JP2963529B2 - Active matrix display device - Google Patents

Active matrix display device

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JP2963529B2 JP29271990A JP29271990A JP2963529B2 JP 2963529 B2 JP2963529 B2 JP 2963529B2 JP 29271990 A JP29271990 A JP 29271990A JP 29271990 A JP29271990 A JP 29271990A JP 2963529 B2 JP2963529 B2 JP 2963529B2
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    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、アクティブマトリクス表示装置の構造に関するものであり、特に高精細液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタ(以下TFTと略称する。)アクティブマトリクス表示装置の構造に関するものである。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention <relates> is related to the structure of the active matrix display device, (hereinafter abbreviated as TFT.), Especially thin film transistor used for the high-definition liquid crystal display device An active matrix display device it relates to the structure of the.

<従来の技術> アクティブマトリクス表示装置、特に液晶を用いるアクティブマトリクス表示装置は表示コントラストが高く、表示容量に制約が少ない等の利点があるため研究開発が盛んに行なわれており、実用化も進みつつある。 <Prior Art> An active matrix display device, an active matrix display device has high display contrast in particular using a liquid crystal, research and development because of the advantages such as less restrictive on the display capacity have been actively carried out, practically also proceeds while there. ところがアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板は製造工程が複雑で歩留りが低いために、コストが高いという欠点がある。 However the active matrix substrate used for an active matrix display device because the manufacturing process is low complex yield, there is a disadvantage of high cost.

典型的なアクティブマトリクス基板について、その主要な部分の平面図を第3図に、その部分の断面図を第4 For typical active matrix substrate, a plan view of the main part in FIG. 3, a cross-sectional view of the part 4
図に示す。 It is shown in the figure. このアクティブマトリクス基板は、透明絶縁性基板1と、この透明絶縁性基板1上にマトリクス状に配列された絵素電極11と、ゲートバス配線3と、ソースバス配線7と、これら絵素電極11、ゲートバス配線3及びソースバス配線7に接続されているスイッチング素子であるTFTを有する。 The active matrix substrate includes a transparent insulating substrate 1, and the picture element electrodes 11 arranged in a matrix on the transparent insulating substrate 1, a gate bus wiring 3, the source bus line 7, these pixel electrodes 11 has a TFT as a switching element connected to the gate bus line 3 and the source bus line 7.

前記透明絶縁性基板1上に形成されたTFT近傍の断面構造は、第4図に示す通りである。 Cross-sectional structure of a TFT vicinity formed on the transparent insulating substrate 1 are as shown in Figure 4. 透明絶縁性基板1上にゲート電極2が形成され、ゲート電極2は基板1上の全面に形成されているゲート絶縁膜4によって覆われている。 A gate electrode 2 is formed on a transparent insulating substrate 1, a gate electrode 2 is covered with the gate insulating film 4 formed on the entire surface of the substrate 1. ゲート電極2の上方のゲート絶縁膜4上には、アモルファスシリコン(以下ではa−Siと略称する)からなる半導体層5が形成されている。 On top of the gate insulating film 4 of the gate electrode 2, a semiconductor layer 5 made of amorphous silicon (abbreviated as a-Si in the following) are formed. 半導体層5上には両端部においてn +型a−Siからなるコンタクト層(図示していない。)が形成され、コンタクト層上にはそれぞれソース電極6とドレイン電極8が形成されている。 A contact layer made of n + -type a-Si at both ends on the semiconductor layer 5 (not shown.) Is formed, the source electrode 6 and the drain electrode 8 are formed, respectively on the contact layer. ソース電極6はドレイン電極8とは反対側の部分においてソースバス配線7に接続している。 The source electrode 6 is connected to the source bus line 7 at a portion opposite to the drain electrode 8. このソースバス配線7 The source bus line 7
はソース電極6の上記部分と同様にゲート絶縁膜4上に形成されている。 It is formed on the part as well as the gate insulating film 4 of the source electrode 6. そして、前記絵素電極11は大部分が絶縁膜4上に形成される一方で一部分が前記ドレイン電極8上に重畳して形成されている。 Then, the picture element electrode 11 is formed by the part while the majority is formed on the insulating film 4 superimposed on the drain electrode 8. なお、上記ゲート電極2はゲートバス配線(図示せず)に接続されている。 Incidentally, the gate electrode 2 is connected to the gate bus line (not shown).

