JP2955127B2 - Ceramic heater - Google Patents

Ceramic heater

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JP2955127B2
JP2955127B2 JP4183343A JP18334392A JP2955127B2 JP 2955127 B2 JP2955127 B2 JP 2955127B2 JP 4183343 A JP4183343 A JP 4183343A JP 18334392 A JP18334392 A JP 18334392A JP 2955127 B2 JP2955127 B2 JP 2955127B2
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善一 井上
徹夫 森山
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Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はセラミックスヒータに
関し、さらに具体的には炊飯器用発熱体やホットプレー
ト熱板など主に電化製品に使用される発熱体として利用
できるセラミックスヒータに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic heater, and more particularly to a ceramic heater which can be used as a heating element mainly used for electric appliances such as a heating element for a rice cooker and a hot plate hot plate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の発熱ヒータは図14〜17に示す
ごとくシーズヒータ22と熱板21とを一体化し、シー
ズヒータ22からの熱が熱伝導で熱板21につたわり放
熱される構造体で、シーズヒータ22周囲部分とシーズ
ヒータ22無き部分との温度差が発生する構造体のもの
で調理器等に用いられるものが知られている(例えば、
特公昭54−67070公報,特公昭55−43804
公報,特公昭55−48460公報参照)。
2. Description of the Related Art As shown in FIGS. 14 to 17, a conventional heating heater has a structure in which a sheathed heater 22 and a heating plate 21 are integrated, and heat from the sheathed heater 22 is transferred to the heating plate 21 by heat conduction and radiated. There is known a structure having a structure in which a temperature difference occurs between a portion around the sheathed heater 22 and a portion without the sheathed heater 22 and used for a cooker or the like (for example,
JP-B-54-67070, JP-B-55-43804
Gazette, JP-B-55-48460).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来のシーズヒータを
利用した上述のごとき熱板は、シーズヒータからの熱伝
導を利用した構造体のため、シーズヒータ周囲部分とシ
ーズヒータ無き部分との温度差が大きく発生する欠点が
あった。
Since the above-mentioned hot plate utilizing the conventional sheathed heater is a structure utilizing heat conduction from the sheathed heater, the temperature difference between the portion surrounding the sheathed heater and the portion without the sheathed heater is provided. However, there was a drawback that large occurrences occurred.

【0004】この発明は以上の事情を鑑みなされたもの
で、温度差がほとんど無く発熱することができる発熱体
(ヒータ)を提供することを主たる目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its main object to provide a heating element (heater) capable of generating heat with almost no temperature difference.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段及び作用】この発明によれ
ば、炭化珪素粒子が金属シリコンの窒化により生成する
窒化珪素で多孔状に結合されてなる導電性セラミックス
焼結成形体と、前記導電性セラミックス成形体に付設さ
れた1対の電極部と、前記電極形成部分を除いた前記導
電性セラミックス焼結成形体表面に、リチア系とコージ
ライト系の少なくとも一方を含む釉薬により形成される
絶縁皮膜とからなるセラミックスヒータが提供される。
さらに、前記導電性セラミックス焼結成形体が板状であ
る請求項1のセラミックスヒータと、セラミックス繊維
からなる断熱板と、前記断熱板及びセラミックスヒータ
を重ねてそれらの周縁を囲撓する枠体とからなるセラミ
ックスパネルヒータが提供される。
Means and operation for solving the Problems] According to the present invention, the conductive ceramic sintered compact ing coupled to the porous silicon nitride silicon carbide particles are formed by nitriding of metal silicon, the conductive A pair of electrode portions attached to the conductive ceramic molded body and the conductor except for the electrode forming portion.
Lithium-based and Koji
Formed by glaze containing at least one of light
A ceramic heater comprising an insulating film is provided.
Further, the conductive ceramics sintered compact has a plate shape.
And a ceramic fiber.
Insulation plate made of the above, said insulation plate and ceramic heater
And a frame that surrounds and bends the periphery of
A panel heater is provided.

【0006】上記炭化珪素粒子は、導電性セラミックス
焼結成形体(又は焼結体)を構成するためのものであっ
て、通常99重量%以上の純度を有すると共に1〜10
μmの平均粒径を有するものが好ましい。この中でも2
〜7μmの平均粒径を有するものが特に好ましい。平均
粒径が10μm超では、成型機の摩耗が著しく製造上問
題があると同時に摩耗粉が原料内に混入し、焼結物の物
性及び電気特性に悪い影響を与える。また、1μm未満
では、炭化珪素粉の高純度化が困難でかつ成形性が悪く
なり焼結体の電気特性のバラツキが大きくなる。この炭
化珪素粒子は、炭素粉末とケイ石を間接式抵抗炉で18
00〜1900℃に加熱して得られ、市販の炭化珪素粒
子に比べて粒子表面に存在する酸化珪素や鉄分等の不純
物の極めて少ないものを用いることが好ましい。
The above-mentioned silicon carbide particles are used to form a conductive ceramic sintered compact (or sintered body), and usually have a purity of 99% by weight or more and a content of 1 to 10%.
Those having an average particle size of μm are preferred. Among them, 2
Those having an average particle size of about 7 μm are particularly preferred. If the average particle size is more than 10 μm, abrasion of the molding machine is remarkable and there is a problem in production, and at the same time, abrasion powder is mixed into the raw material, which adversely affects the physical properties and electrical characteristics of the sintered product. On the other hand, if it is less than 1 μm, it is difficult to purify the silicon carbide powder and the formability is deteriorated, and the variation in the electrical characteristics of the sintered body is increased. The silicon carbide particles are obtained by mixing carbon powder and silica stone in an indirect resistance furnace.
It is preferable to use those obtained by heating to 00 to 1900 ° C. and having extremely few impurities such as silicon oxide and iron present on the particle surface as compared with commercially available silicon carbide particles.

