JP2958384B2 - 透明導電体膜を含む多層膜の作製方法 - Google Patents
透明導電体膜を含む多層膜の作製方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電体膜を含む多
層膜の作製方法に関するものである。
層膜の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】透明導電体膜は、例えば、液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬ
Ｄ）、エレクトロクロミックディスプレイ等のディスプ
レイ、または太陽電池等の窓材として数多く利用されて
いる。透明導電体膜を含む多層膜は、透明導電体膜上に
積層する機能膜としての、例えば、酸化物膜を種々変え
ることで、様々な用途に用いられている。例えば、酸化
物膜を蛍光体膜にすることで、エレクトロルミネッセン
スディスプレー、エレクトロクロミック膜にすること
で、エレクトロクロミックディスプレーや、エレクトロ
クロミック調光デバイスなど、あるいは、抵抗体、強誘
電体、磁性体の応用が考えられる。また、透明導電体膜
上に積層する機能膜としては、酸化物膜に限らず、目的
に応じて種々な膜が考えられている。
レイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬ
Ｄ）、エレクトロクロミックディスプレイ等のディスプ
レイ、または太陽電池等の窓材として数多く利用されて
いる。透明導電体膜を含む多層膜は、透明導電体膜上に
積層する機能膜としての、例えば、酸化物膜を種々変え
ることで、様々な用途に用いられている。例えば、酸化
物膜を蛍光体膜にすることで、エレクトロルミネッセン
スディスプレー、エレクトロクロミック膜にすること
で、エレクトロクロミックディスプレーや、エレクトロ
クロミック調光デバイスなど、あるいは、抵抗体、強誘
電体、磁性体の応用が考えられる。また、透明導電体膜
上に積層する機能膜としては、酸化物膜に限らず、目的
に応じて種々な膜が考えられている。
【０００３】従来、透明導電体膜の作製方法としては、
例えば、「表面技術vol.43,No.2,p.2 (1992)」等に開示
されているように、スパッタ法や蒸着法が、一般的によ
く知られている。また、特公昭５４−２８３９６号公報
に開示されているように、塗布熱分解法による酸化イン
ジウム被膜の製造方法も知られている。
例えば、「表面技術vol.43,No.2,p.2 (1992)」等に開示
されているように、スパッタ法や蒸着法が、一般的によ
く知られている。また、特公昭５４−２８３９６号公報
に開示されているように、塗布熱分解法による酸化イン
ジウム被膜の製造方法も知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】透明導電体膜に求めら
れる特性としては、透明性（高い可視光透過率）、導電
性のみでなく、環境安定性、特に熱に対する安定性が求
められている。というのは、透明導電体膜作製後、その
上層に機能膜を作製する場合、高温に晒される場合があ
り、また、機能膜作製後、結晶性を向上させるためや欠
陥を低減するため熱処理を施す必要があるためである。
れる特性としては、透明性（高い可視光透過率）、導電
性のみでなく、環境安定性、特に熱に対する安定性が求
められている。というのは、透明導電体膜作製後、その
上層に機能膜を作製する場合、高温に晒される場合があ
り、また、機能膜作製後、結晶性を向上させるためや欠
陥を低減するため熱処理を施す必要があるためである。
【０００５】しかしながら、従来においては、透明導電
体膜として知られている酸化インジウム／酸化錫（ＩＴ
Ｏ）は、通常多結晶体として成膜されるが、このような
透明導電体膜は、その上に積層する機能膜の形成に際し
て加熱処理を行なう場合、例えば、「表面技術vol.43,N
o.12,p.98(1992) 」等に開示されているように、加熱処
理によって、透明導電体の導電性が変化するという欠
点、すなわち、その後の加熱により抵抗率が増加するこ
とが知られている。
体膜として知られている酸化インジウム／酸化錫（ＩＴ
Ｏ）は、通常多結晶体として成膜されるが、このような
透明導電体膜は、その上に積層する機能膜の形成に際し
て加熱処理を行なう場合、例えば、「表面技術vol.43,N
o.12,p.98(1992) 」等に開示されているように、加熱処
理によって、透明導電体の導電性が変化するという欠
点、すなわち、その後の加熱により抵抗率が増加するこ
とが知られている。
【０００６】一方、前述した特公昭５４−２８３９６号
公報には、塗布熱分解法によって酸化インジウム被膜を
形成することが開示されているだけで、その形成した酸
化インジウム被膜の上に更に他の被膜を積層することに
ついては、なにも記載がないのである。
公報には、塗布熱分解法によって酸化インジウム被膜を
形成することが開示されているだけで、その形成した酸
化インジウム被膜の上に更に他の被膜を積層することに
ついては、なにも記載がないのである。
【０００７】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点にかんがみ、透明導電体膜上に、その導電性を変化
させることなく機能膜を積層できるようにする方法を提
供することである。
題点にかんがみ、透明導電体膜上に、その導電性を変化
させることなく機能膜を積層できるようにする方法を提
供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による透明導電体
膜を含む多層膜の作製方法は、透明基板上に有機インジ
ウム化合物含有溶液を、塗布、熱分解して、酸化インジ
ウム系透明導電体膜を形成し、次いで、前記透明導電体
膜上に、直接的または間接的に、酸化インジウム系以外
の機能膜を、加熱プロセスを含むプロセスにより形成す
ることを特徴とする。
膜を含む多層膜の作製方法は、透明基板上に有機インジ
ウム化合物含有溶液を、塗布、熱分解して、酸化インジ
ウム系透明導電体膜を形成し、次いで、前記透明導電体
膜上に、直接的または間接的に、酸化インジウム系以外
の機能膜を、加熱プロセスを含むプロセスにより形成す
ることを特徴とする。
【０００９】
【作用】有機インジウム化合物含有溶液の塗布、熱分解
の手段により形成された透明導電体膜は、この透明導電
体膜上に、機能膜を成膜後、熱処理を施しても、透明導
電体膜の導電性が下がらないので、透明導電体膜を必要
とする多層膜の作製に利用できる。
の手段により形成された透明導電体膜は、この透明導電
体膜上に、機能膜を成膜後、熱処理を施しても、透明導
電体膜の導電性が下がらないので、透明導電体膜を必要
とする多層膜の作製に利用できる。
【００１０】
【実施例】次に、添付図面を参照して、本発明の透明導
電体膜を含む多層膜の作製方法を実施する具体例につい
て、本発明をより詳細に説明する。
電体膜を含む多層膜の作製方法を実施する具体例につい
て、本発明をより詳細に説明する。
【００１１】先ず、その具体例について説明する前に、
本発明の多層膜の作製方法を実施するのに使用しうる各
