JP2954699B2 - E13bフォントの文字の先頭端読取り方法 - Google Patents
E13bフォントの文字の先頭端読取り方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明はE13Bフォントの磁気インクで印字された文
字の先頭端を認識する方法に関する。
字の先頭端を認識する方法に関する。
(従来技術) 銀行業界で使用される小切手や金銭振込み票等の文書
は、その上に磁気インクで印字された特定のフォント例
えばE13Bの一定のキーデータを有する。このキーデータ
は銀行番号、顧客口座番号、文書番号ないし小切手番
号、文書の額面額などである。このキーデータを付され
た文書は証明・分類装置のような金融機で処理される。
その処理は、当該金融機に含まれる文書トラックに添っ
て配置された磁気読取り器すなわち磁気インク文字読取
り(MICR)用の読取器が文書のキーデータ即ちMICRデー
タを読取る関係を維持するように文書を移動させて行わ
れる。文書が文書トラック上でのMICR読取器位置を越え
ると、MICR読取器によって波形が発生される。特定のフ
ォント内の各文字はその独自の波形がMICR読取器によっ
て発生されるように印字されている。E13Bフォントの一
つの特長は文字の開始点を示すために各フォント文字が
常に正方向の波形で始まることである。MICR読取器から
の出力信号は例えばしきい値を越えているかいなかにつ
いて処理され、その後、文字認識回路で処理されて読み
取られた波形が当該フォント内の個々の文字を示すもの
であるかいなか識別される。
は、その上に磁気インクで印字された特定のフォント例
えばE13Bの一定のキーデータを有する。このキーデータ
は銀行番号、顧客口座番号、文書番号ないし小切手番
号、文書の額面額などである。このキーデータを付され
た文書は証明・分類装置のような金融機で処理される。
その処理は、当該金融機に含まれる文書トラックに添っ
て配置された磁気読取り器すなわち磁気インク文字読取
り(MICR)用の読取器が文書のキーデータ即ちMICRデー
タを読取る関係を維持するように文書を移動させて行わ
れる。文書が文書トラック上でのMICR読取器位置を越え
ると、MICR読取器によって波形が発生される。特定のフ
ォント内の各文字はその独自の波形がMICR読取器によっ
て発生されるように印字されている。E13Bフォントの一
つの特長は文字の開始点を示すために各フォント文字が
常に正方向の波形で始まることである。MICR読取器から
の出力信号は例えばしきい値を越えているかいなかにつ
いて処理され、その後、文字認識回路で処理されて読み
取られた波形が当該フォント内の個々の文字を示すもの
であるかいなか識別される。
(解決すべき課題) E13Bフォントで印字された文字の読取りについては四
つの一般的問題点がある。それらは次の諸点である。
つの一般的問題点がある。それらは次の諸点である。
(1)予定の仕様によって文字が印字されていないこ
と。
と。
これらの例としては文字の縁が崩れていること、文字
の素子が壊れていること、および文字素子が欠けている
ことがある。文字が初め正しく印字されていても文字の
印字された文書の不適当な取り扱いによって上記の状況
が発生することもある。
の素子が壊れていること、および文字素子が欠けている
ことがある。文字が初め正しく印字されていても文字の
印字された文書の不適当な取り扱いによって上記の状況
が発生することもある。
(2)文字近辺のMICRインクの散乱。
これは通常、EIFと呼ばれる。
(3)ピッチに問題のある文字。
文字ピッチとは最も簡単な定義として同一フォントで
印字された一文字の右端と隣接する文字の右端との距離
とされる。
印字された一文字の右端と隣接する文字の右端との距離
とされる。
(4)読取りの誤り。
読取りの誤りは認識回路で認識される文字が対応すべ
き文書上の実際の文字と同じでない場合である。
き文書上の実際の文字と同じでない場合である。
文書がMICRで読み取られたときに上記の状況が起こる
と「拒絶」が生ずる。代表的な拒絶率は約2%である。
文書が供給されて毎分400ないし500枚の文書の割合でMI
CRを通過するとき、たった2%の拒絶率でも再処理しな
ければならない大きな数の文書が発生する。
と「拒絶」が生ずる。代表的な拒絶率は約2%である。
文書が供給されて毎分400ないし500枚の文書の割合でMI
CRを通過するとき、たった2%の拒絶率でも再処理しな
ければならない大きな数の文書が発生する。
本発明はE13Bフォントで印字されたMICR文字読取りに
おける拒絶率を低減改良すること、また拒絶率を簡単か
つ廉価な方法で改良することに向けられている。
おける拒絶率を低減改良すること、また拒絶率を簡単か
つ廉価な方法で改良することに向けられている。
(課題を解決するための手段および作用) 本発明の一つの特長は文字の開始点もしくは先頭端を
発見する改良された技術に関する。前述したように、E1
3Bフォントの各文字は正方向波形で始まる。もしも文字
の先頭端が正しく識別されれば、正しい文字読取りが高
くなる。
発見する改良された技術に関する。前述したように、E1
3Bフォントの各文字は正方向波形で始まる。もしも文字
の先頭端が正しく識別されれば、正しい文字読取りが高
くなる。
本発明の好ましい実施例の一つの特徴として、磁気イ
ンクで文書上に印字された文字データに含まれる文字の
開始点が常に正方向信号で始まり、また文字データの文
字が種々の正ピーク値、負のピーク値、および実質的に
ゼロ値の組み合わせである場合、その文字の開始点を決
定する方法がある。この方法は、 (a)該文書上の該文字データに対応した波形を発生す
るように磁気読取器と読取り関係を維持しつつ該文書を
移動させる段と、 (b)電圧サンプルを発生するように周期的に該波形の
サンプルを取る段と、 (c)段(b)で得られた正方向電圧サンプルの内、予
定のしきいレベルを超えるサンプルを発見する段と、 (d)段(c)で得られた該正方向電圧サンプルを用い
て、予定数の該電圧サンプル時間に等しい持続時間を持
つ検査ウィンドーを開始する段と、 (e)該検査ウィンドーの開始点から終了点までの間の
該電圧サンプルを検査してその中の最高電圧のサンプル
を発見する段と、 (f)段(e)で発見された最高電圧サンプルから進め
て該検査ウィンドーの該開始点に向けて該電圧サンプル
を検査し、該電圧サンプルの一つが負になる点またはこ
の検査段内の該検査ウィンドーが一群の正電圧サンプル
を含むようになった該ウィンドーの開始点を発見する段
と、 (g)段(f)の該一群の電圧サンプルに含まれる電圧
サンプルの平均値を計算する段と、 (h)該一段の電圧サンプルのうち、該(g)段で計算
された平均値より大きな電圧値を有する最初の電圧サン
プルを発見する段と、 (i)計算によって得られた文字認識のための文字開始
位置(CCSP)として段(h)で得られた該最初の電圧サ
ンプルを用いる段と を含むものである。
ンクで文書上に印字された文字データに含まれる文字の
開始点が常に正方向信号で始まり、また文字データの文
字が種々の正ピーク値、負のピーク値、および実質的に
ゼロ値の組み合わせである場合、その文字の開始点を決
定する方法がある。この方法は、 (a)該文書上の該文字データに対応した波形を発生す
るように磁気読取器と読取り関係を維持しつつ該文書を
移動させる段と、 (b)電圧サンプルを発生するように周期的に該波形の
サンプルを取る段と、 (c)段(b)で得られた正方向電圧サンプルの内、予
定のしきいレベルを超えるサンプルを発見する段と、 (d)段(c)で得られた該正方向電圧サンプルを用い
て、予定数の該電圧サンプル時間に等しい持続時間を持
つ検査ウィンドーを開始する段と、 (e)該検査ウィンドーの開始点から終了点までの間の
該電圧サンプルを検査してその中の最高電圧のサンプル
を発見する段と、 (f)段(e)で発見された最高電圧サンプルから進め
て該検査ウィンドーの該開始点に向けて該電圧サンプル
を検査し、該電圧サンプルの一つが負になる点またはこ
の検査段内の該検査ウィンドーが一群の正電圧サンプル
を含むようになった該ウィンドーの開始点を発見する段
と、 (g)段(f)の該一群の電圧サンプルに含まれる電圧
サンプルの平均値を計算する段と、 (h)該一段の電圧サンプルのうち、該(g)段で計算
された平均値より大きな電圧値を有する最初の電圧サン
プルを発見する段と、 (i)計算によって得られた文字認識のための文字開始
位置(CCSP)として段(h)で得られた該最初の電圧サ
ンプルを用いる段と を含むものである。
本発明の上記の目的、特徴その他の内容は以下の説
明、特許請求の範囲および図面から明らかとなろう。
明、特許請求の範囲および図面から明らかとなろう。
(実施例) 第1図は本発明の装置10即ち読取り器の全体的概略図
である。この装置10は間に分書14を受け入れるように離
隔された直立の側壁12−1,12−2を有する文書トラック
12を含む。文書移送器16は文書存在センサー20とMICR読
取器22とに対して読取り関係を維持しつつ文書14を文書
トラック12に添って(矢印18の方向に)移動させるのに
