JP2962612B2 - Scanning microscope - Google Patents

Scanning microscope

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JP2962612B2
JP2962612B2 JP2041792A JP2041792A JP2962612B2 JP 2962612 B2 JP2962612 B2 JP 2962612B2 JP 2041792 A JP2041792 A JP 2041792A JP 2041792 A JP2041792 A JP 2041792A JP 2962612 B2 JP2962612 B2 JP 2962612B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、試料表面の三次元形状
を微小単位で測定するための走査顕微鏡に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning microscope for measuring the three-dimensional shape of a sample surface in minute units.

【0002】[0002]

【従来の技術】原子間力顕微鏡(Atomic Force Microsc
ope 、以下AFMと略す)は、試料表面に対して1nm
以下の距離まで接近させた探針を支持する弾性体から成
るカンチレバーが、試料−探針間に働く力を受けて撓む
量から逆に力を検出し、この力を一定にするように試料
探針間の距離を制御しながら、試料表面を走査すること
によって、表面の三次元形状をnm以下の分解能で観察
するものである。(ビーニッヒ等、フィジクス レビュ
ー レター56、930(1986))。AFMでは走
査型トンネル顕微鏡(STM)のように、試料が導電性
を有する必要がなく、絶縁性試料、特に半導体レジスト
面や、生体高分子などを原子・分子オーダで観察可能で
あるため、広い応用が期待されている。
2. Description of the Related Art Atomic Force Microsc
ope (hereinafter abbreviated as AFM) is 1 nm with respect to the sample surface.
A cantilever made of an elastic body that supports the probe approached to the following distance detects the force in reverse from the amount of bending that receives the force applied between the sample and the probe, and adjusts the sample so that this force is constant. By scanning the sample surface while controlling the distance between the probes, the three-dimensional shape of the surface is observed with a resolution of nm or less. (Binig et al., Physics Review Letter 56, 930 (1986)). Unlike the scanning tunneling microscope (STM), the AFM does not require the sample to have conductivity, and can observe an insulating sample, particularly a semiconductor resist surface, a biological macromolecule, and the like in the order of atoms and molecules. Application is expected.

【0003】AFMは試料表面に対向させる探針及びそ
れを支持するカンチレバーと、試料表面からの力による
カンチレバーの撓み量を検出する系と、探針に対する試
料の相対的な位置を三次元で制御する手段とから構成さ
れている。AFMは通常では1本の探針で観察を行って
いて、この探針を支持するカンチレバーの撓み量を検出
する手段としては、光てこ法やトンネル電流法が一般的
である。
The AFM has a probe facing the sample surface, a cantilever supporting the probe, a system for detecting the amount of bending of the cantilever due to a force from the sample surface, and a three-dimensional control of the relative position of the sample with respect to the probe. Means. The AFM normally performs observation with a single probe, and as a means for detecting the amount of bending of the cantilever supporting the probe, an optical lever method or a tunnel current method is generally used.

【0004】図3は光てこ法によりカンチレバーの撓み
量を検出するAFMの説明図である。XYZ駆動素子1
上に試料2が固定されており、試料2の表面には探針3
がカンチレバー4に支持されて対向していて、カンチレ
バー4はレバーホルダ5に支持されている。光源6を発
した光束は、レンズ7を介してカンチレバー4に入射
し、カンチレバー4で反射した光は2分割フォトダイオ
ード8に入射する。カンチレバー4に撓みが生ずると、
その反射光スポットの位置がずれ、その位置ずれ量を2
分割フォトダイオード8で検出してカンチレバー4の撓
み量を求める。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an AFM for detecting a bending amount of a cantilever by an optical lever method. XYZ drive element 1
A sample 2 is fixed on the top, and a probe 3 is provided on the surface of the sample 2.
Are supported and opposed by the cantilever 4, and the cantilever 4 is supported by the lever holder 5. The light beam emitted from the light source 6 enters the cantilever 4 via the lens 7, and the light reflected by the cantilever 4 enters the two-division photodiode 8. When the cantilever 4 bends,
The position of the reflected light spot is shifted, and the position shift amount is 2
The amount of deflection of the cantilever 4 is obtained by detection by the divided photodiode 8.