このようにして形成されているTFT上には保護膜(図示せず)が形成され、更にこのようにして形成された透明絶縁性基板1上の全面には配向膜(図示せず)が形成され、この基板を配向膜、透明電極等が形成されている透明絶縁性基板(図示せず)との間に液晶層を封入することによりアクティブマトリクス液晶表示装置が形成される。 Such protective film (not shown) is formed on the TFT, which is formed by the further alignment layer (not shown) on the entire surface of the thus-over formed transparent insulating substrate 1 is formed is, the substrate alignment layer, the active matrix liquid crystal display device is formed by sealing a liquid crystal layer between a transparent insulating substrate transparent electrodes and the like are formed (not shown).

ところが、前記のように形成されたアクティブマトリクス基板には不良の発生することがある。 However, said active matrix substrate formed as sometimes defective. この不良の原因に一つのソースバス配線7と絵素電極11との間のショートがある。 There are short between one of the source bus line 7 and the pixel electrode 11 to cause this failure. これは、ソースバス配線7と絵素電極11とは同じゲート絶縁膜4上に形成されているばかりでなく、相互の間隔が高精細にすればする程接近することが要因と考えられる。 This not only is formed on the same gate insulating film 4 and the source bus line 7 and the pixel electrode 11, the distance between each other that is considered a factor approaching enough to be in high definition.

そこで、このソースバス配線7と絵素電極11との間のショートを防止するためには、当該配線7と絵素電極11 Therefore, in order to prevent a short circuit between the source bus line 7 and the pixel electrodes 11, the wiring 7 and the pixel electrode 11
とを異なる層上に形成する構造が提案される。 Structure forming the bets on different layers is proposed.

第5図は、ソースバス配線と絵素電極を別の層に形成したアクティブマトリクス基板の断面図を示す。 Figure 5 shows a cross-sectional view of an active matrix substrate formed with the source bus lines and the pixel electrodes in a separate layer. 第5図において第4図と同等部分は同一符号で示す。 Figure 4 equal parts in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. 層間絶縁膜10は、TFTが形成されている透明絶縁性基板1のほぼ全面に形成されている。 Interlayer insulating film 10 is formed on substantially the entire surface of the transparent insulating substrate 1 on which a TFT is formed. この層間絶縁膜10はTFTのドレイン電極8の端部の中央部上面において欠如しているホールが形成されており、このホールが層間絶縁膜10上に形成されている絵素電極11をドレイン電極8に電気的に接続するためのコンタクトホール12として寄与している。 The interlayer insulating film 10 is formed with a hole to the lack in the central upper surface of the end portion of the drain electrode 8 of the TFT, the drain electrode of the picture element electrodes 11 which the hole is formed on the interlayer insulating film 10 It contributes as a contact hole 12 for electrically connecting to 8. 即ち、絵素電極11は層間絶縁膜10上から上記ドレイン電極8の端部上を覆うよう形成されている。 That is, the picture element electrode 11 is formed to over the interlayer insulating film 10 covering the end portion of the drain electrode 8.

このような構造のアクティブマトリクス基板は、ソースバス配線7と絵素電極11はそれらの間に層間絶縁膜10 An active matrix substrate having such a structure, the source bus line 7 and the pixel electrode 11 interlayer insulating film 10 therebetween
が存在する立体的構造をなしていることから、平面に投影した場合の間隔をなくすることが可能となる。 Since but forms a three-dimensional structure existing, it is possible to eliminate the interval when projected on a plane. この構造のアクティブマトリクス基板の平面図を第6図に示しており、この図から明らかなようにソースバス配線7と絵素電極11が重なっている。 The plan view of an active matrix substrate of this structure is shown in FIG. 6, it overlaps the source bus line 7 and the pixel electrode 11 as is clear from FIG. なお、重なっている部分は第6図に斜線で示す。 The portion overlapping are indicated by oblique lines in FIG. 6. 又、ゲートバス配線3と絵素電極が重なっている部分も斜線で示す。 Also indicated by the shaded portion which overlaps the gate bus line 3 and the pixel electrode. 従って絵素電極11の面積を大きくすることができる。 Therefore it is possible to increase the area of ​​the picture element electrode 11. 絵素電極11の面積が大きいと、表示装置に用いた場合の開口率が大きくなり表示品位が高まるという利点もある。 A large area of ​​the picture element electrode 11, there is an advantage that the aperture ratio becomes the display quality is greatly enhanced in the case of using the display device. 更に、この層間絶縁膜10をポリイミド樹脂などの樹脂を塗布することにより形成すると、アクティブマトリクス基板表面の段差を平坦化することができ、液晶表示装置に用いた場合に問題となる段差による液晶の配向不良を低減することもできる。 Further, the interlayer insulating film 10 such as polyimide resin to form by applying a resin, it is possible to flatten the level difference of the surface of the active matrix substrate, the liquid crystal due to the step which is a problem when used in a liquid crystal display device it is also possible to reduce the alignment failure.

