JP2958597B2 - IC package manufacturing method and plating frame - Google Patents

IC package manufacturing method and plating frame

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JP2958597B2
JP2958597B2 JP9254093A JP9254093A JP2958597B2 JP 2958597 B2 JP2958597 B2 JP 2958597B2 JP 9254093 A JP9254093 A JP 9254093A JP 9254093 A JP9254093 A JP 9254093A JP 2958597 B2 JP2958597 B2 JP 2958597B2
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澄夫 中野
伊知郎 村木
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はICパッケージの製造方
法とメッキ用フレームに係り、より詳細には、底面に多
数のピンを取着したPGA基板等のICパッケージにお
けるピン、導体パターンのメッキ処理工程での歩留を向
上できるICパッケージの製造方法とその方法に用いる
メッキ用フレームに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an IC package and a plating frame, and more particularly, to plating of pins and conductor patterns in an IC package such as a PGA substrate having a large number of pins attached to the bottom surface. The present invention relates to a method of manufacturing an IC package capable of improving the yield in a process and a plating frame used in the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICパッケージは、パッケージ底面に取
着されているピンや、導体パターンの表面に、外部回路
との電気的導通を良好にするために、また該ピンや導体
パターンの表面が酸化腐蝕するのを防止するために、
金、ニッケル等の導電性金属がメッキされている。
2. Description of the Related Art In an IC package, the surface of a pin or a conductive pattern is oxidized on the surface of a pin or a conductive pattern on the surface of the package in order to improve electrical continuity with an external circuit. To prevent corrosion,
A conductive metal such as gold or nickel is plated.

【0003】ところで、従来、該ピンや導体パターンの
表面にメッキを施すには、次のような手法が講じられて
いる。すなわち、 1) 弾性変形可能な金網製電極に、パッケージのピンの
先端を当接し、かつ該パッケージと該金網製電極をクリ
ップでクランプすると共に、メッキ溶液中に漬浸し、か
つメッキラックより該金網製金属に通電することで、上
記ピンやパッケージの導体パターンにメッキを施すよう
にした構成(実開平1−119058号公報参照)、 2) 上記金網製電極の代わりに、孔を有する保持板と、
該保持板の孔に対応する位置に渦巻状の切り欠きや切り
抜きによる渦巻状バネよりなるピン接触部を備えた弾性
薄金属板を用いた構成(実願平4−48688号明細書
参照)、 3) Ni含有のFe合金板よりなる導電性金属板上に多
数のピンを植設した植設配列ピンを得ると共に、該植設
配列ピンのピンをロウ材によりパッケージのメタライズ
層にロウ付けした後、該植設配列ピンを介して、該ピン
と導体パターンをメッキ処理し、その後、該ピンの脚部
を所要位置で切断するようにした構成(特開平1−11
5153号公報、同1−168049号公報参照)等が
講じられている。
[0003] Conventionally, the following method has been employed for plating the surfaces of the pins and the conductor patterns. That is, 1) the ends of the pins of the package are brought into contact with the elastically deformable wire mesh electrode, the package and the wire mesh electrode are clamped with clips, immersed in a plating solution, and the wire mesh is placed on a plating rack. A configuration in which a conductive pattern is applied to the pins and the package by energizing the metal (see Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-119058); 2) a holding plate having holes instead of the wire mesh electrodes; ,
A configuration using an elastic thin metal plate provided with a pin contact portion made of a spiral notch or a spiral spring formed by cutting out at a position corresponding to the hole of the holding plate (see Japanese Patent Application No. 4-48688); 3) An implanted arrangement pin having a number of pins implanted on a conductive metal plate made of a Ni-containing Fe alloy plate was obtained, and the pins of the implanted arrangement pins were brazed to the metallized layer of the package with a brazing material. Thereafter, the pins and the conductor pattern are plated through the planted arrangement pins, and then the leg portions of the pins are cut at required positions (Japanese Patent Laid-Open No. 1-111).
Nos. 5153 and 1-168049).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した構成
の場合、次のような課題がある。すなわち、1) 上述1)
2)の場合、パッケージのピンに金網や金属板等の薄板電
極を押し当てて、メッキ処理する際、該ピンと薄板電極
との間に電気的接触不良が発生する。2) 上述3)の場
合、予め、植設配列ピンを作成する必要があり、その作
成をするに際し、ICパッケージのピン付け位置との間
に位置ずれがないようにする必要があるため手数を要す
る。また、上記植設配列ピンを導電性金属板上へレーザ
ー等により植設する際、後から行われるピンをパッケー
ジ側に接合する温度より高温度の高融点ロウ材での接合
処理を必要とする。また、メッキ処理後のピンの成形に
手数を要する。等の課題がある。
However, the above configuration has the following problems. That is, 1) above 1)
In the case of 2), when a thin plate electrode such as a wire mesh or a metal plate is pressed against the pins of the package and plating is performed, poor electrical contact occurs between the pins and the thin plate electrodes. 2) In the case of 3) above, it is necessary to create planting arrangement pins in advance, and it is necessary to make sure that there is no misalignment with the pinning position of the IC package when creating them. It costs. Further, when the above-mentioned implanted arrangement pins are implanted on a conductive metal plate by a laser or the like, it is necessary to perform a later-performed joining process using a high-melting-point brazing material having a higher temperature than the temperature for joining the pins to the package side. . Also, it takes time and effort to form the pins after the plating process. And other issues.