【0007】上記窒化珪素は、炭化珪素粒子を多孔状に
結合させるためのものであって、平均粒径1〜10μm
の金属珪素粉末を炭化珪素粒子と混合し、この金属珪素
粉末を窒化させると共に炭化珪素粒子間にわたって結着
させて用いることができる。この発明における導電性セ
ラミックス焼結成形体は、電気エネルギーにより発熱す
るヒータを構成するためのものであって、比抵抗が0.
1〜100Ω・cm、好ましくは0.5〜50Ω・cm
のものを用いることができる。
The above-mentioned silicon nitride is for binding silicon carbide particles in a porous manner, and has an average particle diameter of 1 to 10 μm.
Can be mixed with silicon carbide particles, and the metal silicon powder can be used by nitriding and binding between the silicon carbide particles. The conductive ceramic sintered compact according to the present invention is used to constitute a heater that generates heat by electric energy, and has a specific resistance of 0.5.
1 to 100 Ω · cm, preferably 0.5 to 50 Ω · cm
Can be used.

【0008】次に、この発明における導電性セラミック
ス焼結成形体の製造方法について述べる。
Next, a method for producing a conductive ceramic sintered compact according to the present invention will be described.

【0009】すなわち、平均粒径1〜10μmの炭化珪
素粉末60〜90重量部と平均粒径1〜10μmの金属
珪素粉末10〜40重量部からなる原料に、成形助剤と
水を加えて混合し、この混合物を、所定形状に成形した
後窒素雰囲気中で加熱焼結することによって導電性セラ
ミックス焼結成形体を得ることができる。
That is, a molding aid and water are added to a raw material consisting of 60 to 90 parts by weight of silicon carbide powder having an average particle size of 1 to 10 μm and 10 to 40 parts by weight of metal silicon powder having an average particle size of 1 to 10 μm. The mixture is formed into a predetermined shape and then heated and sintered in a nitrogen atmosphere to obtain a conductive ceramic sintered compact.

【0010】原料としては、平均粒径1〜10μmの炭
化珪素粉末40〜90重量部と平均粒径1〜10μmの
金属珪素粉末10〜60重量部からなる原料を用いる。
As a raw material, a raw material comprising 40 to 90 parts by weight of silicon carbide powder having an average particle size of 1 to 10 μm and 10 to 60 parts by weight of metal silicon powder having an average particle size of 1 to 10 μm is used.

【0011】上記炭化珪素粉末の量は、40重量部未満
では得られる導電性セラミックス焼結成形体の比抵抗が
大きくなるので好ましくなく、90重量部超では強靭性
が低下するので好ましくない。この中でも特に50〜8
0重量部が好ましい。
When the amount of the silicon carbide powder is less than 40 parts by weight, the specific resistance of the obtained conductive ceramic sintered compact is undesirably large, and when it is more than 90 parts by weight, the toughness is undesirably reduced. Among them, especially 50 to 8
0 parts by weight is preferred.

【0012】上記金属珪素粉末の量は、10重量部未満
では得られる導電性セラミックス焼結成形体の強靭性が
低下するので好ましくなく、60重量部超では比抵抗が
大きくなるので好ましくない。この中でも特に20〜5
0重量部が好ましい。
If the amount of the metallic silicon powder is less than 10 parts by weight, the toughness of the obtained conductive ceramic sintered compact is unfavorably reduced, and if it is more than 60 parts by weight, the specific resistance is undesirably increased. Among them, especially 20 to 5
0 parts by weight is preferred.

【0013】上述の原料に成形助剤と水を加えて混合す
る。成形助剤は、有機樹脂バインダー、界面活性剤等が
挙げられ、通常炭化珪素粉末と金属珪素粉末の合計量1
00重量部に対して5〜20重量部用いることができ
る。水は、通常15〜30重量部用いることができる。
A molding aid and water are added to the above raw materials and mixed. Examples of the molding aid include an organic resin binder, a surfactant, and the like. Usually, a total amount of silicon carbide powder and metal silicon powder is 1
5 to 20 parts by weight can be used for 00 parts by weight. Water can be used usually in an amount of 15 to 30 parts by weight.

【0014】上記有機樹脂バインダーは、窒素ガス雰囲
気中で1000℃までの加熱で80〜98%が熱分解で
気化され、2〜20%が炭素系物質として残存する有機
樹脂バインダー(例えば高分子セルロース樹脂等)を使
用するのが好ましく、これらのバインダーは焼成時窒素
ガス雰囲気中に微量に含まれる酸素により原料のSiC
及び金属シリコンが酸化されるのを防止することもでき
る。つまり、窒素雰囲気で1000℃まで加熱される
時、2〜20%炭素として残存する有機樹脂系バインダ
ーを使用するため焼成時窒素ガス雰囲気中に含まれる微
量の酸素と炭素が優先的に反応すると同時に高温時に
は、金属シリコンとも反応し一部炭化珪素を生成する。
これらのことにより原料中の炭化珪素及び金属シリコン
が酸化から防止され、焼成物の比抵抗を下げると共に比
抵抗のバラツキを低減することになる。有機樹脂バイン
ダーの残存量が2%以下では酸化防止効果が劣り、また
20%以上であると焼結性等に悪影響をおよぼし強度が
低下する。また、界面活性剤としては、例えば脂肪酸ソ
ルビタンエステルポリエチレングリコール等の非イオン
系界面活性剤が好ましい。上記混合は、通常ミキサーで
混合し、更にニーダーで混練して行うのが好ましい。
When the organic resin binder is heated to 1000 ° C. in a nitrogen gas atmosphere, 80 to 98% is vaporized by thermal decomposition, and 2 to 20% remains as a carbon-based organic resin binder (for example, polymer cellulose). It is preferable to use a resin such as a resin.
In addition, it is possible to prevent the metal silicon from being oxidized. That is, when heated to 1000 ° C. in a nitrogen atmosphere, a small amount of oxygen and carbon contained in the nitrogen gas atmosphere react preferentially during firing because an organic resin-based binder remaining as 2 to 20% carbon is used. At high temperatures, it also reacts with metallic silicon to produce part of silicon carbide.
As a result, silicon carbide and metal silicon in the raw material are prevented from being oxidized, and the specific resistance of the fired product is reduced and the variation in specific resistance is reduced. If the residual amount of the organic resin binder is 2% or less, the antioxidant effect is poor, and if it is 20% or more, the sinterability is adversely affected and the strength is reduced. As the surfactant, for example, a nonionic surfactant such as fatty acid sorbitan ester polyethylene glycol is preferable. It is preferable that the mixing is usually performed by mixing with a mixer and kneading with a kneader.