構成部分の材料等の例について説明しておく。本発明に
使用される透明基板の例としては、石英、無アルカリガ
ラス、ほうけい酸ガラス等の耐熱性透明基板が挙げられ
る。透明基板の厚さは、特に限定されない。また透明導
電体膜の形成に使用される有機インジウム化合物として
は、（Ｒ1 ＣＯＯ）3Ｉｎ［式中Ｒ1 は、炭素原子数４
〜１６のアルキル基を示す］、（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣ
Ｈ3 ）3 Ｉｎ等が挙げられる。
本発明の多層膜の作製方法を実施するのに使用しうる各
構成部分の材料等の例について説明しておく。本発明に
使用される透明基板の例としては、石英、無アルカリガ
ラス、ほうけい酸ガラス等の耐熱性透明基板が挙げられ
る。透明基板の厚さは、特に限定されない。また透明導
電体膜の形成に使用される有機インジウム化合物として
は、（Ｒ1 ＣＯＯ）3Ｉｎ［式中Ｒ1 は、炭素原子数４
〜１６のアルキル基を示す］、（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣ
Ｈ3 ）3 Ｉｎ等が挙げられる。
【００１２】また、透明導電体膜上に形成する有機イン
ジウム金属化合物含有溶液には、有機インジウム金属化
合物の他に、導電性を向上させるために、有機スズ化合
物を加えても良い。有機スズ化合物としては、（Ｒ2 Ｃ
ＯＯ）2 Ｓｎ［式中Ｒ2 は、炭素原子数４〜１６のアル
キル基を示す］、（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）2 Ｓｎ
等が挙げられる。有機スズ化合物の添加量は、スズ／イ
ンジウムのモル比にして、０〜４０％が望ましい。スズ
のモル比をこれ以上多くすると導電性が低くなる。
ジウム金属化合物含有溶液には、有機インジウム金属化
合物の他に、導電性を向上させるために、有機スズ化合
物を加えても良い。有機スズ化合物としては、（Ｒ2 Ｃ
ＯＯ）2 Ｓｎ［式中Ｒ2 は、炭素原子数４〜１６のアル
キル基を示す］、（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）2 Ｓｎ
等が挙げられる。有機スズ化合物の添加量は、スズ／イ
ンジウムのモル比にして、０〜４０％が望ましい。スズ
のモル比をこれ以上多くすると導電性が低くなる。
【００１３】有機インジウム化合物含有溶液の溶媒とし
ては、石英、無アルカリガラス、ほうけい酸ガラス等の
透明基板へのぬれ性の点から、オクタン、デカン、ドデ
カン、トリデカン等の脂肪族炭化水素が、特に望ましい
が、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、塩化メチ
レン等のハロゲン化炭化水素等、有機インジウム化合物
の溶解性を有する溶媒であればよい。溶液の濃度は、固
形分比が５〜５０％の範囲が望ましい。
ては、石英、無アルカリガラス、ほうけい酸ガラス等の
透明基板へのぬれ性の点から、オクタン、デカン、ドデ
カン、トリデカン等の脂肪族炭化水素が、特に望ましい
が、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、塩化メチ
レン等のハロゲン化炭化水素等、有機インジウム化合物
の溶解性を有する溶媒であればよい。溶液の濃度は、固
形分比が５〜５０％の範囲が望ましい。
【００１４】また、添加剤として、溶液を増粘化して、
基板との密着性を高めるためにエチルセルロース、ニト
ロセルロース等のセルロース誘導体を添加したり、ある
いは基板とのぬれ性を改善するためリノール酸、リノレ
ン酸等の不飽和カルボン酸を添加してもよい。添加量
は、それぞれ０〜５０％の範囲が望ましい。
基板との密着性を高めるためにエチルセルロース、ニト
ロセルロース等のセルロース誘導体を添加したり、ある
いは基板とのぬれ性を改善するためリノール酸、リノレ
ン酸等の不飽和カルボン酸を添加してもよい。添加量
は、それぞれ０〜５０％の範囲が望ましい。
【００１５】また、透明導電体膜上に形成される多層膜
として、蛍光体膜の場合、これを有機金属化合物含有溶
液の塗布、熱分解により形成するときには、Ｃａ、Ｗ、
Ｂａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ａｓ、Ｇ
ｅ、Ｙ、Ｖ、Ｇａ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｅｕ、Ｅ
ｒ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｔｂ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｂｉ等を含
有する有機金属化合物が使用される。また、その他蛍光
体膜となる膜を積層後に熱処理することにより形成する
ときには、特に、II−VI属の化合物としてＭｇＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳ等の硫化物、ＺｎＯ、Ｚｎ
2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎ 2+、ＣａＷＯ4 、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ3+、
ＢａＭｇ2 Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+、ＹＡｌＯ 3 ：Ｅｒ3+、
Ｇａ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂ3+等の酸化物、ＢａＦ2 、Ｃａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2：Ｍｎ2+等のフッ化物、ＬａＰＯ4 ：Ｃ
ｅ3+、Ｔｂ3+、（Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）3（ＰＯ4 ）3 Ｃ
ｌ：Ｅｕ2+等のリン酸、ハロリン酸化化合物等が使用さ
れる。
として、蛍光体膜の場合、これを有機金属化合物含有溶
液の塗布、熱分解により形成するときには、Ｃａ、Ｗ、
Ｂａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ａｓ、Ｇ
ｅ、Ｙ、Ｖ、Ｇａ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｅｕ、Ｅ
ｒ、Ｓｍ、Ｔｍ、Ｔｂ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｂｉ等を含
有する有機金属化合物が使用される。また、その他蛍光
体膜となる膜を積層後に熱処理することにより形成する
ときには、特に、II−VI属の化合物としてＭｇＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳ等の硫化物、ＺｎＯ、Ｚｎ
2 ＳｉＯ4 ：Ｍｎ 2+、ＣａＷＯ4 、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ3+、