【0005】本発明は、以上のような課題に対処して創
作したものであって、その目的とする処は、底面に多数
のピンを取着したICパッケージにおけるピン、導体パ
ターンのメッキ処理工程での歩留及び作業性を向上でき
るICパッケージの製造方法とその方法に用いるメッキ
用フレームを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a process of plating pins and conductor patterns in an IC package having a large number of pins mounted on a bottom surface. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an IC package which can improve the yield and workability of the IC package and a plating frame used in the method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】そして、上記目的を達成
するための手段としての本発明のICパッケージの製造
方法は、導体パターンと、該導体パターンと電気的導通
する多数のピンを有するICパッケージの製造方法にお
いて、該ICパッケージのピンに対応する位置に、該ピ
ンの先端径より小径の孔を有し、かつ該孔の周囲に複数
個のスリットまたは切欠を有し、該スリットまたは切欠
によりピン保持部を形成した導電性材料よりなるメッキ
用フレームを用い、該メッキ用フレームの孔にピンの先
端部を挿入し、該ピン保持部を押し広げ変形させて、該
メッキ用フレームとピンを接合し、該メッキ用フレーム
を介して該ピンと該導体パターンをメッキ処理した後、
該メッキ用フレームを取り外すと共に、該ピンと該ピン
保持部との接触部位より該ICパッケージ本体側に寄っ
た位置を切断する構成としている。
According to another aspect of the present invention, there is provided an IC package having a conductor pattern and a plurality of pins electrically connected to the conductor pattern. In the manufacturing method of (1), at a position corresponding to the pin of the IC package, a hole having a diameter smaller than the tip diameter of the pin is provided, and a plurality of slits or notches are provided around the hole. Using a plating frame made of a conductive material having a pin holding portion, inserting the tip of the pin into the hole of the plating frame, pushing and deforming the pin holding portion, and separating the plating frame and the pin. After joining and plating the pin and the conductor pattern via the plating frame,
The plating frame is removed, and a position closer to the IC package body side than a contact portion between the pin and the pin holding portion is cut.

