ2がＯＮするＶ
ｏｕｔでＬＥＤ電流ＩＬはカットされることになる。
【００２７】一方、フィルムの反射率が高くなると、コ
レクタ電流Ｉｃが増加し、ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲート電
圧が上がるためＬＥＤ電流ＩＬは減少し、Ｖｏｕｔは一
定に保たれることになる。
レクタ電流Ｉｃが増加し、ＭＯＳＦＥＴＱ2のゲート電
圧が上がるためＬＥＤ電流ＩＬは減少し、Ｖｏｕｔは一
定に保たれることになる。
【００２８】Ｃ．回路供給電圧変化の補正 回路供給電圧が低下しＬＥＤ電流ＩＬが減少すると、Ｖ
ｏｕｔが下がりＭＯＳＦＥＴＱ2のゲート電位も下がる
ため、トランジスタＱ1のベース電流が増加し、ＬＥＤ
電流ＩＬを増加させる。これによりＶｏｕｔが上がり、
ＭＯＳＦＥＴＱ2がＯＮする点でＶｏｕｔは一定とな
る。
ｏｕｔが下がりＭＯＳＦＥＴＱ2のゲート電位も下がる
ため、トランジスタＱ1のベース電流が増加し、ＬＥＤ
電流ＩＬを増加させる。これによりＶｏｕｔが上がり、
ＭＯＳＦＥＴＱ2がＯＮする点でＶｏｕｔは一定とな
る。
【００２９】一方、回路供給電圧が上昇するとＬＥＤ電
流ＩＬが増加しＶｏｕｔが上がる。これによりＭＯＳＦ
ＥＴＱ2のゲート電位が上がり、トランジスタＱ1をＯＦ
Ｆ方向にするのでＬＥＤ電流ＩＬが減少し、Ｖｏｕｔは
下がり一定となる。
流ＩＬが増加しＶｏｕｔが上がる。これによりＭＯＳＦ
ＥＴＱ2のゲート電位が上がり、トランジスタＱ1をＯＦ
Ｆ方向にするのでＬＥＤ電流ＩＬが減少し、Ｖｏｕｔは
下がり一定となる。
【００３０】 Ｄ．フォトインタラプタ素子自体の特性バラツキの補正 同一反射率のものでＬＥＤ電流ＩＬを一定としたとき素
子バラツキによりコレクタ電流Ｉｃの値は変化する。こ
れに対しＭＯＳＦＥＴＱ2がＯＮするＶｏｕｔは一定で
あるから、前述したように同一コレクタ電流Ｉｃが流れ
るようにＬＥＤ電流ＩＬを制御するので出力Ｖｏｕｔは
変化を受けない。
子バラツキによりコレクタ電流Ｉｃの値は変化する。こ
れに対しＭＯＳＦＥＴＱ2がＯＮするＶｏｕｔは一定で
あるから、前述したように同一コレクタ電流Ｉｃが流れ
るようにＬＥＤ電流ＩＬを制御するので出力Ｖｏｕｔは
変化を受けない。
【００３１】以上述べたように、実施例のフィルム給送
制御装置によれば、フォトインタラプタの出力電流によ
って生成される電圧をホールドし、このホールド電圧に
よりフォトインタラプタのＬＥＤ電流を制御しているの
で、種々の変動要素を補正し、フィルムパーフォレーシ
ョンの移動を同一振幅の電圧信号に変換することができ
る。これにより変動要素の影響の有無に拘らず、常に一
定出力電圧Ｖｏｕｔが得られることになり、アナログ手
段あるいはデジタル手段を用いても確実にフィルム給送
を制御することが可能となる。
制御装置によれば、フォトインタラプタの出力電流によ
って生成される電圧をホールドし、このホールド電圧に
よりフォトインタラプタのＬＥＤ電流を制御しているの
で、種々の変動要素を補正し、フィルムパーフォレーシ
ョンの移動を同一振幅の電圧信号に変換することができ
る。これにより変動要素の影響の有無に拘らず、常に一
定出力電圧Ｖｏｕｔが得られることになり、アナログ手
段あるいはデジタル手段を用いても確実にフィルム給送
を制御することが可能となる。
【００３２】
【発明の効果】本発明に係るフィルム給送制御装置は、
フィルム給送時のパーフォレーション通過部に設置され
るホトインタラプタによってパーフォレーションの有無
を光学的に検出し、それに応じた信号を出力し、この出
力信号を予め定めた閾値と比較し、その結果に基いてフ
ィルムの給送を制御するように構成されたカメラのフィ
ルム給送制御装置において、フォトインタラプタの出力
電流によって生成される電圧をホールドし、このホール
ド電圧によりフォトインタラプタの光電流を制御するフ
ィードバック回路を備えるので、ホトインタラプタの出
力信号を全ての変動要素に対して容易に補正でき、正確
なフィルム給送制御が可能となる。
フィルム給送時のパーフォレーション通過部に設置され
るホトインタラプタによってパーフォレーションの有無
を光学的に検出し、それに応じた信号を出力し、この出
力信号を予め定めた閾値と比較し、その結果に基いてフ
ィルムの給送を制御するように構成されたカメラのフィ
ルム給送制御装置において、フォトインタラプタの出力
電流によって生成される電圧をホールドし、このホール
ド電圧によりフォトインタラプタの光電流を制御するフ
ィードバック回路を備えるので、ホトインタラプタの出
力信号を全ての変動要素に対して容易に補正でき、正確
なフィルム給送制御が可能となる。
【図１】フィルム給送制御装置の回路図である。
【図２】コレクタ電流とＬＥＤ電流の波形を示すグラフ
である。
である。
１ ホトインタラプタ １Ｌ 発光素子 １Ｑ 受光素子 ＩＬ ＬＥＤ電流（光電流） Ｉｃ コレクタ電流
Claims (3)
- 【請求項１】 フィルム給送時のパーフォレーション通
過部に設置されるホトインタラプタによってパーフォレ
ーションの有無を光学的に検出し、それに応じた信号を
出力し、この出力信号を予め定めた閾値と比較し、その
結果に基いてフィルムの給送を制御するように構成され
たカメラのフィルム給送制御装置において、フォトイン
タラプタの出力電流によって生成される電圧をホールド
し、このホールド電圧によりフォトインタラプタの光電
流を制御するフィードバック回路を備えることを特徴と
するカメラのフィルム給送制御装置。 - 【請求項２】 前記フィードバック回路は、充電時間よ
りも放電時間を長くした時定数回路を含んでなることを
特徴とする請求項１記載のカメラのフィルム給送制御装
置。 - 【請求項３】 前記フィードバック回路は、温度補償を
行なうダイオードとトランジスタを含んで構成されてい
ることを特徴とする請求項１記載のカメラのフィルム給
送制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094591A JP2967946B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | カメラのフィルム給送制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8094591A JP2967946B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | カメラのフィルム給送制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580395A JPH0580395A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2967946B2 true JP2967946B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=13732635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8094591A Expired - Fee Related JP2967946B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | カメラのフィルム給送制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2967946B2 (ja) |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP8094591A patent/JP2967946B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580395A (ja) | 1993-04-02 |
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