このようなアクティブマトリクス基板は、以下のようにして製造される。 Such an active matrix substrate is manufactured as follows. まず、ガラス等の透明絶縁性の基板1の上にTa・Cr等から成るゲート電極2を形成する。 First, a gate electrode 2 made of Ta · Cr or the like on the substrate 1 of the transparent insulating glass. 次に、SiNx,SiOx等から成るゲート絶縁膜4,非晶質シリコン(以下a−Siと略す。)、多結晶シリコン,CdSe等から成る半導体層5を積層する。 Then, SiNx, gate insulating film 4 made of SiOx or the like, amorphous silicon (hereinafter abbreviated as a-Si.), Polycrystalline silicon, stacked semiconductor layer 5 made of CdSe and the like. 更に、Ti,Mo,Al等から成るソース電極6及びドレイン電極8を形成する。 Furthermore, to form Ti, Mo, the source electrode 6 and the drain electrode 8 made of Al or the like. 通常、 Normal,
オーミックコンタクトを取るために半導体層5とソース電極6及びドレイン電極8の間にリンをドープしたa− Doped with phosphorus during the semiconductor layer 5 and the source electrode 6 and the drain electrode 8 for ohmic contact a-
Si(以下n + −Siと略称する。)層9が設けられる。 Si (hereinafter referred to as n + -Si.) Layer 9 is provided. 最後に、ポリイミド樹脂・アクリル樹脂等から成る有機系層間絶縁膜10,ITO等の透明導電膜から成る絵素電極11を形成する。 Finally, to form a picture element electrode 11 made of a transparent conductive film such as an organic interlayer insulating film 10, ITO made of polyimide resin, acrylic resin.

<発明が解決しようとする課題> 前記層間絶縁膜となる有機系絶縁膜上に直接絵素電極となる透明電極膜例えば金属酸化物例えばITO(Indiumt <INVENTION It is an object> the interlayer insulating film and made an organic transparent electrode film directly the pixel electrode on the insulating film, for example, metal oxides such as ITO (Indiumt
in oxide)の膜をパターニングすると、有機系絶縁膜と And patterning the film in oxide), and an organic insulating film
ITOの膜の密着性が悪いため、ITOのはがれがおこる。 Due to poor adhesion of the ITO film, the ITO is peeling occurs. このようなはがれが発生するとアクティブマトリクス基板の歩留りを低下させ、コスト高を招き、このアクティブマトリクス基板を用いている表示装置の実用性を損う原因となる。 Such peeling to lower the yield of the active matrix substrate to occur, leading to high cost, the loss cormorants cause the utility of which a display device using the active matrix substrate.

そこで、本発明はアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板にあって、絵素電極である透明電極のパターニング時のはがれが防止しうるアクティブマトリクス基板の提供を目的とする。 The present invention is directed to an active matrix substrate used for an active matrix display device, and to provide an active matrix substrate peeling during patterning of the transparent electrode is a pixel electrode may be prevented.

<課題を解決するための手段> 本発明のアクティブマトリクス表示装置によれば、絶縁性基板、該絶縁性基板上に設けられた薄膜トランジスタアレイ、該薄膜トランジスタアレイを覆うように形成された有機系絶縁膜及び該有機系絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタアレイのドレイン電極と電気的に接続している絵素電極を有するアクティブマトリクス表示装置にあって、前記絵素電極と前記有機系絶縁膜の間には、絵素電極と接する無機系絶縁膜を有することによって上記目的が達成される。 According to the active matrix display device of the present invention <Means for Solving the Problems>, the insulating substrate, the insulating thin film transistor array provided on a substrate, the thin film is formed to cover the transistor arrays organic insulating film and in the active matrix display device having a pixel electrode connected through a contact hole formed in the organic-based insulating film electrically to the drain electrode of the thin film transistor array, the organic and the picture element electrode between the insulating film, the above-mentioned object can be achieved by having an inorganic insulating film in contact with the pixel electrode. なお、ここで前記有機系絶縁膜に形成されたコンタクトホールより前記無機系絶縁膜に形成されたコンタクトホールの方を小さくすることができる。 Incidentally, it is possible to reduce the here towards the contact holes formed in the inorganic insulating film through the contact hole formed in the organic insulating film. そして、前記有機系絶縁膜をポリイミド樹脂膜またはアクリル樹脂膜とし、 Then, the organic insulating film and a polyimide resin film or acrylic resin film,
又前記無機系絶縁膜を酸化シリコン膜または窒化シリコン膜とすることにより、上記目的が良好に達成される。 Also by the inorganic insulating film and a silicon oxide film or a silicon nitride film, the object is satisfactorily achieved.