ＢａＭｇ2 Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+、ＹＡｌＯ 3 ：Ｅｒ3+、
Ｇａ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂ3+等の酸化物、ＢａＦ2 、Ｃａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2：Ｍｎ2+等のフッ化物、ＬａＰＯ4 ：Ｃ
ｅ3+、Ｔｂ3+、（Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）3（ＰＯ4 ）3 Ｃ
ｌ：Ｅｕ2+等のリン酸、ハロリン酸化化合物等が使用さ
れる。
【００１６】エレクトロクロミック膜としては、これを
有機金属化合物含有溶液の塗布、熱分解により形成する
ときには、Ｖ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ等を含有する有機
金属化合物が使用される。また、その他エレクトロクロ
ミック膜となる膜を積層後に熱処理することにより形成
するときには、特に、Ｖ2 Ｏ5 、ＷＯ3 、ＮｉＯ、Ｍｏ
Ｏ2 等が使用される。
有機金属化合物含有溶液の塗布、熱分解により形成する
ときには、Ｖ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ等を含有する有機
金属化合物が使用される。また、その他エレクトロクロ
ミック膜となる膜を積層後に熱処理することにより形成
するときには、特に、Ｖ2 Ｏ5 、ＷＯ3 、ＮｉＯ、Ｍｏ
Ｏ2 等が使用される。
【００１７】磁性体膜を作製するためのものとしては、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｇ、Ｇ
ｄ、Ｓｒ、Ｖ等を含有する有機金属化合物が使用され
る。
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｍｇ、Ｇ
ｄ、Ｓｒ、Ｖ等を含有する有機金属化合物が使用され
る。
【００１８】強誘電体膜を作製するためのものとして
は、Ｔｉ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｇｅ、Ｚ
ｎ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｇａ、Ａｌ等を含有する有機金属化合物が使用され
る。
は、Ｔｉ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｇｅ、Ｚ
ｎ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｇａ、Ａｌ等を含有する有機金属化合物が使用され
る。
【００１９】絶縁体膜としては、これを有機金属化合物
含有溶液の塗布、熱分解により形成するときには、Ｓ
ｉ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、Ｚｒ、Ｃａ、
Ｂａ、Ｔａ等を含有する有機金属化合物が使用される。
また、その他絶縁体膜となる膜を積層後に熱処理するこ
とにより形成するときには、特に、ＳｉＯ2 、Ｙ
2 Ｏ3、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＰｂＴｉＯ3 、Ｂａ
Ｔａ2 Ｏ6 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等が挙げられ
る。
含有溶液の塗布、熱分解により形成するときには、Ｓ
ｉ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、Ｚｒ、Ｃａ、
Ｂａ、Ｔａ等を含有する有機金属化合物が使用される。
また、その他絶縁体膜となる膜を積層後に熱処理するこ
とにより形成するときには、特に、ＳｉＯ2 、Ｙ
2 Ｏ3、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＰｂＴｉＯ3 、Ｂａ
Ｔａ2 Ｏ6 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 等が挙げられ
る。
【００２０】有機金属化合物含有溶液の溶媒としては、
有機金属化合物の溶解性を有する溶媒であればよい。例
えば、オクタン、デカン、トリデカン等の脂肪族炭化水
素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、塩化メチ
レン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、エタノ
ール、ブタノール、ターピオネール、エチレングリコー
ル等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ベ
ンジル等のエステル類等が挙げられる。
有機金属化合物の溶解性を有する溶媒であればよい。例
えば、オクタン、デカン、トリデカン等の脂肪族炭化水
素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、塩化メチ
レン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、エタノ
ール、ブタノール、ターピオネール、エチレングリコー
ル等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸ベ
ンジル等のエステル類等が挙げられる。
【００２１】溶液の濃度は、固形分比が５〜５０％の範
囲が望ましい。市販の金属レジネートを使用する場合
は、上記の溶媒で希釈してもよいが、金属レジネートを
そのまま用いてもかまわない。
囲が望ましい。市販の金属レジネートを使用する場合
は、上記の溶媒で希釈してもよいが、金属レジネートを
そのまま用いてもかまわない。
【００２２】また、添加剤として、溶液を増粘化して、
基板との密着性を高めるためにエチルセルロース、ニト
ロセルロース等のセルロース誘導体を添加したり、ある
いは基板とのぬれ性を改善するためリノール酸、リノレ
ン酸等の不飽和カルボン酸を添加してもよい。添加量
は、それぞれ０〜５０％の範囲が望ましい。
基板との密着性を高めるためにエチルセルロース、ニト
ロセルロース等のセルロース誘導体を添加したり、ある
いは基板とのぬれ性を改善するためリノール酸、リノレ
ン酸等の不飽和カルボン酸を添加してもよい。添加量
は、それぞれ０〜５０％の範囲が望ましい。
【００２３】有機インジウム化合物含有溶液およびその
他の有機金属化合物含有溶液の塗布方法としては、例え
ば、バーコート塗布、スピンコート塗布、スプレー塗
布、スクリーン印刷、ディップ塗布等の方法が挙げられ
る。
他の有機金属化合物含有溶液の塗布方法としては、例え
ば、バーコート塗布、スピンコート塗布、スプレー塗
布、スクリーン印刷、ディップ塗布等の方法が挙げられ
る。
【００２４】有機インジウム化合物含有溶液の塗布膜の
熱分解の方法は、電気炉等で、４００〜１５００°Ｃの
温度で、３０分〜１０時間行なう。焼成温度が、低いと
有機インジウム化合物の熱分解が不充分で導電性が低
く、高いと基板成分が酸化インジウム膜中に侵入し、導