使用される。MICR読取器22によって読取りをした後、読
み取られた文書14は文書ポケット24に投下される。本節
において述べるこれらの素子は従来技術のもので従来通
りに作動する。従ってこれ以上の説明は不要である。
である。この装置10は間に分書14を受け入れるように離
隔された直立の側壁12−1,12−2を有する文書トラック
12を含む。文書移送器16は文書存在センサー20とMICR読
取器22とに対して読取り関係を維持しつつ文書14を文書
トラック12に添って(矢印18の方向に)移動させるのに
使用される。MICR読取器22によって読取りをした後、読
み取られた文書14は文書ポケット24に投下される。本節
において述べるこれらの素子は従来技術のもので従来通
りに作動する。従ってこれ以上の説明は不要である。
装置10の作動を制御するための装置は第1図に示す制
御装置26を含む。制御装置26はそれ自体は従来のもので
ある。しかしながら、図示した制御装置26の形態はこの
制御装置で行なわれる種々の機能の議論のために、機能
的、概略的に表示したものである。
御装置26を含む。制御装置26はそれ自体は従来のもので
ある。しかしながら、図示した制御装置26の形態はこの
制御装置で行なわれる種々の機能の議論のために、機能
的、概略的に表示したものである。
制御装置26はこの制御装置を読取り装置10に含まれる
種々の素子に結合するためのインターフェース26,28,3
0,32(第1図)を有する。インターフェース26は種々の
センサーおよび文書移送器16に含まれる電動機(図示し
てない)に制御装置26を結合するのに使われる。インタ
ーフェース28は、文書がMICR読取器22に近接しつつある
ことを制御装置26に通報する文書存在センサーから、出
力信号を受ける。インターフェース30はMICR読取器22の
出力を受け、インターフェース32は必要に応じて主制御
装置34に対して制御装置26を接続するのに使用される。
種々の素子に結合するためのインターフェース26,28,3
0,32(第1図)を有する。インターフェース26は種々の
センサーおよび文書移送器16に含まれる電動機(図示し
てない)に制御装置26を結合するのに使われる。インタ
ーフェース28は、文書がMICR読取器22に近接しつつある
ことを制御装置26に通報する文書存在センサーから、出
力信号を受ける。インターフェース30はMICR読取器22の
出力を受け、インターフェース32は必要に応じて主制御
装置34に対して制御装置26を接続するのに使用される。
制御装置26はまた、読取り専用メモリ(ROM)34、ラ
ンダムアクセス(RAM)38、キーボード40、ディスプレ
ー42、およびマイクロプロセッサ(MP)A44を含む。制
御装置26に含まれる種々のすべてインターフェースおよ
び制御論理回路46によって相互接続されて、制御装置26
自体が従来の機能を保たせるようになっている。
ンダムアクセス(RAM)38、キーボード40、ディスプレ
ー42、およびマイクロプロセッサ(MP)A44を含む。制
御装置26に含まれる種々のすべてインターフェースおよ
び制御論理回路46によって相互接続されて、制御装置26
自体が従来の機能を保たせるようになっている。
本発明の方法は例えば制御装置26のRAM38に主制御装
置34から読み込むことができるソフトウェア・ルーチ
ン、あるいは又そのルーチンは制御装置26のROM36に入
れることもできる。本発明の方法について議論するMICR
文字の処理における基本的手段について議論することが
適当であろう。一般的に言って、E13Bフォントで書かれ
たMICR文字から得られる波形を処理する際の基本的な段
は以下のとおりである: 1.文字データを発見してから正確に文字データの文字の
開始点を決定する。E13Bで印字された文字は常に正方向
の波形で始まることを思い出されたい。
置34から読み込むことができるソフトウェア・ルーチ
ン、あるいは又そのルーチンは制御装置26のROM36に入
れることもできる。本発明の方法について議論するMICR
文字の処理における基本的手段について議論することが
適当であろう。一般的に言って、E13Bフォントで書かれ
たMICR文字から得られる波形を処理する際の基本的な段
は以下のとおりである: 1.文字データを発見してから正確に文字データの文字の
開始点を決定する。E13Bで印字された文字は常に正方向
の波形で始まることを思い出されたい。
2.文字に特有の波形から「特徴」を抽出し、当該波形の
開始点に対するこれら特徴の相対位置を決定する。これ
らの特徴は最初の正方向波形の開始点に対して相対的な
位置にあって、かつE13Bフォントの文字について予定の
組み合わせの配置をもつ、「正のピーク値」、「負のピ
ーク値」および「実質上ゼロ値」を含むことを思い出さ
れたい。
開始点に対するこれら特徴の相対位置を決定する。これ
らの特徴は最初の正方向波形の開始点に対して相対的な
位置にあって、かつE13Bフォントの文字について予定の
組み合わせの配置をもつ、「正のピーク値」、「負のピ
ーク値」および「実質上ゼロ値」を含むことを思い出さ
れたい。
3.抽出された「特徴」をE13Bフォントについて用意され
たすべての文字型と照合する。文字型は本質的に正方
向、負方向の波形および実質ゼロ値の特定の組み合わせ
と各文字に容認された位置である。
たすべての文字型と照合する。文字型は本質的に正方
向、負方向の波形および実質ゼロ値の特定の組み合わせ
と各文字に容認された位置である。
4.文字認識規則を抽出した「特徴」に当て嵌めて、当該
特徴が特定の文字として認識するに足りるだけ文字型一
つに含まれる特徴と実際に合致するかいなかを決定す
る。
特徴が特定の文字として認識するに足りるだけ文字型一
つに含まれる特徴と実際に合致するかいなかを決定す
る。
課題解決の手段の項において前述したように、本発明
の特徴は一つはE13Bフォントで印字された文字の先頭端
の開始位置を発見する改良技術に関する。文字の開始点
がより正確に発見されれば、その文字を正確に読み取る
可能性がもっと大きくなる。この発明は文字の先頭端を
発見するのに「ウィンドー」を使用し、また「平均値」
計算を行なう。もう一つの特徴は、従来技術の方法では
特異な事項又はノイズとして拒絶されてしまう貧弱な文
字あるいは「やせた」文字が本発明では受容されること
である。
の特徴は一つはE13Bフォントで印字された文字の先頭端
の開始位置を発見する改良技術に関する。文字の開始点
がより正確に発見されれば、その文字を正確に読み取る
可能性がもっと大きくなる。この発明は文字の先頭端を
発見するのに「ウィンドー」を使用し、また「平均値」
計算を行なう。もう一つの特徴は、従来技術の方法では
特異な事項又はノイズとして拒絶されてしまう貧弱な文
字あるいは「やせた」文字が本発明では受容されること
である。
E13Bデータの読取りにおける前述の問題の一つは、MI
CRインク飛沫を伴う文字に関する特異な問題である。第
2図は文字位置は先頭端47の付近のインク飛沫(EIF)4
5を示し、第2A図のEIF45および図示した文字の両方につ
いての波形を示す。この波形48は図1に示すMICR読取器
22から得られる。インク飛沫45についての正方向部分48
−1と、図示した文字についての波形部分のピーク48−
2内で終了する正方向部分とがある。波形48は実際の波
形ではなく、単に本発明の特徴を例示するために採用し
たものである。さらにMICR読取器22(第1図)は例えば
増幅器22−1、フィルター22−2、アナログ/デジタル
変換器22−3等の従来の回路を追加的に含むことができ
るが、それらは本発明の理解に重要ではない。フィルタ
ー22−2はMICR文字の読取りに於けるある種のノイズを
濾波する。また変換器22−3は読取りヘッド22−0から
得たアナログ信号を、制御装置26で処理する8ビットの
データに変換する。この実施例では、この8ビットのデ
ータは毎秒128,000回の割で、即ち7.8マイクロ秒/サン
プルで、標本化される。いくつかのしきい値機能は、例
えばRAM38に記録されたソフトウェアで行なうことがで
きる。これについては後に述べる。
CRインク飛沫を伴う文字に関する特異な問題である。第
2図は文字位置は先頭端47の付近のインク飛沫(EIF)4
5を示し、第2A図のEIF45および図示した文字の両方につ
いての波形を示す。この波形48は図1に示すMICR読取器
22から得られる。インク飛沫45についての正方向部分48
−1と、図示した文字についての波形部分のピーク48−
2内で終了する正方向部分とがある。波形48は実際の波
形ではなく、単に本発明の特徴を例示するために採用し
たものである。さらにMICR読取器22(第1図)は例えば
増幅器22−1、フィルター22−2、アナログ/デジタル
変換器22−3等の従来の回路を追加的に含むことができ
るが、それらは本発明の理解に重要ではない。フィルタ
ー22−2はMICR文字の読取りに於けるある種のノイズを
濾波する。また変換器22−3は読取りヘッド22−0から
得たアナログ信号を、制御装置26で処理する8ビットの
データに変換する。この実施例では、この8ビットのデ
ータは毎秒128,000回の割で、即ち7.8マイクロ秒/サン