<作 用> 本発明によれば、有機系絶縁膜と絵素電極膜との間に無機系絶縁膜が介在しており、絵素電極膜は無機系絶縁膜上に配置されるために密着性が高まり、はがれが防止できる。 According to <work for> present invention, it is interposed the inorganic insulating film between the organic insulating film and the pixel electrode film, the pixel electrode film adhesion to be arranged on the inorganic insulating film sex is increased, peeling can be prevented. ここで、無機系絶縁膜を酸化シリコン膜または窒化シリコン膜とすることにより絵素電極膜との密着性が良好であり望ましい。 Here, adhesion between the pixel electrode film by the inorganic insulating film and a silicon oxide film or a silicon nitride film has good desirable. 又、有機系絶縁膜をポリイミド樹脂またはアクリル樹脂により形成することが望ましい。 Further, it is desirable to form an organic insulating film of polyimide resin or an acrylic resin.

<実施例> 本発明のアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の一実施例の断面図を第1図に示す。 It shows a cross-sectional view of one embodiment of an active matrix substrate used for an active matrix display device <Example> The present invention in Figure 1. 第1図において、第5図と同等部分は同一符号にて示している。 In Figure 1, Figure 5 equivalent parts are denoted by the same reference numerals. 第1図において層間絶縁膜が有機系絶縁膜 The first interlayer insulating film is an organic insulating In view film
10と、その有機系絶縁膜10と絵素電極11との間に介在する無機系絶縁膜110との2層構造となっている。 10, has a two-layer structure of an inorganic insulating film 110 interposed between the organic insulating film 10 and the pixel electrode 11.

この有機系絶縁膜10はポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機系材料であるが、実施例ではポリイミド樹脂の例を挙げる。 The organic insulating film 10 is polyimide resin, an organic material such as acrylic resin, examples of the polyimide resin in Example. そして、前記無機系絶縁膜110は酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機系材料であるが、実施例では酸化シリコンの例を挙げる。 Then, the inorganic insulating film 110 is a silicon oxide film, but an inorganic material such as silicon nitride film, examples of silicon oxide in Example. 又、有機系絶縁膜10 Also, the organic insulating film 10
の膜厚は5000〜20000Å程度とすることができ、無機系絶縁膜110の膜厚は500〜5000Å程度とすることができる。 The film thickness can be about 5000~20000A, the film thickness of the inorganic insulating film 110 may be about 500 to 5000 Å. そして絵素電極11の膜厚は500〜2000Å程度とすることができる。 The thickness of the picture element electrode 11 can be about 500 to 2000. この無機系絶縁膜110は、有機系絶縁膜1 The inorganic insulating film 110, an organic insulating film 1
0の上方全面を覆うよう形成されており、絵素電極11がドレイン電極8と接続するためのコンタクトホールが形成されており、当該コンタクトホールは絶縁膜10に形成されているコンタクトホールより小さくされている。 0 is formed so as to cover the entire top surface, a contact hole for pixel electrode 11 is connected to the drain electrode 8 is formed, the contact hole is smaller than the contact hole formed in the insulating film 10 ing. なお、無機系絶縁物110は、この実施例では有機系絶縁膜1 Incidentally, inorganic insulator 110, in this embodiment the organic insulating film 1
0の全面を覆うように形成されている例を説明したが、 Having described the example that is formed to cover the 0 of the entire surface,
絵素電極11のはがれ防止の目的からは絵素電極11に対応する部分乃至それより一まわり大きく形成することもできる。 Is the purpose to prevent the peeling of the picture element electrode 11 can be formed to partially or one around than larger corresponding to the picture element electrode 11.