【0007】また、本発明のメッキ用フレームは、導電
性材料よりなり、ICパッケージのピンに対応する位置
に、該ピンの先端径より小径の孔を有し、かつ該孔の周
囲に複数個のスリットまたは切欠を有し、該スリットま
たは切欠によりピン保持部を形成し、該小径孔にICパ
ッケージのピンを挿入し、該ピン保持部を押し広げ変形
させて、該ピンを接合し、該ピンおよびICパッケージ
の導体パターンのメッキ処理可能にし、更に、前記ピン
保持部のピン挿入側がハーフエッチングにより肉薄に形
成された構成としている。
Further, the plating frame of the present invention is made of a conductive material, has a hole having a diameter smaller than the tip diameter of the pin at a position corresponding to the pin of the IC package, and has a plurality of holes around the hole. A pin holding portion is formed by the slit or the notch, a pin of the IC package is inserted into the small-diameter hole, the pin holding portion is expanded and deformed, and the pin is joined. The pin and the conductor pattern of the IC package can be plated, and the pin insertion side of the pin holding portion is formed to be thin by half etching.

【0008】[0008]

【作用】本発明のICパッケージの製造方法は、ピン付
けされたICパッケージのピンと電極としてのメッキ用
フレームとの接合を、該ピンをメッキ用フレームに形成
された該ピンの先端径より小径の孔に挿入すると共に、
該小径孔の周囲に形成されたピン保持部を押し広げ変形
させることで行うので、該接合を簡単に行うことがで
き、かつ該ピンと電極との電気的接触が確実となり、ま
た該メッキ処理後の該ピンとメッキ用フレームとの分離
を容易に行える。また該ピンとメッキ用フレームとの溶
着等の作業が不要となる。
According to the method of manufacturing an IC package of the present invention, the bonding between the pin of the pinned IC package and the plating frame as an electrode is performed by connecting the pin with a smaller diameter than the tip diameter of the pin formed on the plating frame. Insert into the hole,
Since this is performed by pushing and deforming the pin holding portion formed around the small-diameter hole, the joining can be easily performed, and the electrical contact between the pin and the electrode is ensured. Can be easily separated from the plating frame. Also, work such as welding the pin to the plating frame is not required.

【0009】また、本発明のメッキ用フレームは、IC
パッケージのピンに対応する位置に、該ピンの先端径よ
り小径の孔を有しているので、該ピンの挿入位置決めが
容易に行え、また該孔の周囲に複数個のスリットまたは
切欠を有し、該スリットまたは切欠によりピン保持部が
形成されているので、該ピンがピン保持部を押し広げ変
形させることで、上記ピンの接合を簡単に行うことがで
きる。また、ピン保持部がハーフエッチングにより他の
部位に対して肉薄に形成されているので、挿入位置決め
がいっそう容易となると共に、該ピンの挿入接合を容易
にすることができる。
Further, the plating frame of the present invention is an IC frame.
Since a hole having a diameter smaller than the tip diameter of the pin is provided at a position corresponding to the pin of the package, insertion and positioning of the pin can be easily performed, and a plurality of slits or notches are provided around the hole. Since the pin holding portion is formed by the slit or the notch, the pin can be easily joined by pushing and deforming the pin holding portion. In addition, since the pin holding portion is formed to be thin with respect to other portions by half-etching, insertion positioning is further facilitated, and insertion and joining of the pin can be facilitated.

【0010】[0010]

【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明を具体化
した実施例について説明する。ここに、図1〜図7は、
本発明の実施例を示し、図1はメッキ用フレームの平面
図、図2は図1の部分拡大図、図3は図2のA−A断面
図、図4はICパッケージのピンを接合した状態の断面
図、図5は製造工程を説明するための工程図、図6はI
Cパッケージの概念を説明する縦断面図、図7はメッキ
用フレームの他の実施例の部分拡大平面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Here, FIG. 1 to FIG.
FIG. 1 is a plan view of a plating frame, FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 2, and FIG. FIG. 5 is a process diagram for explaining a manufacturing process, and FIG.
FIG. 7 is a vertical sectional view illustrating the concept of the C package, and FIG. 7 is a partially enlarged plan view of another embodiment of the plating frame.