【0005】図4はトンネル電流法によりカンチレバー
の撓み量を検出するAFMの説明図である。XYZ駆動
素子1上に試料2が固定されている。試料2の表面には
探針3がカンチレバー4に支持されて対向しており、カ
ンチレバー4はレバーホルダ5に支持されている。カン
チレバー4の背後には、導電性探針9がピエゾ素子10
により支持され接近している。カンチレバー4と導電性
探針9間に流れるトンネル電流を一定にするように、導
電性探針9の位置をピエゾ素子10で制御して、その制
御量からカンチレバー4の撓み量を求める。
FIG. 4 is an explanatory diagram of an AFM for detecting a bending amount of a cantilever by a tunnel current method. The sample 2 is fixed on the XYZ drive element 1. A probe 3 is supported by a cantilever 4 and faces the surface of the sample 2, and the cantilever 4 is supported by a lever holder 5. Behind the cantilever 4, a conductive probe 9 is provided with a piezo element 10.
Is supported by and is approaching. The position of the conductive probe 9 is controlled by the piezo element 10 so as to keep the tunnel current flowing between the cantilever 4 and the conductive probe 9 constant, and the amount of deflection of the cantilever 4 is obtained from the control amount.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例において述べたように、AFMにおける観察は1
本の探針によって行っている。このため、大面積に渡っ
て短時間に試料表面の観察を行うことが困難である。こ
の課題を解決する方法としては、複数個の探針を使用す
ることが考えられるが、AFMにおいて観察用の複数個
の探針を使用する場合には、次のような問題点が生ず
る。
However, as described in the above-mentioned conventional example, observation by the AFM is one time.
It is done by the tip of a book. For this reason, it is difficult to observe the sample surface in a short time over a large area. As a method of solving this problem, it is conceivable to use a plurality of probes. However, in the case of using a plurality of observation probes in the AFM, the following problems occur.

【0007】(1) カンチレバーの撓み検出においては、
従来知られている光てこ法では、光束をカンチレバー裏
面に当てるための調整治具、レンズやミラー等の光学部
品、2分割フォトダイオードの位置調整具が必要であ
る。また、トンネル電流法ではカンチレバーの裏面に対
する導電性探針の位置調整具等のレバー撓み量検出系の
機械的構成が、それぞれの探針に対して必要となり、シ
ステム全体が大きくかつ複雑になる。
(1) In detecting the bending of the cantilever,
The conventionally known optical lever method requires an adjustment jig for applying a light beam to the back surface of the cantilever, an optical component such as a lens and a mirror, and a position adjustment tool for a two-division photodiode. Further, in the tunnel current method, a mechanical configuration of a lever deflection amount detection system such as a position adjuster of the conductive probe with respect to the back surface of the cantilever is required for each probe, and the entire system becomes large and complicated.

【0008】(2) 個々のカンチレバーには、ばらついた
量の反りが生じ、また探針の長さも各カンチレバーで異
なるため、試料に対する各探針の初期の距離が一定にな
らない。
(2) Each cantilever is warped by a variable amount, and the length of the probe is also different for each cantilever, so that the initial distance of each probe to the sample is not constant.

【0009】(3) 上記(1) 、(2) の解決のためには、カ
ンチレバーの撓み量検出系の単純化とカンチレバー上へ
の集積化、また個々のカンチレバーの駆動系をカンチレ
バーに集積化することが必要になるが、この際にカンチ
レバーの撓み量の検出系とカンチレバーの駆動系が隣接
することにより、カンチレバー駆動系の制御電圧による
ノイズが、カンチレバーの撓み量検出系の電極に誘導さ
れ、検出された微少な発生電圧に重畳して正しいAFM
像を得ることが困難である。また、探針と試料の間の距
離を一定に保つフィールドバック系が乱され、探針が試
料表面に衝突し探針に損傷を受けることがある。
(3) In order to solve the above (1) and (2), the system for detecting the amount of deflection of the cantilever is simplified and integrated on the cantilever, and the drive system for each cantilever is integrated on the cantilever. At this time, since the detection system of the cantilever deflection amount and the drive system of the cantilever are adjacent to each other, noise due to the control voltage of the cantilever drive system is guided to the electrode of the deflection amount detection system of the cantilever. And correct AFM by superimposing on the detected minute generated voltage.
It is difficult to obtain an image. In addition, the field-back system for keeping the distance between the probe and the sample constant may be disturbed, and the probe may collide with the sample surface and be damaged.