プルで、標本化される。いくつかのしきい値機能は、例
えばRAM38に記録されたソフトウェアで行なうことがで
きる。これについては後に述べる。
波形48(第2A図)にもどって、この波形は実際には図
示した文字の先頭端47の付近にあるMICRインク飛沫(即
ちEIF)45に起因する正方向部分48−1を含む。この部
分48−1は正方向パルスなので、文字の開始点と誤解さ
れうる。
示した文字の先頭端47の付近にあるMICRインク飛沫(即
ちEIF)45に起因する正方向部分48−1を含む。この部
分48−1は正方向パルスなので、文字の開始点と誤解さ
れうる。
E13Bフォントにおいて文字が認識されるためには、正
方向ピーク、負方向ピーク、および実質ゼロピークの位
置を予定の時間領域内で定めなければならない。このフ
ォントの各文字には最初の正方向のピーク48−2(第2
図A)があるので、この最初のピーク48−2は特定のフ
ォント文字の識別には有用でない。しかし、最初のピー
クは文字の開始点を識別するのに有用である。波形48は
二重矢印50により示される時間領域内にあり、また実質
ゼロ値が二重矢印52により示される時間領域にある。実
際、各フォント文字内に二重矢印51で示す時間領域に加
えて、二重矢印50,52で示すような時間領域が7個あ
る。この最初の時間領域(二重矢印51)は常にすべての
フォント文字に対して正であるので、文字の識別の助け
にならない。E13Bフォントのいくつかの文字は他の文字
よりも幅が狭く、7個すべての特徴を有しないことがあ
る。例えば、文字「1」は文字「0」より狭く、従って
「1」は「0」よりも特徴が少ない。しかし、E13B文字
の場合はどの文字の最後の時間領域も常に負のピークを
含む。文字の開始は第2図に示すように、常に、二重矢
印で示した正ピーク値の時間領域を含むがこれは残りの
7個の時間領域よりも短い(図ではそのように示されて
いないが)。
方向ピーク、負方向ピーク、および実質ゼロピークの位
置を予定の時間領域内で定めなければならない。このフ
ォントの各文字には最初の正方向のピーク48−2(第2
図A)があるので、この最初のピーク48−2は特定のフ
ォント文字の識別には有用でない。しかし、最初のピー
クは文字の開始点を識別するのに有用である。波形48は
二重矢印50により示される時間領域内にあり、また実質
ゼロ値が二重矢印52により示される時間領域にある。実
際、各フォント文字内に二重矢印51で示す時間領域に加
えて、二重矢印50,52で示すような時間領域が7個あ
る。この最初の時間領域(二重矢印51)は常にすべての
フォント文字に対して正であるので、文字の識別の助け
にならない。E13Bフォントのいくつかの文字は他の文字
よりも幅が狭く、7個すべての特徴を有しないことがあ
る。例えば、文字「1」は文字「0」より狭く、従って
「1」は「0」よりも特徴が少ない。しかし、E13B文字
の場合はどの文字の最後の時間領域も常に負のピークを
含む。文字の開始は第2図に示すように、常に、二重矢
印で示した正ピーク値の時間領域を含むがこれは残りの
7個の時間領域よりも短い(図ではそのように示されて
いないが)。
理想的の条件の下では、文書の文字が標準的に印字さ
れており、文書が指定された速度でMICR読取器22を通過
されるなら、その文字に対応する磁気的波形が発生され
る。文字に対する波形は、二重矢印50,52で示すような
予定の時間領域内に存在する正ピーク値、負ピーク値、
および実質ゼロ値を有する(これらはE13Bフォント文書
を識別するのに使用される)。
れており、文書が指定された速度でMICR読取器22を通過
されるなら、その文字に対応する磁気的波形が発生され
る。文字に対する波形は、二重矢印50,52で示すような
予定の時間領域内に存在する正ピーク値、負ピーク値、
および実質ゼロ値を有する(これらはE13Bフォント文書
を識別するのに使用される)。
前述したように、本発明の方法の初期の段の一つはE1
3BフォントのMICR文字の開始点を示す正方向パルスを探
すことである。最初の正方向パルスは荷の部分48−1と
の関係で議論した磁気インク飛沫によるものであるかも
しれないので、二重矢印54により示すウィンドの間、数
周期にわたって波形48のサンプルがいくつか採集され
る。採集されるサンプル数は基本的には文書14がMICR読
取器22を通過する速度に依存する。一般的に起こりうる
インク飛沫の典型的な大きさを識別したり正規の文字の
開始点を求めるためには十分なサンプルを採集しなけれ
ばならない。上記の実施例ではMICR読取器22を通過させ
る文書速度は140インチ/秒である。4ないし6インチ
の長さの文書14のが混在する平均的な場合のスループッ
ト速度は約400文書/秒である。ウィンド54の幅は、12
8,000サンプル/秒の周期的サンプル採集率の下で取ら
れた13サンプル分に対応する。ウィドウ54は波形48の正
部分48−1の開始点で開始する。
3BフォントのMICR文字の開始点を示す正方向パルスを探
すことである。最初の正方向パルスは荷の部分48−1と
の関係で議論した磁気インク飛沫によるものであるかも
しれないので、二重矢印54により示すウィンドの間、数
周期にわたって波形48のサンプルがいくつか採集され
る。採集されるサンプル数は基本的には文書14がMICR読
取器22を通過する速度に依存する。一般的に起こりうる
インク飛沫の典型的な大きさを識別したり正規の文字の
開始点を求めるためには十分なサンプルを採集しなけれ
ばならない。上記の実施例ではMICR読取器22を通過させ
る文書速度は140インチ/秒である。4ないし6インチ
の長さの文書14のが混在する平均的な場合のスループッ
ト速度は約400文書/秒である。ウィンド54の幅は、12
8,000サンプル/秒の周期的サンプル採集率の下で取ら
れた13サンプル分に対応する。ウィドウ54は波形48の正
部分48−1の開始点で開始する。
採集された電圧サンプルは例えばRAM38のバッファ38
−1内に記録されるデジタル値(8ビット)である。ウ
インド54(第2図)内のこれら13個のサンプルは、ウィ
ンド54内の最高の正値(48−8)を探すべく検査され
る。一つのウィンド内で、ウィンドの終了時に最高値が
生じなければならないという理由はないことに注意しな
ければならない。しかしながら、この場合はウィンド54
の終了時に最高値48−8が生じている。一旦正の最高値
の位置が発見されると、制御装置26は「計算された文字
開始点位置」を発見する計算を始める。以下においてこ
の位置をCCSPと呼ぶ。ウィンド54内の最高の正値から始
めて、かつウィンド54の開始点(図2の左側)に向け
て、ウィンドの始まりに到達するまで、あるいは標本化
された電圧が点48−6に示す負値になるまで、ウィンド
54内のすべての電圧サンプルが加算される。次に制御装
置26で、その和に含まれるサンプル数で電圧サンプル値
の和を割ることにより、平均値48−9が算出される。
−1内に記録されるデジタル値(8ビット)である。ウ
インド54(第2図)内のこれら13個のサンプルは、ウィ
ンド54内の最高の正値(48−8)を探すべく検査され
る。一つのウィンド内で、ウィンドの終了時に最高値が
生じなければならないという理由はないことに注意しな
ければならない。しかしながら、この場合はウィンド54
の終了時に最高値48−8が生じている。一旦正の最高値
の位置が発見されると、制御装置26は「計算された文字
開始点位置」を発見する計算を始める。以下においてこ
の位置をCCSPと呼ぶ。ウィンド54内の最高の正値から始
めて、かつウィンド54の開始点(図2の左側)に向け
て、ウィンドの始まりに到達するまで、あるいは標本化
された電圧が点48−6に示す負値になるまで、ウィンド
54内のすべての電圧サンプルが加算される。次に制御装
置26で、その和に含まれるサンプル数で電圧サンプル値
の和を割ることにより、平均値48−9が算出される。
このように計算された平均値は以下のようにCCSPを発
見するために使われる。本例においては正方向波形内の
最初の正値位置48−6(第2図)から、または波形が負
とならないときはウィンドの開始点から、処理が初めら
れる。従ってウィンド54の終了時点における最高の正値
48−8に向けて進むときは、先に計算した平均値を越え
る最初の標準値を発見するようにウィンド54内に含まれ
る電圧値が検査される。本例では56における電圧値は計
算された平均値を越える最初の値となり、従って56にお
ける電圧値がCCSPである。もしも検査しているサンプル
電圧値が計算された平均値以下であると、得られたCCSP
は有効でなく、順方向(第2図で見たウィンド54の右方
向)に検索が続行される。一旦最高値(48−8)が発見
されると、CCSPを発見する手続きは終了される。今説明
した本方法におけるこれらの手続きは次のように要約す
ることができる: (1)正方向のパルスからウィンド54を開始せよ。
見するために使われる。本例においては正方向波形内の
最初の正値位置48−6(第2図)から、または波形が負
とならないときはウィンドの開始点から、処理が初めら
れる。従ってウィンド54の終了時点における最高の正値
48−8に向けて進むときは、先に計算した平均値を越え