【0011】本実施例のICパッケージの製造方法は、
概略すると、1)準備工程、2)ピン−メッキ用フレーム接
合工程、3)メッキ処理工程、4)メッキ用フレーム取り外
し工程、5)ピン切断工程、の5工程を有する。次に、各
工程について説明する。
The method of manufacturing an IC package according to this embodiment is as follows.
Briefly, there are five steps: 1) preparation step, 2) pin-plating frame joining step, 3) plating step, 4) plating frame removing step, and 5) pin cutting step. Next, each step will be described.

【0012】−準備工程− 本工程は、メッキ処理するための準備工程であって、I
Cパッケージ1と、ICパッケージ1のピン2、2・・
の配置に適合するメッキ用フレーム3を準備する工程で
ある。ここで、ICパッケージ1は、PGAセラミック
パッケージであって、半導体素子と接合される導体パタ
ーン4を有し、裏面にコバール、42合金、銅等の金属
からなるピン2、2・・がロウ付けされていて、導体パ
ターン4とピン2、2・・とは、スルーホール5、5・
・によって電気的に接続されている(図5a参照)。こ
こで、ピン2、2・・は、先端が曲面状もしくは鋭角状
に形成され、また必要に応じて、ピン2、2・・は長め
のものを用いるようにしている。
-Preparation Step- This step is a preparation step for plating.
C package 1 and IC package 1 pins 2, 2, ...
This is a step of preparing a plating frame 3 that matches the arrangement of the plating. Here, the IC package 1 is a PGA ceramic package having a conductor pattern 4 to be joined to a semiconductor element, and pins 2, 2,... Made of metal such as Kovar, 42 alloy, or copper are brazed on the back surface. And the conductor pattern 4 and the pins 2, 2,.
(See FIG. 5a). Here, the ends of the pins 2, 2,... Are formed in a curved surface or an acute angle, and if necessary, the pins 2, 2,.

【0013】メッキ用フレーム3は、コバール、42合
金板、ステンレス板、鋼板、銅板等の薄板(エッチング
板等)を、打抜き、あるいはエッチングにより、格子状
の開口部6、6・・を設けたフレームで、好ましくは、
ピン2、2・・と同じ材質の金属で形成されている。ま
た、メッキ用フレーム3には、ピン2、2・・に対応す
る位置に、ピン2、2・・の径より小径の孔7、7・・
が形成され、孔の周囲には切欠8、8・・によって四個
の保持片9、9・・を有するピン保持部10が形成され
ている。またピン保持部10は、ピン挿入側(図面にお
いて、表面側)が、ハーフエッチングによって、フレー
ム3の他の部分に対して肉薄に形成されている。本実施
例においては、ピン2、2・・の径aが、0.46mm
に対して、孔7、7・・の径bが、0.2〜0.3mm
程度と小径孔とされ、またピン保持部10の外径cが
0.8mmとされている。
The plating frame 3 is provided with lattice-shaped openings 6, 6,... By punching or etching a thin plate (etching plate or the like) such as Kovar, 42 alloy plate, stainless steel plate, steel plate, or copper plate. In the frame, preferably,
The pins 2, 2,... Are made of the same material as the metal. In the plating frame 3, holes 7, 7,... Smaller in diameter than the pins 2, 2,.
Are formed around the hole, and a pin holding portion 10 having four holding pieces 9, 9,... Formed by notches 8, 8,. Further, the pin insertion side (the front side in the drawing) of the pin holding portion 10 is formed to be thin with respect to other portions of the frame 3 by half etching. In the present embodiment, the diameter a of the pins 2, 2,.
The diameter b of the holes 7, 7,.
The pin holding portion 10 has an outer diameter c of 0.8 mm.