【0010】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
カンチレバーの駆動系と撓み量検出系とを一体に構成
し、探針と試料表面との距離を独立に補正することがで
き、更にカンチレバー駆動電極からカンチレバー変位量
検出系の電極に誘導されるノイズが少ない複数個のカン
チレバーユニットを有する走査顕微鏡を提供することに
ある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems,
The drive system of the cantilever and the deflection detection system are integrated, and the distance between the probe and the sample surface can be corrected independently.Furthermore, noise induced from the cantilever drive electrode to the electrode of the cantilever displacement detection system It is an object of the present invention to provide a scanning microscope having a plurality of cantilever units with a small number.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明に係る走査顕微鏡は、第1の圧電体層を圧電
体駆動電極層により挟持し、第2の圧電体層を圧電体変
位検出電極層により挟持し、これらの間に絶縁層を介し
てシールド用電極層を介在して積層し、表面に絶縁層を
介して探針を設けたことをカンチレバーユニットを複数
個有することを特徴とするものである。
A scanning microscope according to the present invention for achieving the above object has a structure in which a first piezoelectric layer is sandwiched between piezoelectric driving electrode layers and a second piezoelectric layer is sandwiched between piezoelectric layers. It is necessary to have a plurality of cantilever units that are sandwiched by the displacement detection electrode layers, stacked with an insulating electrode layer interposed therebetween and a shielding electrode layer interposed therebetween, and provided with a probe on the surface via the insulating layer. It is a feature.

【0012】[0012]

【作用】上述の構成を有する走査顕微鏡は、カンチレバ
ーが、異なる2つの圧電体層の一方を互いに絶縁した圧
電体駆動電極層、他方を圧電体変位検出電極層で挟持
し、圧電体駆動電極層と圧電体変位検出電極層の間にシ
ールド用電極層を設けているので、駆動を行えると共に
その変位を検出できる。
In the scanning microscope having the above-mentioned structure, the cantilever sandwiches one of two different piezoelectric layers with a piezoelectric drive electrode layer insulated from one another and the other with a piezoelectric displacement detection electrode layer. Since the shield electrode layer is provided between the piezoelectric displacement detection electrode layer and the piezoelectric body displacement detection electrode layer, the drive can be performed and the displacement can be detected.

【0013】[0013]

【実施例】本発明を図1、図2に図示の実施例に基づい
て詳細に説明する。図1は集積化したカンチレバーユニ
ット単体の斜視図である。カンチレバーユニット11上
の探針12は絶縁層13上に設けられている。絶縁層1
3の裏面には、Au電極14、圧電体層15、Au電極
16が順次に積層されており、Au電極14、圧電体層
15、Au電極16によりZ軸方向駆動素子17が構成
されている。また。Au電極16の下層には絶縁層1
8、接地されたAu電極19、絶縁層20が順次に積層
されている。更に絶縁層20の下にはAu電極21、圧
電体層22、Au電極23が順次に積層されており、A
u電極21、圧電体層22、Au電極23によりZ軸方
向変位検出素子24が構成されている。このZ軸方向変
位検出素子24は圧電ユニモルフ構造をなし、探針12
が図示しない試料25との間に働く力を検出するように
なっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in FIGS. FIG. 1 is a perspective view of an integrated cantilever unit. The probe 12 on the cantilever unit 11 is provided on the insulating layer 13. Insulation layer 1
The Au electrode 14, the piezoelectric layer 15, and the Au electrode 16 are sequentially laminated on the back surface of the substrate 3. The Au electrode 14, the piezoelectric layer 15, and the Au electrode 16 constitute a Z-axis direction driving element 17. . Also. The insulating layer 1 is formed under the Au electrode 16.
8, a grounded Au electrode 19 and an insulating layer 20 are sequentially laminated. Further, under the insulating layer 20, an Au electrode 21, a piezoelectric layer 22, and an Au electrode 23 are sequentially laminated.
The u-electrode 21, the piezoelectric layer 22, and the Au electrode 23 constitute a Z-axis direction displacement detecting element 24. The Z-axis direction displacement detecting element 24 has a piezoelectric unimorph structure,
Detects a force acting between the sample and a sample 25 (not shown).