電性が低くなる。焼成時間は、１０時間以上行っても構
わないが、特に１０時間以上行なう必要はない。焼成の
雰囲気は、空気中、窒素、酸素フロー中、窒素、酸素置
換雰囲気、減圧雰囲気等が挙げられる。焼成された酸化
物の膜厚は、0.０５〜１０μｍが望ましい。これより、
薄いと導電性が低く、厚すぎると透明性が悪くなる。ま
た、膜厚を厚くするために、有機インジウム化合物含有
溶液の塗布、熱分解を、繰り返しても構わない。
熱分解の方法は、電気炉等で、４００〜１５００°Ｃの
温度で、３０分〜１０時間行なう。焼成温度が、低いと
有機インジウム化合物の熱分解が不充分で導電性が低
く、高いと基板成分が酸化インジウム膜中に侵入し、導
電性が低くなる。焼成時間は、１０時間以上行っても構
わないが、特に１０時間以上行なう必要はない。焼成の
雰囲気は、空気中、窒素、酸素フロー中、窒素、酸素置
換雰囲気、減圧雰囲気等が挙げられる。焼成された酸化
物の膜厚は、0.０５〜１０μｍが望ましい。これより、
薄いと導電性が低く、厚すぎると透明性が悪くなる。ま
た、膜厚を厚くするために、有機インジウム化合物含有
溶液の塗布、熱分解を、繰り返しても構わない。
【００２５】その他の有機金属化合物含有溶液の塗布膜
の熱分解の方法は、電気炉等で、４００〜１５００°Ｃ
の温度で、３０分〜１０時間行なう。焼成の雰囲気は、
空気中、窒素、酸素フロー中、窒素、酸素置換雰囲気、
減圧雰囲気等が挙げられる。焼成されたそれぞれの酸化
物の膜厚は、0.０５〜１０μｍが望ましい。また、膜厚
を厚くするために、同一の有機金属化合物含有溶液の塗
布、熱分解を、繰り返しても構わない。
の熱分解の方法は、電気炉等で、４００〜１５００°Ｃ
の温度で、３０分〜１０時間行なう。焼成の雰囲気は、
空気中、窒素、酸素フロー中、窒素、酸素置換雰囲気、
減圧雰囲気等が挙げられる。焼成されたそれぞれの酸化
物の膜厚は、0.０５〜１０μｍが望ましい。また、膜厚
を厚くするために、同一の有機金属化合物含有溶液の塗
布、熱分解を、繰り返しても構わない。
【００２６】多層膜の構成としては、透明基板上に有機
インジウム化合物含有溶液の塗布、熱分解で形成された
透明導電体膜上に、１層または多層の有機インジウム化
合物以外の有機金属化合物含有溶液の塗布、熱分解で形
成された１層または多層の酸化物膜が挙げられる。ま
た、有機インジウム化合物含有溶液の塗布、熱分解で形
成された透明導電体膜上あるいは、１層または多層の有
機インジウム化合物以外の有機金属化合物含有溶液の塗
布、熱分解で形成された１層または多層の酸化物膜の上
あるいは、それらの間の層として、有機金属化合物含有
溶液の塗布、熱分解以外の方法、例えば、蒸着やスパッ
タ等で形成された金属膜、酸化物膜、窒化物膜、硫化物
膜等の１層または多層を含んでいても構わない。
インジウム化合物含有溶液の塗布、熱分解で形成された
透明導電体膜上に、１層または多層の有機インジウム化
合物以外の有機金属化合物含有溶液の塗布、熱分解で形
成された１層または多層の酸化物膜が挙げられる。ま
た、有機インジウム化合物含有溶液の塗布、熱分解で形
成された透明導電体膜上あるいは、１層または多層の有
機インジウム化合物以外の有機金属化合物含有溶液の塗
布、熱分解で形成された１層または多層の酸化物膜の上
あるいは、それらの間の層として、有機金属化合物含有
溶液の塗布、熱分解以外の方法、例えば、蒸着やスパッ
タ等で形成された金属膜、酸化物膜、窒化物膜、硫化物
膜等の１層または多層を含んでいても構わない。
【００２７】また、有機金属化合物含有溶液の塗布、熱
分解によらず、その他機能膜となる膜を積層後熱処理す
ることにより機能膜を形成する場合には、スパッタ法、
蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法等の真空系を使うドラ
イな方法、透明導電体膜と同様のペーストを用いた塗
布、印刷によるウエットな方法のどちらをも使用でき
る。積層膜の熱処理は、通常の電気炉（マッフル炉）、
赤外炉、ベルト炉等やレーザ等による局所的な熱処理を
行ってもよい。熱処理温度としては、基板の軟化温度以
下であればよいが、熱処理の目的として結晶性の向上、
欠陥の低減等を行なう場合は、通常は、４００°Ｃ〜１
１００°Ｃ程度が用いられる。また、熱処理雰囲気とし
ては、熱処理中に酸化されることを嫌う場合は、窒素、
アルゴン等の不活性雰囲気、また同時に還元処理を行な
う場合、これに加えて、水素、水蒸気等の還元雰囲気で
行なう。その他、大気中、酸素中、減圧雰囲気等が挙げ
られる。
分解によらず、その他機能膜となる膜を積層後熱処理す
ることにより機能膜を形成する場合には、スパッタ法、
蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法等の真空系を使うドラ
イな方法、透明導電体膜と同様のペーストを用いた塗
布、印刷によるウエットな方法のどちらをも使用でき
る。積層膜の熱処理は、通常の電気炉（マッフル炉）、
赤外炉、ベルト炉等やレーザ等による局所的な熱処理を
行ってもよい。熱処理温度としては、基板の軟化温度以
下であればよいが、熱処理の目的として結晶性の向上、
欠陥の低減等を行なう場合は、通常は、４００°Ｃ〜１
１００°Ｃ程度が用いられる。また、熱処理雰囲気とし
ては、熱処理中に酸化されることを嫌う場合は、窒素、
アルゴン等の不活性雰囲気、また同時に還元処理を行な
う場合、これに加えて、水素、水蒸気等の還元雰囲気で
行なう。その他、大気中、酸素中、減圧雰囲気等が挙げ
られる。
【００２８】次に、本発明の透明導電体膜を含む多層膜
の作製方法を実施する実施例について説明する。
の作製方法を実施する実施例について説明する。
【００２９】［実施例１］本発明の作製方法にしたがっ
て、図１に模式的に示す断面を有する多層膜構造体を作
製するために、（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）3 Ｉｎ0.５ｇ、（Ｃ
8 Ｈ17ＣＯＯ）2Ｓｎ0.０１３g をドデカン1.８５７ｇ
に溶かす。この溶液をワイヤーバー（＃１０）で、石英
基板１に塗布し、４５°Ｃで３０分間乾燥後、空気中
で、８００°Ｃ、１時間焼成して、Ｉｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ
2 膜２を得る。この膜２は、透明導電体膜であり、シー
ト抵抗は、0.８ｋΩ／□、可視光透過率は、９５％、膜
厚は、0.２μｍであった。
て、図１に模式的に示す断面を有する多層膜構造体を作
製するために、（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）3 Ｉｎ0.５ｇ、（Ｃ
8 Ｈ17ＣＯＯ）2Ｓｎ0.０１３g をドデカン1.８５７ｇ
に溶かす。この溶液をワイヤーバー（＃１０）で、石英
基板１に塗布し、４５°Ｃで３０分間乾燥後、空気中
で、８００°Ｃ、１時間焼成して、Ｉｎ2 Ｏ3 ／ＳｎＯ
2 膜２を得る。この膜２は、透明導電体膜であり、シー
ト抵抗は、0.８ｋΩ／□、可視光透過率は、９５％、膜
厚は、0.２μｍであった。
【００３０】この透明導電体膜２の上に、Ｓｉレジネー
ト（ＮＥケムキャット社製）0.５ｇ、ｎ−ブタノール1.