【0015】この発明においては、この混合物を、所定
形状に形成し乾燥した後、窒素ガス雰囲気中で加熱焼結
することによって炭化珪素粒子が多孔状に結合されてな
る0.1〜100Ω・cmの比抵抗を有する導電性セラ
ミックス焼結成形体を形成する。この成形は、例えば押
出成形機、鋳込み成形機等を用いて、例えば板状、ハニ
カム状、皿状、容器状等の形状として行うことができ
る。
In the present invention, this mixture is formed into a predetermined shape, dried, and then heated and sintered in a nitrogen gas atmosphere to form a porous silicon carbide particle of 0.1 to 100 Ω · cm. To form a conductive ceramic sintered compact having the specific resistance described above. This molding can be performed using, for example, an extrusion molding machine, a casting molding machine, or the like into a shape such as a plate shape, a honeycomb shape, a dish shape, or a container shape.

【0016】加熱焼結は、上記乾燥した混合物を、窒素
ガス雰囲気中、例えば400〜600℃で2〜6時間加
熱して成形助剤等のガス発生性の物質を除去し、再び窒
素ガス雰囲気中で1300〜1450℃に昇温して2〜
24時間反応焼結させて行うことができる。
In the heat sintering, the dried mixture is heated in a nitrogen gas atmosphere, for example, at 400 to 600 ° C. for 2 to 6 hours to remove gas-generating substances such as molding aids, and then re-heated in a nitrogen gas atmosphere. And then raise the temperature to 1300-1450 ° C
Reaction sintering can be performed for 24 hours.

【0017】得られた導電性セラミックス焼結成形体
は、適宜所定の寸法に加工し、この上に電極を形成して
暖房機や調理器等のヒータを構成することができる。
The obtained conductive ceramic sintered compact is appropriately processed into a predetermined size, and an electrode is formed thereon to form a heater such as a heater or a cooker.

【0018】炭化珪素粒子表面に存在する酸化珪素や鉄
分を溶解除去して炭化珪素粒子を高純度化し、高純度化
処理された炭化珪素が導電性セラミックス焼結成形体を
構成して比抵抗を下げる。また、窒素ガス雰囲気で炭化
珪素粒子と共に金属珪素を加熱して行う窒化珪素による
焼結は炭化珪素粒子が、酸化されることなく、一部窒素
原子が炭化珪素粒子内に固溶され、適度の比抵抗をもつ
ようになり多孔質で軽量かつ強靭な導電性セラミックス
焼結成形体を形成する。
[0018] Silicon oxide and iron present on the surface of the silicon carbide particles are dissolved and removed to purify the silicon carbide particles, and the highly purified silicon carbide forms a conductive ceramic sintered compact to lower the specific resistance. . In addition, in sintering by silicon nitride performed by heating metal silicon together with silicon carbide particles in a nitrogen gas atmosphere, the silicon carbide particles are not oxidized, and nitrogen atoms are partially dissolved in the silicon carbide particles. A porous, lightweight and tough conductive ceramic sintered compact having a specific resistance is formed.

【0019】この発明においては、導電性セラミックス
焼結成形体に電極部が1対で形設される。この電極部は
上記成形体表面にまず導電層を形成し、その導電層に電
極板を接合して形設されるのが好ましい。導電層の形成
は、例えば上記成形体表面へのアルミニウムの溶射によ
って行う。
In the present invention, a pair of electrodes is formed on the sintered conductive ceramics compact. This electrode portion is preferably formed by first forming a conductive layer on the surface of the molded body, and bonding an electrode plate to the conductive layer. The conductive layer is formed by, for example, spraying aluminum onto the surface of the molded body.

【0020】この発明においては、導電性セラミックス
焼結成形体の表面には上述の電極部形設部分を除いて絶
縁皮膜が形成される。この絶縁皮膜は例えばリチア系と
コージライト系釉薬を100μm程度の厚さで塗布し、
窒素ガス雰囲気中で焼成して形成される。
In the present invention, an insulating film is formed on the surface of the conductive ceramic sintered compact except for the above-mentioned electrode portion forming portion. This insulating film is coated with, for example, a lithia-based and cordierite-based glaze with a thickness of about 100 μm,
It is formed by firing in a nitrogen gas atmosphere.

【0021】[0021]

【実施例】以下、図に示す実施例に基づきこの発明を詳
述する。なお、これによってこの発明が限定されるもの
ではない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail based on an embodiment shown in the drawings. Note that the present invention is not limited to this.

【0022】まず図1において、セラミックスヒータ
(4)は、板状セラミックス焼結成形体(平面ヒータ素
子)(4a)と、この成形体の裏面の対向二辺に沿って
アルミニウム材の溶射により幅12mm、厚さ100μ
mで形成された電極層(2)(2)と、成形体(4a)
の電極層(2)(2)形成部以外の表面及び裏面に形成
された絶縁部(皮膜)(1)と、電極部(2)(2)表
面に超音波溶接により形成されたアルミニウム製の電極
板(3)(3)とからなる。この電極層(3)(3)と
電極層(2)(2)とで電極部を構成する。
First, in FIG. 1, a ceramic heater (4) has a width of 12 mm by spraying a plate-shaped ceramic sintered compact (flat heater element) (4a) and an aluminum material along two opposing sides on the back surface of the compact. , Thickness 100μ
m), and an electrode layer (2) (2) formed of
The insulating portion (film) (1) formed on the surface and the back surface other than the electrode layer (2) (2) forming portion, and the aluminum portion formed by ultrasonic welding on the surface of the electrode portion (2) (2) It comprises electrode plates (3) and (3). The electrode portions are composed of the electrode layers (3) and (3) and the electrode layers (2) and (2).