【0014】集積化カンチレバーユニット11の先端が
Z方向に撓むと、その撓み量dZに応じて圧電体層22に
歪を生じ、Au電極21、23間に電位差dVを生ずる。
例えば、カンチレバーユニット11の長さを100μ
m、幅を20μmとし、各層の厚さをAu電極21、2
3では0.1μm、圧電体層22では1μmとすると、
カンチレバーユニット11の撓み量dZが1nmの場合に
は、約1mVの電位差dVを生ずる。従って、この電位差
dVを検知することにより、逆にカンチレバーユニット1
1の先端の撓み量dZを検出をすることができる。
When the tip of the integrated cantilever unit 11 bends in the Z direction, a strain is generated in the piezoelectric layer 22 in accordance with the amount of bending dZ, and a potential difference dV is generated between the Au electrodes 21 and 23.
For example, the length of the cantilever unit 11 is set to 100 μm.
m, the width is 20 μm, and the thickness of each layer is Au electrodes 21, 2.
3 is 0.1 μm, and the piezoelectric layer 22 is 1 μm.
When the deflection dZ of the cantilever unit 11 is 1 nm, a potential difference dV of about 1 mV is generated. Therefore, this potential difference
By detecting dV, conversely, cantilever unit 1
The amount of deflection dZ of the first tip can be detected.

【0015】更には、この原理の逆を用いることで、つ
まり図1に示したZ軸方向駆動素子17において、Au
電極14、16より圧電体層15に電圧を与えること
で、カンチレバーユニット11の弾性限界の範囲内で、
Z方向にカンチレバーユニット11を駆動することがで
きる。Z軸方向駆動素子17とZ軸方向変位検出素子2
4の間に、アースされたシールド電極であるAu電極1
9を設けたことにより、Z軸方向駆動素子17の電極か
らZ軸方向変位検出素子24の電極に誘導されるノイズ
を少なくすることができ、S/N比の良好な変位量が検
出できる。なお、絶縁層13には厚さ1μmのSiO2
を用い、圧電体層15、22にはZnOが使用されてい
る。
Further, by using the reverse of this principle, that is, in the Z-axis direction driving element 17 shown in FIG.
By applying a voltage to the piezoelectric layer 15 from the electrodes 14 and 16, within the elastic limit of the cantilever unit 11,
The cantilever unit 11 can be driven in the Z direction. Z-axis direction drive element 17 and Z-axis direction displacement detection element 2
4, an Au electrode 1 serving as a grounded shield electrode
With the provision of 9, the noise induced from the electrode of the Z-axis direction drive element 17 to the electrode of the Z-axis direction displacement detection element 24 can be reduced, and a displacement amount with a good S / N ratio can be detected. The insulating layer 13 is made of SiO 2 having a thickness of 1 μm.
, And ZnO is used for the piezoelectric layers 15 and 22.

【0016】カンチレバーユニット11の作成法につい
て説明すると、本実施例ではSi基板上に順次にカンチ
レバー形状をパターニングしながら、蒸着法によりAu
薄膜、スパッタリング法によりZnO薄膜、SiO2
膜を図1のように積層した後に、電子ビームデポジショ
ン法により探針材料を蒸着して探針12を作製して、最
後に基板の裏面からKOHによる異方性エッチングによ
りカンチレバーユニット11を形成する。
The method of forming the cantilever unit 11 will be described. In this embodiment, Au is deposited by evaporation while sequentially patterning the cantilever shape on a Si substrate.
A thin film, a ZnO thin film and a SiO 2 thin film are laminated by a sputtering method as shown in FIG. The cantilever unit 11 is formed by anisotropic etching.