【0014】−ピン−メッキ用フレーム接合工程− 本工程は、ピン付けされたICパッケージ1のピン2、
2・・にメッキ用フレーム3を接合する工程である。本
工程では、ダイス11と案内ピン12とフレーム保持部
材13および上ポンチ14よりなるフレームセット装置
(図5b参照)を用い、ダイス11上にピン2、2・・
を上向きにしてICパッケージ1を載置すると共に、フ
レーム保持部材13の所定の位置(予め、メッキ用フレ
ーム3の孔7、7・・の位置に、ピン2、2・・が位置
するように設定されている位置)に準備工程で準備した
メッキ用フレーム3を載置した後、上ポンチ14を案内
ピン12に沿って押し付けることにより、該ピン2、2
・・がメッキ用フレーム3の孔7、7・・に挿入し、か
つピン保持部10を形成する保持片9、9・・を変形さ
せることで接合する(図4参照)。ここで、ピン2、2
・・は、先端が曲面状もしくは鋭角状に形成されている
ので、孔7、7・・に嵌合し、位置ずれが生じることが
ないように作用する。
-Pin-Plating Frame Bonding Step- This step is performed in the following manner.
This is a step of joining the plating frame 3 to 2. In this step, the pins 2, 2,... Are placed on the die 11 using a frame setting device (see FIG. 5B) including the die 11, the guide pin 12, the frame holding member 13, and the upper punch 14.
The IC package 1 is placed with its face upward, and the pins 2, 2,... Are positioned at predetermined positions of the frame holding member 13 (in advance, at the positions of the holes 7, 7,... Of the plating frame 3). After the plating frame 3 prepared in the preparatory step is placed at the set position), the upper punch 14 is pressed along the guide pin 12 so that the pins 2, 2
Are inserted into the holes 7, 7,... Of the plating frame 3 and are joined by deforming the holding pieces 9, 9,. Here, pins 2, 2
Since the tip is formed in the shape of a curved surface or an acute angle, it fits into the holes 7, 7,... And acts so as not to cause displacement.

【0015】−メッキ処理工程− 本工程は、ICパッケージ1のピン2、2・・、導体パ
ターン4を電解メッキ処理する工程である。本工程で
は、まずメッキ用フレーム3が接合されたICパッケー
ジ1をメッキ用ラック15に装着した後、陰極側に接続
し、メッキ用のNi板やAu板等を陽極側に接続すると
共に、メッキ液中に浸漬する(図5c参照)。そして、
通電すると、メッキ処理するピン2、2・・と導体パタ
ーン4は、電極を形成するメッキ用フレーム3によって
電気的に接続されているので、メッキ用フレーム3を介
して、ピン2、2・・と導体パターン4にメッキを施す
ことができる。なお、メッキとしては、NiメッキやA
uメッキを用いる。
-Plating Step- This step is a step of subjecting the pins 2, 2,..., And the conductor pattern 4 of the IC package 1 to electrolytic plating. In this step, first, the IC package 1 to which the plating frame 3 is bonded is mounted on the plating rack 15 and then connected to the cathode side, and a Ni plate or Au plate for plating is connected to the anode side, and plating is performed. Immerse in the liquid (see FIG. 5c). And
When energized, the pins 2, 2... To be plated and the conductor pattern 4 are electrically connected by the plating frame 3 forming electrodes. And the conductor pattern 4 can be plated. The plating may be Ni plating or A plating.
u plating is used.

【0016】−メッキ用フレーム取り外し工程− 本工程は、ICパッケージ1のピン2、2・・を押し込
み接合したメッキ用フレーム3を取り除く工程である。
メッキ用フレーム3は、ピン2、2・・、導体パターン
4をメッキ処理するために接合したものであるため、こ
れを除去する必要がある。本実施例では、ICパッケー
ジ保持台16とフォーク17およびフォーク押し上げ部
材18とよりなるフレーム取り外し装置(図5d参照)
を用い、フォーク17を接合状態のピン2、2・・間に
差し込み、フォーク押し上げ部材18を操作すること
で、ピン2、2・・とメッキ用フレーム3を分離するよ
うにしている。
-Plating Frame Removal Step- This step is a step of removing the plating frame 3 to which the pins 2, 2,...
Since the plating frame 3 is formed by joining the pins 2, 2,..., And the conductor pattern 4 for plating, it is necessary to remove them. In the present embodiment, a frame removing device including an IC package holding table 16, a fork 17, and a fork lifting member 18 (see FIG. 5D).
The fork 17 is inserted between the pins 2, 2,... In the joined state, and the fork lifting member 18 is operated to separate the pins 2, 2,.