【0023】なお、セラミックス焼結成形体(4a)の
作成は詳しく後述するが、その成形体の表面に成型され
た絶縁部(1)はリチア系コージライト系或いは磁器系
釉薬を100μmの厚さで塗布し窒素ガス雰囲気中で焼
成される。
The formation of the ceramic sintered compact (4a) will be described later in detail, but the insulating part (1) molded on the surface of the ceramic sintered compact (4a) is made of a lithia cordierite or porcelain glaze with a thickness of 100 μm. It is applied and fired in a nitrogen gas atmosphere.

【0024】炭化珪素粉末の作成 炭化粉末(コークス)と珪石粉末との混合物に直線電流
を通ずることによって1800〜1900℃に強熱して
生成した炭化珪素のかたまりを破砕、粉砕、水洗いして
粒度をそろえ、更に、この炭化珪素粉末を酸水溶液で処
理して、炭化珪素粉末の表面に製造工程中(炭化珪素の
合成時あるいは粉砕時)生成付着される鉄等の不純物を
除去し、平均粒径5.5μm、純度99%以上の高純度
炭化珪素粉末を作製する。酸水溶液としては、塩酸、硫
酸、硝酸、弗酸或いは、これらの混合酸水溶液である。
得られた炭化珪素粉末と比較のための市販炭化珪素粉末
のそれぞれの平均粒径と純度は、第1表に示すとおりで
ある。
Preparation of Silicon Carbide Powder By passing a linear current through a mixture of carbonized powder (coke) and silica stone, a mass of silicon carbide generated by igniting at 1800 to 1900 ° C. is crushed, pulverized, and washed with water to obtain a particle size. In addition, the silicon carbide powder is further treated with an aqueous acid solution to remove impurities such as iron generated and attached to the surface of the silicon carbide powder during the manufacturing process (during the synthesis or pulverization of silicon carbide). A high-purity silicon carbide powder having a thickness of 5.5 μm and a purity of 99% or more is produced. The aqueous acid solution is hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, or a mixed acid aqueous solution thereof.
The average particle size and purity of the obtained silicon carbide powder and the commercially available silicon carbide powder for comparison are as shown in Table 1.

【0025】[0025]

【表1】 [Table 1]

【0026】導電性セラミックス焼結成形体の作製 炭化珪素粉末(純度98%以上、平均粒径5.5μm)
70重量部、金属シリコン粉末(平均粒5.9μm)3
0重量部、成形助財としてメチルセルロース系有機樹脂
バインダー及び脂肪酸ソルビタンエステルポリエチレン
グリコール(非イオン系界面活性剤)合計12重量部、
それに水21重量部加え、ミキサーで約5分混合する。
この混合物をコンティニアスニーダーで十分混練した後
に高圧真空押出成型機で、厚み1mm、巾70mmのシ
ートを成形圧力30kg/cm2で押出成形し、板状テ
ストピースとする。これらの乾燥グリーンを窒素ガス雰
囲気中で500℃、3時間脱バインダーした後に窒素ガ
ス雰囲気中1400℃で6時間反応焼結させて板状のセ
ラミックス焼結成形体を形成した。
Production of conductive ceramic sintered compact Silicon carbide powder (purity 98% or more, average particle size 5.5 μm)
70 parts by weight, metal silicon powder (average grain: 5.9 μm) 3
0 parts by weight, a total of 12 parts by weight of a methylcellulose-based organic resin binder and a fatty acid sorbitan ester polyethylene glycol (nonionic surfactant) as a molding aid,
Then, 21 parts by weight of water is added and mixed for about 5 minutes with a mixer.
After sufficiently kneading the mixture with a continuous kneader, a sheet having a thickness of 1 mm and a width of 70 mm is extruded with a high-pressure vacuum extruder at a molding pressure of 30 kg / cm 2 to obtain a plate-shaped test piece. These dried greens were debindered at 500 ° C. for 3 hours in a nitrogen gas atmosphere, and then reacted and sintered at 1400 ° C. for 6 hours in a nitrogen gas atmosphere to form a plate-shaped ceramic sintered compact.

【0027】導電性セラミックス焼結成形体の物性と電気特性 上述のように得られた板状導電性セラミックス焼結成形
体の物性値及び比抵抗値は、第2表に示すとおりであ
る。
Physical Properties and Electrical Properties of Sintered Conductive Ceramics Compact The physical properties and resistivity of the plate-shaped conductive ceramics sintered compact obtained as described above are as shown in Table 2.

【0028】[0028]

【表2】 [Table 2]

【0029】上記板状セラミックス焼結成形体は、直径
20mmに切断して電極を形成した後、温度に対する比
抵抗を測定した。この結果、得られた導電性セラミック
ス焼結成形体は、後述の比較例と比べて比抵抗が低くそ
のバラツキが著しく改善されていることが確認された。
After cutting the plate-shaped ceramic sintered compact to a diameter of 20 mm to form an electrode, the specific resistance to temperature was measured. As a result, it was confirmed that the obtained conductive ceramic sintered compact had lower specific resistance than the comparative example described later, and the variation thereof was remarkably improved.