る最初の標準値を発見するようにウィンド54内に含まれ
る電圧値が検査される。本例では56における電圧値は計
算された平均値を越える最初の値となり、従って56にお
ける電圧値がCCSPである。もしも検査しているサンプル
電圧値が計算された平均値以下であると、得られたCCSP
は有効でなく、順方向(第2図で見たウィンド54の右方
向)に検索が続行される。一旦最高値(48−8)が発見
されると、CCSPを発見する手続きは終了される。今説明
した本方法におけるこれらの手続きは次のように要約す
ることができる: (1)正方向のパルスからウィンド54を開始せよ。
(2)そのウィンド54内の最高正電圧サンプル48−8に
到達するまでウィンド54内の電圧サンプルを検査せよ。
到達するまでウィンド54内の電圧サンプルを検査せよ。
(3)電圧サンプル48−8から出発してウィンド54の開
始点に向けて手続きを進め、ウィンド54内の電圧標本を
検査し、サンプル値が負になるかあるいはウィンド54の
開始点が到達される点48−6を発見せよ。
始点に向けて手続きを進め、ウィンド54内の電圧標本を
検査し、サンプル値が負になるかあるいはウィンド54の
開始点が到達される点48−6を発見せよ。
(4)点48−6から電圧サンプル48−8までのウィンド
に含まれる電圧サンプルを総和せよ。
に含まれる電圧サンプルを総和せよ。
(5)段(4)で得た総和を、段(4)で述べたウィン
ド54の部分に含まれる電圧サンプル数で割り、第2図の
48−9で示す平均値を計算せよ。
ド54の部分に含まれる電圧サンプル数で割り、第2図の
48−9で示す平均値を計算せよ。
(6)点48−6から出発してウィンド54の終了点に向け
て電圧サンプルを検査し、計算された平均値48−9を越
える最初の電圧サンプルを探せ。平均値を越えるこの最
初の電圧サンプルは第2図の点56で示すCCSPとなる。当
然のことであるが、サンプル値の加算は、便宜のため、
段(3)で述べた電圧サンプルを検査しながら実行する
ことができる。
て電圧サンプルを検査し、計算された平均値48−9を越
える最初の電圧サンプルを探せ。平均値を越えるこの最
初の電圧サンプルは第2図の点56で示すCCSPとなる。当
然のことであるが、サンプル値の加算は、便宜のため、
段(3)で述べた電圧サンプルを検査しながら実行する
ことができる。
ミクロ文字の開始を発見する先行技術は電圧サンプル
があるしきい値を越えるとただちに電圧サンプルを取る
ようになっていた。これらの電圧サンプルはサンプルが
負に転じ、あるいは16個の電圧サンプルの総和が計算さ
れるまで“総和された”。平均値算出のために収拾した
サンプル数でその和を除することによって、平均値が計
算された。この波形に対するCCSPは計算された平均値以
上の最初の電圧サンプルを選択することによって得られ
た。この先行技術の方法では、点48−7(第2図)のCC
SPが得られるであろう。今この例では、点48−1(第2
図)の波形の開始点は実際にはノイズを表している。
があるしきい値を越えるとただちに電圧サンプルを取る
ようになっていた。これらの電圧サンプルはサンプルが
負に転じ、あるいは16個の電圧サンプルの総和が計算さ
れるまで“総和された”。平均値算出のために収拾した
サンプル数でその和を除することによって、平均値が計
算された。この波形に対するCCSPは計算された平均値以
上の最初の電圧サンプルを選択することによって得られ
た。この先行技術の方法では、点48−7(第2図)のCC
SPが得られるであろう。今この例では、点48−1(第2
図)の波形の開始点は実際にはノイズを表している。
これとは対象的に、本発明の方法はウィンド54等を使
用することによって、点48−1のノイズ“飛び越える”
ことにより正しいCCSPを選択する。もしも波形48のある
部分(例えば点56)の代わりに48−1部分の正方向側の
或る点が文字開始点として使用されたなら、二重矢印50
および52で表される時間領域は、点56付近に現われる真
の文字開始点に対して相対的に変位されるであろう。CC
SPは実際、文字認識に使用されるウィンドもしくは領域
の始まりを確定する。E13Bフォントの文字を確定する
正、負、実質ゼロの値は文字を正しく識別するには予定
のウィンドもしくは両域内に存在しなければならない。
もしもCCSPが不適当に位置していると、この不適当に位
置したCCSPがに基づくウィンドもしくは領域から抽出さ
れる特徴は誤ったものとなる。従って文字認識は誤った
ものとなる。
用することによって、点48−1のノイズ“飛び越える”
ことにより正しいCCSPを選択する。もしも波形48のある
部分(例えば点56)の代わりに48−1部分の正方向側の
或る点が文字開始点として使用されたなら、二重矢印50
および52で表される時間領域は、点56付近に現われる真
の文字開始点に対して相対的に変位されるであろう。CC
SPは実際、文字認識に使用されるウィンドもしくは領域
の始まりを確定する。E13Bフォントの文字を確定する
正、負、実質ゼロの値は文字を正しく識別するには予定
のウィンドもしくは両域内に存在しなければならない。
もしもCCSPが不適当に位置していると、この不適当に位
置したCCSPがに基づくウィンドもしくは領域から抽出さ
れる特徴は誤ったものとなる。従って文字認識は誤った
ものとなる。
場合によっては、本発明の方法はMICR文字の他の装置
又は他の読取り方法の補助として使用できる。もしもCC
SP又は点56が他の方法又は装置によって決定される文字
開始点に近接していると、当該他の方法又は装置は文字
認識プロセスに使用できる。もしも本発明の方法はMICR
文字読取りに使用される唯一の文字読取りプロセスであ
れば、前述の説明に述べたように決定される点56を、文
字開始点を示すために使用できよう。
又は他の読取り方法の補助として使用できる。もしもCC
SP又は点56が他の方法又は装置によって決定される文字
開始点に近接していると、当該他の方法又は装置は文字
認識プロセスに使用できる。もしも本発明の方法はMICR
文字読取りに使用される唯一の文字読取りプロセスであ
れば、前述の説明に述べたように決定される点56を、文
字開始点を示すために使用できよう。
第3図は適当に印字されなかった文字に付随する問題
を例示するための、文字拡大図である。例えば、文字58
は「ゼロ」と認識される。しかし、文字58の左端は、破
線58−1で示すように適当に印字されていない(即ち印
字が狭すぎる)。実際の左端は実線58−2から開始す
る。第4図はMICR文字58の波形60の一部で、波形60が文
字58の下にあって波形60の部分が文字58の部分に対応す
る。文書14がこの配置にあり、また第1図のように供給
される場合、第3図で見て、実際は文字58の右側にあ
る。ところがこの文字は初め、文書がMICR読取器22を通
過したかのごとく読み取られるであろう。しかし、ここ
では例示を簡単にするため、文字58の左側が初めて読み
取られるもととして示されている。
を例示するための、文字拡大図である。例えば、文字58
は「ゼロ」と認識される。しかし、文字58の左端は、破
線58−1で示すように適当に印字されていない(即ち印
字が狭すぎる)。実際の左端は実線58−2から開始す
る。第4図はMICR文字58の波形60の一部で、波形60が文
字58の下にあって波形60の部分が文字58の部分に対応す
る。文書14がこの配置にあり、また第1図のように供給
される場合、第3図で見て、実際は文字58の右側にあ
る。ところがこの文字は初め、文書がMICR読取器22を通
過したかのごとく読み取られるであろう。しかし、ここ
では例示を簡単にするため、文字58の左側が初めて読み
取られるもととして示されている。
第4図に示す波形は第3図に示す文字58の縁58−2即
ち狭隘部分を反映する非常に急峻な正方向部分60−1を
有する。他方、波線60−2は第3図で波線58−1におい
て正常に文字が開始する時に生ずるもっと正常な正方向
部分を示す。先行技術MICR読取器では、文字58に対する
急峻な部分60−1(第4図)は、おそらく文字線の幅よ
り狭いために磁気インクの飛沫として拒絶されるであろ
う。本発明の方法では、二重矢印62で示されるウィンド
が3個以下の周期的電圧サンプルを含むなら、部分60−
1はノイズと見做して拒絶する。もしも二重矢印62(第
4図)で示されるウィンドが四個以上の周期的電圧サン
プルを含むなら、ウィンドは文字の開始点を反映する正
当な正方向部分60−1を含む。本質的なこととして、本
発明の方法は先行技術の方法と比較して、文字の開始点
を発見するための62のようなウィンドを用いて、前記の
EIFもしくはノイズを“飛び越え”られる高度の信頼性
を与える。本発明の方法によれば、装置10は正当な文字
として狭い波形(第4図に示すようなもの)を容認す
る。これは、もしもこれら狭い波形がノイズのためであ
れば第4図のウィンド62等がノイズを無視することがで
きるからである。
ち狭隘部分を反映する非常に急峻な正方向部分60−1を
有する。他方、波線60−2は第3図で波線58−1におい
て正常に文字が開始する時に生ずるもっと正常な正方向
部分を示す。先行技術MICR読取器では、文字58に対する