０ｇの溶液をワイヤーバー（＃１０）で塗布し、４５°
Ｃで３０分間乾燥後、空気中で、８００°Ｃにて１時間
焼成して、膜厚0.２μｍのＳｉＯ2 膜３を得る。さら
に、ＳｉＯ2 膜３の上に、（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）2 Ｚｎ1.
６６ｇ、Ｓｉレジネート（ＮＥケムキャット社製）0.５
９ｇ、（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）2 Ｍｎ0.０５６ｇをターピネ
オール1.５ｇの溶液をワイヤーバー（＃１０）で塗布
し、４５°Ｃで３０分間乾燥後、空気中で、８００°
Ｃ、１時間焼成して、膜厚0.３μｍのＺｎ2 ＳｉＯ4 ：
Ｍｎ膜４である蛍光体層を得る。さらに、この蛍光体層
４の上にＳｉＯ2 膜５を前記と同様に積層後、このＳｉ
Ｏ2 膜５の上に、Ａｌを0.５μｍの膜厚に蒸着して、電
極層６を設けることで、図１に断面を模式的に示すよう
な多層膜が得られた。この多層膜に電圧を１５０Ｖ印加
すると、緑色の蛍光が確認された。
ト（ＮＥケムキャット社製）0.５ｇ、ｎ−ブタノール1.
０ｇの溶液をワイヤーバー（＃１０）で塗布し、４５°
Ｃで３０分間乾燥後、空気中で、８００°Ｃにて１時間
焼成して、膜厚0.２μｍのＳｉＯ2 膜３を得る。さら
に、ＳｉＯ2 膜３の上に、（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）2 Ｚｎ1.
６６ｇ、Ｓｉレジネート（ＮＥケムキャット社製）0.５
９ｇ、（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）2 Ｍｎ0.０５６ｇをターピネ
オール1.５ｇの溶液をワイヤーバー（＃１０）で塗布
し、４５°Ｃで３０分間乾燥後、空気中で、８００°
Ｃ、１時間焼成して、膜厚0.３μｍのＺｎ2 ＳｉＯ4 ：
Ｍｎ膜４である蛍光体層を得る。さらに、この蛍光体層
４の上にＳｉＯ2 膜５を前記と同様に積層後、このＳｉ
Ｏ2 膜５の上に、Ａｌを0.５μｍの膜厚に蒸着して、電
極層６を設けることで、図１に断面を模式的に示すよう
な多層膜が得られた。この多層膜に電圧を１５０Ｖ印加
すると、緑色の蛍光が確認された。
【００３１】次に、本発明の作製方法による効果を確認
するため、前述の本発明による［実施例１］と比較しう
るように、従来方法によって同様の構造の多層膜を作製
してみた比較例１について説明する。
するため、前述の本発明による［実施例１］と比較しう
るように、従来方法によって同様の構造の多層膜を作製
してみた比較例１について説明する。
【００３２】［比較例１］石英基板１に、Ｉｎ2 Ｏ3 ／
ＳｎＯ2 を真空蒸着で、膜厚0.２μｍのＩＴＯ透明導電
体膜２を形成する。この透明導電体膜２の上に、前述の
［実施例１］と同様の方法で、ＳｉＯ2 膜３、Ｚｎ2 Ｓ
ｉＯ4 ：Ｍｎ膜４、ＳｉＯ2 膜５、Ａｌ膜６を積層し
て、透明導電体膜２を真空蒸着で作製したことを除き、
前述の［実施例１］と同様の構成の多層膜が得られた。
この多層膜に電圧を３００Ｖ印加しても蛍光の発色は、
確認されなかった。
ＳｎＯ2 を真空蒸着で、膜厚0.２μｍのＩＴＯ透明導電
体膜２を形成する。この透明導電体膜２の上に、前述の
［実施例１］と同様の方法で、ＳｉＯ2 膜３、Ｚｎ2 Ｓ
ｉＯ4 ：Ｍｎ膜４、ＳｉＯ2 膜５、Ａｌ膜６を積層し
て、透明導電体膜２を真空蒸着で作製したことを除き、
前述の［実施例１］と同様の構成の多層膜が得られた。
この多層膜に電圧を３００Ｖ印加しても蛍光の発色は、
確認されなかった。
【００３３】真空蒸着のＩＴＯ透明導電体膜（比較例
１）と塗布熱分解法のＩＴＯ透明導電体膜（実施例１）
との耐熱性を比べると図２のように、塗布熱分解法のＩ
ＴＯ透明導電体膜は、熱処理によって、抵抗値がかわら
ないのに対して、真空蒸着のＩＴＯ透明導電体膜は、抵
抗が高くなる。このため、真空蒸着のＩＴＯ透明導電体
膜の上に塗布熱分解法で他の膜を積層させた比較例にお
いて、蛍光が見られなかったものと思われる。真空蒸着
のＩＴＯ透明導電体膜の他に、スパッタ法で作製したＩ
ＴＯ透明導電体膜においても真空蒸着と同様に熱処理に
よって、抵抗値の上昇する現象がみられた。
１）と塗布熱分解法のＩＴＯ透明導電体膜（実施例１）
との耐熱性を比べると図２のように、塗布熱分解法のＩ
ＴＯ透明導電体膜は、熱処理によって、抵抗値がかわら
ないのに対して、真空蒸着のＩＴＯ透明導電体膜は、抵
抗が高くなる。このため、真空蒸着のＩＴＯ透明導電体
膜の上に塗布熱分解法で他の膜を積層させた比較例にお
いて、蛍光が見られなかったものと思われる。真空蒸着
のＩＴＯ透明導電体膜の他に、スパッタ法で作製したＩ
ＴＯ透明導電体膜においても真空蒸着と同様に熱処理に
よって、抵抗値の上昇する現象がみられた。
【００３４】［実施例２］（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）3 Ｉｎ0.