【0030】比較例1 実例1において、上述のように作成された炭化珪素粉末
を用いる代わりに、第1表に示す市販品Aの炭化珪素粉
末を用い、この他は実例と同様にして導電性セラミック
ス焼結成形体の比抵抗は、常温において1940Ω・c
mであり、著しく高いものであった。
Comparative Example 1 In Example 1, instead of using the silicon carbide powder prepared as described above, a commercially available silicon carbide powder A shown in Table 1 was used. The specific resistance of the ceramic sintered compact is 1940Ω · c at room temperature.
m, which was remarkably high.

【0031】このようにして作られた導電性セラミック
ス焼結成形体は、安価なSiC及び金属シリコンを使用
し、比較的簡単な製造工程で大量生産ができるため低コ
ストで、電気特性のバラツキが極めて少なく低熱膨張率
で耐久性の良い発熱ヒータとなる。
The conductive ceramic sintered compact produced in this way uses inexpensive SiC and metallic silicon and can be mass-produced in a relatively simple manufacturing process. A low heat expansion heater having a low coefficient of thermal expansion and good durability can be obtained.

【0032】実例2 実例1において、炭化珪素粉末と金属シリコン粉末との
配合比率を70/30とする代わりに、80/20、7
5/25、70/30、65/35と変化させ、この他
は実例と同様にして導電性セラミックス焼結体を作成し
た。得られた板状セラミックス焼結成形体の物性値及び
比抵抗値は、第3表に示すとおりである。
Example 2 In Example 1, instead of setting the mixing ratio of silicon carbide powder and metal silicon powder to 70/30, 80/20, 7
5/25, 70/30 and 65/35 were used, and the others were the same as in the actual example to prepare a conductive ceramic sintered body. The physical property values and specific resistance values of the obtained plate-shaped ceramic sintered compact are as shown in Table 3.

【0033】[0033]

【表3】 [Table 3]

【0034】このように、炭化珪素と金属シリコンの配
合比を変化させることにより必要に応じて比抵抗の異な
る焼結体をつくることが可能となる。なお、炭化珪素の
配合率を90%以上にすると強度が著しく低下するため
ヒータ材料としては不適であり、また40%以下にする
と比抵抗が著しく高くなりヒータ材料としては適さな
い。
As described above, by changing the mixing ratio of silicon carbide and metal silicon, it is possible to produce sintered bodies having different specific resistances as needed. If the compounding ratio of silicon carbide is 90% or more, the strength is remarkably reduced, so that the material is not suitable as a heater material. If the compounding ratio is 40% or less, the specific resistance is remarkably increased and the material is not suitable as a heater material.

【0035】実例3 実例1と同様の原料配合したものを大型押出成形機を用
い厚み2.5mm、280mmカクのシートを成形圧力
35kg/cm2で押出成形する。これらの成形品を乾
燥後適当な寸法に切断して実例1と同様の条件で焼成す
る。
Example 3 A sheet having a thickness of 2.5 mm and a thickness of 280 mm was extruded at a molding pressure of 35 kg / cm 2 using a large-sized extruder with the same raw materials as in Example 1. After drying, these molded products are cut into appropriate dimensions and fired under the same conditions as in Example 1.

【0036】次に、以上のごとく作成された説明図をセ
ラミックスヒータ(4)を2枚用いると、図2に示すご
とき壁掛用パネルヒータ(11)が得られる。すなわ
ち、この壁掛用パネルヒータ(11)は、2つのセラミ
ックスヒータ(4)(4)と、これらのセラミックスパ
ネルヒータと重ねられたセラミック繊維からなる断熱板
(5)と、この断熱板とセラミックスヒータ(4)
(4)をそれらの周縁を囲撓し重ねた状態で保持する枠
体(6)とから主としてなる。
Next, when two ceramic heaters (4) are used in the explanatory view prepared as described above, a wall-mounted panel heater (11) as shown in FIG. 2 is obtained. That is, the wall-mounted panel heater (11) includes two ceramic heaters (4), (4), a heat insulating plate (5) made of ceramic fibers overlapped with these ceramic panel heaters, and a heat insulating plate and a ceramic heater. (4)
(4) and a frame (6) that surrounds the peripheral edges thereof and holds them in an overlapped state.

【0037】2つのセラミックスヒータ(4)(4)
は、図3の(A)のごとく同一平面内で電極部(2)
(2)が対接するよう接触して並べられ、対接する電極
部(2)(2)に電極板(3)を橋わたしさせ、両ヒー
タ(4)(4)を直列接続している。
Two ceramic heaters (4) (4)
Are the electrode portions (2) in the same plane as shown in FIG.
(2) are arranged in contact with each other so as to be in contact with each other, and the electrode portions (2) and (2) are bridged by the electrode plate (3), and both heaters (4) and (4) are connected in series.

【0038】断熱板(5)は、図3の(B)のごとくセ
ラミックスヒータ(4)(4)をはめ込む凹段部(7)
と、電極板(3)を反対側へ突き抜けさせるための通孔
(8)を電極板(3)との接触をさけるために備えてい
る。断熱板(5)の外形寸法は、595×295×20
mmである。
The heat insulating plate (5) has a concave step (7) into which the ceramic heaters (4) and (4) are fitted as shown in FIG.
And a through hole (8) for allowing the electrode plate (3) to penetrate to the opposite side to prevent contact with the electrode plate (3). The outer dimensions of the heat insulating plate (5) are 595 × 295 × 20
mm.

【0039】枠体(6)は、図4において横断面略コ型
のチャンネル形状でアルミニウム又は耐熱合成樹脂の押
出成形によって得られたものを4分割(または2分割)
して構成される。図4の(B)においてa=25mm,
b=15mm,c=2mmである。
The frame (6) has a substantially U-shaped channel in cross section in FIG. 4, and is obtained by extruding aluminum or heat-resistant synthetic resin into four parts (or two parts).
It is composed. In FIG. 4B, a = 25 mm,
b = 15 mm and c = 2 mm.