急峻な部分60−1(第4図)は、おそらく文字線の幅よ
り狭いために磁気インクの飛沫として拒絶されるであろ
う。本発明の方法では、二重矢印62で示されるウィンド
が3個以下の周期的電圧サンプルを含むなら、部分60−
1はノイズと見做して拒絶する。もしも二重矢印62(第
4図)で示されるウィンドが四個以上の周期的電圧サン
プルを含むなら、ウィンドは文字の開始点を反映する正
当な正方向部分60−1を含む。本質的なこととして、本
発明の方法は先行技術の方法と比較して、文字の開始点
を発見するための62のようなウィンドを用いて、前記の
EIFもしくはノイズを“飛び越え”られる高度の信頼性
を与える。本発明の方法によれば、装置10は正当な文字
として狭い波形(第4図に示すようなもの)を容認す
る。これは、もしもこれら狭い波形がノイズのためであ
れば第4図のウィンド62等がノイズを無視することがで
きるからである。
第5図は文字「ゼロ」の一部の拡大図であるが、この
図は文字64の開始点として解釈されかねないしきい値以
上の点が多数あるときの問題を例示するための図であ
る。第5図は文字64の端に添って延びる余分の磁気イン
クの長いスパイク66を示す。スパイク66は非常に長いの
で、対応する第6図のMICR波形68においてそれは強い信
号即ち高くて狭い部分もしくはスパイク68−1を発生す
る。スパイク68−1はノイズを除去するためのしきい値
を越える。従って、先行技術のシステムではスパイク68
−1は不適切にも点68−2で開始する新しい文字の開始
点と見做されうる。もしも文字64付近に示すインク飛沫
もしくはスパイク66がなかったとしたら、文字64の理想
的な波形は第6図に示す波線68−3から開始するであろ
う。
図は文字64の開始点として解釈されかねないしきい値以
上の点が多数あるときの問題を例示するための図であ
る。第5図は文字64の端に添って延びる余分の磁気イン
クの長いスパイク66を示す。スパイク66は非常に長いの
で、対応する第6図のMICR波形68においてそれは強い信
号即ち高くて狭い部分もしくはスパイク68−1を発生す
る。スパイク68−1はノイズを除去するためのしきい値
を越える。従って、先行技術のシステムではスパイク68
−1は不適切にも点68−2で開始する新しい文字の開始
点と見做されうる。もしも文字64付近に示すインク飛沫
もしくはスパイク66がなかったとしたら、文字64の理想
的な波形は第6図に示す波線68−3から開始するであろ
う。
本発明によれば、本実施例で述べるように13個の周期
的電圧サンプルを得るためにウィンド70(第6図)が使
用される。第2図に関して前に議論したように、先行技
術の方法は第6図の点68−2においてCCSPがおこること
を示すが、このCCSPは算出された平均値68−7を越える
ものである。しかし、点68−2はウィンド70内の最高電
圧サンプルではないことは明らかである。また、領域68
−6では電圧サンプルが算出平均値より低くなることに
も注意しなければならない。従って、この例では点68−
2にある前記のCCSPは不適切と見做される。上述の検査
プロセスを続行して行くと、点68−4が算出平均値を越
えたことが発見されるので、この点がCCSPと指定され
る。ウィンド70内の点68−5において最高電圧サンプル
が発見されるので、CCSPを発見するための検索は終了さ
れる。要約すると、制御装置26はウィンド70等内で1個
を越える正方向信号が起こると周期もしくは窓70の端に
向けて平均値点を探す。前述した先行技術の方法と比べ
て、本発明の方法は点68−2を拾う代わりに点68−4の
もっと正確なCCSPを拾う。
的電圧サンプルを得るためにウィンド70(第6図)が使
用される。第2図に関して前に議論したように、先行技
術の方法は第6図の点68−2においてCCSPがおこること
を示すが、このCCSPは算出された平均値68−7を越える
ものである。しかし、点68−2はウィンド70内の最高電
圧サンプルではないことは明らかである。また、領域68
−6では電圧サンプルが算出平均値より低くなることに
も注意しなければならない。従って、この例では点68−
2にある前記のCCSPは不適切と見做される。上述の検査
プロセスを続行して行くと、点68−4が算出平均値を越
えたことが発見されるので、この点がCCSPと指定され
る。ウィンド70内の点68−5において最高電圧サンプル
が発見されるので、CCSPを発見するための検索は終了さ
れる。要約すると、制御装置26はウィンド70等内で1個
を越える正方向信号が起こると周期もしくは窓70の端に
向けて平均値点を探す。前述した先行技術の方法と比べ
て、本発明の方法は点68−2を拾う代わりに点68−4の
もっと正確なCCSPを拾う。
MICRデータ即ち文字を読み取るときに起こる別の問題
は、高い「リンギング」効果として知られる残留効果を
克服することに関する。リンギング効果は磁気強度の文
字の読取りが完了して次の文字の読取りが開始されると
きに起こる。この状況が第7図に表されており、この図
は前の文字に対する波形72の終了部分とMICR読取器22で
現在読まれている文字の波形74の開始部分とを示す。波
形72の電圧ピーク72−1,72−2は現在読まれている文字
の波形74の電圧ピーク74−1,74−2よりもかなり高い部
分および低い部分であると考えられる。波形72に関連し
て起こるリンギング効果はかっこ76に含まれる両域内で
起こる。これらのリンギング効果は、一般的にMICR文字
内のピークの強度に比例する。
は、高い「リンギング」効果として知られる残留効果を
克服することに関する。リンギング効果は磁気強度の文
字の読取りが完了して次の文字の読取りが開始されると
きに起こる。この状況が第7図に表されており、この図
は前の文字に対する波形72の終了部分とMICR読取器22で
現在読まれている文字の波形74の開始部分とを示す。波
形72の電圧ピーク72−1,72−2は現在読まれている文字
の波形74の電圧ピーク74−1,74−2よりもかなり高い部
分および低い部分であると考えられる。波形72に関連し
て起こるリンギング効果はかっこ76に含まれる両域内で
起こる。これらのリンギング効果は、一般的にMICR文字
内のピークの強度に比例する。
第7図に関して議論したリンギング効果を取扱う公知
方法の一つは、一つの高強度文字の終了点と現在読取り
中の文字の開始点との間の「いかなる文字の読み取り」
もしないことであった。実際、二重矢印77で確定される
領域は、この両域内のいかなる動作も無視される「デッ
ドゾーン」と見做しうる。
方法の一つは、一つの高強度文字の終了点と現在読取り
中の文字の開始点との間の「いかなる文字の読み取り」
もしないことであった。実際、二重矢印77で確定される
領域は、この両域内のいかなる動作も無視される「デッ
ドゾーン」と見做しうる。
前節で議論したデッドゾーン(二重矢印77)の問題は
このゾーン内で実際の文字が始まる場合がしばしばある
ということである。このことは文字がE13B使用に従わず
に印字されないで相互に接近し過ぎて印字される場合に
起こりうる。図7に示す例ではもしもゾーン(二重矢印
77)内で全く読取りが行なわれなかったら、読取器10は
第7図に示すように新しい文字即ち現在読み込み中の文
字の波形74の開始による最初のピーク74−1を見逃すで
あろう。
このゾーン内で実際の文字が始まる場合がしばしばある
ということである。このことは文字がE13B使用に従わず
に印字されないで相互に接近し過ぎて印字される場合に
起こりうる。図7に示す例ではもしもゾーン(二重矢印
77)内で全く読取りが行なわれなかったら、読取器10は
第7図に示すように新しい文字即ち現在読み込み中の文
字の波形74の開始による最初のピーク74−1を見逃すで
あろう。
上述のリンギング効果を理論する前に、読取装置10に
使用されるしきい値を議論することが適切である。通
常、MICRデータの読取りの間に起こるある種のノイズを
除去するためにしきい値が使用される。当然に、特定の
変数に応じたしきい値が設定される。変数の内には例え
ば、走査される文書の性質、文書の印字の品質、当該文
書におけるインク飛沫もしくはEIFの量、およびMICR読
取器22により発生される信号の強度等が含まれる。この
実施例は、例えば、代表的な正ピーク値、負のピーク
値、絶対値約2ボルトを持つ。ある種のしきい値は経験
的に、予想される値を2ボルトとしてこれに対して相対
的に設定される。例えば、A/D変換器22−3からの電圧
サンプルが2ボルトとである場合はしきい値レベル#1
が0.080ボルトに設定され、A/D変換器22−3からの電圧
サンプルが3ボルトとである場合はしきい値レベル#2
が0.120ボルトに設定される。残りのしきい値レベル#
3から#8までは40ミリボルトの種々の整数倍に設定さ
れる。例えば、中間領域レベル又はしきい値レベル#5
は6×0.040即ち0.240ボルトに設定され、最高領域レベ
ル即ちしきい値レベル#8は9×0.040即ち0.360ボルト
に設定される。当然、色々な値と色々な数のしきい値が
用途に応じて使用できる。
使用されるしきい値を議論することが適切である。通
常、MICRデータの読取りの間に起こるある種のノイズを