５ｇ、（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）2 Ｓｎ0.０１３ｇをドデカン
1.８５７ｇに溶かす。この溶液をワイヤーバー（＃１
０）で、石英基板に塗布し、４５°Ｃで３０分間乾燥
後、空気中で、８００°Ｃ１時間焼成して、Ｉｎ2 Ｏ3
／ＳｎＯ2 膜を得る。この膜のシート抵抗は、0.８ｋΩ
／□、可視光透過率９５％、膜厚0.２μｍの透明導電体
膜が得られた。この透明導電体膜の上に、タングステン
酸２−エチルヘキシルアンモニウム溶液をスピンコータ
ーで、塗布し、空気中で、８００°Ｃ１５分間焼成し
て、膜厚0.２μｍの酸化タングステン膜を得る。
５ｇ、（Ｃ8 Ｈ17ＣＯＯ）2 Ｓｎ0.０１３ｇをドデカン
1.８５７ｇに溶かす。この溶液をワイヤーバー（＃１
０）で、石英基板に塗布し、４５°Ｃで３０分間乾燥
後、空気中で、８００°Ｃ１時間焼成して、Ｉｎ2 Ｏ3
／ＳｎＯ2 膜を得る。この膜のシート抵抗は、0.８ｋΩ
／□、可視光透過率９５％、膜厚0.２μｍの透明導電体
膜が得られた。この透明導電体膜の上に、タングステン
酸２−エチルヘキシルアンモニウム溶液をスピンコータ
ーで、塗布し、空気中で、８００°Ｃ１５分間焼成し
て、膜厚0.２μｍの酸化タングステン膜を得る。
【００３５】タングステン酸２−エチルヘキシルアンモ
ニウム溶液の調整は、以下のように行った。２−エチル
ヘキシルアミン5.６９ｇに水２０ｍｌと濃塩酸４０ｍｌ
を加えＡ液を調整した。また、タングステン酸5.００
ｇ、水酸化ナトリウム１6.０ｇ、水６０ｍｌを混合し、
Ｂ液を調整した。Ａ液にＢ液を徐々に加え、さらに、２
−エチルヘキシルアミン3.８６ｇ加え、塩化メチレン６
０ｍｌで３回抽出した。有機層から、溶媒留去した後、
キシレン５０ｍｌとリノール酸２−エチルヘキシルアン
モニウム１4.８６ｇを加えて、タングステン酸２−エチ
ルヘキシルアンモニウム溶液を得た。
ニウム溶液の調整は、以下のように行った。２−エチル
ヘキシルアミン5.６９ｇに水２０ｍｌと濃塩酸４０ｍｌ
を加えＡ液を調整した。また、タングステン酸5.００
ｇ、水酸化ナトリウム１6.０ｇ、水６０ｍｌを混合し、
Ｂ液を調整した。Ａ液にＢ液を徐々に加え、さらに、２
−エチルヘキシルアミン3.８６ｇ加え、塩化メチレン６
０ｍｌで３回抽出した。有機層から、溶媒留去した後、
キシレン５０ｍｌとリノール酸２−エチルヘキシルアン
モニウム１4.８６ｇを加えて、タングステン酸２−エチ
ルヘキシルアンモニウム溶液を得た。
【００３６】透明導電体膜上に、形成された酸化タング
ステン膜に、対向電極として、ＮｉＯ膜を形成させたＩ
ＴＯコートガラスを２０μｍのギャップが生じるように
配設し、電解質として１ｍｏｌ／ｌの濃度を有するＬｉ
ＣｌＯ4 のプロピレンカーボネート溶液を用いて、エレ
クトロクロミックセルを作製した。
ステン膜に、対向電極として、ＮｉＯ膜を形成させたＩ
ＴＯコートガラスを２０μｍのギャップが生じるように
配設し、電解質として１ｍｏｌ／ｌの濃度を有するＬｉ
ＣｌＯ4 のプロピレンカーボネート溶液を用いて、エレ
クトロクロミックセルを作製した。
【００３７】このエレクトロクロミックセルの酸化タン
グステン膜を負極として直流３Ｖを印加したところ、Ｅ
ＣＤは黒青色に変化し、電圧印加３分後、７００ｎｍの
吸光度変化は0.４であった。さらに、極性を逆にして３
Ｖを印加したところ、黒青色は消えた。この発色消色
は、繰り返し行うことができた。
グステン膜を負極として直流３Ｖを印加したところ、Ｅ
ＣＤは黒青色に変化し、電圧印加３分後、７００ｎｍの
吸光度変化は0.４であった。さらに、極性を逆にして３
Ｖを印加したところ、黒青色は消えた。この発色消色
は、繰り返し行うことができた。
【００３８】［比較例２］石英基板に、Ｉｎ2 Ｏ3 ／Ｓ
ｎＯ2 を真空蒸着で、膜厚0.２μのＩＴＯ透明導電体膜
を形成する。この透明導電体膜の上に、実施例２と同様
にして、酸化タングステン膜、ＮｉＯ膜対向電極および
ＬｉＣｌＯ4 のプロピレンカーボネート溶液で電解質層
を設けることで、透明導電体膜を真空蒸着で、作製した
ことを除き実施例２と同様の構成のエレクトロクロミッ
クセルが得られた。このエレクトロクロミックセルの酸
化タングステン膜を負極として直流３Ｖを印加したとこ
ろ、ＥＣＤは黒青色に変化し、電圧印加３分後、７００
ｎｍの吸光度変化は0.２であった。
ｎＯ2 を真空蒸着で、膜厚0.２μのＩＴＯ透明導電体膜
を形成する。この透明導電体膜の上に、実施例２と同様
にして、酸化タングステン膜、ＮｉＯ膜対向電極および
ＬｉＣｌＯ4 のプロピレンカーボネート溶液で電解質層
を設けることで、透明導電体膜を真空蒸着で、作製した
ことを除き実施例２と同様の構成のエレクトロクロミッ
クセルが得られた。このエレクトロクロミックセルの酸
化タングステン膜を負極として直流３Ｖを印加したとこ
ろ、ＥＣＤは黒青色に変化し、電圧印加３分後、７００
ｎｍの吸光度変化は0.２であった。
【００３９】［実施例３］先ず、２−エチルヘキサン酸
インジウム0.５ｇと２−エチルヘキサン酸スズ0.０４６
ｇにｎ−ドデカン4.０ｇを加え、充分撹拌することによ
り、均一溶液にした。次に、この溶液をスピンコータを
用いてガラス基板（コーニング ７０５９）上に塗布
し、大気中８００°Ｃ、３０分焼成した。そして、この
塗布、焼成工程を繰り返し、膜厚0.２μｍ、９０Ω／□
の透明導電体膜を作製した。その後、フォトリソグラフ
ィーによりストライプ状の透明導電体膜とした。
インジウム0.５ｇと２−エチルヘキサン酸スズ0.０４６
ｇにｎ−ドデカン4.０ｇを加え、充分撹拌することによ
り、均一溶液にした。次に、この溶液をスピンコータを
用いてガラス基板（コーニング ７０５９）上に塗布
し、大気中８００°Ｃ、３０分焼成した。そして、この
塗布、焼成工程を繰り返し、膜厚0.２μｍ、９０Ω／□
の透明導電体膜を作製した。その後、フォトリソグラフ
ィーによりストライプ状の透明導電体膜とした。
【００４０】この透明導電体膜上にスパッタリングによ