【0040】製作例1 以上のようにして得られたセラミックパネルヒータ(1
1)は、適当な無機接着剤層(2mm程度)で断熱板
(5)の凹段部(7)内に接着され、外周部に枠体
(6)が嵌め込まれて一体化され完成される。
Production Example 1 The ceramic panel heater (1
1) is adhered to the concave step portion (7) of the heat insulating plate (5) with an appropriate inorganic adhesive layer (about 2 mm), and the frame (6) is fitted into the outer peripheral portion to be integrated and completed. .

【0041】なおセラミックパネルヒータ(11)に電
圧が印加されると接着層が乾燥され、一体化される。
When a voltage is applied to the ceramic panel heater (11), the adhesive layer is dried and integrated.

【0042】製作例2 別製作例として、図5のごとくセラミックパネルヒータ
(11)を離型性の良好な型に置き、更に2mm程度の
半練状の無機接着層(10)を設け、その上に半練状の
セラミック繊維、断熱材(5)を充填した後、電極板
(3)が通孔(8)を通るように、嵌め込む。電極板
(3)(3)に通電すれば、接着剤層(10)が乾燥し
て全体構成が一体化され完成される。得られた壁掛用パ
ネルヒータ(11)は、その表面温度が80℃、断熱板
(5)を介した表面温度が50℃以下であった(定格電
圧100V、出力250W)。使用状態を図7の(A)
に示す。壁掛用パネルヒータのアートデザインとして (1)シリコン耐熱塗料等の塗布によるカラー化。
Production Example 2 As another production example, as shown in FIG. 5, a ceramic panel heater (11) was placed in a mold having good releasability, and a semi-kneaded inorganic adhesive layer (10) of about 2 mm was further provided. After a semi-kneaded ceramic fiber and a heat insulating material (5) are filled in the upper part, they are fitted so that the electrode plate (3) passes through the through hole (8). When electricity is supplied to the electrode plates (3) and (3), the adhesive layer (10) is dried and the entire structure is integrated and completed. The obtained wall-mounted panel heater (11) had a surface temperature of 80 ° C and a surface temperature via the heat insulating plate (5) of 50 ° C or less (rated voltage 100V, output 250W). The state of use is shown in FIG.
Shown in Art design of wall-mounted panel heater (1) Coloring by applying silicon heat-resistant paint.

【0043】(2)陶器用絵つけによるデザイン模様
化。
(2) Designing by painting for pottery.

【0044】(3)耐熱顔料によるシルクスクリーン、
転写によるデザイン化。
(3) Silk screen using heat-resistant pigment,
Designing by transcription.

【0045】などのアートデザインを施すことができ
る。
An art design such as the above can be applied.

【0046】壁掛用パネルヒータ(11)は、図6のご
とく多数個を同一平面内で組み合わせて大型パネルヒー
タとすることができる。図6の(A)は外形寸法600
×283mm、図6の(B)は外形寸法300×283
mmでありこれらのパネルヒータを組み合わせて標準的
な窓の下に組み込めるように、長辺の寸法1800m短
辺の寸法849mの大型ユニットを作り、パネルヒータ
の暖房機能、断熱機能、防音機能、を合わせ持つ内装建
材として部屋の窓下に埋め込んだ。かくして定格電圧1
00V、出力1200W、の大型パネルヒータが得られ
表面温度60℃、断熱材を介した裏面温度は30℃であ
った。このパネルヒータはそのドラフト効果により温か
いエアーカーテンの働きをするので上部の窓から侵入す
る冷気を防ぐことが出来、有効な暖房効果がある。使用
例を図7の(B)に示す。
As shown in FIG. 6, a large number of wall-mounted panel heaters (11) can be combined into a large panel heater in the same plane. FIG. 6A shows an outer dimension 600.
× 283 mm, and FIG. 6B shows the external dimensions of 300 × 283.
mm and a large unit with a long side dimension of 1800 m and a short side dimension of 849 m so that these panel heaters can be combined under a standard window to provide the heating function, heat insulation function, and soundproofing function of the panel heater. It was embedded under the window of the room as an interior building material. Thus the rated voltage 1
A large panel heater having a power of 00 V and an output of 1200 W was obtained. The front surface temperature was 60 ° C., and the back surface temperature via the heat insulating material was 30 ° C. This panel heater acts as a warm air curtain due to its draft effect, so that it can prevent cold air entering from the upper window, and has an effective heating effect. An example of use is shown in FIG.

【0047】図7の(C)のごとくユニットを天井の内
装建材として使用することにより、遠赤外線の効果によ
る快適な暖房効果を得ることもできる。さらに図7の
(D)のごとくユニットを床材に使用して床面暖房を行
うこともできる。なお、以上の実施例でのパネルは抵抗
値を変えることにより出力を任意に選ぶことができる。
By using the unit as an interior building material for the ceiling as shown in FIG.
It is also possible to obtain a pleasant heating effect that. Further, as shown in FIG. 7D, the unit can be used as a floor material to perform floor heating. The output of the panel in the above embodiment can be arbitrarily selected by changing the resistance value.

【0048】以上の説明より明らかなように、パネルヒ
ータは、机の下に設置するパネルヒータ、壁掛け式パネ
ルヒータ、壁面、天井、床面、などに埋め込み暖房機
能、断熱機能、防音機能、を合わせ持った経済的な内装
建材として利用でき、自由に寸法を設定し各場所に応じ
た暖房を行うことができる。また種々のアートデザイン
を施すことによりアート感覚に富んだ商品を提供するこ
とができる。
As is clear from the above description, the panel heater has a heating function, a heat insulating function, and a soundproofing function embedded in a panel heater installed under a desk, a wall-mounted panel heater, a wall surface, a ceiling, a floor surface, and the like. It can be used as an economical interior building material with combined dimensions, and can be freely dimensioned and heated according to each location. By applying various art designs, it is possible to provide products rich in art sense.