除去するためにしきい値が使用される。当然に、特定の
変数に応じたしきい値が設定される。変数の内には例え
ば、走査される文書の性質、文書の印字の品質、当該文
書におけるインク飛沫もしくはEIFの量、およびMICR読
取器22により発生される信号の強度等が含まれる。この
実施例は、例えば、代表的な正ピーク値、負のピーク
値、絶対値約2ボルトを持つ。ある種のしきい値は経験
的に、予想される値を2ボルトとしてこれに対して相対
的に設定される。例えば、A/D変換器22−3からの電圧
サンプルが2ボルトとである場合はしきい値レベル#1
が0.080ボルトに設定され、A/D変換器22−3からの電圧
サンプルが3ボルトとである場合はしきい値レベル#2
が0.120ボルトに設定される。残りのしきい値レベル#
3から#8までは40ミリボルトの種々の整数倍に設定さ
れる。例えば、中間領域レベル又はしきい値レベル#5
は6×0.040即ち0.240ボルトに設定され、最高領域レベ
ル即ちしきい値レベル#8は9×0.040即ち0.360ボルト
に設定される。当然、色々な値と色々な数のしきい値が
用途に応じて使用できる。
本発明では、第2A図に示す正方向パルス48−1,48−2
等は文字の開始点と考えられるしきい値レベルを越えな
ければならない。例えば、正方向パルスが文字の開始と
見做されるためには、しきい値レベル#1を越える連続
した電圧サンプルが4個あり、しきい値レベル#2を越
える連続した電圧サンプルが2個あることが必要であ
る。この状況はこれまでに述べたすべての例について真
である。
等は文字の開始点と考えられるしきい値レベルを越えな
ければならない。例えば、正方向パルスが文字の開始と
見做されるためには、しきい値レベル#1を越える連続
した電圧サンプルが4個あり、しきい値レベル#2を越
える連続した電圧サンプルが2個あることが必要であ
る。この状況はこれまでに述べたすべての例について真
である。
今述べたしきい値レベル#1−#8は、RAM38に含ま
れるソフトウェアで与えられる。前述のリンギング効果
はある程度しきい値によって処理される。例えば適正な
文字が発見されると、当該文字の時間領域内の最後のゾ
ーンは第7図の波形についてピーク72−2で示す負のピ
ーク値を含む。本発明を与えるソフトウェアはピーク72
−2が波形72で表される文字内の最後のピークであると
認識し、それゆえ、ソフトウェアは文字の尾の部分を表
すピーク72−2の電圧値を検査する。波形72は高強度文
字を表すことを思い起こされたい。RAM38に記録された
ソフトウェアは波形72の電圧サンプルの値が読取装置10
で予期される正常波形に期待された電サンプルよりもか
なり高い値を検出する。従って、ソフトウェアは、引き
続いても起こるリンギング効果(第7図のかっこで示
す)を予期して通常の量よりも高いレベルにしきい値を
設定する。一般的に言って、第7図の72−2のように負
のピークが大きいほど、リンギング(72−3で示す)が
大きくなる。以下は色々の強度の信号に対していかにし
きい値を設定するかの例である。
れるソフトウェアで与えられる。前述のリンギング効果
はある程度しきい値によって処理される。例えば適正な
文字が発見されると、当該文字の時間領域内の最後のゾ
ーンは第7図の波形についてピーク72−2で示す負のピ
ーク値を含む。本発明を与えるソフトウェアはピーク72
−2が波形72で表される文字内の最後のピークであると
認識し、それゆえ、ソフトウェアは文字の尾の部分を表
すピーク72−2の電圧値を検査する。波形72は高強度文
字を表すことを思い起こされたい。RAM38に記録された
ソフトウェアは波形72の電圧サンプルの値が読取装置10
で予期される正常波形に期待された電サンプルよりもか
なり高い値を検出する。従って、ソフトウェアは、引き
続いても起こるリンギング効果(第7図のかっこで示
す)を予期して通常の量よりも高いレベルにしきい値を
設定する。一般的に言って、第7図の72−2のように負
のピークが大きいほど、リンギング(72−3で示す)が
大きくなる。以下は色々の強度の信号に対していかにし
きい値を設定するかの例である。
(1)低強度の文字に対してはしきい値#1および#2
を用いる。
を用いる。
(2)中強度の文字に対してはしきい値#3および#4
を用いる。
を用いる。
(3)高強度の文字に対してはしきい値#5および#6
を用いる。
を用いる。
(4)極度に高い強度の文字に対してはしきい値#7お
よび#8を用いる。
よび#8を用いる。
例えば、しきい値は第7図の「現在の文字」と記され
た次の文字の開始に対してはしきい値レベル#5に設定
すればよい。第7図で水平線78で例示したように#5に
設定されるしきい値レベルを用いて、波形72の部分72−
3により表されるリンギング効果はしきい値レベル#5
の下方にあり、従ってこの部分72−3は文字の開始点の
決定には考慮されない。また、本発明の方法は受信され
た後続の電圧サンプルに対して、例えば水平線80,82で
しめされるように「段階的に」しきい値を低減すること
も含む。波形74の部分74−1により表される新しい文字
が始まると前述のしきい値レベル#1および#2を持つ
いろいろのテストが行なわれる。今述べたしきい値は、
ノイズレベルおよび先行の文字のみならず例えば先行技
術との距離によっても変わるという意味で、動的しきい
値と呼ぶ。考えている文字の開始点の位置決定に関して
「誤りの開始」を除去するために、今述べたしきい値は
検査ウィンドをある程度延長する。
た次の文字の開始に対してはしきい値レベル#5に設定
すればよい。第7図で水平線78で例示したように#5に
設定されるしきい値レベルを用いて、波形72の部分72−
3により表されるリンギング効果はしきい値レベル#5
の下方にあり、従ってこの部分72−3は文字の開始点の
決定には考慮されない。また、本発明の方法は受信され
た後続の電圧サンプルに対して、例えば水平線80,82で
しめされるように「段階的に」しきい値を低減すること
も含む。波形74の部分74−1により表される新しい文字
が始まると前述のしきい値レベル#1および#2を持つ
いろいろのテストが行なわれる。今述べたしきい値は、
ノイズレベルおよび先行の文字のみならず例えば先行技
術との距離によっても変わるという意味で、動的しきい
値と呼ぶ。考えている文字の開始点の位置決定に関して
「誤りの開始」を除去するために、今述べたしきい値は
検査ウィンドをある程度延長する。
第8図は鋭い先頭端もしくは「あいまいな」先頭端84
−1を有する文字(図示していない)から発生するMICR
波形84の一部を示す。あいまいな先頭端84−1のため
に、この先頭端に対するCCSPは先頭端があいまい性を持
たない理想的波形を示す波線84−4上の点84−3よりい
くらか下方の点84−2で起こる。波形84で表される文字
を識別するために「型あわせ」が文字認識に採用された
場合、点84−2で示すCCSPが使用されると、この特定の
文字に対して抽出される残りの特徴が十分に一致しない
ことが考えられる。この問題を解決する手法として、本
発明は、バッファ38−1の一部である配列(以下、列と
いう)86内に、読み出された複数の電圧サンプル値を記
憶する工程を含む。列86は、第9図にその概要のみが図
示されているが、列86は、8ビットのメモリサイズで構
成され、複数の電圧サンプル値を格納している。アナロ
グの磁気文字読取波形は、読取りのための各サンプリン
グ毎に8ビットの1バイトデータにデジタル変換されて
メモリに格納されることを思い起こされたい。本実施例
においては、列86のメモリサイズは、各電圧サンプル値
のサイズ(8ビット)に等しく、磁気文字信号のサンプ
リングは、毎秒128,000回の割合で行われる。また、サ
ンプリングの開始格納位置は、列86内の最初のアドレス
である。言い換えると、列86は文書14に予期されるすべ
ての文字に対するすべての電圧サンプルを含みうる。当
然、もしもこれに足りないメモリしか利用できなけれ
ば、例えば文書14上の5文字の処理にバッファ38−1を
使用できる。
−1を有する文字(図示していない)から発生するMICR
波形84の一部を示す。あいまいな先頭端84−1のため
に、この先頭端に対するCCSPは先頭端があいまい性を持
たない理想的波形を示す波線84−4上の点84−3よりい
くらか下方の点84−2で起こる。波形84で表される文字
を識別するために「型あわせ」が文字認識に採用された
場合、点84−2で示すCCSPが使用されると、この特定の
文字に対して抽出される残りの特徴が十分に一致しない
ことが考えられる。この問題を解決する手法として、本
発明は、バッファ38−1の一部である配列(以下、列と
いう)86内に、読み出された複数の電圧サンプル値を記
憶する工程を含む。列86は、第9図にその概要のみが図
示されているが、列86は、8ビットのメモリサイズで構
成され、複数の電圧サンプル値を格納している。アナロ
グの磁気文字読取波形は、読取りのための各サンプリン
グ毎に8ビットの1バイトデータにデジタル変換されて
メモリに格納されることを思い起こされたい。本実施例
においては、列86のメモリサイズは、各電圧サンプル値