【0017】−ピン切断工程− 本工程は、メッキ用フレーム3と分離したピン2、2・
・を所定の長さに切断し、また成形する工程である。メ
ッキ用フレーム3のピン保持部10と接触状態にあるピ
ン2、2・・の挿入部位は、メッキ処理されていないた
め、該部位よりICパッケージ本体側に寄った位置で切
断し、また必要に応じて切断先端を成形する。該切断
は、ICパッケージ1に対してピン2、2・・を安定状
態に保持して、切断刃でもって行うようにしている(図
5e参照)。
-Pin cutting step- This step is performed by separating the pins 2, 2,.
This is a step of cutting into a predetermined length and molding. Since the pins 2, 2,... In contact with the pin holding portions 10 of the plating frame 3 are not plated, the pins 2, 2,... Shape the cutting tip accordingly. The cutting is performed with a cutting blade while keeping the pins 2, 2,... In a stable state with respect to the IC package 1 (see FIG. 5e).

【0018】そして、以上の各工程を経ることによっ
て、ICパッケージ1のピン2、2・・と導体パターン
4を、正確で、かつ簡単に電解メッキ処理できると共
に、ピン2、2・・の長さを調整したICパッケージ1
を得ることができる。またピン2、2・・とメッキ用フ
レーム3との接合を、ピン2、2・・をメッキ用フレー
ム3に形成されたピン2の先端径より小径の孔7、7・
・に挿入すると共に、小径孔7、7・・の周囲に形成さ
れたピン保持部10、10・・を押し広げ変形させるこ
とで行うので、該接合を簡単に行うことができる。ま
た、ピン保持部10、10を形成する保持片9、9・・
がハーフエッチングによってメッキ用フレーム3の他の
部位より肉薄に形成されているので、ピン2、2・・の
押し込みによる変形をより良好な状態にできるので、ピ
ン2、2・・を傷めることなく良好な接合状態を得られ
る。そして、ICパッケージ1の半導体素子搭載部に半
導体素子19を搭載し、かつボンディングし、キャップ
20で封止することで、半導体製品とすることができる
(図6参照)。
Through the above steps, the pins 2, 2,... And the conductor pattern 4 of the IC package 1 can be accurately and easily subjected to electrolytic plating, and the length of the pins 2, 2,. IC package 1 with adjusted length
Can be obtained. The pins 2, 2,... And the plating frame 3 are joined together by connecting the pins 2, 2,... To the holes 7, 7,.
, And the pin holding portions 10, 10,... Formed around the small diameter holes 7, 7,... Are expanded and deformed, so that the joining can be easily performed. Also, holding pieces 9, 9,.
Are formed thinner than other portions of the plating frame 3 by half-etching, so that the deformation due to the pushing of the pins 2, 2,... Can be made in a better state, so that the pins 2, 2,. A good bonding state can be obtained. Then, the semiconductor element 19 is mounted on the semiconductor element mounting portion of the IC package 1, bonded, and sealed with the cap 20, thereby obtaining a semiconductor product (see FIG. 6).