【0049】以上の実施例とは異なり、導電性セラミッ
クス焼結成形体を、均一な厚みの板状ではなく、図8〜
9のごとく放射方向に肉厚を減少する円盤状に形成し、
その成形体(23)の相対する方向に金属溶射電極(2
4a)(24b)を形成するとともに、成形体(23)
表面の電極(24a)(24b)を除いた全面に絶縁皮
膜(26)を形成してもよい。成形体(23)は鋳込み
成形方法で形成された(他の成形方法、例えば可塑成形
法の採用も可能)。
Unlike the above embodiment, the conductive ceramic sintered compact is not formed in a plate shape having a uniform thickness, but in FIG.
As shown in Fig. 9, it is formed in a disk shape whose thickness decreases in the radial direction,
The metal spray electrode (2) is placed in the opposite direction of the compact (23).
4a) While forming (24b), the molded article (23)
An insulating film (26) may be formed on the entire surface except for the electrodes (24a) and (24b) on the surface. The molded body (23) was formed by a casting method (another molding method, for example, a plastic molding method can be employed).

【0050】かくして100Vの交流電圧(25)を成
形体(23)の電極(24a)(24b)に印加するこ
とによって、成形体(23)全体が均一に発熱され出力
は500Wである。つまり電極(24b)上部の成形体
(23)部分の電流密度を均一にするため肉厚を大きく
調整しているので(最大21.5〜最小3mm)、成形
体(23)上部の平面部表面温度がほぼ均一の300℃
に得られ、かつ平面部175φmmの温度差が約10℃
に収まるので良好な温度分布が得られる。
Thus, by applying an AC voltage (25) of 100 V to the electrodes (24a) and (24b) of the molded body (23), the entire molded body (23) generates heat uniformly and the output is 500W. That is, since the thickness is largely adjusted (maximum 21.5 to minimum 3 mm) in order to make the current density of the molded body (23) above the electrode (24b) uniform, the surface of the flat part above the molded body (23) 300 ° C with almost uniform temperature
And the temperature difference of the flat part 175φmm is about 10 ° C
Therefore, a good temperature distribution can be obtained.

【0051】なお、従来の技術として図16〜17に示
す板厚4mm直径175φmmからなる熱板21に直径
140φmm絶縁パイプ状内に組み込まれたシーズヒー
タ22からなり上記従来例と同様の出力が発生された例
では、シーズヒータ22から熱板21に熱伝導され上部
平面状の温度差つまりシーズヒータ21周囲部分とシー
ズヒータ21無き部分との温度差が約30℃であり、極
めて大きい。さらに成形体23はかさ密度2.1g/c
3、曲げ強度10kg/mm2は熱伝導率0.03ca
l/cm・sec℃と高く、熱膨張率は4×106と低
いので耐熱衝撃に強く発熱体としてすぐれている。
As a conventional technique, a heating plate 21 having a thickness of 4 mm and a diameter of 175 mm as shown in FIGS. In this example, the temperature difference between the periphery of the sheath heater 21 and the portion without the sheath heater 21 is about 30 ° C., which is extremely large, because the temperature difference between the periphery of the sheath heater 21 and the portion without the sheath heater 21 is thermally conducted from the sheath heater 22 to the hot plate 21. Further, the molded body 23 has a bulk density of 2.1 g / c.
m 3 , bending strength 10 kg / mm 2 is thermal conductivity 0.03 ca
Since it is as high as 1 / cm · sec ° C. and the coefficient of thermal expansion is as low as 4 × 10 6 , it is strong against thermal shock and is excellent as a heating element.

【0052】また、上記においては、成形体23にSi
C−Si 3 4 系セラミックを用いた場合の実測結果を示
したが、高純度SiC系セラミックスや再結晶型SiC
セラミックスを用いても同様の効果を得ることができ
る。さらに立体的構造体(器型)の全面に絶縁皮膜(2
6)が形成されているので全く漏電の危険がなく調理器
等としても利用が可能な構造体を示している。即ち、均
熱形の発熱体としての機能と調理物等の器としての機能
を合わせもつことができる。これは調理器や液体状のも
のを加熱する発熱体として、非常に適したものである。
In the above, the molded body 23 is made of Si
Actual measurement results when using C-Si 3 N 4 ceramics are shown, but high-purity SiC ceramics and recrystallized SiC
The same effect can be obtained by using ceramics. Furthermore, an insulating film (2) is formed on the entire surface of the three-dimensional structure (container type).
6) shows a structure that can be used as a cooker or the like without danger of electric leakage at all. In other words, the function as a uniform heating type heating element and the function as a container such as a cooking product can be obtained. This is very suitable as a heating element for heating a cooker or a liquid.

【0053】以上のごとく、図8〜9の導電性セラミッ
クス焼結成形体によれば、発熱体の電流密度を肉厚調整
によって均一化が可能であり、鋳込み成形等の成形体構
造(3次元的成形体構造)が可能であり、商品用途に合
った発熱体として利用ができ更に発熱体全体に絶縁皮膜
を形成することによって通電中手に触れても漏電の危険
のない安全で効率の良い発熱体を提供することができ
る。
As described above, according to the conductive ceramic sintered compact of FIGS. 8 and 9, the current density of the heating element can be made uniform by adjusting the wall thickness, and the structure of the molded article such as cast molding (three-dimensional structure) can be obtained. (Formed body structure), can be used as a heating element suitable for product use, and furthermore, by forming an insulation film on the entire heating element, there is no danger of electric leakage even if you touch your hand during energization. Body can be provided.

【0054】そのほか導電性セラミック焼結成形体は図
10〜11のごとく皿状に図12〜13のごとく容器状
に成形できる。図12〜13の場合には図8〜9と同
様、電流密度を均一にするため肉厚を調整している。
In addition, the conductive ceramic sintered compact can be formed into a dish shape as shown in FIGS. 10 to 11 and a container shape as shown in FIGS. 12 and 13, similarly to FIGS. 8 and 9, the thickness is adjusted to make the current density uniform.