のサイズ(8ビット)に等しく、磁気文字信号のサンプ
リングは、毎秒128,000回の割合で行われる。また、サ
ンプリングの開始格納位置は、列86内の最初のアドレス
である。言い換えると、列86は文書14に予期されるすべ
ての文字に対するすべての電圧サンプルを含みうる。当
然、もしもこれに足りないメモリしか利用できなけれ
ば、例えば文書14上の5文字の処理にバッファ38−1を
使用できる。
列86(第9図)は「小揺るぎ」と呼ぶ処理に使用され
る。この処理は列86に記録されている文字の特徴を抽出
するのみ使用される。この場合、文字認識処理において
型合わせしている間、これらの特徴が別の文字の特徴に
合致するかいなかを別の調製されたCCSPを用いて決定さ
れる。例えば、もしも図8に示す点84−2が文字の開始
点として使用されると、この点84−2が、矢印88で示さ
れるサンプルから始まる列86内データにアクセスするた
めのアドレスとして使用される。サンプル88で始まるデ
ータ列次いで、従来の文字認識方法(型合わせなど)に
よって処理されて列が同定可能な文字を含むかいなかが
決定される。もしもこの型合わせ処理が認識可能な文字
を発生しないなら、列86内のサンプルが一致を妨げるよ
うに文字の開始点に対して相対的に少しずれているのか
も知れない。この場合、データは「小揺るぎ」される。
即ち、文字のCCSPが変えられて、この新しいCCSPが7時
間ゾーン内のサンプルがこの新しい開始点に対して相対
的に適切に位置されるようになるかいなかが見守られ
る。第8図では新しい開始点は点84−2に比べて時間軸
の後方に位置された点84−3である。この新しい開始点
84−3はこの新しい開始点について型合わせが起こすか
いなかを決定するための、列86に対するポインタもしく
はアドレス(矢印90で示す)として使用される。もしも
この「小揺るぎ」処理によって型合わせが起こらないな
ら、この特定の文字(この波形を持つもの)の記載され
た文書14は拒否される。
る。この処理は列86に記録されている文字の特徴を抽出
するのみ使用される。この場合、文字認識処理において
型合わせしている間、これらの特徴が別の文字の特徴に
合致するかいなかを別の調製されたCCSPを用いて決定さ
れる。例えば、もしも図8に示す点84−2が文字の開始
点として使用されると、この点84−2が、矢印88で示さ
れるサンプルから始まる列86内データにアクセスするた
めのアドレスとして使用される。サンプル88で始まるデ
ータ列次いで、従来の文字認識方法(型合わせなど)に
よって処理されて列が同定可能な文字を含むかいなかが
決定される。もしもこの型合わせ処理が認識可能な文字
を発生しないなら、列86内のサンプルが一致を妨げるよ
うに文字の開始点に対して相対的に少しずれているのか
も知れない。この場合、データは「小揺るぎ」される。
即ち、文字のCCSPが変えられて、この新しいCCSPが7時
間ゾーン内のサンプルがこの新しい開始点に対して相対
的に適切に位置されるようになるかいなかが見守られ
る。第8図では新しい開始点は点84−2に比べて時間軸
の後方に位置された点84−3である。この新しい開始点
84−3はこの新しい開始点について型合わせが起こすか
いなかを決定するための、列86に対するポインタもしく
はアドレス(矢印90で示す)として使用される。もしも
この「小揺るぎ」処理によって型合わせが起こらないな
ら、この特定の文字(この波形を持つもの)の記載され
た文書14は拒否される。
前に述べたように、文字ピッチは同じフォントの一つ
の文字の右端から隣接する文字の右端までの距離として
定義される。E13Bフォントでは、ピッチは0.125インチ
と規定される。E13Bフォントのすべての文字が同一のピ
ッチを有しないことは明白である。例えば、文字「1」
は「0」よりも狭い。しばしば当該フォントの文字の印
字期間中、一つの文字「1」のに次の文字が接近し過ぎ
ることがある。第10図において、0.125インチのピッチ
(拡大して示してある)は二重矢印92によって示され
る。これは文字「0」の先頭端「94」が「1」の先頭端
96に近すぎることを示す。
の文字の右端から隣接する文字の右端までの距離として
定義される。E13Bフォントでは、ピッチは0.125インチ
と規定される。E13Bフォントのすべての文字が同一のピ
ッチを有しないことは明白である。例えば、文字「1」
は「0」よりも狭い。しばしば当該フォントの文字の印
字期間中、一つの文字「1」のに次の文字が接近し過ぎ
ることがある。第10図において、0.125インチのピッチ
(拡大して示してある)は二重矢印92によって示され
る。これは文字「0」の先頭端「94」が「1」の先頭端
96に近すぎることを示す。
第11図は、文字「1」の波形98とあわせて文字「0」
の波形100を示す。これらの波形は第10図に示す文字に
関連して示してある。図示の簡単化のため、波形98およ
び100は左から右は読まれるように示されているが、実
際は第1図に示すように文字は右から左へ読まれること
を思い起こされたい。
の波形100を示す。これらの波形は第10図に示す文字に
関連して示してある。図示の簡単化のため、波形98およ
び100は左から右は読まれるように示されているが、実
際は第1図に示すように文字は右から左へ読まれること
を思い起こされたい。
先行技術システムでも文字「1」を発見し、認識する
ことができる。しかしながら、E13Bフォントに関連した
正常の文字ピッチにより読まれるまで、次の文字を探す
ことはしない。この時点は第11図の点102で示されてい
るが、この点は第10図の二重矢印92で示されるピッチの
終了点に対応する。第10図に示す文字はE13Bフォントで
決められたものよりも相互に接近し過ぎて印字されてい
るので、波形100の最初の正方向パルス100−1は見失わ
れてしまう。なぜならばそれは適切なデータが予期され
ない期間内にあるからである。先行技術システムでは文
字「0」最初の正方向パルス100−1が、見失われるの
で、読んでいる文書14上の後続の文字と共に第10図の文
字「0」が不適切に認識されよう。
ことができる。しかしながら、E13Bフォントに関連した
正常の文字ピッチにより読まれるまで、次の文字を探す
ことはしない。この時点は第11図の点102で示されてい
るが、この点は第10図の二重矢印92で示されるピッチの
終了点に対応する。第10図に示す文字はE13Bフォントで
決められたものよりも相互に接近し過ぎて印字されてい
るので、波形100の最初の正方向パルス100−1は見失わ
れてしまう。なぜならばそれは適切なデータが予期され
ない期間内にあるからである。先行技術システムでは文
字「0」最初の正方向パルス100−1が、見失われるの
で、読んでいる文書14上の後続の文字と共に第10図の文
字「0」が不適切に認識されよう。
本発明の方法では、第10図の文字「1」は正しく認識
される。しかし認識に成功したとき、制御装置26はE13B
文字を終了させる負のピーク104によって、文字「1」
の終了端がどこに起こるかを知る。制御装置26は正常の
ピッチの終わりの前に起こる点106において次の正方向
のピークを探し始める。文字が適切に印字されており、
かつMICR文字は印字された文書がMICR読取器22を予定の
速度で通過すると仮定すると、次の文字を探す正常な時
間はE13Bフォントに指定された点102で生ずる。電圧サ
ンプル88,90等は第9図に関連して説明したように列86
内に記録されているので、制御装置26にとってバッファ
38−1内の新しいポインタもしくはアドレスの位置(ロ
ケーション)を計算することは容易なことである。この
点第11図の点106に対応する。従って前述したように制
御装置は次の文字に対する新しい正方向パルス100−1
を求めるための新たなウィンド108を開始する。当然、
どこから後続文字の開始点を求めるかという位置を特性
する技術がE13Bフォントの文字のすべてに対して拡張さ
れる。その開始位置は認識された文字に基づいている。
される。しかし認識に成功したとき、制御装置26はE13B
文字を終了させる負のピーク104によって、文字「1」
の終了端がどこに起こるかを知る。制御装置26は正常の
ピッチの終わりの前に起こる点106において次の正方向
のピークを探し始める。文字が適切に印字されており、
かつMICR文字は印字された文書がMICR読取器22を予定の
速度で通過すると仮定すると、次の文字を探す正常な時
間はE13Bフォントに指定された点102で生ずる。電圧サ
ンプル88,90等は第9図に関連して説明したように列86
内に記録されているので、制御装置26にとってバッファ
38−1内の新しいポインタもしくはアドレスの位置(ロ
ケーション)を計算することは容易なことである。この
点第11図の点106に対応する。従って前述したように制
御装置は次の文字に対する新しい正方向パルス100−1
を求めるための新たなウィンド108を開始する。当然、
どこから後続文字の開始点を求めるかという位置を特性
する技術がE13Bフォントの文字のすべてに対して拡張さ
れる。その開始位置は認識された文字に基づいている。
第1図は本発明の読取り器の好ましい形態をブロック線
図で示した概略図で、文書の上縁が読み取られる場合の