【0019】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。因みに、上述した実施例にお
いては、ピン保持部を4個の切欠で形成した4個の保持
片よりなる構成で説明したが、図7に示すように2〜3
個の保持片、5個以上の保持片よりなる構成としてもよ
く、またスリットによって保持片を形成した構成として
もよい。また、メッキ用フレームとしては、格子状の開
口部を有する構成の他に、短冊状、その他の構成として
もよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but includes a configuration that can be modified and implemented without changing the gist of the present invention. By the way, in the above-described embodiment, the description has been made of the configuration in which the pin holding portion is formed of the four notches formed by the four notches, but as shown in FIG.
The holding piece may be configured to include five holding pieces or five or more pieces, or the holding piece may be formed by slits. Further, the plating frame may have a strip shape or another configuration in addition to the configuration having the lattice-shaped openings.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
のICパッケージの製造方法によれば、ピン付けされた
ICパッケージのピンと電極としてのメッキ用フレーム
との接合を、該ピンをメッキ用フレームに形成された該
ピンの先端径より小径の孔に挿入すると共に、該小径孔
の周囲に形成されたピン保持部を押し広げ変形させるこ
とで行うので、該接合を簡単に行うことができ、かつ該
ピンと電極との電気的接触が確実となり、また該メッキ
処理後の該ピンとメッキ用フレームとの分離を容易に行
え、該ピンとメッキ用フレームとの溶着等の作業を不要
にできるという効果を有する。従って、ICパッケージ
のピンや導体パターンのメッキ処理を単純化できる。
As is apparent from the above description, according to the method for manufacturing an IC package of the present invention, the bonding between the pin of the pinned IC package and the plating frame as an electrode is performed by using the pin for plating. Insertion into a hole smaller in diameter than the tip diameter of the pin formed in the frame and pushing and expanding and deforming the pin holding portion formed around the small diameter hole facilitates the joining. In addition, the electrical contact between the pin and the electrode is ensured, the pin and the plating frame after the plating process can be easily separated, and the work of welding the pin and the plating frame can be eliminated. Having. Therefore, the plating of the pins and the conductor patterns of the IC package can be simplified.

【0021】また、本発明のメッキ用フレームによれ
ば、ICパッケージのピンに対応する位置に、該ピンの
先端径より小径の孔を有しているので、該ピンの挿入位
置決めが容易に行え、また該孔の周囲に複数個のスリッ
トまたは切欠を有し、該スリットまたは切欠によりピン
保持部が形成されているので、該ピンがピン保持部を押
し広げ変形させることで、上記ピンの接合を簡単に行う
ことができ、またピン保持部がハーフエッチングにより
他の部位に対して肉薄に形成されているので、挿入位置
決めがいっそう容易となると共に、該ピンの挿入接合を
容易にすることができるという効果を有する。
Further, according to the plating frame of the present invention, since a hole having a diameter smaller than the tip diameter of the pin is provided at a position corresponding to the pin of the IC package, the pin can be easily inserted and positioned. In addition, since the plurality of slits or notches are provided around the hole, and the pin holding portions are formed by the slits or notches, the pins are expanded and deformed to join the pins. In addition, the pin holding portion is formed thin with respect to other portions by half-etching, so that the insertion positioning is further facilitated, and the insertion and joining of the pin is facilitated. It has the effect of being able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施例のメッキ用フレームの平面図
である。
FIG. 1 is a plan view of a plating frame according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の部分拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG.

【図3】 図2のA−A断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 2;

【図4】 ICパッケージのピンを接合した状態の断面
図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where pins of an IC package are joined.

【図5】 製造工程を説明するための工程図である。FIG. 5 is a process chart for explaining a manufacturing process.

【図6】 ICパッケージの概念を説明する縦断面図で
ある。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view illustrating the concept of an IC package.