【0017】次に、図2により複数個の集積化カンチレ
バーユニット11を用いて構成される原子間力顕微鏡に
ついて説明する。それぞれの集積化カンチレバーユニッ
ト11は、ステージ25上に固定された1個の試料26
の各部位に対向して設置されている。それぞれのカンチ
レバーユニット11のZ軸方向変位検出素子24内のA
u電極21、23の出力はZ軸方向変位検出回路27に
接続されており、Z軸方向変位検出回路27の出力はコ
ンピュータ28に接続されている。コンピュータ28の
出力はZ軸方向駆動回路29、X軸方向走査信号回路3
0、Y軸方向走査信号回路31、表示装置32に接続さ
れており、Z軸方向駆動回路29の出力はZ軸方向駆動
素子17内のAu電極14、16にそれぞれ接続されて
いる。また、X軸方向走査信号回路30、Y軸方向走査
信号回路31の出力はそれぞれX軸方向駆動素子33、
Y軸方向駆動素子34に接続されており、X軸方向駆動
素子33、Y軸方向駆動素子34はステージ25に取り
付けられている。
Next, an atomic force microscope constituted by using a plurality of integrated cantilever units 11 will be described with reference to FIG. Each integrated cantilever unit 11 has one sample 26 fixed on the stage 25.
Are installed facing each other. A in the Z-axis direction displacement detecting element 24 of each cantilever unit 11
The outputs of the u-electrodes 21 and 23 are connected to a Z-axis direction displacement detection circuit 27, and the output of the Z-axis direction displacement detection circuit 27 is connected to a computer 28. The output of the computer 28 is a Z-axis direction drive circuit 29 and an X-axis direction scan signal circuit 3.
0, it is connected to the Y-axis direction scanning signal circuit 31 and the display device 32, and the output of the Z-axis direction drive circuit 29 is connected to the Au electrodes 14 and 16 in the Z-axis direction drive element 17, respectively. The outputs of the X-axis direction scanning signal circuit 30 and the Y-axis direction scanning signal circuit 31 are the X-axis direction driving element 33,
The X-axis direction drive element 33 and the Y-axis direction drive element 34 are connected to the Y-axis direction drive element 34, and are attached to the stage 25.

【0018】先ず、初期設定としてZ軸方向駆動素子1
7によって、試料26と各カンチレバーユニット11上
の探針12をそれぞれZ方向で1nm以下の距離まで接
近させる。各カンチレバーユニット11の探針12と試
料26との間の初期の距離に応じた原子間力によって、
各カンチレバーユニット11にそれぞれ或る撓み量が生
ずるが、各探針12と試料26の表面との距離が、全て
1nmになるようにZ軸方向駆動信号をZ軸方向駆動素
子17に加え、各カンチレバーユニット11の撓み量を
制御することによって調整する。
First, as an initial setting, the Z-axis direction driving element 1
7, the sample 26 and the probe 12 on each cantilever unit 11 are brought closer to each other in the Z direction to a distance of 1 nm or less. By the atomic force according to the initial distance between the probe 12 of each cantilever unit 11 and the sample 26,
A certain amount of bending occurs in each cantilever unit 11, but a Z-axis direction drive signal is applied to the Z-axis direction drive element 17 so that the distance between each probe 12 and the surface of the sample 26 is all 1 nm. The adjustment is performed by controlling the amount of deflection of the cantilever unit 11.

【0019】この後に、コンピュータ28からの走査信
号を基にX軸方向走査信号回路30、Y軸方向走査信号
回路31によってそれぞれX軸方向走査信号をX軸方向
駆動素子33、Y軸方向走査信号をY軸方向駆動素子3
4に加え、各探針12に対して相対的に試料26をXY
二次元方向に走査する。このとき、試料表面の凹凸に応
じて、各集積化カンチレバーユニット11のZ軸方向変
位検出素子24から出力されたZ軸方向変位信号により
凹凸の深さ・高さを検知することができる。コンピュー
タ28において試料表面の凹凸の二次元分布データを短
時間で取得し、これを表示装置32に表示する。
Thereafter, based on the scanning signal from the computer 28, the X-axis scanning signal circuit 30 and the Y-axis scanning signal circuit 31 convert the X-axis scanning signal into an X-axis driving element 33 and a Y-axis scanning signal, respectively. To the Y-axis driving element 3
4 and the sample 26 is moved in XY relative to each probe 12.
Scan in two dimensions. At this time, the depth and height of the unevenness can be detected by the Z-axis direction displacement signal output from the Z-axis direction displacement detecting element 24 of each integrated cantilever unit 11 according to the unevenness on the sample surface. The computer 28 acquires the two-dimensional distribution data of the unevenness of the sample surface in a short time and displays it on the display device 32.