りＴａ2 Ｏ5 薄膜を0.１μｍ着膜し、絶縁層とした。次
に、ＺｎＳ：Ｍｎ（Ｍｎ濃度として１ｗｔ％含有）のタ
ーゲットを用いて電子線蒸着法により0.３μｍの蛍光体
層（発光層）を着膜、積層した。その後、結晶性を向上
させるため６００°Ｃ、１時間、大気中で熱処理を行っ
た。さらに、上記と同様の絶縁膜を積層し、最後に透明
導電体膜と交差するようにマスクを用いてアルミニウム
膜を0.５μｍの厚さに抵抗加熱法で着膜し、二重絶縁層
構造を持つ薄膜ＥＬ素子を作製した。
りＴａ2 Ｏ5 薄膜を0.１μｍ着膜し、絶縁層とした。次
に、ＺｎＳ：Ｍｎ（Ｍｎ濃度として１ｗｔ％含有）のタ
ーゲットを用いて電子線蒸着法により0.３μｍの蛍光体
層（発光層）を着膜、積層した。その後、結晶性を向上
させるため６００°Ｃ、１時間、大気中で熱処理を行っ
た。さらに、上記と同様の絶縁膜を積層し、最後に透明
導電体膜と交差するようにマスクを用いてアルミニウム
膜を0.５μｍの厚さに抵抗加熱法で着膜し、二重絶縁層
構造を持つ薄膜ＥＬ素子を作製した。
【００４１】この薄膜ＥＬ素子は、発光開始電圧１５０
Ｖ／１ＫＨｚでアンバーイエローの発光が認められ、ま
た、発光輝度の高いＥＬ素子が得られた。
Ｖ／１ＫＨｚでアンバーイエローの発光が認められ、ま
た、発光輝度の高いＥＬ素子が得られた。
【００４２】［比較例３］透明導電体膜を電子線蒸着法
で作製した他は、実施例３と同様の方法によりＥＬ素子
を作製した。
で作製した他は、実施例３と同様の方法によりＥＬ素子
を作製した。
【００４３】この薄膜ＥＬ素子は、発光開始電圧が２５
０Ｖ／１ＫＨｚで初めて発光が認められ、また飽和発光
輝度も実施例３よりも低いものであった。
０Ｖ／１ＫＨｚで初めて発光が認められ、また飽和発光
輝度も実施例３よりも低いものであった。
【００４４】［実施例４］基板を石英基板に換えた他
は、実施例３と同様の方法を用いて透明導電体膜を作製
した。この透明導電体膜上にスパッタリングによりＳｉ
Ｏ2 薄膜を0.１μｍ厚に着膜し、絶縁層とした。次に、
下記組成の蛍光体ペーストを用いて、絶縁層上にスピン
コート法により塗布し、大気中で、８００°Ｃ、３０分
焼成して蛍光体膜（発光層）を着膜した。その後、大気
中で、１０００°Ｃ、３時間熱処理を行った。
は、実施例３と同様の方法を用いて透明導電体膜を作製
した。この透明導電体膜上にスパッタリングによりＳｉ
Ｏ2 薄膜を0.１μｍ厚に着膜し、絶縁層とした。次に、
下記組成の蛍光体ペーストを用いて、絶縁層上にスピン
コート法により塗布し、大気中で、８００°Ｃ、３０分
焼成して蛍光体膜（発光層）を着膜した。その後、大気
中で、１０００°Ｃ、３時間熱処理を行った。
【００４５】次に、上記と同様の絶縁層を作製した後、
最後に透明導電体膜と交差するようにマスクを用いてア
ルミニウム膜を0.５μｍ厚に抵抗加熱法で着膜し、二重
絶縁構造を持つ薄膜ＥＬ素子を作製した。
最後に透明導電体膜と交差するようにマスクを用いてア
ルミニウム膜を0.５μｍ厚に抵抗加熱法で着膜し、二重
絶縁構造を持つ薄膜ＥＬ素子を作製した。
【００４６】 蛍光体用ペースト（発光層形成用組成物） ２−エチルヘキサン酸Ｚｎ 1.４２ｇ Ｓｉレジネート（ＮＥケムキャット製） 0.２８ｇ ２−エチルヘキサン酸Ｍｎ 0.０３ｇ ＰＢＭＡの１０ｗｔ％α−テルピネオール溶液 1.７３ｇ フタル酸ジオクチル 1.７３ｇ リノール酸 1.７３ｇ
【００４７】この薄膜ＥＬ素子は、発光開始電圧１００
Ｖ／１ＫＨｚで緑色発光が認められ、また発光輝度の高
いＥＬ素子が得られた。
Ｖ／１ＫＨｚで緑色発光が認められ、また発光輝度の高
いＥＬ素子が得られた。
【００４８】［比較例４］透明導電体膜を電子線蒸着法
で作製した他は、実施例４と同様の方法によりＥＬ素子
を作製した。
で作製した他は、実施例４と同様の方法によりＥＬ素子
を作製した。
【００４９】この薄膜ＥＬ素子は、３００Ｖ／１ＫＨｚ
以上の電圧を印加しても発光が認められなかった。
以上の電圧を印加しても発光が認められなかった。
【００５０】本発明は、耐熱性の透明導電体膜を下層に
含む多層膜の作製方法に関するものであり、前述の実施
例では、薄膜ＥＬ素子やエレクトロクロミックセルの作
製例であったが、耐熱性透明導電性膜を作製後、この上
に他の機能膜を着膜し、その後熱処理するプロセスを含
めばこれら実施例に限定されるものではない。
含む多層膜の作製方法に関するものであり、前述の実施
例では、薄膜ＥＬ素子やエレクトロクロミックセルの作
製例であったが、耐熱性透明導電性膜を作製後、この上
に他の機能膜を着膜し、その後熱処理するプロセスを含
めばこれら実施例に限定されるものではない。
【００５１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、透
明基板上に有機インジウム金属化合物含有溶液を、塗布
や印刷により付与し、その後熱分解して、酸化インジウ
ム含有透明導電体膜を形成するものであり、比較的高温
プロセスを用いて透明導電体膜を作製するため、その後
作製プロセスと同等もしくはこれ以上の熱を与えても、
抵抗率が変化せず、そのためにこの膜上に機能膜となる
膜を積層後、さらに熱処理をほどこしても素子性能を低
下させることがない。
明基板上に有機インジウム金属化合物含有溶液を、塗布
や印刷により付与し、その後熱分解して、酸化インジウ
ム含有透明導電体膜を形成するものであり、比較的高温
プロセスを用いて透明導電体膜を作製するため、その後
作製プロセスと同等もしくはこれ以上の熱を与えても、
抵抗率が変化せず、そのためにこの膜上に機能膜となる
膜を積層後、さらに熱処理をほどこしても素子性能を低
下させることがない。
【００５２】ＥＬ素子等で透明導電体膜、絶縁膜、蛍光
体膜を積層後、さらに蛍光体膜の結晶性を向上させるた
めに熱処理をほどこしても透明導電体膜の抵抗率が変化
しないため発光開始電圧、輝度等のＥＬ素子特性が劣化
することがない。
体膜を積層後、さらに蛍光体膜の結晶性を向上させるた
めに熱処理をほどこしても透明導電体膜の抵抗率が変化