図である。本装置はまた本発明の方法を実行するための
制御装置を含む。 第2図は文字一部の先頭端付近にインク飛沫(これをEI
Fと言う)があることを示す線図である。 第2A図は第2図に示すインク飛沫についての波形と文字
の部分についての波形の一部とを示す図である。 第3図は波線で示すように適切に印字されなかった文字
部分を有する文字“0"の拡大図である。 第4図は第3図に示す文字についてのMICR波形の線図で
ある。 第5図は文字の開始部分近辺にインク飛沫がある文字
“0"の一部の拡大図である。 第6図は第5図に示す文字についてのMICR波形の線図で
ある。 第7図は先行文字の終端との間に延びるMICR波形の一部
と、現在読取り中の文字のMICR波形の開始部とを示す線
図である。 第8図は“あいまいな”先頭端を有する文字についての
MICR波形の一部を示す図である。 第9図は第1図に示すバッファの一部の線図である。 第10図は所定のフォントにおける“ピッチ”問題を例示
するための、2文字の略線平面図である。 第11図は第10図に示した2文字に対応する波形である。 10……読取装置、12……文書トラック、14……文書、16
……文書移送器、20……文書存在センサー、22……MICR
読取器、26……制御装置、34……主制御装置、36……RO
M、38……RAM,40……キーボード、42……ディスプレ
ー、46……制御論理回路。
図で示した概略図で、文書の上縁が読み取られる場合の
図である。本装置はまた本発明の方法を実行するための
制御装置を含む。 第2図は文字一部の先頭端付近にインク飛沫(これをEI
Fと言う)があることを示す線図である。 第2A図は第2図に示すインク飛沫についての波形と文字
の部分についての波形の一部とを示す図である。 第3図は波線で示すように適切に印字されなかった文字
部分を有する文字“0"の拡大図である。 第4図は第3図に示す文字についてのMICR波形の線図で
ある。 第5図は文字の開始部分近辺にインク飛沫がある文字
“0"の一部の拡大図である。 第6図は第5図に示す文字についてのMICR波形の線図で
ある。 第7図は先行文字の終端との間に延びるMICR波形の一部
と、現在読取り中の文字のMICR波形の開始部とを示す線
図である。 第8図は“あいまいな”先頭端を有する文字についての
MICR波形の一部を示す図である。 第9図は第1図に示すバッファの一部の線図である。 第10図は所定のフォントにおける“ピッチ”問題を例示
するための、2文字の略線平面図である。 第11図は第10図に示した2文字に対応する波形である。 10……読取装置、12……文書トラック、14……文書、16
……文書移送器、20……文書存在センサー、22……MICR
読取器、26……制御装置、34……主制御装置、36……RO
M、38……RAM,40……キーボード、42……ディスプレ
ー、46……制御論理回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G06K 9/20 G06K 9/00
Claims (1)
- 【請求項1】文書上に磁気インクで印字された文字デー
タの文字の開始点を決定する方法において該文字データ
に含まれる文字の開始点が常に正方向信号で開始され、
かつ該文字データに含まれる文字が正のピーク値と負の
ピーク値と実質上ゼロ値との組み合わせで形成されてい
る該文字の開始点決定方法であって、 (a)該文書上の該文字データに対応した波形を発生す
るように磁気読取器と読取り関係を維持しつつ該文書を
移動させる段と、 (b)電圧サンプルを発生するように周期的に該波形の
サンプルを取る段と、 (c)段(b)で得られた正方向電圧サンプルの内、予
定のしきいレベルを超えるサンプルを発見する段と、 (d)段(c)で得られた該正方向電圧サンプルを用い
て、予定数の該電圧サンプル時間に等しい持続時間を持
つ検査ウィンドーを開始する段と、 (e)該検査ウィンドーの開始点から終了点までの間の
該電圧サンプルを検査してその中の最高電圧のサンプル
を発見する段と、 (f)段(e)で発見された最高電圧サンプルから進め
て該検査ウィンドーの該開始点に向けて該電圧サンプル
を検査し、該電圧サンプルの一つが負になる点またはこ
の検査段内の該検査ウィンドーが一群の正電圧サンプル
を含むようになった該ウィンドーの開始点を発見する段
と、 (g)段(f)の該一群の電圧サンプルに含まれる電圧
サンプルの平均値を計算する段と、 (h)該一群の電圧サンプルのうち、該(g)段で計算
された平気値より大きな電圧値を有する最初の電圧サン
プルを発見する段と、 (i)計算によって得られた文字認識のための文字開始
位置(CCSP)として段(h)で得られた該最初の電圧サ
ンプルを用いる段と を含む印字文字開始点決定方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/457,623 US5026974A (en) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Method for recognizing the leading edge of a character in E13B font |
US457,623 | 1989-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03216781A JPH03216781A (ja) | 1991-09-24 |
JP2954699B2 true JP2954699B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=23817478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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EP (1) | EP0435572B1 (ja) |
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DE (1) | DE69025891T2 (ja) |
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US6327378B1 (en) | 1995-02-15 | 2001-12-04 | Banctec, Inc. | Character recognition method |
US5876132A (en) * | 1995-05-23 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporation | Method and system for high character density printing utilizing low pel density characters |
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JP4923225B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-04-25 | 日本電産サンキョー株式会社 | 文字切り出し方法及び文字切り出し装置 |
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1989
- 1989-12-27 US US07/457,623 patent/US5026974A/en not_active Expired - Lifetime
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1990
- 1990-10-29 CA CA002028707A patent/CA2028707C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-30 JP JP2330916A patent/JP2954699B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-20 EP EP90313995A patent/EP0435572B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-20 DE DE69025891T patent/DE69025891T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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US5026974A (en) | 1991-06-25 |
CA2028707C (en) | 1995-12-26 |
EP0435572B1 (en) | 1996-03-13 |
DE69025891D1 (de) | 1996-04-18 |
DE69025891T2 (de) | 1996-10-10 |
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