第1図に示す、本発明の一実施例であるアクティブマトリクス基板の製造方法を第2図(a),(b), Shown in FIG. 1, FIG. 2 the method for manufacturing an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention (a), (b),
(c)に従って説明する。 It will be described with reference to (c). まず、ガラス基板1上に、スパッタリング法により3000ÅのTa膜を形成して、フォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極2とする。 First, on a glass substrate 1, to form a Ta film of 3000Å ​​by sputtering, a gate electrode 2 is patterned by photolithography. 次に、プラズマCVD法により4000ÅのSiNxから成るゲート絶縁膜4、1000Åのa−Siから成る半導体層5及び400Åのn + −Si層9を連続して形成して、パターニングする。 Then continuously formed semiconductor layer 5 and 400Å of n + -Si layer 9 made of a-Si of the gate insulating film 4,1000Å made of SiNx of 4000Å by plasma CVD, and patterned. 更に、スパッタリング法により2000ÅのMoを形成して、ソース電極6及びドレイン電極8の形成にパターニングすることによりTFTアレイをマトリクス状に形成する(第2図(a))。 Further, by forming a 2000Å of Mo by a sputtering method to form the TFT array by patterning to form the source electrode 6 and the drain electrode 8 in a matrix (Fig. 2 (a)). このときソース電極6と接続するソースバス配線7も形成される。 Source bus lines 7 connected to the source electrode 6 at this time are also formed. ポリイミド樹脂を1μm塗布し、パターニングし、有機系絶縁膜10を形成する。 The polyimide resin was 1μm applied and patterned to form the organic insulating film 10. 次に、スパッタリング法により、1000ÅのSiO 2膜を形成し、コンタクトホールの径がポリイミド樹脂パターニングしたときのマスクよりも小さいマスクを用いてパターニングし、無機性絶縁膜110を形成する。 Then, by sputtering, to form a SiO 2 film of 1000 Å, diameter of the contact hole is patterned by using a smaller mask than the mask when the polyimide resin is patterned to form the inorganic insulating layer 110. (第2 (The second
図(b))最後に、スパッタリング法により、1000Åの Figure (b)) Finally, by sputtering, 1000 Å of
ITO膜を形成し、絵素電極の形状にパターニングし、絵素電極11を形成する(第2図(c))。 ITO film is formed and patterned in the shape of the picture element electrode, to form a picture element electrode 11 (FIG. 2 (c)).

前記実施例のアクティブマトリクス基板においては、 In the active matrix substrate of the embodiment,
層間絶縁層が有機系絶縁膜10であるポリイミド樹脂膜10 Polyimide resin film 10 interlayer insulating layer is an organic insulating film 10
の上に形成された、無機系絶縁膜110であるSiO 2膜110の上に、更に絵素電極11であるITO11が形成されているため、ITOはSiO 2膜との密着性が良くはがれが防止される。 Formed on the, on the SiO 2 film 110 is an inorganic insulating film 110, because it is still more picture element electrode 11 ITO11 is formed, ITO is peeling good adhesion to the SiO 2 film is It is prevented. そして、このアクティブマトリクス基板を液晶表示素子に用いる場合には、該アクティブマトリクス基板上に液晶の配向膜として更にポリイミド樹脂が塗布されることとなるが、ポリイミド樹脂膜10の上面が酸化シリコン膜110で覆われるのでポリイミド樹脂膜10に悪影響を及ぼすことがない。 Then, the active matrix substrate when used in the liquid crystal display element is a further polyimide resin on the active matrix substrate as an alignment film of the liquid crystal is applied, the upper surface is a silicon oxide film 110 of the polyimide resin film 10 not adversely affect the polyimide resin film 10 so covered with. 即ち、第5図に示すアクティブマトリクス基板のように絵素電極11が層間絶縁膜10を部分的に覆っている場合、液晶の配向膜として更にポリイミド樹脂を直接塗布すると、該ポリイミド樹脂が層間然縁膜 That is, when the picture element electrode 11 as the active matrix substrate shown in FIG. 5 covers the interlayer insulating film 10 partially and further applying a polyimide resin directly as an alignment film of the liquid crystal, the polyimide resin layer Kanzen Enmaku
10であるポリイミド樹脂に接触するため、層間絶縁膜10 For contacting the polyimide resin is 10, the interlayer insulating film 10
用のポリイミド樹脂が膨潤し、クラックや膜剥がれが発生しやすいという問題があるが、本発明ではポリイミド樹脂膜10の表面が酸化シリコン樹脂膜110で覆われており、このような問題が生じ難くなる。 Polyimide resin swelling of use, but peeling cracks and film there is a problem that tends to occur, the present invention has the surface of the polyimide resin film 10 covered with a silicon oxide resin film 110 hardly such problems occur Become.