しないため発光開始電圧、輝度等のＥＬ素子特性が劣化
することがない。
【００５３】また、本発明は、透明導電体膜を必要とす
る積層膜を作製する場合、比較的高温プロセスが必要で
あったり、また成膜後に膜質を改善する目的で熱処理を
ほどこす必要がある場合に大きな効果を発揮する。
る積層膜を作製する場合、比較的高温プロセスが必要で
あったり、また成膜後に膜質を改善する目的で熱処理を
ほどこす必要がある場合に大きな効果を発揮する。
【図１】本発明による透明導電体膜を含む多層膜の構成
例を示す断面模式図である。
例を示す断面模式図である。
【図２】従来法と本発明の方法による透明導電体膜の抵
抗変化を比較して示す図である。
抗変化を比較して示す図である。
１ 石英基板 ２ 透明導電体層 ３ 絶縁層 ４ 蛍光体層 ５ 絶縁層 ６ 電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−310970（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−97837（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−24678（ＪＰ，Ａ) 特公 平２−33075（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭54−28396（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 G02F 1/13 - 1/137
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に有機インジウム化合物含有
溶液を、塗布、熱分解して、酸化インジウム系透明導電
体膜を形成し、次いで、前記透明導電体膜上に、直接的
にまたは間接的に、酸化インジウム系以外の機能膜を、
加熱プロセスを含むプロセスにより形成することを特徴
とする、透明導電体膜を含む多層膜の作製方法。 - 【請求項２】 前記の加熱プロセスを含むプロセスは、
有機インジウム化合物以外の有機金属化合物溶液を、塗
布、熱分解して、前記機能膜としての金属酸化物膜を形
成するプロセスである請求項１記載の透明導電体膜を含
む多層膜の作製方法。 - 【請求項３】 前記の加熱プロセスを含むプロセスは、
機能膜となる膜を積層後、熱処理することにより前記機
能膜を形成するプロセスである請求項１記載の透明導電
体膜を含む多層膜の作製方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15253093A JP2958384B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-06-24 | 透明導電体膜を含む多層膜の作製方法 |
| US08/607,202 US5643369A (en) | 1993-06-24 | 1996-02-26 | Photoelectric conversion element having an infrared transmissive indium-tin oxide film |
| US08/688,196 US5805333A (en) | 1993-06-24 | 1996-07-29 | Photoelectric conversion element having an infrared transmissive indium film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-104630 | 1993-04-30 | ||
| JP10463093 | 1993-04-30 | ||
| JP15253093A JP2958384B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-06-24 | 透明導電体膜を含む多層膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713178A JPH0713178A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2958384B2 true JP2958384B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=26445070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15253093A Expired - Fee Related JP2958384B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-06-24 | 透明導電体膜を含む多層膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2958384B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457616B1 (ko) * | 1996-07-31 | 2005-02-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정배향전극구조체및그제조방법 |
| KR100457617B1 (ko) * | 1996-07-31 | 2005-02-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정배향전극구조체및그제조방법 |
-
1993
- 1993-06-24 JP JP15253093A patent/JP2958384B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0713178A (ja) | 1995-01-17 |
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