【0055】[0055]

【発明の効果】この発明によれば、構成体のほぼ全体が
発熱体(ヒータ)であるため温度差がほとんどなく、す
ぐれたパネルヒータとして机の下、壁掛け、天井、床面
などに用いることができる。また、電極形成部分を除い
た導電性セラミックス焼結成形体表面に、リチア系とコ
ージライト系の少なくとも一方を含む釉薬により絶縁皮
膜が形成されることにより、導電性セラミックス焼結成
形体表面に絶縁皮膜が一体となって形成されるため、確
実に絶縁を行いつつ導電性セラミックス焼結成形体曲げ
強度や熱衝撃性を高めることができる。
According to the present invention, almost all of the components are heating elements (heaters), so there is almost no difference in temperature, and the panel is used as an excellent panel heater under a desk, on a wall, on a ceiling, or on a floor. Can be. Except for the electrode formation part
The surface of the conductive ceramic sintered compact
Glaze containing at least one of gillite
By forming a film, conductive ceramic sintering
Since an insulating film is integrally formed on the surface of the
Bending conductive ceramic sintered compact while actually insulating
Strength and thermal shock resistance can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に係るセラミックヒータの実施例を説
明する構成説明図であり、(A)は正面、(B)は裏
面、(C)はC−C断面を示す。
FIG. 1 is a configuration explanatory view illustrating an embodiment of a ceramic heater according to the present invention, in which (A) shows a front surface, (B) shows a back surface, and (C) shows a CC cross section.

【図2】他の実施例としてのセラミックスパネルヒータ
を説明する構成説明図であり、(A)は正面、(B)は
断面を示す。
FIGS. 2A and 2B are explanatory diagrams illustrating a configuration of a ceramic panel heater as another embodiment, wherein FIG. 2A is a front view and FIG.

【図3】図2に示すセラミックスパネルヒータの構成体
説明図であり、(A)は導電性セラミックス焼結成形体
の正面、(B)は断熱板の正面、(C)は(B)のC−
C断面を示す。
3A and 3B are explanatory views of a structure of the ceramic panel heater shown in FIG. 2, wherein FIG. 3A is a front view of a conductive ceramic sintered compact, FIG. 3B is a front view of a heat insulating plate, and FIG. −
The C section is shown.

【図4】同じく図2に示すセラミックスパネルヒータの
構成説明図であり、(A)は枠体の正面、(B)は断面
を示す。
4A and 4B are explanatory diagrams of the configuration of the ceramic panel heater similarly shown in FIG. 2, wherein FIG. 4A is a front view of a frame, and FIG.

【図5】図2に示すセラミックスパネルヒータの製作方
法を説明する装置構成説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view of an apparatus configuration for explaining a method of manufacturing the ceramic panel heater shown in FIG. 2;

【図6】他の実施例としての大型パネルヒータを説明す
る正面図である。
FIG. 6 is a front view illustrating a large panel heater as another embodiment.

【図7】種々のセラミックパネルヒータの部屋での使用
例を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an example of use of various ceramic panel heaters in a room.

【図8】他の実施例としてのセラミックヒータの断面図
である。
FIG. 8 is a sectional view of a ceramic heater as another embodiment.

【図9】図8のセラミックヒータの底面図である。FIG. 9 is a bottom view of the ceramic heater of FIG. 8;

【図10】もう1つの他の実施例の図8相当図である。FIG. 10 is a diagram corresponding to FIG. 8 of another embodiment.

【図11】同じく図9の相当図である。FIG. 11 is a diagram corresponding to FIG. 9;

【図12】更にもう1つの他の実施例の図8相当図であ
る。
FIG. 12 is a view corresponding to FIG. 8 of still another embodiment.

【図13】同じく図9相当図である。FIG. 13 is a diagram corresponding to FIG. 9;

【図14】従来例を示す図8相当図である。FIG. 14 is a diagram corresponding to FIG. 8 showing a conventional example.

【図15】同じく図9相当図である。FIG. 15 is a diagram corresponding to FIG. 9;

【図16】他の従来例を示す図8相当図である。FIG. 16 is a diagram corresponding to FIG. 8, showing another conventional example.

【図17】同じく図9相当図である。FIG. 17 is a diagram corresponding to FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁部(皮膜) 2 電極層 3 電極板 4 セラミックスヒータ 5 断熱板 6 枠体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulation part (film) 2 Electrode layer 3 Electrode plate 4 Ceramic heater 5 Heat insulation plate 6 Frame

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 化珪素粒子が金属シリコンの窒化によ
り生成する窒化珪素で多孔状に結合されてなる導電性セ
ラミックス焼結成形体と、前記導電性セラミックス成形
体に付設された1対の電極部と、前記電極形成部分を除
いた前記導電性セラミックス焼結成形体表面に、リチア
系とコージライト系の少なくとも一方を含む釉薬により
形成される絶縁皮膜とからなるセラミックスヒータ。
1. A conductive ceramic sintered compact ing coupled to the porous silicon nitride which carbonization silicon particles are formed by nitriding of metal silicon, the conductive ceramic molding
Removing the electrode portions of the pair which is set with the body, the electrode forming portion
Lithia on the surface of the conductive ceramic sintered compact
With glaze containing at least one of chlorinated and cordierite
A ceramic heater comprising an insulating film to be formed .
【請求項2】 前記導電性セラミックス焼結成形体が板
状である請求項1のセラミックスヒータと、セラミック
ス繊維からなる断熱板と、前記断熱板及びセラミックス
ヒータを重ねてそれらの周縁を囲撓する枠体とからなる
セラミックスパネルヒータ。
2. A ceramic heater of the electrically conductive ceramic sintered compact is Motomeko 1 Ru plate der, a heat insulating plate made of ceramic fibers, and their peripheral overlapping the insulation plate and the ceramic heater囲撓A ceramic panel heater consisting of a frame.
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