【図7】 メッキ用フレームの他の実施例の部分拡大平
面図である。
FIG. 7 is a partially enlarged plan view of another embodiment of the plating frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・ICパッケージ(PGAセラミックパッケー
ジ)、2・・・ピン、3・・・メッキ用フレーム、4・
・・導体パターン、5・・・スルーホール、6・・・メ
ッキ用フレームの開口部、7・・・孔、8・・・切欠
(スリット)、9・・・保持片、10・・・ピン保持
部、11・・・ダイス、12・・・案内ピン、13・・
・フレーム保持部材、14・・・上ポンチ、15・・・
メッキ用ラック、16・・・ICパッケージ保持台、1
7・・・フォーク、18・・・フォーク押し上げ部材、
19・・・半導体素子、20・・・キャップ
1 ... IC package (PGA ceramic package), 2 ... Pin, 3 ... Plating frame, 4 ...
..Conductor pattern, 5: Through hole, 6: Opening of plating frame, 7: Hole, 8: Notch (slit), 9: Holding piece, 10: Pin Holder, 11: die, 12: guide pin, 13 ...
・ Frame holding member, 14 ... Upper punch, 15 ...
Plating rack, 16 ... IC package holder, 1
7 ... fork, 18 ... fork lifting member,
19: semiconductor element, 20: cap

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新屋 裕之 山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番1 株式会社住友金属セラミックス内 (56)参考文献 特開 平4−286131(JP,A) 特開 平6−302742(JP,A) 特開 平6−302743(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/50 C25D 7/00 C25D 17/08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Hiroyuki Shinya 2701-1, Iwakura, Omine-cho, Omine-cho, Mine-shi, Yamaguchi Pref. Sumitomo Metal Ceramics Co., Ltd. JP-A-6-302742 (JP, A) JP-A-6-302743 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 23/50 C25D 7/00 C25D 17/08

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 導体パターンと、該導体パターンと電気
的導通する多数のピンを有するICパッケージの製造方
法において、該ICパッケージのピンに対応する位置
に、該ピンの先端径より小径の孔を有し、かつ該孔の周
囲に複数個のスリットまたは切欠を有し、該スリットま
たは切欠によりピン保持部を形成した導電性材料よりな
るメッキ用フレームを用い、該メッキ用フレームの孔に
ピンの先端部を挿入し、該ピン保持部を押し広げ変形さ
せて、該メッキ用フレームとピンを接合し、該メッキ用
フレームを介して該ピンと該導体パターンをメッキ処理
した後、該メッキ用フレームを取り外すと共に、該ピン
と該ピン保持部との接触部位より該ICパッケージ本体
側に寄った位置を切断することを特徴とするICパッケ
ージの製造方法。
1. A method of manufacturing an IC package having a conductor pattern and a number of pins electrically connected to the conductor pattern, wherein a hole having a diameter smaller than the tip diameter of the pin is formed at a position corresponding to the pin of the IC package. And having a plurality of slits or notches around the hole, using a plating frame made of a conductive material having a pin holding portion formed by the slit or notch, and inserting a pin into the hole of the plating frame. Inserting the tip, pushing and deforming the pin holding portion, joining the plating frame and the pin, plating the pin and the conductor pattern through the plating frame, and then removing the plating frame A method for manufacturing an IC package, comprising: removing a pin and cutting a position closer to the IC package body from a contact portion between the pin and the pin holding portion.
【請求項2】 導電性材料よりなり、ICパッケージの
ピンに対応する位置に、該ピンの先端径より小径の孔を
有し、かつ該孔の周囲に複数個のスリットまたは切欠を
有し、該スリットまたは切欠によりピン保持部を形成
し、該小径孔にICパッケージのピンを挿入し、該ピン
保持部を押し広げ変形させて、該ピンを接合し、該ピン
およびICパッケージの導体パターンのメッキ処理可能
にし、更に前記ピン保持部のピン挿入側がハーフエッチ
ングにより肉薄に形成されていることを特徴とするメッ
キ用フレーム。
2. A pin made of a conductive material and having a diameter smaller than the tip diameter of the pin at a position corresponding to the pin of the IC package, and having a plurality of slits or notches around the hole. A pin holding portion is formed by the slit or notch, a pin of the IC package is inserted into the small-diameter hole, the pin holding portion is expanded and deformed, and the pin is joined to join the pin and the conductor pattern of the IC package. A plating frame, wherein a plating process is enabled, and a pin insertion side of the pin holding portion is formed thin by half etching.
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