【0020】なお、探針12の材料として、Fe、C
o、Ni等の磁性体材料を用いれば、本発明のカンチレ
バーユニット11を磁力顕微鏡に応用でき、磁性を有す
る試料における表面磁区構造を観察することもできる。
The material of the probe 12 is Fe, C
If a magnetic material such as o or Ni is used, the cantilever unit 11 of the present invention can be applied to a magnetic force microscope, and the surface magnetic domain structure in a magnetic sample can be observed.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る走査顕
微鏡は、次に列挙するような利点を有する。
As described above, the scanning microscope according to the present invention has the following advantages.

【0022】(1) 観察用の探針、及び各探針に対応する
カンチレバーを複数持たせているため、大面積に渡って
の短時間の観察が可能になる。
(1) Since a plurality of probes for observation and a plurality of cantilevers corresponding to each probe are provided, short-time observation over a large area becomes possible.

【0023】(2) 集積化された構成のカンチレバーユニ
ットにより、光てこ法やトンネル電流法に比べて構成が
簡単になる。
(2) The integrated configuration of the cantilever unit makes the configuration simpler than that of the optical lever method or the tunnel current method.

【0024】(3) カンチレバーユニットをZ方向に独立
に駆動できるため、カンチレバーが初期に有する反り等
による探針と試料面の間の距離のばらつきを補正するこ
とができる。
(3) Since the cantilever unit can be independently driven in the Z direction, it is possible to correct the variation in the distance between the probe and the sample surface due to the initial warpage of the cantilever.

【0025】(4) カンチレバー駆動系とカンチレバーの
撓み量検出系の間にシールド電極を設けることにより、
カンチレバー駆動電極からカンチレバー変位検出素子の
電極に誘導されるノイズを少なくすることが可能とな
り、測定精度が向上する。
(4) By providing a shield electrode between the cantilever drive system and the cantilever deflection amount detection system,
The noise induced from the cantilever drive electrode to the electrode of the cantilever displacement detecting element can be reduced, and the measurement accuracy is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】集積化カンチレバーユニットの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an integrated cantilever unit.

【図2】AFMの構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of an AFM.

【図3】従来例の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional example.

【図4】従来例の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 カンチレバーユニット 12 探針 13、18、20 絶縁層 14、16、19、21、23 Au電極 15、22 圧電体層 17 Z軸方向駆動素子 24 Z軸方向変位検出素子 26 試料 Reference Signs List 11 Cantilever unit 12 Probe 13, 18, 20 Insulating layer 14, 16, 19, 21, 23 Au electrode 15, 22 Piezoelectric layer 17 Z-axis direction drive element 24 Z-axis direction displacement detection element 26 Sample

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 宏 東京都大田区下丸子三丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 河田 春紀 東京都大田区下丸子三丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 黒田 亮 東京都大田区下丸子三丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−350510(JP,A) 特開 平4−320918(JP,A) 特開 昭63−309802(JP,A) 特表 平3−503463(JP,A) 特表 平3−503586(JP,A) 特表 平3−504762(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 21/00 - 21/32 G01B 7/00 - 7/34 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Hiroshi Matsuda 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Haruki Kawasaki 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inside (72) Inventor Ryo Kuroda 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) References JP-A-4-350510 (JP, A) JP-A-4-320918 (JP) JP-A-63-309802 (JP, A) JP-A-3-503463 (JP, A) JP-A-3-503586 (JP, A) JP-A-3-504762 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G01B 21/00-21/32 G01B 7/00-7/34

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1の圧電体層を圧電体駆動電極層によ
り挟持し、第2の圧電体層を圧電体変位検出電極層によ
り挟持し、これらの間に絶縁層を介してシールド用電極
層を介在して積層し、表面に絶縁層を介して探針を設け
たカンチレバーユニットを複数個有することを特徴とす
る走査顕微鏡。
1. A first piezoelectric layer is sandwiched by a piezoelectric drive electrode layer, a second piezoelectric layer is sandwiched by a piezoelectric displacement detection electrode layer, and a shield electrode is interposed therebetween through an insulating layer. A scanning microscope comprising: a plurality of cantilever units that are stacked with layers interposed therebetween and provided with a probe on the surface via an insulating layer.
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