<発明の効果> 本発明のアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板によれば、絵素電極がパターニング時の剥がれが防止できる。 According to the active matrix substrate used for an active matrix display device of the present invention <Effects of the Invention>, the pixel electrode can be prevented peeling of the patterning. この結果、アクティブマトリクス基板の歩留まりが向上し、アクティブマトリクス表示装置の実用性を高めることができる効果がある。 As a result, improves the yield of the active matrix substrate, there is an effect that can increase the utility of the active matrix display device.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

第1図は本発明のアクティブマトリクス表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の1実施例を示す断面図を示し、 第2図(a),(b),(c)は本発明の前記1実施例の製造工程を示す断面図を示し、 第3図は従来構造のアクティブマトリクス基板の要部平面図を示し、 第4図は従来構造のアクティブマトリクス基板の断面図を示し、 第5図は従来構造を改良したアクティブマトリクス基板の断面図を示し、 第6図は改良されたアクティブマトリクス基板の要部平面図を示す。 Figure 1 is a cross sectional view illustrating an embodiment of an active matrix substrate used for an active matrix display device of the present invention, FIG. 2 (a), (b), (c) is of the one embodiment of the present invention shows a cross-sectional view showing the manufacturing process, Figure 3 shows a fragmentary plan view of an active matrix substrate of the conventional structure, Figure 4 shows a cross-sectional view of an active matrix substrate of the conventional structure, Fig. 5 a conventional structure shows a cross-sectional view of an active matrix substrate with an improved, Figure 6 shows a fragmentary plan view of an active matrix substrate which is improved. 1:透明絶縁基板、2:ゲート電極 3:ゲートバスライン、4:ゲート絶縁膜 5:a−Si膜、6:ソース電極 7:ソースバスライン、8:ドレイン電極 9:n + −Si膜、10:有機系層間絶縁膜(有機系絶縁膜) 11:絵素電極、12:コンタクトホール 110:無機系絶縁膜 1: transparent insulating substrate, 2: a gate electrode 3: gate bus line, 4: gate insulating film 5: a-Si film, 6: source electrode 7: the source bus line, 8: drain electrode 9: n + -Si layer, 10: organic interlayer insulating film (organic insulating film) 11: the picture element electrodes, 12: contact hole 110: inorganic insulating film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−31168(JP,A) 特開 昭57−20778(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 6 ,DB名) G02F 1/136 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (56) reference Patent Sho 57-31168 (JP, a) JP Akira 57-20778 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 6, DB name) G02F 1/136

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】絶縁性基板、該絶縁性基板上に設けられた薄膜トランジスタアレイ、該薄膜トランジスタアレイを覆うように形成された有機系絶縁膜及び該有機系絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタアレイのドレイン電極と電気的に接続している絵素電極を有するアクティブマトリクス表示装置にあって、 前記絵素電極と前記有機系絶縁膜の間には、絵素電極と接する無機系絶縁膜を有することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。 1. A insulating substrate, via the thin film transistor array, a contact hole formed in the formed organic insulating film and the organic-based insulating film so as to cover the thin film transistor array provided on the insulative substrate in the active matrix display device having a pixel electrode connected a drain electrode of the thin film transistor array, between the picture element electrode and the organic insulating film, an inorganic insulating contact with the picture element electrode an active matrix display device characterized by having a membrane.
  2. 【請求項2】前記有機系絶縁膜がポリイミド樹脂膜またはアクリル樹脂膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のアクティブマトリクス表示装置。 Wherein said organic active matrix display device as set forth in claim 1, wherein the appended claims, wherein the insulating film is a polyimide resin film or acrylic resin film.
  3. 【請求項3】前記無機系絶縁膜が酸化シリコン膜または窒化シリコン膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のアクティブマトリクス表示装置。 Wherein said inorganic active matrix display device as set forth in claim 1, wherein the appended claims, wherein the insulating film is a silicon film or a silicon nitride film oxide.
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